JP2001147650A - 電気光学装置用基板およびアクティブマトリクス基板ならびに電気光学装置用基板の検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 迅速かつ確実に欠陥個所を特定でき、安定し
て欠陥検査を行うことができる電気光学装置用基板を提
供する。 【解決手段】 第１のゲート線断線検査過程において
は、第１の左側トランジスタ列の各ゲートに対し、各薄
膜トランジスタをオン状態とする信号を供給し、各薄膜
トランジスタによって導通された２本のゲート線に流れ
る電流値を測定する。第２のゲート線断線検査過程にお
いては、第２の左側トランジスタ列の各ゲートに対し、
各薄膜トランジスタをオン状態とする信号を供給し、各
薄膜トランジスタによって導通された２本のゲート線に
流れる電流値を測定する。次に、第１のゲート線断線検
査過程および第２のゲート線断線検査過程における検査
結果に基づき、いずれのゲート線に欠陥があるのかを判
定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置用基
板およびアクティブマトリクス基板ならびに電気光学装
置用基板の検査方法に関する。

【０００２】

【技術背景】従来より、一対の基板の間隙に液晶を扶持
してなる液晶表示装置が知られている。このような液晶
表示装置として、一対の基板のうちの一方にアクティブ
マトリクス基板を用いたものが実用化されている。この
アクティブマトリクス基板は、ガラス基板等の上面に、
複数のデータ線と、各データ線と直交する複数のゲート
線とが形成されている。そして、各データ線とゲート線
との交差に対応して画素電極が形成されている。各画素
電極は、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）を
介して各データ線およびゲート線に接続されている。

【０００３】ここで、ゲート線およびデータ線は、各々
表示画素の数に応じた本数だけ形成される。例えば、カ
ラー表示が可能な液晶表示装置にあっては、４８０本の
ゲート線と６４０×３本（ＲＧＢ各色に対応）のデータ
線が備えたものや、１０２４本のゲート線と１２８０×
３本のデータ線を備えたものが知られている。このよう
に、アクティブマトリクス基板には、膨大な数の配線を
形成する必要があるが、各データ線およびゲート線には
断線や配線狭窄部（配線が他の部分よりも狭くなってい
る部分）等の欠陥があってはならない。

【０００４】しかしながら、アクティブマトリクス基板
の各種製造工程における種々の要因から、配線の欠陥が
ある割合で発生してしまうのは避けられないのが現状で
ある。このため、ゲート線やデータ線の欠陥を有するア
クティブマトリクス基板を確実に見つけ出し、また、同
一要因に基づく断線等の欠陥の再発を防止すべく断線箇
所を正確に把握したいという要望がある。

【０００５】かかる要望に応えるための断線検査方法
が、実開昭６３−７０５９６号公報に開示されている。

【０００６】この断線検査方法では、まず、基板上にス
トライプ状に形成された複数のゲート線について、１本
目のゲート線と２本目のゲート線の左端部同士、２本目
のゲート線と３本目のゲート線の右端部同士、３本目の
ゲート線と４本目のゲート線の左端部同士、４本目のゲ
ート線と５本目のゲート線の右端部同士、…、という具
合に、隣接するゲート線（またはデータ線）の端部同士
を接続する。このようにすることにより、各ゲート線を
直列に接続してなる１本の配線が形成される。そして、
例えば、この配線に所定の電流が流れるか否かを調べる
ことにより、いずれかのゲート線に欠陥があるか否かを
判定する。

【０００７】しかしながら、この断線検査方法では、ゲ
ート線のいずれかが断線しているか否かを検査すること
はできるが、具体的にどのゲート線に欠陥があるのかを
突き止めることはできない。従って、この検査方法を用
いた場合、ゲート線の断線箇所の位置を判定して、欠陥
を生じさせた要因等を追跡したり、類推することができ
ない。このため、断線の再発防止に向けた有効な対策を
講じることができないという問題がある。

【０００８】また、上記断線検査方法においては、直列
に接続した配線に一定の電流ｉを流し、その両端部にお
ける電位差を測定することにより欠陥の有無を判断する
ことも考えられる。具体的には、まず、いずれの配線に
も欠陥が存在しない場合の電圧を予め測定しておく。こ
の電圧は、配線（例えばゲート線）の一本あたりの抵抗
値をＲＬ、配線の総本数（例えばゲート線の総本数）を
Ｎとすると、ｉＮＲＬで表される。次に、検査対象たる
配線の両端部における電位差を測定する。ここで、いず
れかの配線に欠陥が存在した場合、測定される電圧はｉ
（ＲＢ＋ＮＲＬ）で表される。ＲＢは配線狭窄部等の欠
陥箇所における抵抗値である。そして、これらの電圧の
差、すなわち、ｉＮＲＬ−ｉ（ＲＢ＋ＮＲＬ）を求め
る。そして、この結果検出された電圧値が所定値よりも
小さい場合には、いずれかの配線に断線があると判定す
るのである。

【０００９】しかしながら、この手法を採用した場合、
ＮＲＬ≫ＲＢとなっているときには、上述した式から求
められる電圧は≒０となってしまうため、欠陥の検出を
することができなくなってしまう。つまり、上述した方
法では、配線数が多い場合（すなわち抵抗ＮＲＬが大き
い場合）や配線が細くなっているだけで完全には断線し
ていないような場合（すなわち、配線の一部に狭窄部が
ある状態で抵抗ＲＢが比較的小さい場合）には、欠陥の
検出が困難になってしまうという問題があった。

【００１０】そこで、上記のような問題を解消すべく、
以下に示す方法によって断線や配線狭窄部を検出する方
法が提案されている。この方法について、図６を参照し
て説明する。図６に示すアクティブマトリクス基板Ｓ２
において、例えばゲート線（Ｇｌ〜Ｇ６）の左端側にゲ
ート電極駆動回路としてのＹシフトレジスタ３１および
バッファステージ３３が設けられており、右端側にはＹ
シフトレジスタ３２およびバッファステージ３４が設け
られている。

【００１１】この検査方法では、まず、Ｙシフトレジス
タ３２側のバッファステージ３４の最終段の出力レベル
をすべてローレベルとしたうえで、Ｙシフトレジスタ３
１に選択パルスを入力する。具体的には、Ｙシフトレジ
スタ３１側のバッファステージ３３の最終段のインバー
タの出力信号を順次排他的にローレベルからハイレベル
に切換える。この結果、ゲート線Ｇｌ、Ｇ２、…、Ｇ６
には、順次、電流ｉｌ，ｉ２，・・・ｉ６が流れること
となる。これらの各電流値を、バッファステージ３４の
近傍において測定することにより、ゲート線の一本一本
について断線の有無を検査していくのである。

【００１２】ここで、電流ｉ１，ｉ２，・・・ｉ６の電
流値が所定値以上であれば、そのゲート線には断線はな
いと判断することができる。これに対し、測定された電
流値が所定値よりも低い場合には、そのゲート線に何ら
かの欠陥があるものと判断することができる。

【００１３】ところで、Ｙシフトレジスタ３１および３
２等を、最高プロセス温度が４００〜６００℃程度の低
温プロセスで作成したポリシリコンを用いて形成した場
合、そのＹシフトレジスタ３１や３２が静電破壊され機
能不全となる危険性が高いことが分かっている。さら
に、パーティクル等の影響によってパターン不良が生
じ、これによりＹシフトレジスタ３１および３２に機能
不全が生じてしまうこともある。

【００１４】従って、例えばＹシフトレジスタ３１や３
２の少なくとも一方に不良が生じ、バッファステージ３
３および３４のすべてがハイレベルに固定されている場
合には、上記の断線検査方法でゲート線（Ｇｌ〜Ｇ６）
を順次選択して電流を流すことができない。従って、上
述した断線検査方法では、断線検査作業を常に安定して
行なうことができないという危惧があった。

【００１５】さらに、上述した断線検査方法において
は、膨大な本数の配線の各々を順次選択し、断線の有無
を検出しなければならない。従って、検査に要する時間
が長くなってしまうという問題もある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述した事情
に鑑みてなされたものであり、迅速かつ確実に欠陥箇所
を特定でき、かつ、常に安定して欠陥検査を行うことが
できる電気光学装置用基板およびアクティブマトリクス
基板ならびに電気光学装置用基板の検査方法を提供する
ことを目的している。

