JP3367488B2 - 磁気抵抗効果センサ、薄膜磁気ヘッド及び該薄膜磁気ヘッドを備えた薄膜ウエハ - Google Patents
磁気抵抗効果センサ、薄膜磁気ヘッド及び該薄膜磁気ヘッドを備えた薄膜ウエハInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スピンバルブ（Ｓ
Ｖ）等の巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）又はトンネル磁気
抵抗効果（ＴＭＲ）を利用しており種々の磁気検出に用
いられる磁気抵抗効果（ＭＲ）センサ、例えばハードデ
ィスク装置（ＨＤＤ）等の磁気記録再生装置用の薄膜磁
気ヘッド及びこの薄膜磁気ヘッドを複数備えた薄膜ウエ
ハに関する。
Ｖ）等の巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）又はトンネル磁気
抵抗効果（ＴＭＲ）を利用しており種々の磁気検出に用
いられる磁気抵抗効果（ＭＲ）センサ、例えばハードデ
ィスク装置（ＨＤＤ）等の磁気記録再生装置用の薄膜磁
気ヘッド及びこの薄膜磁気ヘッドを複数備えた薄膜ウエ
ハに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の磁気記録における記録密度の伸び
は目覚しく、年率１００％の割合で記録密度が高まって
いる。この記録密度の上昇を支えているのが、薄膜磁気
ヘッドの高効率化である。異方性磁気抵抗効果（ＡＭ
Ｒ）を利用した薄膜磁気ヘッドの場合には、ＭＲ変化率
がたかだか約２％であった。これに対して、高感度及び
高出力のＧＭＲセンサの１つであるＳＶを利用したＳＶ
ＭＲセンサを備えた薄膜磁気ヘッド（ＳＶＭＲヘッド）
の場合には、ＭＲ変化率が６〜８％となり、約３倍に増
加している。
は目覚しく、年率１００％の割合で記録密度が高まって
いる。この記録密度の上昇を支えているのが、薄膜磁気
ヘッドの高効率化である。異方性磁気抵抗効果（ＡＭ
Ｒ）を利用した薄膜磁気ヘッドの場合には、ＭＲ変化率
がたかだか約２％であった。これに対して、高感度及び
高出力のＧＭＲセンサの１つであるＳＶを利用したＳＶ
ＭＲセンサを備えた薄膜磁気ヘッド（ＳＶＭＲヘッド）
の場合には、ＭＲ変化率が６〜８％となり、約３倍に増
加している。
【０００３】ＳＶ構造は、２つの強磁性体層を非磁性金
属層で磁気的に分離してサンドイッチ構造とし、その一
方の強磁性体層に反強磁性体層を積層することによって
その界面で生じる交換バイアス磁界をこの一方の強磁性
体層（ピンド（ｐｉｎｎｅｄ）層）に印加するようにし
たものである。交換バイアス磁界を受けるピンド層と受
けない他方の強磁性体層（フリー（ｆｒｅｅ）層）とで
は磁化反転する磁界が異なるので、非磁性金属層を挟む
これら２つの強磁性体層の磁化の向きが平行、反平行と
変化し、これにより電気抵抗率が大きく変化するのでＧ
ＭＲが得られる。
属層で磁気的に分離してサンドイッチ構造とし、その一
方の強磁性体層に反強磁性体層を積層することによって
その界面で生じる交換バイアス磁界をこの一方の強磁性
体層（ピンド（ｐｉｎｎｅｄ）層）に印加するようにし
たものである。交換バイアス磁界を受けるピンド層と受
けない他方の強磁性体層（フリー（ｆｒｅｅ）層）とで
は磁化反転する磁界が異なるので、非磁性金属層を挟む
これら２つの強磁性体層の磁化の向きが平行、反平行と
変化し、これにより電気抵抗率が大きく変化するのでＧ
ＭＲが得られる。
【０００４】ＳＶＭＲヘッドの出力特性等は、非磁性金
属層を挟むこれら２つの強磁性体層（ピンド層及びフリ
ー層）の磁化のなす角度によって定まる。フリー層の磁
化方向は磁気記録媒体からの漏洩磁界の方向に容易に向
く。一方、ピンド層の磁化方向は反強磁性体層との交換
結合により一方向（ピンニングされる方向、ピンド方
向）に制御される。
属層を挟むこれら２つの強磁性体層（ピンド層及びフリ
ー層）の磁化のなす角度によって定まる。フリー層の磁
化方向は磁気記録媒体からの漏洩磁界の方向に容易に向
く。一方、ピンド層の磁化方向は反強磁性体層との交換
