JP2001176907A - バンプ検査装置 - Google Patents
バンプ検査装置Info
- Publication number
- JP2001176907A JP2001176907A JP35773499A JP35773499A JP2001176907A JP 2001176907 A JP2001176907 A JP 2001176907A JP 35773499 A JP35773499 A JP 35773499A JP 35773499 A JP35773499 A JP 35773499A JP 2001176907 A JP2001176907 A JP 2001176907A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- optical system
- flat surface
- bumps
- inspection apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0608—Height gauges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 頂部が平坦面に形成されたバンプの形状を正
確に検知して、高精度の製品検査を可能とする。 【解決手段】 頂部が平坦面に形成された複数のバン
プ１２が配置された被検査体２０のバンプ１２の形状を
検査するバンプ検査装置であって、前記被検査体２０の
バンプ１２に向け、テレセントリック光学系３０を経由
して前記頂部の平坦面に対して垂直な平行光を投射する
照明光学系と、該照明光学系と光軸を一致させて設置し
たテレセントリック光学系３０による観測光学系と、該
観測光学系を介して前記被検査体２０の所定範囲にわた
り前記頂部の平坦面の画像を観測する観測部３６と、該
観測部３６による前記頂部の平坦面の画像に基づいて前
記バンプ１２の形状を解析する演算処理部３８とを備え
る。
確に検知して、高精度の製品検査を可能とする。 【解決手段】 頂部が平坦面に形成された複数のバン
プ１２が配置された被検査体２０のバンプ１２の形状を
検査するバンプ検査装置であって、前記被検査体２０の
バンプ１２に向け、テレセントリック光学系３０を経由
して前記頂部の平坦面に対して垂直な平行光を投射する
照明光学系と、該照明光学系と光軸を一致させて設置し
たテレセントリック光学系３０による観測光学系と、該
観測光学系を介して前記被検査体２０の所定範囲にわた
り前記頂部の平坦面の画像を観測する観測部３６と、該
観測部３６による前記頂部の平坦面の画像に基づいて前
記バンプ１２の形状を解析する演算処理部３８とを備え
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はバンプの検査装置に
関し、より詳細にはＢＧＡ基板等に接続端子として形成
したバンプの形状、高さ等を検査するバンプ検査装置に
関する。
関し、より詳細にはＢＧＡ基板等に接続端子として形成
したバンプの形状、高さ等を検査するバンプ検査装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＢＧＡ基板等の表面実装型の半導体装置
には、基板の表面に形成したランドに外部接続端子とし
て半球状のバンプを形成して提供される製品がある。バ
ンプはランドにはんだボールを接合して形成することも
できるが、バンプの径寸法が小さく、高密度にバンプを
配置する製品の場合には、印刷法によってはんだペース
トをランドに供給し、リフローして半球状のバンプを形
成する方法が一般的である。
には、基板の表面に形成したランドに外部接続端子とし
て半球状のバンプを形成して提供される製品がある。バ
ンプはランドにはんだボールを接合して形成することも
できるが、バンプの径寸法が小さく、高密度にバンプを
配置する製品の場合には、印刷法によってはんだペース
トをランドに供給し、リフローして半球状のバンプを形
成する方法が一般的である。
【０００３】図１０(a) は、基板１０にはんだペースト
を供給し、加熱して基板１０の表面にバンプ１２を形成
した状態を示す。このようにはんだペーストを用いてバ
ンプ１２を形成する場合は、バンプ１２を形成した後、
バンプ１２の頂部にコイニング加工を施しバンプ１２の
頂部を平坦面１２ａに加工する。このコイニング加工
は、平坦な押圧面を有するコイニング治具を用いてバン
プ１２を一括してコイニングし、すべてのバンプ１２の
高さをそろえるようにするものである。図１０(b) に、
バンプ１２をコイニングした状態を示す。コイニング加
工によって形成した平坦面１２ａの部位は実装基板の電
極等に接して接続される接続端面となる。
を供給し、加熱して基板１０の表面にバンプ１２を形成
した状態を示す。このようにはんだペーストを用いてバ
ンプ１２を形成する場合は、バンプ１２を形成した後、
バンプ１２の頂部にコイニング加工を施しバンプ１２の
頂部を平坦面１２ａに加工する。このコイニング加工
は、平坦な押圧面を有するコイニング治具を用いてバン
プ１２を一括してコイニングし、すべてのバンプ１２の
高さをそろえるようにするものである。図１０(b) に、
バンプ１２をコイニングした状態を示す。コイニング加
工によって形成した平坦面１２ａの部位は実装基板の電
極等に接して接続される接続端面となる。
【０００４】バンプ１２にコイニング加工を施すのは、
バンプ１２の高さにばらつきがあった場合、また、基板
に反り等の変形があって基板全体としてバンプ１２の接
続端面の高さにばらつきがあった場合に、バンプ１２の
接続端面の高さをそろえ、また、バンプの接続端面が一
定の接触面積を確保できるようにし、実装基板に確実に
バンプが接合されるようにするためである。接続端面で
ある平坦面１２ａが一定の接触面積を確保できるように
することは、とくにバンプの寸法が小さい場合には重要
な条件となる。
バンプ１２の高さにばらつきがあった場合、また、基板
に反り等の変形があって基板全体としてバンプ１２の接
続端面の高さにばらつきがあった場合に、バンプ１２の
接続端面の高さをそろえ、また、バンプの接続端面が一
定の接触面積を確保できるようにし、実装基板に確実に
バンプが接合されるようにするためである。接続端面で
ある平坦面１２ａが一定の接触面積を確保できるように
することは、とくにバンプの寸法が小さい場合には重要
な条件となる。
【０００５】バンプの高さのばらつきは、個々のランド
に供給されるはんだペーストの分量がばらついたり、は
んだペーストに含まれるフラックスがばらついたりする
ことによって生じる。従来の基板に使用されている高さ
が数百μｍ程度のバンプの場合には、はんだペーストの
分量のばらつきはさほど問題にならないが、高さが数十
μｍ程度の小さなバンプを形成する場合には、はんだペ
ーストの分量のわずかなばらつきであってもバンプの高
さ及び形状等に大きく影響を与えるようになる。このた
め、バンプが小さい場合にはバンプの形状を高精度に形
成することが困難になる。
に供給されるはんだペーストの分量がばらついたり、は
んだペーストに含まれるフラックスがばらついたりする
ことによって生じる。従来の基板に使用されている高さ
が数百μｍ程度のバンプの場合には、はんだペーストの
分量のばらつきはさほど問題にならないが、高さが数十
μｍ程度の小さなバンプを形成する場合には、はんだペ
ーストの分量のわずかなばらつきであってもバンプの高
さ及び形状等に大きく影響を与えるようになる。このた
