JP2001144229A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止した半導体素子の主面側からの放熱
を良好にする一方で、薄型化を図り、かつ耐湿性を高め
た高出力型の樹脂封止型半導体装置を提供する。 【解決手段】 放熱板２と、放熱板２上にマウントされ
る半導体素子６と、半導体素子６の主面上に形成される
電極Ｇ，Ｄ，Ｓに電気接続されるリード３，４，５とを
備え、半導体素子６を樹脂９で封止した樹脂封止型半導
体装置において、半導体素子６の主面上を覆いかつ一部
において当該半導体素子６の電極Ｓに接続され、他部に
おいて放熱板２に接続されて樹脂９内に封止された熱伝
導板８を備える。半導体素子６の主面近傍で発生した熱
は、熱伝導板８を介して放熱板２にまで伝達され、放熱
板２から放熱されるため、半導体素子６の主面側に厚い
放熱板を配設する必要がなく、半導体装置の薄型化を可
能にし、かつ放熱効果を高め、高出力型の樹脂封止型半
導体装置の実現が可能になる。
を良好にする一方で、薄型化を図り、かつ耐湿性を高め
た高出力型の樹脂封止型半導体装置を提供する。 【解決手段】 放熱板２と、放熱板２上にマウントされ
る半導体素子６と、半導体素子６の主面上に形成される
電極Ｇ，Ｄ，Ｓに電気接続されるリード３，４，５とを
備え、半導体素子６を樹脂９で封止した樹脂封止型半導
体装置において、半導体素子６の主面上を覆いかつ一部
において当該半導体素子６の電極Ｓに接続され、他部に
おいて放熱板２に接続されて樹脂９内に封止された熱伝
導板８を備える。半導体素子６の主面近傍で発生した熱
は、熱伝導板８を介して放熱板２にまで伝達され、放熱
板２から放熱されるため、半導体素子６の主面側に厚い
放熱板を配設する必要がなく、半導体装置の薄型化を可
能にし、かつ放熱効果を高め、高出力型の樹脂封止型半
導体装置の実現が可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子を樹脂封
止した樹脂封止型半導体装置に関し、特に半導体素子の
放熱効果を高めて高出力型の半導体装置の実現を可能と
した樹脂封止型半導体装置に関するものである。
止した樹脂封止型半導体装置に関し、特に半導体素子の
放熱効果を高めて高出力型の半導体装置の実現を可能と
した樹脂封止型半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体装置のパッケージ構造とし
て、特に高出力化を図った半導体装置では、パッケージ
素材にセラミックを用いた構造が一般的であるが、セラ
ミックを用いたパッケージは高価になり易いため、低コ
スト化を図る上では樹脂封止型のパッケージを構成する
ことが好ましい。ところが、樹脂封止型のパッケージ
は、樹脂の熱伝導性が低いために、特に、樹脂封止型半
導体装置の高出力化のためには、半導体素子からの放熱
性を高めることが重要な要素の一つとなっている。この
ような半導体装置では、ヒートシンクを樹脂と共に一体
化し、半導体素子で発生した熱をヒートシンクを介して
外部に放熱する構成がとられている。
て、特に高出力化を図った半導体装置では、パッケージ
素材にセラミックを用いた構造が一般的であるが、セラ
ミックを用いたパッケージは高価になり易いため、低コ
スト化を図る上では樹脂封止型のパッケージを構成する
ことが好ましい。ところが、樹脂封止型のパッケージ
は、樹脂の熱伝導性が低いために、特に、樹脂封止型半
導体装置の高出力化のためには、半導体素子からの放熱
性を高めることが重要な要素の一つとなっている。この
ような半導体装置では、ヒートシンクを樹脂と共に一体
化し、半導体素子で発生した熱をヒートシンクを介して
外部に放熱する構成がとられている。
【０００３】例えば、特開平１０−１８９８３４号公報
に記載の技術では、図７（ａ）のように、放熱板１０１
の表面上に回路パターンを有する絶縁性テープ１０２を
貼り付け、この絶縁性テープ１０２に半導体素子１０３
を搭載しかつリード１０４に電気接続するとともに、放
熱板１０１の半導体素子搭載面側のみを樹脂１０５で封
止する構成がとられている。この構成では、放熱板１０
１の裏面側の全面が樹脂１０５から露呈されているた
め、半導体素子１０３から放熱板１０１に伝導された熱
を有効に放熱することが可能となる。また、特開昭６１
−１６６０５１号公報に記載の技術では、図７（ｂ）の
ように、リードフレーム２０１に半導体素子２０２を搭
