JP2001174765A - 進行波形光変調器 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高速光変調が可能であって、かつDCドリフト
が低く、駆動電圧Vπと電極の長さLとの積(Vπ・
L)を小さくできる進行波形光変調器において、光導波
路内における光の吸収損失を抑制する。 【解決手段】進行波形光変調器1Aは、強誘電性の電気
光学単結晶からなり、相対的に厚さの大きい肉厚部分1
0と肉薄部分12とを備えている光導波路基板2、基板
2の少なくとも肉薄部分12の上に形成されている光導
波路3、および光導波路3を伝搬する光を変調する電圧
を印加するために、少なくとも肉薄部分12上に設けら
れている電極6、7を備える。肉薄部分12において、
光導波路3の一部分を被覆するバッファ層5A、5B、
5C、5Dを備えている。バッファ層上に電極6、7が
形成されている。
が低く、駆動電圧Vπと電極の長さLとの積(Vπ・
L)を小さくできる進行波形光変調器において、光導波
路内における光の吸収損失を抑制する。 【解決手段】進行波形光変調器1Aは、強誘電性の電気
光学単結晶からなり、相対的に厚さの大きい肉厚部分1
0と肉薄部分12とを備えている光導波路基板2、基板
2の少なくとも肉薄部分12の上に形成されている光導
波路3、および光導波路3を伝搬する光を変調する電圧
を印加するために、少なくとも肉薄部分12上に設けら
れている電極6、7を備える。肉薄部分12において、
光導波路3の一部分を被覆するバッファ層5A、5B、
5C、5Dを備えている。バッファ層上に電極6、7が
形成されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、進行波形光変調器
に関するものである。
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】本出願人は、特開平10−133159
号公報において、進行波形光変調器の基板の光導波路の
下に薄肉部分を設け、この薄肉部分の厚さを例えば10
μm以下に薄くすることによって、酸化珪素等からなる
バッファ層を形成することなく、変調器を10GHz以
上で動作させることに成功した。このように、光導波路
基板に肉厚部分と肉薄部分とを設ける場合には、バッフ
ァ層を形成することなしに高速光変調が可能であるし、
バッファ層に起因するDCドリフトを回避することがで
き、また駆動電圧Vπと電極の長さLとの積(Vπ・
L)を小さくできるので、有利である。
号公報において、進行波形光変調器の基板の光導波路の
下に薄肉部分を設け、この薄肉部分の厚さを例えば10
μm以下に薄くすることによって、酸化珪素等からなる
バッファ層を形成することなく、変調器を10GHz以
上で動作させることに成功した。このように、光導波路
基板に肉厚部分と肉薄部分とを設ける場合には、バッフ
ァ層を形成することなしに高速光変調が可能であるし、
バッファ層に起因するDCドリフトを回避することがで
き、また駆動電圧Vπと電極の長さLとの積(Vπ・
L)を小さくできるので、有利である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、本出願人がこ
のタイプの進行波形光変調器を更に具体的に検討した結
果、光導波路内において光の吸収損失が発生することが
あった。特に、マッハツェンダー型の光導波路を形成し
た場合には、光導波路を2列に分岐させ、各分岐光導波
路から出射する各光を再び結合させる必要があるので、
各分岐光導波路内における各吸収損失は一致しているこ
とが必要である。しかし、現実には、2列の分岐光導波
路における各吸収損失に偏差が生じ、消光比の低下につ
ながることがあった。
のタイプの進行波形光変調器を更に具体的に検討した結
果、光導波路内において光の吸収損失が発生することが
あった。特に、マッハツェンダー型の光導波路を形成し
