JP2001134910A - 磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッドInfo
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Abstract
る構造において、磁区制御膜間で軟磁性膜が損傷を受け
るのを防止し得る磁気抵抗センサを提供する。 【解決手段】 磁区制御膜124は、軟磁性膜123の
面上に備えられ、軟磁性膜123を一方向に磁化M1す
る。磁区制御膜124は、軟磁性膜123の磁化方向M
1の両端側では、軟磁性膜123を磁化するのに十分な
第1の膜厚t1を有し、中間部100では、軟磁性膜1
23の磁化回転を許容するように薄くされた第2の膜厚
t2を有する。軟磁性膜123は磁区制御膜124の薄
くされた第2の膜厚t2によって覆われている。
Description
薄膜磁気ヘッドに関する。
る傾向の中で、磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗センサ
を用いた薄膜磁気ヘッドは、出力が磁気ディスクとの間
の相対速度に関係しないため、高記録密度で磁気記録媒
体に記憶されている情報を読み取るのに適した磁気変換
器として従来より知られている。
る異方性磁気抵抗効果膜(以下AMR膜と称する)を利
用したものが一般的であったが、最近は、巨大磁気抵抗
(giant magnetoresitive、以下GMRと称する)効果
膜を用いたもの、特に、スピンバルブ膜構造体が主流に
なっている。スピンバルブ膜構造体を用いた磁気抵抗セ
ンサは、特開平4ー35830号公報及びIEEE TRANSAC
TIONS ON MAGNETICS,VOL.30, No.6, NOVEMVER 1994に記
載されている。スピンバルブ膜構造体は、軟磁性膜(フ
リー層)と、導電性を有する非磁性膜と、強磁性膜と、
反強磁性膜とを含む。強磁性膜は、反強磁性膜と積層さ
れて交換結合を生じ、交換結合により一方向に磁化(ピ
ン止め)されている。本明細書では、ピン止めされてい
る強磁性膜をピンド層と称することがある。非磁性膜
は、軟磁性膜と、強磁性膜との間に備えられる。
化方向が外部磁界の強さに応じて回転する。スピンバル
ブ膜構造体の抵抗値は、強磁性膜の磁化方向に対する軟
磁性膜の磁化方向の角度によって定まる。スピンバルブ
膜構造体の抵抗値は、軟磁性膜の磁化方向が、強磁性膜
の磁化方向に対して逆方向のとき、最大となり、同一の
方向のときに最小になる。
を抑制する手段として、軟磁性膜に対して縦方向バイア
スをかける磁区制御膜が設けられる。縦バイアスの印加
方法としては、2つの方法が知られている。1つは硬磁
性膜(磁石層)を用いる方法であり、もう一つは反強磁
性膜を用いる方法である。このような縦バイアス印加の
ための構造は、例えば、特開平10ー112562号公
報に開示されている。特開平10ー112562号公報
は、硬磁性膜による縦バイアス印加構造とともに、反強
磁性膜を用いた縦バイアス印加構造も開示している。反
強磁性膜を用いた縦バイアス印加構造としては、軟磁性
膜の一面側において、磁化方向の両端に、2つの反強磁
性膜を、互いに間隔を隔てて、独立して設けた構造が開
示されている。2つの反強磁性膜の間には、軟磁性膜の
表面が露出しており、この部分が外部印加磁界に対して
磁化回転を生じる読み取りトラック幅(RTW)を画定
する。
2号公報で代表される従来技術では、軟磁性膜に2つの
反強磁性膜が間隔を隔てて備えられ、2つの反強磁性膜
の間に軟磁性膜の表面が露出する構造であるため、製造
工程のあるプロセスにおいて、軟磁性膜の表面が損傷を
受けることがある。
の上に反強磁性膜を形成した後、ミリング等の手段によ
って、反強磁性膜の中間部を除去し、2つの反強磁性膜
として独立させる方法は、その実用性が極めて高い。
膜の間に、軟磁性膜の表面が露出する構造であるため、
ミリング等の手段によって反強磁性膜の中間部を除去
し、2つの反強磁性膜として独立させる工程において、
軟磁性膜の表面がミリングによる損傷を受けることがあ
る。
つの硬磁性膜を用いる構造を採用する場合も、同様の問
題を生じる。
して、トンネル磁気抵抗効果素子(以下TMR素子と称
する)が、注目されている。TMR素子は、強磁性層/
非磁性層/強磁性層という多層構造からなる強磁性トン
ネル効果膜を利用している。強磁性トンネル効果とは、
非磁性層を挟む一対の強磁性層間に電流を流す場合に、
非磁性層を流れるトンネル電流が、両方の強磁性層の磁
化の相対角度に依存して変化する現象を言う。この場合
の非磁性層は、薄い絶縁膜であって、トンネル効果によ
りスピンを保存しながら電子が通過できるものである。
TMR素子においても、強磁性層の一方のバルクハウゼ
ンノイズを抑制する手段として、強磁性層の一方に対し
てバイアスをかける磁区制御膜が設けられるので、スピ
ンバルブ膜で述べた問題点を生じる。
制御膜間で、磁区制御膜に隣接する軟磁性膜が損傷を受
けるのを防止し得る磁気抵抗センサ及びそれを用いた薄
膜磁気ヘッドを提供することである。
抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッドを製造するのに適した製
造方法を提供することである。
め、本発明に係る磁気抵抗センサは、軟磁性膜と、磁区
制御膜とを含む。前記磁区制御膜は、前記軟磁性膜の一
面上に備えられ、前記軟磁性膜を一方向に磁化し、前記
軟磁性膜の磁化方向の両端側では第1の膜厚を有し、磁
化方向の中間部では前記第1の膜厚よりも薄い第2の膜
厚を有する。
分が、前記磁区制御膜の前記第2の膜厚を有する部分に