載し、リード２０３に対して電気接続を行った上で、封
止樹脂２０６よりも熱伝導性の高い材料からなる放熱板
２０４，２０５を半導体素子２０２の主面と反対側の裏
面のそれぞれに接着、あるいは接触した上で半導体素子
２０２を樹脂２０６で封止する構成がとられている。こ
の構成では、半導体素子２０２で発生した熱は、半導体
素子２０２の主面及び裏面のそれぞれから放熱板２０，
２０５に伝導され、各放熱板２０４，２０５から放熱さ
れることになる。
に記載の技術では、図７（ａ）のように、放熱板１０１
の表面上に回路パターンを有する絶縁性テープ１０２を
貼り付け、この絶縁性テープ１０２に半導体素子１０３
を搭載しかつリード１０４に電気接続するとともに、放
熱板１０１の半導体素子搭載面側のみを樹脂１０５で封
止する構成がとられている。この構成では、放熱板１０
１の裏面側の全面が樹脂１０５から露呈されているた
め、半導体素子１０３から放熱板１０１に伝導された熱
を有効に放熱することが可能となる。また、特開昭６１
−１６６０５１号公報に記載の技術では、図７（ｂ）の
ように、リードフレーム２０１に半導体素子２０２を搭
載し、リード２０３に対して電気接続を行った上で、封
止樹脂２０６よりも熱伝導性の高い材料からなる放熱板
２０４，２０５を半導体素子２０２の主面と反対側の裏
面のそれぞれに接着、あるいは接触した上で半導体素子
２０２を樹脂２０６で封止する構成がとられている。こ
の構成では、半導体素子２０２で発生した熱は、半導体
素子２０２の主面及び裏面のそれぞれから放熱板２０，
２０５に伝導され、各放熱板２０４，２０５から放熱さ
れることになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の半導
体装置では、特に前者の技術では、半導体素子の裏面側
からの放熱構造であるため、発熱源となる半導体素子の
主面側からの放熱効果を高めることが困難であり、その
ために、高出力型の半導体装置を構成することが難しい
という問題がある。この点、後者の技術では、半導体素
子の主面側にも放熱板を設けているため、主面側からの
放熱効果を高める上では有利である。しかしながら、半
導体素子の主面側に配設した放熱板での放熱効果を高め
るためには、当該放熱板を封止樹脂から露呈させ、ある
いは樹脂表面に近い位置に配置する必要があるため、封
止樹脂による封止性、特に耐湿性が低下され易くなる。
また、主面側の放熱板を厚く形成する必要があるため、
半導体装置の全高さ寸法が大きくなり、薄型の半導体装
置を構成する上での障害になる。さらに、半導体装置を
実装したときに、表面側の放熱板は輻射によって放熱を
行うことになるため、実装基板に直接的に熱伝導を行う
裏面側の放熱板に比較して放熱効果が低下されることは
避けられず、結局、半導体素子の主面側での放熱を期待
したほど高めることは困難になり、高出力型の半導体装
置を実現することは難しい。
体装置では、特に前者の技術では、半導体素子の裏面側
からの放熱構造であるため、発熱源となる半導体素子の
主面側からの放熱効果を高めることが困難であり、その
ために、高出力型の半導体装置を構成することが難しい
という問題がある。この点、後者の技術では、半導体素
子の主面側にも放熱板を設けているため、主面側からの
放熱効果を高める上では有利である。しかしながら、半
導体素子の主面側に配設した放熱板での放熱効果を高め
るためには、当該放熱板を封止樹脂から露呈させ、ある
いは樹脂表面に近い位置に配置する必要があるため、封
止樹脂による封止性、特に耐湿性が低下され易くなる。
また、主面側の放熱板を厚く形成する必要があるため、
半導体装置の全高さ寸法が大きくなり、薄型の半導体装
置を構成する上での障害になる。さらに、半導体装置を
実装したときに、表面側の放熱板は輻射によって放熱を
行うことになるため、実装基板に直接的に熱伝導を行う
裏面側の放熱板に比較して放熱効果が低下されることは
避けられず、結局、半導体素子の主面側での放熱を期待
したほど高めることは困難になり、高出力型の半導体装
置を実現することは難しい。
【０００５】本発明の目的は、半導体素子の主面側から
の放熱を良好にする一方で、薄型化を図り、かつ封止性
を向上した高出力型の樹脂封止型半導体装置を提供する
ものである。
の放熱を良好にする一方で、薄型化を図り、かつ封止性
を向上した高出力型の樹脂封止型半導体装置を提供する
ものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、放熱板と、前記放熱板上にマウントされる半