め、バンプが小さい場合にはバンプの形状を高精度に形
成することが困難になる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、バン
プが小さい場合には、ランドにはんだペーストを供給し
てバンプを形成した際にバンプの高さのばらつきが比較
的大きくあらわれるから、バンプをコイニング加工した
状態でバンプが所定の形状に形成されているか否かを検
査する必要がある。バンプを半球状に形成した状態で、
所定の高さよりも低く形成されたためにコイニング量が
小さくなり、バンプの接続端面が所定の面積を確保でき
ない場合や、バンプが所定の高さよりも高く形成された
ためにコイニング量が大きくなり、バンプの接続端面の
面積が過大になるといった場合があるからである。
プが小さい場合には、ランドにはんだペーストを供給し
てバンプを形成した際にバンプの高さのばらつきが比較
的大きくあらわれるから、バンプをコイニング加工した
状態でバンプが所定の形状に形成されているか否かを検
査する必要がある。バンプを半球状に形成した状態で、
所定の高さよりも低く形成されたためにコイニング量が
小さくなり、バンプの接続端面が所定の面積を確保でき
ない場合や、バンプが所定の高さよりも高く形成された
ためにコイニング量が大きくなり、バンプの接続端面の
面積が過大になるといった場合があるからである。
【０００７】このようなバンプの形状を検査する簡便な
方法として、バンプを形成した基板面をＣＣＤカメラに
よって視認し、個々のバンプの形状、とくにバンプの頂
部の平坦面を検知する方法が考えられる。図１０(b) に
示すように、バンプ１２は頂部が平坦面１２ａに形成さ
れ側面が曲面に形成されているから、平坦面１２ａとバ
ンプ１２の側面との境界位置を明確に視認することがで
きれば平坦面１２ａの面積等を検知することが可能であ
る。しかしながら、通常の光学系を介してＣＣＤカメラ
によりバンプを視認する方法では、平坦面１２ａとバン
プ１２の側面との境界部分のコントラストが不明確にな
り平坦面１２ａを明確に区分して視認することができ
ず、また、ＣＣＤカメラの受像領域のうち周辺部分のバ
ンプ１２の画像が歪むことによって正確な計測が困難に
なるという問題点があった。
方法として、バンプを形成した基板面をＣＣＤカメラに
よって視認し、個々のバンプの形状、とくにバンプの頂
部の平坦面を検知する方法が考えられる。図１０(b) に
示すように、バンプ１２は頂部が平坦面１２ａに形成さ
れ側面が曲面に形成されているから、平坦面１２ａとバ
ンプ１２の側面との境界位置を明確に視認することがで
きれば平坦面１２ａの面積等を検知することが可能であ
る。しかしながら、通常の光学系を介してＣＣＤカメラ
によりバンプを視認する方法では、平坦面１２ａとバン
プ１２の側面との境界部分のコントラストが不明確にな
り平坦面１２ａを明確に区分して視認することができ
ず、また、ＣＣＤカメラの受像領域のうち周辺部分のバ
ンプ１２の画像が歪むことによって正確な計測が困難に
なるという問題点があった。
【０００８】そこで、本発明はこれらの問題点を解消す
べくなされたものであり、その目的とするところは、は
んだペースト等を用いて形成したバンプにコイニング加
工を施して頂部に平坦な接続端面を形成したバンプを有
する被検査体に対し、光学的手段を利用してバンプの接
続端面を高精度に視認可能とし、これによってバンプの
形状の良否を容易に判定することができるバンプ検査装
置を提供するにある。
べくなされたものであり、その目的とするところは、は
んだペースト等を用いて形成したバンプにコイニング加
工を施して頂部に平坦な接続端面を形成したバンプを有
する被検査体に対し、光学的手段を利用してバンプの接
続端面を高精度に視認可能とし、これによってバンプの
形状の良否を容易に判定することができるバンプ検査装
置を提供するにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、頂部が平坦
面に形成された複数のバンプが配置された被検査体のバ
ンプの形状を検査するバンプ検査装置であって、前記被
検査体のバンプに向け、テレセントリック光学系を経由
して前記頂部の平坦面に対して垂直な平行光を投射する
照明光学系と、該照明光学系と光軸を一致させて設置し
たテレセントリック光学系による観測光学系と、該観測
光学系を介して前記被検査体の所定範囲にわたり前記頂
部の平坦面の画像を観測する観測部と、該観測部による
前記頂部の平坦面の画像に基づいて前記バンプの形状を
解析する演算処理部とを備えたことを特徴とする。観測
光学系は、照明光学系によって被検査体に投射された照
明光による被検査体からの反射光のうち、バンプの頂部
の平坦面に垂直な反射光のみを受光する。これにより、
観測部では平坦面の形状を明確な画像としてとらえるこ
とが可能になり、演算処理部での解析によってバンプの
形状を正確に検査することが可能になる。
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、頂部が平坦
面に形成された複数のバンプが配置された被検査体のバ
ンプの形状を検査するバンプ検査装置であって、前記被
検査体のバンプに向け、テレセントリック光学系を経由
して前記頂部の平坦面に対して垂直な平行光を投射する
照明光学系と、該照明光学系と光軸を一致させて設置し
たテレセントリック光学系による観測光学系と、該観測
光学系を介して前記被検査体の所定範囲にわたり前記頂
部の平坦面の画像を観測する観測部と、該観測部による
前記頂部の平坦面の画像に基づいて前記バンプの形状を
解析する演算処理部とを備えたことを特徴とする。観測
光学系は、照明光学系によって被検査体に投射された照
明光による被検査体からの反射光のうち、バンプの頂部
の平坦面に垂直な反射光のみを受光する。これにより、
観測部では平坦面の形状を明確な画像としてとらえるこ
とが可能になり、演算処理部での解析によってバンプの
形状を正確に検査することが可能になる。
【００１０】また、前記被検査体が、すべてのバンプの
平坦面が同一の平面上になるように形成された製品の場
合には、平坦面の形状を正確に検知することによって、
製品の良否を正確に判断することができる。また、前記
バンプが、はんだのリフローにより略半球状に形成され
た後、頂部を平坦面に加工するコイニング加工が施され
たものである場合は、バンプの高さのばらつきが比較的
大きく表れ、バンプの光沢のばらつき等が生じるが、本
装置によれば、バンプの形状を正確に検査することが可
能になる。また、前記演算処理部が、前記平坦面の面積
を解析する解析手段と、該平坦面の面積が所定範囲内に
あるか否かを判定する判定手段とを備えていることによ
り、平坦面の面積の解析によってバンプの形状を的確に
判断して製品の良否を判定することができる。
平坦面が同一の平面上になるように形成された製品の場
合には、平坦面の形状を正確に検知することによって、
製品の良否を正確に判断することができる。また、前記
バンプが、はんだのリフローにより略半球状に形成され
た後、頂部を平坦面に加工するコイニング加工が施され
たものである場合は、バンプの高さのばらつきが比較的
大きく表れ、バンプの光沢のばらつき等が生じるが、本
装置によれば、バンプの形状を正確に検査することが可
能になる。また、前記演算処理部が、前記平坦面の面積
を解析する解析手段と、該平坦面の面積が所定範囲内に
あるか否かを判定する判定手段とを備えていることによ
