JP2001214266A

JP2001214266A - 成膜装置および成膜方法

Info

Publication number: JP2001214266A
Application number: JP2000023066A
Authority: JP
Inventors: Hideo Fujii; 秀雄藤井
Original assignee: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd
Current assignee: Pentax Corp
Priority date: 2000-01-31
Filing date: 2000-01-31
Publication date: 2001-08-07

Abstract

(57)【要約】【課題】正確に成膜速度を制御し得る成膜装置および成
膜方法を提供する。【解決手段】成膜装置１は、チャンバ２と、基板３お
よびモニタ基板３０を保持するホルダ４と、ヒータ５
と、シャッタ６と、材料供給源７と、ランプ８と、モニ
タ基板３０からの短波長（第１の波長）の反射光および
長波長（第２の波長）の反射光を検出する光検出手段９
と、制御手段１１とを有している。成膜の際は、所定
の時間における短波長の光の反射率を目標値に設定し、
前記所定の時間から時間Ｔｓ＝Ｄｆ（Ｌｌ／Ｌｓ−１）
／Ｖｆ（但し、Ｄｆは前記所定の時間における薄膜の膜
厚、Ｌｓは短波長、Ｌｌは長波長、Ｖｆは目標の成膜
速度である）経過後において長波長の光の反射率が前記
目標値に達するように成膜速度を調整する。この目標値
の設定と成膜速度の調整とを複数回繰り返し行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、成膜装置および成
膜方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】真空蒸着法、ＣＶＤ（化学蒸着）法、イ
オンアシスト蒸着法、イオンプレーティング、スパッタ
リングのような気相成膜法により薄膜形成対象物に薄膜
を形成する成膜装置が知られている。

【０００３】従来、成膜装置の成膜速度は、下記水晶振
動子制御法や、制御カーブ法により制御（調整）されて
いる。

【０００４】水晶振動子制御法薄膜形成対象物の近傍に水晶振動子を設置しておき、成
膜の際、薄膜が形成されていく水晶振動子の固有振動数
の変化からその水晶振動子における成膜速度を求める。
この検出された成膜速度を薄膜形成対象物における成膜
速度と推定し、前記検出された成膜速度が所定の一定値
を保つように成膜速度を調整する。

【０００５】制御カーブ法過去に成膜したときのデータから、薄膜の真空中屈折率
の予想値（予想真空中屈折率）を求め、成膜速度を所定
の一定値にして成膜したときであって、所定の波長の光
を薄膜形成対象物に向けて照射したときのその光の反射
率または透過率の時間変化カーブ（制御カーブ）を予め
作成しておく。

【０００６】成膜の際、前記波長の光を薄膜形成対象物
に向けて照射し、その反射率または透過率を検出し、そ
の検出値が前記制御カーブに追随するように成膜速度を
調整する。

【０００７】しかしながら、前記水晶振動子制御法や制
御カーブ法には、下記の欠点がある。

【０００８】水晶振動子制御法水晶振動子の温度変化がその固有振動数の誤差の原因に
なるので、水晶振動子の温度変化を小さくするために、
成膜の際は、水晶振動子を冷却する。

【０００９】一方、成膜の際は、薄膜形成対象物を加熱
する場合がある。特に、ＣＶＤ法により薄膜形成対象物
に薄膜を形成する際は、その薄膜形成対象物を加熱し
て、薄膜（膜材料）と薄膜形成対象物との化学反応を促
す必要がある。また、真空蒸着法により薄膜形成対象物
に薄膜を形成する際も薄膜の耐久性を向上させるため
に、薄膜形成対象物を加熱することがある。

【００１０】従って、成膜の際は、水晶振動子の温度と
薄膜形成対象物の温度とが異なる。このため、水晶振動
子と薄膜形成対象物とでは、薄膜の付き方（成膜速度）
が異なり、これにより成膜速度を正確に制御することが
できない。

【００１１】制御カーブ法実際に形成される薄膜の真空中屈折率は、成膜の際の薄
膜形成対象物の温度、成膜装置内の真空度等の成膜条件
により微妙に変化し、このため前記真空中屈折率と予想
真空中屈折率とが一致しない場合がある。

【００１２】前記真空中屈折率と予想真空中屈折率とが
一致していない場合には、検出された反射率または透過
率が前記制御カーブに追随するように成膜速度を調整し
ても、目標の成膜速度は得られない。

【００１３】すなわち、前記真空中屈折率が予想真空中
屈折率より低い場合には、成膜速度が目標値より速くな
り、逆に、前記真空中屈折率が予想真空中屈折率より高
い場合には、成膜速度が目標値より遅くなる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、正確
に成膜速度を制御し得る成膜装置および成膜方法を提供
することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１０）の本発明により達成される。

【００１６】（１）気相成膜法により薄膜形成対象物
に薄膜を形成する成膜装置であって、成膜の際、前記薄
膜形成対象物に形成された薄膜における、第１の波長の
光の反射率または透過率と、該第１の波長より長い第２
の波長の光の反射率または透過率とをそれぞれ検出する
光学特性検出手段と、所定の時間における前記第１の波
長の光の反射率または透過率を目標値に設定し、前記所
定の時間から所定期間経過後において前記第２の波長の
光の反射率または透過率が前記目標値に達するように成
膜速度を調整する調整手段とを有し、前記目標値の設定
と前記成膜速度の調整とを複数回繰り返し行うよう構成
されていることを特徴とする成膜装置。

【００１７】（２）前記所定期間Ｔｓは、下記式から
求められる上記（１）に記載の成膜装置。Ｔｓ＝Ｄｆ（Ｌｌ／Ｌｓ−１）／Ｖｆ但し、Ｄｆは前記所定の時間における薄膜の膜厚、Ｌｓ
は第１の波長、Ｌｌは第２の波長、Ｖｆは目標の成膜速
度である。

【００１８】（３）前記光学特性検出手段は、前記薄
膜形成対象物の前記薄膜形成面に向けて、前記第１の波
長の光と、前記第２の波長の光とをそれぞれ照射する投
光手段と、前記薄膜形成対象物からの前記第１の波長の
反射光または透過光と、前記第２の波長の反射光または
透過光とをそれぞれ検出する光検出手段とを有し、前記
光検出手段からの情報に基づいて、前記第１の波長の光
の反射率または透過率と、前記第２の波長の光の反射率
または透過率とをそれぞれを求めるよう構成されている
上記（１）または（２）に記載の成膜装置。