よって覆われている。
がフリー層となり、フリー層となる軟磁性膜の他面に、
導電性非磁性層及び強磁性層が配置される。強磁性層
は、磁化が固定されたピンド層となる。
が印加された場合、軟磁性膜の磁化方向が外部磁界の強
さに応じて回転する。スピンバルブ膜構造体の抵抗値
は、強磁性膜の磁化方向に対する軟磁性膜の磁化方向の
角度によって定まる。非磁性膜の抵抗値は、軟磁性膜の
磁化方向が強磁性膜の磁化方向に対して逆方向のとき、
最大となり、同一の方向のときに最小になる。このとき
の抵抗変化に応じたセンス電流の変化から、外部磁界が
検出される。
れ、磁化方向の両端側では第1の膜厚を有する。第1の
膜厚は、軟磁性膜を磁化する膜厚とする。これにより、
軟磁性膜に縦バイアスが加わり、軟磁性膜において、磁
壁移動に伴うバルクハウゼンノイズが抑制される。
1の膜厚よりも小さな第2の膜厚を有する。この第2の
膜厚は、軟磁性膜の磁化回転を許容するように薄くされ
た膜厚であり、この中間部が外部印加磁界に対して磁化
回転を生じる読み取りトラック幅(RTW)を画定す
る。
が、磁区制御膜の第2の膜厚を有する部分によって覆わ
れている。この構造によれば、軟磁性膜の全面に磁区制
御膜を形成し、ミリング等の手段によって磁区制御膜の
中間部を除去し、第1の膜厚を有する2つの磁区制御膜
として独立させる工程を採用した場合でも、軟磁性膜の
表面がミリングによる損傷を受けることがない。このた
め、フリー層となる軟磁性膜の表面に、2つの磁区制御
膜を有するスピンバルブ膜構造体において、磁区制御膜
間で軟磁性膜が損傷を受けるのを防止し得る。
の何れによっても構成することができる。磁区制御膜
を、反強磁性膜によって構成した場合は、反強磁性膜
は、軟磁性膜の両端側では軟磁性膜との間で交換結合磁
界を生じる第1の膜厚を有し、中間部では、軟磁性膜と
の間で、交換結合磁界を、実質的に生じさせない第2の
膜厚を有するような構造とする。磁区制御膜を、硬磁性
膜によって構成した場合は、軟磁性膜の両端側では、軟
磁性膜に対する縦バイアス磁界を印加し得る第1の膜厚
を有し、中間部では、磁性を失うような第2の膜厚とす
る。
軟磁性膜の他面側において磁化方向の両端側に間隔を隔
てて独立して備えられていてもよい。この場合は、保護
膜を備え、保護膜によって、磁区制御膜間の間隔内の軟
磁性膜を覆う構造とする。保護膜は磁区制御膜よりも薄
い膜厚とする。
て構成する場合において、反強磁性膜形成材料、その場
合に選択されるべき第2の膜厚について開示する。更
に、本発明に係る磁気抵抗センサを用いた薄膜磁気ヘッ
ド、及び、磁気抵抗センサの製造方法についても開示す
る。
との間の非磁性膜が、トンネルバリア層となること、及
び、センス電流の流れる方向がスピンバルブ膜構造体と
は、90度異なる給電構造を有することを除けば、スピ
ンバルブ膜構造体と、ほぼ同じ構造となる。従って、ス
ピンバルブ膜構造体に関して述べた上記作用効果が得ら
れる本発明の他の構成及び効果は、限定を意味しない実
施例である添付図面を参照して、更に詳しく説明する。
サを示す図である。実施例に示された磁気抵抗センサ
は、スピンバルブ膜構造体を含む。スピンバルブ膜構造
体は、反強磁性膜120と、強磁性膜(強磁性膜)12
1と、非磁性膜122と、軟磁性膜(軟磁性膜)123
と、磁区制御膜124とを含む。
る組成系によって構成できる。代表的には、Mn含有合
金もしくはMn含有化合物、酸化物系及びPtCr等を
挙げることができる。Mn含有合金の例としては、Pt
Mn、IrMn、FeMn、RhMn、NiMn膜、R
uMn膜、RuRhMn膜またはPtPdMn膜等があ
り、酸化物系としてはNiO、CoO、Fe2O3等があ
る。反強磁性120の膜厚は、一例であるが、5nm〜
25nm程度である。強磁性膜121は、一面が反強磁
性膜120の一面と積層されて交換結合し、交換結合に
より、矢印M2で示す一方向に磁化されている。この磁
化方向M2は固定される。即ち、反強磁性膜120がピ
ン止め層となり、強磁性膜121がピンド層となる。非
磁性膜122は、一面が強磁性膜121の他面に隣接し
ている。非磁性膜122は、例えば、約3nmのCu膜
によって構成される。
あって、一面が非磁性膜122の他面に隣接している。
軟磁性膜123は、例えば、NiFe膜によって構成さ
れる。軟磁性膜123の膜厚は10nm前後に選定する
ことができる。この実施例では、軟磁性膜123は単層
膜であるが、複数の磁性膜を積層した構造であってもよ
い。例えば、NiFe膜と、Co膜の積層膜を用いるこ
とができる。
面側(非磁性膜122と隣接する一面とは反対側)に備
えられ、軟磁性膜123を、矢印で示す方向に磁化M1
する。より具体的には、軟磁性膜123の磁化方向の両
端側では、軟磁性膜123を磁化するのに十分な第1の
膜厚t1を有し、磁化方向の中間部100では、軟磁性
膜123の磁化回転を許容するように薄くされた第2の
膜厚t2を有している。従って、軟磁性膜123は、中
間部100に対応する部分が、磁区制御膜124の薄く
された第2の膜厚t2によって覆われている。
するためのリード電極21、22がそれぞれ備えられて
いる。リード電極21、22の位置は、実施例に示すよ
うな磁区制御膜124の上に限らない。スピンバルブ膜
構造体の側部に備えてもよい。
膜121は、一面が反強磁性膜120の一面と交換結合
され、交換結合により磁化方向が固定され、ピンド層と
して働く。外部磁界が印加された場合、軟磁性膜123
の磁化方向M1が外部磁界の強さに応じて回転する。ス
ピンバルブ膜構造体の抵抗値は、強磁性膜121の磁化
方向M2に対する軟磁性膜123の磁化方向M1の角度
