JP2001155491A - プログラミング電圧レベルがeepromの確実な書き込みに十分であるよう決定するための方法、システム、および装置 - Google Patents
プログラミング電圧レベルがeepromの確実な書き込みに十分であるよう決定するための方法、システム、および装置Info
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- G11C16/30—Power supply circuits
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Microcomputers (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 不揮発性格納データを有するEEPROMが
信頼性を有するようにプログラミングするためのシステ
ム、方法、および装置を提供すること。 【解決手段】 本発明の電子システムは、マイクロコン
トローラコアロジック102と、EEPROM112
と、EEPROMプログラミングロジック114と、E
EPROMプログラミング電圧を生成するためのチャー
ジポンプ116と、を含み、チャージポンプによって生
成されたプログラミング電圧を電圧コンパレータ118
aで基準電圧と比較しプログラミング電圧が所望の値以
上である場合、プログラミングロジックは、EEPRO
M上でプログラミング処理を行うようにイネーブルさ
れ、プログラミング電圧が所望の値より小さい場合、プ
ログラミングロジックは、EEPROM上でプログラミ
ング処理を行うことを抑止される。
信頼性を有するようにプログラミングするためのシステ
ム、方法、および装置を提供すること。 【解決手段】 本発明の電子システムは、マイクロコン
トローラコアロジック102と、EEPROM112
と、EEPROMプログラミングロジック114と、E
EPROMプログラミング電圧を生成するためのチャー
ジポンプ116と、を含み、チャージポンプによって生
成されたプログラミング電圧を電圧コンパレータ118
aで基準電圧と比較しプログラミング電圧が所望の値以
上である場合、プログラミングロジックは、EEPRO
M上でプログラミング処理を行うようにイネーブルさ
れ、プログラミング電圧が所望の値より小さい場合、プ
ログラミングロジックは、EEPROM上でプログラミ
ング処理を行うことを抑止される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は概して、不揮発性の
プログラマブルメモリに関し、より詳細には、プログラ
ミング動作の間、プログラミング電圧が不充分なために
生じるEEPROMへのソフトプログラミングを防止す
ることに関する。
プログラマブルメモリに関し、より詳細には、プログラ
ミング動作の間、プログラミング電圧が不充分なために
生じるEEPROMへのソフトプログラミングを防止す
ることに関する。
【0002】
【従来の技術】例えばマイクロコントローラ、マイクロ
プロセッサ、デジタル信号プロセッサ、プログラマブル
ロジックアレイ(Programmable logi
c arrays、PLA)、ハードワイヤードデジタ
ル論理およびその類似物(しかし、これらに限定されな
い)に基づいたデジタル電子システムでは、プログラム
および制御データを永久保存するために、不揮発性メモ
リがよく用いられる。不揮発性メモリの好適な種類とし
ては、電気的に消去可能なプログラマブル読出し専用メ
モリ(EEPROM)がある。EEPROMセルをプロ
グラムする工程は、静的および動的ランダムアクセスメ
モリ(それぞれ、SRAMおよびDRAMという)のよ
うな揮発性メモリにデータをプログラムするのに必要な
時間に比べると、時間がかかる。加えて、EEPROM
内のプログラムされたデータの不正を避けるためには、
プログラミングサイクルの間中ずっと、最低プログラミ
ング電圧レベルを保持することが必要である。プログラ
ミング電圧が低過ぎると、不充分な充電がEEPROM
セルに伝送され、その結果、EEPROMセルの「ソフ
トプログラミング」が発生する。ソフトにプログラミン
グされた(softly programmed)EE
PROMセルは、経時的に電荷を解放し、そのため、メ
モリセル内に格納されている正確な情報が、不正なもの
となる。
プロセッサ、デジタル信号プロセッサ、プログラマブル
ロジックアレイ(Programmable logi
c arrays、PLA)、ハードワイヤードデジタ
ル論理およびその類似物(しかし、これらに限定されな
い)に基づいたデジタル電子システムでは、プログラム
および制御データを永久保存するために、不揮発性メモ
リがよく用いられる。不揮発性メモリの好適な種類とし
ては、電気的に消去可能なプログラマブル読出し専用メ
モリ(EEPROM)がある。EEPROMセルをプロ
グラムする工程は、静的および動的ランダムアクセスメ
モリ(それぞれ、SRAMおよびDRAMという)のよ
うな揮発性メモリにデータをプログラムするのに必要な
時間に比べると、時間がかかる。加えて、EEPROM
内のプログラムされたデータの不正を避けるためには、
プログラミングサイクルの間中ずっと、最低プログラミ
ング電圧レベルを保持することが必要である。プログラ
ミング電圧が低過ぎると、不充分な充電がEEPROM
セルに伝送され、その結果、EEPROMセルの「ソフ
トプログラミング」が発生する。ソフトにプログラミン
グされた(softly programmed)EE
PROMセルは、経時的に電荷を解放し、そのため、メ
モリセル内に格納されている正確な情報が、不正なもの
となる。
【0003】EEPROM構造において、一対のポリシ
リコン製のゲートが、二酸化ケイ素の層により分離され
る。EEPROMの動作の際、適切な大きさの電圧が、
非常に薄いゲート酸化物層に印加され、これにより、半
導体基板とEEPROMメモリセルのより低いゲートと
の間の電子トンネル効果を誘引する。この電子の移動に
より、セルの閾値電圧、ひいてはセルの導電率が変わ
り、これにより、セル内に格納されたデータの論理状態
が決定される。プログラミング電圧レベルを、EEPR
OMセルを完全にプログラムするのに適切なものとする
ために、EEPROMの電源電圧を充分に高い電圧レベ
ルで保持しなければならない。充分な電圧レベルを保持
することは、6ボルト未満およびさらには2ボルト未満
の電圧で動作するよう設計された相補型金属酸化膜シリ
コン(CMOS)デバイスを用いた、バッテリで動作す
るシステムのような、低電圧でのアプリケーションの
際、特に重要である。
リコン製のゲートが、二酸化ケイ素の層により分離され
る。EEPROMの動作の際、適切な大きさの電圧が、
非常に薄いゲート酸化物層に印加され、これにより、半
導体基板とEEPROMメモリセルのより低いゲートと
の間の電子トンネル効果を誘引する。この電子の移動に
より、セルの閾値電圧、ひいてはセルの導電率が変わ
り、これにより、セル内に格納されたデータの論理状態
が決定される。プログラミング電圧レベルを、EEPR
OMセルを完全にプログラムするのに適切なものとする
ために、EEPROMの電源電圧を充分に高い電圧レベ
ルで保持しなければならない。充分な電圧レベルを保持
することは、6ボルト未満およびさらには2ボルト未満
の電圧で動作するよう設計された相補型金属酸化膜シリ
コン(CMOS)デバイスを用いた、バッテリで動作す
るシステムのような、低電圧でのアプリケーションの
際、特に重要である。
【0004】EEPROM内のデータが不正であると、
情報が重要で、かつ、バッテリの放電のため、バッテリ
電圧が低電圧条件に曝されているバッテリ源の場合のよ
うな、電力供給が必ずしも信頼できないアプリケーショ
ンの場合、特に問題となる。このようなアプリケーショ
ンの1つとしては、不正化の起こらない長期記憶が必要
不可欠であるセキュリティシステムにおけるものがあ
る。セキュリティシステムは、乗用車、家庭、およびオ
フィスシステムを含み、EEPROMにちょうど重要情
報がプログラムされているときでも、低バッテリ条件が
発生し得る。セキュリティシステム、特に乗用車内のバ
ッテリ源を用いたセキュリティシステムは、ユーザが認
証を受けているかどうか判定する際、セキュリティコー
ドまたはステータスフラッグに依存し得、格納されてい
る情報が、不正無く、有効なままであることが大変重要
である。
情報が重要で、かつ、バッテリの放電のため、バッテリ
電圧が低電圧条件に曝されているバッテリ源の場合のよ
うな、電力供給が必ずしも信頼できないアプリケーショ
ンの場合、特に問題となる。このようなアプリケーショ
ンの1つとしては、不正化の起こらない長期記憶が必要
不可欠であるセキュリティシステムにおけるものがあ
る。セキュリティシステムは、乗用車、家庭、およびオ
フィスシステムを含み、EEPROMにちょうど重要情
報がプログラムされているときでも、低バッテリ条件が
発生し得る。セキュリティシステム、特に乗用車内のバ
ッテリ源を用いたセキュリティシステムは、ユーザが認
証を受けているかどうか判定する際、セキュリティコー
ドまたはステータスフラッグに依存し得、格納されてい
る情報が、不正無く、有効なままであることが大変重要
である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】したがって、必要とさ
れているのは、不揮発性格納データを有するEEPRO
Mが信頼性を有するようプログラミングするために、プ
ログラミング電圧レベルが充分であることを判定するた
めのシステム、方法、および装置である。
れているのは、不揮発性格納データを有するEEPRO
Mが信頼性を有するようプログラミングするために、プ
ログラミング電圧レベルが充分であることを判定するた
めのシステム、方法、および装置である。
【0006】本発明は、EEPROMおよびデータをこ
れにプログラムするための論理回路を有するデジタル電
子システムにおいて、プログラミング電圧レベルがEE
PROMを信頼性をよくプログラムするのに充分である
と判定するためのシステム、方法、および装置を提供す
ることにより、上述および既存技術の他の弱点および欠
点を解消する。さらに、本発明の実施形態が、フラッシ
ュメモリをプログラミングする際、同様に有益であるこ
とが考えられ、これもまた本発明の範囲内である。
れにプログラムするための論理回路を有するデジタル電
子システムにおいて、プログラミング電圧レベルがEE
PROMを信頼性をよくプログラムするのに充分である
と判定するためのシステム、方法、および装置を提供す
ることにより、上述および既存技術の他の弱点および欠
点を解消する。さらに、本発明の実施形態が、フラッシ
ュメモリをプログラミングする際、同様に有益であるこ
とが考えられ、これもまた本発明の範囲内である。
【0007】本発明の実施形態によれば、マイクロコン
トローラ、マイクロプロセッサ、デジタル信号プロセッ
サおよびその類似物のような電子デジタル論理および制
御回路と、EEPROMとを含む集積回路パッケージ
は、EEPROMメモリセルをプログラムする際に用い
られる電圧を生成する充電ポンプを制御し、得られた充
電ポンプ電圧をEEPROMへのプログラミング動作が
開始する前にモニタするための回路を有する。加えて、
充電ポンプの出力に接続され得るテストロード(tes
t load)もまた提供され、これにより、EEPR
OMへのプログラミング動作のロードをシミュレートす
る。本発明の実施形態の機能の制御およびシーケンシン
グは、ソフトウェアプログラム、ハードウェア制御論
理、またはこれら両方(ファームウェアおよび制御論
理)を組み合わせることにより行うことができる。
トローラ、マイクロプロセッサ、デジタル信号プロセッ
サおよびその類似物のような電子デジタル論理および制
御回路と、EEPROMとを含む集積回路パッケージ
は、EEPROMメモリセルをプログラムする際に用い
られる電圧を生成する充電ポンプを制御し、得られた充
電ポンプ電圧をEEPROMへのプログラミング動作が
開始する前にモニタするための回路を有する。加えて、
充電ポンプの出力に接続され得るテストロード(tes
t load)もまた提供され、これにより、EEPR
OMへのプログラミング動作のロードをシミュレートす
る。本発明の実施形態の機能の制御およびシーケンシン
グは、ソフトウェアプログラム、ハードウェア制御論
理、またはこれら両方(ファームウェアおよび制御論
理)を組み合わせることにより行うことができる。
【0008】本発明の実施形態によれば、充電ポンプ
は、EEPROMのプログラミング動作が行われる前に
イネーブルされる。充電ポンプは、動作中、バッテリか
ら電流を引き抜き、バッテリのEEPROMへのプログ
ラミング動作を行うための充電量が充分でない場合、充
電ポンプの電圧は、少なくとも所望の電圧値の最小値と
ならない。加えて、テストロードが、充電ポンプの出力
に接続され得、これにより、EEPROMへの実際のプ
ログラミング動作を行う際に、充電ポンプ上に与えられ
るロードをシミュレートすることができる。したがっ
て、充電ポンプ電圧レベルを正確に評価するための実際
のロードシミュレーション条件が発生する。この場合に
おいて、充電ポンプ電圧レベルは、バッテリ充電状態の
非常に信頼性の高い表示である。このロードシミュレー
ションは、通常のEEPROMアドレス空間の外部でプ
ログラミング動作をアドレッシングすることにより、接
続され得る。
は、EEPROMのプログラミング動作が行われる前に
イネーブルされる。充電ポンプは、動作中、バッテリか
ら電流を引き抜き、バッテリのEEPROMへのプログ
ラミング動作を行うための充電量が充分でない場合、充
電ポンプの電圧は、少なくとも所望の電圧値の最小値と
ならない。加えて、テストロードが、充電ポンプの出力
に接続され得、これにより、EEPROMへの実際のプ
ログラミング動作を行う際に、充電ポンプ上に与えられ
るロードをシミュレートすることができる。したがっ
て、充電ポンプ電圧レベルを正確に評価するための実際
のロードシミュレーション条件が発生する。この場合に
おいて、充電ポンプ電圧レベルは、バッテリ充電状態の