【００１９】（４）前記投光手段は、前記第１の波長
の光と前記第２の波長の光とを含む光を照射し、前記光
検出手段は、前記薄膜形成対象物からの反射光または透
過光から、前記第１の波長の光と前記第２の波長の光と
をそれぞれ抽出する抽出手段と、該抽出手段により抽出
された前記第１の波長の光を検出する第１の検出器と、
前記抽出手段により抽出された前記第２の波長の光を検
出する第２の検出器とを有する上記（３）に記載の成膜
装置。

【００２０】第１の波長の光を発する第１の波長の光専
用の光源と、第２の波長の光を発する第２の波長の光専
用の光源とを用いる場合に比べ、光源の数を少なくする
ことができ、これにより装置の構成を簡素化することが
でき、また、第１の波長の光の照射位置と第２の波長の
光の照射位置とを一致させるための位置合わせが不要に
なる。

【００２１】（５）前記薄膜形成対象物および前記薄
膜は、それぞれ誘電体材料で構成されており、前記薄膜
形成対象物および前記薄膜のそれぞれの前記第１の波長
の光に対する屈折率と前記第２の波長の光に対する屈折
率との差が±０．０１以内である上記（１）ないし
（４）のいずれかに記載の成膜装置。これにより、より
正確かつ確実に成膜速度を制御することができる。

【００２２】（６）前記第１の波長が４００〜１５０
０ｎｍであり、前記第１の波長と前記第２の波長との差
が１０〜１００ｎｍである上記（１）ないし（５）のい
ずれかに記載の成膜装置。これにより、より正確かつ確
実に成膜速度を制御することができる。

【００２３】（７）前記薄膜形成対象物を加熱する加
熱手段を有する上記（１）ないし（６）のいずれかに記
載の成膜装置。

【００２４】薄膜形成対象物を所定の温度に加熱するこ
とにより、得られる薄膜の密度を向上させることができ
る。

【００２５】（８）上記（１）ないし（７）のいずれ
かに記載の成膜装置を用いて薄膜形成対象物に薄膜を形
成することを特徴とする成膜方法。

【００２６】（９）気相成膜法により薄膜形成対象物
に薄膜を形成する成膜方法であって、成膜の際、前記薄
膜形成対象物に形成された薄膜における所定の時間にお
ける第１の波長の光の反射率または透過率を検出し、そ
の検出値を目標値に設定し、前記所定の時間から所定期
間経過後において前記第１の波長より長い第２の波長の
光の反射率または透過率が前記目標値に達するように成
膜速度を調整する制御を複数回繰り返し行うことを特徴
とする成膜方法。

【００２７】（１０）前記所定期間Ｔｓを下記式から
求める上記（９）に記載の成膜方法。Ｔｓ＝Ｄｆ（Ｌｌ／Ｌｓ−１）／Ｖｆ但し、Ｄｆは前記所定の時間における薄膜の膜厚、Ｌｓ
は第１の波長、Ｌｌは第２の波長、Ｖｆは目標の成膜速
度である。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の成膜装置および成
膜方法を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に
説明する。なお、説明中「膜厚」とは、断らない限り、
物理的膜厚を意味するものとする。

【００２９】本発明の成膜装置および成膜方法は、それ
ぞれ、気相成膜法により薄膜形成対象物に薄膜を形成す
る装置および方法である。

【００３０】この気相成膜法としては、例えば、真空蒸
着法、ＣＶＤ（化学蒸着）法、イオンアシスト蒸着法、
イオンプレーティング、スパッタリング等が挙げられ
る。

【００３１】以下の説明では、代表的に、真空蒸着法に
より薄膜形成対象物に薄膜を形成する成膜装置（真空蒸
着装置）および成膜方法について説明する。

【００３２】また、本発明では、成膜の際、薄膜形成対
象物に形成された薄膜における、第１の波長（短波長）
の光の反射率または透過率と、この第１の波長より長い
第２の波長（長波長）の光の反射率または透過率とをそ
れぞれ検出して、成膜速度の調整を行うが、以下の説明
では、代表的に、反射率を検出して成膜速度の調整を行
う成膜装置および成膜方法について説明する。

【００３３】図１は、本発明の成膜装置を真空蒸着装置
に適用した場合の実施形態を模式的に示す断面図であ
る。

【００３４】同図に示すように、成膜装置１は、チャン
バ（真空炉）２と、基板（薄膜形成対象物）３およびモ
ニタ基板（薄膜形成対象物）３０を保持するホルダ（保
持部）４と、ヒータ（加熱手段）５と、シャッタ６と、
材料供給源７と、ランプ（投光手段）８と、光検出手段
９と、制御手段１１とを有している。

【００３５】チャンバ２には、管路１４および１５がそ
れぞれ接続されている。管路１４は、チャンバ２内の雰
囲気ガス（不活性ガス、反応ガス等）を排気する真空ポ
ンプ１２に接続されている。また、管路１５は、チャン
バ２内に反応ガスを導入する反応ガスボンベ１３に接続
されている。管路１５の途中には、バルブ１６が取り付
けられている。

【００３６】このチャンバ２の雰囲気としては、通常、
非酸化性雰囲気、例えば、減圧（真空）状態下、あるい
は窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスが好ましい。
この雰囲気中には、前記反応ガスボンベ１３から少量の
反応ガス（酸素ガス等）を導入することができる。

【００３７】チャンバ２の上部には、ホルダ４が設置さ
れている。ホルダ４には、薄膜を形成する複数の基板
（薄膜形成対象物）３と、前記薄膜と同じ性状（同等）
の薄膜を形成するモニタ基板（薄膜形成対象物）３０と
が、それぞれ保持される。モニタ基板３０の構成材料、
形状、寸法等は、すべて基板３のそれと等しい。

【００３８】基板３およびモニタ基板３０は、誘電体材
料で構成されているのが好ましく、その構成材料として
は、例えば、各種の光学ガラスや、アクリル系樹脂、ポ
リカーボネート系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリオ
レフィン系樹脂等の樹脂材料等の光学材料が挙げられ
る。