【００１７】上記目的を達成するため、この発明は、複
数の配線と、複数のスイッチング素子と、通電手段とを
具備することを特徴とする電気光学装置用基板を提供す
るものである。ここで、複数のスイッチング素子の各々
は、隣接する上記各配線の間に介挿されている。また複
数のスイッチング素子の各々は、第１グループまたは第
２グループのいずれかに属し、隣合うスイッチング素子
は異なるグループに属し、前記各グループ単位で当該グ
ループに属するスイッチング素子のオンオフ切換えが可
能である。また、上記通電手段は、複数のスイッチング
素子を介して直列接続される２本の配線からなる複数の
配線対に電流を流し、または電圧を印加する。

【００１８】また、本発明は、上述した電気光学装置用
基板の検査方法を提供するものである。この検査方法
は、複数の配線と、各々隣接する前記各配線の間に介挿
された複数のスイッチング素子とを有する電気光学装置
用基板の検査方法であって、隣接するスイッチング素子
が異なるグループに属するように、前記複数のスイッチ
ング素子を第１のグループおよび第２のグループに分
け、前記第１グループに属するスイッチング素子をオン
にするとともに、当該スイッチング素子を介して直列接
続される２本の配線からなる複数の配線対に電流を流
し、または電圧を印加することにより、当該配線対にお
ける欠陥の有無を判定する第１の配線検査過程と、前記
第２グループに属するスイッチング素子をオンにすると
ともに、当該スイッチング素子を介して直列接続される
２本の配線からなる複数の配線対に電流を流し、または
電圧を印加することにより、当該配線対における欠陥の
有無を判定する第２の配線検査過程と、前記第１の配線
検査過程の判定結果と前記第２の配線検査過程の判定結
果とに基づいて、欠陥を有する配線を判定する欠陥判定
過程とを有することを特徴としている。

【００１９】かかる電気光学装置用基板の検査方法によ
れば、隣接する２本の配線からなる配線対における欠陥
の有無を判定することができるから、各配線の欠陥の有
無を高速に検出することができる。また、第１グループ
に属するスイッチング素子によって直列接続された２本
の配線からなる配線対における欠陥の有無と、第２グル
ープに属するスイッチング素子によって直列接続された
２本の配線からなる配線対における欠陥の有無とを判定
することができるので、各判定結果に基づいて、欠陥を
有する配線を比較的詳細に特定することができる。

【００２０】また、この発明は、各々第１端部および第
２端部を有する複数の配線と、各々隣接する前記各配線
の間の前記第１端部近傍に介挿された複数の第１スイッ
チング素子であって、各々第１グループまたは第２グル
ープのいずれかに属し、隣合うスイッチング素子は異な
るグループに属し、前記各グループ単位で当該グループ
に属するスイッチング素子のオンオフ切換えが可能な複
数の第１スイッチング素子と、各々隣接する前記各配線
の間の前記第２端部近傍に介挿された複数の第２スイッ
チング素子であって、各々第３グループまたは第４グル
ープのいずれかに属し、隣合うスイッチング素子は異な
るグループに属し、前記各グループ単位で当該グループ
に属するスイッチング素子のオンオフ切換えが可能な複
数の第２スイッチング素子と、前記複数の第１スイッチ
ング素子を介して直列接続される２本の配線からなる複
数の配線対に電流を流し、または電圧を印加する第１通
電手段と、前記複数の第２スイッチング素子を介して直
列接続される２本の配線からなる複数の配線対に電流を
流し、または電圧を印加する第２通電手段とを具備する
ことを特徴とする電気光学装置用基板を提供するもので
ある。

【００２１】また、本発明は、この電気光学装置用基板
の検査方法を提供するものである。この検査方法は、隣
接する第１スイッチング素子が異なるグループに属する
ように、前記複数の第１スイッチング素子を第１のグル
ープおよび第２のグループに分け、第１過程と第２過程
のうちの一方を実行する検査過程を有している。第１過
程は、前記第１グループに属するスイッチング素子をオ
ンにするとともに、当該スイッチング素子を介して直列
接続される２本の配線からなる複数の配線対に前記第２
通電手段を用いて電流を流し、または電圧を印加するこ
とにより、当該配線対における欠陥の有無を判定する第
１の配線検査過程と、前記第２グループに属するスイッ
チング素子をオンにするとともに、当該スイッチング素
子を介して直列接続される２本の配線からなる複数の配
線対に前記第２通電手段を用いて電流を流し、または電
圧を印加することにより、当該配線対における欠陥の有
無を判定する第２の配線検査過程とからなる。また、第
２過程は、前記第３グループに属するスイッチング素子
をオンにするとともに、当該スイッチング素子を介して
直列接続される２本の配線からなる複数の配線対に前記
第１通電手段を用いて電流を流し、または電圧を印加す
ることにより、当該配線対における欠陥の有無を判定す
る第１の配線検査過程と、前記第４グループに属するス
イッチング素子をオンにするとともに、当該スイッチン
グ素子を介して直列接続される２本の配線からなる複数
の配線対に前記第１通電手段を用いて電流を流し、また
は電圧を印加することにより、当該配線対における欠陥
の有無を判定する第２の配線検査過程とからなる。ま
た、この検査方法は、前記第１配線検査過程の判定結果
と、前記第２配線検査過程の判定結果とに基づいて、欠
陥を有する配線を判定する欠陥判定過程を有している。

【００２２】かかる電気光学装置用基板の検査方法によ
れば、第１通電手段および第２通電手段のいずれか一方
の機能が不良であっても、他方を用いて検査を行うこと
ができるから、常に安定した検査を行うことができると
いう利点がある。

【００２３】また、上記電気光学装置用基板において
は、前記第１通電手段と第２通電手段の各々は、前記複
数の配線の駆動手段として使用可能な回路としてもよ
い。すなわち、各通電手段を、各配線の駆動を指令する
データを順次シフトするシフトレジスタと、各々前記シ
フトレジスタの各ステージに対応した複数の３ステート
バッファであって、各々の出力端が前記各配線の端部と
接続された複数の３ステートバッファとを含んだ構成と
してもよい。こうすれば、配線検査用の回路を別途設け
る必要がなくなるため、製造コストを低減することがで
きる。

【００２４】また、本発明は、複数の第１配線の各々と
複数の第２配線の各々とを交互に配列してなる複数の配
線と、前記複数の第１配線の各々と、当該各第１配線と
一方の側において隣接する各第２配線との間に介挿され
た複数のスイッチング素子と、前記複数のスイッチング
素子の各々を介して直列接続される２本の配線からなる
複数の配線対に電流を流し、または電圧を印加する通電
手段とを具備することを特徴とする電気光学装置用基板
を提供するものである。

【００２５】さらに、本発明は、この電気光学装置用基
板の検査方法を提供するものである。この検査方法は、
前記複数のスイッチング素子をオンにするとともに、当
該スイッチング素子を介して直列接続される２本の配線
からなる複数の配線対に電流を流し、または電圧を印加
することにより、当該配線対における欠陥の有無を判定
する配線検査過程を有することを特徴としている。

【００２６】かかる電気光学装置用基板の検査方法によ
れば、相互に直列接続される２本の配線からなる複数の
配線対のいずれかに欠陥があることを判定することがで
きるので、迅速かつ詳細に配線の検査を行うことができ
るという利点がある。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。 ＜電気光学装置用基板の構成＞図１は、本発明に係る電
気光学装置用基板Ｓｌの構成を示す図である。この電気
光学装置用基板Ｓｌには、複数本のゲート線が水平方向
に延在して形成され、複数本のデータ線が垂直方向に延
在して形成されている。なお、図１においては、便宜
上、６本のゲート線Ｇｌ〜Ｇ６と、６本のデータ線Ｄｌ
〜Ｄ６とが形成された電気光学装置用基板Ｓｌを示して
いる。ただし、実際の電気光学装置では、ゲート線が４
８０本で、データ線が６４０×３本（ＲＧＢ各色に対
応）、または、ゲート線が１０２４本で、データ線が１
２８０×３本といった本数で形成される。