導体素子と、前記半導体素子の主面上に形成される電極
に電気接続されるリードとを備え、さらに、前記半導体
素子の主面上を覆いかつ一部において前記電極に接続さ
れ、他部において前記放熱板に接続されて前記樹脂に封
止された熱伝導板を備えることを特徴とする。ここで、
前記熱伝導板は側面形状がほぼ下向きコ字状に曲げ加工
された金属板で構成され、その中央の上面部において前
記半導体素子の電極に接続され、その両端部において前
記放熱板に接続される構成とする。また、前記半導体素
子の主面には複数種類の電極が形成され、その一部の電
極が他の電極よりも厚く形成され、前記厚くされた電極
の表面において前記熱伝導板が接続される構成とする。
体装置は、放熱板と、前記放熱板上にマウントされる半
導体素子と、前記半導体素子の主面上に形成される電極
に電気接続されるリードとを備え、さらに、前記半導体
素子の主面上を覆いかつ一部において前記電極に接続さ
れ、他部において前記放熱板に接続されて前記樹脂に封
止された熱伝導板を備えることを特徴とする。ここで、
前記熱伝導板は側面形状がほぼ下向きコ字状に曲げ加工
された金属板で構成され、その中央の上面部において前
記半導体素子の電極に接続され、その両端部において前
記放熱板に接続される構成とする。また、前記半導体素
子の主面には複数種類の電極が形成され、その一部の電
極が他の電極よりも厚く形成され、前記厚くされた電極
の表面において前記熱伝導板が接続される構成とする。
【０００７】また、本発明の前記熱伝導板の前記上面部
の両側には、前記半導体素子の主面の側方に向けて突出
された傾斜片が一体に設けられ、前記熱伝導板と前記半
導体素子の主面、及び前記傾斜片で囲まれる領域には前
記樹脂が充填されていない構成とすることが好ましい。
の両側には、前記半導体素子の主面の側方に向けて突出
された傾斜片が一体に設けられ、前記熱伝導板と前記半
導体素子の主面、及び前記傾斜片で囲まれる領域には前
記樹脂が充填されていない構成とすることが好ましい。
【０００８】本発明の樹脂封止型半導体装置では、半導
体素子の主面近傍で発生した熱は、熱伝導板を介して放
熱板にまで伝達され、放熱板から放熱される。そのた
め、半導体素子の主面側に厚い放熱板を配設する必要が
なく、半導体装置の薄型化を可能にし、かつ放熱効果を
高め、高出力型の樹脂封止型半導体装置の実現が可能に
なる。
体素子の主面近傍で発生した熱は、熱伝導板を介して放
熱板にまで伝達され、放熱板から放熱される。そのた
め、半導体素子の主面側に厚い放熱板を配設する必要が
なく、半導体装置の薄型化を可能にし、かつ放熱効果を
高め、高出力型の樹脂封止型半導体装置の実現が可能に
なる。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の第１の実施形態の高
出力型樹脂封止半導体装置の樹脂封止前の平面図、図２
及び図３は樹脂封止した状態での図１のＡ−Ａ線、Ｂ−
Ｂ線に沿った断面図である。また、図４はその一部を破
断した外観斜視図である。これらの図において、所要の
金属板を加工したリードフレーム１を有しており、前記
リードフレーム１の一部で矩形の平板状をした放熱板２
が構成されている。また、前記リードフレーム１の他の
部分で複数本のリードが形成されている。この実施形態
では、本発明を高出力型の電界効果トランジスタに適用
した例を示しており、前記リードを４本のリードで構成
し、そのうち１本をゲートリード３、他の１本をドレイ
ンリード４、他の２本をソースリード５として構成して
いる。なお、前記ソースリード５は前記放熱板２と一体
に形成されている。
参照して説明する。図１は本発明の第１の実施形態の高
出力型樹脂封止半導体装置の樹脂封止前の平面図、図２
及び図３は樹脂封止した状態での図１のＡ−Ａ線、Ｂ−
Ｂ線に沿った断面図である。また、図４はその一部を破
断した外観斜視図である。これらの図において、所要の
金属板を加工したリードフレーム１を有しており、前記
リードフレーム１の一部で矩形の平板状をした放熱板２
が構成されている。また、前記リードフレーム１の他の
部分で複数本のリードが形成されている。この実施形態
では、本発明を高出力型の電界効果トランジスタに適用
した例を示しており、前記リードを４本のリードで構成
し、そのうち１本をゲートリード３、他の１本をドレイ
ンリード４、他の２本をソースリード５として構成して
いる。なお、前記ソースリード５は前記放熱板２と一体