【００３９】また、基板３およびモニタ基板３０の成膜
面に形成される薄膜は、誘電体材料で構成されているの
が好ましい。

【００４０】また、ホルダ４とチャンバ２の上壁２２と
の間には、ヒータ（加熱手段）５が設置されている。

【００４１】このヒータ５は、チャンバ２内の基板３、
モニタ基板３０および雰囲気を加熱する。

【００４２】基板３およびモニタ基板３０が光学ガラス
で構成されている場合には、基板温度を１５０〜３５０
℃程度に加熱・保持することが好ましく、２００〜３０
０℃程度に加熱・保持することがより好ましい。これに
より、得られる薄膜の膜密度が向上する。また、基板３
およびモニタ基板３０が樹脂等の光学材料で構成されて
いる場合には、基板変形を生じない程度に加熱・保持す
ることが好ましい。

【００４３】なお、基板３、モニタ基板３０および雰囲
気の温度は、ヒータ５の近傍に設置された熱電対（図示
せず）により計測され、計測値は制御手段１１に入力さ
れる。制御手段１１は、その計測値に基づいてヒータ５
の駆動を制御する。

【００４４】また、チャンバ２内の底部の図１中右側に
は、材料供給源７が設置されている。

【００４５】材料供給源７は、ルツボ７２と、このルツ
ボ７２内に配置（充填）された蒸発源７１と、電子銃７
３とで構成されている。電子銃７３は、高エネルギー密
度の電子ビームを放出し、ルツボ７２内の蒸発源７１を
加熱し、溶融・蒸発させる。

【００４６】また、チャンバ２内であって、材料供給源
７のルツボ７２の上側には、シャッタ６が設置されてい
る。

【００４７】このシャッタ６は、例えば、複数の羽根か
らなるアイリス構造を有するものである。

【００４８】シャッタ６は、材料供給源７から供給され
る材料（蒸発した蒸発源７）の基板３の成膜面およびモ
ニタ基板３０の成膜面への移行を遮断する機能を有す
る。

【００４９】シャッタ６が閉じているとき（閉状態のと
き）は、基板３の成膜面およびモニタ基板３０の成膜面
への膜材料の付着、すなわち、薄膜の形成（成膜）が阻
止される。

【００５０】逆に、シャッタ６が開いているとき（開状
態のとき）は、基板３の成膜面およびモニタ基板３０の
成膜面への膜材料の付着、すなわち、薄膜の形成が可能
になる。

【００５１】また、チャンバ２の底部の中央部には、光
透過性を有する部材（例えば、各種ガラスや、各種樹脂
等）で構成された窓２１が設けられている。

【００５２】また、チャンバ２の外部であって、窓２１
の下側には、白色光を発するランプ（投光手段）８と、
光検出手段９とが、それぞれ設置されている。

【００５３】前記白色光は、第１の波長（以下、「短波
長」と言う）の光と、この短波長より長い第２の波長
（以下、「長波長」と言う）の光とを含んでいる。この
短波長の光および長波長の光は、それぞれ、後述する成
膜速度の制御（調整）において使用される。

【００５４】短波長および長波長は、基板３、モニタ基
板３０およびこれらに形成される薄膜のそれぞれの短波
長の光に対する屈折率と長波長の光に対する屈折率との
差が±０．０１以内、特に、±０．００５以内になるよ
うに設定されるのが好ましい。これにより、短波長の光
の反射率のピーク値（極大値および極小値）と長波長の
光の反射率のピーク値（極大値および極小値）とがほぼ
一致し、成膜速度をより正確かつ確実に制御することが
できる。

【００５５】また、短波長は、４００〜１５００ｎｍ程
度であるのが好ましく、４５０〜１４００ｎｍ程度であ
るのがより好ましい。また、短波長と長波長との差は、
１０〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、１５〜９５
ｎｍ程度であるのがより好ましい。これにより、短波長
の光の反射率のピーク値（極大値および極小値）と長波
長の光の反射率のピーク値（極大値および極小値）とが
ほぼ一致し、成膜速度をより正確かつ確実に制御するこ
とができる。

【００５６】光検出手段９は、ハーフミラー９１と、入
射した白色光から短波長の光のみを抽出（分離）する短
波長分光器９２と、この短波長分光器９２から出射した
短波長の光を検出する短波長検出器（第１の検出器）９
３と、入射した白色光から長波長の光のみを抽出（分
離）する長波長分光器９４と、この長波長分光器９４か
ら出射した長波長の光を検出する長波長検出器（第２の
検出器）９５とで構成されている。

【００５７】制御手段１１は、通常、マイクロコンピュ
ータ（ＣＰＵ）で構成され、ヒータ５、シャッタ６、電
子銃７３、ランプ８、真空ポンプ１２およびバルブ１６
等、成膜装置１全体の駆動を制御する。

【００５８】なお、この制御手段１１により、成膜速度
を調整する調整手段の主機能が達成される。

【００５９】ランプ８から発せられた白色光は、窓２１
を透過し、モニタ基板３０の成膜面に向って進み、その
モニタ基板３０で反射する。この反射光は、窓２１を透
過し、そのうちの一部は、ハーフミラー９１で反射し、
短波長分光器９２に入射し、残部は、ハーフミラー９１
を透過し、長波長分光器９４に入射する。

【００６０】短波長分光器９２では、短波長の光のみが
抽出され、その短波長の光は、短波長検出器９３に入射
する。

【００６１】一方、長波長分光器９４では、長波長の光
のみが抽出され、その長波長の光は、長波長検出器９５
に入射する。

【００６２】短波長検出器９３では、短波長の光が検出
される。すなわち、短波長の光が受光され、その受光光
量に対応する情報（検出値）が、制御手段１１に入力さ
れる。

【００６３】本実施形態では、制御手段１１は、前記情
報（検出値）と、後述する短波長の光の反射率が１（１
００％）のときの前記短波長検出器９３での受光光量に
対応する情報とに基づいて、成膜開始前は、モニタ基板
３０、成膜開始後は、モニタ基板３０とこのモニタ基板
３０に形成された薄膜全体の短波長の光の反射率（以
下、単に「短波長の光の反射率」と言う）を求める。

【００６４】一方、長波長検出器９５では、長波長の光
が検出される。すなわち、長波長の光が受光され、その
受光光量に対応する情報（検出値）が、制御手段１１に
入力される。