【００２８】各ゲート線Ｇｌ〜Ｇ６とデータ線Ｄｌ〜Ｄ
６とが交差する部分には、それぞれ薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）が形成されている。各薄膜トランジスタのゲ
ートはゲート線に接続されている。各薄膜トランジスタ
のソースはデータ線に接続されている。また、各薄膜ト
ランジスタのドレインは画素電極に接続されている。こ
のような構成において、各薄膜トランジスタは、ゲート
線に供給される電圧に応じてオンオフ制御される。そし
て、各薄膜トランジスタがオン状態となっている間に、
データ線に印加された電圧が、各画素電極に供給される
ようになっている。

【００２９】この実施形態においては、上記ＴＦＴはポ
リシリコン層をチャネル層とするいわゆるポリシリコン
ＴＦＴで構成されており、周辺回路を構成するトランジ
スタ（スイッチング素子）とともに同一プロセスによ
り、同時に形成される。

【００３０】隣合う各ゲート線Ｇｌ〜Ｇ６の間には、そ
の両端部近傍に、複数のスイッチング素子が設けられて
いる。各スイッチング素子は、相互に隣接する各ゲート
線の間の導通および切断を切換えるためのものである。
これらのスイッチング素子は、例えば薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）で形成されている。なお、以下では、ゲート
線ＧｌとＧ２との間、ゲート線Ｇ３とＧ４との間、およ
びゲート線Ｇ５とＧ６との間に設けられた各薄膜トラン
ジスタのうち、各ゲート線の左側の端部近傍に設けられ
た薄膜トランジスタＴｌａ、ＴｌｂおよびＴ１ｃを第１
の左側トランジスタ列（Ｔｌａ、Ｔｌｂ、Ｔｌｃ）と総
称し、各ゲート線の右側の端部近傍に設けられた薄膜ト
ランジスタＴ３ａ、Ｔ３ｂおよびＴ３ｃを第１の右側ト
ランジスタ列（Ｔ３ａ、Ｔ３ｂ、Ｔ３ｃ）と総称する。
一方、ゲート線Ｇ２とＧ３との間、およびゲート線Ｇ４
とＧ５との間に設けられた各薄膜トランジスタのうち、
各ゲート線の左側の端部近傍に設けられた薄膜トランジ
スタＴ２ａおよびＴ２ｂを第２の左側トランジスタ列
（Ｔ２ａ、Ｔ２ｂ）と総称し、各ゲート線の右側の端部
近傍に設けられた薄膜トランジスタＴ４ａおよびＴ４ｂ
を第２の右側トランジスタ列（Ｔ４ａ、Ｔ４ｂ）と総称
する。

【００３１】第１の左側トランジスタ列（Ｔｌａ、Ｔｌ
ｂ、Ｔ１ｃ）および第２の左側トランジスタ列（Ｔ２
ａ、Ｔ２ｂ）の各ゲートは、基板上に設けられたテスト
端子に接続されている。そして、これらのトランジスタ
列を構成する薄膜トランジスタは、このテスト端子から
入力される信号に応じて、オンオフが切換えられるよう
になっている。具体的には、各トランジスタ列単位で、
当該トランジスタ列に属する薄膜トランジスタのオンオ
フが切換えられるようになっている。

【００３２】同様に、第１の右側トランジスタ列（Ｔ３
ａ、Ｔ３ｂ、Ｔ３ｃ）および第２の右側トランジスタ列
（Ｔ４ａ、Ｔ４ｂ）の各ゲートも、基板上に設けられた
テスト端子に接続されている。そして、これらのトラン
ジスタ列を構成する薄膜トランジスタは、このテスト端
子から入力される信号に応じて、オンオフが切換えられ
るようになっている。具体的には、各トランジスタ列単
位で、当該トランジスタ列に属する薄膜トランジスタの
オンオフが切換えられる。

【００３３】また、各ゲート線Ｇｌ〜Ｇ６の左側の一端
には、バッファステージ３を介してＹシフトレジスタ１
が接続されている。一方、各ゲート線Ｇｌ〜Ｇ６の右側
の一端には、バッファステージ４を介してＹシフトレジ
スタ２が接続されている。

【００３４】上記バッファステージ３の最終段には３ス
テートバッファ群５が形成されている。３ステートバッ
ファ群５を構成する各３ステートバッファ５１〜５６に
は、図示しない上位装置から信号ＤＲＶ−Ｌが供給され
る。また、バッファステージ４の最終段には３ステート
バッファ群６が形成されている。この３ステートバッフ
ァ群６を構成する各３ステートバッファ６１〜６６に
は、図示しない上位装置から信号ＤＲＶ−Ｒが供給され
る。上記３ステートバッファ群５および３ステートバッ
ファ群６を構成する各３ステートバッファは、上位装置
から供給される信号ＤＲＶ−ＬまたはＤＲＶ−Ｒがハイ
レベルの時は、前段のインバータの出力信号をレベル反
転してゲート線に出力する。また、上位装置から供給さ
れる信号ＤＲＶ−ＬまたはＤＲＶ−Ｒがローレベルの時
は、各３ステートバッファの出力部は、ハイインピーダ
ンス状態となる。なお、上述した上位装置とは、例え
ば、基板上に形成されたテスト端子を介して、各３ステ
ートバッファに対して信号ＤＲＶ−ＬまたはＤＲＶ−Ｒ
を供給可能なテスト装置である。

【００３５】一方、データ線Ｄｌ、Ｄ３およびＤ５の一
端（図１においては上側の一端）は、薄膜トランジスタ
Ｔ６ａ、Ｔ６ｂおよびＴ６ｃを介してデータ入力線ＳＲ
Ｃ２に接続されている。また、データ線Ｄ２、Ｄ４およ
びＤ６の一端（図１においては上側の一端）は、薄膜ト
ランジスタＴ５ａ、Ｔ５ｂおよびＴ５ｃを介してデータ
入力線ＳＲＣｌに接続されている。これらの薄膜トラン
ジスタのゲートは、Ｘシフトレジスタ７に接続されてい
る。各薄膜トランジスタは、Ｘシフトレジスタ７から供
給される信号に応じてオンオフ制御される。そして、こ
れにより、データ線Ｄｌ、Ｄ３およびＤ５とデータ入力
線ＳＲＣ２との間の導通または切断が切換えられる一
方、データ綿Ｄ２、Ｄ４およびＤ６とデータ入力線ＳＲ
Ｃｌとの間の導通または切断が切換えられるようになっ
ている。つまり、図示しない上位装置からデータ入力線
ＳＲＣｌおよびＳＲＣ２に供給される電圧を、データ線
Ｄｌ〜Ｄ６に印加することができる。

【００３６】また、データ線Ｄｌ〜Ｄ６の他端側（図１
上では下端側）には、隣接する各データ線の間の導通・
切断を切換えるための薄膜トランジスタが設けられてい
る。以下では、データ線ＤｌとＤ２との間に設けられた
薄膜トランジスタＴ７ａ、データ線Ｄ３とＤ４との間に
設けられた薄膜トランジスタＴ７ｂ、およびデータ線Ｄ
５とＤ６との間に設けられた薄膜トランジスタＴ７ｃを
第１のトランジスタ列（Ｔ７ａ、Ｔ７ｂ、Ｔ７ｃ）と総
称する。一方、デー夕線Ｄ２とＤ３との間に設けられた
薄膜トランジスタＴ８ａ、およびデータ線Ｄ４とＤ５と
の間に設けられた薄膜トランジスタＴ８ｂを第２のトラ
ンジスタ列（Ｔ８ａ、Ｔ８ｂ）と総称する。

【００３７】第１のトランジスタ列（Ｔ７ａ、Ｔ７ｂ、
Ｔ７ｃ）および第２のトランジスタ列（Ｔ８ａ、Ｔ８
ｂ）の各ゲートは、基板上に設けられたテスト端子に接
続されている。そして、各トランジスタ列を構成する薄
膜トランジスタは、このテスト端子から入力される信号
に応じてオンオフが切換えられるようになっている。具
体的には、各トランジスタ列単位で、当該トランジスタ
列に属する薄膜トランジスタのオンオフが切換えられ
る。以上が本発明に係る電気光学装置用基板の構成であ
る。