結合により一方向（ピンニングされる方向、ピンド方
向）に制御される。
【０００５】ＳＶＭＲヘッド動作時において、フリー層
は、磁壁の移動がない状態で磁化変化する必要がある。
これは、磁壁移動を伴う磁化変化は、磁壁移動を伴わな
い磁化変化に比べて応答が遅く、不可逆であることから
バルクハウゼンノイズと呼ばれるノイズ成分となってし
まうからである。このため、例えばハードマグネット等
を磁気多層膜の両端に配置し、フリー層にバイアス磁界
（縦バイアス磁界）を印加し、磁壁移動を抑制すること
が一般的に行われている。
は、磁壁の移動がない状態で磁化変化する必要がある。
これは、磁壁移動を伴う磁化変化は、磁壁移動を伴わな
い磁化変化に比べて応答が遅く、不可逆であることから
バルクハウゼンノイズと呼ばれるノイズ成分となってし
まうからである。このため、例えばハードマグネット等
を磁気多層膜の両端に配置し、フリー層にバイアス磁界
（縦バイアス磁界）を印加し、磁壁移動を抑制すること
が一般的に行われている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＳＶＭＲヘッドにおい
て、ピンド層の磁化方向が外部磁界の影響を受けて動く
とすれば、フリー層の磁化方向も影響を受けその出力が
変化してしまう。実際、ＳＶＭＲセンサ素子とインダク
ティブ書き込み素子とを有する複合型薄膜磁気ヘッドで
は、書き込み後の出力が２つの値をとる２値（２ステー
ト）現象を起こし易いが、これはピンド層の磁化方向が
書き込み時の磁界により動いてしまうために起こると推
察される。
て、ピンド層の磁化方向が外部磁界の影響を受けて動く
とすれば、フリー層の磁化方向も影響を受けその出力が
変化してしまう。実際、ＳＶＭＲセンサ素子とインダク
ティブ書き込み素子とを有する複合型薄膜磁気ヘッドで
は、書き込み後の出力が２つの値をとる２値（２ステー
ト）現象を起こし易いが、これはピンド層の磁化方向が
書き込み時の磁界により動いてしまうために起こると推
察される。
【０００７】一方、フリー層の磁化の向きが磁気記録媒
体表面と完全に平行ではなく磁気記録媒体方向へ傾いて
いるため、ＳＶＭＲヘッドをオフトラックさせた場合に
得られるアシメトリ特性は、負側に大きくずれた特性と
なっている。この傾向は、特に、トラックエッジ部分で
大きい。アシメトリ特性が負側に大きくずれると、磁気
記録媒体上にあらかじめ記録されているサーボ信号によ
ってＳＶＭＲヘッドをトラック中心に位置制御するため
のサーボ制御に大きな問題が生じる。
体表面と完全に平行ではなく磁気記録媒体方向へ傾いて
いるため、ＳＶＭＲヘッドをオフトラックさせた場合に
得られるアシメトリ特性は、負側に大きくずれた特性と
なっている。この傾向は、特に、トラックエッジ部分で
大きい。アシメトリ特性が負側に大きくずれると、磁気
記録媒体上にあらかじめ記録されているサーボ信号によ
ってＳＶＭＲヘッドをトラック中心に位置制御するため
のサーボ制御に大きな問題が生じる。
【０００８】従って本発明の目的は、２ステート現象等
の出力不安定性を解消することのできるＭＲセンサ、薄
膜磁気ヘッド及びこの薄膜磁気ヘッドを複数備えた薄膜
ウエハを提供することにある。
の出力不安定性を解消することのできるＭＲセンサ、薄
膜磁気ヘッド及びこの薄膜磁気ヘッドを複数備えた薄膜
ウエハを提供することにある。
【０００９】本発明の他の目的は、アシメトリ特性を向
上させることができるＭＲセンサ、薄膜磁気ヘッド及び
この薄膜磁気ヘッドを複数備えた薄膜ウエハを提供する
ことにある。
上させることができるＭＲセンサ、薄膜磁気ヘッド及び
この薄膜磁気ヘッドを複数備えた薄膜ウエハを提供する
ことにある。
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、非磁性層、非
磁性層を挟んで積層された第１及び第２の強磁性層（フ
リー層及びピンド層）、並びに第２の強磁性層の非磁性
層とは反対側の面に積層された反強磁性層を含むＭＲ積
層構造体と、ＭＲ積層構造体の感磁面又は浮上面（ＡＢ