り、平坦面の面積の解析によってバンプの形状を的確に
判断して製品の良否を判定することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて添付図面に基づき詳細に説明する。図１は本発明
に係るバンプ検査装置の全体構成を示す説明図である。
同図で２０は基板１０の一方の面にバンプ１２が形成さ
れた被検査体である。バンプ１２は、基板１０の表面に
形成されたランドに、はんだペーストを印刷法によって
供給し、リフローして半球状のバンプ１２を形成した
後、コイニング加工によりバンプ１２の頂部を平坦面に
形成したものである。２２は被検査体２０を支持するス
テージである。
ついて添付図面に基づき詳細に説明する。図１は本発明
に係るバンプ検査装置の全体構成を示す説明図である。
同図で２０は基板１０の一方の面にバンプ１２が形成さ
れた被検査体である。バンプ１２は、基板１０の表面に
形成されたランドに、はんだペーストを印刷法によって
供給し、リフローして半球状のバンプ１２を形成した
後、コイニング加工によりバンプ１２の頂部を平坦面に
形成したものである。２２は被検査体２０を支持するス
テージである。
【００１２】３０は被検査体２０に対し、光源３２から
の照明光を平行光として被検査体２０に照射する照明光
学系と、該照明光学系と光軸を一致させて配置した観測
光学系を備えた光学系部である。３３はハーフミラー、
３４はコリメートレンズである。この光学系部３０はテ
レセントリック光学系を構成するものであり、光源３２
からの照明光はテレセントリック光学系を経由して被検
査体２０に照射され、被検査体２０からの反射光はテレ
セントリック光学系による観測光学系によって観測され
る。被検査体２０は、光学系部３０の照明光学系及び観
測光学系の光軸に対し基板面を垂直にしてステージ２２
に配置する。これにより、被検査体２０の基板面に垂直
に照明光が照射され、被検査体２０からの反射光が観測
光学系により集光され、観測部であるＣＣＤカメラ３６
によって基板１０上のバンプ１２が受像される。
の照明光を平行光として被検査体２０に照射する照明光
学系と、該照明光学系と光軸を一致させて配置した観測
光学系を備えた光学系部である。３３はハーフミラー、
３４はコリメートレンズである。この光学系部３０はテ
レセントリック光学系を構成するものであり、光源３２
からの照明光はテレセントリック光学系を経由して被検
査体２０に照射され、被検査体２０からの反射光はテレ
セントリック光学系による観測光学系によって観測され
る。被検査体２０は、光学系部３０の照明光学系及び観
測光学系の光軸に対し基板面を垂直にしてステージ２２
に配置する。これにより、被検査体２０の基板面に垂直
に照明光が照射され、被検査体２０からの反射光が観測
光学系により集光され、観測部であるＣＣＤカメラ３６
によって基板１０上のバンプ１２が受像される。
【００１３】観測光学系に用いるテレセントリック光学
系は、すべての主光線が物空間または画像空間において
軸に平行に進む光学系であり、物体面の設定または画像
面の設定に誤差があっても、撮影される画像の大きさの
誤差が小さくできることから、物体の寸法測定等に利用
されている。このテレセントリック光学系によれば、照
明光学系によって照明されて被検査体２０から散乱され
た光のうち、観測光学系の光軸に平行な反射光のみＣＣ
Ｄカメラ３６に集束されて受光されることになる。
系は、すべての主光線が物空間または画像空間において
軸に平行に進む光学系であり、物体面の設定または画像
面の設定に誤差があっても、撮影される画像の大きさの
誤差が小さくできることから、物体の寸法測定等に利用
されている。このテレセントリック光学系によれば、照
明光学系によって照明されて被検査体２０から散乱され
た光のうち、観測光学系の光軸に平行な反射光のみＣＣ
Ｄカメラ３６に集束されて受光されることになる。
【００１４】被検査体２０によって反射された光のう
ち、観測光学系の光軸と平行に反射される反射光がＣＣ
Ｄカメラによって受光されることから、本実施形態のバ
ンプ検査装置によれば、被検査体２０のバンプ１２に形
成された平坦面１２ａからの反射光がＣＣＤカメラ３６
によって受像されるようになる。前述したように、バン
プ１２の頂部はコイニング加工によって平坦面１２ａに
形成され、観測光学系の光軸に対して垂直となる位置関
係にあり、被検査体２０の基板面（ステージ２２）に対
して垂直に投射された照明光は平坦面１２ａから観測光
学系の光軸と平行に反射されることになるからである。
一方、バンプ１２の側面に照射された光は、観測光学系
の光軸に対し平行に反射されることはないから、観測光
学系によって受光されずＣＣＤカメラ３６では受光され
なくない。図４に、ＣＣＤカメラ３６によってバンプ１
２を視認した状態を説明的に示す。本構成の検査装置に
よれば、ＣＣＤカメラ３６によって視認される画像は、
バンプ１２の頂部に形成された平坦面１２ａである。
ち、観測光学系の光軸と平行に反射される反射光がＣＣ
Ｄカメラによって受光されることから、本実施形態のバ
ンプ検査装置によれば、被検査体２０のバンプ１２に形
成された平坦面１２ａからの反射光がＣＣＤカメラ３６
によって受像されるようになる。前述したように、バン
プ１２の頂部はコイニング加工によって平坦面１２ａに
形成され、観測光学系の光軸に対して垂直となる位置関
係にあり、被検査体２０の基板面（ステージ２２）に対
して垂直に投射された照明光は平坦面１２ａから観測光
学系の光軸と平行に反射されることになるからである。
一方、バンプ１２の側面に照射された光は、観測光学系
の光軸に対し平行に反射されることはないから、観測光
学系によって受光されずＣＣＤカメラ３６では受光され
なくない。図４に、ＣＣＤカメラ３６によってバンプ１
２を視認した状態を説明的に示す。本構成の検査装置に
よれば、ＣＣＤカメラ３６によって視認される画像は、
バンプ１２の頂部に形成された平坦面１２ａである。
【００１５】図２は、本発明に係るバンプ検査装置の比
較例として、観測光学系に画角のある光学系を使用した
検査装置の例を示す。４０は光源３２からの照明光を被
検査体２０に照射し、被検査体２０からの反射光を集光
する光学系である。図５に、この検査装置によってバン
プ１２を視認した状態を説明的に示す。この光学系によ
れば、光軸に平行な反射光の他に観測光学系に斜入射す
る反射光も受光するから、バンプ１２の平坦面１２ａか
らの反射光の他にバンプの側面からの反射光も受光さ
れ、ＣＣＤカメラ３６の画像は、バンプ１２全体として
コントラストの低い画像となり、平坦面１２ａを明確に
視認することができない。
較例として、観測光学系に画角のある光学系を使用した
検査装置の例を示す。４０は光源３２からの照明光を被
検査体２０に照射し、被検査体２０からの反射光を集光
する光学系である。図５に、この検査装置によってバン
プ１２を視認した状態を説明的に示す。この光学系によ
れば、光軸に平行な反射光の他に観測光学系に斜入射す
る反射光も受光するから、バンプ１２の平坦面１２ａか
らの反射光の他にバンプの側面からの反射光も受光さ
れ、ＣＣＤカメラ３６の画像は、バンプ１２全体として
コントラストの低い画像となり、平坦面１２ａを明確に
視認することができない。
【００１６】図３は、バンプ検査装置の比較例として、
照明光学系としてテレセントリック光学系を経由しない
形態を示す。４２はハーフミラー、４４はテレセントリ
ック光学系によって構成した集光用の光学系である。こ
のバンプ検査装置の場合も、被検査体２０に投射する照