によって定まる。スピンバルブ膜構造体の抵抗値は、主
として、軟磁性膜123と強磁性膜121との間に存在
する非磁性膜122の抵抗値によって定まる。非磁性膜
122の抵抗値は、軟磁性膜123の磁化方向M1が強
磁性膜121の磁化方向M2に対して逆方向のとき、最
大となり、同一の方向のときに最小になる。このときの
抵抗変化に応じたセンス電流の変化から、外部磁界が検
出される。
面側に備えられ、磁化方向M1の両端側では軟磁性膜1
23を磁化するのに十分な第1の膜厚t1を有するか
ら、軟磁性膜123に縦バイアスが加わる。このため、
軟磁性膜123において、磁壁移動に伴うバルクハウゼ
ンノイズが抑制される。
部100では軟磁性膜123の磁化回転を許容するよう
に薄くされた第2の膜厚t2を有する。この中間部10
0の幅が外部印加磁界に対して磁化回転を生じる読み取
りトラック幅(RTW)を画定する。
対応する部分が、磁区制御膜124の薄くされた第2の
膜厚t2によって覆われている。この構造によれば、ミ
リング等の手段によって磁区制御膜124の中間部10
0を除去し、2つの磁区制御膜124、124として独
立させる工程を採用した場合でも、軟磁性膜123の表
面がミリングによる損傷を受けることがない。このた
め、フリー層となる軟磁性膜123の表面に、2つの磁
区制御膜124、124を有するスピンバルブ膜構造体
において、磁区制御膜124ー124間で軟磁性膜12
3が損傷を受けるのを防止し得る。
膜)、または、反強磁性膜によって構成することもでき
る。採用できる硬磁性膜の例としては、CoPt、Co
PtCr、SmCo、NbFeB等がある。磁区制御膜
124を構成する反強磁性膜は、基本的には、反強磁性
膜120に用いられる前記組成系を利用できる。具体的
には、例えば、IrMn膜、FeMn膜、NiMn膜、
PtMn膜、RuMn膜、RhMn膜、RuRhMn
膜、PtPdMn膜、NiO膜またはPtCr膜から選
択された少なくとも一種を含むことができる。
場合、磁区制御膜124は、軟磁性膜123の両端側で
は軟磁性膜123との間で交換結合磁界を生じる第1の
膜厚t1を有し、中間部100では軟磁性膜123との
間で交換結合磁界を、実質的に生じさせない第2の膜厚
t2となるようにする。
と軟磁性膜123との間で交換結合磁界を、実質的に生
じさせない第2の膜厚t2は、軟磁性膜123の組成材
料、及び、磁区制御膜124の組成材料によって異な
る。組成材料毎の第2の膜厚t2は実験によって定める
ことができる。その例を次に示す。
NiFe膜を用い、磁区制御膜124として、IrMn
膜、FeMn膜、NiMn膜、NiO膜、PtMn膜、
PtCrMn膜、PtPdMn膜、RuMn膜、RuR
hMn膜及びRhMn膜を用いた場合において、交換結
合磁界Hexを生じなくなる限界膜厚(最大厚み)のデ
ータを示している。図示された限界厚みよりも薄い厚み
になると、交換結合磁界Hexを生じなくなる。従っ
て、磁気的には、第2の膜厚t2の中間部100がない
のと同じ状態となり、この中間部100の幅が外部印加
磁界に対して磁化回転を生じる読み取りトラック幅(R
TW)を画定するようになる。
成する反強磁性膜が、IrMn膜またはFeMn膜の何
れかであるとき、中間部100の第2の膜厚t2が3n
m未満であれば、交換結合磁界Hexが生じなくなる。
即ち、第2の膜厚t2の中間部100がないのと同じ状
態となり、中間部100の幅が、外部印加磁界に対して
磁化回転を生じる読み取りトラック幅(RTW)を画定
するようになる。
e膜で構成した場合において、磁区制御膜124を構成
する反強磁性膜がIrMn膜である場合の第2の膜厚t
2と交換結合磁界Hexとの関係を示すグラフである。
IrMn膜の場合、第2の膜厚t2が3nm未満では、
交換結合磁界Hexはほぼゼロである。
NiMn膜またはNiO膜である場合は、中間部100
の第2の膜厚t2が15nm未満であれば、第2の膜厚
t2の中間部100がないのと同じ状態となり、中間部
100の幅が、外部印加磁界に対して磁化回転を生じる
読み取りトラック幅(RTW)を画定するようになる。
性膜が、PtMn膜、PtPdMn膜またはPtCr膜
であり、中間部100の第2の膜厚t2が10nm未満
であれば、交換結合磁界Hexが生じなくなる。即ち、
第2の膜厚t2の中間部100がないのと同じ状態とな
り、中間部100の幅が、外部印加磁界に対して磁化回
転を生じる読み取りトラック幅(RTW)を画定するよ
うになる。
が、RuMn膜、RuRhMn膜またはRhMn膜であ
り、中間部100の第2の膜厚t2が5nm未満であれ
ば、交換結合磁界Hexが生じなくなる。
合は、軟磁性膜123の両端側では、軟磁性膜123に
対する縦バイアス磁界を印加し得る第1の膜厚t1を有
し、中間部100では、磁性を失う(スーパーパラ磁
性)ような第2の膜厚t2とする。第2の膜厚t2は、
硬磁性膜の組成材料毎に実験によって定めることができ
る。
例を示す図である。図において、図1に現れた構成部分
と同一の構成部分については、同一の参照符号を付して
ある。図示された磁気抵抗センサは、保護膜127を有
している。保護膜127は例えばNiFe膜等によって
構成できる。磁区制御膜124、124は、軟磁性膜1
23の他面側(非磁性膜122と隣接する面とは反対
側)において磁化方向M1の両端側に間隔RTWを隔て
て、2つ備えられている。保護膜127は、磁区制御膜
124の第1の膜厚t1よりも薄い第2の膜厚t2を有
し、磁区制御膜124−124間の間隔RTWの内部に
おいて軟磁性膜123を覆っている。
3の面上に、磁区制御膜124を連続膜として形成し、