非常に信頼性の高い表示である。このロードシミュレー
ションは、通常のEEPROMアドレス空間の外部でプ
ログラミング動作をアドレッシングすることにより、接
続され得る。
【0009】EEPROMへのプログラミング動作を行
おうとする試みが為される前に所望の充電ポンプ電圧が
測定および確認されれば、ソフトプログラミングの可能
性は実質的に低減する。好適な実施形態において、まず
最初に低電圧チェック(すなわち、充電ポンプ出力電圧
テストを行うため、テストおよび制御論理を適切に動作
するためのバッテリ電圧が充分であるかどうか)が行わ
れ、次に、EEPROMをプログラミングするための電
圧を生成する充電ポンプがオン状態にされ、これによ
り、バッテリから電流が引き抜かれる。また、テストロ
ードが充電ポンプの出力に接続され得、これにより、E
EPROMへのプログラミング動作の際と実質的に等し
いロードをさらにシミュレートすることができる。
おうとする試みが為される前に所望の充電ポンプ電圧が
測定および確認されれば、ソフトプログラミングの可能
性は実質的に低減する。好適な実施形態において、まず
最初に低電圧チェック(すなわち、充電ポンプ出力電圧
テストを行うため、テストおよび制御論理を適切に動作
するためのバッテリ電圧が充分であるかどうか)が行わ
れ、次に、EEPROMをプログラミングするための電
圧を生成する充電ポンプがオン状態にされ、これによ
り、バッテリから電流が引き抜かれる。また、テストロ
ードが充電ポンプの出力に接続され得、これにより、E
EPROMへのプログラミング動作の際と実質的に等し
いロードをさらにシミュレートすることができる。
【0010】EEPEOMへの実際のプログラミング動
作は行われないが、充電ポンプ電圧が、ロード条件下で
測定される。測定された充電ポンプ電圧が、所望の電圧
値以上であった場合、バッテリ内の充電量は充分であ
り、通常の動作(すなわち、EEPROMへのプログラ
ミング動作)が継続され、充電ポンプはオフ状態にさ
れ、システムは、1つ以上のEEPROMのメモリ位置
をプログラムできる状態となる。測定された充電ポンプ
電圧が所望のプログラミング電圧値未満であった場合、
マイクロコントローラはシャットダウンされ、これによ
り、バッテリ源が再充電されるまで、誤動作が防がれ
る。
作は行われないが、充電ポンプ電圧が、ロード条件下で
測定される。測定された充電ポンプ電圧が、所望の電圧
値以上であった場合、バッテリ内の充電量は充分であ
り、通常の動作(すなわち、EEPROMへのプログラ
ミング動作)が継続され、充電ポンプはオフ状態にさ
れ、システムは、1つ以上のEEPROMのメモリ位置
をプログラムできる状態となる。測定された充電ポンプ
電圧が所望のプログラミング電圧値未満であった場合、
マイクロコントローラはシャットダウンされ、これによ
り、バッテリ源が再充電されるまで、誤動作が防がれ
る。
【0011】本発明の別の実施形態において、充電ポン
プがイネーブルされ、充電ポンプから生成された電圧が
測定され、次いで、充電ポンプがオフ状態にされ、そし
て、EEPROMへのプログラミング動作が1つだけイ
ネーブルされる(複数のプログラミング動作をイネーブ
ルするのではない)。この実施形態は、各プログラミン
グ動作の前にテストが必要となり時間がより多くかかる
が、EEPROMへの各プログラミング動作がイネーブ
ルされる前のバッテリ状態をより完全に評価する。加え
て、電圧測定工程(電圧測定の間には、EEPROMへ
のプログラミング動作は行われない)の間、テストロー
ドは充電ポンプの出力に接続され得る。
プがイネーブルされ、充電ポンプから生成された電圧が
測定され、次いで、充電ポンプがオフ状態にされ、そし
て、EEPROMへのプログラミング動作が1つだけイ
ネーブルされる(複数のプログラミング動作をイネーブ
ルするのではない)。この実施形態は、各プログラミン
グ動作の前にテストが必要となり時間がより多くかかる
が、EEPROMへの各プログラミング動作がイネーブ
ルされる前のバッテリ状態をより完全に評価する。加え
て、電圧測定工程(電圧測定の間には、EEPROMへ
のプログラミング動作は行われない)の間、テストロー
ドは充電ポンプの出力に接続され得る。
【0012】本発明のさらに別の実施形態において、充
電ポンプがイネーブルされ、充電ポンプからの電圧が測
定され、充電ポンプの電圧レベルが所望の電圧値以上で
あった場合、EEPROMへのプログラミング動作が1
つ以上イネーブルされる。この実施形態は、スピードの
点で利点を有し、しかもEEPROMへの各プログラミ
ング動作または一連のプログラミング動作の前に、ロー
ドされていない充電ポンプ電圧を近密にモニタする。従
って、本実施形態による電圧比較および論理回路は、電
圧レベルチェックおよびEEPROMメモリセルへのデ
ータプログラミングの両方を、1回の動作で行うことを
可能にする(パイプライン化−すなわち、電圧チェック
および書き込みイベント間において充電ポンプをシャッ
トダウンしない)。加えて、充電ポンプの電圧が所望の
レベル未満まで降下した場合、関連するプログラミング
動作が抑制され、マイクロコントローラシステムは、マ
イクロコントローラシステムのソフトウェアプログラム
またはハードウェア論理設計に応じて、アラーム状態ま
たはシャットダウン状態となる。
電ポンプがイネーブルされ、充電ポンプからの電圧が測
定され、充電ポンプの電圧レベルが所望の電圧値以上で
あった場合、EEPROMへのプログラミング動作が1
つ以上イネーブルされる。この実施形態は、スピードの
点で利点を有し、しかもEEPROMへの各プログラミ
ング動作または一連のプログラミング動作の前に、ロー
ドされていない充電ポンプ電圧を近密にモニタする。従
って、本実施形態による電圧比較および論理回路は、電
圧レベルチェックおよびEEPROMメモリセルへのデ
ータプログラミングの両方を、1回の動作で行うことを
可能にする(パイプライン化−すなわち、電圧チェック
および書き込みイベント間において充電ポンプをシャッ
トダウンしない)。加えて、充電ポンプの電圧が所望の
レベル未満まで降下した場合、関連するプログラミング
動作が抑制され、マイクロコントローラシステムは、マ
イクロコントローラシステムのソフトウェアプログラム
またはハードウェア論理設計に応じて、アラーム状態ま
たはシャットダウン状態となる。
【0013】本明細書中記載されているバッテリを除く
全ての回路および機能は、1つ以上の集積回路内に含め
られ得ることが、考えられ、これもまた本発明の範囲内
である。単一の集積回路を含む上記の本発明の好適な実
施形態は、例示的目的のため説明したが、エレクトロニ
クスの当業者であれば、本発明の実施形態は、異なる集
積回路パッケージにおいて製造され、例えば(但しこれ
らに限らず)プリントワイヤリングまたはプリント回路
基板などの共通ワイヤリング基板を用いて互いに接続さ
れた回路の組合せにも同様に適用可能であることを容易
に理解する。
全ての回路および機能は、1つ以上の集積回路内に含め
られ得ることが、考えられ、これもまた本発明の範囲内
である。単一の集積回路を含む上記の本発明の好適な実
施形態は、例示的目的のため説明したが、エレクトロニ
クスの当業者であれば、本発明の実施形態は、異なる集
積回路パッケージにおいて製造され、例えば(但しこれ
らに限らず)プリントワイヤリングまたはプリント回路
基板などの共通ワイヤリング基板を用いて互いに接続さ
れた回路の組合せにも同様に適用可能であることを容易
に理解する。
【0014】本発明の1つの特性は、充電ポンプが、例
えば、マイクロコントローラのソフトウェアプログラム
により、独立して制御できることである。
えば、マイクロコントローラのソフトウェアプログラム
により、独立して制御できることである。
【0015】本発明の別の特性は、充電ポンプが、ハー
ドウェア制御論理により、独立して制御できることであ
る。
ドウェア制御論理により、独立して制御できることであ
る。
【0016】本発明の別の特性は、充電ポンプが、ファ
ームウェアの命令により、独立して制御できることであ
る。
ームウェアの命令により、独立して制御できることであ
る。
【0017】本発明の別の特性は、EEPROMへのあ
らゆるプログラミング動作の前および最中に、充電ポン
プ電圧を監視することである。
らゆるプログラミング動作の前および最中に、充電ポン
プ電圧を監視することである。
【0018】本発明のさらに別の特性は、充電ポンプ電
圧が少なくとも所望の値でなければ、EEPROMへの
プログラミング動作を妨げることである。
圧が少なくとも所望の値でなければ、EEPROMへの
プログラミング動作を妨げることである。
【0019】本発明のまたさらに別の特性は、充電ポン
プの出力をロードすること、およびEEPROMプログ
ラミングするときに表示される、バッテリの充電状態を
示す充電ポンプ電圧レベルを測定することである。
プの出力をロードすること、およびEEPROMプログ
ラミングするときに表示される、バッテリの充電状態を
示す充電ポンプ電圧レベルを測定することである。
【0020】本発明の別の特性は、EEPROMをプロ
グラミングする前に、充電ポンプの電圧レベルの値を求
めることにより、バッテリの充電状態を測定することで
ある。
グラミングする前に、充電ポンプの電圧レベルの値を求
めることにより、バッテリの充電状態を測定することで
ある。
【0021】本発明のまたさらに別の特性は、EEPR
OMへのプログラミング動作中において、充電ポンプ電
圧を印加する以前に、実際の充電ポンプ電圧を測定する
ことである。
OMへのプログラミング動作中において、充電ポンプ電
圧を印加する以前に、実際の充電ポンプ電圧を測定する
ことである。
【0022】本発明の1つの利点は、充電ポンプ電圧が
事前に制限されているために、EEPROMのソフトプ
ログラミングを妨げることである。
事前に制限されているために、EEPROMのソフトプ
ログラミングを妨げることである。
【0023】本発明の別の利点は、動作している充電ポ
ンプにおける実際の負荷の条件下にあるときのバッテリ
の充電状態を判断することである。
ンプにおける実際の負荷の条件下にあるときのバッテリ
の充電状態を判断することである。
【0024】また別の利点は、ソフトプログラミング動
作が実行する前に、システムに警告するか、またはシス
テムを終了することである。
作が実行する前に、システムに警告するか、またはシス
テムを終了することである。
【0025】本発明の特性および利点は、添付の図と共
に本発明の開示に用いられる、現在好適である実施形態
の下記の説明により明白である。
に本発明の開示に用いられる、現在好適である実施形態
の下記の説明により明白である。
【0026】
【課題を解決するための手段】本発明の電子システム
は、電気的消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ
(EEPROM)を有する電子システムであって、プロ
セッサと、EEPROMと、EEPROMプログラミン
グロジックと、EEPROMプログラミング電圧を生成
するためのチャージポンプと、を含み、該チャージポン
プによって生成された該EEPROMプログラミング電
圧が、該EEPROMプログラミングロジックをイネー
ブルする前に所望の値であると決定されるように該チャ
ージポンプをイネーブルするロジックが構成され、該生
成されたEEPROMプログラミング電圧が該所望の値
以上である場合、該EEPROMプログラミングロジッ
クは、該EEPROM上でプログラミング処理を行うよ
うにイネーブルされ、該生成されたEEPROMプログ
ラミング電圧が該所望の値より小さい場合、該EEPR
OMプログラミングロジックは、該EEPROM上でプ
ログラミング処理を行うことを抑止される。
は、電気的消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ
(EEPROM)を有する電子システムであって、プロ
セッサと、EEPROMと、EEPROMプログラミン
グロジックと、EEPROMプログラミング電圧を生成
するためのチャージポンプと、を含み、該チャージポン
プによって生成された該EEPROMプログラミング電
圧が、該EEPROMプログラミングロジックをイネー
ブルする前に所望の値であると決定されるように該チャ
ージポンプをイネーブルするロジックが構成され、該生
成されたEEPROMプログラミング電圧が該所望の値
以上である場合、該EEPROMプログラミングロジッ
クは、該EEPROM上でプログラミング処理を行うよ
うにイネーブルされ、該生成されたEEPROMプログ
ラミング電圧が該所望の値より小さい場合、該EEPR
OMプログラミングロジックは、該EEPROM上でプ
ログラミング処理を行うことを抑止される。
【0027】本発明のシステムは、バッテリ電源に接続
されるようにさらに改造されてもよい。
されるようにさらに改造されてもよい。
【0028】前本発明のシステムは、記生成されたEE
PROMプログラミング電圧が、アナログ/デジタル変
換器(ADC)によってアナログ値からデジタル値に変
換され、該EEPROMプログラミング電圧のデジタル
値がその決定のための前記プロセッサによって読み出さ
れてもよい。
PROMプログラミング電圧が、アナログ/デジタル変
換器(ADC)によってアナログ値からデジタル値に変
換され、該EEPROMプログラミング電圧のデジタル
値がその決定のための前記プロセッサによって読み出さ
れてもよい。
【0029】本発明のシステムは、前記生成されたEE
PROMプログラミング電圧がコンパレータによって決
定され、該コンパレータにおいては、前記所望の電圧値
が該コンパレータに対する基準電圧であり、該コンパレ
ータは、該生成されたEEPROMプログラミング電圧
が該基準電圧より小さいか、またはそれ以上かを前記プ
ロセッサに示してもよい。
PROMプログラミング電圧がコンパレータによって決
定され、該コンパレータにおいては、前記所望の電圧値
が該コンパレータに対する基準電圧であり、該コンパレ
ータは、該生成されたEEPROMプログラミング電圧