明光が完全な平行光にならないため、基板１０の表面に
バンプ１２を形成した被検査体２０のように凹凸が形成
されているものや、コントラストの低いものを明確に視
認することが困難になる。
照明光学系としてテレセントリック光学系を経由しない
形態を示す。４２はハーフミラー、４４はテレセントリ
ック光学系によって構成した集光用の光学系である。こ
のバンプ検査装置の場合も、被検査体２０に投射する照
明光が完全な平行光にならないため、基板１０の表面に
バンプ１２を形成した被検査体２０のように凹凸が形成
されているものや、コントラストの低いものを明確に視
認することが困難になる。
【００１７】図６、７は、本発明に係るバンプ検査装置
を用いて、基板１０の表面にバンプ１２を形成した被検
査体２０を実際にＣＣＤカメラ３６によって受像した検
査結果を示す。図６、７に示すバンプとも、コイニング
加工前のバンプの高さが５０±１５μｍ、コイニング加
工後のバンプの高さが３０±１０μｍである。図６に示
す例では、バンプの平坦面の直径が１２０μｍ〜１５０
μｍであり、図７に示す例では、バンプの平坦面の直径
が０〜５０μｍとなっている。同図で、円形の点状部分
がバンプ１２の平坦面１２ａの画像である。図６に示す
検査例では、個々のバンプ１２がほぼ均等にコイニング
されているのに対し、図７に示す検査例では、バンプ１
２の平坦面１２ａの面積（つぶし量）が図６にくらべて
小さく、平坦面１２ａが形成されていないバンプ１２が
あることがわかる。図６、７に示す検査結果は、上記実
施形態のバンプ検査装置を使用することによってバンプ
１２の平坦面１２ａの形状、大きさを明確にとらえるこ
とが可能であり、これによってバンプ１２の不良等を的
確に判定できることを示している。
を用いて、基板１０の表面にバンプ１２を形成した被検
査体２０を実際にＣＣＤカメラ３６によって受像した検
査結果を示す。図６、７に示すバンプとも、コイニング
加工前のバンプの高さが５０±１５μｍ、コイニング加
工後のバンプの高さが３０±１０μｍである。図６に示
す例では、バンプの平坦面の直径が１２０μｍ〜１５０
μｍであり、図７に示す例では、バンプの平坦面の直径
が０〜５０μｍとなっている。同図で、円形の点状部分
がバンプ１２の平坦面１２ａの画像である。図６に示す
検査例では、個々のバンプ１２がほぼ均等にコイニング
されているのに対し、図７に示す検査例では、バンプ１
２の平坦面１２ａの面積（つぶし量）が図６にくらべて
小さく、平坦面１２ａが形成されていないバンプ１２が
あることがわかる。図６、７に示す検査結果は、上記実
施形態のバンプ検査装置を使用することによってバンプ
１２の平坦面１２ａの形状、大きさを明確にとらえるこ
とが可能であり、これによってバンプ１２の不良等を的
確に判定できることを示している。
【００１８】図６、７に示すように、バンプ１２の平坦
面１２ａが明確に受像できているのは、テレセントリッ
ク光学系を経由して被検査体２０を照明し、テレセント
リック光学系による観測光学系によって観測したことに
よるものである。はんだによって形成したバンプ１２の
光の反射率は基板１０の反射率よりもはるかに上回って
いるから、ＣＣＤカメラ３６ではバンプ１２の平坦面１
２ａのみを高いコントラストで受像することができてい
る。また、バンプ１２によっては外面の光沢が若干ばら
ついて反射率が異なることがあり得るが、コントラスト
が十分にとれていることから平坦面１２ａの検査にはま
ったく支障がない。
面１２ａが明確に受像できているのは、テレセントリッ
ク光学系を経由して被検査体２０を照明し、テレセント
リック光学系による観測光学系によって観測したことに
よるものである。はんだによって形成したバンプ１２の
光の反射率は基板１０の反射率よりもはるかに上回って
いるから、ＣＣＤカメラ３６ではバンプ１２の平坦面１
２ａのみを高いコントラストで受像することができてい
る。また、バンプ１２によっては外面の光沢が若干ばら
ついて反射率が異なることがあり得るが、コントラスト
が十分にとれていることから平坦面１２ａの検査にはま
ったく支障がない。
【００１９】バンプ１２の良否判定にあたっては、バン
プ１２の平坦面１２ａの形状と平坦面１２ａの面積の解
析がその判定基準となる。バンプ１２の平坦面１２ａの
形状から良否を判断するには、ＣＣＤカメラ３６による
画像から、平坦面１２ａの形状を視認して判断すればよ
い。正規の形状に形成されたバンプ１２であれば平坦面
１２ａは円形に形成されるから、平坦面１２ａが円形で
なくいびつな形状に形成されていたとすると、たとえ
ば、リフローした際にバンプ１２が半球形から外れた形
状となったといったことが推定される。また、平坦面１
２ａに欠け部分や打痕が視認されたような場合も、バン
プ１２を形成した際になんらかの問題があったものと推
定される。したがって、このような製品については不良
として再検査するといった方法をとることができる。
プ１２の平坦面１２ａの形状と平坦面１２ａの面積の解
析がその判定基準となる。バンプ１２の平坦面１２ａの
形状から良否を判断するには、ＣＣＤカメラ３６による
画像から、平坦面１２ａの形状を視認して判断すればよ
い。正規の形状に形成されたバンプ１２であれば平坦面
１２ａは円形に形成されるから、平坦面１２ａが円形で
なくいびつな形状に形成されていたとすると、たとえ
ば、リフローした際にバンプ１２が半球形から外れた形
状となったといったことが推定される。また、平坦面１
２ａに欠け部分や打痕が視認されたような場合も、バン
プ１２を形成した際になんらかの問題があったものと推
定される。したがって、このような製品については不良
として再検査するといった方法をとることができる。
【００２０】ＣＣＤカメラ３６からの画像信号が入力さ
れる演算処理部３８では、ＣＣＤカメラ３６による平坦
面１２ａの画像を解析して、平坦面１２ａが真円形状か
らどの程度変形しているかを検知することができ、これ
によってバンプ１２の形状の良否を判定することができ
る。また、ＣＣＤカメラ３６による画像からバンプ１２
の平坦面１２ａに欠け部分等の異常があることを検知し
てバンプ１２の形状の良否判断することもできる。
れる演算処理部３８では、ＣＣＤカメラ３６による平坦
面１２ａの画像を解析して、平坦面１２ａが真円形状か
らどの程度変形しているかを検知することができ、これ
によってバンプ１２の形状の良否を判定することができ
る。また、ＣＣＤカメラ３６による画像からバンプ１２
の平坦面１２ａに欠け部分等の異常があることを検知し
てバンプ１２の形状の良否判断することもできる。
【００２１】平坦面１２ａの面積を計測する方法は、バ
ンプ１２が一定の接触面積を有するか否かを判断する意
味と、コイニング加工前のバンプ１２の大きさを判定
し、コイニングした状態で正規の形状にバンプが形成さ
れているか否かを判断する意味がある。バンプ１２の平
坦面１２ａが所定の面積を有するか否かは、ＣＣＤカメ
ラ３６によって取り込んだ個々のバンプ１２の平坦面１
２ａの画像を視認し、あるいは演算処理部３８により平
坦面１２ａの面積を解析して判定すればよい。たとえ
ば、図７に示すように、平坦面１２ａが小さな点状とな
っていて、所要の面積が確保されていない場合は、接触
面積が確保されないとして不良と判断することができ
る。
ンプ１２が一定の接触面積を有するか否かを判断する意
味と、コイニング加工前のバンプ１２の大きさを判定
し、コイニングした状態で正規の形状にバンプが形成さ
れているか否かを判断する意味がある。バンプ１２の平