た場合には、光導波路を2列に分岐させ、各分岐光導波
路から出射する各光を再び結合させる必要があるので、
各分岐光導波路内における各吸収損失は一致しているこ
とが必要である。しかし、現実には、2列の分岐光導波
路における各吸収損失に偏差が生じ、消光比の低下につ
ながることがあった。
【0004】本発明の課題は、高速光変調が可能であっ
て、かつDCドリフトが低く、駆動電圧Vπと電極の長
さLとの積(Vπ・L)を小さくできる進行波形光変調
器において、光導波路内における光の吸収損失を抑制す
ることである。
て、かつDCドリフトが低く、駆動電圧Vπと電極の長
さLとの積(Vπ・L)を小さくできる進行波形光変調
器において、光導波路内における光の吸収損失を抑制す
ることである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者は、肉厚部分と
相対的に厚さの小さい肉薄部分とを備えている光導波路
基板、少なくとも肉薄部分の上に形成されている光導波
路、および少なくとも肉薄部分上に設けられている電極
を備える進行波形光変調器において、肉薄部分において
光導波路の一部分を被覆するバッファ層を設け、このバ
ッファ層上に電極を形成することによって、光導波路内
における光の吸収損失を抑制することに成功し、本発明
に到達した。
相対的に厚さの小さい肉薄部分とを備えている光導波路
基板、少なくとも肉薄部分の上に形成されている光導波
路、および少なくとも肉薄部分上に設けられている電極
を備える進行波形光変調器において、肉薄部分において
光導波路の一部分を被覆するバッファ層を設け、このバ
ッファ層上に電極を形成することによって、光導波路内
における光の吸収損失を抑制することに成功し、本発明
に到達した。
【0006】図1、図2を適宜参照しつつ、本発明を更
に具体的に説明する。図1は、本発明の一実施形態に係
る進行波形光変調器1Aを概略的に示す平面図であり、
図2(a)は、図1のIIa−IIa線断面図であり、
図2(b)は図1のIIb−IIb線断面図である。
に具体的に説明する。図1は、本発明の一実施形態に係
る進行波形光変調器1Aを概略的に示す平面図であり、
図2(a)は、図1のIIa−IIa線断面図であり、
図2(b)は図1のIIb−IIb線断面図である。
【0007】基板2は、強誘電性の電気光学単結晶から
なる。こうした結晶は、光の変調が可能であれば特に限
定されないが、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウムリ
チウム、タンタル酸リチウム、KTP、ガラス、シリコ
ン、GaAs及び水晶などを例示することができる。ニ
オブ酸リチウム単結晶、タンタル酸リチウム単結晶およ
びニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶
からなる群より選ばれた一種以上の単結晶が、特に好ま
しい。
なる。こうした結晶は、光の変調が可能であれば特に限
定されないが、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウムリ
チウム、タンタル酸リチウム、KTP、ガラス、シリコ
ン、GaAs及び水晶などを例示することができる。ニ
オブ酸リチウム単結晶、タンタル酸リチウム単結晶およ
びニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶
からなる群より選ばれた一種以上の単結晶が、特に好ま
しい。
【0008】基板2は、一方の主面2aおよび他方の主
面2bを備えている。一方の主面2aには、所定形状、
例えばマッハツェンダー型の光導波路3が形成されてい
る。本例の光導波路3は、入り口部分3a、分岐部分3
b、3c、および結合部分3dを備えている。2c、2
dは基板2の光の入出力側の端面である。
面2bを備えている。一方の主面2aには、所定形状、
例えばマッハツェンダー型の光導波路3が形成されてい