【００６５】本実施形態では、制御手段１１は、前記情
報（検出値）と、後述する長波長の光の反射率が１（１
００％）のときの前記長波長検出器９５での受光光量に
対応する情報とに基づいて、成膜開始前は、モニタ基板
３０、成膜開始後は、モニタ基板３０とこのモニタ基板
３０に形成された薄膜全体の長波長の光の反射率（以
下、単に「長波長の光の反射率」と言う）を求める。

【００６６】なお、前記ハーフミラー９１、短波長分光
器９２および長波長分光器９４により、抽出手段が構成
される。

【００６７】また、前記ランプ８、光検出手段９および
制御手段１１により、光学特性検出手段が構成される。

【００６８】次に、この成膜装置１における成膜速度の
制御（調整）について説明する。ここで、成膜速度と
は、単位時間当たりに、基板３およびモニタ基板３０の
成膜面に形成される薄膜の厚さ（成膜面の単位面積当り
に形成される薄膜の量）を言う。

【００６９】図２は、成膜の際の短波長の光の反射率Ｒ
ｓおよび長波長の光の反射率Ｒｌの経時変化（時間に対
する変化）を示すグラフである。

【００７０】まず、概要を説明する。図２に示すよう
に、成膜中の長波長の光の反射率Ｒｌは、短波長の光の
反射率Ｒｓに対して遅れている。

【００７１】成膜速度を目標の成膜速度Ｖｆにするため
に、成膜の際は、所定の時間における短波長の光の反射
率を目標値に設定し、前記所定の時間から所定期間（時
間）Ｔｓ経過後において長波長の光の反射率が前記目標
値に達するように成膜速度を調整（変更または維持）す
る。この目標値の設定と成膜速度の調整とを複数回繰り
返し行う（成膜を終了するまで行う）。前記所定期間Ｔ
ｓは、下記（１）式から求められる。

【００７２】Ｔｓ＝Ｄｆ（Ｌｌ／Ｌｓ−１）／Ｖｆ・・・（１）但し、Ｄｆは前記所定の時間における薄膜の膜厚、Ｌｓ
は短波長（第１の波長）、Ｌｌは長波長（第２の波
長）、Ｖｆは目標の成膜速度である。

【００７３】すなわち、図２に示すように、所定の時間
ｔ１における短波長の光の反射率Ｒｓを検出（測定）
し、その値を目標値Ｒｍ１に設定するとともに、前記
（１）式から時間Ｔｓ１を求める。そして、時間ｔ１か
ら時間Ｔｓ１経過後において長波長の光の反射率Ｒｌが
目標値Ｒｍ１に達するように成膜速度を調整する。

【００７４】続いて、時間ｔ２における短波長の光の反
射率Ｒｓを検出し、その値を目標値Ｒｍ２に設定すると
ともに、前記（１）式から時間Ｔｓ２を求める。そし
て、時間ｔ２から時間Ｔｓ２経過後において長波長の光
の反射率Ｒｌが目標値Ｒｍ２に達するように成膜速度を
調整する。

【００７５】以下、同様にして、時間ｔｘにおける短波
長の光の反射率Ｒｓを検出し、その値を目標値Ｒｍｘに
設定するとともに、前記（１）式から時間Ｔｓｘを求め
る。そして、時間ｔｘから時間Ｔｓｘ経過後において長
波長の光の反射率Ｒｌが目標値Ｒｍｘに達するように成
膜速度を調整する。

【００７６】前記成膜速度は、例えば、電子銃７３のパ
ワー（蒸発源７１の加熱）を調整することにより調整す
る。なお、ＣＶＤ法により成膜を行う成膜装置の場合に
は、例えば、膜材料の流量を調整し、スパッタリングに
より成膜を行う成膜装置の場合には、例えば、スパッタ
パワーを調整する。

【００７７】このような成膜速度の制御を行うことによ
り、正確かつ確実に成膜速度を制御することができる。

【００７８】すなわち、基板温度が低い場合はもちろん
のこと、水晶振動子を用いないので、基板温度が高い場
合も成膜速度を正確に制御することができ、また、短波
長の光の反射率（または透過率）を目標値にして成膜速
度を調整するので、薄膜の真空中の屈折率変動にもほど
んど影響を受けることなく、成膜速度を正確に制御する
ことができる。

【００７９】次に、前記成膜速度の制御により、目標の
成膜速度Ｖｆで成膜することができることを説明する。

【００８０】説明を簡単にするため、短波長をＬｓ［ｎ
ｍ］、長波長をＬｌ［ｎｍ］、基板３およびモニタ基板
３０の屈折率をＮｓ、薄膜の屈折率をＮｆ、薄膜の膜厚
をＤｆ［ｎｍ］とすると、短波長の光の場合の位相膜厚
δｓは、下記式で表される。 δｓ＝４πＮｆＤｆ／Ｌｓ

【００８１】一方、長波長の光の場合の位相膜厚δｌ
は、下記式で表される。 δｌ＝４πＮｆＤｆ／Ｌｌ

【００８２】また、位相膜厚をδとすると、各波長の光
の反射率Ｒは、下記（２）式で表される。

【００８３】Ｒ＝｛(1-Nf)²(Nf+Ns)²+(1+Nf)²(Nf-Ns)²+2(1-Nf²)(Nf²-Ns²)cosδ｝／｛(1+N f)²(Nf+Ns)²+(1-Nf)²(Nf-Ns)²+2(1-Nf²)(Nf²-Ns²)cosδ｝・・・（２）前記（２）式の位相膜厚δを短波長の光の場合の位相膜
厚δｓに置き換えれば、前記（２）式は、短波長の光の
反射率Ｒｓを示す式になり、また、前記（２）式の位相
膜厚δを長波長の光の場合の位相膜厚δｌに置き換えれ
ば、前記式（２）は、長波長の光の反射率Ｒｌを示す式
になる。

【００８４】ここで、この成膜装置１における成膜速度
の制御においては、成膜速度を目標の成膜速度Ｖｆ［ｎ
ｍ／秒］にするために、前述したように、現在（所定の
時間）からＴｓ［秒］後に、長波長の光の反射率が短波
長の光の現在（所定の時間）の反射率になるように、随
時成膜速度を調整するが、前記Ｔｓが前記（１）式で表
される理由を述べる。