に形成されている。
【００１０】前記放熱板２上には半導体素子６、ここで
は櫛形ＰｏＧａＡｓＦＥＴチップがその主面を上方に向
けた状態で、裏面においてＡｕＳｎやＡｇペースト等の
ロー材によりマウントされている。前記半導体素子６の
主面には、半導体素子の長手方向に並んで櫛型にゲート
電極Ｇ、ドレイン電極Ｄ、ソース電極ＳがＡｕメッキに
より形成されているが、これらの電極のうち、ソース電
極ＳのＡｕメッキの厚さは数１０μｍであり、他のゲー
ト電極Ｇやドレイン電極Ｄのメッキ厚さの数μｍに対し
て十分厚くなっている。そして、前記ゲート電極Ｇ及び
ドレイン電極Ｄはそれぞれボンディングワイヤ７により
前記ゲートリード３、ドレインリード４に電気接続され
ている。
は櫛形ＰｏＧａＡｓＦＥＴチップがその主面を上方に向
けた状態で、裏面においてＡｕＳｎやＡｇペースト等の
ロー材によりマウントされている。前記半導体素子６の
主面には、半導体素子の長手方向に並んで櫛型にゲート
電極Ｇ、ドレイン電極Ｄ、ソース電極ＳがＡｕメッキに
より形成されているが、これらの電極のうち、ソース電
極ＳのＡｕメッキの厚さは数１０μｍであり、他のゲー
ト電極Ｇやドレイン電極Ｄのメッキ厚さの数μｍに対し
て十分厚くなっている。そして、前記ゲート電極Ｇ及び
ドレイン電極Ｄはそれぞれボンディングワイヤ７により
前記ゲートリード３、ドレインリード４に電気接続され
ている。
【００１１】また、前記半導体素子６の上には薄い金属
板を曲げ加工した熱伝導板８が跨設されている。前記熱
伝導板８は、横方向から見た形状がほぼ下向きコ字状に
曲げ加工されており、その中央に位置する上面部８ａの
内面において前記ソース電極ＳにＡｕＳｎやＡｇペース
トなどのロー材を用いて接続されている。また、両端部
８ｂは前記放熱板２に同様なロー材により接続されてい
る。これにより、ソース電極Ｓは熱伝導板８によって機
械的、かつ電気的に放熱板２に接続されることになる。
このとき、ソース電極Ｓはゲート電極Ｇとドレイン電極
Ｄに比較して厚く形成されているため、熱伝導板８がゲ
ート電極Ｇとドレイン電極Ｄに接触することはない。し
かる上で、前記放熱板２の表面側に前記半導体素子６、
熱伝導板８等を覆うように封止樹脂９がモールド形成さ
れ、樹脂封止型半導体装置が形成されている。このと
き、前記封止樹脂９は半導体素子６の主面と熱伝導板８
との隙間内にも充填される。
板を曲げ加工した熱伝導板８が跨設されている。前記熱
伝導板８は、横方向から見た形状がほぼ下向きコ字状に
曲げ加工されており、その中央に位置する上面部８ａの
内面において前記ソース電極ＳにＡｕＳｎやＡｇペース
トなどのロー材を用いて接続されている。また、両端部
８ｂは前記放熱板２に同様なロー材により接続されてい
る。これにより、ソース電極Ｓは熱伝導板８によって機
械的、かつ電気的に放熱板２に接続されることになる。
このとき、ソース電極Ｓはゲート電極Ｇとドレイン電極
Ｄに比較して厚く形成されているため、熱伝導板８がゲ
ート電極Ｇとドレイン電極Ｄに接触することはない。し
かる上で、前記放熱板２の表面側に前記半導体素子６、
熱伝導板８等を覆うように封止樹脂９がモールド形成さ
れ、樹脂封止型半導体装置が形成されている。このと
き、前記封止樹脂９は半導体素子６の主面と熱伝導板８
との隙間内にも充填される。
【００１２】以上の構成によれば、半導体装置は４端子
の高出力型の電界効果トランジスタとして構成される。
そして、当該電界効果トランジスタを駆動したときに、
半導体素子６で発生する熱の一部は、半導体素子６を構
成している半導体基板内を通して裏面側にまで伝達さ
れ、さらに放熱板２にまで伝達された上で放熱板２から
放熱されることになる。また、半導体素子６で発生した
熱の他の一部はソース電極Ｓから熱伝導板８の上面部８
ａに伝達し、この熱伝導板８を伝導して両端部８ｂにま
で至り、両端部８ｂにおいて放熱板２に伝達された上で
放熱板２から放熱される。すなわち、半導体素子６の主
面近傍で発生した熱は、熱伝導板８を介してすみやかに
放熱板２にまで伝導され、放熱板２から放熱されること
になる。
の高出力型の電界効果トランジスタとして構成される。
そして、当該電界効果トランジスタを駆動したときに、
半導体素子６で発生する熱の一部は、半導体素子６を構
成している半導体基板内を通して裏面側にまで伝達さ
れ、さらに放熱板２にまで伝達された上で放熱板２から
放熱されることになる。また、半導体素子６で発生した