る。本例の光導波路3は、入り口部分3a、分岐部分3
b、3c、および結合部分3dを備えている。2c、2
dは基板2の光の入出力側の端面である。
【0009】基板2の中央部には、他方の主面側に開口
する略直方体形状の凹部4が形成されており、凹部4上
には肉薄部分12が形成されている。凹部および肉薄部
分12を四方から囲むように肉厚部分10が形成されて
いる。基板2の主面2a上には、所定形状の電極6、
7、8が形成されている。本例においては、基板2とし
て、例えばニオブ酸リチウムのX板、Y板を使用してお
り、このため光導波路内にTEモードの光を伝搬させ
る。そして、光導波路の分岐部分3b、3cを、電極
6、7、8の間のギャップ領域に設ける。
する略直方体形状の凹部4が形成されており、凹部4上
には肉薄部分12が形成されている。凹部および肉薄部
分12を四方から囲むように肉厚部分10が形成されて
いる。基板2の主面2a上には、所定形状の電極6、
7、8が形成されている。本例においては、基板2とし
て、例えばニオブ酸リチウムのX板、Y板を使用してお
り、このため光導波路内にTEモードの光を伝搬させ
る。そして、光導波路の分岐部分3b、3cを、電極
6、7、8の間のギャップ領域に設ける。
【0010】本例においては、光導波路3と、電極6、
7とは、平面的に見て6つの交差箇所9A、9B、9
C、9D、9E、9Fで交差している。各交差箇所は、
いずれも肉薄部分12上に存在する。
7とは、平面的に見て6つの交差箇所9A、9B、9
C、9D、9E、9Fで交差している。各交差箇所は、
いずれも肉薄部分12上に存在する。
【0011】分岐光導波路3b上には、細長い、あるい
は帯状のバッファ層5A、5Bが形成されており、それ
ぞれ分岐光導波路3bの一部分を被覆している。バッフ
ァ層5Aと5Bとは離れている。交差箇所9Aにおい
て、電極6と分岐光導波路3bとの間にバッファ層5A
が介在しており、交差箇所9Bにおいて、電極6と分岐
光導波路3bとの間にバッファ層5Bが介在している。
は帯状のバッファ層5A、5Bが形成されており、それ
ぞれ分岐光導波路3bの一部分を被覆している。バッフ
ァ層5Aと5Bとは離れている。交差箇所9Aにおい
て、電極6と分岐光導波路3bとの間にバッファ層5A
が介在しており、交差箇所9Bにおいて、電極6と分岐
光導波路3bとの間にバッファ層5Bが介在している。
【0012】分岐光導波路3c上には、帯状のバッファ
層5C、5Dが形成されており、それぞれ分岐光導波路
3cの一部分を被覆している。バッファ層5Cと5Dと
は離れている。交差箇所9C、9Eにおいて、電極6、
7と分岐光導波路3cとの間にバッファ層5Cが介在し
ており、交差箇所9D、9Fにおいて、電極6、7と分
岐光導波路3cとの間にバッファ層5Dが介在してい
る。
層5C、5Dが形成されており、それぞれ分岐光導波路
3cの一部分を被覆している。バッファ層5Cと5Dと
は離れている。交差箇所9C、9Eにおいて、電極6、
7と分岐光導波路3cとの間にバッファ層5Cが介在し
ており、交差箇所9D、9Fにおいて、電極6、7と分
岐光導波路3cとの間にバッファ層5Dが介在してい
る。
【0013】このように、肉薄部分において、光導波路
の一部分のみをバッファ層によって被覆し、バッファ層
上に電極を設けることで、光導波路内を伝搬する光の吸
収損失を抑制することに成功した。その上、光の高速変
調特性については何ら悪影響を与えないし、またバッフ
ァ層に起因するDCドリフトも発生しないことを確認し
た。
の一部分のみをバッファ層によって被覆し、バッファ層
上に電極を設けることで、光導波路内を伝搬する光の吸
収損失を抑制することに成功した。その上、光の高速変
調特性については何ら悪影響を与えないし、またバッフ
ァ層に起因するDCドリフトも発生しないことを確認し
た。
【0014】本発明の好適な実施形態においては、肉薄
部分に複数のバッファ層が設けられており、各バッファ
層上にそれぞれ電極が設けられている。