が該基準電圧より小さいか、またはそれ以上かを前記プ
ロセッサに示してもよい。
【0030】本発明のシステムは、前記EEPROMプ
ログラミングロジックは、一旦前記EEPROMプログ
ラミング電圧が前記所望の値であるとして決定される
と、前記EEPROM上で複数のプログラミング処理を
行ってもよい。
ログラミングロジックは、一旦前記EEPROMプログ
ラミング電圧が前記所望の値であるとして決定される
と、前記EEPROM上で複数のプログラミング処理を
行ってもよい。
【0031】本発明のシステムは、前記EEPROMプ
ログラミングロジックは、前記EEPROMプログラミ
ング電圧が前記所望の値であるとして決定されるごとに
その後、前記EEPROM上で1つのプログラミング処
理を行ってもよい。
ログラミングロジックは、前記EEPROMプログラミ
ング電圧が前記所望の値であるとして決定されるごとに
その後、前記EEPROM上で1つのプログラミング処
理を行ってもよい。
【0032】本発明のシステムは、ランダムアクセスメ
モリ(RAM)、読み出し専用メモリ(ROM)、およ
び前記プロセッサに接続された入出力(I/O)インタ
ーフェース回路をさらに含んでもよい。
モリ(RAM)、読み出し専用メモリ(ROM)、およ
び前記プロセッサに接続された入出力(I/O)インタ
ーフェース回路をさらに含んでもよい。
【0033】本発明のシステムは、前記プロセッサ、E
EPROM、EEPROMプログラミングロジック、チ
ャージポンプ、RAM、ROM、およびI/Oが1つの
集積回路上に製造されてもよい。
EPROM、EEPROMプログラミングロジック、チ
ャージポンプ、RAM、ROM、およびI/Oが1つの
集積回路上に製造されてもよい。
【0034】本発明のシステムは、前記プロセッサ、E
EPROM、EEPROMプログラミングロジック、チ
ャージポンプ、RAM、ROM、およびI/Oが複数の
集積回路上に製造されてもよい。
EPROM、EEPROMプログラミングロジック、チ
ャージポンプ、RAM、ROM、およびI/Oが複数の
集積回路上に製造されてもよい。
【0035】本発明のシステムは、前記複数の集積回路
が、プリント回路板およびプリント配線板からなる群か
ら選択される配線基板と相互接続されてもよい。
が、プリント回路板およびプリント配線板からなる群か
ら選択される配線基板と相互接続されてもよい。
【0036】本発明の方法は、電子システム内の電気的
消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ(EEPR
OM)へのソフトプログラミングを防止するための方法
であって、EEPROMプログラミング電圧を生成する
ステップと、該生成されたEEPROMプログラミング
電圧が所望の電圧値以上であるかどうかを決定するステ
ップと、その場合、該EEPROMをプログラミングす
るためのEEPROMプログラミングロジックをイネー
ブルするステップと、そうでない場合、該EEPROM
のプログラミングを防止するように該EEPROMプロ
グラミングロジックをディスエーブルするステップとを
含む。
消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ(EEPR
OM)へのソフトプログラミングを防止するための方法
であって、EEPROMプログラミング電圧を生成する
ステップと、該生成されたEEPROMプログラミング
電圧が所望の電圧値以上であるかどうかを決定するステ
ップと、その場合、該EEPROMをプログラミングす
るためのEEPROMプログラミングロジックをイネー
ブルするステップと、そうでない場合、該EEPROM
のプログラミングを防止するように該EEPROMプロ
グラミングロジックをディスエーブルするステップとを
含む。
【0037】本発明の方法は、前記EEPROMプログ
ラミング電圧を生成するステップがチャージポンプを用
いて行われてもよい。
ラミング電圧を生成するステップがチャージポンプを用
いて行われてもよい。
【0038】本発明の方法は、前記生成されたEEPR
OMプログラミング電圧が前記所望の電圧値以上である
かどうかを決定するステップが、電圧コンパレータを用
いて行われ、該コンパレータに対する電圧基準が前記所
望の電圧値に等しくてもよい。
OMプログラミング電圧が前記所望の電圧値以上である
かどうかを決定するステップが、電圧コンパレータを用
いて行われ、該コンパレータに対する電圧基準が前記所
望の電圧値に等しくてもよい。
【0039】本発明の方法は、前記生成されたEEPR
OMプログラミング電圧が前記所望の電圧値以上である
かどうかを決定する前記ステップが、アナログ/デジタ
ルコンバータ(ADC)およびプロセッサを用いて行わ
れてもよい。
OMプログラミング電圧が前記所望の電圧値以上である
かどうかを決定する前記ステップが、アナログ/デジタ
ルコンバータ(ADC)およびプロセッサを用いて行わ
れてもよい。
【0040】本発明の方法は、前記EEPROMプログ
ラミングロジックをイネーブルする前記ステップの後
で、該EEPROMに1つのプログラミング処理を行う
ステップをさらに含んでもよい。
ラミングロジックをイネーブルする前記ステップの後
で、該EEPROMに1つのプログラミング処理を行う
ステップをさらに含んでもよい。
【0041】本発明の方法は、前記EEPROMプログ
ラミングロジックをイネーブルする前記ステップの後
で、該EEPROMに複数のプログラミング処理を行う
ステップをさらに含んでもよい。
ラミングロジックをイネーブルする前記ステップの後
で、該EEPROMに複数のプログラミング処理を行う
ステップをさらに含んでもよい。
【0042】本発明の方法は、前記EEPROMに1つ
のプログラミング処理を行う前記ステップの後で、前記
生成されたEEPROMプログラミング電圧を決定する
ステップ、前記EEPROMプログラミングロジックを
イネーブルするステップ、および1つのプログラミング
処理を行うステップを、すべてのデータが該EEPRO
Mに書き込まれるまで繰り返すステップをさらに含んで
もよい。
のプログラミング処理を行う前記ステップの後で、前記
生成されたEEPROMプログラミング電圧を決定する
ステップ、前記EEPROMプログラミングロジックを
イネーブルするステップ、および1つのプログラミング
処理を行うステップを、すべてのデータが該EEPRO
Mに書き込まれるまで繰り返すステップをさらに含んで
もよい。
【0043】本発明の方法は、電子システム内の電気的
消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ(EEPR
OM)をプログラミングするための方法であって、チャ
ージポンプをスイッチオンすることによってEEPRO
Mプログラミング電圧を生成するステップと、該生成さ
れたEEPROMプログラミング電圧が所望の電圧値以
上であるかどうかを決定するステップと、その場合、該
チャージポンプをオフにし、そして該電子システムの通
常処理を継続するステップと、そうでない場合、該チャ
ージポンプをオフにし、そして生成された低いEEPR
OMプログラミング電圧の該電子システムを警告するス
テップとを含む。
消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ(EEPR
OM)をプログラミングするための方法であって、チャ
ージポンプをスイッチオンすることによってEEPRO
Mプログラミング電圧を生成するステップと、該生成さ
れたEEPROMプログラミング電圧が所望の電圧値以
上であるかどうかを決定するステップと、その場合、該
チャージポンプをオフにし、そして該電子システムの通
常処理を継続するステップと、そうでない場合、該チャ
ージポンプをオフにし、そして生成された低いEEPR
OMプログラミング電圧の該電子システムを警告するス
テップとを含む。
【0044】本発明の方法は、前記電子システムの通常
処理を継続する前記ステップの後で、前記EEPROM
プログラミング電圧を生成するための前記チャージポン
プをスイッチオンするステップと、前記EEPROMを
プログラミングするステップと、をさらに含んでもよ
い。
処理を継続する前記ステップの後で、前記EEPROM
プログラミング電圧を生成するための前記チャージポン
プをスイッチオンするステップと、前記EEPROMを
プログラミングするステップと、をさらに含んでもよ
い。
【0045】本発明の方法は、生成された低いEEPR
OMプログラミング電圧の前記電子システムを警告する
前記ステップが該電子システムをシャットダウンするス
テップを含んでもよい。
OMプログラミング電圧の前記電子システムを警告する
前記ステップが該電子システムをシャットダウンするス
テップを含んでもよい。
【0046】本発明の方法は、電子システム内の電気的
消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ(EEPR
OM)をプログラミングするための方法であって、
(a)チャージポンプをスイッチオンすることによって
EEPROMプログラミング電圧を生成するステップ
と、(b)該生成されたEEPROMプログラミング電
圧が所望の電圧値以上であるかどうかを決定するステッ
プと、(c)その場合、該EEPROMに1つのプログ
ラミング処理を行い、そして次いで該EEPROMに対
するすべての待ち状態のプログラミング処理が終了する
までステップ(b)に戻るステップと、(d)そうでな
い場合、該チャージポンプをオフにし、そして生成され
た低いEEPROMプログラミング電圧の該電子システ
ムを警告するステップとを含む。
消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ(EEPR
OM)をプログラミングするための方法であって、
(a)チャージポンプをスイッチオンすることによって
EEPROMプログラミング電圧を生成するステップ
と、(b)該生成されたEEPROMプログラミング電
圧が所望の電圧値以上であるかどうかを決定するステッ
プと、(c)その場合、該EEPROMに1つのプログ
ラミング処理を行い、そして次いで該EEPROMに対
するすべての待ち状態のプログラミング処理が終了する
までステップ(b)に戻るステップと、(d)そうでな
い場合、該チャージポンプをオフにし、そして生成され
た低いEEPROMプログラミング電圧の該電子システ
ムを警告するステップとを含む。
【0047】本発明の方法は、電子システム内の電気的
消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ(EEPR
OM)をプログラミングするための方法であって、
(a)チャージポンプをスイッチオンすることによって
EEPROMプログラミング電圧を生成するステップ
と、(b)該生成されたEEPROMプログラミング電
圧が所望の電圧値以上であるかどうかを決定するステッ
プと、(c)その場合、該EEPROMに対するすべて
の待ち状態のプログラミング処理が終了するまで、該E
EPROMに複数のプログラミング処理を行うステップ
と、(d)そうでない場合、該チャージポンプをオフに
し、そして生成された低いEEPROMプログラミング
電圧の該電子システムを警告するステップとを含む。
消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ(EEPR
OM)をプログラミングするための方法であって、
(a)チャージポンプをスイッチオンすることによって
EEPROMプログラミング電圧を生成するステップ
と、(b)該生成されたEEPROMプログラミング電
圧が所望の電圧値以上であるかどうかを決定するステッ
プと、(c)その場合、該EEPROMに対するすべて
の待ち状態のプログラミング処理が終了するまで、該E
EPROMに複数のプログラミング処理を行うステップ
と、(d)そうでない場合、該チャージポンプをオフに
し、そして生成された低いEEPROMプログラミング
電圧の該電子システムを警告するステップとを含む。
【0048】本発明の装置は、電気的消去可能プログラ
マブル読み出し専用メモリ(EEPROM)へのソフト
プログラミングを防止するための装置であって、EEP
ROMプログラミング電圧を生成するためのチャージポ
ンプと該生成されたEEPROMプログラミング電圧が
少なくとも所望の電圧レベルであるかどうかを決定する
ための回路と、該EEPROMプログラミング電圧が少
なくとも該所望の電圧レベルでない場合、EEPROM
プログラミングロジックを抑止するように改変された回
路とを含む。
マブル読み出し専用メモリ(EEPROM)へのソフト
プログラミングを防止するための装置であって、EEP
ROMプログラミング電圧を生成するためのチャージポ
ンプと該生成されたEEPROMプログラミング電圧が
少なくとも所望の電圧レベルであるかどうかを決定する
ための回路と、該EEPROMプログラミング電圧が少
なくとも該所望の電圧レベルでない場合、EEPROM
プログラミングロジックを抑止するように改変された回
路とを含む。
【0049】本発明の装置は、前記EEPROMプログ
ラミング電圧が少なくとも前記所望の電圧レベルでない
場合、電子システムを警告するための警告信号をさらに
含んでもよい。
ラミング電圧が少なくとも前記所望の電圧レベルでない
場合、電子システムを警告するための警告信号をさらに
含んでもよい。
【0050】本発明の装置は、前記EEPROMプログ
ラミング電圧を決定するための前記回路が、前記所望の
電圧レベルの基準電圧入力を有する電圧コンパレータで
あってもよい。
ラミング電圧を決定するための前記回路が、前記所望の
電圧レベルの基準電圧入力を有する電圧コンパレータで
あってもよい。
【0051】本発明の装置は、前記EEPROMプログ
ラミング電圧を決定するための前記回路が、アナログ−
デジタルコンバータおよびそれに接続されたプロセッサ
であってもよい。
ラミング電圧を決定するための前記回路が、アナログ−
デジタルコンバータおよびそれに接続されたプロセッサ
であってもよい。
【0052】本発明の装置は、バッテリ電源に接続され