この磁区制御膜124の中間部を、ミリング等の手段に
よって除去し、2つの磁区制御膜124、124として
独立させる工程を採用した場合でも、軟磁性膜123の
表面がミリングによる損傷を受けることがない。このた
め、フリー層となる軟磁性膜123の表面に、2つの磁
区制御膜124を有するスピンバルブ膜構造体におい
て、軟磁性膜123が磁区制御膜124ー124間で損
傷を受けるのを防止し得る。
膜)、及び、反強磁性膜によって構成し得ることは、図
1に示した実施例の場合と同じである。また、硬磁性膜
及び反強磁性膜は、既に述べた組成材料によって構成で
きる。
実施例を示す図である。図において、図1、3に現れた
構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号
を付してある。図示された磁気抵抗センサにおいて、保
護膜127は軟磁性膜123の面のほぼ全面に設けられ
ている。保護膜127は、磁区制御膜124の第1の膜
厚t1よりも薄い第2の膜厚t2を有し、磁区制御膜1
24ー124間の間隔RTWの内部において軟磁性膜1
23を覆っている。磁区制御膜124、124は、軟磁
性膜123の磁化方向M1の両端側に間隔RTWを隔て
て、2つ備えられている。磁区制御膜124は、硬磁性
膜(磁石膜)によって構成する。
3の面上に、連続膜として形成された磁区制御膜の中間
部を、ミリング等の手段によって除去し、2つの磁区制
御膜124、124として独立させる工程を採用した場
合でも、軟磁性膜123の表面がミリングによる損傷を
受けることがない。このため、フリー層となる軟磁性膜
123の表面に、2つの磁区制御膜124を有するスピ
ンバルブ膜構造体において、軟磁性膜123が磁区制御
膜124−124間で損傷を受けるのを防止し得る。
別の例を示す図である。実施例に示された磁気抵抗セン
サは、TMR素子で構成され、反強磁性膜120と、強
磁性膜121と、非磁性膜122と、軟磁性膜(強磁性
膜)123と、磁区制御膜124とを含む。
0と交換結合し、交換結合により、一方向に磁化されて
いる。従って、反強磁性膜120が強磁性膜121の磁
化方向を固定するピン止め層となり、強磁性膜121が
ピンド層となる。
の他面に隣接している。非磁性膜122はトンネルバリ
ア層となる。軟磁性膜123は一面が非磁性膜122の
他面に隣接している。この軟磁性膜123はフリー層と
なる。
面側(非磁性膜122と隣接する一面とは反対側)に備
えられ、軟磁性膜123を、矢印で示す方向に磁化M1
する。磁区制御膜124の構造は、図1で述べた通りで
ある。即ち、軟磁性膜123の磁化方向の両端側では、
軟磁性膜123を磁化するのに十分な第1の膜厚t1を
有し、磁化方向の中間部100では、軟磁性膜123の
磁化回転を許容するように薄くされた第2の膜厚t2を
有している。従って、軟磁性膜123は、中間部100
に対応する部分が、磁区制御膜124の薄くされた第2
の膜厚t2によって覆われている。
は、センス電流Isのための電流供給路として用いられ
る。センス電流Isの供給のために、反強磁性膜120
及び磁区制御膜124に、リード電極膜を付与すること
が好ましい。
る材質は、高いTMR変化率が得られるように高スピン
分極材料が好ましく、例えば、Fe、Co、Ni、Fe
Co、NiFe、CoZrNb、FeCoNi等が用い
られる。これらは2層以上の積層体であってもよい。軟
磁性膜123の膜厚は、2〜5nm、好ましくは6〜2
nmとされる。膜厚が厚くなりすぎると、出力が低下す
る傾向があり、また、膜厚が薄くなりすぎると、磁気特
性が不安定となりヘッド動作時のノイズが増大するとい
う不都合が生じる。強磁性膜121の膜厚は、1〜10
nm、好ましくは2〜5nmとされる。膜厚が厚くなり
すぎると、反強磁性膜120による磁化のピンニングが
弱まり、また、膜厚が薄くなりすぎると、TMR変化率
が減少する傾向が生じる。
dO、MgO、Ta2O5、MoO2、TiO2、WO2等
から構成される。非磁性膜122の厚さは、素子の低抵
抗化のためできるだけ薄いことが望ましいが、あまり薄
すぎてピンホールが生じるとリーク電流がながれてしま
い好ましくない。一般には、0.5〜2nm程度とされ
る。反強磁性膜120及び磁区制御膜124に関して
は、スピンバルブ膜構造体において述べた事項が全て適
用される。
膜121は、一面が反強磁性膜120の一面と交換結合
され、交換結合により磁化方向が固定され、ピンド層と
して働く。外部磁界が印加された場合、軟磁性膜123
の磁化方向M1が外部磁界の強さに応じて回転する。T
MR素子の抵抗値は、強磁性膜121の磁化方向M2に
対する軟磁性膜123の磁化方向M1の角度によって定
まる。非磁性膜122の抵抗値は、軟磁性膜123の磁
化方向M1が強磁性膜121の磁化方向M2に対して逆
方向のとき、最大となり、同一の方向のときに最小にな
る。このときの抵抗変化に応じたセンス電流の変化か
ら、外部磁界が検出される。
面側に備えられ、磁化方向M1の両端側では軟磁性膜1
23を磁化するのに十分な第1の膜厚t1を有するか
ら、軟磁性膜123に縦バイアスが加わる。このため、
軟磁性膜123において、磁壁移動に伴うバルクハウゼ
ンノイズが抑制される。
部100では軟磁性膜123の磁化回転を許容するよう
に薄くされた第2の膜厚t2を有する。この中間部10
0の幅が外部印加磁界に対して磁化回転を生じる読み取
りトラック幅(RTW)を画定する。
対応する部分が、磁区制御膜124の薄くされた第2の
膜厚t2によって覆われている。この構造によれば、ミ
リング等の手段によって磁区制御膜124の中間部10
0を除去し、2つの磁区制御膜124、124として独