部分に複数のバッファ層が設けられており、各バッファ
層上にそれぞれ電極が設けられている。
【0015】また、肉薄部分に複数列の光導波路を形成
し、各列の光導波路をそれぞれバッファ層によって被覆
することができる。これによって、各列の光導波路にお
ける光の吸収損失の量を近づけることができる。
し、各列の光導波路をそれぞれバッファ層によって被覆
することができる。これによって、各列の光導波路にお
ける光の吸収損失の量を近づけることができる。
【0016】この場合に特に好ましくは、各列の光導波
路のバッファ層によって被覆されている各被覆長さの偏
差を、0.2mm以下とし、更に好ましくは各被覆長さ
を等しくする。例えば、図1の例において、分岐光導波
路3bがバッファ層5A、5Bによって被覆されている
被覆長さ(LA+LB)と、分岐光導波路3cがバッフ
ァ層5C、5Dによって被覆されている被覆長さ(LC
+LD)とを等しくする。これによって、各列の光導波
路3b、3cにおける光の吸収損失をほぼ等しくし、消
光比を改善することができる。
路のバッファ層によって被覆されている各被覆長さの偏
差を、0.2mm以下とし、更に好ましくは各被覆長さ
を等しくする。例えば、図1の例において、分岐光導波
路3bがバッファ層5A、5Bによって被覆されている
被覆長さ(LA+LB)と、分岐光導波路3cがバッフ
ァ層5C、5Dによって被覆されている被覆長さ(LC
+LD)とを等しくする。これによって、各列の光導波
路3b、3cにおける光の吸収損失をほぼ等しくし、消
光比を改善することができる。
【0017】また、好ましくは、バッファ層が帯状をし
ており、この帯状のバッファ層に対して電極が交差する
ように延びている。このような形態のバッファ層を採用
することによって、バッファ層に起因するDCドリフト
などを最小限とすることができる。
ており、この帯状のバッファ層に対して電極が交差する
ように延びている。このような形態のバッファ層を採用
することによって、バッファ層に起因するDCドリフト
などを最小限とすることができる。
【0018】本発明の特に好適な実施形態においては、
光導波路の長手方向に見たときに、バッファ層の一方の
端部または両方の端部に、バッファ層の厚さが徐々に変
化するテーパー領域を設ける。これによって、特性イン
ピーダンスが急激に変化する不連続点の発生を防止でき
る。また、光がバッファ層の直下を通過するときに、急
激なモード(光電界)の変化が発生しないので、バッフ
ァ層の下における光の反射を防止できる。
光導波路の長手方向に見たときに、バッファ層の一方の
端部または両方の端部に、バッファ層の厚さが徐々に変
化するテーパー領域を設ける。これによって、特性イン
ピーダンスが急激に変化する不連続点の発生を防止でき
る。また、光がバッファ層の直下を通過するときに、急
激なモード(光電界)の変化が発生しないので、バッフ
ァ層の下における光の反射を防止できる。
【0019】図3は、この実施形態に係る進行波形光変
調器1Bを示す平面図であり、図4は図3のIV−IV
線断面図である。図1、図2に示した構成部分には,図
1、図2と同じ符号を付け、その説明を省略する。
調器1Bを示す平面図であり、図4は図3のIV−IV
線断面図である。図1、図2に示した構成部分には,図
1、図2と同じ符号を付け、その説明を省略する。
【0020】本例の進行波形光変調器1Bにおいては、
各バッファ層5E、5F、5G、5Hの両方の端部に、
それぞれ、テーパー領域13が形成されている。テーパ
ー領域13においては、各バッファ層の厚さが徐々に変
化している。
各バッファ層5E、5F、5G、5Hの両方の端部に、
それぞれ、テーパー領域13が形成されている。テーパ
ー領域13においては、各バッファ層の厚さが徐々に変
化している。
【0021】肉厚部分10の厚さは、光導波路基板に強
度を付与するという観点からは、300μm以上とする
ことが好ましい。
