JP2001201752A

JP2001201752A - 電気光学パネル、投射型表示装置、および電気光学パネルの製造方法

Info

Publication number: JP2001201752A
Application number: JP2000345038A
Authority: JP
Inventors: Hiromi Saito; 広美斉藤
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1999-01-28
Filing date: 2000-11-13
Publication date: 2001-07-27

Abstract

(57)【要約】【課題】基板間の隙間寸方の精度が高く、隙間寸法が画
像表示領域全面において均一な電気光学パネル、この電
気光学パネルを用いた投射型表示装置を提供する。【解決手段】ＴＦＴアレイ基板２の表面のうち、対向
基板３に向けて突出して該他方の基板に当接する突起が
形成され、該突起２５は、前記画像表示領域３６内の画
素内の所定位置に点在させることにより、基板間の隙間
寸法を制御するので、シール材に適合したギャップ材で
隙間寸法を制御できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一対の基板間に液
晶などの電気光学物質が封入された電気光学パネル、こ
の電気光学パネルを用いた投射型表示装置、および電気
光学パネルの製造方法に関するものである。さらに詳し
くは、一対の基板間に所定寸法の隙間を確保するための
技術に関するものである。

【０００２】

【背景技術】一対の基板間に液晶などの電気光学物質が
封入された電気光学パネルでは、図１９および図２０に
示すように、石英ガラスなどの透明基板の表面に画素電
極８および画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴという。）１０が形成されたＴＦＴアレイ基
板（トランジスタアレイ基板）２と、ネオセラムなどの
高耐熱性のガラス基板の表面に対向電極３２が形成され
た対向基板３と、これらの基板間に封入、挟持されてい
る液晶などの電気光学物質３９とから概略構成されてい
る。ＴＦＴアレイ基板２と対向基板３とはギャップ材含
有のシール材２００′によって所定の隙間を介して貼り
合わされているとともに、この隙間内には、電気光学物
質３９が封入された画像表示領域３７がシール材２０
０′によって区画形成されている。このようなギャップ
材含有のシール材２００′として、従来は、エポキシ樹
脂系あるいはアクリル樹脂系の接着剤成分にガラスビー
ズなどがギャップ材として配合されたものが用いられて
いる。

【０００３】このように構成した電気光学パネル１′で
は、ＴＦＴアレイ基板２において、データ線（図示せ
ず。）およびＴＦＴ１０を介して画素電極８に印加した
画像信号によって、画素電極８と対向電極３２との間に
おいて電気光学物質３９の配向状態を画素毎に制御し、
画像信号に対応した所定の画像を表示する。従って、Ｔ
ＦＴアレイ基板２では、データ線およびＴＦＴ１０を介
して画素電極８に画像信号を供給するとともに、対向電
極３２にも所定の電位を印加する必要がある。

【０００４】そこで、電気光学パネル１′では、ＴＦＴ
アレイ基板２の側にはデータ線などの形成プロセスを援
用して基板間導通用の第１の電極４７を形成する一方、
対向基板３の側には対向電極３２の形成プロセスを援用
して基板間導通用の第２の電極４８を形成しておき、こ
れらの基板間導通用の第１の電極４７と第２の電極４８
とを、エポキシ樹脂系あるいはアクリル樹脂系の接着剤
成分に銀粉や金めっきファイバーなどの導電粒子を配合
した導通材５６によって電気的に導通させている。それ
故、電気光学パネル１′では、ＴＦＴアレイ基板２およ
び対向基板３のそれそれにフレキシブル配線基板などを
接続しなくても、ＴＦＴアレイ基板２の入出力端子４５
のみにフレキシブル配線基板９９などを接続するだけ
で、ＴＦＴアレイ基板２および対向基板３の双方に所定
の信号を入力することができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電気光
学パネル１′では、ＴＦＴアレイ基板２と対向基板３と
の隙間寸法（セル厚）を２μｍ位にまで狭めて表示品位
の向上を図ろうとする試みがなされているが、周辺のシ
ール材２００′に配合したギャップ材のみによってこの
ような薄いセル厚を確保しようとすると、セル厚が薄い
分だけ、ばらつきが大きくなってしまう。その結果、電
気光学物質３９の層の厚さのばらつきが大になるので、
表示画面において不自然な明暗や電気光学物質３９の応
答速度のばらつきなどが発生し、表示品位が逆に低下す
るという間題点がある。

【０００６】そこで、画像表示領域３７にスペーサ材を
散布することによって、セル厚を制御する構成が考えら
れる。しかしながら、画像表示領域３７にスペーサ材を
散布した電気光学パネル１′を投射型表示装置に用いる
と、散布したスペーサ材が密に集まっている箇所で光透
過性が低下するので、このような不具合がそのままスク
リーン上に拡大投射されてしまうという間題点がある。

【０００７】また、電気光学パネル１′では、ＴＦＴア
レイ基板２と対向基板３との隙間寸法（セル厚）を２μ
ｍ位にまで狭めて表示品位の向上を図ろうとする試みが
なされているが、周辺のシール材２００′に配合したギ
ャップ材のみによってこのような薄いセル厚を確保しよ
うとすると、セル厚が薄い分だけ、ばらつきが大きくな
ってしまう。その結果、電気光学物質３９の層の厚さの
ばらつきが大になるので、表示画面において不自然な明
暗や電気光学物質３９の応答速度のばらつきなどが発生
し、表示品位が逆に低下するという間題点がある。

【０００８】そこで、画像表示領域３７にスヘーサ材を
散布することによって、セル厚を制御する構成が考えら
れる。しかしながら、画像表示領域３７にスペーサ材を
散布した電気光学パネル１′を投射型表示装置に用いる
と、散布したスペーサ材が密に集まっている箇所で光透
過性が低下するので、このような不具合がそのままスク
リーン上に拡大投射されてしまうという間題点がある。

【０００９】以上の間題点に鑑みて、本発明の課題は、
隙間寸法の精度が高く、かつ、隙間寸法が画像表示領域
全面において均一な電気光学パネル、この電気光学パネ
ルを用いた投射型表示時装置、および電気光学パネルの
製造方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、一対の基板間に電気光学物質が挟持さ
れてなり、前記一対の基板同士はシール材により接着固
定されてなり、前記シール材の形成領域内には複数の画
素からなる画像表示領域を有する電気光学パネルにおい
て、前記一対の基板のうちの一方の基板には、他方の基
板に向けて突出して該他方の基板に当接する突起を有
し、該突起は、前記画素領域を囲む領域に形成されてい
ることを特徴とする。

【００１１】本発明では、一方の基板に形成された突起
を他方の基板に当接させることにより、基板間の隙間寸
法（セル厚）を制御するので、シール材に配合したギャ
ップ材で隙間寸法を制御する構成と比較して、隙間寸法
を高い精度で制御できる。また、突起は、画像表示領域
を囲むように形成されているので、画像表示領域全域に
おいて、基板間の隙間寸法にばらつきを抑えることがで
きる。それ故、狭い隙間であっても隙間寸法の精度が高
く、かつ、隙間寸法が画像表示領域全面において均一な
電気光学パネルを実現できる。また、シール材にギャッ
プ材を入れなくてよいので、シール材の下層側に配線が
あっても、これらの配線がギャップ材で押し潰されて断
線してしまうのを防ぐことができる。

【００１２】本発明において、前記突起は、たとえば、
前記シール材の形成領域の内周縁および外周縁のうちの
一方の縁に沿って形成される。

【００１３】本発明において、前記突起は、前記シール
材の形成領域の内周縁に沿った第１突起と外周縁に沿っ
た第２突起とを有し、前記シール材は、前記第１突起と
前記第２突起とに挟まれた領域内に形成されていること
が好ましい。このように構成すると、シール材が第１突
起および第２突起によってせき止められるので、未硬化
のシール材を塗布した際、あるいはシール材を加熱した
際に、シール材が不要な個所にまではみ出ることがな
い。それ故、シール材として熱硬化性のものを用いるこ
とができる。

【００１４】本発明の別の形態では、一対の基板間に電
気光学物質が挟持されてなり、前記一対の基板同士はシ
ール材により接着固定されてなり、前記シール材の形成
領域内には複数の画素からなる画像表示領域を有する電
気光学パネルにおいて、前記一対の基板のうちの一方の
基板には、他方の基板に向けて突出して該他方の基板に
当接する突起を有し、該突起は、前記一対の基板の夫々
に形成された導電層間を電気的に接続する導通材の形成
領域の周りに形成されていることを特徴とする。