坦面１２ａが所定の面積を有するか否かは、ＣＣＤカメ
ラ３６によって取り込んだ個々のバンプ１２の平坦面１
２ａの画像を視認し、あるいは演算処理部３８により平
坦面１２ａの面積を解析して判定すればよい。たとえ
ば、図７に示すように、平坦面１２ａが小さな点状とな
っていて、所要の面積が確保されていない場合は、接触
面積が確保されないとして不良と判断することができ
る。
【００２２】前述したように、基板１０にバンプ１２を
形成する際に、印刷法によってはんだペーストをランド
に供給してバンプ１２を形成する方法の場合は、バンプ
１２の大きさにばらつきが生じることが避けられない。
基板１０に形成されたバンプ１２はその大きさが一定の
ばらつき範囲内になければならないから、バンプ１２の
平坦面１２ａの面積を計測する方法は、このバンプ１２
の大きさのばらつきを推定する方法として利用すること
ができる。
形成する際に、印刷法によってはんだペーストをランド
に供給してバンプ１２を形成する方法の場合は、バンプ
１２の大きさにばらつきが生じることが避けられない。
基板１０に形成されたバンプ１２はその大きさが一定の
ばらつき範囲内になければならないから、バンプ１２の
平坦面１２ａの面積を計測する方法は、このバンプ１２
の大きさのばらつきを推定する方法として利用すること
ができる。
【００２３】図８は、ランドにはんだペーストを供給し
て半球状にバンプ１２を形成した状態と、コイニング加
工を施してバンプ１２の頂部に平坦面１２ａを形成した
状態を示す。同図でＨ0 はコイニング加工する前のバン
プ１２の高さ、ｈ0 はコイニング加工した後のバンプ１
２の高さである。ここで、平坦面１２ａを円形と近似し
その半径をｒ0 とすると、コイニング加工後のバンプ１
２の高さｈ0 は、コイニング加工する前のバンプ１２の
高さＨ0 から半径ｒ0 を引いたもの（ｈ0 ＝Ｈ 0 −
ｒ0 ）として近似できる。すなわち、Ｈ0 ＝ｈ0 ＋ｒ0
である。ここで、コイニング加工後のバンプ１２の高さ
ｈ0 は、加工装置であらかじめ設定する値であり、Ｈ0
をバンプ１２の高さの設計値（標準値）とすると、標準
の大きさのバンプ１２については、ｈ0 を設定すること
により、平坦面１２ａの標準の半径ｒ 0 が決まることに
なる。逆に、あるバンプ１２の平坦面１２ａを計測し
て、その半径ｒが標準半径ｒ0 になっていれば、そのバ
ンプ１２は標準（設計値）の大きさに形成されていたこ
とが分かる。
て半球状にバンプ１２を形成した状態と、コイニング加
工を施してバンプ１２の頂部に平坦面１２ａを形成した
状態を示す。同図でＨ0 はコイニング加工する前のバン
プ１２の高さ、ｈ0 はコイニング加工した後のバンプ１
２の高さである。ここで、平坦面１２ａを円形と近似し
その半径をｒ0 とすると、コイニング加工後のバンプ１
２の高さｈ0 は、コイニング加工する前のバンプ１２の
高さＨ0 から半径ｒ0 を引いたもの（ｈ0 ＝Ｈ 0 −
ｒ0 ）として近似できる。すなわち、Ｈ0 ＝ｈ0 ＋ｒ0
である。ここで、コイニング加工後のバンプ１２の高さ
ｈ0 は、加工装置であらかじめ設定する値であり、Ｈ0
をバンプ１２の高さの設計値（標準値）とすると、標準
の大きさのバンプ１２については、ｈ0 を設定すること
により、平坦面１２ａの標準の半径ｒ 0 が決まることに
なる。逆に、あるバンプ１２の平坦面１２ａを計測し
て、その半径ｒが標準半径ｒ0 になっていれば、そのバ
ンプ１２は標準（設計値）の大きさに形成されていたこ
とが分かる。
【００２４】図９は、基板１０に高さの異なる３種類の
バンプ１２が形成されていたとして、これらのバンプ１
２をコイニングパンチ５０によってコイニング加工した
状態を示す。コイニング加工により、各々のバンプ１２
は同一の高さｈ0 に加工される。ここで、コイニング加
工後の各バンプ１２の平坦面１２ａの半径をｒ1 、
ｒ 0 、ｒ2 とすると、図８におけると同様に、各々のバ
ンプについて、Ｈ1 ＝ｈ1＋ｒ1 ＝ｈ0 ＋ｒ1 、Ｈ0 ＝
ｈ0 ＋ｒ0 、Ｈ2 ＝ｈ2 ＋ｒ2 ＝ｈ0 ＋ｒ2 が成り立
つ。すなわち、コイニング加工後の平坦面１２ａの半径
ｒ1 、ｒ0 、ｒ2 を計測することによって、コイニング
加工前のバンプ１２の高さＨ1 、Ｈ0 、Ｈ2 を近似して
求めることができる。ここで、バンプ１２の高さのばら
つきとして許容できる最小値をＨmin 、最大値をＨmax
とすると、バンプ１２の高さのばらつき範囲として許容
できる範囲がＨmin ≦Ｈx ≦Ｈmax となる。半径ｒにつ
いていえばｒmin ≦ｒx ≦ｒmax であり、平坦面１２ａ
の面積ＳについていえばＳmin ≦Ｓx ≦Ｓmax となる。
バンプ１２が形成されていたとして、これらのバンプ１
２をコイニングパンチ５０によってコイニング加工した
状態を示す。コイニング加工により、各々のバンプ１２
は同一の高さｈ0 に加工される。ここで、コイニング加
工後の各バンプ１２の平坦面１２ａの半径をｒ1 、
ｒ 0 、ｒ2 とすると、図８におけると同様に、各々のバ
ンプについて、Ｈ1 ＝ｈ1＋ｒ1 ＝ｈ0 ＋ｒ1 、Ｈ0 ＝
ｈ0 ＋ｒ0 、Ｈ2 ＝ｈ2 ＋ｒ2 ＝ｈ0 ＋ｒ2 が成り立
つ。すなわち、コイニング加工後の平坦面１２ａの半径
ｒ1 、ｒ0 、ｒ2 を計測することによって、コイニング
加工前のバンプ１２の高さＨ1 、Ｈ0 、Ｈ2 を近似して
求めることができる。ここで、バンプ１２の高さのばら
つきとして許容できる最小値をＨmin 、最大値をＨmax
とすると、バンプ１２の高さのばらつき範囲として許容
できる範囲がＨmin ≦Ｈx ≦Ｈmax となる。半径ｒにつ
いていえばｒmin ≦ｒx ≦ｒmax であり、平坦面１２ａ
の面積ＳについていえばＳmin ≦Ｓx ≦Ｓmax となる。
【００２５】すなわち、コイニング加工が施された被検
査体２０に対してバンプ１２の平坦面１２ａの半径ｒあ
るいは面積Ｓを計測すれば、この計測値が一定のばらつ
き範囲にあるか否かを判定することによってバンプ１２
が所定のばらつき範囲にあるか否かを判定することが可
能となる。平坦面１２ａの半径あるいは面積を計測する
にあたっては、演算処理部３８の解析手段によりＣＣＤ
カメラ３６による平坦面１２ａの画像を解析して接続端
面の半径あるいは面積を求め、判定手段により、解析結
果の半径あるいは面積の値があらかじめ設定したばらつ
きの範囲内にあるか否かを判定する。前述したように、
バンプ１２の平坦面１２ａはＣＣＤカメラ３６によって
明確に視認することが可能であり、すべてのバンプ１２
について画像解析することによって被検査体２０の良否
を判定することができる。すなわち、バンプ１２の平坦
面１２ａの面積の解析によって被検査体２０の良否判断
がなされる。
査体２０に対してバンプ１２の平坦面１２ａの半径ｒあ
るいは面積Ｓを計測すれば、この計測値が一定のばらつ
き範囲にあるか否かを判定することによってバンプ１２
が所定のばらつき範囲にあるか否かを判定することが可
能となる。平坦面１２ａの半径あるいは面積を計測する
にあたっては、演算処理部３８の解析手段によりＣＣＤ
カメラ３６による平坦面１２ａの画像を解析して接続端
面の半径あるいは面積を求め、判定手段により、解析結
果の半径あるいは面積の値があらかじめ設定したばらつ
きの範囲内にあるか否かを判定する。前述したように、
バンプ１２の平坦面１２ａはＣＣＤカメラ３６によって
明確に視認することが可能であり、すべてのバンプ１２
について画像解析することによって被検査体２０の良否