度を付与するという観点からは、300μm以上とする
ことが好ましい。
【0022】肉薄部分12の厚さは、マイクロ波の実効
屈折率nmwを顕著に低減するという観点からは、20
μm以下であることが好ましく、10μm以下であるこ
とが一層好ましい。また、肉薄部分における加工時のク
ラック発生を防止するという観点からは、その厚さは5
μm以上とすることが好ましい。
屈折率nmwを顕著に低減するという観点からは、20
μm以下であることが好ましく、10μm以下であるこ
とが一層好ましい。また、肉薄部分における加工時のク
ラック発生を防止するという観点からは、その厚さは5
μm以上とすることが好ましい。
【0023】光導波路を伝搬する光の吸収損失を抑制す
るという観点からは、,バッファ層の厚さは0.3μm
以上とすることが好ましい。また、DCドリフトを抑制
するという観点からは、バッファ層の厚さは1.5μm
以下とすることが好ましい。
るという観点からは、,バッファ層の厚さは0.3μm
以上とすることが好ましい。また、DCドリフトを抑制
するという観点からは、バッファ層の厚さは1.5μm
以下とすることが好ましい。
【0024】電極は、低抵抗でインピーダンス特性に優
れる材料であれば特に限定されるものではなく、金、
銀、銅などの材料から構成することができる。
れる材料であれば特に限定されるものではなく、金、
銀、銅などの材料から構成することができる。
【0025】バッファ層は、酸化シリコン、弗化マグネ
シウム、窒化珪素、及びアルミナなどの公知の材料を使
用することができる。
シウム、窒化珪素、及びアルミナなどの公知の材料を使
用することができる。
【0026】
【実施例】(実験A) (本発明例1の進行波形光変調器の作製)図1、図2に
示す進行波形光変調器1Aを作製した。具体的には、X
カットしたLiNbO3 単結晶からなるウエハーの主面
を削り、ウエハーの厚さを300μmとした。チタン拡
散プロセスとフォトリソグラフィー法とによって、ウエ
ハーの一方の主面2aに、マッハツェンダー型の光導波
路3を形成した。次いで、ホトリソグラフィー法によっ
て、酸化珪素からなるバッファ層5A−5Dを形成し
た。また、ホトリソグラフィー法によって、金からなる
電極6、7、8をバッファ層上に形成した。こうして作
製したウエハーをダイシングソー加工機で切断し、各進
行波形光変調器に分割し、光導波路3の端面を光学研磨
した。
示す進行波形光変調器1Aを作製した。具体的には、X
カットしたLiNbO3 単結晶からなるウエハーの主面
を削り、ウエハーの厚さを300μmとした。チタン拡
散プロセスとフォトリソグラフィー法とによって、ウエ
ハーの一方の主面2aに、マッハツェンダー型の光導波
路3を形成した。次いで、ホトリソグラフィー法によっ
て、酸化珪素からなるバッファ層5A−5Dを形成し
た。また、ホトリソグラフィー法によって、金からなる
電極6、7、8をバッファ層上に形成した。こうして作
製したウエハーをダイシングソー加工機で切断し、各進
行波形光変調器に分割し、光導波路3の端面を光学研磨
した。
【0027】次いで、基板の主面にレジスト膜をコーテ
ィングし、エキシマレーザー加工機にセットし、基板の
オリフラ面を基準にして、加工位置の位置合わせを行っ
た。KrFエキシマレーザーを光源として使用し、スポ
ットスキャン方式によって露光し、他方の主面2b側を
加工した。照射したスポットのサイズが、走査方向1.
0mm、幅0.2mmとなり、照射エネルギー密度が
6.0J/cm2 となるように光学系を調整した。パル
ス幅15nsec、パルス周波数600Hz、走査速度
0.1mm/secで電極の裏側を加工し、凹部4を形
成した。
ィングし、エキシマレーザー加工機にセットし、基板の
オリフラ面を基準にして、加工位置の位置合わせを行っ
た。KrFエキシマレーザーを光源として使用し、スポ
ットスキャン方式によって露光し、他方の主面2b側を
加工した。照射したスポットのサイズが、走査方向1.