立させる工程を採用した場合でも、軟磁性膜123の表
面がミリングによる損傷を受けることがない。このた
め、フリー層となる軟磁性膜123の表面に、2つの磁
区制御膜124、124を有するスピンバルブ膜構造体
において、磁区制御膜124ー124間で軟磁性膜12
3が損傷を受けるのを防止し得る。TMR素子を用いた
場合も、図3、4に図示した構造を採用し得ることは言
うまでもない。
素子として用い、誘導型磁気抵抗センサを書き込み素子
として用いた薄膜磁気ヘッドの斜視図、図7は図6に示
した薄膜磁気ヘッドの拡大断面図、図8は読み出し素子
の部分の拡大斜視図、図9は図8に示した読み出し素子
の構造を示す図である。図示の薄膜磁気ヘッドは、スラ
イダ4の上に磁気抵抗センサで構成された読み出し素子
6及び誘導型磁気変換素子でなる書き込み素子5を有す
る。矢印A1は媒体走行方向を示す。
れ、Al2O3−TiC等でなる基体の上にAl2O3また
はSiO2等でなる絶縁膜62が設けられている。スラ
イダ4は磁気ディスクと対向する一面側に空気ベアリン
グ面(以下ABSと称する)43、44を有する。図示
はされていないが、ABS43、44には、浮上特性改
善等の目的で、種々の幾何学的形状が付与される。ま
た、実施例では、スライダ4は、磁気ディスクと対向す
る面側に2つの正圧発生用レール部41、42を有する
が、負圧発生構造を有するものであってもよい。
されている。読み出し素子6は、前述した本発明に係る
磁気抵抗センサで構成されている。このため、本発明に
係るMR型磁気抵抗センサの有する作用、効果がそのま
ま発揮される。下部シールド膜61は、パーマロイなど
の磁性膜によって構成されている。
は、下地膜126の上に反強磁性膜120を積層し、更
に、磁区制御膜124の上に非磁性保護膜125を付着
させてある。リード電極21、22はスピンバルブ膜構
造体の側端に備えられている。
磁性膜52、コイル膜53、アルミナ等でなるギャップ
膜54、絶縁膜55及び保護膜56などを有して、絶縁
膜62の上に積層されている。下部磁性膜51及び上部
磁性膜52の先端部は微小厚みのギャップ膜54を隔て
て対向するポール部510、520となっており、ポー
ル部510、520において書き込みを行なう。下部磁
性膜51及び上部磁性膜52のヨーク部521は、ポー
ル部510、520とは反対側にあるバックギャップ部
において、磁気回路を完成するように互いに結合されて
いる。絶縁膜55には、ヨーク部の結合部のまわりを渦
巻状にまわるように、コイル膜53を形成してある。図
示は、面内記録再生用磁気ヘッドであるが、垂直磁気記
録再生用磁気ヘッド等であってもよい。
方法について、図10〜図17を参照して説明する。こ
の製造方法は、図6〜図9に示した薄膜磁気ヘッドの読
み取り素子6の製造においても適用できる。
法を示す。まず、図10に示すように、反強磁性膜12
0、強磁性膜121、非磁性膜122、軟磁性膜123
及び磁区制御膜124を順次に積層する。磁区制御膜1
24は軟磁性膜123の全面を覆うように形成する。磁
区制御膜124の上に、予め、リード電極膜を設けてあ
ってもよい。
24の表面上にマスク71、72をパターニングする。
マスク71、72は、フォトレジストをフォトリソグラ
フィ技術によってパターニングすることによって得られ
る。マスク71、72の開口部73は、磁化回転を生じ
る読み取りトラック幅(RTW)を画定する。
72の開口部73を通して、イオンミリングまたはリア
クティブ.イオン.エッチング(RIE)等の手段によ
って、磁区制御膜124の一面を削減する。その際、軟
磁性膜123の表面に、第2の膜厚t2を有する中間部
分100が残るように、磁区制御膜124を削減する。
イオンミリングまたはRIE等の手段によって、磁区制
御膜124の一面を削減する際、軟磁性膜123の表面
に、第2の膜厚t2を有する磁区制御膜124の中間部
分100が残るように削減するので、軟磁性膜123の
表面がミリングまたはRIE等による損傷を受けること
がない。
により、図13に示した磁気抵抗センサが得られる。こ
の磁気抵抗センサは、軟磁性膜123の磁化方向の両端
側では、軟磁性膜123を磁化するのに十分な第1の膜
厚t1を有し、磁化方向の中間部100では、軟磁性膜
123の磁化回転を許容するように薄くされた第2の膜
厚t2を有している。軟磁性膜123は、中間部100
に対応する部分が、磁区制御膜124の薄くされた第2
の膜厚t2によって覆われている。
いて、第1の膜厚t1を有する磁区制御124、124
の上にリード電極21、22を付着させた状態を示して
いる。図10に示す状態で、リード電極を設けてある場
合は、図14の工程は不要である。
法を示す。まず、図15に示すように、反強磁性膜12
0、強磁性膜121、非磁性膜122、軟磁性膜123
及び磁区制御膜124を順次に積層する。磁区制御膜1
24は軟磁性膜123の全面を覆うように形成する。磁
区制御膜124の上に、予め、リード電極膜を設けてあ
ってもよい。
イオン.ビーム装置8を用いて、磁区制御膜124の中
間部に、フォーカス.イオン.ビームFIBを照射し、
磁区制御膜124の一面を削減する。これにより、軟磁
性膜123の両端側では、軟磁性膜123を磁化するの
に十分な第1の膜厚t1を有し、磁化方向の中間部10
0では、軟磁性膜123の磁化回転を許容するように薄
くされた第2の膜厚t2を有する磁気抵抗センサが得ら
れる。
して、磁区制御膜124の一面を削減する際、図16に
示すように、軟磁性膜123の表面に、第2の膜厚t2
を有する中間部分100が残るように、磁区制御膜12