を判定することができる。すなわち、バンプ１２の平坦
面１２ａの面積の解析によって被検査体２０の良否判断
がなされる。
【００２６】なお、実際の被検査体２０では、基板自体
にわずかな凹凸やうねりがあり、個別の基板ごとに厚さ
のばらつきがある。これらのばらつきはバンプ１２の平
坦面１２ａの計測精度に誤差として作用することになる
が、基板の反り等の変動量がバンプの高さよりも小さく
なるように基板のばらつきを管理すれば、前述したバン
プの高さについての条件、Ｈmin ≦Ｈx ≦Ｈmax にした
がってバンプを良否判断する検査方法によって管理する
方法で問題はない。たとえば、バンプの高さが４０μｍ
の場合は、基板の反り等の変動量は１０μｍ以下程度に
なるように管理する。製造精度をきわめて高精度に管理
する必要がある場合には、事前に基板の凹凸や厚さを計
測して所定のばらつき範囲内にある基板を使用するよう
にする。
にわずかな凹凸やうねりがあり、個別の基板ごとに厚さ
のばらつきがある。これらのばらつきはバンプ１２の平
坦面１２ａの計測精度に誤差として作用することになる
が、基板の反り等の変動量がバンプの高さよりも小さく
なるように基板のばらつきを管理すれば、前述したバン
プの高さについての条件、Ｈmin ≦Ｈx ≦Ｈmax にした
がってバンプを良否判断する検査方法によって管理する
方法で問題はない。たとえば、バンプの高さが４０μｍ
の場合は、基板の反り等の変動量は１０μｍ以下程度に
なるように管理する。製造精度をきわめて高精度に管理
する必要がある場合には、事前に基板の凹凸や厚さを計
測して所定のばらつき範囲内にある基板を使用するよう
にする。
【００２７】上述した実施形態では、基板１０のランド
に、はんだペーストを印刷法によって供給して形成した
バンプを備えた被検査体２０をバンプ検査装置により検
査した例について説明したが、本発明に係るバンプ検査
装置は、実装面への接続端面が均等高さになるよう平坦
面に形成されたバンプを備えた被検査体に対しては、バ
ンプの製造方法に関わらず同様に適用してバンプの良否
を検査することが可能である。また、基板についても、
ＢＧＡ基板のように樹脂基板にはんだバンプを形成した
製品の他、半導体ウエハにバンプを形成した製品のよう
に基板が半導体ウエハである製品等についても同様に適
用することができる。とくに、本発明に係るバンプ検査
装置では、観測光学系としてテレセントリック光学系を
使用したことによって、受像領域全体として歪みのない
画像として視認することができ、また接続端面を明確に
視認できることから、きわめて高精度にかつ、効率的に
検査することが可能である。また、この観測光学系によ
れば、被検査体が半導体ウエハのように鏡面状に形成さ
れたものであっても、また、バンプと基板との反射率の
差が小さい場合であっても確実な検査が可能であるとい
う利点がある。
に、はんだペーストを印刷法によって供給して形成した
バンプを備えた被検査体２０をバンプ検査装置により検
査した例について説明したが、本発明に係るバンプ検査
装置は、実装面への接続端面が均等高さになるよう平坦
面に形成されたバンプを備えた被検査体に対しては、バ
ンプの製造方法に関わらず同様に適用してバンプの良否
を検査することが可能である。また、基板についても、
ＢＧＡ基板のように樹脂基板にはんだバンプを形成した
製品の他、半導体ウエハにバンプを形成した製品のよう
に基板が半導体ウエハである製品等についても同様に適
用することができる。とくに、本発明に係るバンプ検査
装置では、観測光学系としてテレセントリック光学系を
使用したことによって、受像領域全体として歪みのない
画像として視認することができ、また接続端面を明確に
視認できることから、きわめて高精度にかつ、効率的に
検査することが可能である。また、この観測光学系によ
れば、被検査体が半導体ウエハのように鏡面状に形成さ
れたものであっても、また、バンプと基板との反射率の
差が小さい場合であっても確実な検査が可能であるとい
う利点がある。
【００２８】
【発明の効果】本発明に係るバンプ検査装置によれば、
上述したように、被検査体から反射される反射光のう
ち、バンプの頂部に形成された平坦面に垂直な反射光の
みを観測光学系で受光することによって、バンプの形状
を正確にとらえることが可能となり、これによってバン
プの形状の検査を高精度で行うことが可能になる。
上述したように、被検査体から反射される反射光のう
ち、バンプの頂部に形成された平坦面に垂直な反射光の
みを観測光学系で受光することによって、バンプの形状
を正確にとらえることが可能となり、これによってバン
プの形状の検査を高精度で行うことが可能になる。
【図１】本発明に係るバンプ検査装置の全体構成を示す
説明図である。
説明図である。
【図２】バンプ検査装置の比較例の構成を示す説明図で
ある。
ある。
【図３】バンプ検査装置の他の比較例の構成を示す説明
図である。
図である。
【図４】本発明に係るバンプ検査装置によりバンプを視
認した状態を示す説明図である。
認した状態を示す説明図である。
【図５】比較例のバンプ検査装置によりバンプを視認し
た状態を示す説明図である。
た状態を示す説明図である。
【図６】本発明に係るバンプ検査装置によってバンプを
視認した検査例を示す説明図である。
視認した検査例を示す説明図である。
【図７】本発明に係るバンプ検査装置によってバンプを
視認した検査例を示す説明図である。
視認した検査例を示す説明図である。
【図８】コイニング加工の前後でバンプの高さが変化す
る様子を示す説明図である。
る様子を示す説明図である。
【図９】高さの異なるバンプをコイニング加工する方法
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図１０】バンプをコイニング加工する前後の状態を示
す説明図である。
す説明図である。
１０ 基板 １２ バンプ １２ａ 平坦面 ２０ 被検査体 ２２ ステージ ３０ 光学系部 ３２ 光源 ３３ ハーフミラー ３４ コリメートレンズ ３６ ＣＣＤカメラ ３８ 演算処理部 ５０ コイニングパンチ
Claims (4)
- 【請求項１】 頂部が平坦面に形成された複数のバンプ
が配置された被検査体のバンプの形状を検査するバンプ
検査装置であって、 前記被検査体のバンプに向け、テレセントリック光学系
を経由して前記頂部の平坦面に対して垂直な平行光を投
射する照明光学系と、 該照明光学系と光軸を一致させて設置したテレセントリ
ック光学系による観測光学系と、 該観測光学系を介して前記被検査体の所定範囲にわたり
前記頂部の平坦面の画像を観測する観測部と、 該観測部による前記頂部の平坦面の画像に基づいて前記
バンプの形状を解析する演算処理部とを備えたことを特
徴とするバンプ検査装置。 - 【請求項２】 被検査体が、すべてのバンプの平坦面が
同一の平面上になるように形成されたものであることを
特徴とする請求項１記載のバンプ検査装置。 - 【請求項３】 バンプが、はんだのリフローにより略半
球状に形成された後、頂部を平坦面に加工するコイニン
グ加工が施されたものであることを特徴とする請求項２
記載のバンプ検査装置。 - 【請求項４】 演算処理部が、前記平坦面の面積を解析
する解析手段と、該平坦面の面積が所定範囲内にあるか
否かを判定する判定手段とを備えていることを特徴とす
る請求項１記載のバンプ検査装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35773499A JP2001176907A (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | バンプ検査装置 |