【００１５】たとえば、前記突起は、前記導通材の形成
領域の周りを囲むように形成されていることが好まし
い。このように構成すると、導通材が突起によってせき
止められるので、未硬化の導通材を塗布した際、あるい
は導通材を加熱した際に、導通材が不要な個所にまでは
み出ることがない。それ故、導通材の接着剤成分として
熱硬化性のものを用いることができる。

【００１６】前記シール材は前記画像表示領域の周辺に
形成された遮光膜と少なくとも一部で重なるように形成
されていることを特徴とする。このような構成により、
シール材が遮光膜まで延在されるため、シール材による
密着性高めることができる。

【００１７】本発明において、前記突起は、弾性変形可
能な材料から構成され、前記一対の基板間で押し潰され
ていることが好ましい。このように構成すると、基板間
において、押し潰された突起が元の形状に復帰しようと
基板間を広げようとするカが加わる一方、基板同士はシ
ール材で固着されているので、基板間の隙間寸法を均一
にすることができる。

【００１８】本発明において、前記一対の基板は、たと
えば、画素電極および画素スイッチング用の薄膜トラン
ジスタがマトリクス状に形成されたトランジスタアレイ
基板と、対向電極が形成された対向基板とからなる。

【００１９】このような電気光学パネルを用いた投射型
表示装置（電気光学装置）では、光源と、該光源から出
射された光を前記電気光学パネルに導く集光光学系と、
当該電気光学パネルで光変調した光を拡大投射する拡大
投射光学系とを配置する。

【００２０】本発明に係る電気光学パネルの製造方法で
は、前記一対の基板のうちの一方の基板に前記突起を形
成した後、前記シール材を塗布し、しかる後に前記一対
の基板を押圧して前記シール材を硬化させることを特徴
とする。

【００２１】本発明に係る電気光学パネルの製造方法で
は、前記突起を前記シール材を形成する予定の領域の内
周縁に沿った第１突起と外周縁に沿った第２突起とを形
成した後、前記第１突起と前記第２突起とに挟まれた領
域内に前記シール材を塗布し、しかる後に前記一対の基
板を押圧しながら前記シール材を硬化させることが好ま
しい。このように構成すると、未硬化のシール材を塗布
した際などに、シール材が突起によってせき止められる
ので、不要なところまではみ出ることがない。

【００２２】本発明に係る電気光学パネルの製造方法で
は、前記導通材を形成する予定の領域の周りを囲むよう
に前記突起を形成した後、該突起により囲まれた領域内
に前記導通材を塗布し、しかる後に前記一対の基板を押
圧して前記シール材および前記導通材を同時あるいは別
々に硬化させることが好ましい。このように構成する
と、未硬化の導通材を塗布した際に、導通材が突起によ
ってせき止められるので、不要なところまではみ出るこ
とがない。

【００２３】本発明に係る電気光学パネルの製造方法で
は、前記一対の基板のうちの一方の基板に前記突起を弾
性変形可能な材料により形成した後、当該一方の基板に
シール材を塗布し、しかる後に前記一対の基板を押圧し
ながら前記突起を弾性変形させ、この状態で前記シール
材を硬化させることが好ましい。

【００２４】また本発明では、一対の基板間に電気光学
物質が挟持されてなり、前記一対の基板同士はシール材
により接着固定されてなり、前記シール材の形成領域の
内側には複数の画素からなる画像表示領域を有する電気
光学パネルにおいて、前記一対の基板のうちの一方の基
板には、他方の基板に向けて突出して該他方の基板に当
接する突起が形成され、該突起は、前記画像表示領域内
の所定位置に点在されていることを特徴とする。

【００２５】本発明では、一方の基板に形成された突起
を他方の基板に当接させることにより、基板間の隙間寸
法（セル厚）を制御するので、シール材に配合したギャ
ップ材で隙間寸法を制御する構成と比較して、隙間寸法
を高い精度で制御できる。また、突起は、画像表示領域
内で点在するように形成されているので、画像表示領域
全域において基板間の隙間寸法にばらつきが発生しな
い。それ故、狭い隙間であっても隙間寸法の精度が高
く、かつ、隙間寸法が画像表示領域全面において均一な
電気光学パネルを実現できる。また、このような電気光
学パネルでは、画像表示領域内に突起を形成しても、画
像表示領域内のある領域に突起が集中してしまうことも
ない。さらに、シール材にギャップ材を入れなくてよい
ので、シール材の下層側に配線があっても、これらの配
線がギャップ材で押し潰されて断線してしまうのを防ぐ
ことができる。

【００２６】本発明において、前記突起は、前記画像表
示領域内に形成されている各画素において光の透過しな
い非開口領域に形成されていることが好ましい。このよ
うに構成すると、画像表示領域内に突起を形成しても、
突起が表示に写し出されることがない。よって、本発明
は、電気光学パネルを投射型表示装置のライトバルブと
して用いる場合に効果的である。

【００２７】本発明において、前記突起は、前記画像表
示領域内に形成されている各画素において同一個所に形
成されていることがこのましい。すなわち、前記突起
は、各画素内における同一座標上に形成されていること
が好ましい。このように構成すると、各画素において同
じ高さの位置に突起を形成することになるので、基板間
の隙間寸法をより一定にすることができる。それ故、段
差の大きな基板を用いた場合でも、他方の基板との間に
一定の隙間を確保できる。

【００２８】本発明において、前記突起は円柱形状を有
していることが好ましい。このように構成すると、液晶
などの電気光学物質を充填する際に突起の周りをスムー
ズに回りこむので、電気光学物質の充填不良が発生しな
い。

【００２９】本発明において、前記突起は、前記画像表
示領域内における周囲領域では中心領域に比較して高密
度に形成されていることが好ましい。このように構成す
ると、液晶などの電気光学物質を基板間に注入するタイ
ミングによってはパネルの中心が膨らむことがあるが、
このような膨らみの発生を見越して基板同士を貼り合わ
せることが好ましい。すなわち、基板同士を貼り合わせ
た直後は、画像表示領域の中心領域で基板間の隙間が狭
くなるが、画像表示領域内に電気光学物資を注入したと
きに中心領域が膨らんで、この領域における隙間寸法が
多少、大きくなっても、このような拡大分は、電気光学
物質を注入する前の隙間寸法の差で吸収、緩和される。
それ故、基板間の隙間寸法を画像表示領域全面において
均一化することができる。

【００３０】本発明において、前記突起は、前記画像表
示領域内における一方側領域では他方側領域に比較して
高密度に形成されていることが好ましい。本発明に係る
電気光学パネルを製造する際には、一方の基板に突起を
形成した後、シール材を塗布し、しかる後に一対の基板
間の隙間を詰めるようなカを加えながらシール材を硬化
させることになるが、一対の基板を押圧する際に、その
カに大小が常に発生する領域がわかっておれば、それを
吸収、緩和するような密度で突起を形成すればよい。す
なわち、基板を貼り合わす装置のくせを踏まえた上で一
方の基板に突起を所定の分布で形成するので、画像表示
領域の全面において基板間の隙間を均一にすることがで
きる。

【００３１】本発明において、前記突起は、弾性変形可
能な材料から構成され、前記一対の基板間で押し潰され
ていることが好ましい。このように構成すると、基板間
において、押し潰された突起が元の形状に復帰しようと
基板間を広げようとする力が加わる一方、基板同士はシ
ール材で固着されているので、基板間の隙間寸法を均一
にすることができる。

【００３２】本発明において、前記一対の基板は、たと
えば、画素電極および画素スイッチング用の薄膜トラン
ジスタがマトリクス状に形成されたトランジスタアレイ
基板と、対向電極が形成された対向基板とからなる。

【００３３】このような電気光学パネルを用いた投射型
表示装置（電気光学装置）では、光源と、該光源から出
射された光を前記電気光学パネルに導く集光光学系と、
当該電気光学パネルで光変調した光を拡大投射する拡大
投射光学系とを配置する。

【００３４】本発明に係る電気光学パネルの製造方法で
は、前記一対の基板のうちの一方の基板に前記突起を形
成した後、前記シール材を塗布し、しかる後に前記一対
の基板を押圧しながら前記シール材を硬化させることを
特徴とする。

【００３５】本発明に係る電気光学パネルの製造方法で
は、前記一対の基板のうちの一方の基板に前記突起を弾
性変形可能な材料により形成した後、当該一方の基板に
シール材を塗布し、しかる後に前記一対の基板を押圧し
て前記突起を弾性変形させ、この状態で前記シール材を
硬化させることが好ましい。このように構成すると、基
板間において、押し潰された突起が元の形状に復帰しよ
うと基板間を広げようとする力が加わる一方、基板同士
はシール材で固着されているので、基板間の隙間寸法を
均一にすることができる。