Ｓ）に平行な方向の両方の縁端面にそれぞれ接して設け
られておりこのＭＲ積層構造体に縦バイアス磁界を印加
する縦バイアス手段とを備えたＭＲセンサ、薄膜磁気ヘ
ッド及びこの薄膜磁気ヘッドを複数備えた薄膜ウエハに
関する。特に本発明では、ＭＲ積層構造体の形状を、そ
の両方の縁端面が感磁面又はＡＢＳに垂直な方向に対し
て互いに同一の方向に傾斜するように構成している。
磁性層を挟んで積層された第１及び第２の強磁性層（フ
リー層及びピンド層）、並びに第２の強磁性層の非磁性
層とは反対側の面に積層された反強磁性層を含むＭＲ積
層構造体と、ＭＲ積層構造体の感磁面又は浮上面（ＡＢ
Ｓ）に平行な方向の両方の縁端面にそれぞれ接して設け
られておりこのＭＲ積層構造体に縦バイアス磁界を印加
する縦バイアス手段とを備えたＭＲセンサ、薄膜磁気ヘ
ッド及びこの薄膜磁気ヘッドを複数備えた薄膜ウエハに
関する。特に本発明では、ＭＲ積層構造体の形状を、そ
の両方の縁端面が感磁面又はＡＢＳに垂直な方向に対し
て互いに同一の方向に傾斜するように構成している。
【００１５】ＧＭＲ、ＴＭＲ等のＭＲ積層構造体の感磁
面又はＡＢＳと平行な方向の両方の縁端面が感磁面又は
ＡＢＳに垂直な方向に対して互いに同一の方向に傾斜し
ている。換言すれば、ＭＲ積層構造体と縦バイアス手段
との境界面が、感磁面又はＡＢＳに垂直ではなく、縦バ
イアス手段の存在する方向（磁気ヘッドの場合にトラッ
ク幅方向）に傾いて形成されている。
面又はＡＢＳと平行な方向の両方の縁端面が感磁面又は
ＡＢＳに垂直な方向に対して互いに同一の方向に傾斜し
ている。換言すれば、ＭＲ積層構造体と縦バイアス手段
との境界面が、感磁面又はＡＢＳに垂直ではなく、縦バ
イアス手段の存在する方向（磁気ヘッドの場合にトラッ
ク幅方向）に傾いて形成されている。
【００１６】このように、ＭＲ積層構造体の縁端面を傾
けることにより、ピンド層の縁端面が傾くのでその形状
異方性と、ピンド層の膜自体の異方性とが角度をなして
いるため、ピンド層に外部磁界が印加されてもその磁化
方向が元に戻り易くなる。その結果、書き込み磁界等の
外部磁界により生じる２ステート現象等の出力不安定性
が解消される。
けることにより、ピンド層の縁端面が傾くのでその形状
異方性と、ピンド層の膜自体の異方性とが角度をなして
いるため、ピンド層に外部磁界が印加されてもその磁化
方向が元に戻り易くなる。その結果、書き込み磁界等の
外部磁界により生じる２ステート現象等の出力不安定性
が解消される。
【００１７】さらに、ＭＲ積層構造体の縁端面を傾ける
ことにより、磁気記録媒体方向へ傾いていたフリー層の
磁化の向きが補正され、アシメトリ特性の中心からのず
れが小さくなる。その結果、サーボ制御特性が大幅に向
上する。
ことにより、磁気記録媒体方向へ傾いていたフリー層の
磁化の向きが補正され、アシメトリ特性の中心からのず
れが小さくなる。その結果、サーボ制御特性が大幅に向
上する。
【００１８】なお、特開平８−１８１２０号公報には、
ＭＲ素子の形状をその両端が傾斜した形状とすることが
開示されているが、この従来技術は、バイアス磁界を印
加することなくＭＲ素子の単磁区化を図るためのもので
あり、本発明とは、その目的及び構造が、さらには作用
効果も全く異なるものである。
ＭＲ素子の形状をその両端が傾斜した形状とすることが
開示されているが、この従来技術は、バイアス磁界を印
加することなくＭＲ素子の単磁区化を図るためのもので
あり、本発明とは、その目的及び構造が、さらには作用
効果も全く異なるものである。
【００１９】また、特開平８−２３５５３４号公報に
は、ＡＭＲを利用した薄膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲ膜
の磁化がＡＢＳに対して斜めに４５°の方向を向いてい
ることによってオフトラック時の感度分布が左右非対称
となってしまう問題を解決する技術として、ＭＲ膜の一
方の外縁を下縁に対して鈍角をなすように傾斜させるこ
とが開示されている。ＡＭＲヘッドの場合、ＭＲ素子を
通過する磁気媒体からの磁束がＭＲ膜の上述の磁化方向