【００３８】＜電気光学装置用基板の検査手順＞次に、
図２に示すフローチャートならびに図３（ａ）および
（ｂ）を参照して、ゲート線Ｇｌ〜Ｇ６の欠陥の有無お
よび断線箇所を判定する手順を説明する。

【００３９】まず、Ｙシフトレジスタ１または２の機能
を検査し（ステップＳＴｌ）、各Ｙシフトレジスタの機
能の良否を判定する（ステップＳＴ２）。このＹシフト
レジスタの検査は、例えば以下の手順によって行われ
る。まず、基板上に設けられたテスト端子からＹシフト
レジスタ１のデータ入力端子に何らかのデータを入力
し、Ｙシフトレジスタ１によりこのデータをシフトさせ
る。そして、Ｙシフトレジスタ１の最終ステージから出
力されるデータを、他のテスト端子を介して検出して調
査することにより、Ｙシフトレジスタ１の機能の良否を
判定する。同様の検査をＹシフトレジスタ２についても
行い、各Ｙシフトレジスタの機能の良否を判定する。

【００４０】この結果、Ｙシフトレジスタ１および２が
ともに不良であると判定された場合、この電気光学装置
用基板Ｓｌは不良品であると判断できるから、ゲート線
Ｇｌ〜Ｇ６等の欠陥の有無の検査を行うまでもなく、直
ちに検査を終了する（ステップＳＴ３およびＳＴ４）。

【００４１】一方、ステップＳＴ２において、いずれか
一方のＹシフトレジスタ、または両方のＹシフトレジス
タが良品であると判定された場合には、ゲート線Ｇｌ〜
Ｇ６の断線の有無の検査に移行する。なお、いずれか一
方のＹシフトレジスタが不良であると判定された場合で
あっても、他方のＹシフトレジスタを用いて画像を表示
することができる。従って、この時点においては当該電
気光学装置用基板自体は一応良品であるものとして以後
の検査を行う。

【００４２】ゲート線Ｇｌ〜Ｇ６の欠陥の有無の検査
は、第１のゲート線断線検査過程と第２のゲート線断線
検査過程とに分けることができる。以下では、これらの
各検査過程毎に検査の内容を説明する。なお、ここで
は、上記ステップＳＴ２においてＹシフトレジスタ１が
動作不良であると判断された場合を想定する（ステップ
ＳＴ９）。

【００４３】（１）第１のゲート線断線検査過程 まず、第１の左側トランジスタ列（Ｔｌａ、Ｔｌｂ、Ｔ
１ｃ）の各ゲートに対して、各薄膜トランジスタをオン
状態とする信号が、基板上のテスト端子から入力され
る。一方、第２の左側トランジスタ列（Ｔ２ａ、Ｔ２
ｂ）、第１の右側トランジスタ列（Ｔ３ａ、Ｔ３ｂ、Ｔ
３ｃ）および第２の右側トランジスタ列（Ｔ４ａ、Ｔ４
ｂ）はオフ状態としておく。また、Ｙシフトレジスタ１
に接続されたバッファステージ３内の各３ステートバッ
ファ５１〜５６に対してローレベルの信号ＤＲＶ−Ｌを
供給し、各３ステートバッファ５１〜５６の出力部をハ
イインピーダンス状態とする。

【００４４】この結果、図３（ａ）に示すように、各ゲ
ート線の左端の端部において、ゲート線ＧｌとＧ２との
間、ゲート線Ｇ３とＧ４との間、およびゲート線Ｇ５と
Ｇ６との間が導通されることとなる。

【００４５】次に、Ｙシフトレジスタ２により、１ビッ
トのデータ“１”を順次シフトすることにより、各々導
通された各ゲート線に対して、順次電流を流す。すなわ
ち、Ｙシフトレジスタ２の６ステージの出力状態が“１
０００００”となると、３ステートバッファ６１からは
ハイレベルの信号が、他の３ステートバッファからはロ
ーレベルの信号が出力される。この結果、ゲート線Ｇｌ
およびＧ２のいずれもが断線していない場合には、ゲー
ト線Ｇｌ→薄膜トランジスタＴｌａ→ゲート線Ｇ２とい
う経路を経て電流ｉ１２が流れる。次に、Ｙシフトレジ
スタ２をシフト動作させ、Ｙシフトレジスタ２の６ステ
ージの出力状態が“００１０００”となると、３ステー
トバッファ６３からはハイレベルの信号が、他の３ステ
ートバッファからはローレベルの信号が出力される。こ
の結果、ゲート線Ｇ３およびＧ４のいずれもが断線して
いない場合には、ゲート線Ｇ３→薄膜トランジスタＴｌ
ｂ→ゲート線Ｇ４という経路を経て電流ｉ３４が流れ
る。さらに、Ｙシフトレジスタ２をシフト動作させるこ
とによりＹシフトレジスタ２の６ステージの出力状態を
“００００１０”とすると、３ステートバッファ６５か
らはハイレベルの信号が、他の３ステートバッファから
はローレベルの信号が出力される。この結果、ゲート線
Ｇ５およびＧ６のいずれもが断線していない場合にはゲ
ート線Ｇ５→薄膜トランジスタＴ１ｃ→ゲート線Ｇ６と
いう経路を経て電流ｉ５６が流れる。このようにして、
各々導通された一対のゲート線の間に電流を順次流すの
である。

【００４６】一方、この工程に並行して、上記電流ｉ１
２、ｉ３４およびｉ５６の電流値を順次測定する。これ
らの各電流値の測定は、例えば、各３ステートバッファ
の電源電流を含む電気光学装置用基板全体の電源電流を
電流計によって測定し、Ｙシフトレジスタ２の６ステー
ジの出力状態が“００００００”であるときの電源電流
との差分を求めることにより実施することができる。

【００４７】なお、３ステートバッファ６１〜６６の出
力端子に電流測定用のパッドを形成し、そのパッドにプ
ローブを当てて２つのパッド間の電圧、すなわち、２本
のゲート線の電圧降下を求めてもよい。具体的には、以
下の通りである。まず、導通された一対のゲート線のい
ずれにも断線または配線狭窄部がない場合に検出される
電圧は、２ｉＲＬとなる。ここで、ｉは、一対のゲート
線に流す電流の電流値であり、ＲＬは、ゲート線の１本
あたりの抵抗値である。一方、いずれかのゲート線に配
線狭窄部が存在した場合、測定される電圧はｉ（ＲＢ＋
２ＲＬ）で表される。ＲＢは配線狭窄部等の欠陥箇所に
おける抵抗値である。そして、これらの電圧の差、すな
わち、２ｉＲＬ−ｉ（ＲＢ＋２ＲＬ）を求める。そし
て、この値を所定値と比較することによって、ゲート線
に断線または配線狭窄部があるか否かを判定する。ここ
で、上述した従来の技術に示した配線検査方法、すなわ
ち、すべてのゲート線を接続して１本の配線を形成し、
当該配線の両端における電位差を測定する方法において
は、配線数が多い場合には欠陥の検出が困難となるとい
う問題があった。これに対し、本実施形態によれば、導
通された２本のゲート線の電圧降下を求めるようになっ
ているので、配線が多い場合であっても、確実に各配線
の欠陥を検出することができるという利点がある。

【００４８】なお、以下では、各ゲート線を流れる電流
の電流値を求め、この電流値に基づいて配線の欠陥の有
無を判定するものとして説明を進める。

【００４９】さて、こうして測定された各電流値と、予
め求められた所定値とを比較することにより、各ゲート
線における断線の有無を判定する（ステップＳＴｌ
０）。すなわち、例えば、測定された電流値が所定値を
超えていればそのゲート線間には断線がないと判定し、
所定値を下回る場合にはいずれかのゲート線に断線があ
るものと判定する。なお、上記所定値は、実験等の結果
に基づいて予め求められた値である。