【００３６】本発明は、一対の基板間に電気光学物質が
挟持されてなり、前記一対の基板同士はシール材により
接着固定されてなり、前記シール材の形成領域内には複
数の画素からなる画像表示領域を有する電気光学パネル
において、前記一対の基板のうちの一方の基板には、他
方の基板に向けて突出して該他方の基板に当接する突起
を有し、該突起は、前記画素領域を囲む領域に形成され
た遮光膜に対向するように配置されていることを特徴と
する。

【００３７】本発明によれば、一方の基板に形成された
突起を他方の基板に当接させることにより、基板間の隙
間寸法（セル厚）を制御するので、シール材に配合した
ギャップ材で隙間寸法を制御する構成と比較して、隙間
寸法を高い精度で制御できる。また、突起は、画像表示
領域を囲むように形成されているので、画像表示領域全
域において、基板間の隙間寸法にばらつきを抑えること
ができる。また、突起は遮光膜に対向するように設けら
れているため、非表示領域を有効に利用して突起を設け
ることができる。。

【００３８】また、本発明は、前記突起は、平面的にみ
て前記遮光膜の幅以内に収まるように配置されているこ
とを特徴とする。この発明によれば、突起は平面的にみ
て遮光膜の幅以内に収まるため、突起が表示領域に対し
て影響することを防ぐことができる。

【００３９】

【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を説明する。なお、本形態に係る電気光学パネルに
おいて、従来の電気光学パネルと共通する部分には同一
の符号を付して説明する。

【００４０】

【実施例】（電気光学パネルの全体構成）図１は、本形
態に係る電気光学パネルを対向基板の側からみた平面図
である。図２は、図１のＨ−Ｈ′線で切断したときの電
気光学パネルの断面図である。図３は、本形態の電気光
学パネルに用いたＴＦＴアレイ基板、対向基板およびこ
れらの基板の貼り合わせ構造を示すパネル端部の断面図
である。

【００４１】図１、図２および図３に示すように、投射
型表示装置などに用いられる電気光学パネル１は、石英
ガラス３０の表面に透明な画素電極８がマトリクス状に
形成されたＴＦＴアレイ基板２と、同じく石英ガラス３
１の表面に透明な対向電極３２が形成された対向基板３
と、これらの基板間に封入、挟持されている液晶などの
電気光学物質３９とから槻略構成されている。

【００４２】ＴＦＴアレイ基板２と対向基板３とは、対
向基板３の外周縁に沿って形成されたシール材２００に
よって所定の隙間を介して貼り合わされている。また、
ＴＦＴアレイ基板２と対向基板３との間には、シール材
２００によって電気光学物質封入領域４０が区画形成さ
れ、この画像表示領域３７内に液晶などの電気光学物質
３９が封入されている。

【００４３】本形態において、ＴＦＴアレイ基板２と対
向基板３との間の隙間寸法（セル厚）は、後述するよう
に、ＴＦＴアレイ基板２から対向基板３に向けて突出し
ている突起によって確保されている。従って、本形態で
用いるシール材２００には、従来と違って、ギャップ材
が配合されている必要はない。

【００４４】電気光学パネル１において、対向基板３は
ＴＦＴアレイ基板２よりも小さく、ＴＦＴアレイ基板２
の周辺部分は、対向基板３の外周縁よりはみ出た状態に
貼り合わされる。従って、ＴＦＴアレイ基板２の駆動回
路（走査線駆動回路７０やデータ線駆動回路６０）や入
出力端子４５は、対向基板３から露出した状態にあり、
入出力端子４５に対するフレキシブル配線基板９９の接
続が可能である。ここで、シール材２００は部分的に途
切れているので、この途切れ部分によって、電気光学物
質注入口２４１が構成されている。このため、対向基板
３とＴＦＴアレイ基板２とを貼り合わせた後、シール材
２００の内側領域を減圧状態にすれば、電気光学物質注
入口２４１から電気光学物質３９を減圧注入でき、電気
光学物質３９を封入した後、電気光学物質注入口２４１
を封止剤２４２で塞げばよい。なお、対向基板３には、
シール材２００の形成領域の内側において、画像表示領
域３７の周囲に遮光膜５５が形成されている。また、対
向基板３には、ＴＦＴアレイ基板２の各画素電極８の境
界領域に対応する領域に遮光膜６が形成されている。

【００４５】本形態の電気光学パネル１は、たとえば、
投射型表示装置（プロジェクタ）において使用される。
この場合、３枚の電気光学パネル１がＲＧＢ用のライト
バルブとして各々使用され、各電気光学パネル１の各々
には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して
分解された各色の光が投射光として各々入射されること
になる。従って、本形態の電気光学パネル１にはカラー
フィルタが形成されていない。但し、対向基板３におい
て各画素電極８に対向する領域にＲＧＢのカラーフィル
タをその保護膜とともに形成することにより、投射型表
示装置以外にも、カラー液晶テレビなどといったカラー
表示装置を構成することができる。また、対向基板３に
何層もの屈折率の異なる干渉層を積層することにより、
光の干渉作用を利用して、ＲＧＢ色をつくり出すダイク
ロイツクフィルタを形成してもよい。このダイクロイツ
タフィルタ付きの対向基板によれば、より明るいカラー
表示を行うことができる。さらに、対向基板３およびＴ
ＦＴアレイ基板２の光入射側の面あるいは光出射側に
は、使用する電気光学物質３９の種類、すなわち、ＴＮ
（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパ
ーＴＮ）モード、ＤＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等
々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリ
ブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フ
ィルム、偏光板などが所定の向きに配置される。

【００４６】このように構成した電気光学パネル１にお
いて、ＴＦＴアレイ基板２では、データ線（図示せ
ず。）およびＴＦＴ１０を介して画素電極８に印加した
画像信号によって、画素電極８と対向電極３２との間に
おいて電気光学物質３９の配向状態を画素毎に制御し、
画像信号に対応した所定の画像を表示する。従って、Ｔ
ＦＴアレイ基板２では、データ線およびＴＦＴ１０を介
して画素電極８に画像信号を供給するとともに、対向電
極３２にも所定の電位を印加する必要がある。

【００４７】そこで、電気光学パネル１では、ＴＦＴア
レイ基板２の表面のうち、対向基板３の各コーナー部に
対向する部分には、データ線などの形成プロセスを援用
してアルミニウム膜（遮光性材料）からなる基板間導通
用の第１の電極４７が形成されている。一方、対向基板
３の各コーナー部には、対向電極３の形成プロセスを援
用して透明導電膜（Indium Tin Oxide：ＩＴO膜）から
なる基板間導通用の第２の電極４８が形成されている。
さらに、これらの基板間導通用の第１の電極４７と第２
の電極４８とは、エポキシ樹脂系やアクリル樹脂系の接
着剤成分に銀粉や金めっきファイバーなどの導電粒子が
配合された導通材５６によって電気的に導通している。
それ故、電気光学パネル１では、ＴＦＴアレイ基板２お
よび対向基板３のそれぞれにフレキシブル配線基板など
を接続しなくても、ＴＦＴアレイ基板２のみにフレキシ
ブル配線板９９を接続するだけで、ＴＦＴアレイ基板２
および対向基板３の双方に所定の信号を入力することが
できる。

【００４８】（ＴＦＴアレイ基板の構成）図４は、電気
光学パネルの構成を模式的に示すブロック図、図５は、
この電気光学パネルにおける画素の一部を抜き出して示
す平面図、図６は、図５におけるＡ−Ａ′線におけるＴ
ＦＴアレイ基板の断面図である。

【００４９】図１および図４に示すように、本実施の形
態による電気光学パネル１の画像表示領域３７を構成す
るマトリクス状に形成された複数の画素の夫々は、走査
線９１と、データ線９０と、画素電極８と、画素髄８を
制御するためのＴＦＴ１０とからなり、画像信号が供給
されるデータ線９０が当該ＴＦＴ１０のソースに電気的
接続されている。また、ＴＦＴ１０の走査線９１にはパ
ルス的走査信号Ｇｌ、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順
次で印加するように構成されている。画素電極８は、Ｔ
ＦＴ１０のドレインに電気的接続されており、ＴＦＴ１
０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、デ
ータ線９０から供給される画像信号Ｓｌ、Ｓ２、…、Ｓ
ｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極８を介して
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓｌ、Ｓ２、
…、Ｓｎは、対向基板３に形成された対向電極３２との
間で一定期間保持される。電気光学物質３９は、印加さ
れる電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化する
ことにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここ
で、保持された画像信号がリークするのをために、画素
電極８と対向電極３２との間に形成される電気光学物質
と並列に蓄積容量４０を付加する。尚、このように蓄積
容量４０を形成する方法としては、容量を形成するため
の配線である容量線９２を設けても良いし、後述のよう
に前段の走査線９１との間で容量を形成しても良い。