に対して垂直となるため、ＭＲ素子の左右で感度が異な
ることを防止するためにＭＲ膜をこのように構成してい
るのである。
は、ＡＭＲを利用した薄膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲ膜
の磁化がＡＢＳに対して斜めに４５°の方向を向いてい
ることによってオフトラック時の感度分布が左右非対称
となってしまう問題を解決する技術として、ＭＲ膜の一
方の外縁を下縁に対して鈍角をなすように傾斜させるこ
とが開示されている。ＡＭＲヘッドの場合、ＭＲ素子を
通過する磁気媒体からの磁束がＭＲ膜の上述の磁化方向
に対して垂直となるため、ＭＲ素子の左右で感度が異な
ることを防止するためにＭＲ膜をこのように構成してい
るのである。
【００２０】周知のように、ＧＭＲ、ＴＭＲヘッドの動
作原理、さらには素子自身の磁化状態は、ＡＭＲヘッド
のそれらとは全く異なる。特に、本発明におけるＧＭ
Ｒ、ＴＭＲ等のＭＲ積層構造体では、フリー層の磁化方
向がＡＢＳにほぼ平行であり、ＡＭＲヘッドのごとき感
度分布が左右非対称となる問題は全く生じないのであ
る。本発明では、特にピンド層の磁気的安定化のため
に、このピンド層の磁化方向をその磁化容易軸に対して
傾斜するように構成しているのである。従って、この従
来技術には、本発明の思想、目的も作用効果も何等開示
されていない。
作原理、さらには素子自身の磁化状態は、ＡＭＲヘッド
のそれらとは全く異なる。特に、本発明におけるＧＭ
Ｒ、ＴＭＲ等のＭＲ積層構造体では、フリー層の磁化方
向がＡＢＳにほぼ平行であり、ＡＭＲヘッドのごとき感
度分布が左右非対称となる問題は全く生じないのであ
る。本発明では、特にピンド層の磁気的安定化のため
に、このピンド層の磁化方向をその磁化容易軸に対して
傾斜するように構成しているのである。従って、この従
来技術には、本発明の思想、目的も作用効果も何等開示
されていない。
【００２１】特開平１０−１０５９２９号公報には、Ｇ
ＭＲ効果にＡＭＲ効果を加算するべくＧＭＲヘッドのリ
ード導体の形状を４５°傾ける技術が開示されている。
しかしながら、この従来技術は、リード導体のみを傾斜
させるものであり、本発明とは、その目的及び構造も、
さらには作用効果も全く異なるものである。
ＭＲ効果にＡＭＲ効果を加算するべくＧＭＲヘッドのリ
ード導体の形状を４５°傾ける技術が開示されている。
しかしながら、この従来技術は、リード導体のみを傾斜
させるものであり、本発明とは、その目的及び構造も、
さらには作用効果も全く異なるものである。
【００２２】両方の縁端面が、感磁面又はＡＢＳに垂直
な方向に対して縦バイアス磁界の進む方向とは逆方向又
は同じ方向に傾斜していることが好ましい。
な方向に対して縦バイアス磁界の進む方向とは逆方向又
は同じ方向に傾斜していることが好ましい。
【００２３】また、両方の縁端面が、感磁面又はＡＢＳ
に垂直な方向に対して傾斜する角度は、０°より大きけ
れば本発明の出力安定性の効果は多少なりとも生じる。
実際には、この角度は５°以上の値が選ばれる。また、
この角度があまり大きくなると、出力が低下するため、
６０°以下とすることが好ましい。
に垂直な方向に対して傾斜する角度は、０°より大きけ
れば本発明の出力安定性の効果は多少なりとも生じる。
実際には、この角度は５°以上の値が選ばれる。また、
この角度があまり大きくなると、出力が低下するため、
６０°以下とすることが好ましい。
【００２４】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態とし
て、薄膜磁気ヘッドのＳＶＭＲセンサをＡＢＳ側から見
た概略図であり、図２はそのＳＶＭＲ積層構造体及び縦
バイアス磁界を発生する磁石層の基本構造を示す斜視図
である。
て、薄膜磁気ヘッドのＳＶＭＲセンサをＡＢＳ側から見
た概略図であり、図２はそのＳＶＭＲ積層構造体及び縦
バイアス磁界を発生する磁石層の基本構造を示す斜視図
である。
【００２５】図１において、１０は下部シールド層、１
１は下部シールド層１０上に積層された下部シールドギ