【００５０】図３（ａ）に示す例においては、実線の矢
印が、上記所定値を超えた電流が流れていることを示し
ている。これに対し、白抜きの矢印は、上記所定値を下
回る電流が流れているか、または電流が全く流れていな
いことを示している。図３（ａ）に示す例においては、
電流ｉ１２のみが所定値を超えているので、ゲート線Ｇ
ｌおよびＧ２には断線がないと判定できる。一方、電流
ｉ３４は所定値を下回るので、この段階では、ゲート線
Ｇ３およびＧ４の一方または両方に断線または配線狭窄
部等の欠陥があると判定できる。同様に、電流ｉ５６も
所定値を下回るので、ゲート線Ｇ５およびＧ６の一方ま
たは両方に断線があると判定できる。

【００５１】ところで、この時点では、断線があると判
定された１対のゲート線（ゲート線Ｇ３およびＧ４、な
らびにゲート線Ｇ５およびＧ６）のうちのいずれのゲー
ト線に断線が生じているのかを特定することはできな
い。これを明らかにするために、上述した手順の後、以
下に示す第２のゲート線断線検査過程が実行される。従
って、第１のゲート線断線検査過程において、すべての
ゲート線間を流れる電流の電流値が所定値を超えた場合
には、すべてのゲート線に断線はないと判定できるか
ら、以下に示す第２のゲート線断線検査過程を省略する
ことができる。この場合には、電流値測定のための手間
が、前掲図６に示した従来の断線検査方法と比較して概
ね半分で済む。

【００５２】（２）第２のゲート線断線検査過程 続いて、第２の左側トランジスタ列（Ｔ２ａ、Ｔ２ｂ）
の各ゲートに対して、各薄膜トランジスタをオン状態と
する信号をテスト端子から入力する。一方、第１の左側
トランジスタ列（Ｔｌａ、Ｔｌｂ、Ｔ１ｃ）、第１の右
側トランジスタ列（Ｔ３ａ、Ｔ３ｂ、Ｔ３ｃ）および第
２の右側トランジスタ列（Ｔ４ａ、Ｔ４ｂ）はオフ状態
としておく。また、バッファステージ３内の各３ステー
トバッファ５１〜５６の出力部をハイインピーダンス状
態とする。

【００５３】これにより、図３（ｂ）に示すように、各
ゲート線の左端側において、ゲート線Ｇ２とＧ３との
間、およびゲート線Ｇ４とＧ５との間を導通させること
ができる。続いて、上記第１のゲート線断線検査過程と
同様に、Ｙシフトレジスタ２により１ビットのデータ
“１”を順次シフトすることにより、導通された一対の
各ゲート線に対し、順次電流を流す。すなわち、Ｙシフ
トレジスタ２の６ステージの出力状態が“０１０００
０”となると、ゲート線Ｇ２およびＧ３のいずれもが断
線していない場合には、ゲート線Ｇ２→薄膜トランジス
タＴ２ａ→ゲート線という経路を経て電流ｉ２３が流れ
る。次に、Ｙシフトレジスタ２をシフト動作させ、６ス
テージの出力状態が“０００１００”となると、ゲート
線Ｇ４→薄膜トランジスタＴｌｂ→ゲート線Ｇ５という
経路を経て電流ｉ５６が流れる。

【００５４】そして、この電流ｉ２３およびｉ４５の電
流値を測定する。この測定は、上記第１のゲート線断線
検査過程において説明したのと同様の方法により実施す
ることができる。次に、この測定結果を、上述した所定
値と比較する。この結果、測定された電流値が所定値を
超えている場合には、そのゲート線間には断線がないと
判定する。一方、測定された電流値が所定値を下回る場
合には、一対のゲート線のうちの一方または両方に断線
があると判定する。すなわち、図３（ｂ）に示した例に
おいては、電流ｉ２３およびｉ４５はともに所定値を下
回るので、ゲート線Ｇ２およびＧ３の一方または両方、
およびゲート線Ｇ４およびＧ５の一方または両方に断線
の可能性があると判定できる。

【００５５】ここで、この判定結果と、上述した第１の
ゲート線断線検査過程の判定結果とを総合勘案すること
により、いずれのゲート線に欠陥が生じているのかを特
定することができる。すなわち、第２のゲート線断線検
査過程においては、ゲート線Ｇ２およびＧ３の一方また
は両方に欠陥があると判定されたが、第１のゲート線断
線検査過程においては、ゲート線Ｇ２に欠陥はないと判
定されている。これらの判定結果を考慮すれば、結局、
ゲート線Ｇ３に欠陥があると特定することができる。

【００５６】なお、ゲート線Ｇ４、Ｇ５およびＧ６につ
いては、電流ｉ３４、ｉ４５およびｉ５６がともに所定
値を下回っているため、いずれのゲート線に欠陥がある
のかは特定できない。しかしながら、ゲート線Ｇ４〜Ｇ
５にかけて連続的または断続的に欠陥箇所が存在すると
の判定を行うことができる。

【００５７】以上説明した検査の結果、いずれかのゲー
ト線に欠陥があると判定された場合には、当該電気光学
装置用基板は不良品であると判定され、検査を終了する
（ステップＳＴｌＯ、ＳＴ３およびＳＴ４）。一方、い
ずれのゲート線にも断線がないと判定された場合には、
当該電気光学装置用基板は良品であると判定される（ス
テップＳＴｌｌおよびＳＴ１７）。ここで、上記ステッ
プＳＴｌにおいて、Ｙシフトレジスタ１の機能が不良で
あると判定されている。従って、当該電気光学装置用基
板Ｓｌが実際に電気光学装置に用いられた場合には、Ｙ
シフトレジスタ２によって各ゲート線が駆動されること
となる（ステップＳＴ１２）。この場合には、機能不全
であるＹシフトレジスタ１側の３ステートバッファ群５
を構成する各３ステートバッファ５１〜５６を、ハイイ
ンピーダンス状態とする。

【００５８】また、以上説明した検査（ステップＳＴ
９）の結果に基づいて、ゲート線Ｇ３〜Ｇ６付近の配線
形成工程等をチェックすることにより、断線発生の要因
を追跡したり推測することが可能となる。従って、ゲー
ト線の断線等の再発防止の対策を講じることができる。
また、ゲート線における断線の有無を短い時間で確実に
検出することができるため、断線等の欠陥を有する電気
光学装置用基板が、電気光学装置の組立ラインに供給さ
れるのを確実に回避することができる。

【００５９】ところで、図２中のステップＳＴ２で、Ｙ
シフトレジスタ２に何らかの動作不良が生じていると判
定された場合には、上記ステップＳＴ９における一連の
検査工程をＹシフトレジスタ１を用いて行う（ステップ
ＳＴ１３）。すなわち、まず、バッファステージ４内の
各３ステートバッファ６１〜６６に対してローレベルの
信号ＤＲＶ−Ｒを供給し、各３ステートバッファ６１〜
６６の出力部をハイインピーダンス状態とする。そし
て、第１のデータ線断線検査過程においては、第１の右
側トランジスタ列（Ｔ３ａ、Ｔ３ｂ、Ｔ３ｃ）の各ゲー
トに対し、各薄膜トランジスタをオン状態とする信号を
テスト端子から供給する。一方、第１の左側トランジス
タ列（Ｔｌａ、Ｔｌｂ、Ｔ１ｃ）、第２の左側トランジ
スタ列（Ｔ２ａ、Ｔ２ｂ）、および第２の右側トランジ
スタ列（Ｔ４ａ、Ｔ４ｂ）はオフ状態としておく。この
結果、各ゲート線の右側の端部において、ゲート線Ｇｌ
とＧ２との間、ゲート線Ｇ３とＧ４との間、およびゲー
ト線Ｇ５とＧ６との間が導通されることとなる。

【００６０】この状態で、Ｙシフトレジスタ１を動作さ
せ、各々導通された一対のゲート線に電流を流す。そし
て、この電流値を測定し、測定された電流値と上述した
所定値とを比較することにより、各ゲート線の断線の有
無を判定する。

【００６１】一方、第２のデータ線断線検査過程におい
ては、第２の右側トランジスタ列（Ｔ４ａ、Ｔ４ｂ）の
各ゲートに対し、各薄膜トランジスタをオン状態とする
信号をテスト端子から供給する。一方、第１の左側トラ
ンジスタ列（Ｔｌａ、Ｔｌｂ、Ｔ１ｃ）、第２の左側ト
ランジスタ列（Ｔ２ａ、Ｔ２ｂ）、および第１の右側ト
ランジスタ列（Ｔ３ａ、Ｔ３ｂ、Ｔ３ｃ）はオフ状態と
しておく。この結果、ゲート線Ｇ２とＧ３との間、およ
びゲート線Ｇ４とＧ５との間が各ゲート線の右側の端部
近傍において導通される。この状態で、Ｙシフトレジス
タ１を動作させ、各々導通された一対のゲート線に電流
を流す。そして、この電流値と所定値とを比較すること
により、各ゲート線の断線の有無を判断する（ステップ
ＳＴ１４）。