るようにさらに改変されてもよい。
るようにさらに改変されてもよい。
【0053】本発明のシステムは、前記チャージポンプ
をイネーブルするための前記ロジックが、ソフトウェア
プログラムによって制御される前記プロセッサであって
もよい。
をイネーブルするための前記ロジックが、ソフトウェア
プログラムによって制御される前記プロセッサであって
もよい。
【0054】本発明のシステムは、前記チャージポンプ
をイネーブルするための前記ロジックが、アプリケーシ
ョン特定回路ロジックであってもよい。
をイネーブルするための前記ロジックが、アプリケーシ
ョン特定回路ロジックであってもよい。
【0055】本発明のシステムは、前記アプリケーショ
ン特定回路ロジックがファームウェアによって制御され
てもよい。
ン特定回路ロジックがファームウェアによって制御され
てもよい。
【0056】本発明のシステムは、前記チャージポンプ
をイネーブルするための前記ロジックが、ファームウェ
アによって制御される前記プロセッサであってもよい。
をイネーブルするための前記ロジックが、ファームウェ
アによって制御される前記プロセッサであってもよい。
【0057】本発明のシステムは、前記生成されたEE
PROMプログラミング電圧が決定されている間前記チ
ャージポンプに接続されたテストロードをさらに含んで
もよい。
PROMプログラミング電圧が決定されている間前記チ
ャージポンプに接続されたテストロードをさらに含んで
もよい。
【0058】本発明のシステムは、前記EEPROMの
アドレス空間の外側に前記テストロードをアドレッシン
グすることによって前記チャージポンプにテストロード
が接続されてもよい。
アドレス空間の外側に前記テストロードをアドレッシン
グすることによって前記チャージポンプにテストロード
が接続されてもよい。
【0059】本発明のシステムは、前記プロセッサがマ
イクロコントローラコアロジックであってもよい。
イクロコントローラコアロジックであってもよい。
【0060】本発明のシステムは、前記プロセッサがマ
イクロプロセッサであってもよい。
イクロプロセッサであってもよい。
【0061】本発明のシステムは、前記プロセッサが複
数のマイクロプロセッサであってもよい。
数のマイクロプロセッサであってもよい。
【0062】本発明のシステムは、前記プロセッサがデ
ジタル信号プロセッサであってもよい。
ジタル信号プロセッサであってもよい。
【0063】本発明のシステムは、前記プロセッサがデ
ジタルロジックを含んでもよい。
ジタルロジックを含んでもよい。
【0064】本発明のシステムは、前記プロセッサがプ
ログラマブルロジックアレイを含んでもよい。
ログラマブルロジックアレイを含んでもよい。
【0065】本発明のシステムは、前記EEPROMが
フラッシュROMであってもよい。
フラッシュROMであってもよい。
【0066】本発明のシステムは、EEPROMプログ
ラミング電圧を生成するステップが、テストロードを該
生成されたEEPROMプログラミング電圧に印加する
ステップをさらに含んでもよい。
ラミング電圧を生成するステップが、テストロードを該
生成されたEEPROMプログラミング電圧に印加する
ステップをさらに含んでもよい。
【0067】本発明のシステムは、テストロードを印加
する前記ステップが、前記EEPROMのアドレス空間
の外側に前記テストロードをアドレッシングするステッ
プをさらに含んでもよい。
する前記ステップが、前記EEPROMのアドレス空間
の外側に前記テストロードをアドレッシングするステッ
プをさらに含んでもよい。
【0068】本発明の方法は、EEPROMプログラミ
ング電圧を生成するステップが、テストロードを該生成
されたEEPROMプログラミング電圧に印加するステ
ップをさらに含んでもよい。
ング電圧を生成するステップが、テストロードを該生成
されたEEPROMプログラミング電圧に印加するステ
ップをさらに含んでもよい。
【0069】本発明の方法は、EEPROMプログラミ
ング電圧を生成するステップが、テストロードを該生成
されたEEPROMプログラミング電圧に印加するステ
ップをさらに含んでもよい。
ング電圧を生成するステップが、テストロードを該生成
されたEEPROMプログラミング電圧に印加するステ
ップをさらに含んでもよい。
【0070】本発明の方法は、EEPROMプログラミ
ング電圧を生成するステップが、テストロードを該生成
されたEEPROMプログラミング電圧に印加するステ
ップをさらに含んでもよい。
ング電圧を生成するステップが、テストロードを該生成
されたEEPROMプログラミング電圧に印加するステ
ップをさらに含んでもよい。
【0071】本発明の方法は、前記プロセッサがマイク
ロコントローラであってもよい。
ロコントローラであってもよい。
【0072】本発明の電子システムは、電気的消去可能
プログラマブル読み出し専用メモリ(EEPROM)を
有する電子システムであって、EEPROMと、EEP
ROMプログラミングロジックと、テストロードと、E
EPROMプログラミング電圧を生成するためのチャー
ジポンプと、を含み、該生成されたEEPROMプログ
ラミング電圧が所望の値以上であるかどうかを決定する
ために該生成されたEEPROMプログラミング電圧が
測定される場合、該テストロードが該チャージポンプと
接続され、これにより、該生成されたEEPROMプロ
グラミング電圧が該所望の値以上である場合、該EEP
ROMプログラミングロジックは、該EEPROM上で
プログラミング処理を行うようにイネーブルされ、およ
び該生成されたEEPROMプログラミング電圧が該所
望の値より小さい場合、該EEPROMプログラミング
ロジックは、該EEPROM上でプログラミング処理を
行うことを抑止される。
プログラマブル読み出し専用メモリ(EEPROM)を
有する電子システムであって、EEPROMと、EEP
ROMプログラミングロジックと、テストロードと、E
EPROMプログラミング電圧を生成するためのチャー
ジポンプと、を含み、該生成されたEEPROMプログ
ラミング電圧が所望の値以上であるかどうかを決定する
ために該生成されたEEPROMプログラミング電圧が
測定される場合、該テストロードが該チャージポンプと
接続され、これにより、該生成されたEEPROMプロ
グラミング電圧が該所望の値以上である場合、該EEP
ROMプログラミングロジックは、該EEPROM上で
プログラミング処理を行うようにイネーブルされ、およ
び該生成されたEEPROMプログラミング電圧が該所
望の値より小さい場合、該EEPROMプログラミング
ロジックは、該EEPROM上でプログラミング処理を
行うことを抑止される。
【0073】本発明の方法は、電子システム内の電気的
消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ(EEPR
OM)へのソフトプログラミングを防止するための方法
であって、EEPROMプログラミング電圧を生成する
ステップと、該生成されたEEPROMプログラミング
電圧が所望の電圧値以上であるかどうかを決定する場
合、テストロードを該生成されたEEPROMプログラ
ミング電圧を印加するステップと、その場合、該テスト
ロードを印加せずに、EEPROMをプログラミングす
るためのEEPROMプログラミングロジックをイネー
ブルするステップと、そうでない場合、EEPROMの
プログラミングを防止するようにEEPROMプログラ
ミングロジックをディスエーブルするステップとを含
む。
消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ(EEPR
OM)へのソフトプログラミングを防止するための方法
であって、EEPROMプログラミング電圧を生成する
ステップと、該生成されたEEPROMプログラミング
電圧が所望の電圧値以上であるかどうかを決定する場
合、テストロードを該生成されたEEPROMプログラ
ミング電圧を印加するステップと、その場合、該テスト
ロードを印加せずに、EEPROMをプログラミングす
るためのEEPROMプログラミングロジックをイネー
ブルするステップと、そうでない場合、EEPROMの
プログラミングを防止するようにEEPROMプログラ
ミングロジックをディスエーブルするステップとを含
む。
【0074】本発明の方法は、電子システム内の電気的
消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ(EEPR
OM)をプログラミングするための方法であって、チャ
ージポンプをスイッチオンすることによってEEPRO
Mプログラミング電圧を生成するステップと、該生成さ
れたEEPROMプログラミング電圧が所望の電圧値以
上であるかどうかを決定する場合、テストロードを該生
成されたEEPROMプログラミング電圧を印加するス
テップと、その場合、該チャージポンプをオフにし、そ
して該電子システムの通常処理を継続するステップと、
そうでない場合、該チャージポンプをオフにし、そして
生成された低いEEPROMプログラミング電圧の該電
子システムを警告するステップとを含む。
消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ(EEPR
OM)をプログラミングするための方法であって、チャ
ージポンプをスイッチオンすることによってEEPRO
Mプログラミング電圧を生成するステップと、該生成さ
れたEEPROMプログラミング電圧が所望の電圧値以
上であるかどうかを決定する場合、テストロードを該生
成されたEEPROMプログラミング電圧を印加するス
テップと、その場合、該チャージポンプをオフにし、そ
して該電子システムの通常処理を継続するステップと、
そうでない場合、該チャージポンプをオフにし、そして
生成された低いEEPROMプログラミング電圧の該電
子システムを警告するステップとを含む。
【0075】本発明の方法は、前記電子システムの通常
処理を継続する前記ステップの後で、前記テストロード
を印加せずに、前記EEPROMプログラミング電圧を
生成するための前記チャージポンプをスイッチオンする
ステップと、前記EEPROMをプログラミングするス
テップと、をさらに含んでもよい。
処理を継続する前記ステップの後で、前記テストロード
を印加せずに、前記EEPROMプログラミング電圧を
生成するための前記チャージポンプをスイッチオンする
ステップと、前記EEPROMをプログラミングするス
テップと、をさらに含んでもよい。
【0076】本発明の方法は、電子システム内の電気的
消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ(EEPR
OM)をプログラミングするための方法であって、
(a)チャージポンプをスイッチオンすることによって
EEPROMプログラミング電圧を生成するステップ
と、(b)該生成されたEEPROMプログラミング電
圧が所望の電圧値以上であるかどうかを決定する場合、
テストロードを該生成されたEEPROMプログラミン
グ電圧を印加するステップと、(c)該生成されたEE
PROMプログラミング電圧が所望の電圧値以上である
場合、該EEPROMに1つのプログラミング処理を行
い、そして次いで該EEPROMに対するすべての待ち
状態のプログラミング処理が終了するまでステップ
(b)に戻るステップと、(d)そうでない場合、該チ
ャージポンプをオフにし、そして生成された低いEEP
ROMプログラミング電圧の該電子システムを警告する
ステップとを含む。
消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ(EEPR
OM)をプログラミングするための方法であって、
(a)チャージポンプをスイッチオンすることによって
EEPROMプログラミング電圧を生成するステップ
と、(b)該生成されたEEPROMプログラミング電
圧が所望の電圧値以上であるかどうかを決定する場合、
テストロードを該生成されたEEPROMプログラミン
グ電圧を印加するステップと、(c)該生成されたEE
PROMプログラミング電圧が所望の電圧値以上である
場合、該EEPROMに1つのプログラミング処理を行
い、そして次いで該EEPROMに対するすべての待ち
状態のプログラミング処理が終了するまでステップ
(b)に戻るステップと、(d)そうでない場合、該チ
ャージポンプをオフにし、そして生成された低いEEP
ROMプログラミング電圧の該電子システムを警告する
ステップとを含む。
【0077】本発明の方法は、電子システム内の電気的
消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ(EEPR
OM)をプログラミングするための方法であって、
(a)チャージポンプをスイッチオンすることによって
EEPROMプログラミング電圧を生成するステップ
と、(b)該生成されたEEPROMプログラミング電
圧が所望の電圧値以上であるかどうかを決定する場合、
テストロードを該生成されたEEPROMプログラミン
グ電圧を印加するステップと、(c)該生成されたEE
PROMプログラミング電圧が所望の電圧値以上である
場合、該EEPROMに複数のプログラミング処理を行
うステップと、(d)そうでない場合、該チャージポン
プをオフにし、そして生成された低いEEPROMプロ
グラミング電圧の該電子システムを警告するステップと
を含む。
消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ(EEPR
OM)をプログラミングするための方法であって、
(a)チャージポンプをスイッチオンすることによって
EEPROMプログラミング電圧を生成するステップ
と、(b)該生成されたEEPROMプログラミング電
圧が所望の電圧値以上であるかどうかを決定する場合、
テストロードを該生成されたEEPROMプログラミン
グ電圧を印加するステップと、(c)該生成されたEE
PROMプログラミング電圧が所望の電圧値以上である
場合、該EEPROMに複数のプログラミング処理を行
うステップと、(d)そうでない場合、該チャージポン
プをオフにし、そして生成された低いEEPROMプロ