4を削減する。このため、軟磁性膜123の表面がフォ
ーカス.イオン.ビームFIBによる損傷を受けること
がない。
いて、第1の膜厚t1を有する磁区制御124、124
の上にリード電極21、22を付着させた状態を示して
いる。図15に示す状態で、リード電極を設けてある場
合は、図17の工程は不要である。
した構造の磁気抵抗センサ及びそれを適用した薄膜磁気
ヘッドも、若干の工程変更を伴うだけで、図10〜図1
7に図示された製造方法を適用して製造することができ
る。
て、磁区制御膜124は硬磁性膜または反強磁性膜によ
って構成できること、反強磁性膜で構成する場合、磁区
制御膜124は、軟磁性膜123の両端側では軟磁性膜
123との間で交換結合磁界を生じる第1の膜厚t1を
有し、中間部100では軟磁性膜123との間で交換結
合磁界を、実質的に生じさせない第2の膜厚t2となる
ようにすること、磁区制御膜124と軟磁性膜123と
の間で交換結合磁界を、実質的に生じさせない第2の膜
厚t2は、軟磁性膜123の組成材料、及び、磁区制御
膜124の組成材料によって異なること等は前述した通
りである。
のような効果を得ることができる。 (a)フリー層となる軟磁性膜の表面に、2つの磁区制
御膜を有するスピンバルブ膜構造体において、磁区制御
膜間で軟磁性膜が損傷を受けるのを防止し得る磁気抵抗
センサ及びそれを用いた薄膜磁気ヘッドを提供すること
ができる。 (b)上述した磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッドを製
造するのに適した製造方法を提供することができる。
である場合の第2の膜厚と交換結合磁界Hexとの関係
を示すグラフである。
す図である。
を示す図である。
を示す図である。
ヘッドの斜視図である。
る。
み出し素子の部分を拡大して示す斜視図である。
み出し素子の構造を示す図である。
まれる1つの工程を示す図である。
る。
る。
る。
る。
に含まれる1つの工程を示す図である。
る。
る。
Claims (24)
- 【請求項1】 軟磁性膜と、磁区制御膜とを含む磁気抵
抗センサであって、 前記磁区制御膜は、前記軟磁性膜の一面上に備えられ、
前記軟磁性膜を一方向に磁化し、前記軟磁性膜の磁化方
向の両端側では第1の膜厚を有し、磁化方向の中間部で
は前記第1の膜厚よりも薄い第2の膜厚を有し、 前記軟磁性膜は、前記中間部に対応する部分が、前記磁
区制御膜の前記第2の膜厚を有する部分によって覆われ
ている磁気抵抗センサ。 - 【請求項2】 請求項1に記載された磁気抵抗センサで
あって、 更に、強磁性膜と、非磁性膜とを含み、 前記非磁性膜は、前記軟磁性膜と前記強磁性膜との間に
配置されている磁気抵抗センサ。 - 【請求項3】 請求項2に記載された磁気抵抗センサで
あって、 更に、反強磁性膜を含み、前記反強磁性膜は、前記強磁
性膜と交換結合され、前記交換結合により前記強磁性膜
の磁化方向が固定されている磁気抵抗センサ。 - 【請求項4】 請求項3に記載された磁気抵抗センサで
あって、 前記強磁性膜、前記非磁性膜、前記軟磁性膜及び前記反
強磁性膜はスピンバルブ膜構造体を構成する磁気抵抗セ
ンサ。 - 【請求項5】 請求項3または4に記載された磁気抵抗
センサであって、 前記強磁性膜、前記非磁性膜及び前記軟磁性膜は、強磁
性トンネル接合を構成する磁気抵抗センサ。 - 【請求項6】 請求項1乃至5の何れかに記載された磁
気抵抗センサであって、 前記磁区制御膜は、反強磁性膜であって、前記第1の膜
厚は前記軟磁性膜との間で交換結合磁界を生じる膜厚で
あり、前記第2の膜厚は前記軟磁性膜との間で交換結合
磁界を、実質的に生じさせない膜厚である磁気抵抗セン
サ。 - 【請求項7】 請求項6に記載された磁気抵抗センサで
あって、 前記磁区制御膜を構成する前記反強磁性膜は、IrMn
膜またはFeMn膜の何れかであり、前記第2の膜厚が
3nm未満である磁気抵抗センサ。 - 【請求項8】 請求項6に記載された磁気抵抗センサで
あって、 前記磁区制御膜を構成する前記反強磁性膜は、NiMn
膜またはNiO膜であり、前記第2の膜厚が15nm未
満である磁気抵抗センサ。 - 【請求項9】 請求項6に記載された磁気抵抗センサで
あって、 前記磁区制御膜を構成する前記反強磁性膜は、PtMn
膜、PtCr膜またはPtPdMn膜であり、前記第2
の膜厚が10nm未満である磁気抵抗センサ。 - 【請求項10】 請求項6に記載された磁気抵抗センサ
であって、 前記磁区制御膜を構成する前記反強磁性膜は、RuMn
膜、RuRhMn膜またはRhMn膜であり、前記第2
の膜厚が5nm未満である磁気抵抗センサ。 - 【請求項11】 請求項1乃至5に記載された磁気抵抗
センサであって、 前記磁区制御膜は、硬磁性膜である磁気抵抗センサ。 - 【請求項12】 軟磁性膜と、磁区制御膜と、保護膜と
を含む磁気抵抗センサであって、 前記磁区制御膜は、前記軟磁性膜を一方向に磁化するも
のであって、前記軟磁性膜の一面側において磁化方向の
両端側に間隔を隔てて備えられ、 前記保護膜は、前記磁区制御膜よりも薄い膜厚を有し、
前記磁区制御膜間の前記間隔内に存在して前記軟磁性膜
を覆っている磁気抵抗センサ。 - 【請求項13】 請求項12に記載された磁気抵抗セン
サであって、 更に、強磁性膜と、非磁性膜とを含み、 前記非磁性膜は、前記軟磁性膜と前記強磁性膜との間に
配置されている磁気抵抗センサ。 - 【請求項14】 請求項13に記載された磁気抵抗セン
サであって、 更に、反強磁性膜を含み、前記反強磁性膜は、前記強磁
性膜と交換結合され、 前記交換結合により前記強磁性膜の磁化方向が固定され