【００５０】図５は一部の画素平面図を示す。データ線
９０は、コンタクトホールを介してポリシリコン膜から
なる半導体層のうち、ソース領域１６に電気的に接続さ
れ、画素電極８は、コンタクトホールを介してドレイン
領域１７に電気時に接続している。また、チャネル領域
１５に対向するように走査線９１が延びている。なお、
蓄積容量４０は、画素スイッチング用のＴＦＴ１０を形
成するためのシリコン膜１０ａ（半導体膜／図５に斜線
を付した領域）の延設部分に相当すシリコン購４０ａ
（半導体膜／図５に斜線を付した領域）を導電化したも
のを下電極４１とし、この下電極４１に対して容量線９
２が上電極として重なった構造になっている。

【００５１】このように構成した画素のＡ−Ａ′線にお
ける断面は、図６に示すように表される。まず、ＴＦＴ
アレイ基板２の基体たる石英ガラス３０の表面には絶縁
性の下地保護膜３０１が形成され、この下地保護膜３０
１の表面には、島状のシリコン膜１０ａ、４０ａが形成
されている。また、シリコン膜１０ａの表面にはゲート
絶縁膜１３が形成され、このゲート絶縁膜１３の上に走
査線（ゲート電極）９１が形成されている。シリコン膜
１０ａのうち、走査線９１に対してゲート絶縁膜１３を
介して対峙する領域がチャネル領域１５になっている。
このチャネル領域１５に対して一方側には、低濃度ソー
ス領域１６１および高濃度ソース領域１６２を備えるソ
ース領域１６が形成され、他方側には低濃度ドレイン領
域１７１および高濃度ドレイン領域１７２を備えるドレ
イン領域１７が形成されている。このように構成された
画素スイッチング用のＴＦＴ１０の表面側には、第１層
間絶縁膜１８および第２層間絶縁膜１９が形成され、第
１層間絶縁膜１８の表面に形成されたデータ線９０は、
第１層間絶縁膜１８に形成されたコンタクトホールを介
して高濃度ソース領域１６２に電気的に接続している。
また、画素電極８は、第１層間絶縁膜１８および第２層
間絶縁膜１９に形成されたコンタクトホールを介して高
濃度ドレイン表域１７２に電気的に接続している。ま
た、高濃度ドレイン領域１７２から延設されたシリコン
膜４０ａには高濃度領域からなる下電極４１が形成さ
れ、この下電極４１に対しては、ゲート絶縁膜１３と同
時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して容量線９２が
対向している。このようにして蓄積容量が形成されてい
る。

【００５２】ここで、ＴＦＴ１０は、好ましくは上述の
ようにＬＤＤ構造をもつが、オフセット構造を有してい
てもよいし、あるいは走査線９１をマスクとして高濃度
で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度ソース
およびドレイン領域を形成したセルフアライン型のＴＦ
Ｔであってもよい。対向基板３上には画素スイッチング
用のＴＦＴ１０に対向する領域に遮光膜６と、対向電極
３２と配向膜４９がこの順に形成されている。

【００５３】（基板間の隙間寸法の制御）このように構
成した電気光学パネル１において、本形態では、図１、
図２および図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２の表
面（電気光学物質３９を挟持している側の面）には、画
像表示領域３７の周りを囲むように、シール材２００の
形成領域の内周縁に沿って突起２１が形成されている。
この突起２１は、対向基板３に向けて突き出て対向基板
３に当接することにより、ＴＦＴアレイ基板２と対向電
極３との間に２μｍの隙間（セル厚）を確保している。
すなわち、突起２１は、弾性変形可能な材料から構成さ
れ、シール材２００によって接着固定されたＴＦＴアレ
イ基板２と対向電極３との間で押し潰された状態にあ
る。

【００５４】（製造方法）この状態を、図１、図２、図
３および図７を参照して、電気光学パネル１の製造方法
とともに詳述する。図７は、図３に示すように基板同士
を貼り合わせる直前の様子を示す断面図である。

【００５５】本形態の電気光学パネル１を製造するにあ
たって、まず、対向基板３を形成するには、石英ガラス
３１等の絶縁基板の表面に遮光膜６および対向電極３２
を順次形成した後、対向電極３２の表面に、配向膜を形
成するためのポリイミド樹脂４９を薄く塗布する。次
に、ポリイミド樹脂４９を１５０℃から２００℃位の温
度で熱硬化させる。このようにして対向基板３の側にポ
リイミド樹脂４９の層を形成した後、ラビング処理を行
う。

【００５６】一方、ＴＦＴアレイ基板２を形成するに
は、まず、周知の半導体プロセスを利用して、石英ガラ
ス３０の表面にＴＦＴ１０および画素電極８を順次形成
する。

【００５７】次に、ＴＦＴアレイ基板２の表面全体に、
硬化後も弾性変形可能な種類の樹脂を塗布した後、それ
をフォトリソグラフィ技術を用いてバターニングし、画
像表示領域３７の周りを囲む領域に突起２１を形成す
る。ここで、基板間の隙間寸法のねらい値が例えば２μ
ｍであれば、突起２１を隙間寸法のねらい値（２μｍ）
よりもやや厚めに形成する。

【００５８】次に、ＴＦＴアレイ基板２の表面に、配向
膜を形成するためのポリイミド樹脂４６を薄く形成し、
しかる後にラビング処理を行う。

【００５９】次に、突起２１の外側を囲むように、ＴＦ
Ｔアレイ基板２の表面に未硬化のシール材２００をディ
スペンサから吐出しながら塗布する。また、ＴＦＴアレ
イ基板２の表面のうち、シール材２００の塗布領域より
やや外周側には、基板間導通用の未硬化の導通材５６を
打点式のディスペンサから吐出しながら塗布する。本形
態では、導通材５６として、光硬化性あるいは熱硬化性
を有するエポキシ樹脂系あるいはアクリル樹脂系の接着
剤成分に銀粉や金めっきファイバーなどの導電粒子が配
合されたものを用いる。また、シール材２００として、
導通材５６と同様、光硬化性あるいは熱硬化性を有する
エポキシ樹脂系あるいはアクリル樹脂系の接着剤を用い
る。このシール材２００にはギャップ材が配合されてい
ない。従つて、シール材２００にギャップ材を入れなく
てよいので、シール材２００の下層側に配線があって
も、これらの配線がギャップ材で押し潰されて断線して
しまうということがない。

【００６０】次に、ＴＦＴアレイ基板２に形成されてい
る基板間導通用の第１の電極４７に対して対向基板３に
形成されている基板間導通用の第２の電極４８が対向す
るように、対向基板３とＴＦＴアレイ基板２とを位置合
わせした後、ＴＦＴアレイ基板２に向けて対向基板３を
押圧し、突起２１を高さが２μｍになる位までかるく押
し潰した状態のまま、対向基板３の側からシール材２０
０への紫外線照射、あるいは加熱処理により、導通材５
６およびシール材２００を硬化させる。

【００６１】ここで、導通材５６およびシール材２００
について双方を塗布してから一括して硬化させてもよい
が、導通材５６およびシール材２００をそれぞれ別々に
塗布し、硬化させてもよい。また、硬化は、仮硬化と本
硬化の２段階に分けて行ってもよい。

【００６２】その結果、図１ないし図３に示すように、
対向基板３とＴＦＴアレイ基板２とは、突起２１をスペ
ーサとして介在させた状態で２μｍの隙間を介して貼り
合わされ、かつ、ＴＦＴアレイ基板２に形成されている
基板間導通用の第１の電極４７と、対向基板３に形成さ
れている基板間導通用の第２の電極４８とが導通材５６
を介して電気杓に接続する。

【００６３】このようにして対向基板３とＴＦＴアレイ
基板２とを貼り合わせた後は、図１に示すように、シー
ル材２００の内側領域を減圧状態にして電気光学物質注
入口２４１から電気光学物質３９を減圧注入し、しかる
後に電気光学物質注入口２４１を封止剤２４２で塞ぐ。