グラミング電圧の該電子システムを警告するステップと
を含む。
【0078】本発明の装置は、電気的消去可能プログラ
マブル読み出し専用メモリ(EEPROM)へのソフト
プログラミングを防止するための装置であって、EEP
ROMプログラミング電圧を生成するためのチャージポ
ンプと、該生成されたEEPROMプログラミング電圧
が少なくとも所望の電圧レベルであるかどうかを決定す
るための回路と、該生成されたEEPROMプログラミ
ング電圧が少なくとも該所望の電圧レベルであると決定
した場合、該チャージポンプで生成されたEEPROM
プログラミング電圧に接続される、テストロードと、該
EEPROMプログラミング電圧が少なくとも該所望の
電圧レベルでない場合、該EEPROMプログラミング
ロジックを抑止するように改変された回路とを含む。
マブル読み出し専用メモリ(EEPROM)へのソフト
プログラミングを防止するための装置であって、EEP
ROMプログラミング電圧を生成するためのチャージポ
ンプと、該生成されたEEPROMプログラミング電圧
が少なくとも所望の電圧レベルであるかどうかを決定す
るための回路と、該生成されたEEPROMプログラミ
ング電圧が少なくとも該所望の電圧レベルであると決定
した場合、該チャージポンプで生成されたEEPROM
プログラミング電圧に接続される、テストロードと、該
EEPROMプログラミング電圧が少なくとも該所望の
電圧レベルでない場合、該EEPROMプログラミング
ロジックを抑止するように改変された回路とを含む。
【0079】本発明の方法は、前記生成されたEEPR
OMプログラミング電圧が該所望の値以上であると決定
した場合、前記チャージポンプに接続されるテストロー
ドをさらに含んでもよい。
OMプログラミング電圧が該所望の値以上であると決定
した場合、前記チャージポンプに接続されるテストロー
ドをさらに含んでもよい。
【0080】
【発明の実施の形態】本発明は、集積回路マイクロコン
トローラ、マイクロプロセッサ、デジタル信号プロセッ
サなどの電子ロジックおよび制御回路と、EEPROM
と、EEPROMへのデータをプログラミングする論理
回路と、バッテリ電源の電圧レベルEEPROMに信頼
できるプログラミングを行うに十分であることを決定す
る回路とを有するバッテリ駆動型デジタル電子システム
に関する。集積回路マイクロコントローラに電力を供給
するバッテリ電源が、EEPROMに対するプログラミ
ング動作中に必要な電圧レベルを生成するために必要
な、チャージポンプへの電力供給に十分なチャージを有
していない場合、本発明の実施形態は、EEPROMに
対する如何なるプログラミング動作をも阻止し、それに
より、EEPROMに発生する可能性のある「ソフトプ
ログラミング」を防止する。本発明は特に、セキュリテ
ィおよび産業制御システムにおける適用などの、信頼性
のあるデータ格納を必要とする適用において有用であ
る。
トローラ、マイクロプロセッサ、デジタル信号プロセッ
サなどの電子ロジックおよび制御回路と、EEPROM
と、EEPROMへのデータをプログラミングする論理
回路と、バッテリ電源の電圧レベルEEPROMに信頼
できるプログラミングを行うに十分であることを決定す
る回路とを有するバッテリ駆動型デジタル電子システム
に関する。集積回路マイクロコントローラに電力を供給
するバッテリ電源が、EEPROMに対するプログラミ
ング動作中に必要な電圧レベルを生成するために必要
な、チャージポンプへの電力供給に十分なチャージを有
していない場合、本発明の実施形態は、EEPROMに
対する如何なるプログラミング動作をも阻止し、それに
より、EEPROMに発生する可能性のある「ソフトプ
ログラミング」を防止する。本発明は特に、セキュリテ
ィおよび産業制御システムにおける適用などの、信頼性
のあるデータ格納を必要とする適用において有用であ
る。
【0081】図面を参照すると、本発明の好適な実施形
態の詳細が模式的に示されている。図中、同様の要素は
同様の参照符号で示され、類似の要素は、同様の参照符
号に異なる下付き文字をつけたもので示されている。
態の詳細が模式的に示されている。図中、同様の要素は
同様の参照符号で示され、類似の要素は、同様の参照符
号に異なる下付き文字をつけたもので示されている。
【0082】図1および図1Aを参照すると、本発明の
実施形態による電子システムの模式的ブロック図が示さ
れている。集積回路マイクロコントローラなどの電子シ
ステムが概して参照符号100で示されている。集積回
路マイクロコントローラは、マイクロコントローラコア
ロジック102と、入力/出力インターフェース(I/
O)104と、読出し専用メモリ(ROM)108と、
ランダム書込み読出しメモリ(RAM)110と、電気
的消去可能プログラマブル読出し専用メモリ(EEPR
OM)112と、EEPROMプログラミングロジック
114と、チャージポンプ116と、アナログ−デジタ
ルコンバータ(ADC)118または電圧コンパレータ
118a(図1A)とを含む。さらに、チャージポンプ
116ロードのテスト中にチャージポンプ116のロー
ディングを行うために、チャージポンプロード122が
含まれ得る。EEPROM112、RAM110、およ
び/またはROM108は、集積回路マイクロコントロ
ーラ100の一部であってもよいし、異なる集積回路
(単数または複数)内にあってもよい。
実施形態による電子システムの模式的ブロック図が示さ
れている。集積回路マイクロコントローラなどの電子シ
ステムが概して参照符号100で示されている。集積回
路マイクロコントローラは、マイクロコントローラコア
ロジック102と、入力/出力インターフェース(I/
O)104と、読出し専用メモリ(ROM)108と、
ランダム書込み読出しメモリ(RAM)110と、電気
的消去可能プログラマブル読出し専用メモリ(EEPR
OM)112と、EEPROMプログラミングロジック
114と、チャージポンプ116と、アナログ−デジタ
ルコンバータ(ADC)118または電圧コンパレータ
118a(図1A)とを含む。さらに、チャージポンプ
116ロードのテスト中にチャージポンプ116のロー
ディングを行うために、チャージポンプロード122が
含まれ得る。EEPROM112、RAM110、およ
び/またはROM108は、集積回路マイクロコントロ
ーラ100の一部であってもよいし、異なる集積回路
(単数または複数)内にあってもよい。
【0083】マイクロコントローラコアロジック102
は、センサ入力情報を受け取り、集積回路パッケージ
(図示せず)のI/Oピンにも接続されているI/O1
04を介して外部デバイスを制御する。マイクロコント
ローラコアロジック102は、ROM108、RAM1
10、およびEEPROM116からのプログラムおよ
びデータ情報をデータおよびアドレスバス106を介し
て読み出す。マイクロコントローラコアロジック102
はさらに、RAM110に対するデータ情報をプログラ
ムし、EEPROM112へのデータ情報のプログラミ
ングを制御する。情報はRAM110内に格納され得る
が、揮発性である。すなわち、電力供給が切られると情
報は失われる。ROM108は、製造時に生成されてフ
ィールド内でも集積回路マイクロコントローラ100の
動作中にも変更され得ないプログラム命令とデータ情報
とを含む。
は、センサ入力情報を受け取り、集積回路パッケージ
(図示せず)のI/Oピンにも接続されているI/O1
04を介して外部デバイスを制御する。マイクロコント
ローラコアロジック102は、ROM108、RAM1
10、およびEEPROM116からのプログラムおよ
びデータ情報をデータおよびアドレスバス106を介し
て読み出す。マイクロコントローラコアロジック102
はさらに、RAM110に対するデータ情報をプログラ
ムし、EEPROM112へのデータ情報のプログラミ
ングを制御する。情報はRAM110内に格納され得る
が、揮発性である。すなわち、電力供給が切られると情
報は失われる。ROM108は、製造時に生成されてフ
ィールド内でも集積回路マイクロコントローラ100の
動作中にも変更され得ないプログラム命令とデータ情報
とを含む。
【0084】EEPROMプログラミングロジック11
4をイネーブルにすることにより特定のEEPROMメ
モリセルにロジック1またはロジック0を格納させ、そ
のことにより、フィールドインストレーション中または
動作中にEEPROM112への書き込みが行われ得
る。EEPROM112に対して情報のプログラミング
を行うためには、通常の動作中におけるよりも高い電圧
が用いられる。チャージポンプ116は、EEPROM
112のプログラミングに必要な電圧レベルを生成す
る。しかし、例えばバッテリ120から来るがバッテリ
120から来ることには限定されない電源電圧がチャー
ジポンプ116の適切な動作にとって十分でない場合、
すなわち、適切なプログラミング動作にとって適切な電
圧レベルがチャージポンプ116によって生成されない
場合、または書込み動作中に減衰する場合、問題があ
る。
4をイネーブルにすることにより特定のEEPROMメ
モリセルにロジック1またはロジック0を格納させ、そ
のことにより、フィールドインストレーション中または
動作中にEEPROM112への書き込みが行われ得
る。EEPROM112に対して情報のプログラミング
を行うためには、通常の動作中におけるよりも高い電圧
が用いられる。チャージポンプ116は、EEPROM
112のプログラミングに必要な電圧レベルを生成す
る。しかし、例えばバッテリ120から来るがバッテリ
120から来ることには限定されない電源電圧がチャー
ジポンプ116の適切な動作にとって十分でない場合、
すなわち、適切なプログラミング動作にとって適切な電
圧レベルがチャージポンプ116によって生成されない
場合、または書込み動作中に減衰する場合、問題があ
る。
【0085】典型的には、チャージポンプによって生成
される電圧は、バッテリ120の電圧に比例する。バッ
テリ120のチャージがチャージポンプのロードにとっ
て不適であるとき、チャージポンプはEEPROM11
2を適切にプログラミングするための適切な電圧レベル
を生成しない。実際のチャージポンプのローディングな
しに「低電圧」状態のためのバッテリ120の電圧を測
定することにより、バッテリ120は十分なチャージを
有するが、プログラミング動作が起こると、バッテリ電
圧はチャージポンプ116のロード下において降下し、
必要な電圧よりも低い電圧が生成され得、その結果、E
EPROM112メモリセルのソフトプログラミングが
起こることが示される。過去の動作に基づいてバッテリ
120の状態を予測することによってさえも、将来適切
なEEPROM112のプログラミング動作をするため
には不適切に充電されたバッテリ120は検出され得な
い。バッテリ120が本発明の実施形態の制御およびテ
ストロジックを適切に行うために十分なチャージを有し
ていることを確実にするために、実際のバッテリ電圧の
低電圧チェックが行われ得る。
される電圧は、バッテリ120の電圧に比例する。バッ
テリ120のチャージがチャージポンプのロードにとっ
て不適であるとき、チャージポンプはEEPROM11
2を適切にプログラミングするための適切な電圧レベル
を生成しない。実際のチャージポンプのローディングな
しに「低電圧」状態のためのバッテリ120の電圧を測
定することにより、バッテリ120は十分なチャージを
有するが、プログラミング動作が起こると、バッテリ電
圧はチャージポンプ116のロード下において降下し、
必要な電圧よりも低い電圧が生成され得、その結果、E
EPROM112メモリセルのソフトプログラミングが
起こることが示される。過去の動作に基づいてバッテリ
120の状態を予測することによってさえも、将来適切
なEEPROM112のプログラミング動作をするため
には不適切に充電されたバッテリ120は検出され得な
い。バッテリ120が本発明の実施形態の制御およびテ
ストロジックを適切に行うために十分なチャージを有し
ていることを確実にするために、実際のバッテリ電圧の
低電圧チェックが行われ得る。
【0086】本発明の実施形態は、マイクロコントロー
ラコアロジック102がチャージポンプ116のオンオ
フを独立して制御することを可能にし、ADC118を
用いて、チャージポンプ116からの電圧レベル値をモ
ニタ(読み取り)して、マイクロコントローラコアロジ
ック102に対してチャージポンプ電圧レベル値をデジ
タルフォーマットで利用可能にする。ADC118より
前にアナログマルチプレクサ(図示せず)を用いること
によって、ADC118を集積回路マイクロコントロー
ラ100内において他の目的で使用することができる。
図1において、ADC118の代わりに電圧比較器11
8aを用いている。比較器118aの基準電圧は、集積
回路の製造時に固定されてもよいし、あるいは、この基
準電圧は、マイクロコントローラコアロジック102に
よって所望の値にプログラムされてもよい(図示せ
ず)。
ラコアロジック102がチャージポンプ116のオンオ
フを独立して制御することを可能にし、ADC118を
用いて、チャージポンプ116からの電圧レベル値をモ
ニタ(読み取り)して、マイクロコントローラコアロジ
ック102に対してチャージポンプ電圧レベル値をデジ
タルフォーマットで利用可能にする。ADC118より
前にアナログマルチプレクサ(図示せず)を用いること
によって、ADC118を集積回路マイクロコントロー
ラ100内において他の目的で使用することができる。
図1において、ADC118の代わりに電圧比較器11
8aを用いている。比較器118aの基準電圧は、集積
回路の製造時に固定されてもよいし、あるいは、この基
準電圧は、マイクロコントローラコアロジック102に
よって所望の値にプログラムされてもよい(図示せ
ず)。
【0087】チャージポンプ116がマイクロコントロ
ーラコアロジック102によって独立して制御でき、チ
ャージポンプ116によって生成される出力電圧をモニ
タできる場合、EEPROM112に対する何らかのプ
ログラム処理を行おうとする前に、バッテリ120の充