ャップ層、１２は下部シールドギャップ層１１上に形成
されたＳＶＭＲ積層構造体、１３及び１４はＳＶＭＲ積
層構造体１２のＡＢＳに平行な方向の両端に接して形成
されており、このＳＶＭＲ積層構造体１２に単磁区化制
御のための縦バイアス磁界を印加する永久磁石層、１５
はＳＶＭＲ積層構造体１２並びに永久磁石層１３及び１
４上に形成された上部シールドギャップ層、１６は上部
シールドギャップ層１５上に積層された上部シールド層
をそれぞれ示している。
１は下部シールド層１０上に積層された下部シールドギ
ャップ層、１２は下部シールドギャップ層１１上に形成
されたＳＶＭＲ積層構造体、１３及び１４はＳＶＭＲ積
層構造体１２のＡＢＳに平行な方向の両端に接して形成
されており、このＳＶＭＲ積層構造体１２に単磁区化制
御のための縦バイアス磁界を印加する永久磁石層、１５
はＳＶＭＲ積層構造体１２並びに永久磁石層１３及び１
４上に形成された上部シールドギャップ層、１６は上部
シールドギャップ層１５上に積層された上部シールド層
をそれぞれ示している。
【００２６】ＳＶＭＲ積層構造体１２は、図２に示すよ
うに、２つの強磁性層１２０及び１２２と、これらを磁
気的に分離してサンドイッチ構造とする非磁性金属層１
２１とを備えている。強磁性層１２２上には反強磁性層
１２３が積層されており、その界面で生じる交換バイア
ス磁界がこの強磁性層（ピンド層）１２２に印加されて
ピンニングされる。強磁性層１２０は交換バイアス磁界
が印加されないフリー層である。なお、図２において、
１７はＡＢＳ、１８及び１９はＳＶＭＲ積層構造体１２
と永久磁石層１３及び１４との境界面をそれぞれ示して
いる。
うに、２つの強磁性層１２０及び１２２と、これらを磁
気的に分離してサンドイッチ構造とする非磁性金属層１
２１とを備えている。強磁性層１２２上には反強磁性層
１２３が積層されており、その界面で生じる交換バイア
ス磁界がこの強磁性層（ピンド層）１２２に印加されて
ピンニングされる。強磁性層１２０は交換バイアス磁界
が印加されないフリー層である。なお、図２において、
１７はＡＢＳ、１８及び１９はＳＶＭＲ積層構造体１２
と永久磁石層１３及び１４との境界面をそれぞれ示して
いる。
【００２７】図２から明らかのように、ＳＶＭＲ積層構
造体１２と永久磁石層１３及び１４との境界面１８及び
１９は、ＡＢＳ１７に垂直な方向２０に対して角度θだ
け傾斜している。即ち、ＳＶＭＲ積層構造体１２のトラ
ック幅方向の縁端面は、ＡＢＳ１７に垂直ではなく、ト
ラック幅方向に角度θだけ傾いて形成されている。本実
施形態では、特に、境界面１８及び１９が、ＡＢＳ１７
に垂直な方向２０に対して縦バイアス磁界の進む方向２
１とは逆方向に角度θだけ傾斜している。角度θは、０
°より大きければ出力安定性の効果は多少なりとも生じ
るが、実際には、好ましくは２°以上、より好ましくは
５°以上であり、また、６０°以下であることが望まし
い。
造体１２と永久磁石層１３及び１４との境界面１８及び
１９は、ＡＢＳ１７に垂直な方向２０に対して角度θだ
け傾斜している。即ち、ＳＶＭＲ積層構造体１２のトラ
ック幅方向の縁端面は、ＡＢＳ１７に垂直ではなく、ト
ラック幅方向に角度θだけ傾いて形成されている。本実
施形態では、特に、境界面１８及び１９が、ＡＢＳ１７
に垂直な方向２０に対して縦バイアス磁界の進む方向２
１とは逆方向に角度θだけ傾斜している。角度θは、０
°より大きければ出力安定性の効果は多少なりとも生じ
るが、実際には、好ましくは２°以上、より好ましくは
５°以上であり、また、６０°以下であることが望まし
い。
【００２８】図３は従来のＳＶＭＲセンサについて実験
的に求めた、書き込みサイクルに対するピーク出力電圧
特性を示す図であり、図４〜図６は本実施形態のＳＶＭ
Ｒセンサについて実験的に求めた、書き込みサイクルに
対するピーク出力電圧特性を示す図であり、図７は図４
〜図６の結果も含めた傾斜角度θに対する出力安定性Ｃ
ＯＶ特性を示す図である。これら実験における書き込み
は、各回の書き込みサイクルの最終ビットの極性を正、
負に交互に変化させて行っている。ただし、図４の実験