【００６４】このように、本形態では、ＴＦＴアレイ基
板２に形成した突起２１を対向基板３との間に弾性変形
させた状態で介在させることにより、基板間の隙間寸法
（セル厚）を制御するので、シール材に配合したギャッ
プ材で隙間寸法を制御する構成と比較して、たとえ２μ
ｍという狭い隙間寸法であっても、高い精度で制御でき
る。また、突起２１は、画像表示領域３７を囲むように
形成されているので、画像表示領域３７全域において隙
間寸法が制御され、基板間の隙間寸法に場所毎のばらつ
きが発生しない。それ故、狭い隙間であっても隙間寸法
の精度が高く、かつ、隙間寸法が画像表示領域３７全面
において均一な電気光学パネル１を実現できる。よっ
て、この電気光学パネル１を用いて表示を行うと、表示
のむらがなく、かつ、コントラスト比が高くて、しかも
明るい表示を行うことができるなど、表示の品位が向上
する。

【００６５】［実施の形態２］図８は、本形態に係る電
気光学パネルを対向基板の側からみた平面図である。図
９（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図８のＨ´−Ｈ″線で切
断したときの電気光学パネルの断面図および基板間導通
部分の平面図である。図１０（Ａ）、（Ｂ）はそれぞ
れ、図９に示すように基板同士を貼り合わす直前の様子
を示す電気光学パネルの断面図、および基板間導通部分
の平面図である。なお、本形態に係る電気光学パネルに
おいて、実施の形態１に係る電気光学パネルと共通する
部分には同一の符号を付して図示することにして、それ
らの説明を省略する。

【００６６】実施の形態１では、シール材２００の形成
領域の内周縁のみに沿ってセル厚制御用の突起２１を形
成したが、本形態では、図８および図９（Ａ）に示すよ
うに、ＴＦＴアレイ基板２の表面のうち、シール材２０
０の形成領域の内周縁および外周縁の双方に沿って内周
側突起２２および外周側突起２３が形成されている。ま
た、本形態では、図９（Ｂ）に示すように、外周側突起
２３には、基板間の導通を行う導通材５６の形成領域の
周りを囲む円形部分２４が形成されている。ここに示す
例では、導通材５６の形成領域の周りを囲む円形部分２
４と外周側突起２３とが一体になっているが、これらが
独立して形成される場合もある。

【００６７】このような構成の電気光学パネル１の製造
方法を、図９および図１０を参照して説明しながら、併
せて基板間に所定の隙間寸法を確保する方法を詳述す
る。

【００６８】本形態の電気光学パネル１を製造するにあ
たって、まず、図１０（Ａ）に示すように、対向基板３
に用いた石英ガラス３１の表面に遮光膜６、対向電極３
２、およびポリイミド樹脂４９からなる配向膜を形成す
る。

【００６９】一方、ＴＦＴアレイ基板２に用いた石英ガ
ラス３０の表面に、まず、ＴＦＴ１０および画素電極８
などを形成する。

【００７０】次に、ＴＦＴアレイ基板２の表面全体に、
硬化後も弾性変形可能な種類の樹脂を塗布した後、それ
をフォトリソグラフイ技術を用いてパターニングし、画
像表示領域３７の周りを囲むように内周側突起２２、お
よび円形部分２４を備える外周側突起２３を形成する。
ここで、内周側突起２２および外周側突起２３は、基板
間の隙間寸法のねらい値が２μｍであれば、内周側突起
２２および外周側突起２３を隙間寸法のねらい値（２μ
ｍ）よりもやや厚めに形成する。また、図１０（Ｂ）に
示すように、外周側突起２３の角部分において、円形部
分２４は、導通材５６を介して基板同士を導通させるた
めの第１の電極４７の周りを囲むように形成する。

【００７１】次に、ＴＦＴアレイ基板２の表面に、ポリ
イミド樹脂４６の形成、およびラビング処理を行なっ
て、ポリイミド樹脂４６の層を配向膜とする。

【００７２】次に、ＴＦＴアレイ基板２の表面のうち、
内周側突起２２および外周側突起２３に挟まれた領域に
対して未硬化のシール材２００をディスペンサから吐出
しながら塗布する。また、外周側突起２３の円形部分２
４で囲まれた領域内には、基板間導通用の未硬化の導通
材５６を打点式のディスペンサから吐出しながら塗布す
る。本形態でも、導通材５６として、光硬化性あるいは
熱硬化性を有するエポキシ樹脂系あるいはアクリル樹脂
系の接着剤成分に銀粉や金めっきファイバーなどの導電
粒子が配合されたものを用いる。また、シール材２００
として、光硬化性あるいは熱硬化性を有するエポキシ樹
脂系あるいはアクリル樹脂系の接着剤を用い、このシー
ル材２００にはギャップ材が配合されていない。

【００７３】次に、ＴＦＴアレイ基板２に形成されてい
る基板間導通用の第１の電極４７に対して対向基板３に
形成されている基板間導通用の第２の電極４８が対向す
るように、対向基板３とＴＦＴアレイ基板２とを位置合
わせした後、ＴＦＴアレイ基板２に向けて対向基板３を
押圧して、突起２２、２３、２４の高さが２μｍになる
位まで押し潰した状態のまま、対向基板３の側からシー
ル材２００への紫外線照射、あるいは加熱処理により、
導通材５６を硬化させるとともに、シール材２００を硬
化させる。

【００７４】その結果、図８ないし図９に示すように、
対向基板３とＴＦＴアレイ基板２とは所定の隙間を介し
て貼り合わされ、かつ、ＴＦＴアレイ基板２に形成され
ている基板間導通用の第１の電極４７と、対向基板３に
形成されている基板間導通用の第２の電極４８とが導通
材５６を介して電気的に接続する。

【００７５】このように、本形態では、ＴＦＴアレイ基
板２に形成した内周側突起２２および外周側突起２３を
対向基板３に当接させることにより、基板間の隙間寸法
（セル厚）を制御するので、シール材に配合したギャッ
プ材で隙間寸法を制御する構成と比較して、隙間寸法を
高い精度で制御できる。また、内周側突起２２および外
周側突起２３は、画像表示領域３７を囲むように形成さ
れているので、画像表示領域３７全域において、基板間
の隙間寸法にばらつきが発生しない。それ故、隙間寸法
の精度が高く、かつ、隙間寸法が画像表示領域３７全面
において均一な電気光学パネル１を実現できる。

【００７６】また、未硬化のシール材２００は、内周側
突起２２および外周側突起２３に挟まれた領域内に塗布
するので、塗布する際および加熱した際に余分な領域に
はみ出ることがない。さらに、未硬化の導通材５６は、
外周側突起２３の円形部分２４の内側に塗布するので、
塗布する際および加熱した際余分な領域にはみ出ること
がない。それ故、シール材２００および導通材５６の接
着剤成分として、熱硬化性のものを用いることができ
る。ここで、熱硬化性のものをシール材２００あるいは
導通材５６として用いると、紫外線硬化性のものを用い
た場合と違って、紫外線照射によって配向膜を構成する
ポリイミド樹脂４６、４９が劣化するという事態を回避
できる。それ故、紫外線照射する際に所定領域を遮光す
るという手間のかかる工程が不要である。また、紫外線
硬化性のシール材２００を用いた際にはシール材２００
に紫外線が届くように、シール材２００と重なる領域に
は各種の回路や配線などを形成できないという制約があ
るが、熱硬化性のシール材２００であれば、それと重な
る領域を有効利用でき、そこに各種の回路や配線を配置
することができる。また、シール材２００の形成領域を
画像表示領域３７の周辺に形成された遮光膜５５と少な
くとも部分的に重なる位置まで拡張することにより、そ
のシール性を高めることもできる。

【００７７】［実施の形態３］図１１は、本形態に係る
電気光学パネルを対向基板の側からみた平面図である。
図１２および図１３はそれぞれ、電気光学パネルの画素
の平面図および断面図である。また、図１４は、図１３
に示すように基板同士を貼り合わす直前の様子を示す画
素の断面図である。なお、本形態に係る電気光学パネル
において、実施の形態１に係る電気光学パネルと共通す
る部分には同一の符号を付して図示することにして、そ
れらの説明を省略する。

【００７８】実施の形態１、２では、シール材２００の
形成領域に沿ってセル厚制御用の突起２１、２２、２３
を形成したが、本形態では、図１１に示すように、シー
ル材２００の形成領域に沿ってセル厚制御用の突起など
が形成されておらず、図１９を参照して説明した従来の
電気光学パネルと略同一の平面形状を有している。