熱の他の一部はソース電極Ｓから熱伝導板８の上面部８
ａに伝達し、この熱伝導板８を伝導して両端部８ｂにま
で至り、両端部８ｂにおいて放熱板２に伝達された上で
放熱板２から放熱される。すなわち、半導体素子６の主
面近傍で発生した熱は、熱伝導板８を介してすみやかに
放熱板２にまで伝導され、放熱板２から放熱されること
になる。
【００１３】このように、本実施形態の樹脂封止半導体
装置では、半導体素子６で発生した熱は全て放熱板２か
ら放熱されることになり、特に半導体素子６の主面近傍
で発生した熱は熱伝導板８を介して放熱板２にまで伝導
された上で放熱されるため、半導体素子６の放熱効果を
高めることができる。したがって、図７（ａ）に示した
従来の半導体装置のように、半導体素子の裏面側からの
み放熱を行う構造に比較して放熱効果を高め、高出力型
の半導体装置への適用が可能になる。また、このように
半導体素子６の主面側と裏面側からそれぞれ放熱を行う
構成とした場合でも、図７（ｂ）に示した従来の半導体
装置のように、半導体素子の主面側と裏面側にそれぞれ
厚い放熱板を配設する必要がないため、半導体装置の全
高さ寸法を低減し、薄型化が可能になる。さらに、半導
体素子の主面からの熱は熱伝導板８を介した直接熱伝導
によって放熱板２にまで伝達され、ここから例えば半導
体装置を実装する実装基板に対して熱伝導によって伝達
されて放熱されるため、従来構成の輻射の場合に比較し
て放熱効果を高めることも可能になる。これにより、高
出力型の半導体装置への適用が可能になる。
装置では、半導体素子６で発生した熱は全て放熱板２か
ら放熱されることになり、特に半導体素子６の主面近傍
で発生した熱は熱伝導板８を介して放熱板２にまで伝導
された上で放熱されるため、半導体素子６の放熱効果を
高めることができる。したがって、図７（ａ）に示した
従来の半導体装置のように、半導体素子の裏面側からの
み放熱を行う構造に比較して放熱効果を高め、高出力型
の半導体装置への適用が可能になる。また、このように
半導体素子６の主面側と裏面側からそれぞれ放熱を行う
構成とした場合でも、図７（ｂ）に示した従来の半導体
装置のように、半導体素子の主面側と裏面側にそれぞれ
厚い放熱板を配設する必要がないため、半導体装置の全
高さ寸法を低減し、薄型化が可能になる。さらに、半導
体素子の主面からの熱は熱伝導板８を介した直接熱伝導
によって放熱板２にまで伝達され、ここから例えば半導
体装置を実装する実装基板に対して熱伝導によって伝達
されて放熱されるため、従来構成の輻射の場合に比較し
て放熱効果を高めることも可能になる。これにより、高
出力型の半導体装置への適用が可能になる。
【００１４】図５は本発明の第２の実施形態を示す図で
あり、第１の実施形態の図３と同様の図である。この実
施形態では、熱伝導板８の上面部８ａには、長手方向の
両側に沿って、両側の斜め下方に突出した傾斜片８ｃを
一体に形成したことを特徴としている。この傾斜片８ｃ
はその先端縁が前記半導体素子６の主面に隣接する領域
まで突出形成されることが好ましい。このような傾斜片
８ｃを設けることにより、樹脂封止を行う際に、半導体
素子６の主面と熱伝導板８との間の隙間、換言すれば半
導体素子６の能動領域に封止樹脂９が侵入されることが
なく、前記した隙間に空隙を構成することが可能にな
る。その結果、ゲート電極Ｇ、ドレイン電極Ｄ、ソース
電極Ｓ間の容量を低くすることができ、容量による高周
波特性、たとえば線形利得の低下を防ぐことができ、か
つ放熱効率も改善された高出力型の樹脂封止型半導体装
置が実現できる。
あり、第１の実施形態の図３と同様の図である。この実
施形態では、熱伝導板８の上面部８ａには、長手方向の
両側に沿って、両側の斜め下方に突出した傾斜片８ｃを
一体に形成したことを特徴としている。この傾斜片８ｃ
はその先端縁が前記半導体素子６の主面に隣接する領域
まで突出形成されることが好ましい。このような傾斜片
８ｃを設けることにより、樹脂封止を行う際に、半導体
素子６の主面と熱伝導板８との間の隙間、換言すれば半
導体素子６の能動領域に封止樹脂９が侵入されることが
なく、前記した隙間に空隙を構成することが可能にな
る。その結果、ゲート電極Ｇ、ドレイン電極Ｄ、ソース
電極Ｓ間の容量を低くすることができ、容量による高周
波特性、たとえば線形利得の低下を防ぐことができ、か
つ放熱効率も改善された高出力型の樹脂封止型半導体装
置が実現できる。
【００１５】ここで、前記実施形態では、放熱板をリー
ドフレームの一部として構成した例を示しているが、図