データはθ＝５°の場合、図５の実験データはθ＝１５
°の場合、図６の実験データはθ＝６０°の場合であ
る。
的に求めた、書き込みサイクルに対するピーク出力電圧
特性を示す図であり、図４〜図６は本実施形態のＳＶＭ
Ｒセンサについて実験的に求めた、書き込みサイクルに
対するピーク出力電圧特性を示す図であり、図７は図４
〜図６の結果も含めた傾斜角度θに対する出力安定性Ｃ
ＯＶ特性を示す図である。これら実験における書き込み
は、各回の書き込みサイクルの最終ビットの極性を正、
負に交互に変化させて行っている。ただし、図４の実験
データはθ＝５°の場合、図５の実験データはθ＝１５
°の場合、図６の実験データはθ＝６０°の場合であ
る。
【００２９】ここで、出力安定性ＣＯＶ（％）は、書き
込み等の他の動作を間に挟んで出力測定を１００回行
い、その平均値をｍｅａｎ、その標準偏差をσとした場
合に、ＣＯＶ＝σ／ｍｅａｎ×１００で与えられる。Ｃ
ＯＶが小さいほどヘッドが安定していることを示してい
る。
込み等の他の動作を間に挟んで出力測定を１００回行
い、その平均値をｍｅａｎ、その標準偏差をσとした場
合に、ＣＯＶ＝σ／ｍｅａｎ×１００で与えられる。Ｃ
ＯＶが小さいほどヘッドが安定していることを示してい
る。
【００３０】従来のＳＶＭＲセンサとインダクティブ書
き込み素子とを有する複合型薄膜磁気ヘッドでは、ピン
ド層の磁化方向が書き込み磁界の影響を受けて動いてし
まい、フリー層の磁化方向もその影響を受けて出力特性
が変化してしまう。即ち、図３に示すように、書き込み
後の出力が２つの値をとる２値（２ステート）現象を起
こしてしまう。
き込み素子とを有する複合型薄膜磁気ヘッドでは、ピン
ド層の磁化方向が書き込み磁界の影響を受けて動いてし
まい、フリー層の磁化方向もその影響を受けて出力特性
が変化してしまう。即ち、図３に示すように、書き込み
後の出力が２つの値をとる２値（２ステート）現象を起
こしてしまう。
【００３１】これに対して本実施形態のように、境界面
１８及び１９をθ＝１５°だけ傾斜させると、図５に示
すように、２ステート現象という出力変動がほとんど無
くなっている。これは、境界面１８及び１９を傾けるこ
とによるピンド層の形状異方性と、ピンド層の膜自体の
異方性とが角度をなしているため、ピンド層に外部磁界
が印加されてもその磁化方向が元に戻り易くなるため、
換言すればピンド層の動きやすさが制限されるためであ
ると推察される。
１８及び１９をθ＝１５°だけ傾斜させると、図５に示
すように、２ステート現象という出力変動がほとんど無
くなっている。これは、境界面１８及び１９を傾けるこ
とによるピンド層の形状異方性と、ピンド層の膜自体の
異方性とが角度をなしているため、ピンド層に外部磁界
が印加されてもその磁化方向が元に戻り易くなるため、
換言すればピンド層の動きやすさが制限されるためであ
ると推察される。
【００３２】図７に示すように、境界面１８及び１９の
傾斜角度θは、０°より大きければ出力変動抑制効果は
多少なりとも生じる。この種の薄膜磁気ヘッドに対する
出力安定性ＣＯＶに対する要求は、通常、ＣＯＶが２％
以下であり、図７より傾斜角度θが２°であってもこの
要求は満足される。実際、この傾斜角度θとしては、好
ましくは２°以上の値、より好ましくは５°以上の値が
選ばれる。また、図６に示すように、この傾斜角度θが
あまり大きくなると、出力が低下するため、６０°以下
とすることが好ましい。
傾斜角度θは、０°より大きければ出力変動抑制効果は
多少なりとも生じる。この種の薄膜磁気ヘッドに対する
出力安定性ＣＯＶに対する要求は、通常、ＣＯＶが２％
以下であり、図７より傾斜角度θが２°であってもこの
要求は満足される。実際、この傾斜角度θとしては、好
ましくは２°以上の値、より好ましくは５°以上の値が
選ばれる。また、図６に示すように、この傾斜角度θが
あまり大きくなると、出力が低下するため、６０°以下
とすることが好ましい。
【００３３】図８は従来のＳＶＭＲセンサについて実験
的に求めた、オフトラック位置に対するアシンメトリ特