【００８５】まず、薄膜の膜厚がＤｓ［ｎｍ］のときの
短波長（波長Ｌｓ［ｎｍ］）の光の反射率をＲｓ、薄膜
の膜厚がＤｌ［ｎｍ］のときの長波長（波長Ｌｌ［ｎ
ｍ］）の光の反射率をＲｌとすると、前記ＲｓとＲｌと
が一致するためには、反射率Ｒを示す前記（２）式の位
相膜厚δが互いに等しければよい。

【００８６】すなわち、Ｒｌは、薄膜の膜厚Ｄｌ［ｎ
ｍ］がＤｓＬｌ／Ｌｓのとき（Ｄｌ＝ＤｓＬｌ／Ｌｓの
とき）にＲｓと等しくなる。

【００８７】一方、成膜速度が目標の成膜速度Ｖｆ［ｎ
ｍ／秒］であるとき、薄膜の膜厚がＤｓのときからＴｓ
［秒］後にＲｌがＲｓと等しくなるとすれば、Ｄｌは、
下記式で表される。

【００８８】Ｄｌ＝Ｄｓ＋ＶｆＴｓ＝ＤｓＬｌ／Ｌｓ前記式のＤｌを消去し、Ｄｓを薄膜の現在（所定の時
間）の膜厚Ｄｆに置き換えれば、下記式、すなわち、前
記（１）式が得られる。Ｔｓ＝Ｄｆ（Ｌｌ／Ｌｓ−１）
／Ｖｆ

【００８９】次に、成膜装置１の作用を説明する。図３
は、成膜装置１の制御手段の制御動作を示すフローチャ
ートである。以下、このフローチャートに基づいて説明
する。

【００９０】まず、成膜前条件を成立させるための動作
を開始する。すなわち、ヒータ５を作動させ、基板３お
よびモニタ基板３０を加熱し、真空ポンプ１２を作動さ
せ、チャンバ２内の雰囲気ガスを排気する。そして、成
膜前条件が成立しているか否かを判断する（ステップＳ
１０１）。

【００９１】本実施形態では、基板温度が２５０℃、チ
ャンバ２内の真空度が１．３×１０ ^-3Ｐａのときに成膜
前条件成立とする。

【００９２】ステップＳ１０１において成膜前条件が成
立していると判断した場合には、目標の成膜速度Ｖｆ、
基板３およびモニタ基板３０の屈折率Ｎｓ、短波長（第
１の波長）Ｌｓ、長波長（第２の波長）Ｌｌおよび基板
３およびモニタ基板３０に形成される薄膜の成膜終了膜
厚（目標膜厚）Ｄｅｎｄを読み込むとともに、前記基板
３およびモニタ基板３０に形成される薄膜の予想屈折率
をその薄膜の屈折率Ｎｆとして読み込む（ステップＳ１
０２）。

【００９３】次いで、短波長の光の反射率Ｒｓを測定す
る（ステップＳ１０３）。次いで、長波長の光の反射率
Ｒｌを測定する（ステップＳ１０４）。

【００９４】次いで、電子銃７３のパワー（出力）を所
定値（成膜速度がＶｆになると予想される値）に設定
し、その電子銃７３を作動させ、蒸発源（例えば、Ｔｉ
Ｏ₂）７１への電子ビームの照射を開始する（ステップ
Ｓ１０５）。これにより、ルツボ７２内の蒸発源７１が
加熱され、蒸発する。

【００９５】次いで、バルブ１６を開き、反応ガスボン
ベ１３から反応ガス（例えば、酸素）をチャンバ２内に
導入し、チャンバ２内の真空度を１．３×１０^-2Ｐａと
する（ステップＳ１０６）。

【００９６】次いで、シャッタ６を開く（ステップＳ１
０７）。これにより成膜が開始される。

【００９７】次いで、短波長の光の反射率のピーク数Ｐ
ｓを０にし、長波長の光の反射率のピーク数Ｐｌを０に
する（ステップＳ１０８）。

【００９８】前記反射率のピーク数とは、成膜中におけ
る反射率の極大点（極大値）の数と、極小点（極小値）
の数との合計値を言う。

【００９９】次いで、１秒待って、時間の計数値Ｃｔ
（秒）を０にする（ステップＳ１０９）。

【０１００】次いで、短波長の光の反射率Ｒｓを測定す
る（ステップＳ１１０）。次いで、長波長の光の反射率
Ｒｌを測定する（ステップＳ１１１）。

【０１０１】次いで、短波長の光の反射率Ｒｓと長波長
の光の反射率Ｒｌとが等しい（Ｒｓ＝Ｒｌ）か否かを判
断する（ステップＳ１１２）。

【０１０２】ステップＳ１１２においてＲｓ＝Ｒｌであ
ると判断した場合、すなわち、短波長の光の反射率Ｒｓ
と長波長の光の反射率Ｒｌとに差がない場合には、ステ
ップＳ１０９に戻り、再度、ステップＳ１０９〜ステッ
プＳ１１２を実行する。

【０１０３】そして、ステップＳ１１２においてＲｓ＝
Ｒｌではないと判断した場合、すなわち、短波長の光の
反射率Ｒｓと長波長の光の反射率Ｒｌとに差が生じた場
合には、短波長の光の反射率のピーク数Ｐｓを測定し、
長波長の光の反射率のピーク数Ｐｌを測定する（ステッ
プＳ１１３）。

【０１０４】次いで、短波長の光の反射率のピーク数Ｐ
ｓの変化がないか否かを判断する（ステップＳ１１
４）。

【０１０５】なお、短波長の光の反射率が極大点（極大
値）または極小点（極小値）に達した時点で、そのピー
ク数Ｐｓが１つ増加し、長波長の光の反射率が極大点
（極大値）または極小点（極小値）に達した時点で、そ
のピーク数Ｐｌが１つ増加する。

【０１０６】ステップＳ１１４において短波長の光の反
射率のピーク数Ｐｓの変化がないと判断した場合には、
短波長の光の反射率のピーク数Ｐｓと、短波長Ｌｓと、
基板およびモニタ基板３０の屈折率Ｎｓと、薄膜の屈折
率Ｎｆと、短波長の光の反射率Ｒｓとを下記（３）式に
代入して、形成された薄膜の膜厚Ｄｆを計算する（ステ
ップＳ１１７）。