0mm、幅0.2mmとなり、照射エネルギー密度が
6.0J/cm2 となるように光学系を調整した。パル
ス幅15nsec、パルス周波数600Hz、走査速度
0.1mm/secで電極の裏側を加工し、凹部4を形
成した。
【0028】光導波路基板2の肉厚部分10の厚さは3
00μmであり、肉薄部分12の厚さは10μmであ
り、電極6、7、8のギャップの大きさは26μmであ
る。光導波路3を形成する際のチタンパターンの幅は6
μmである。各バッファ層の厚さは0.4μmであり、
幅は100μmであり、長さは0.2mmである。電極
6の交差部分9A−9Dの幅はそれぞれ50μmであ
り、電極7の交差部分9E、9Fの幅はそれぞれ50μ
mである。電極の厚さは30μmである。LA、LB、
LC、LDは、それぞれ0.2mmである。従って、
(LA+LB)は(LC+LD)に等しい。
00μmであり、肉薄部分12の厚さは10μmであ
り、電極6、7、8のギャップの大きさは26μmであ
る。光導波路3を形成する際のチタンパターンの幅は6
μmである。各バッファ層の厚さは0.4μmであり、
幅は100μmであり、長さは0.2mmである。電極
6の交差部分9A−9Dの幅はそれぞれ50μmであ
り、電極7の交差部分9E、9Fの幅はそれぞれ50μ
mである。電極の厚さは30μmである。LA、LB、
LC、LDは、それぞれ0.2mmである。従って、
(LA+LB)は(LC+LD)に等しい。
【0029】(比較例の進行波形光変調器の作製)上記
した本発明例1と同様にして進行波形光変調器を作製し
た。ただし、上記において、バッファ層5A−5Dは設
けなかった。
した本発明例1と同様にして進行波形光変調器を作製し
た。ただし、上記において、バッファ層5A−5Dは設
けなかった。
【0030】(光の挿入損失の測定)本発明例1および
比較例の各進行波形光変調器を、それぞれ28個ごと作
製した。1.5μmシングルモード光ファイバーを保持
した単芯ファイバーアレイを作製し、これを各変調器に
結合し、光ファイバーと光導波路とを調芯し、紫外線硬
化型樹脂によって接着した。本発明例と比較例との各変
調器について、挿入損失を測定し、その結果を表1に示
す。
比較例の各進行波形光変調器を、それぞれ28個ごと作
製した。1.5μmシングルモード光ファイバーを保持
した単芯ファイバーアレイを作製し、これを各変調器に
結合し、光ファイバーと光導波路とを調芯し、紫外線硬
化型樹脂によって接着した。本発明例と比較例との各変
調器について、挿入損失を測定し、その結果を表1に示
す。
【0031】
【表1】
【0032】(実験B)実験Aの本発明例1において、
LAを0.15mmとし、LBを0.25mmとし、L
Cを0.25mmとし、LDを0.25mmとした。従
って、(LA+LB)は0.4mmであり、(LC+L
D)は0.5mmである。これを本発明例2とする。
LAを0.15mmとし、LBを0.25mmとし、L
Cを0.25mmとし、LDを0.25mmとした。従
って、(LA+LB)は0.4mmであり、(LC+L
D)は0.5mmである。これを本発明例2とする。
【0033】実験Aの比較例、本発明例1、および上記
の本発明例2の各進行波形光変調器を、それぞれ16個
作製した。そして、実験Aと同様にして光ファイバーを
各変調器に結合し、オン−オフ消光比を測定した。この
結果を表2に示す。
の本発明例2の各進行波形光変調器を、それぞれ16個
作製した。そして、実験Aと同様にして光ファイバーを
各変調器に結合し、オン−オフ消光比を測定した。この
結果を表2に示す。
【0034】
【表2】
【0035】
【発明の効果】このように、本発明によれば、高速光変
調が可能な、肉薄部分と肉厚部分とを備える進行波形光
変調器において、光導波路内における光の吸収損失を抑
制できる。
調が可能な、肉薄部分と肉厚部分とを備える進行波形光
変調器において、光導波路内における光の吸収損失を抑
制できる。
【図1】本発明の一実施形態に係る進行波形光変調器1
Aを概略的に示す平面図である。
Aを概略的に示す平面図である。
【図2】(a)は、図1のIIa−IIa線断面図であ
り、(b)は、図1のIIb−IIb線断面図である。
り、(b)は、図1のIIb−IIb線断面図である。
【図3】本発明の他の実施形態に係る進行波形光変調器
1Bを概略的に示す平面図である。
1Bを概略的に示す平面図である。
【図4】図3のIV−IV線断面図である。
1A、1B 進行波形光変調器 2 光導波路基
板 2a、2b 光導波路基板2の主面 2c、2d
光導波路基板2の端面 3 光導波路
3b、3c 分岐光導波路 4 凹部 5A、5B、5C、5D バッファ層 5E、5
F、5G、5Hテーパー領域13を備えるバッファ層
6、7、8 電極 9A、9B、9C、9
D、9E、9F 光導波路と電極との交差部分
10 肉厚部分 12 肉薄部分 13
テーパー領域 LA、LB、LC、LD
光導波路がバッファ層によって被覆されている部分の被
覆長さ
板 2a、2b 光導波路基板2の主面 2c、2d
光導波路基板2の端面 3 光導波路
3b、3c 分岐光導波路 4 凹部 5A、5B、5C、5D バッファ層 5E、5
F、5G、5Hテーパー領域13を備えるバッファ層
6、7、8 電極 9A、9B、9C、9
D、9E、9F 光導波路と電極との交差部分
10 肉厚部分 12 肉薄部分 13
テーパー領域 LA、LB、LC、LD
光導波路がバッファ層によって被覆されている部分の被