電条件のより現実的な決定を行うことができる。チャー
ジポンプ116によって生成される電圧レベルがEEP
ROM112に対するプログラム処理に対して適切であ
るという決定をした後、本発明の実施形態によって、プ
ログラム処理を進めることができる。チャージポンプ1
16によって生成される電圧レベルがEEPROM11
2に対するプログラム処理に対して適切でない(例え
ば、バッテリ120が、チャージポンプ116ロード条
件の下で十分な残留チャージを有していない)場合、マ
イクロコントローラコアロジック102は、警告を発し
たり、EEPROM112に対するそれ以上のプログラ
ム処理を禁止したり、全システムをシャットダウンした
りし得る。本発明の実施形態は、マイクロコントローラ
100およびソフトウェアプログラムを通して、ハード
ウェアロジックコントローラによって、あるいは両者の
組み合わせ(ROM108に埋め込まれたファームウェ
ア)によって制御され得る。
ーラコアロジック102によって独立して制御でき、チ
ャージポンプ116によって生成される出力電圧をモニ
タできる場合、EEPROM112に対する何らかのプ
ログラム処理を行おうとする前に、バッテリ120の充
電条件のより現実的な決定を行うことができる。チャー
ジポンプ116によって生成される電圧レベルがEEP
ROM112に対するプログラム処理に対して適切であ
るという決定をした後、本発明の実施形態によって、プ
ログラム処理を進めることができる。チャージポンプ1
16によって生成される電圧レベルがEEPROM11
2に対するプログラム処理に対して適切でない(例え
ば、バッテリ120が、チャージポンプ116ロード条
件の下で十分な残留チャージを有していない)場合、マ
イクロコントローラコアロジック102は、警告を発し
たり、EEPROM112に対するそれ以上のプログラ
ム処理を禁止したり、全システムをシャットダウンした
りし得る。本発明の実施形態は、マイクロコントローラ
100およびソフトウェアプログラムを通して、ハード
ウェアロジックコントローラによって、あるいは両者の
組み合わせ(ROM108に埋め込まれたファームウェ
ア)によって制御され得る。
【0088】バッテリ以外の図1に開示される全ての回
路および機能が1つ以上の集積回路内に含まれ得ること
が想起されており、これは本発明の範囲内である。本発
明の好適な実施形態は、例示的な目的で、1つの集積回
路を含むものとして記載されているが、エレクトロニク
スの当業者でれば、本発明の実施形態が、これには限定
されないが例えばプリント配線または回路基板のような
一般的な配線基板を用いて互いに接続された異なる集積
回路パッケージに製造された複数の回路の組み合わせに
も同様に適用可能であることを容易に理解する。
路および機能が1つ以上の集積回路内に含まれ得ること
が想起されており、これは本発明の範囲内である。本発
明の好適な実施形態は、例示的な目的で、1つの集積回
路を含むものとして記載されているが、エレクトロニク
スの当業者でれば、本発明の実施形態が、これには限定
されないが例えばプリント配線または回路基板のような
一般的な配線基板を用いて互いに接続された異なる集積
回路パッケージに製造された複数の回路の組み合わせに
も同様に適用可能であることを容易に理解する。
【0089】次に図2および図2Aを参照して、互いに
独立かつ分離した、チャージポンプ電圧チェックおよび
プログラム処理を有する本発明の実施形態の模式ロジッ
クフロー図を示す。ステップ202において、マイクロ
コントローラコアロジック102によってリセットまた
は初期化が行われる。ステップ204において、マイク
ロコントローラコアロジック102は、チャージポンプ
116をオンに切り替えさせ、これにより、バッテリ1
20に負荷をかける。あるいは、テストロード(図1の
チャージポンプロード122)をステップ216におい
てチャージポンプに接続し、これにより、実際のEEP
ROM112プログラム処理と同じロードを形成するこ
とも可能である。これは、例えば、ロード122をチャ
ージポンプ116の出力に切り替えることによって、ま
たは、メモリ空間内におけるEEPROMアドレス範囲
外のアドレスを与えることによって、ロード122を、
ちょうどEEPROMセルのようにプログラム用にアク
セス可能にすることによって達成され得るが、これらに
限定はされない。
独立かつ分離した、チャージポンプ電圧チェックおよび
プログラム処理を有する本発明の実施形態の模式ロジッ
クフロー図を示す。ステップ202において、マイクロ
コントローラコアロジック102によってリセットまた
は初期化が行われる。ステップ204において、マイク
ロコントローラコアロジック102は、チャージポンプ
116をオンに切り替えさせ、これにより、バッテリ1
20に負荷をかける。あるいは、テストロード(図1の
チャージポンプロード122)をステップ216におい
てチャージポンプに接続し、これにより、実際のEEP
ROM112プログラム処理と同じロードを形成するこ
とも可能である。これは、例えば、ロード122をチャ
ージポンプ116の出力に切り替えることによって、ま
たは、メモリ空間内におけるEEPROMアドレス範囲
外のアドレスを与えることによって、ロード122を、
ちょうどEEPROMセルのようにプログラム用にアク
セス可能にすることによって達成され得るが、これらに
限定はされない。
【0090】チャージポンプ116によって生成される
電圧レベルは、ステップ206においてチェックされ、
所望の電圧値以上である場合、チャージポンプ116を
ステップ212においてオフにし(テストロードはステ
ップ218において切断する)、これにより、システム
は、ステップ214におけるEEPROM112に対す
る通常のプログラム処理へと進む準備状態になる。しか
し、チャージポンプ116によって生成される電圧レベ
ルが所望の電圧値未満であったなら、チャージポンプ1
16をステップ208においてオフにし(テストロード
はステップ218において切断する)、これにより、シ
ステムは、ステップ210においてシャットダウンされ
る。あるいは、EEPROM112に対してプログラム
処理を行おうとした場合に、システムがこれに対して警
告を発したり、これを禁止したりしてもよいことが想起
されており、これは本発明の範囲内である。
電圧レベルは、ステップ206においてチェックされ、
所望の電圧値以上である場合、チャージポンプ116を
ステップ212においてオフにし(テストロードはステ
ップ218において切断する)、これにより、システム
は、ステップ214におけるEEPROM112に対す
る通常のプログラム処理へと進む準備状態になる。しか
し、チャージポンプ116によって生成される電圧レベ
ルが所望の電圧値未満であったなら、チャージポンプ1
16をステップ208においてオフにし(テストロード
はステップ218において切断する)、これにより、シ
ステムは、ステップ210においてシャットダウンされ
る。あるいは、EEPROM112に対してプログラム
処理を行おうとした場合に、システムがこれに対して警
告を発したり、これを禁止したりしてもよいことが想起
されており、これは本発明の範囲内である。
【0091】EEPROM112に対する通常のプログ
ラム処理は、チャージポンプをステップ224において
オンにして(図2A)、ステップ226において情報を
EEPROM112に書き込ませる。情報をプログラム
した後、システムは、ステップ228において次のタス
クに戻る。一回のプログラム処理を行って、その後で、
上記のようにチャージポンプ出力電圧レベルをテストし
てもよいこと、あるいは、チャージポンプ出力電圧をテ
ストする前に一連のプログラム処理を行ってもよいこと
が想起されており、これは本発明の範囲内である。マイ
クロコントローラコアロジック102は、チャージポン
プ116の処理を独立に制御し、その出力電圧レベルを
モニタし、これにより、ソフトウェア制御、ハードウェ
ア制御、またはその組み合わせの制御の下で、任意のア
ルゴリズムまたはその組み合わせを実現することができ
る。
ラム処理は、チャージポンプをステップ224において
オンにして(図2A)、ステップ226において情報を
EEPROM112に書き込ませる。情報をプログラム
した後、システムは、ステップ228において次のタス
クに戻る。一回のプログラム処理を行って、その後で、
上記のようにチャージポンプ出力電圧レベルをテストし
てもよいこと、あるいは、チャージポンプ出力電圧をテ
ストする前に一連のプログラム処理を行ってもよいこと
が想起されており、これは本発明の範囲内である。マイ
クロコントローラコアロジック102は、チャージポン
プ116の処理を独立に制御し、その出力電圧レベルを
モニタし、これにより、ソフトウェア制御、ハードウェ
ア制御、またはその組み合わせの制御の下で、任意のア
ルゴリズムまたはその組み合わせを実現することができ
る。
【0092】図3を参照して、本発明の別の実施形態の
模式的ロジックフローチャートを示す。本実施形態で
は、各プログラミング処理の前にチャージポンプ電圧が
チェックされる。ステップ202では、マイクロコント
ローラのコアロジック102により、リセットまたは初
期化が行われる。ステップ204では、マイクロコント
ローラコアロジック102により、チャージポンプ11
6がスイッチオンされ、これにより、バッテリ120に
負荷がかけられる。さらに、ステップ216(図2)
で、EEPROM112プログラミングロードをシミュ
レートするために、チャージポンプの出力にテストロー
ドが接続されてもよい。チャージポンプ116により生
成された電圧レベルは、ステップ206でチェックさ
れ、所望の電圧値以上の場合、EEPROM112に対
する単一のプログラミング処理がステップ314におい
てイネーブルされる。ステップ316では、EEPRO
M112に対してさらなるプログラミング処理がペンデ
ィングとなっているかどうかを判断する。
模式的ロジックフローチャートを示す。本実施形態で
は、各プログラミング処理の前にチャージポンプ電圧が
チェックされる。ステップ202では、マイクロコント
ローラのコアロジック102により、リセットまたは初
期化が行われる。ステップ204では、マイクロコント
ローラコアロジック102により、チャージポンプ11
6がスイッチオンされ、これにより、バッテリ120に
負荷がかけられる。さらに、ステップ216(図2)
で、EEPROM112プログラミングロードをシミュ
レートするために、チャージポンプの出力にテストロー
ドが接続されてもよい。チャージポンプ116により生
成された電圧レベルは、ステップ206でチェックさ
れ、所望の電圧値以上の場合、EEPROM112に対
する単一のプログラミング処理がステップ314におい
てイネーブルされる。ステップ316では、EEPRO
M112に対してさらなるプログラミング処理がペンデ
ィングとなっているかどうかを判断する。
【0093】ペンディング中のプログラミング処理がさ
らに存在する場合、本実施形態では、EEPROM11
2に対する別のプログラミング処理をイネーブルする前
に、チャージポンプ116の出力から電圧レベルをチェ
ックする。この方法では、EEPROM112に対する
任意のプログラミング処理が許可される前に、チャージ
ポンプ116からの出力電圧レベルが予備決定(pre
−qualified)される。さらに、本実施形態で
は、いったんチャージポンプがイネーブルされプログラ
ミング電圧がそれによって生成されれば、追加の電圧チ
ェックを行う必要なくプログラミング処理が即座に開始
され得るので、時間およびバッテリ電力を節減できる。
らに存在する場合、本実施形態では、EEPROM11
2に対する別のプログラミング処理をイネーブルする前
に、チャージポンプ116の出力から電圧レベルをチェ
ックする。この方法では、EEPROM112に対する
任意のプログラミング処理が許可される前に、チャージ
ポンプ116からの出力電圧レベルが予備決定(pre
−qualified)される。さらに、本実施形態で
は、いったんチャージポンプがイネーブルされプログラ
ミング電圧がそれによって生成されれば、追加の電圧チ
ェックを行う必要なくプログラミング処理が即座に開始
され得るので、時間およびバッテリ電力を節減できる。
【0094】しかしながら、チャージポンプ116によ
り生成される電圧レベルが、任意のプログラミング処理
前またはプログラム処理間の所望の電圧レベルよりも低
い場合、ステップ208でチャージポンプ116がスイ
ッチオフされ、ステップ210でシステムがシャットダ
ウンされる。また、本システムでは、代わりに、EEP
ROM112に対するプログラミング処理の任意の試み
を警告または禁止し得ることが想定され、これは本発明
の範囲内である。
り生成される電圧レベルが、任意のプログラミング処理
前またはプログラム処理間の所望の電圧レベルよりも低
い場合、ステップ208でチャージポンプ116がスイ
ッチオフされ、ステップ210でシステムがシャットダ
ウンされる。また、本システムでは、代わりに、EEP
ROM112に対するプログラミング処理の任意の試み
を警告または禁止し得ることが想定され、これは本発明
の範囲内である。
【0095】図4を参照して、本発明のさらに別の実施
形態の模式的ロジックフローチャートを示す。本実施形
態は、まず荷電電圧をチェックした後で複数のプログラ
ミング処理を有する。ステップ202では、マイクロコ
ントローラのコアロジック102により、リセットまた
は初期化が行われる。ステップ204では、マイクロコ
ントローラコアロジック102により、チャージポンプ
116がスイッチオンされ、これにより、バッテリ12
0に負荷がかけられる。さらに、ステップ216(図
2)で、EEPROM112のプログラミング処理ロー
ドをシミュレートするために、チャージポンプの出力に
テストロードが接続されてもよい。チャージポンプ11
6により生成された電圧レベルは、ステップ206でチ
ェックされ、所望の電圧値以上の場合、EEPROM1
12に対する(1つ以上の)プログラミング処理がステ
ップ414においてイネーブルされる。