【０１０７】

【数１】

【０１０８】なお、前記薄膜の屈折率Ｎｆの値が後述す
るステップＳ１１６で置き換えられるまでは、前述した
ように、ステップＳ１０２において読み込んだ薄膜の予
想屈折率が前記Ｎｆとされる。

【０１０９】また、ステップＳ１１４において短波長の
光の反射率のピーク数Ｐｓの変化があると判断した場
合、すなわち、短波長の光の反射率が極大点（極大値）
または極小点（極小値）に達した場合には、そのピーク
数Ｐｓが偶数か否かを判断する（ステップＳ１１５）。

【０１１０】なお、反射率のピーク数が奇数の場合、す
なわち、反射率が極大点（極大値）に達したときは、前
記（２）式におけるＣＯＳδ（但し、δは薄膜の位相膜
厚）が０になり、そのときの薄膜の真空中屈折率を正確
に求めることができる。

【０１１１】ステップＳ１１５において短波長の光の反
射率のピーク数Ｐｓが偶数であると判断した場合には、
前述したステップＳ１１７を実行し、形成された薄膜の
膜厚Ｄｆを計算する。

【０１１２】また、ステップＳ１１５において短波長の
光の反射率のピーク数Ｐｓが奇数であると判断した場合
には、基板およびモニタ基板３０の屈折率Ｎｓと、短波
長の光の反射率Ｒｓとを下記（４）式に代入して、その
ときの薄膜の真空中屈折率を計算し、薄膜の屈折率Ｎｆ
を前記計算値に置き換え（ステップＳ１１６）、この
後、前述したステップＳ１１７を実行し、形成された薄
膜の膜厚Ｄｆを計算する。

【０１１３】

【数２】

【０１１４】ステップＳ１１７の後、薄膜の膜厚Ｄｆが
成膜終了膜厚Ｄｅｎｄより小さい（Ｄｆ＜Ｄｅｎｄ）か
否かを判断する（ステップＳ１１８）。

【０１１５】ステップＳ１１８においてＤｆ＜Ｄｅｎｄ
と判断した場合、すなわち、薄膜の膜厚Ｄｆが成膜終了
膜厚Ｄｅｎｄに達していない場合には、成膜を続行し、
前記時間の計数値Ｃｔの計数開始時における短波長の光
の反射率Ｒｓを、長波長の光の反射率の目標値Ｒｍに設
定する（Ｒｍ＝Ｒｓ）（ステップＳ１１９）。

【０１１６】次いで、短波長Ｌｓ、長波長Ｌｌ、目標の
成膜速度Ｖｆおよび薄膜の膜厚Ｄｆを前記（１）式に代
入して、時間（評価時間）Ｔｓを計算する（ステップＳ
１２０）。

【０１１７】前述したように、成膜速度が目標の成膜速
度Ｖｆであるならば、時間の計数値Ｃｔの計数開始時か
らの経過時間が前記評価時間Ｔｓになったときに、長波
長の光の反射率がその目標値Ｒｍに達する。

【０１１８】なお、このプログラムでは、評価時間Ｔｓ
と比較される時間の計数値Ｃｔが１秒毎にインクリメン
トされるので、１／１０秒の位を四捨五入して前記評価
時間Ｔｓを求める。

【０１１９】次いで、１秒待って、時間の計数値Ｃｔを
１つ（１秒）インクリメントする（Ｃｔ＝Ｃｔ＋１）
（ステップＳ１２１）。

【０１２０】次いで、短波長の光の反射率Ｒｓを測定す
る（ステップＳ１２２）。次いで、長波長の光の反射率
Ｒｌを測定する（ステップＳ１２３）。

【０１２１】次いで、短波長の光の反射率のピーク数Ｐ
ｓと長波長の光の反射率のピーク数Ｐｌとが等しい（Ｐ
ｓ＝Ｐｌ）か否かを判断する（ステップＳ１２４）。

【０１２２】なお、図２に示すように、短波長の光の反
射率および長波長の光の反射率が共に増加中または減少
中のときは、Ｐｓ＝Ｐｌとなる。

【０１２３】一方、短波長の光の反射率および長波長の
光の反射率の一方が増加中であり、他方が減少中のとき
は、Ｐｓ≠Ｐｌとなる。

【０１２４】ステップＳ１２４においてＰｓ＝Ｐｌでは
ないと判断した場合には、ステップＳ１２１に戻り、再
度、ステップＳ１２１〜ステップＳ１２４を実行する。

【０１２５】そして、ステップＳ１２４においてＰｓ＝
Ｐｌであると判断した場合には、短波長の光の反射率Ｒ
ｓが長波長の光の反射率Ｒｌより大きい（Ｒｓ＞Ｒｌ）
か否かを判断する（ステップＳ１２５）。

【０１２６】なお、図２に示すように、短波長の光の反
射率および長波長の光の反射率が共に増加中の場合に
は、Ｒｓ＞Ｒｌとなり、共に減少中の場合には、Ｒｓ＜
Ｒｌとなる。

【０１２７】ステップＳ１２５においてＲｓ＞Ｒｌであ
ると判断した場合には、長波長の光の反射率Ｒｌがその
目標値Ｒｍ以上（Ｒｌ≧Ｒｍ）か否かを判断する（ステ
ップＳ１２６）。

【０１２８】ステップＳ１２６においてＲｌ＜Ｒｍであ
ると判断した場合、すなわち、長波長の光の反射率Ｒｌ
がその目標値Ｒｍに達していない場合には、ステップＳ
１２１に戻り、再度、ステップＳ１２１以降を実行す
る。

【０１２９】そして、ステップＳ１２６においてＲｌ≧
Ｒｍであると判断した場合、すなわち、長波長の光の反
射率Ｒｌがその目標値Ｒｍに達した場合には、評価時間
Ｔｓと、時間の計数値Ｃｔとが等しい（Ｔｓ＝Ｃｔ）か
否かを判断する（ステップＳ１２８）。

【０１３０】なお、前記時間の計数値Ｃｔは、長波長の
光の反射率の目標値Ｒｍとされた短波長の光の反射率Ｒ
ｓの測定時（目標値Ｒｍの設定時）から現時点までの時
間（期間）、すなわち、前記測定時から長波長の光の反
射率Ｒｌがその目標値Ｒｍに達するまでの時間である。
Ｔｓ＝Ｃｔの場合には、成膜速度が目標の成膜速度Ｖｆ
になっている。