６に示すように、放熱板２を独立した金属平板で構成
し、リードは放熱板２の周辺部に固定した回路基板１０
で構成するようにしてもよい。同図には、回路基板１０
の絶縁基板１１上に導電膜１２を形成し、これらの導電
膜をゲートリード３Ａ、ドレインリード４Ａとして構成
した例を示している。この場合においても、半導体素子
６のソース電極Ｓのメッキ厚さを他の電極よりも厚く形
成することで、熱伝導板８によってソース電極Ｓを放熱
板２に機械的かつ電気的に接続し、半導体素子６の主面
で発生した熱をソース電極Ｓ、熱伝導板８を介して放熱
板２にまで伝達し、放熱板２から放熱することは前記実
施形態で述べた通りである。なお、この構成の場合に
は、放熱板２はソースリード、すなわち接地リードとし
て機能することになる。
ドフレームの一部として構成した例を示しているが、図
６に示すように、放熱板２を独立した金属平板で構成
し、リードは放熱板２の周辺部に固定した回路基板１０
で構成するようにしてもよい。同図には、回路基板１０
の絶縁基板１１上に導電膜１２を形成し、これらの導電
膜をゲートリード３Ａ、ドレインリード４Ａとして構成
した例を示している。この場合においても、半導体素子
６のソース電極Ｓのメッキ厚さを他の電極よりも厚く形
成することで、熱伝導板８によってソース電極Ｓを放熱
板２に機械的かつ電気的に接続し、半導体素子６の主面
で発生した熱をソース電極Ｓ、熱伝導板８を介して放熱
板２にまで伝達し、放熱板２から放熱することは前記実
施形態で述べた通りである。なお、この構成の場合に
は、放熱板２はソースリード、すなわち接地リードとし
て機能することになる。
【００１６】なお、前記各実施形態では、ソース電極を
熱伝導板により放熱板に機械的、かつ電気的に接続した
構成例を示しているが、他の電極、例えばドレイン電極
に熱伝導板を接続するように構成してもよいことは言う
までもない。また、熱伝導板の形状は前記実施形態の構
成に限られるものでないことは言うまでもない。
熱伝導板により放熱板に機械的、かつ電気的に接続した
構成例を示しているが、他の電極、例えばドレイン電極
に熱伝導板を接続するように構成してもよいことは言う
までもない。また、熱伝導板の形状は前記実施形態の構
成に限られるものでないことは言うまでもない。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、樹脂封止
する半導体素子の主面上を覆いかつ一部において当該半
導体素子の主面に設けた電極に接続され、他部において
半導体素子をマウントしている放熱板に接続されて樹脂
内に封止された熱伝導板を備えることにより、半導体素
子の主面近傍で発生した熱は、熱伝導板を介して放熱板
にまで伝達され、放熱板から放熱される。そのため、半
導体素子の主面側に厚い放熱板を配設する必要がなく、
半導体装置の薄型化を可能にし、かつ放熱効果を高め、
高出力型の樹脂封止型半導体装置の実現が可能になる。
また、熱伝導板の両側に沿って傾斜片を設け、半導体素
子の主面と熱伝導板との間に樹脂が充填されないように
することで、半導体素子の電極における容量を低減し、
高周波数特性に優れた高出力型の樹脂封止型半導体装置
を実現することも可能になる。
する半導体素子の主面上を覆いかつ一部において当該半
導体素子の主面に設けた電極に接続され、他部において
半導体素子をマウントしている放熱板に接続されて樹脂
内に封止された熱伝導板を備えることにより、半導体素
子の主面近傍で発生した熱は、熱伝導板を介して放熱板
にまで伝達され、放熱板から放熱される。そのため、半
導体素子の主面側に厚い放熱板を配設する必要がなく、
半導体装置の薄型化を可能にし、かつ放熱効果を高め、
高出力型の樹脂封止型半導体装置の実現が可能になる。
また、熱伝導板の両側に沿って傾斜片を設け、半導体素
子の主面と熱伝導板との間に樹脂が充填されないように
することで、半導体素子の電極における容量を低減し、
高周波数特性に優れた高出力型の樹脂封止型半導体装置
を実現することも可能になる。
【図１】本発明の第１の実施形態の樹脂封入前の平面図
である。
である。
【図２】図１の半導体装置の樹脂封止状態でのＡ−Ａ線
に相当する断面図である。
に相当する断面図である。
【図３】図１の半導体装置の樹脂封止状態でのＢ−Ｂ線
に相当する断面図である。
に相当する断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の一部を破断した外観