| EP00126574A EP1109215A3 (en) | 1999-12-16 | 2000-12-12 | Apparatus and method for solder bump inspection |
| US09/734,863 US20020018591A1 (en) | 1999-12-16 | 2000-12-12 | Bump inspection apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35773499A JP2001176907A (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | バンプ検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001176907A true JP2001176907A (ja) | 2001-06-29 |
Family
ID=18455654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35773499A Pending JP2001176907A (ja) | 1999-12-16 | 1999-12-16 | バンプ検査装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020018591A1 (ja) |
| EP (1) | EP1109215A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001176907A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006019710A (ja) * | 2004-06-01 | 2006-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｉｃ部品のバンプ検査装置及びバンプ検査方法、並びに、ｉｃ部品のバンプ形成方法、及びｉｃ部品の実装方法 |
| JP2006234667A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | バンプ検査装置および方法 |
| JP2007040801A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Techno Horon:Kk | ３次元座標測定装置及び方法 |
| JP2007233384A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-13 | Top Engineering Co Ltd | ペーストパターン検査方法 |
| JP2008166468A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Nidec-Read Corp | 基板処理装置 |
| JP2010256201A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Opcell Co Ltd | 形状測定装置 |
| JP2011152603A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Toyo Seiko Kk | カバレージ測定装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050161814A1 (en) * | 2002-12-27 | 2005-07-28 | Fujitsu Limited | Method for forming bumps, semiconductor device and method for manufacturing same, substrate processing apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus |
| JP4709535B2 (ja) * | 2004-11-19 | 2011-06-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造装置 |
| DE102015109431A1 (de) * | 2015-06-12 | 2016-12-15 | Witrins S.R.O. | Inspektionssystem und Verfahren zur Fehleranalyse von Drahtverbindungen |
| CN110160445B (zh) * | 2019-06-07 | 2020-12-25 | 宝鸡文理学院 | 一种基于远心光学技术的视觉测量仪 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5058178A (en) * | 1989-12-21 | 1991-10-15 | At&T Bell Laboratories | Method and apparatus for inspection of specular, three-dimensional features |
| US5489750A (en) * | 1993-03-11 | 1996-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of mounting an electronic part with bumps on a circuit board |
| US5485949A (en) * | 1993-04-30 | 1996-01-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capillary for a wire bonding apparatus and a method for forming an electric connection bump using the capillary |
| JP3051279B2 (ja) * | 1993-05-13 | 2000-06-12 | シャープ株式会社 | バンプ外観検査方法およびバンプ外観検査装置 |
| FR2706032B1 (fr) * | 1993-06-01 | 1995-07-07 | Commissariat Energie Atomique | Procédé et dispositif de contrôle de la conformité de billes d'hybridation. |
| JP3293830B2 (ja) * | 1994-04-05 | 2002-06-17 | ビアローク ビズーレ オートメイションズ−アンラーゲン ゲーエムベーハー | 物体の幾何学パラメータを測定および計算する装置および方法 |
| DE4434699C2 (de) * | 1994-09-28 | 2001-02-22 | Fraunhofer Ges Forschung | Anordnung zur Prüfung durchsichtiger oder spiegelnder Objekte |