性を示す図であり、図９は本実施形態のＳＶＭＲセンサ
について実験的に求めた、オフトラック位置に対するア
シンメトリ特性を示す図である。ただし、図９の実験デ
ータは、θ＝１５°の場合である。
的に求めた、オフトラック位置に対するアシンメトリ特
性を示す図であり、図９は本実施形態のＳＶＭＲセンサ
について実験的に求めた、オフトラック位置に対するア
シンメトリ特性を示す図である。ただし、図９の実験デ
ータは、θ＝１５°の場合である。
【００３４】先に述べたように、ＳＶＭＲセンサにおい
ては、ピンド層からの磁気記録媒体に垂直な磁界がフリ
ー層に印加される構造上、その動作点がピンド層からの
磁界によってずれる。このため、図８（Ａ）に示すよう
に、ＳＶＭＲヘッドをオフトラックさせた場合に得られ
るアシメトリ特性が、負側に大きくずれてしまう。アシ
メトリ特性が負側に大きくずれると、磁気記録媒体上に
あらかじめ記録されているサーボ信号によってＳＶＭＲ
ヘッドをトラック中心に位置制御するためのサーボ制御
が正しく行われない。図８（Ａ）のアシンメトリ特性か
ら推察すると、図８（Ｂ）に示すように、従来のＳＶＭ
Ｒセンサにおけるフリー層８０内の磁化方向８１は、磁
気記録媒体表面と完全に平行ではなく磁気記録媒体方向
へ傾いている。
ては、ピンド層からの磁気記録媒体に垂直な磁界がフリ
ー層に印加される構造上、その動作点がピンド層からの
磁界によってずれる。このため、図８（Ａ）に示すよう
に、ＳＶＭＲヘッドをオフトラックさせた場合に得られ
るアシメトリ特性が、負側に大きくずれてしまう。アシ
メトリ特性が負側に大きくずれると、磁気記録媒体上に
あらかじめ記録されているサーボ信号によってＳＶＭＲ
ヘッドをトラック中心に位置制御するためのサーボ制御
が正しく行われない。図８（Ａ）のアシンメトリ特性か
ら推察すると、図８（Ｂ）に示すように、従来のＳＶＭ
Ｒセンサにおけるフリー層８０内の磁化方向８１は、磁
気記録媒体表面と完全に平行ではなく磁気記録媒体方向
へ傾いている。
【００３５】これに対して本実施形態のように、境界面
１８及び１９を傾斜させると、図９（Ａ）に示すよう
に、ＳＶＭＲヘッドをオフトラックさせた場合に得られ
るアシメトリの中心からのずれがかなり小さくなり、良
好な特性が得られている。このアシンメトリ特性から推
察すると、図９（Ｂ）に示すように、フリー層１２０の
図にて右側（永久磁石１４側）の部分における磁化方向
９１が、図８（Ｂ）の場合と逆に、磁気記録媒体側（Ａ
ＢＳ側）とは反対側へ傾いている。良好なアシメトリ特
性が得られれば、サーボ制御が正しくより精度良く行わ
れることとなる。
１８及び１９を傾斜させると、図９（Ａ）に示すよう
に、ＳＶＭＲヘッドをオフトラックさせた場合に得られ
るアシメトリの中心からのずれがかなり小さくなり、良
好な特性が得られている。このアシンメトリ特性から推
察すると、図９（Ｂ）に示すように、フリー層１２０の
図にて右側（永久磁石１４側）の部分における磁化方向
９１が、図８（Ｂ）の場合と逆に、磁気記録媒体側（Ａ
ＢＳ側）とは反対側へ傾いている。良好なアシメトリ特
性が得られれば、サーボ制御が正しくより精度良く行わ
れることとなる。
【００３６】本実施形態に係るＳＶＭＲ積層構造体１２
の層構成は、特に限定はない。つまり、ＳＶＭＲ積層構
造体を構成する各層は、それぞれの機能を示す物質で構
成すればよい。例えば、反強磁性層１２３には、ＰｔＭ
ｎ、ＮｉＭｎ、ＩｒＭｎ等を、強磁性層（ピンド層）１
２２には、Ｃｏ、ＦｅＣｏ、ＮｉＦｅ等を、非磁性金属
層１２１には、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等を、強磁性層（フリ
ー層）１２０にはＦｅＣｏ、ＮｉＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ等
をそれぞれ用いることができる。また、永久磁石層１３
及び１４には、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ、ＳｍＣｏを用
いることができる。さらに、これらの各層の他に、下地