覆長さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青木 謙治 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号 日 本碍子株式会社内 Fターム(参考) 2H079 AA02 AA12 BA01 BA03 CA05 DA03 EA05 EA08 EB05 HA23
Claims (6)
- 【請求項1】強誘電性の電気光学単結晶からなり、相対
的に厚さの大きい肉厚部分と相対的に厚さの小さい肉薄
部分とを備えている光導波路基板、 この光導波路基板の少なくとも前記肉薄部分の上に形成
されている光導波路、および前記光導波路を伝搬する光
を変調する電圧を印加するために、少なくとも前記肉薄
部分上に設けられている電極を備える進行波形光変調器
であって、 前記肉薄部分において前記光導波路の一部分を被覆する
バッファ層を備えており、このバッファ層上に前記電極
が形成されていることを特徴とする、進行波形光変調
器。 - 【請求項2】前記肉薄部分に複数の前記バッファ層が設
けられており、各バッファ層上にそれぞれ前記電極が設
けられていることを特徴とする、請求項1記載の進行波
形光変調器。 - 【請求項3】前記肉薄部分に複数列の前記光導波路が形
成されており、各列の前記光導波路がそれぞれ前記バッ
ファ層によって被覆されており、各列の光導波路がそれ
ぞれ前記バッファ層によって被覆されている各被覆長さ
の差が0.2mm以下であることを特徴とする、請求項
2記載の進行波形光変調器。 - 【請求項4】前記バッファ層が帯状をしており、この帯
状のバッファ層に対して前記電極が交差するように延び
ていることを特徴とする、請求項1−3のいずれか一つ
の請求項に記載の進行波形光変調器。 - 【請求項5】前記光導波路の長手方向に見たときに、前
記バッファ層の少なくとも一方の端部に、バッファ層の
厚さが徐々に変化するテーパー領域が設けられているこ
とを特徴とする、請求項1−4のいずれか一つの請求項
に記載の進行波形光変調器。 - 【請求項6】前記光導波路にTEモードの光を伝搬させ
ることを特徴とする、請求項1−5のいずれか一つの請
求項に記載の進行波形光変調器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35533599A JP2001174765A (ja) | 1999-12-15 | 1999-12-15 | 進行波形光変調器 |
EP00311093A EP1109050B1 (en) | 1999-12-15 | 2000-12-13 | Travelling wave optical modulators |
DE60002421T DE60002421T2 (de) | 1999-12-15 | 2000-12-13 | Optische Wanderwellen-Modulatoren |
US09/738,174 US6539130B2 (en) | 1999-12-15 | 2000-12-15 | Traveling wave optical modulators |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35533599A JP2001174765A (ja) | 1999-12-15 | 1999-12-15 | 進行波形光変調器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001174765A true JP2001174765A (ja) | 2001-06-29 |
Family
ID=18443347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35533599A Pending JP2001174765A (ja) | 1999-12-15 | 1999-12-15 | 進行波形光変調器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
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EP (1) | EP1109050B1 (ja) |
JP (1) | JP2001174765A (ja) |
DE (1) | DE60002421T2 (ja) |
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WO2003012533A1 (fr) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Modulateur optique |
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JP2010181489A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光変調器 |
JP2021086026A (ja) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子、光変調器、光変調モジュール、及び光送信装置 |
JP2021105631A (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-26 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子、光変調器、光変調モジュール、及び光送信装置 |