【００７９】その代わりに、本形態では、図１２および
図１３に示すように、液晶パネル１の画像表示領域３７
内の点在する所定の位置に、円柱形状の多数の突起２５
が形成され、これらの多数の突起２５が、シール材２０
０で貼り合わされたＴＦＴアレイ基板２と対向基板３と
の間に介在することによって、基板間には所定の隙間が
確保されている。本形態では、突起２５を形成する位置
として、画像表示領域３７内に形成されているいずれの
画素においても、光の透過しない非開口領域に形成され
ている。すなわち、各画素において、図５を参照して説
明した画素のうち、画素スイッチング用のＴＦＴ１０を
形成するためのシリコン膜１０ａ（半導体膜／図５に斜
線を付した領域）の延設部分に相当するシリコン膜４０
ａ（半導体膜／図５に斜線を付した領域）、および容量
線９２を利用して蓄積容量４０が形成されている領域に
突起２５が形成されている。

【００８０】このような構成の電気光学パネル１の製造
方法を、図１１、図１２、図１３および図１４を参照し
て説明しながら、併せて、基板間に所定の隙間寸法を確
保する方法を詳述する。

【００８１】本形態の電気光学パネル１を製造するにあ
たって、まず、図１４に示すように、対向基板３に用い
た石英ガラス３１の表面に遮光膜６、対向電極３２、お
よびポリイミド樹脂４９からなる配向膜を形成する。

【００８２】一方、ＴＦＴアレイ基板２に用いた石英ガ
ラス３０の表面には、ＴＦＴ１０および画素電極８など
を形成する。

【００８３】次に、ＴＦＴアレイ基板２の表面全体に硬
化後も弾性変形可能な種類の樹脂を塗布した後、図１２
および図１４に示すように、それをフォトリソグラフイ
技術を用いてバターニングし、ＴＦＴアレイ基板２の表
面のうち、蓄積容量４０が形成されている比較的、平坦
な領域に円柱形状の突起２５を形成する。ここで、突起
２５は、基板間の隙間寸法のねらい値が２μｍであれ
ば、突起２５を隙間寸法のねらい値（２μｍ）よりもや
や厚めに形成する。

【００８４】次に、ＴＦＴアレイ基板２の表面に、ポリ
イミド樹脂４６の形成、およびラビング処理によって、
ポリイミド樹脂４６の層からなる配向膜を形成する。

【００８５】次に、図１１に示すように、ＴＦＴアレイ
基板２の表面のうち、対向基板３の外周縁に重なる領域
に未硬化のシール材２００をディスペンサから吐出しな
がら塗布する。また、シール材２００の塗布領域の外周
側には、基板間導通用の未硬化の導通材５６を打点式の
ディスペンサから吐出しながら塗布する。本形態でも、
導通材５６として、光硬化性あるいは熱硬化性を有する
エポキシ樹脂系あるいはアクリル樹脂系の接着剤成分に
銀粉や金めっきファイバーなどの導電粒子が配合された
ものを用いる。ここで、シール材２００としては、光硬
化性あるいは熱硬化性を有するエポキシ樹脂系あるいは
アクリル樹脂系の接着剤を用い、このシール材２００に
はギャップ材が配合されているもの、ギャップ材が配合
されていないもののいずれを用いてもよい。ここで、ギ
ャップ材が配合されていないシール材２００を用いれ
ば、シール材２００の下層側に配線があっても、これら
の配線がギャップ材で押し潰されて断線するのを防ぐこ
とができる。

【００８６】次に、ＴＦＴアレイ基板２に形成されてい
る基板間導通用の第１の電極４７に対して対向基板３に
形成されている基板間導通用の第２の電極４８が対向す
るように、対向基板３とＴＦＴアレイ基板２とを位置合
わせした後、ＴＦＴアレイ基板２に向けて対向基板３を
押圧して、図１３に示すように、突起２５の高さが２μ
ｍになる位までかるく押し潰した状態のまま、対向基板
３の側からシール材２００への紫外線照射、あるいは加
熱処理により、導通材５６を硬化させるとともに、シー
ル材２００を硬化させる。

【００８７】その結果、図１１および図１３に示すよう
に、対向基板３とＴＦＴアレイ基板２とは所定の隙間を
介して貼り合わされ、かつ、ＴＦＴアレイ基板２に形成
されている基板間導通用の第１の電極４７と、対向基板
３に形成されている基板間導通用の第２の電極４８とが
導通材５６を介して電気杓に接続する。

【００８８】このようにして対向基板３とＴＦＴアレイ
基板２とを貼り合わせた後は、図１１に示すように、シ
ール材２００の内側領域を減圧状態にして電気光学物質
注入口２４１から液晶などの電気光学物質３９を減圧注
入し、電気光学物質３９を充填した後、電気光学物質注
入口２４１を封止剤２４２で塞ぐ。この際に、突起２５
は円柱形状であるため、液晶などの電気光学物質３９
は、突起２５に邪魔されること無く、スムースに突起２
５を回り込むので、電気光学物質３９は適正に充填され
る。従って、電気光学物質３９の充填不良が発生しな
い。

【００８９】このように、本形態では、ＴＦＴアレイ基
板２に形成した突起２５を対向基板３に当接させること
により、基板間の隙間寸法（セル厚）を制御するので、
シール材に配合したギャップ材で隙間寸法を制御する構
成と比較して、隙間寸法を高い精度で制御できる。ま
た、突起２５は、画像表示領域３７内に点在する多数の
位置でＴＦＴアレイ基板２と対向基板３との間に介在す
るので、画像表示領域３７全域において、基板間の隙間
寸法にばらつきが発生しない。それ故、狭い隙間であっ
ても隙間寸法の精度が高く、かつ、隙間寸法が画像表示
領域３７全面において均一な電気光学パネル１を実現で
きる。

【００９０】また、スペーサとして機能する突起２５を
ＴＦＴアレイ基板２に作りこむので、画像表示領域３７
に対してスペーサを散布した場合と違って、表示品位を
低下させるような位置を避けて、各画素において光の透
過しない非開口領域のみに突起２５を選択的に形成でき
る。たとえば、本形態のように、蓄積容量４０が形成さ
れた平坦な領域に突起２５を選択的に形成できる。従っ
て、電気光学パネル１を投射型表示装置のライトバルブ
として用いても、突起２５が像として拡大投射されるこ
とはない。

【００９１】また、突起２５は、各画素における同一個
所（蓄積容量４０の形成領域）、すなわち各画素におけ
る同一座標上に形成されているので、突起２５は、いず
れも各画素において同じ高さの位置に形成されている。
それ故、突起２５の高さの位置が各画素間で同一である
ので、基板間の隙間寸法をより確実に一定にすることが
できる。よって、段差の大きなＴＦＴアレイ基板２を用
いた場合であっても、ＴＦＴアレイ基板２と対向基板３
との間に一定の隙間を確保できる。

【００９２】［実施の形態３の改良例］図１５は、実施
の形態３の改良例に係る電気光学パネルにおける突起の
分布を示す説明図、図１６は、実施の形態３の別の改良
例に係る電気光学パネルにおける突起の分布を示す説明
図である。

【００９３】実施の形態３に係る電気光学パネル１で
は、画像表示領域３７において円柱形状の突起２５を等
しい密度で形成する例であったが、ここに説明する例で
は、画像表示領域３７のうち、ある特定の領域では突起
２５を高密度に形成し、他の領域では突起２５を低密度
にしか形成しない。

【００９４】すなわち、図１５に示す例では、電気光学
パネル１の画像表示領域３７においてマトリクス状に並
ぶ多数の画素のうち、周囲領域は突起２５（図１５にお
いて黒丸を付してある。）の高密度形成領域として、全
ての画素に突起２５が形成されているのに対して、中心
領域は突起２５の低密度形成領域として一部の画素にの
み突起２５が形成されている。

【００９５】このように構成すると、基板同士を貼り合
わせた直後は、画像表示領域３７の中心領域で基板間の
隙間が狭くなる。すなわち、液晶などの電気光学物質を
基板間に注入するタイミングによっては電気光学パネル
１の中心が膨らむことがあるが、このような膨らみの発
生を見越して基板同士を貼り合わせることができる。す
なわち、画像表示領域３７内に電気光学物資３９減圧注
入したとき、多少、中心領域が膨らんで隙間寸法が大き
くなっても、このような拡大分は、電気光学物質３９を
注入する前の隙間寸法の差で吸収、緩和される。それ
故、基板間の隙間寸法を画像表示領域３７全面において
均一化することができる。