形態の模式的ロジックフローチャートを示す。本実施形
態は、まず荷電電圧をチェックした後で複数のプログラ
ミング処理を有する。ステップ202では、マイクロコ
ントローラのコアロジック102により、リセットまた
は初期化が行われる。ステップ204では、マイクロコ
ントローラコアロジック102により、チャージポンプ
116がスイッチオンされ、これにより、バッテリ12
0に負荷がかけられる。さらに、ステップ216(図
2)で、EEPROM112のプログラミング処理ロー
ドをシミュレートするために、チャージポンプの出力に
テストロードが接続されてもよい。チャージポンプ11
6により生成された電圧レベルは、ステップ206でチ
ェックされ、所望の電圧値以上の場合、EEPROM1
12に対する(1つ以上の)プログラミング処理がステ
ップ414においてイネーブルされる。
【0096】本実施形態では、チャージポンプ116の
出力からの電圧が所望の電圧以上であることがいったん
チェックされれば、所望のプログラミング電圧のための
リセットを伴わずに任意の数のプログラミング処理が即
座に開始され得る。本実施態様はまた、いったんチャー
ジポンプがイネーブルされ、それによりプログラム電圧
が生成するために時間およびバッテリパワーを節減する
ため、多重プログラミング処理が、所望のプログラミン
グ電圧に対して再テストする必要なく速やかに進行し得
る。
出力からの電圧が所望の電圧以上であることがいったん
チェックされれば、所望のプログラミング電圧のための
リセットを伴わずに任意の数のプログラミング処理が即
座に開始され得る。本実施態様はまた、いったんチャー
ジポンプがイネーブルされ、それによりプログラム電圧
が生成するために時間およびバッテリパワーを節減する
ため、多重プログラミング処理が、所望のプログラミン
グ電圧に対して再テストする必要なく速やかに進行し得
る。
【0097】しかしながら、チャージポンプ116によ
り生成される電圧レベルが、任意のプログラミング処理
を開始する前の所望の電圧レベルよりも低い場合、ステ
ップ208でチャージポンプ116がスイッチオフさ
れ、ステップ210でシステムがシャットダウンされ
る。また、本システムでは、代わりに、EEPROM1
12に対するプログラミング処理の任意の試みを警告ま
たは禁止し得ることが想定され、これは本発明の範囲内
である。
り生成される電圧レベルが、任意のプログラミング処理
を開始する前の所望の電圧レベルよりも低い場合、ステ
ップ208でチャージポンプ116がスイッチオフさ
れ、ステップ210でシステムがシャットダウンされ
る。また、本システムでは、代わりに、EEPROM1
12に対するプログラミング処理の任意の試みを警告ま
たは禁止し得ることが想定され、これは本発明の範囲内
である。
【0098】従って、本発明は、上述の課題を実施しそ
の目的および利点を獲得するためのみでなく、本質的な
他の目的および利点にも十分適応する。本発明を、本発
明の特定の好適な実施形態を参照して図示説明し、定義
したが、このような参照は本発明の限定を意味するもの
ではなく、そのような限定が推論されることはない。本
発明では、形式および機能において、当該分野で通常の
知識を有する者が想到するかなりの改変、変更、および
等価物が可能である。図示説明した本発明の好適な実施
形態は例示目的のみであり、本発明の範囲を網羅するも
のではない。従って、本発明は、すべての点において等
価物を完全に網羅する添付の特許請求の範囲の精神およ
び範囲によってのみ限定されることを意図する。
の目的および利点を獲得するためのみでなく、本質的な
他の目的および利点にも十分適応する。本発明を、本発
明の特定の好適な実施形態を参照して図示説明し、定義
したが、このような参照は本発明の限定を意味するもの
ではなく、そのような限定が推論されることはない。本
発明では、形式および機能において、当該分野で通常の
知識を有する者が想到するかなりの改変、変更、および
等価物が可能である。図示説明した本発明の好適な実施
形態は例示目的のみであり、本発明の範囲を網羅するも
のではない。従って、本発明は、すべての点において等
価物を完全に網羅する添付の特許請求の範囲の精神およ
び範囲によってのみ限定されることを意図する。
【0099】デジタルプロセッサおよびEEPROMを
含む電子システムは、プログラミング電圧レベルがEE
PROMを確実にプログラミングするのに十分であるか
どうかを決定するための回路ロジックおよびプログラム
ソフトウェアまたはファームウェアを有する。チャージ
ポンプは、イネーブルされ、そしてEEPROMのプロ
グラミングのために使用される電圧を生成する。これに
より、イネーブルされたチャージポンプは、バッテリ電
源をロードする。加えて、テストロードは、チャージポ
ンプの出力に接続されて、EEPROMへのプログラミ
ング処理の間にEEPROMロードをシミュレートし得
る。チャージポンプ出力電圧は、少なくとも所望の電圧
値が得られたかどうかを決定するために測定される。一
旦チャージポンプ電圧レベルが所望の電圧レベルに対し
て予備決定されると、EEPROMへの実際のプログラ
ミング処理が行われ得る。電圧レベルが所望の値に到達
しなければ、プログラミング処理は抑止され、電子シス
テムは、警告するか、または処理をシャットダウンし得
る。チャージポンプ電圧レベルは、実際のEEPROM
プログラミングロード条件下におけるバッテリチャージ
状態の良好な指標および尺度である。
含む電子システムは、プログラミング電圧レベルがEE
PROMを確実にプログラミングするのに十分であるか
どうかを決定するための回路ロジックおよびプログラム
ソフトウェアまたはファームウェアを有する。チャージ
ポンプは、イネーブルされ、そしてEEPROMのプロ
グラミングのために使用される電圧を生成する。これに
より、イネーブルされたチャージポンプは、バッテリ電
源をロードする。加えて、テストロードは、チャージポ
ンプの出力に接続されて、EEPROMへのプログラミ
ング処理の間にEEPROMロードをシミュレートし得
る。チャージポンプ出力電圧は、少なくとも所望の電圧
値が得られたかどうかを決定するために測定される。一
旦チャージポンプ電圧レベルが所望の電圧レベルに対し
て予備決定されると、EEPROMへの実際のプログラ
ミング処理が行われ得る。電圧レベルが所望の値に到達
しなければ、プログラミング処理は抑止され、電子シス
テムは、警告するか、または処理をシャットダウンし得
る。チャージポンプ電圧レベルは、実際のEEPROM
プログラミングロード条件下におけるバッテリチャージ
状態の良好な指標および尺度である。
【0100】
【発明の効果】本発明によって、本発明は、EEPRO
Mおよびデータをこれにプログラムするための論理回路
を有するデジタル電子システムにおいて、プログラミン
グ電圧レベルがEEPROMを信頼性をよくプログラム
するのに充分であると判定するためのシステム、方法、
および装置を提供する。
Mおよびデータをこれにプログラムするための論理回路
を有するデジタル電子システムにおいて、プログラミン
グ電圧レベルがEEPROMを信頼性をよくプログラム
するのに充分であると判定するためのシステム、方法、
および装置を提供する。
【図1】本発明の実施形態による電子システムの概略ブ
ロック図である。
ロック図である。
【図1A】本発明の実施形態による電子システムの概略
ブロック図である。
ブロック図である。
【図2】独立、且つ個別の充電ポンプ電圧チェックを有
する本発明の実施形態、およびプログラミング動作の概
略論理フローチャートである。
する本発明の実施形態、およびプログラミング動作の概
略論理フローチャートである。
【図2A】独立、且つ個別の充電ポンプ電圧チェックを
有する本発明の実施形態、およびプログラミング動作の
概略論理フローチャートである。
有する本発明の実施形態、およびプログラミング動作の
概略論理フローチャートである。
【図3】充電ポンプ電圧が各プログラミング動作の前に
チェックされる、本発明の別の実施形態の概略論理フロ
ーチャートである。
チェックされる、本発明の別の実施形態の概略論理フロ
ーチャートである。
【図4】充電ポンプ電圧の最初のチェック後の複数のプ
ログラミング動作を有する、本発明のさらに別の実施形
態の概略論理フローチャートである。
ログラミング動作を有する、本発明のさらに別の実施形
態の概略論理フローチャートである。
112 EEPROM 116 チャージポンプ 118a 電圧比較器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11C 29/00 673 G11C 17/00 611Z 632Z 632D (72)発明者 ウィレム マーネウェック アメリカ合衆国 アリゾナ 85283, テ ンペ, イー. ミッション ドライブ 950 (72)発明者 メイリン チェン アメリカ合衆国 アリゾナ 85282, テ ンペ, イー. マンハッタン ドライブ 504 (72)発明者 ウィレム スミット アメリカ合衆国 アリゾナ 85248, チ ャンドラー, ウエスト オリオール ウ ェイ 1374
Claims (54)
- 【請求項1】 電気的消去可能プログラマブル読み出し
専用メモリ(EEPROM)を有する電子システムであ
って、 プロセッサと、 EEPROMと、 EEPROMプログラミングロジックと、 EEPROMプログラミング電圧を生成するためのチャ
ージポンプと、を含み、 該チャージポンプによって生成された該EEPROMプ
ログラミング電圧が、該EEPROMプログラミングロ
ジックをイネーブルする前に所望の値であると決定され
るように該チャージポンプをイネーブルするロジックが
構成され、 該生成されたEEPROMプログラミング電圧が該所望
の値以上である場合、該EEPROMプログラミングロ
ジックは、該EEPROM上でプログラミング処理を行
うようにイネーブルされ、 該生成されたEEPROMプログラミング電圧が該所望
の値より小さい場合、該EEPROMプログラミングロ
ジックは、該EEPROM上でプログラミング処理を行
うことを抑止される、電子システム。 - 【請求項2】 バッテリ電源に接続されるようにさらに
改造される、請求項1に記載のシステム。 - 【請求項3】 前記生成されたEEPROMプログラミ
ング電圧が、アナログ/デジタル変換器(ADC)によ
ってアナログ値からデジタル値に変換され、該EEPR
OMプログラミング電圧のデジタル値がその決定のため
の前記プロセッサによって読み出される、請求項1に記
載のシステム。 - 【請求項4】 前記生成されたEEPROMプログラミ
ング電圧がコンパレータによって決定され、該コンパレ
ータにおいては、前記所望の電圧値が該コンパレータに
対する基準電圧であり、該コンパレータは、該生成され
たEEPROMプログラミング電圧が該基準電圧より小
さいか、またはそれ以上かを前記プロセッサに示す、請
求項1に記載のシステム。 - 【請求項5】 前記EEPROMプログラミングロジッ
クは、一旦前記EEPROMプログラミング電圧が前記
所望の値であるとして決定されると、前記EEPROM
上で複数のプログラミング処理を行う、請求項1に記載
のシステム。 - 【請求項6】 前記EEPROMプログラミングロジッ
クは、前記EEPROMプログラミング電圧が前記所望
の値であるとして決定されるごとにその後、前記EEP
ROM上で1つのプログラミング処理を行う、請求項1
に記載のシステム。 - 【請求項7】 ランダムアクセスメモリ(RAM)、読
み出し専用メモリ(ROM)、および前記プロセッサに
接続された入出力(I/O)インターフェース回路をさ
らに含む、請求項1に記載のシステム。 - 【請求項8】 前記プロセッサ、EEPROM、EEP
ROMプログラミングロジック、チャージポンプ、RA
M、ROM、およびI/Oが1つの集積回路上に製造さ
れる、請求項7に記載のシステム。 - 【請求項9】 前記プロセッサ、EEPROM、EEP
ROMプログラミングロジック、チャージポンプ、RA
M、ROM、およびI/Oが複数の集積回路上に製造さ
れる、請求項7に記載のシステム。 - 【請求項10】 前記複数の集積回路が、プリント回路
板およびプリント配線板からなる群から選択される配線
基板と相互接続される、請求項9に記載のシステム。 - 【請求項11】 電子システム内の電気的消去可能プロ
グラマブル読み出し専用メモリ(EEPROM)へのソ
フトプログラミングを防止するための方法であって、 EEPROMプログラミング電圧を生成するステップ
と、 該生成されたEEPROMプログラミング電圧が所望の
電圧値以上であるかどうかを決定するステップと、 その場合、該EEPROMをプログラミングするための
EEPROMプログラミングロジックをイネーブルする
ステップと、 そうでない場合、該EEPROMのプログラミングを防
止するように該EEPROMプログラミングロジックを
ディスエーブルするステップと、を含む方法。 - 【請求項12】 前記EEPROMプログラミング電圧
を生成するステップがチャージポンプを用いて行われ
る、請求項11に記載の方法。 - 【請求項13】 前記生成されたEEPROMプログラ
ミング電圧が前記所望の電圧値以上であるかどうかを決
定するステップが、電圧コンパレータを用いて行われ、
該コンパレータに対する電圧基準が前記所望の電圧値に
等しい、請求項11に記載の方法。 - 【請求項14】 前記生成されたEEPROMプログラ
ミング電圧が前記所望の電圧値以上であるかどうかを決
定する前記ステップが、アナログ/デジタルコンバータ
(ADC)およびプロセッサを用いて行われる、請求項
11に記載の方法。 - 【請求項15】 前記EEPROMプログラミングロジ
ックをイネーブルする前記ステップの後で、該EEPR
OMに1つのプログラミング処理を行うステップをさら
に含む、請求項11に記載の方法。 - 【請求項16】 前記EEPROMプログラミングロジ
ックをイネーブルする前記ステップの後で、該EEPR
OMに複数のプログラミング処理を行うステップをさら
に含む、請求項11に記載の方法。 - 【請求項17】 前記EEPROMに1つのプログラミ