【０１３１】一方、Ｔｓ＜Ｃｔの場合には、成膜速度が
目標の成膜速度Ｖｆより小さい（遅い）。

【０１３２】また、Ｔｓ＞Ｃｔの場合には、成膜速度が
目標の成膜速度Ｖｆより大きい（速い）。

【０１３３】ステップＳ１２８においてＴｓ＝Ｃｔと判
断した場合、すなわち、成膜速度が目標の成膜速度Ｖｆ
になっている場合には、現在の成膜速度を維持し、ステ
ップＳ１０９に戻り、再度、ステップＳ１０９以降を実
行する。

【０１３４】また、ステップＳ１２８においてＴｓ＝Ｃ
ｔではないと判断した場合には、評価時間Ｔｓが時間の
計数値Ｃｔより小さい（Ｔｓ＜Ｃｔ）か否かを判断する
（ステップＳ１２９）。

【０１３５】ステップＳ１２９においてＴｓ＜Ｃｔと判
断した場合、すなわち、成膜速度が目標の成膜速度Ｖｆ
より小さい場合には、電子銃７３のパワーを所定値上
げ、成膜速度を増大させる。（ステップＳ１３０）。

【０１３６】このステップＳ１３０では、ＴｓとＣｔと
の差、Ｔｓ、Ｃｔ等に基づいて、電子銃７３のパワーを
適正値（成膜速度が目標の成膜速度Ｖｆになると推定さ
れる値）に設定する。

【０１３７】また、ステップＳ１２９においてＴｓ＞Ｃ
ｔと判断した場合、すなわち、成膜速度が目標の成膜速
度Ｖｆより大きい場合には、電子銃７３のパワーを所定
値下げ、成膜速度を減少させる。（ステップＳ１３
１）。

【０１３８】このステップＳ１３１では、ＴｓとＣｔと
の差、Ｔｓ、Ｃｔ等に基づいて、電子銃７３のパワーを
適正値に設定する。

【０１３９】また、前記ステップＳ１２５においてＲｓ
≦Ｒｌであると判断した場合には、長波長の光の反射率
Ｒｌがその目標値Ｒｍ以下（Ｒｌ≦Ｒｍ）か否かを判断
する（ステップＳ１２７）。

【０１４０】ステップＳ１２７においてＲｌ＞Ｒｍであ
ると判断した場合、すなわち、長波長の光の反射率Ｒｌ
がその目標値Ｒｍに達していない場合には、ステップＳ
１２１に戻り、再度、ステップＳ１２１以降を実行す
る。

【０１４１】そして、ステップＳ１２７においてＲｌ≦
Ｒｍであると判断した場合、すなわち、長波長の光の反
射率Ｒｌがその目標値Ｒｍに達した場合には、ステップ
Ｓ１２８に進み、このステップＳ１２８以降を実行す
る。

【０１４２】なお、前記ステップＳ１１８においてＤｆ
≧Ｄｅｎｄと判断した場合、すなわち、薄膜の膜厚Ｄｆ
が成膜終了膜厚Ｄｅｎｄに達した場合には、シャッタ６
を閉じる（ステップＳ１３２）。これにより成膜が終了
する。

【０１４３】次いで、所定の成膜後処理を実行（実施）
する（ステップＳ１３３）。このステップＳ１３３で
は、例えば、電子銃７３の駆動を停止させ、また、図示
しない大気導入バルブを開いて、チャンバ２内に大気を
導入する。以上で、このプログラムを終了する。

【０１４４】前述した成膜装置１を用い、図３に示すフ
ローチャート（プログラム）に従って成膜を５回行っ
た。成膜条件等は、下記の通りである。

【０１４５】基板およびモニタ基板：ＢＫ７ガラス（屈
折率１．５２）蒸発源：ＴｉＯ₂ 反応ガス：酸素基板温度：２５０℃ 成膜前真空度：１．３×１０^-3Ｐａ成膜中真空度（酸素を導入したときの真空度）：１．３
×１０^-2Ｐａ短波長（第１の波長）Ｌｓ：６５０ｎｍ長波長（第２の波長）Ｌｌ：７００ｎｍ目標の成膜速度Ｖｆ：０．４ｎｍ／秒

【０１４６】短波長（波長６５０ｎｍ）の光の反射率の
時間に対する変化（５回分）を図４に示し、長波長（波
長７００ｎｍ）の光の反射率の時間に対する変化（５回
分）を図５に示す。

【０１４７】また、成膜を開始してから長波長（波長７
００ｎｍ）の光の反射率Ｒｌがピークになるまでの実際
の成膜速度Ｖｐと、成膜を開始してから長波長（波長７
００ｎｍ）の光の反射率Ｒｌがピークになるまでの所要
時間Ｔｐと、長波長（波長７００ｎｍ）の光の反射率Ｒ
ｌのピーク値と、長波長（波長７００ｎｍ）の光に対す
る薄膜の屈折率（真空中屈折率）Ｎｆとをそれぞれ下記
表１に示す。なお、前記実際の成膜速度Ｖｐは、下記式
から求めた。

【０１４８】Ｖｆ＝Ｌｌ／（４ＮｆＴｐ）但し、Ｌｌは、長波長（波長７００ｎｍ）である。

【０１４９】

【表１】

【０１５０】前記表１に示すように、基板温度が比較的
高く（２５０℃）、しかも薄膜の屈折率が変動したにも
かかわらず、成膜速度は安定しており、成膜速度を正確
に制御できたことが確認された。

【０１５１】以上、本発明の成膜装置および成膜方法
を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機
能を有する任意の構成のものに置換することができる。

【０１５２】例えば、本発明は、前記真空蒸着装置に限
らず、他の気相成膜法（例えば、ＣＶＤ法、イオンアシ
スト蒸着法、イオンプレーティング、スパッタリング
等）により薄膜を形成する成膜装置に適用することがで
きる。

【０１５３】また、本発明の成膜装置は、成膜の際、薄
膜形成対象物に形成された薄膜における、第１の波長
（短波長）の光の透過率と、この第１の波長より長い第
２の波長（長波長）の光の透過率とをそれぞれ検出し
て、成膜速度の調整を行うよう構成されていてもよい。