斜視図である。
斜視図である。
【図５】本発明の第２の実施形態における図３と同様な
断面図である。
断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態の断面図である。
【図７】従来の樹脂封止型半導体装置の二つの例の断面
図である。
図である。
１ リードフレーム ２ 放熱板 ３ ゲートリード ４ ドレインリード ５ ソースリード ６ 半導体素子 ７ ボンディングワイヤ ８ 熱伝導板 ８ａ 上面部 ８ｂ 両端部 ８ｃ 傾斜片 ９ 封止樹脂 １０ 回路基板 １１ 絶縁板 １２ 導電膜
Claims (5)
- 【請求項１】 放熱板と、前記放熱板上にマウントされ
る半導体素子と、前記半導体素子の主面上に形成される
電極に電気接続されるリードとを備え、前記半導体素子
を樹脂封止した樹脂封止型半導体装置において、前記半
導体素子の主面上を覆いかつ一部において前記電極に接
続され、他部において前記放熱板に接続されて前記樹脂
に封止された熱伝導板を備えることを特徴とする樹脂封
止型半導体装置。 - 【請求項２】 前記熱伝導板は側面形状がほぼ下向きコ
字状に曲げ加工された金属板で構成され、その中央の上
面部において前記半導体素子の電極に接続され、その両
端部において前記放熱板に接続されていることを特徴と
する請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 前記半導体素子の主面には複数種類の電
極が形成され、その一部の電極が他の電極よりも厚く形
成され、前記厚くされた電極の表面において前記熱伝導
板が接続されていることを特徴とする請求項２に記載の
樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 前記半導体素子は電界効果トランジスタ
素子であり、ソース電極に前記熱伝導板が接続され、か
つ前記熱伝導板を介して前記ソース電極が前記放熱板に
電気接続されていることを特徴とする請求項３に記載の
樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項５】 前記熱伝導板の前記上面部の両側には、
前記半導体素子の主面の側方に向けて突出された傾斜片
が一体に設けられ、前記熱伝導板と前記半導体素子の主
面、及び前記傾斜片で囲まれる領域には前記樹脂が充填
されていないことを特徴とする請求項１ないし４のいず
れかに記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32632499A JP2001144229A (ja) | 1999-11-17 | 1999-11-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32632499A JP2001144229A (ja) | 1999-11-17 | 1999-11-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001144229A true JP2001144229A (ja) | 2001-05-25 |
Family
ID=18186506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32632499A Pending JP2001144229A (ja) | 1999-11-17 | 1999-11-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001144229A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004349347A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| US7317181B2 (en) | 2001-12-07 | 2008-01-08 | Hitachi Cable, Ltd. | Light-emitting unit and method for producing same as well as lead frame used for producing light-emitting unit |
| CN100435328C (zh) * | 2005-12-12 | 2008-11-19 | 三菱电机株式会社 | 模塑封装件 |