WO2022270389A1 (ja) * | 2021-06-24 | 2022-12-29 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子、光変調器、光変調モジュール、及び光送信装置 |
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US7272271B2 (en) * | 2001-09-26 | 2007-09-18 | Celight, Inc. | Electro-optical integrated transmitter chip for arbitrary quadrature modulation of optical signals |
JP4027109B2 (ja) * | 2002-02-08 | 2007-12-26 | 富士通株式会社 | 電気光学効果により光位相を変化させる素子を搭載した光モジュール |
JP3762320B2 (ja) | 2002-03-19 | 2006-04-05 | 日本碍子株式会社 | 光変調器の製造方法 |
JP5055947B2 (ja) * | 2006-10-20 | 2012-10-24 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光変調器および送信装置 |
JP5166450B2 (ja) * | 2008-01-31 | 2013-03-21 | 日本碍子株式会社 | 光導波路デバイス |
JP5263210B2 (ja) | 2010-03-29 | 2013-08-14 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子モジュール |
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US9804475B1 (en) | 2015-04-16 | 2017-10-31 | Aurrion, Inc. | Radio-frequency loss reduction in photonic circuits |
EP3333619B1 (en) * | 2015-08-04 | 2020-04-15 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical modulator |
JP2017167463A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | セイコーエプソン株式会社 | 光変調器および画像表示装置 |
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JPH04179931A (ja) * | 1990-11-14 | 1992-06-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 導波型光デバイス |
JPH04204815A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光導波路型変調器及びその製造方法 |
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US6069729A (en) * | 1999-01-20 | 2000-05-30 | Northwestern University | High speed electro-optic modulator |
US6341031B1 (en) * | 1999-05-25 | 2002-01-22 | Jds Uniphase Corporation | Optical pulse generation using a high order function waveguide interferometer |
-
1999
- 1999-12-15 JP JP35533599A patent/JP2001174765A/ja active Pending
-
2000
- 2000-12-13 EP EP00311093A patent/EP1109050B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-13 DE DE60002421T patent/DE60002421T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-15 US US09/738,174 patent/US6539130B2/en not_active Expired - Fee Related
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WO2022270389A1 (ja) * | 2021-06-24 | 2022-12-29 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子、光変調器、光変調モジュール、及び光送信装置 |
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DE60002421D1 (de) | 2003-06-05 |
EP1109050A1 (en) | 2001-06-20 |
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