ング処理を行う前記ステップの後で、前記生成されたE
EPROMプログラミング電圧を決定するステップ、前
記EEPROMプログラミングロジックをイネーブルす
るステップ、および1つのプログラミング処理を行うス
テップを、すべてのデータが該EEPROMに書き込ま
れるまで繰り返すステップをさらに含む請求項15に記
載の方法。 - 【請求項18】 電子システム内の電気的消去可能プロ
グラマブル読み出し専用メモリ(EEPROM)をプロ
グラミングするための方法であって、 チャージポンプをスイッチオンすることによってEEP
ROMプログラミング電圧を生成するステップと、 該生成されたEEPROMプログラミング電圧が所望の
電圧値以上であるかどうかを決定するステップと、 その場合、該チャージポンプをオフにし、そして該電子
システムの通常処理を継続するステップと、 そうでない場合、該チャージポンプをオフにし、そして
生成された低いEEPROMプログラミング電圧の該電
子システムを警告するステップと、を含む方法。 - 【請求項19】 前記電子システムの通常処理を継続す
る前記ステップの後で、 前記EEPROMプログラミング電圧を生成するための
前記チャージポンプをスイッチオンするステップと、 前記EEPROMをプログラミングするステップと、を
さらに含む請求項18に記載の方法。 - 【請求項20】 生成された低いEEPROMプログラ
ミング電圧の前記電子システムを警告する前記ステップ
が該電子システムをシャットダウンするステップを含む
請求項18に記載の方法。 - 【請求項21】 電子システム内の電気的消去可能プロ
グラマブル読み出し専用メモリ(EEPROM)をプロ
グラミングするための方法であって、 (a)チャージポンプをスイッチオンすることによって
EEPROMプログラミング電圧を生成するステップ
と、 (b)該生成されたEEPROMプログラミング電圧が
所望の電圧値以上であるかどうかを決定するステップ
と、 (c)その場合、該EEPROMに1つのプログラミン
グ処理を行い、そして次いで該EEPROMに対するす
べての待ち状態のプログラミング処理が終了するまでス
テップ(b)に戻るステップと、 (d)そうでない場合、該チャージポンプをオフにし、
そして生成された低いEEPROMプログラミング電圧
の該電子システムを警告するステップと、を含む方法。 - 【請求項22】 電子システム内の電気的消去可能プロ
グラマブル読み出し専用メモリ(EEPROM)をプロ
グラミングするための方法であって、 (a)チャージポンプをスイッチオンすることによって
EEPROMプログラミング電圧を生成するステップ
と、 (b)該生成されたEEPROMプログラミング電圧が
所望の電圧値以上であるかどうかを決定するステップ
と、 (c)その場合、該EEPROMに対するすべての待ち
状態のプログラミング処理が終了するまで、該EEPR
OMに複数のプログラミング処理を行うステップと、 (d)そうでない場合、該チャージポンプをオフにし、
そして生成された低いEEPROMプログラミング電圧
の該電子システムを警告するステップと、を含む方法。 - 【請求項23】 電気的消去可能プログラマブル読み出
し専用メモリ(EEPROM)へのソフトプログラミン
グを防止するための装置であって、 EEPROMプログラミング電圧を生成するためのチャ
ージポンプと該生成されたEEPROMプログラミング
電圧が少なくとも所望の電圧レベルであるかどうかを決
定するための回路と、 該EEPROMプログラミング電圧が少なくとも該所望
の電圧レベルでない場合、EEPROMプログラミング
ロジックを抑止するように改変された回路と、を含む装
置。 - 【請求項24】 前記EEPROMプログラミング電圧
が少なくとも前記所望の電圧レベルでない場合、電子シ
ステムを警告するための警告信号をさらに含む、請求項
23に記載の装置。 - 【請求項25】 前記EEPROMプログラミング電圧
を決定するための前記回路が、前記所望の電圧レベルの
基準電圧入力を有する電圧コンパレータである、請求項
23に記載の装置。 - 【請求項26】 前記EEPROMプログラミング電圧
を決定するための前記回路が、アナログ−デジタルコン
バータおよびそれに接続されたプロセッサである、請求
項23に記載の装置。 - 【請求項27】 バッテリ電源に接続されるようにさら
に改変された、請求項24に記載の装置。 - 【請求項28】 前記チャージポンプをイネーブルする
ための前記ロジックが、ソフトウェアプログラムによっ
て制御される前記プロセッサである、請求項1に記載の
システム。 - 【請求項29】 前記チャージポンプをイネーブルする
ための前記ロジックが、アプリケーション特定回路ロジ
ックである、請求項1に記載のシステム。 - 【請求項30】 前記アプリケーション特定回路ロジッ
クがファームウェアによって制御される、請求項29に
記載のシステム。 - 【請求項31】 前記チャージポンプをイネーブルする
ための前記ロジックが、ファームウェアによって制御さ
れる前記プロセッサである、請求項1に記載のシステ
ム。 - 【請求項32】 前記生成されたEEPROMプログラ
ミング電圧が決定されている間前記チャージポンプに接
続されたテストロードをさらに含む、請求項1に記載の
システム。 - 【請求項33】 前記EEPROMのアドレス空間の外
側に前記テストロードをアドレッシングすることによっ
て前記チャージポンプにテストロードが接続される、請
求項32に記載のシステム。 - 【請求項34】 前記プロセッサがマイクロコントロー
ラコアロジックである、請求項8に記載のシステム。 - 【請求項35】 前記プロセッサがマイクロプロセッサ
である、請求項1に記載のシステム。 - 【請求項36】 前記プロセッサが複数のマイクロプロ
セッサである、請求項1に記載のシステム。 - 【請求項37】 前記プロセッサがデジタル信号プロセ
ッサである、請求項1に記載のシステム。 - 【請求項38】 前記プロセッサがデジタルロジックを
含む、請求項1に記載のシステム。 - 【請求項39】 前記プロセッサがプログラマブルロジ
ックアレイを含む、請求項1に記載のシステム。 - 【請求項40】 前記EEPROMがフラッシュROM
である、請求項1に記載のシステム。 - 【請求項41】 EEPROMプログラミング電圧を生
成するステップが、テストロードを該生成されたEEP
ROMプログラミング電圧に印加するステップをさらに
含む、請求項11に記載の方法。 - 【請求項42】 テストロードを印加する前記ステップ
が、前記EEPROMのアドレス空間の外側に前記テス
トロードをアドレッシングするステップをさらに含む、
請求項40に記載の方法。 - 【請求項43】 EEPROMプログラミング電圧を生
成するステップが、テストロードを該生成されたEEP
ROMプログラミング電圧に印加するステップをさらに
含む、請求項18に記載の方法。 - 【請求項44】 EEPROMプログラミング電圧を生
成するステップが、テストロードを該生成されたEEP
ROMプログラミング電圧に印加するステップをさらに
含む、請求項21に記載の方法。 - 【請求項45】 EEPROMプログラミング電圧を生
成するステップが、テストロードを該生成されたEEP
ROMプログラミング電圧に印加するステップをさらに
含む、請求項22に記載の方法。 - 【請求項46】 前記プロセッサがマイクロコントロー
ラである、請求項1に記載の方法。 - 【請求項47】 電気的消去可能プログラマブル読み出
し専用メモリ(EEPROM)を有する電子システムで
あって、 EEPROMと、 EEPROMプログラミングロジックと、 テストロードと、 EEPROMプログラミング電圧を生成するためのチャ
ージポンプと、を含み、 該生成されたEEPROMプログラミング電圧が所望の
値以上であるかどうかを決定するために該生成されたE
EPROMプログラミング電圧が測定される場合、該テ
ストロードが該チャージポンプと接続され、これによ
り、 該生成されたEEPROMプログラミング電圧が該所望
の値以上である場合、該EEPROMプログラミングロ
ジックは、該EEPROM上でプログラミング処理を行
うようにイネーブルされ、および該生成されたEEPR
OMプログラミング電圧が該所望の値より小さい場合、
該EEPROMプログラミングロジックは、該EEPR
OM上でプログラミング処理を行うことを抑止される、
電子システム。 - 【請求項48】 電子システム内の電気的消去可能プロ
グラマブル読み出し専用メモリ(EEPROM)へのソ
フトプログラミングを防止するための方法であって、 EEPROMプログラミング電圧を生成するステップ
と、 該生成されたEEPROMプログラミング電圧が所望の
電圧値以上であるかどうかを決定する場合、テストロー
ドを該生成されたEEPROMプログラミング電圧を印
加するステップと、 その場合、該テストロードを印加せずに、EEPROM
をプログラミングするためのEEPROMプログラミン
グロジックをイネーブルするステップと、 そうでない場合、EEPROMのプログラミングを防止
するようにEEPROMプログラミングロジックをディ
スエーブルするステップと、を含む、方法。 - 【請求項49】 電子システム内の電気的消去可能プロ
グラマブル読み出し専用メモリ(EEPROM)をプロ
グラミングするための方法であって、 チャージポンプをスイッチオンすることによってEEP
ROMプログラミング電圧を生成するステップと、 該生成されたEEPROMプログラミング電圧が所望の
電圧値以上であるかどうかを決定する場合、テストロー
ドを該生成されたEEPROMプログラミング電圧を印
加するステップと、 その場合、該チャージポンプをオフにし、そして該電子
システムの通常処理を継続するステップと、 そうでない場合、該チャージポンプをオフにし、そして
生成された低いEEPROMプログラミング電圧の該電
子システムを警告するステップと、を含む、方法。 - 【請求項50】 前記電子システムの通常処理を継続す
る前記ステップの後で、 前記テストロードを印加せずに、前記EEPROMプロ
グラミング電圧を生成するための前記チャージポンプを
スイッチオンするステップと、 前記EEPROMをプログラミングするステップと、を
さらに含む請求項49に記載の方法。 - 【請求項51】 電子システム内の電気的消去可能プロ
グラマブル読み出し専用メモリ(EEPROM)をプロ
グラミングするための方法であって、 (a)チャージポンプをスイッチオンすることによって
EEPROMプログラミング電圧を生成するステップ
と、 (b)該生成されたEEPROMプログラミング電圧が
所望の電圧値以上であるかどうかを決定する場合、テス
トロードを該生成されたEEPROMプログラミング電
圧を印加するステップと、 (c)該生成されたEEPROMプログラミング電圧が
所望の電圧値以上である場合、該EEPROMに1つの
プログラミング処理を行い、そして次いで該EEPRO
Mに対するすべての待ち状態のプログラミング処理が終
了するまでステップ(b)に戻るステップと、 (d)そうでない場合、該チャージポンプをオフにし、
そして生成された低いEEPROMプログラミング電圧
の該電子システムを警告するステップと、を含む、方
法。 - 【請求項52】 電子システム内の電気的消去可能プロ
グラマブル読み出し専用メモリ(EEPROM)をプロ
グラミングするための方法であって、 (a)チャージポンプをスイッチオンすることによって
EEPROMプログラミング電圧を生成するステップ
と、 (b)該生成されたEEPROMプログラミング電圧が
所望の電圧値以上であるかどうかを決定する場合、テス
トロードを該生成されたEEPROMプログラミング電
圧を印加するステップと、 (c)該生成されたEEPROMプログラミング電圧が
所望の電圧値以上である場合、該EEPROMに複数の
プログラミング処理を行うステップと、 (d)そうでない場合、該チャージポンプをオフにし、
そして生成された低いEEPROMプログラミング電圧
の該電子システムを警告するステップと、を含む、方
法。 - 【請求項53】 電気的消去可能プログラマブル読み出
し専用メモリ(EEPROM)へのソフトプログラミン
グを防止するための装置であって、 EEPROMプログラミング電圧を生成するためのチャ
ージポンプと該生成されたEEPROMプログラミング
電圧が少なくとも所望の電圧レベルであるかどうかを決
定するための回路と、 該生成されたEEPROMプログラミング電圧が少なく
とも該所望の電圧レベルであると決定した場合、該チャ
ージポンプで生成されたEEPROMプログラミング電
圧に接続される、テストロードと、 該EEPROMプログラミング電圧が少なくとも該所望
の電圧レベルでない場合、該EEPROMプログラミン
グロジックを抑止するように改変された回路と、を含む
装置。 - 【請求項54】 前記生成されたEEPROMプログラ
ミング電圧が該所望の値以上であると決定した場合、前
記チャージポンプに接続されるテストロードをさらに含
む請求項23に記載の装置。
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US09/405,450 US6166960A (en) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | Method, system and apparatus for determining that a programming voltage level is sufficient for reliably programming an eeprom |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2000291329A Withdrawn JP2001155491A (ja) | 1999-09-24 | 2000-09-25 | プログラミング電圧レベルがeepromの確実な書き込みに十分であるよう決定するための方法、システム、および装置 |
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