【００９６】また、突起２５の形成密度を変える形態と
しては、図１６に示すように、対向基板３とＴＦＴアレ
イ基板２とを貼り合わせる際にＴＦＴアレイ基板２に向
けて対向基板３を押圧する装置において、押圧力が場所
によってばらつく傾向にある場合には、このようなばら
つきを相殺するような分布をもって突起２５を形成す
る。たとえば、図１６に向かって左側においてＴＦＴア
レイ基板２への押圧力が大で、右側においてＴＦＴアレ
イ基板２への押圧力が小であれば、画像表示領域３７の
うち、図１６に向かって左側領域については、突起２５
の高密度形成領域として突起２５を形成する画素数を増
やし、例えば全ての画素に突起２５を形成し、一方、図
１６に向かって右側領域については、突起２５の低密度
形成領域として一部の画素のみに突起２５を形成する。

【００９７】このように構成すると、押圧力が場所によ
って相違しても、それに応じて、対向基板３とＴＦＴア
レイ基板２との間に介在する突起２５の密度を設定する
ので、結果としては、画像表示領域３７の全面において
基板間の隙間を均一にすることができる。

【００９８】［その他の実施の形態］実施形態１の変形
例１を図１７（Ａ）に示す。実施形態１の形態において
は、ＴＦＴアレイ基板２の方のシール材形成領域の周辺
に突起２１を形成し、かつ、シール材２００もＴＦＴア
レイ基板２の方に形成する例を示したが、図１７（Ａ）
の変形例では、対向基板３の側の所定位置に突起２１を
形成する一方、シール材２００をＴＦＴアレイ基板２の
方に形成し、レかる後に、Ｔｆ−Ｔアレイ基板２と対向
基板３とを貼り合わせている。この場合に、突起２１の
形成位置とシール材２００の塗布位置とは、前記の実施
の形態１のようにずらしてもよいが、図１７（Ａ）に示
す例のように、突起２１と重なる位置にシール材２００
を塗布してもよく、この場合には、図１７（Ｂ）に示す
ように、突起２１とＴＦＴアレイ基板２との間にシール
材２００が介在することになり、突起２１とＴＦＴアレ
イ基板２とが接着固定される構成となる。その他の構成
は、前記した実施の形態１と同様であるので、対応する
部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
なお、このような構成は、実施の形態２及び３において
も採用することができるが、その説明は省略する。

【００９９】［実施の形態４］実施形態４を図２１に示
す。実施形態４の形態においては、ＴＦＴアレイ基板２
の方のシール材形成領域の周辺であって且つその内側に
突起２１を形成し、且つシール材２００もＴＦＴアレイ
基板２の方に形成する例を示したが、図２１の実施の形
態４では、表示領域の回りの遮光膜５５に対向するよう
に対向基板３の側に、あるいはＴＦＴアレイ基板２の側
に形成し、しかる後に、ＴＦＴアレイ基板２と対向基板
３とを貼り合わせている。尚、この遮光膜５５は、画素
がマトリクス状に形成された表示領域とその周辺の非表
示領域とを仕切るために形成された膜である。この場合
に、突起２１の形成位置と遮光膜５５の塗布位置とはず
れてもよいが、遮光膜５５の幅以内におさまるように突
起２１を形成すれば遮光膜５５の段差に影響されずに突
起２１により基板間のギャップを制御することができ
る。しかも平面的にみて突起２１が遮光膜５５に重なる
とともに遮光膜５５により隠れるため突起２１の表示へ
の影響を防ぐことができる。また、この突起２１は、遮
光膜５５に沿って同様に非表示領域を囲むように形成し
てもよいし、あるいは遮光膜５５に沿って点在させても
よい。このように、突起２１とＴＦＴアレイ基板２との
間にシール材２００が介在することになり、突起２１と
ＴＦＴアレイ基板２とが接着固定される構成となる。ま
た、突起２１をＴＦＴアレイ基板側の遮光膜５５の４角
に対向するように設けてＴＦＴアレイ基板と対向基板と
を貼り合わせることもできる。その場合、ＴＦＴアレイ
基板側に設けられた突起２１が対向基板との貼り合わせ
のアライメントマークとして機能させることができる。
その他の構成は、前記した実施の形態１と同様であるの
で、対応する部分には同一の符号を付してそれらの説明
を省略する。

【０１００】［電気光学パネルの電子機器への適用］次
に、電気光学パネル１を備えた電子機器の一例として、
投射型表示装置を説明する。図１８は、本発明を適用し
た電気光学パネル１の使用例を示す投射型表示装置（電
気光学装置）の全体構成図である。

【０１０１】図１８において、投射型表示装置１１００
は、電気光学パネル１を各々ＲＧＢ用のライトバルプ１
００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェク
タである。この液晶プロジェクタ１１００では、メタル
ハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２
から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び
２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢ
の３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色
に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００
Ｂに各々導かれる。この際特にＢ光は、長い光路による
光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレン
ズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレン
ズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ
１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより各々変調された
３原色に対応する光成分は、ダイクロイツクプリズム１
１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を
介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射され
る。

【０１０２】

【発明の効果】以上のとおり、本発明では、一方の基板
に形成された突起を他方の基板に当接させることによ
り、基板間の隙間寸法（セル厚）を制御するので、シー
ル材に配合したギャップ材で隙間寸法を制御する構成と
比較して、隙間寸法を高い精度で制御できる。また、突
起は、画像表示領域を囲むように、あるいは画面投射領
域を画像表示領域全域において、基板間の隙間寸法にば
らつきが発生しない。それ故、狭い隙間であっても隙間
寸法の精度が高く、かつ、隙間寸法が画像表示領域全面
において均一な電気光学パネルを実現する。また、シー
ル材にギャップ材を入れなくてよいので、シール材の下
層側に配線があっても、これらの配線がギャップ材で押
し潰されて断線してしまうということがない。

【０１０３】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学パネルを
対向基板の側からみた平面図である。

【図２】図１のＨ−Ｈ′線で切断したときの電気光学パ
ネルの断面図である。

【図３】図１のＨ′−Ｈ″線で切断したときのＴＦＴア
レイ基板、対向基板およびこれらの基板の貼り合わせ構
造を示すパネル端部の断面図である。

【図４】図１に示す電気光学パネルの構成を模式的に示
すブロック図である。

【図５】図１に示す電気光学パネルの画素の一部の平面
図である。

【図６】図５のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断したと
きの電気光学パネルの断面図である。

【図７】図３に示すように基板同士を貼り合わせる直前
の様子を示す断面図である。

【図８】本発明の実施の形態２に係る電気光学パネルを
対向基板の側からみた平面図である。

【図９】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、電気光学パネルの
断面図、および基板聞導通部分の平面図である。

【図１０】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図９（Ａ）に示
すように基板同士を貼りつける前の状態を示す電気光学
パネル端部の断面図、および基板間導通部分の平面図で
ある。

【図１１】本発明の実施の形態３に係る電気光学パネル
を対向基板の側からみた平面図である。

【図１２】図１１に示す電気光学パネルの画素の一部を
抜き出して示す平面図である。

【図１３】図１２のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断し
たときの電気光学パネルの断面図である。

【図１４】図１３に示すように基板同士を貼り合わせる
前の様子を示す断面図である。

【図１５】本発明の実施の形態３の改良例に係る電気光
学パネルにおける突起の分布を示す説明図である。

【図１６】本発明の実施の形態３の別の改良例に係る電
気光学パネルにおける突起の分布を示す説明図である。

【図１７】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ、本発明の実施形
態１の変形例に係る電気光学パネルにおいて突起および
シール材をそれぞれ異なる基板に形成あるいは塗布した
状態を示す説明図、およびこれらの基板同士を貼り合わ
せた状態を示す説明図である。

【図１８】本発明を適用した電気光学パネルの使用例を
示す投射型表示装置（プロジェクタ）の全体構成図であ
る。

【図１９】従来の電気光学パネルを対向基板の側からみ
た平面図である。

【図２０】図１９のＨ′−Ｈ″線で切断したときの電気
光学パネルの断面図および基板間導通部分の平面図であ
る。

【図２１】本発明の実施形態４に係る電気光学パネルに
おいて突起を形成して基板同士を貼り合わせた状態を示
す説明図である。

【符号の説明】

１電気光学パネル２ＴＦＴアレイ基板３対向基板８画素電極１０画素スイッチング用のＴＦＴ２１、２２、２３、２５基板間の隙間寸法制御用の突起３０、３１石英ガラス３２対向電極３７画像表示領域３９電気光学物質４７基板間導通用の第１の電極４８基板間導通用の第２の電極９０データ線９１走査線２００シール材２４１電気光学物質注入口２４２封止剤