| KR101026348B1 (ko) | 2008-04-03 | 2011-04-04 | 키니크 컴퍼니 | 기판 위의 전자 소자를 지지하는 지지판 구조체 및 제조 방법 |
| JP2011134990A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2012108011A1 (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-16 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
| JP2017174951A (ja) * | 2016-03-23 | 2017-09-28 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1999
- 1999-11-17 JP JP32632499A patent/JP2001144229A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7317181B2 (en) | 2001-12-07 | 2008-01-08 | Hitachi Cable, Ltd. | Light-emitting unit and method for producing same as well as lead frame used for producing light-emitting unit |
| JP2004349347A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| CN100435328C (zh) * | 2005-12-12 | 2008-11-19 | 三菱电机株式会社 | 模塑封装件 |
| US8569871B2 (en) | 2005-12-12 | 2013-10-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device having a molded package |
| KR101026348B1 (ko) | 2008-04-03 | 2011-04-04 | 키니크 컴퍼니 | 기판 위의 전자 소자를 지지하는 지지판 구조체 및 제조 방법 |
| JP2011134990A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN103339724A (zh) * | 2011-02-09 | 2013-10-02 | 三菱电机株式会社 | 功率半导体模块 |
| WO2012108011A1 (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-16 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
| EP2674973A1 (en) | 2011-02-09 | 2013-12-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor module |
| JP5669866B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2015-02-18 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
| US9129949B2 (en) | 2011-02-09 | 2015-09-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor module |
| CN103339724B (zh) * | 2011-02-09 | 2016-03-02 | 三菱电机株式会社 | 功率半导体模块 |
| EP2674973B1 (en) | 2011-02-09 | 2019-12-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor module |
| JP2017174951A (ja) * | 2016-03-23 | 2017-09-28 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
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