【００６２】なお、ここでは、ステップＳＴ２において
Ｙシフトレジスタ２が不良であると判断されている。従
って、上記検査の結果、いずれの配線にも欠陥がないと
判断された場合、当該電気光学装置用基板のゲート線
は、Ｙシフトレジスタ１によって駆動されることとなる
（ステップＳＴ１６）。

【００６３】また、図２中のステップＳＴ２で、Ｙシフ
トレジスタ１および２がともに良品であると判定された
場合には、上記ステップＳＴ９における一連の検査工程
と同様の工程をＹシフトレジスタ１または２のいずれか
一方または両方を用いて行う（ステップＳＴ５）。この
結果、いずれの配線にも欠陥がないと判断された場合、
当該電気光学装置用基板のゲート線は、Ｙシフトレジス
タ１または２の一方または両方によって駆動されること
となる（ステップＳＴ８）。

【００６４】以上説明したように、本発明に係る電気光
学装置用基板Ｓｌによれば、たとえ左右一方のＹシフト
レジスタやバッファステージが静電破壊していたり、パ
ターン不良等で機能不全となっている場合であっても、
一方のシフトレジスタやバッファステージが正常に動作
する状態にあれば断線検査を行うことができる。また、
バッファステージ内の各３ステートバッファを独立にハ
イインピーダンス状態とすることができるため、シフト
レジスタの一方が機能不全であったとしても、機能不全
のシフトレジスタ側の３ステートバッファ群をハイイン
ピーダンス状態とすることにより、従来どおりの駆動が
可能となる。従って、電気光学装置の良品率を向上する
ことができる。

【００６５】次に、データ線Ｄｌ〜Ｄ６の欠陥の検査手
順について説明する。

【００６６】データ線Ｄｌ〜Ｄ６の検査は、原理的には
概ねゲート線の検査と同様の手順により行われる。以
下、データ線Ｄｌ〜Ｄ６の断線検査について、第１のデ
ータ線断線検査過程と第２のデータ線断線検査過程とに
分けて説明する。

【００６７】（１）第１のデータ線断線検査過程 まず、第１のトランジスタ列（Ｔ７ａ、Ｔ７ｂ、Ｔ７
ｃ）の各ゲートに対して、各薄膜トランジスタをオン状
態とする信号をテスト端子から供給する。一方、第２の
トランジスタ列（Ｔ８ａ、Ｔ８ｂ、Ｔ８ｃ）はオフ状態
としておく。この結果、データ線ＤｌとＤ２との間、デ
ータ線Ｄ３とＤ４との間、およびデータ線Ｄ５とＤ６と
の間が、各データ線の一端において導通されることとな
る。一方、データ信号線ＳＲＣ２にはＨレベルの電圧
を、データ信号線ＳＲＣｌにはＬレベルの電圧を、それ
ぞれ印加しておく。次に、Ｘシフトレジスタ７により、
２ビットのデータ“１１”を順次シフトすることによ
り、導通された各ゲート線に対して、順次電流を流す。
すなわち、Ｘシフトレジスタ７の６ステージの出力状態
が“１１００００”となると、データ線Ｄｌとデータ信
号線ＳＲＣ２とが導通するとともに、データ線Ｄ２とデ
ータ信号線ＳＲＣｌとが導通する。この結果、データ線
ＤｌおよびＤ２のいずれにも断線がない場合、データ線
Ｄｌ→薄膜トランジスタＴ７ａ→ゲート線Ｄ２という経
路を経て電流ｉ１２が流れる。続いて、Ｘシフトレジス
タ７を動作させ、Ｘシフトレジスタ７の６ステージの出
力状態を“００１１００”とする。これにより、データ
線Ｄ３とデータ信号線ＳＲＣ２とが導通するとともに、
データ線Ｄ４とデータ信号線ＳＲＣｌとが導通する。こ
の結果、データ線Ｄ３およびＤ４のいずれにも断線がな
い場合、データ線Ｄ３→薄膜トランジスタＴ７ｂ→デー
タ線Ｄ４という経路を経て電流ｉ３４が流れる。同様
に、Ｘシフトレジスタ７の６ステージの出力状態を“０
０００１１”とすることにより、デー夕線Ｄ５とＤ６と
の間に電流ｉ５６が流れる。こうして、第１のトランジ
スタ列（Ｔ７ａ、Ｔ７ｂ、Ｔ７ｃ）によって導通された
一対のデータ線の間に電流を順次流すことができる。一
方、上記工程に並行して、上述した電流ｉ１２、ｉ３４
およびｉ５６の電流値を測定する。そして、この測定さ
れた電流値と、予め求められた所定値とを比較すること
により、導通された一対のデータ線における断線の有無
を判定することができる。

【００６８】（２）第２のデータ線断線検査過程 次に、第２のトランジスタ列（Ｔ８ａ、Ｔ８ｂ）の各ゲ
ートに対して、各薄膜トランジスタをオン状態とする信
号をテスト端子から供給する。一方、第１のトランジス
タ列（Ｔ７ａ、Ｔ７ｂ、Ｔ７ｃ）はオフ状態としてお
く。この結果、データ線Ｄ２とＤ３との間、およびデー
タ線Ｄ４とＤ５との間が、各データ線の下側の一端にお
いて導通される。続いて、Ｘシフトレジスタ７を用い、
データ線Ｄ２に接続された薄膜トランジスタＴ５ａとデ
ータ線Ｄ３に接続された薄膜トランジスタＴ５ｂとをオ
ンにする。この結果、データ線Ｄ２とＤ３との間に電流
ｉ２３を流すことができる。以後同様の手順を踏むこと
により、データ線Ｄ４とＤ５との間に電流ｉ４５を流
す。これらの電流ｉ２３およびｉ４５の電流値を測定
し、上述した所定値と比較することにより、導通された
一対のデータ線における断線の有無を判定する。

【００６９】そして、上述した第１のデータ線検査過程
および第２のデータ線検査過程の結果を総合勘案するこ
とにより、欠陥が存在するデータ線を特定することがで
きる。もちろん、第１のデータ線断線検査過程において
すべてのデータ線に断線箇所または狭窄部がないことが
分かった場合には、第２のデータ線断線検査過程を行う
必要はない。

【００７０】なお、第１の断線検査過程および第２の断
線検査過程における判定および双方の検査過程の判定結
果を総合勘案した最終的な判定については、マイクロコ
ンピュータ等によって自動的に行うようにすることもで
きる。

【００７１】また、断線検査の検査結果をハードディス
ク等の記憶装置に記憶したり、当該結果をプリンタ等に
よって印字出力するようにしてもよい。こうすれば、断
線結果を、断線発生の要因等を研究するための資料とし
て活用することもできる。

【００７２】また、本実施形態においては、簡略化のた
めにゲート線およびデータ線がそれぞれ６本ずつ設けら
れた場合について説明した。これに対し、実際の電気光
学装置においては、例えば４８０本のゲート線と６４０
×３本（ＲＧＢ各色に対応）のデータ線とが設けられた
ものや、１０２４本のゲート線と１２８０×３本のデー
タ線とが設けられたものが知られている。このような構
成の電気光学装置であっても、上述した手順により、各
ゲート線およびデータ線の断線検査を行うことができる
のはもちろんである。

【００７３】＜電気光学装置の全体構成＞次に、図４を
参照して、上述した電気光学装置用基板を用いた電気光
学装置の構造について説明する。ここで、図４（ａ）
は、電気光学装置の構成を示す平面図であり、図４
（ｂ）は、図４（ａ）におけるＡ−Ａ’線の断面図であ
る。