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０３Ｂ 21/00 Ｇ０９Ｆ 9/00 ３３８Ｇ０９Ｆ 9/00 ３３８３６０Ｋ３６０ 9/30 ３２０ 9/30 ３２０３３８３３８Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の基板間に電気光学物質が挟持され
てなり、前記一対の基板同士はシール材により接着固定
されてなり、前記シール材の形成領域内には複数の画素
からなる画像表示領域を有する電気光学パネルにおい
て、前記一対の基板のうちの一方の基板には、他方の基板に
向けて突出して該他方の基板に当接する突起を有し、該
突起は、前記画素領域を囲む領域に形成されていること
を特徴とする電気光学パネル。
【請求項２】請求項１において、前記突起は、前記シ
ール材の形成領域の内周縁および外周縁のうちの一方の
縁に沿って形成されていることを特徴とする電気光学パ
ネル。
【請求項３】請求項１において、前記突起は、前記シ
ール材の形成領域の内周縁に沿って形成された第１突起
および外周縁の双方に沿って形成された第２突起を有
し、前記シール材は、前記第１突起と前記第２突起とに
挟まれた領域内に形成されていることを特徴とする電気
光学パネル。
【請求項４】一対の基板間に電気光学物質が挟持され
てなり、前記一対の基板同士はシール材により接着固定
されてなり、前記シール材の形成領域内には複数の画素
からなる画像表示領域を有する電気光学パネルにおい
て、前記一対の基板のうちの一方の基板には、他方の基板に
向けて突出して該他方の基板に当接する突起を有し、該
突起は、前記一対の基板の夫々に形成された導電層間を
電気的に接続する導通材の形成領域の周りに形成されて
いることを特徴とする電気光学パネル。
【請求項５】請求項４において、前記突起は、前記導
通材の形成領域の周りを囲むように形成されていること
を特徴とする電気光学パネル。
【請求項６】請求項１乃至請求項５のいずれか一項に
おいて、前記突起は、弾性変形可能な材料から構成さ
れ、前記一対の基板間で押し潰された状態にあることを
特徴とする電気光学パネル。
【請求項７】請求項１乃至請求項６のいずれか一項に
おいて、前記シール材は前記画像表示領域の周辺に形成
された遮光膜と少なくとも一部で重なるように形成され
ていることを特徴とする電気光学パネル。
【請求項８】請求項１乃至請求項８のいずれか一項に
おいて、前記一対の基板は、画素電極および画素スイッ
チング用の薄膜トランジスタがマトリクス状に形成され
たトランジスタアレイ基板と、対向電極が形成された対
向基板とから構成されていることを特徴とする電気光学
パネル。
【請求項９】請求項８に記載の電気光学パネルを用い
た拡大投射型表示装置であって、光源と、該光源から出
射された光を前記電気光学パネルに導く集光光学系と、
当該電気光学パネルで光変調した光を拡大投射する拡大
投射光学系とを有することを特徴とする投射型表示装
置。
【請求項１０】請求項１乃至請求項９のいずれか一項
に記載の電気光学パネルの製造方法において、前記一対
の基板のうちの一方の基板に前記突起を形成した後、前
記シール材を塗布し、しかる後に前記一対の基板を押圧
しながら前記シ−ル材を硬化させることを特徴とする電
気光学パネルの製造方法。
【請求項１１】請求項３に記載の電気光学パネルの製
造方法において、前記シール材を形成する予定の領域の
内周縁に沿った第１突起と外周縁に沿った第２突起を形
成した後、前記第１突起と前記第２突起とに挟まれた領
域内に前記シール材を塗布し、しかる後に前記一対の基
板を押圧しながら前記シール材を硬化させることを特徴
とする電気光学パネルの製造方法。
【請求項１２】請求項４に記載の電気光学パネルの製
造方法において、前記導通材を形成する予定の領域の周
りを囲むように前記突起を形成した後、該突起によって
囲まれた領域内に前記導通材を塗布するとともに、前記
シール材を前記画像表示領域の周りを囲むように塗布
し、しかる後に前記一対の基板を押圧しながら前記シー
ル材および前記導通材を同時あるいは別々に硬化させる
ことを特徴とする電気光学パネルの製造方法。
【請求項１３】請求項１１に記載の電気光学パネルの
製造方法であって、前記一対の基板のうちの一方の基板
に前記突起を弾性変形可能な材料により形成した後、当
該一方の基板にシール材を塗布し、しかる後に前記一対
の基板を押圧しながら前記シール材を硬化させることを
特徴とする電気光学パネルの製造方法。
【請求項１４】請求項１乃至請求項１２のいずれか一
項において、前記一対の基板のうちの一方の基板に前記
突起を弾性変形可能な材料により形成する一方、他方の
基板にシール材を塗布し、しかる後に前記一対の基板を
押圧しながら、前記シール材を硬化させることを特徴と
する電気光学パネルの製造方法。
【請求項１５】一対の基板間に電気光学物質が挟持さ
れてなり、前記一対の基板同士はシール材により接着固
定されてなり、前記シール材の形成領域内には複数の画
素からなる画像表示領域を有する電気光学パネルにおい
て、前記一対の基板のうちの一方の基板には、他方の基板に
向けて突出して該他方の基板に当接する突起が形成さ
れ、該突起は、前記画像表示領域内の所定位置に点在さ
れていることを特徴とする電気光学パネル。
【請求項１６】請求項１５において、前記突起は、前
記各画素において光が透過しない非開口領域に形成され
ていることを特徴とする電気光学パネル。
【請求項１７】請求項１５において、前記突起は、各
画素内における同一座標上に形成されていることを特徴
とする電気光学パネル。
【請求項１８】請求項１５乃至請求項１７のいずれか
一項において、前記突起は、円柱形状を有していること
を特徴とする電気光学パネル。
【請求項１９】請求項１５乃至請求項１８のいずれか
一項において、前記突起は、前記画像表示領域内におけ
る周囲領域では中心領域に比較して高密度に形成されて
いることを特徴とする電気光学パネル。
【請求項２０】請求項１５乃至請求項１８のいずれか
一項において、前記突起は、前記画像表示領域内におけ
る一方側領域では他方側領域に比較して高密度に形成さ
れていることを特徴とする電気光学パネル。
【請求項２１】請求項１５乃至請求項２０のいずれか
一項において、前記突起は、弾性変形可能な材料から構
成され、前記一対の基板間で押し潰された状態にあるこ
とを特徴とする電気光学パネル。
【請求項２２】請求項１５乃至請求項２１のいずれか
一項において、前記一対の基板は、画素電極および画素
スイッチング用の薄膜トランジスタがマトリクス状に形
成されたトランジスタアレイ基板と、対向電極が形成さ
れた対向基板とから構成されていることを特徴とする電
気光学パネル。
【請求項２３】請求項２２に記載の電気光学パネルを
用いた拡大投射型表示装置であって、光源と、該光源か
ら出射された光を前記電気光学パネルに導く集光光学系
と、当該電気光学パネルで光変調した光を拡大投射する
拡大投射光学系とを有することを特徴とする投射型表示
装置。
【請求項２４】請求項１５乃至請求項２３のいずれか
一項に記載の電気光学パネルの製造方法において、前記
一対の基板のうちの一方の基板に前記突起を形成した
後、前記シール材を塗布し、しかる後に前記一対の基板
を押圧しながら前記シール材を硬化させることを特徴と
する電気光学パネルの製造方法。
【請求項２５】請求項２４に記載の電気光学パネルの
製造方法であって、前記一対の基板のうちの一方の基板
に前記突起を弾性変形可能な材料により形成した後、当
該一方の基板にシール材を塗布し、しかる後に前記一対
の基板を押圧しながら前記シール材を硬化させることを
特徴とする電気光学パネルの製造方法。
【請求項２６】請求項１５乃至請求項２２のいずれか
一項に記載の電気光学パネルの製造方法において、前記
一対の基板のうちの一方の基板に前記突起を弾性変形可
能な材料により形成する一方、他方の基板にシール材を
塗布し、しかる後に前記一対の基板を押圧しながら、前
記シール材を硬化させることを特徴とする電気光学パネ
ルの製造方法。
【請求項２７】一対の基板間に電気光学物質が挟持さ
れてなり、前記一対の基板同士はシール材により接着固
定されてなり、前記シール材の形成領域内には複数の画
素からなる画像表示領域を有する電気光学パネルにおい
て、前記一対の基板のうちの一方の基板には、他方の基板に
向けて突出して該他方の基板に当接する突起を有し、該
突起は、前記画素領域を囲む領域に形成された遮光膜に
対向するように配置されていることを特徴とする電気光
学パネル。
【請求項２８】前記突起は、平面的にみて前記遮光膜
の幅以内に収まるように配置されていることを特徴とす
る請求項２７に記載の電気光学パネル。