【０１５４】この場合には、成膜の際、光学特性検出手
段により、薄膜形成対象物に形成された薄膜における、
第１の波長の光の透過率と、第２の波長の光の透過率と
をそれぞれ検出し、調整手段により、所定の時間におけ
る前記第１の波長の光の透過率を目標値に設定し、前記
所定の時間から所定期間経過後において前記第２の波長
の光の透過率が前記目標値に達するように成膜速度を調
整する。この目標値の設定と成膜速度の調整とを複数回
繰り返し行う。

【０１５５】また、本発明では、投光手段が、例えば、
第１の波長の光のみを発する第１の投光部と、第２の波
長の光のみを発する第２の投光部とで構成されていても
よい。

【０１５６】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の成膜装置お
よび成膜方法によれば、正確かつ確実に成膜速度を制御
することができる。

【０１５７】すなわち、薄膜形成対象物の温度が高い場
合も成膜速度を正確に制御することができ、また、第１
の波長の光の反射率または透過率を目標値に設定し、第
２の波長の光の反射率または透過率が所定期間経過後に
前記目標値に達するように成膜速度を調整するので、薄
膜の屈折率が変動したとしても成膜速度を正確に制御す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の成膜装置を真空蒸着装置に適
用した場合の実施形態を模式的に示す断面図である。

【図２】本発明における成膜の際の短波長の光の反射率
Ｒｓおよび長波長の光の反射率Ｒｌの経時変化（時間に
対する変化）を示すグラフである。

【図３】図１に示す成膜装置の制御手段の制御動作を示
すフローチャートである。

【図４】本発明における短波長（波長６５０ｎｍ）の光
の反射率の時間に対する変化（５回分）を示すグラフで
ある。

【図５】本発明における長波長（波長７００ｎｍ）の光
の反射率の時間に対する変化（５回分）を示すグラフで
ある。

【符号の説明】

１成膜装置２チャンバ２１窓２２上壁２３底壁３基板３０モニタ基板４ホルダ５ヒータ６シャッタ７材料供給源７１蒸発源７２ルツボ７３電子銃８ランプ９光検出手段９１ハーフミラー９２短波長分光器９３短波長検出器９４長波長分光器９５長波長検出器１１制御手段１２真空ポンプ１３反応ガスボンベ１４、１５管路１６バルブＳ１０１〜Ｓ１３３ステップ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】気相成膜法により薄膜形成対象物に薄膜
を形成する成膜装置であって、成膜の際、前記薄膜形成対象物に形成された薄膜におけ
る、第１の波長の光の反射率または透過率と、該第１の
波長より長い第２の波長の光の反射率または透過率とを
それぞれ検出する光学特性検出手段と、所定の時間における前記第１の波長の光の反射率または
透過率を目標値に設定し、前記所定の時間から所定期間
経過後において前記第２の波長の光の反射率または透過
率が前記目標値に達するように成膜速度を調整する調整
手段とを有し、前記目標値の設定と前記成膜速度の調整とを複数回繰り
返し行うよう構成されていることを特徴とする成膜装
置。
【請求項２】前記所定期間Ｔｓは、下記式から求めら
れる請求項１に記載の成膜装置。Ｔｓ＝Ｄｆ（Ｌｌ／Ｌｓ−１）／Ｖｆ但し、Ｄｆは前記所定の時間における薄膜の膜厚、Ｌｓ
は第１の波長、Ｌｌは第２の波長、Ｖｆは目標の成膜速
度である。
【請求項３】前記光学特性検出手段は、前記薄膜形成
対象物の前記薄膜形成面に向けて、前記第１の波長の光
と、前記第２の波長の光とをそれぞれ照射する投光手段
と、前記薄膜形成対象物からの前記第１の波長の反射光また
は透過光と、前記第２の波長の反射光または透過光とを
それぞれ検出する光検出手段とを有し、前記光検出手段からの情報に基づいて、前記第１の波長
の光の反射率または透過率と、前記第２の波長の光の反
射率または透過率とをそれぞれを求めるよう構成されて
いる請求項１または２に記載の成膜装置。
【請求項４】前記投光手段は、前記第１の波長の光と
前記第２の波長の光とを含む光を照射し、前記光検出手段は、前記薄膜形成対象物からの反射光ま
たは透過光から、前記第１の波長の光と前記第２の波長
の光とをそれぞれ抽出する抽出手段と、該抽出手段によ
り抽出された前記第１の波長の光を検出する第１の検出
器と、前記抽出手段により抽出された前記第２の波長の
光を検出する第２の検出器とを有する請求項３に記載の
成膜装置。
【請求項５】前記薄膜形成対象物および前記薄膜は、
それぞれ誘電体材料で構成されており、前記薄膜形成対
象物および前記薄膜のそれぞれの前記第１の波長の光に
対する屈折率と前記第２の波長の光に対する屈折率との
差が±０．０１以内である請求項１ないし４のいずれか
に記載の成膜装置。
【請求項６】前記第１の波長が４００〜１５００ｎｍ
であり、前記第１の波長と前記第２の波長との差が１０
〜１００ｎｍである請求項１ないし５のいずれかに記載
の成膜装置。
【請求項７】前記薄膜形成対象物を加熱する加熱手段
を有する請求項１ないし６のいずれかに記載の成膜装
置。
【請求項８】請求項１ないし７のいずれかに記載の成
膜装置を用いて薄膜形成対象物に薄膜を形成することを
特徴とする成膜方法。
【請求項９】気相成膜法により薄膜形成対象物に薄膜
を形成する成膜方法であって、成膜の際、前記薄膜形成対象物に形成された薄膜におけ
る所定の時間における第１の波長の光の反射率または透
過率を検出し、その検出値を目標値に設定し、前記所定
の時間から所定期間経過後において前記第１の波長より
長い第２の波長の光の反射率または透過率が前記目標値
に達するように成膜速度を調整する制御を複数回繰り返
し行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項１０】前記所定期間Ｔｓを下記式から求める
請求項９に記載の成膜方法。Ｔｓ＝Ｄｆ（Ｌｌ／Ｌｓ−１）／Ｖｆ但し、Ｄｆは前記所定の時間における薄膜の膜厚、Ｌｓ
は第１の波長、Ｌｌは第２の波長、Ｖｆは目標の成膜速
度である。