【００７４】これらの図に示されるように、電気光学装
置１００は、上記実施形態に係る電気光学装置用基板Ｓ
ｌと対向基板１０２とが、シール材１０４によって一定
の間隙を保って貼り合わせられている。対向基板１０２
の電気光学装置用基板Ｓｌと対向する表面には、対向電
極１０８などが形成されている。そして、両基板の間隙
には、電気光学材料としての液晶１０５が挟持されてい
る。なお、実際にはシール材１０４には切欠部分があ
る。そして、この切欠部分を介して液晶１０５が封入さ
れた後、封止材によって封止される。ただし、図４
（ａ）および（ｂ）においては切欠部分および封止材は
省略されている。また、上述したように、複数のゲート
線および複数のデータ線の交差部分に対応して薄膜トラ
ンジスタ（図４（ａ）および（ｂ）においては図示せ
ず）が設けられている。この薄膜トランジスタのドレイ
ンには、画素電極１１８が接続されている。各画素電極
１１８は、図４（ａ）に示すように、各ゲート線および
データ線の交差部分に対応してマトリクス状に配列され
る。また、図４（ａ）における領域１０７には、複数の
接続端子が形成されている。各接続端子の一端は、上述
したＹシフトレジスタ１および２ならびにＸシフトレジ
スタ７等に接続されている。一方、各接続端子の他端
は、外部装置の出力端子と接続されている。これにより
外部装置からの信号および電源が、電気光学装置１００
の各部に供給されるようになっている。

【００７５】＜変形例＞上記実施形態に係る電気光学装
置用基板Ｓｌは、複数のゲート線の両端にそれぞれＹシ
フトレジスタ１および２が接続され、隣接するすべての
ゲート線の間に薄膜トランジスタが設けられた構成とし
た。しかしながら、電気光学装置の構成はこれに限られ
るものではない。以下、図５を参照して、本発明の変形
例に係る電気光学装置用基板Ｓ３とその検査方法につい
て説明する。

【００７６】同図に示すように、この電気光学装置用基
板Ｓ３は、複数のゲート線Ｇｌ〜Ｇ６とＹシフトレジス
タ１とを具備している。なお、図５においては、便宜的
に６本のゲート線のみを図示しているが、実際の電気光
学装置においては、より多数のゲート線が設けられるの
は言うまでもない。また、図５においては、便宜的に、
ゲート線Ｇｌ〜Ｇ６とＹシフトレジスタ１のみを図示し
ているが、実際には、上記実施形態と同様に、複数のデ
ータ線およびＸシフトレジスタが設けられている。

【００７７】図５に示すように、各ゲート線の一端は、
Ｙシフトレジスタ１にそれぞれ接続されている。また、
各ゲート線Ｇｌ〜Ｇ６のＹシフトレジスタ１に接続され
た一端と反対側の一端には、複数のスイッチング素子が
接続されている。各スイッチング素子は、例えば薄膜ト
ランジスタであり、接続された２本のゲート線間の接続
および切断を切換えるためのものである。具体的には、
ゲート線ＧｌとＧ２との間に薄膜トランジスタＴ１２
が、ゲート線Ｇ３とＧ４との間には薄膜トランジスタＴ
３４が、ゲート線Ｇ４とＧ５との間には薄膜トランジス
タＴ４５が、それぞれ設けられている。つまり、図５に
示すように、上から数えて奇数番目のゲート線Ｇｌ、Ｇ
３、Ｇ５と、これらの各ゲート線と一方の側（図５にお
いては下側）において隣接する偶数番目のゲート線Ｇ
２、Ｇ４、Ｇ６との間に薄膜トランジスタが設けられて
いるのである。各薄膜トランジスタＴ１２、Ｔ３４、Ｔ
５６のゲートは、基板上に設けられたテスト端子にそれ
ぞれ接続されており、このテスト端子から供給される信
号に応じてオンオフが切換えられるようになっている。

【００７８】以上示した構成の電気光学装置Ｓ３におい
て、ゲート線の断線の有無の検査は、以下の手順で行わ
れる。

【００７９】まず、各薄膜トランジスタＴ１２、Ｔ３
４、Ｔ５６のゲートに対して所定の電圧を印加し、各薄
膜トランジスタをオンにする。この結果、ゲート線Ｇｌ
とＧ２との間、ゲート線Ｇ３とＧ４との間、およびゲー
ト線Ｇ５とＧ６との間を、各ゲート線の右側の端部近傍
において導通させることができる。次に、Ｙシフトレジ
スタ１により、１ビットのデータ“１”を順次シフトす
ることにより、各々導通された各ゲート線に対して順次
電流を流す。具体的には、まず、Ｙシフトレジスタ１の
６ステージの出力状態を“１０００００”とする。この
結果、ゲート線Ｇ１およびＧ２のいずれにも断線がない
場合、ゲート線Ｇｌ→薄膜トランジスタＴ１２→ゲート
線Ｇ２という経路を経て電流ｉ１２が流れる。次に、Ｙ
シフトレジスタ１を動作させ、Ｙシフトレジスタ１の６
ステージの出力状態を“００１０００”とすることによ
り、ゲート線Ｇ３とＧ４との間に電流ｉ３４を流す。以
後同様にして、ゲート線Ｇ５とＧ６との間に電流ｉ５６
を流す。

【００８０】そして、上記工程に並行して、上記電流ｉ
１２、ｉ３４、ｉ５６の電流値を順次測定する。この測
定された各電流値と、予め求められた所定値とを比較す
ることにより、各ゲート線における断線の有無を判定す
ることができる。

【００８１】この変形例によれば、上記実施形態のよう
に、欠陥を有するゲート線を１本に特定することはでき
ない。しかしながら、一対のゲート線のうちのいずれか
一方に欠陥があることを判定することができる。さら
に、上記実施形態における第２のゲート線断線検査過程
にあたる工程（すなわち、相互に導通させるゲート線を
別のゲート線に切換えて検査を行う工程）を行う必要が
ないため、上記実施形態と比較して短い時間で検査を行
うことができるという利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態である電気光学装置用基
板の構成を示す図である。

【図２】同実施形態である電気光学装置用基板の検査手
順を示すフローチャートである。

【図３】同実施形態である電気光学装置用基板の検査方
法を示す図である。

【図４】（ａ）は、同実施形態である電気光学装置用基
板を用いた電気光学装置の構成を示す平面図であり、
（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’線の断面図である。

【図５】この発明の変形例である電気光学装置用基板の
構成を示す図である。

【図6】従来の検査方法を適用した電気光学装置用基板
の一例を示す図である。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２４