ている磁気抵抗センサ。 - 【請求項15】 請求項14に記載された磁気抵抗セン
サであって、 前記強磁性膜、前記非磁性膜、前記軟磁性膜及び前記反
強磁性膜はスピンバルブ膜構造を構成する磁気抵抗セン
サ。 - 【請求項16】 請求項13または14に記載された磁
気抵抗センサであって、 前記強磁性膜、前記非磁性膜及び前記軟磁性膜は、強磁
性トンネル接合を構成する磁気抵抗センサ。 - 【請求項17】 請求項12乃至16の何れかに記載さ
れた磁気抵抗センサであって、 前記磁区制御膜は、反強磁性膜である磁気抵抗センサ。 - 【請求項18】 請求項17に記載された磁気抵抗セン
サであって、 前記磁区制御膜を構成する前記反強磁性膜は、IrMn
膜、FeMn膜、NiMn膜、NiO膜、PtMn膜、
PtCr膜、PtPdMn膜、RuMn膜、、RuRh
Mn膜またはRhMn膜から選択された一種である磁気
抵抗センサ。 - 【請求項19】 請求項12乃至16に記載された磁気
抵抗センサであって、 前記磁区制御膜は、硬磁性膜である磁気抵抗センサ。 - 【請求項20】 少なくとも1つの読み出し素子を含む
薄膜磁気ヘッドであって、 前記読み出し素子は、請求項1乃至19の何れかに記載
された磁気抵抗センサでなる薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項21】 請求項20に記載された薄膜磁気ヘッ
ドであって、 更に、少なくとも1つの書き込み素子を含む薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項22】 請求項1乃至11の何れかに記載され
た磁気抵抗センサを製造する方法であって、 前記軟磁性膜膜の一面上に、前記磁区制御膜を付着さ
せ、 前記磁区制御膜の一面を、磁化方向の中間部で削減し、
その際、前記軟磁性膜の上に前記磁区制御膜の削減され
た膜厚が残るように処理する工程を含む磁気抵抗センサ
の製造方法。 - 【請求項23】 請求項12乃至19の何れかに記載さ
れた磁気抵抗センサを製造する方法であって、 前記軟磁性膜膜の一面上に、前記保護膜を付着させ、 前記軟磁性膜及び前記保護膜の上に前記磁区制御膜を付
着させ、 前記磁区制御膜の一面を、磁化方向の中間部で削減し、
その際、前記軟磁性膜の上に前記保護膜が残るように処
理する工程を含む磁気抵抗センサの製造方法。 - 【請求項24】 請求項22または23に記載された方
法であって、 前記磁区制御膜の一面を、ミリング、リアクティブ.イ
オン.エッチングまたはフォーカス.イオン.ビームに
よって削減する磁気抵抗センサの製造方法。
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JP (1) | JP2001134910A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1306687A2 (en) * | 2001-10-29 | 2003-05-02 | Yamaha Corporation | Magnetic sensor |
JP2006005277A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子 |
US6995957B2 (en) | 2003-03-18 | 2006-02-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherland B.V. | Magnetoresistive sensor having a high resistance soft magnetic layer between sensor stack and shield |
JP2006066821A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Yamaha Corp | 磁気抵抗効果素子を備えた磁気センサ |
CN102790170A (zh) * | 2011-05-19 | 2012-11-21 | 宇能电科技股份有限公司 | 磁阻感测元件及其形成方法 |
WO2018030224A1 (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | アルプス電気株式会社 | 交換結合膜ならびにこれを用いた磁気抵抗効果素子および磁気検出装置 |
WO2019035294A1 (ja) * | 2017-08-14 | 2019-02-21 | アルプスアルパイン株式会社 | 交換結合膜ならびにこれを用いた磁気抵抗効果素子および磁気検出装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6671139B2 (en) * | 2002-01-31 | 2003-12-30 | International Business Machines Corporation | In-stack longitudinal bias structure for CIP spin valve sensors with bias layer electrically insulated from free layer |
US7405908B2 (en) * | 2004-07-30 | 2008-07-29 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Magnetic head with improved free magnetic layer biasing for thinner CPP sensor stack |