| US6317513B2 (en) * | 1996-12-19 | 2001-11-13 | Cognex Corporation | Method and apparatus for inspecting solder paste using geometric constraints |
| JP3414967B2 (ja) * | 1997-02-24 | 2003-06-09 | 松下電器産業株式会社 | バンプ検査方法 |
| EP0935135A1 (en) * | 1998-02-09 | 1999-08-11 | MV Research Limited | System for measuring solder bumps |
| US5969461A (en) * | 1998-04-08 | 1999-10-19 | Cts Corporation | Surface acoustic wave device package and method |
-
1999
- 1999-12-16 JP JP35773499A patent/JP2001176907A/ja active Pending
-
2000
- 2000-12-12 EP EP00126574A patent/EP1109215A3/en not_active Withdrawn
- 2000-12-12 US US09/734,863 patent/US20020018591A1/en not_active Abandoned
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006019710A (ja) * | 2004-06-01 | 2006-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｉｃ部品のバンプ検査装置及びバンプ検査方法、並びに、ｉｃ部品のバンプ形成方法、及びｉｃ部品の実装方法 |
| JP4563254B2 (ja) * | 2004-06-01 | 2010-10-13 | パナソニック株式会社 | Ｉｃ部品のバンプ検査装置 |
| JP2006234667A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | バンプ検査装置および方法 |
| JP4577717B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2010-11-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | バンプ検査装置および方法 |
| JP2007040801A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Techno Horon:Kk | ３次元座標測定装置及び方法 |
| JP2007233384A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-13 | Top Engineering Co Ltd | ペーストパターン検査方法 |
| JP2008166468A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Nidec-Read Corp | 基板処理装置 |
| JP2010256201A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Opcell Co Ltd | 形状測定装置 |
| JP2011152603A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Toyo Seiko Kk | カバレージ測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020018591A1 (en) | 2002-02-14 |
| EP1109215A3 (en) | 2005-06-22 |
| EP1109215A2 (en) | 2001-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10107853B2 (en) | Apparatus and method for inspecting PCB-mounted integrated circuits | |
| US8574932B2 (en) | PCB-mounted integrated circuits | |
| JP2002524854A (ja) | 電子構成素子を支持基板に結合するための方法ならびにこのような結合を検査するための方法 | |
| US20080225280A1 (en) | Surface flatness testing device and method thereof | |
| JPH0736002B2 (ja) | 鏡面状の三次元形状を有する突出部の検査方法とその装置 | |
| KR19990045650A (ko) | 반도체칩의 본딩방법 및 그 장치 | |
| JP2001176907A (ja) | バンプ検査装置 | |
| JP2007033048A (ja) | はんだ接合判定方法，はんだ検査方法，はんだ検査装置およびはんだ検査用プログラムならびに記録媒体 | |
| US7539338B2 (en) | Bump inspection apparatus and method for IC component, bump forming method for IC component, and mounting method for IC component | |
| US8860456B2 (en) | Non-destructive tilt data measurement to detect defective bumps | |
| US7129507B2 (en) | Chip mis-position detection method | |
| JP3978507B2 (ja) | バンプ検査方法及び装置 | |
| JP2007283368A (ja) | キャップチップ研摩品質の判定装置 | |
| US20040099710A1 (en) | Optical ball height measurement of ball grid arrays | |
| JP4563254B2 (ja) | Ｉｃ部品のバンプ検査装置 | |
| KR20010108632A (ko) | 반도체소자의 솔더 볼 검사 장치 및 방법 | |
| JP2945177B2 (ja) | 入出力用ピンの形状検査方法および装置ならびに電子回路基板の製造方法 | |
| JPH09326426A (ja) | ウェーハの検査装置および方法 | |
| JPH10224100A (ja) | ボンド塗布検査装置 | |
| JPH08122273A (ja) | 半導体装置の検査方法 | |
| JP4795561B2 (ja) | バンプ高さ検査方法および検査装置 | |
| JP3162872B2 (ja) | 電子部品の輪郭認識装置及びその輪郭認識方法 | |
| JPH05288687A (ja) | リード検査装置 | |
| JPH08285530A (ja) | 半田ボール搭載の検査方法、半田ボール搭載の検査装置、及び半田ボール搭載装置 | |
| JPS63177042A (ja) | 実装済プリント基板自動検査装置における半田フヌレ検出方式 |