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の配線と、 各々隣接する前記各配線の間に介挿された複数のスイッ
   チング素子であって、各々第１グループまたは第２グル
   ープのいずれかに属し、隣合うスイッチング素子は異な
   るグループに属し、前記各グループ単位で当該グループ
   に属するスイッチング素子のオンオフ切換えが可能な複
   数のスイッチング素子と、 前記複数のスイッチング素子を介して直列接続される２
   本の配線からなる複数の配線対に電流を流し、または電
   圧を印加する通電手段とを具備することを特徴とする電
   気光学装置用基板。
2. 【請求項２】 各々第１端部および第２端部を有する複
   数の配線と、 各々隣接する前記各配線の間の前記第１端部近傍に介挿
   された複数の第１スイッチング素子であって、各々第１
   グループまたは第２グループのいずれかに属し、隣合う
   スイッチング素子は異なるグループに属し、前記各グル
   ープ単位で当該グループに属するスイッチング素子のオ
   ンオフ切換えが可能な複数の第１スイッチング素子と、 各々隣接する前記各配線の間の前記第２端部近傍に介挿
   された複数の第２スイッチング素子であって、各々第３
   グループまたは第４グループのいずれかに属し、隣合う
   スイッチング素子は異なるグループに属し、前記各グル
   ープ単位で当該グループに属するスイッチング素子のオ
   ンオフ切換えが可能な複数の第２スイッチング素子と、 前記複数の第１スイッチング素子を介して直列接続され
   る２本の配線からなる複数の配線対に電流を流し、また
   は電圧を印加する第１通電手段と、 前記複数の第２スイッチング素子を介して直列接続され
   る２本の配線からなる複数の配線対に電流を流し、また
   は電圧を印加する第２通電手段とを具備することを特徴
   とする電気光学装置用基板。
3. 【請求項３】 前記第１通電手段と第２通電手段の各々
   は、前記複数の配線の駆動手段として使用可能な回路で
   あり、 各配線の駆動を指令するデータを順次シフトするシフト
   レジスタと、 各々前記シフトレジスタの各ステージに対応した複数の
   ３ステートバッファであって、各々の出力端が前記各配
   線の端部と接続された複数の３ステートバッファとを有
   することを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置用
   基板。
4. 【請求項４】 複数の選択線と、複数の信号線と、各選
   択線および信号線に接続されたスイッチング素子と、各
   スイッチング素子に接続された画素電極とを具備するア
   クティブマトリクス基板において、 各々隣接する前記各信号線の問に介挿された複数の検査
   用スイッチング素子であって、各々第１グループまたは
   第２グループのいずれかに属し、隣合う検査用スイッチ
   ング素子は異なるグループに属し、前記各グループ単位
   で当該グループに属する検査用スイッチング素子のオン
   オフ切換えが可能な複数の検査用スイッチング素子と、 前記各信号線の駆動に使用可能な信号線駆動回路であっ
   て、前記複数の検査用スイッチング素子を介して直列接
   続される２本の信号線からなる複数の信号線対に電流を
   流し、または電圧を印加する信号線駆動回路とを具備す
   ることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
5. 【請求項５】 各々第１端部および第２端部を有する複
   数の選択線と、複数の信号線と、各選択線および信号線
   に接続されたスイッチング素子と、各スイッチング素子
   の一端に接続された画素電極とを具備するアクティブマ
   ートリクス基板において、 各々隣接する前記各選択線の間の前記第１端部近傍に介
   挿された複数の第１スイッチング素子であって、各々第
   １グループまたは第２グループのいずれかに属し、隣合
   うスイッチング素子は異なるグループに属し、前記各グ
   ループ単位で当該グループに属するスイッチング素子の
   オンオフ切換えが可能な複数の第１スイッチング素子
   と、 各々隣接する前記各選択線の間の前記第２端部近傍に介
   挿された複数の第２スイッチング素子であって、各々第
   ３グループまたは第４グループのいずれかに属し、隣合
   うスイッチング素子は異なるグループに属し、前記各グ
   ループ単位で当該グループに属するスイッチング素子の
   オンオフ切換えが可能な複数の第２スイッチング素子
   と、 前記各選択線の駆動に使用可能な第１の選択線駆動回路
   であって、前記複数の第１スイッチング素子を介して直
   列接続される２本の選択線からなる複数の選択線対に電
   流を流し、または電圧を印加する第１の選択線駆動回路
   と、 前記各選択線の駆動に使用可能な第２の選択線駆動回路
   であって、前記複数の第２スイッチング素子を介して直
   列接続される２本の選択線からなる複数の選択線対に電
   流を流し、または電圧を印加する第２の選択線駆動回路
   とを具備することを特徴とするアクティブマトリクス基
   板。
6. 【請求項６】 複数の第１配線の各々と複数の第２配線
   の各々とを交互に配列してなる複数の配線と、 前記複数の第１配線の各々と、当該各第１配線と一方の
   側において隣接する各第２配線との間に介挿された複数
   のスイッチング素子と、 前記複数のスイッチング素子の各々を介して直列接続さ
   れる２本の配線からなる複数の配線対に電流を流し、ま
   たは電圧を印加する通電手段とを具備することを特徴と
   する電気光学装置用基板。
7. 【請求項７】 複数の配線と、各々隣接する前記各配線
   の間に介挿された複数のスイッチング素子とを有する電
   気光学装置用基板の検査方法であって、 隣接するスイッチング素子が異なるグループに属するよ
   うに、前記複数のスイッチング素子を第１のグループお
   よび第２のグループに分け、 前記第１グループに属するスイッチング素子をオンにす
   るとともに、当該スイッチング素子を介して直列接続さ
   れる２本の配線からなる複数の配線対に電流を流し、ま
   たは電圧を印加することにより、当該配線対における欠
   陥の有無を判定する第１の配線検査過程と、 前記第２グループに属するスイッチング素子をオンにす
   るとともに、当該スイッチング素子を介して直列接続さ
   れる２本の配線からなる複数の配線対に電流を流し、ま
   たは電圧を印加することにより、当該配線対における欠
   陥の有無を判定する第２の配線検査過程と、 前記第１の配線検査過程の判定結果と前記第２の配線検
   査過程の判定結果とに基づいて、欠陥を有する配線を判
   定する欠陥判定過程とを有することを特徴とする電気光
   学装置用基板の検査方法。
8. 【請求項８】 各々第１端部および第２端部を有する複
   数の配線と、各々隣接する前記各配線間の前記第１端部
   近傍に介挿された複数の第１スイッチング素子と、各々
   隣接する前記各配線間の前記第２端部近傍に介挿された
   複数の第２スイッチング素子と、前記複数の配線の第１
   端部に接続された第１通電手段と、前記複数の配綿の第
   ２端部に接続された第２通電手段とを具備する電気光学
   装置用基板の検査方法であって、 隣接する第１スイッチング素子が異なるグループに属す
   るように、前記複数の第１スイッチング素子を第１のグ
   ループおよび第２のグループに分けるとともに、隣接す
   る第２スイッチング素子が異なるグループに属するよう
   に、前記複数の第２スイッチング素子を第３のグループ
   および第４のグループに分け、 前記第１グループに属するスイッチング素子をオンにす
   るとともに、当該スイッチング素子を介して直列接続さ
   れる２本の配線からなる複数の配線対に前記第２通電手
   段を用いて電流を流し、または電圧を印加することによ
   り、当該配線対における欠陥の有無を判定する第１の配
   線検査過程と、前記第２グループに属するスイッチング
   素子をオンにするとともに、当該スイッチング素子を介
   して直列接続される２本の配線からなる複数の配線対に
   前記第２通電手段を用いて電流を流し、または電圧を印
   加することにより、当該配線対における欠陥の有無を判
   定する第２の配線検査過程とからなる第１過程と、 前記第３グループに属するスイッチング素子をオンにす
   るとともに、当該スイッチング素子を介して直列接続さ
   れる２本の配線からなる複数の配線対に前記第１通電手
   段を用いて電流を流し、または電圧を印加することによ
   り、当該配線対における欠陥の有無を判定する第１の配
   線検査過程と、前記第４グループに属するスイッチング
   素子をオンにするとともに、当該スイッチング素子を介
   して直列接続される２本の配線からなる複数の配線対に
   前記第１通電手段を用いて電流を流し、または電圧を印
   加することにより、当該配線対における欠陥の有無を判
   定する第２の配線検査過程とからなる第２過程とのうち
   のいずれか一方を実行する検査過程と、 前記第１配線検査過程の判定結果と、前記第２配線検査
   過程の判定結果とに基づいて、欠陥を有する配線を判定
   する欠陥判定過程とを有することを特徴とする電気光学
   装置用基板の検査方法。
9. 【請求項９】 前記検査過程に先立ち、前記第１通電手
   段および第２通電手段の機能の良否を判定する判定過程
   を有し、 前記検査過程においては、 前記判定過程において前記第１通電手段が不良であると
   判定された場合には前記第１過程を実行し、前記判定過
   程において前記第２通電手段が不良であると判定された
   場合には前記第２工程と実行し、前記判定過程において
   前記第１通電手段および第２通電手段の両方が不良であ
   ると判定された場合には第１過程および第２過程のいず
   れも実行しないことを特徴とする請求項７に記載の電気
   光学装置用基板の検査方法。
10. 【請求項１０】 複数の第１配線の各々と複数の第２配
    線の各々とを交互に配列してなる複数の配線と、前記複
    数の第１配線の各々と当該第１配線と一方の側において
    隣合う各第２配線との間に介挿された複数のスイッチン
    グ素子とを具備する電気光学装置用基板の検査方法であ
    って、 前記複数のスイッチング素子をオンにするとともに、当
    該スイッチング素子を介して直列接続される２本の配線
    からなる複数の配線対に電流を流し、または電圧を印加
    することにより、当該配線対における欠陥の有無を判定
    する配線検査過程を有することを特徴とする電気光学装
    置用基板の検査方法。