JP4385043B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2009-12-16 | Tdk株式会社 | 磁性膜の製造方法及び磁性膜 |
US20110163400A1 (en) * | 2008-03-06 | 2011-07-07 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Ferromagnetic tunnel junction element and method of driving ferromagnetic tunnel junction element |
-
2000
- 2000-06-05 JP JP2000167691A patent/JP2001134910A/ja active Pending
-
2002
- 2002-05-15 US US10/145,132 patent/US20020163767A1/en not_active Abandoned
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1306687A2 (en) * | 2001-10-29 | 2003-05-02 | Yamaha Corporation | Magnetic sensor |
EP1306687A3 (en) * | 2001-10-29 | 2004-01-21 | Yamaha Corporation | Magnetic sensor |
US6995957B2 (en) | 2003-03-18 | 2006-02-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherland B.V. | Magnetoresistive sensor having a high resistance soft magnetic layer between sensor stack and shield |
JP2006005277A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子 |
JP2006066821A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Yamaha Corp | 磁気抵抗効果素子を備えた磁気センサ |
CN102790170A (zh) * | 2011-05-19 | 2012-11-21 | 宇能电科技股份有限公司 | 磁阻感测元件及其形成方法 |
CN109716548A (zh) * | 2016-08-10 | 2019-05-03 | 阿尔卑斯阿尔派株式会社 | 交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置 |
WO2018030224A1 (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | アルプス電気株式会社 | 交換結合膜ならびにこれを用いた磁気抵抗効果素子および磁気検出装置 |
JPWO2018030224A1 (ja) * | 2016-08-10 | 2019-06-06 | アルプスアルパイン株式会社 | 交換結合膜ならびにこれを用いた磁気抵抗効果素子および磁気検出装置 |
US10650849B2 (en) | 2016-08-10 | 2020-05-12 | Alps Alpine Co., Ltd. | Magnetoresistive element having exchange-coupled film including PtCr/XMn antiferromagnetic bilayer |
CN109716548B (zh) * | 2016-08-10 | 2022-12-06 | 阿尔卑斯阿尔派株式会社 | 交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置 |
WO2019035294A1 (ja) * | 2017-08-14 | 2019-02-21 | アルプスアルパイン株式会社 | 交換結合膜ならびにこれを用いた磁気抵抗効果素子および磁気検出装置 |
CN111033779A (zh) * | 2017-08-14 | 2020-04-17 | 阿尔卑斯阿尔派株式会社 | 交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置 |
JPWO2019035294A1 (ja) * | 2017-08-14 | 2020-09-10 | アルプスアルパイン株式会社 | 交換結合膜ならびにこれを用いた磁気抵抗効果素子および磁気検出装置 |
US11476414B2 (en) | 2017-08-14 | 2022-10-18 | Alps Alpine Co., Ltd. | Exchange coupling film, magnetoresistance effect element film using the exchange coupling film, and magnetic detector using the exchange coupling film |
CN111033779B (zh) * | 2017-08-14 | 2023-11-14 | 阿尔卑斯阿尔派株式会社 | 交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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