膜、電子反射膜、バイアスキャンセル膜、保護膜等を含
んでいてもよい。さらにその積層順序は、基板側から、
反強磁性層、強磁性層（ピンド層）、非磁性金属層及び
強磁性層（フリー層）としてもよい。
の層構成は、特に限定はない。つまり、ＳＶＭＲ積層構
造体を構成する各層は、それぞれの機能を示す物質で構
成すればよい。例えば、反強磁性層１２３には、ＰｔＭ
ｎ、ＮｉＭｎ、ＩｒＭｎ等を、強磁性層（ピンド層）１
２２には、Ｃｏ、ＦｅＣｏ、ＮｉＦｅ等を、非磁性金属
層１２１には、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等を、強磁性層（フリ
ー層）１２０にはＦｅＣｏ、ＮｉＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ等
をそれぞれ用いることができる。また、永久磁石層１３
及び１４には、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ、ＳｍＣｏを用
いることができる。さらに、これらの各層の他に、下地
膜、電子反射膜、バイアスキャンセル膜、保護膜等を含
んでいてもよい。さらにその積層順序は、基板側から、
反強磁性層、強磁性層（ピンド層）、非磁性金属層及び
強磁性層（フリー層）としてもよい。
【００３７】なお、縦バイアス磁界を印加する手段とし
ては、永久磁石層に限定されることなく、例えば反強磁
性層と強磁性層との積層体であってもよい。
ては、永久磁石層に限定されることなく、例えば反強磁
性層と強磁性層との積層体であってもよい。
【００３８】本実施形態では、スピンバルブ積層体の１
つの具体的な例として、基板にＡｌＴｉＣを、強磁性層
（フリー層）１２０にＮｉＦｅ／Ｃｏを、非磁性金属層
１２１にＣｕを強磁性層（ピンド層）１２２にＣｏを、
反強磁性層１２３にＦｅＭｎを用いている。
つの具体的な例として、基板にＡｌＴｉＣを、強磁性層
（フリー層）１２０にＮｉＦｅ／Ｃｏを、非磁性金属層
１２１にＣｕを強磁性層（ピンド層）１２２にＣｏを、
反強磁性層１２３にＦｅＭｎを用いている。
【００３９】このＳＶＭＲ積層構造体１２を形成するに
は、まず、ＡｌＴｉＣ基板（ウエハ）上に下地層（Ａｌ
２Ｏ３）、下シールド層（ＦｅＡｌＳｉ）及び下ギャッ
プ層（Ａｌ２Ｏ３）を形成した後、下地層（Ｔａ）を５
ｎｍ、フリー層を構成する強磁性層（ＮｉＦｅ／Ｃｏ）
１２０をそれぞれ９ｎｍ及び１ｎｍ、非磁性金属層（Ｃ
ｕ）１２１を２．５ｎｍ、ピンド層を構成する強磁性層
（Ｃｏ）１２２を２．５ｎｍ、反強磁性層（ＦｅＭｎ）
１２３を１０ｎｍ、並びに保護層（Ｔａ）を５ｎｍでそ
れぞれＲＦスパッタ法により成膜する。
は、まず、ＡｌＴｉＣ基板（ウエハ）上に下地層（Ａｌ
２Ｏ３）、下シールド層（ＦｅＡｌＳｉ）及び下ギャッ
プ層（Ａｌ２Ｏ３）を形成した後、下地層（Ｔａ）を５
ｎｍ、フリー層を構成する強磁性層（ＮｉＦｅ／Ｃｏ）
１２０をそれぞれ９ｎｍ及び１ｎｍ、非磁性金属層（Ｃ
ｕ）１２１を２．５ｎｍ、ピンド層を構成する強磁性層
（Ｃｏ）１２２を２．５ｎｍ、反強磁性層（ＦｅＭｎ）
１２３を１０ｎｍ、並びに保護層（Ｔａ）を５ｎｍでそ
れぞれＲＦスパッタ法により成膜する。
【００４０】次いで、ＳＶＭＲ積層構造体１２のトラッ
ク幅方向の両端縁に相当する部分がＡＢＳに垂直な方向
に対して角度θだけ上述のごとく傾斜しているパターニ
ング用のレジストを形成した後、イオンミリングにより
加工して、上述のごとくトラック幅方向の両端縁が傾斜
したＳＶＭＲ積層構造体１２を形成する。
ク幅方向の両端縁に相当する部分がＡＢＳに垂直な方向
に対して角度θだけ上述のごとく傾斜しているパターニ
ング用のレジストを形成した後、イオンミリングにより
加工して、上述のごとくトラック幅方向の両端縁が傾斜
したＳＶＭＲ積層構造体１２を形成する。
【００４１】その後、下地層（ＴｉＷ）を１０ｎｍ、永
久磁石層（ＣｏＰｔ）１３及び１４を５０ｎｍ、及び電
極膜（Ｔａ）を５０ｎｍ形成し、さらに上部ギャップ層
（Ａｌ２Ｏ３）及び上部シールド層（ＮｉＦｅ）を形成
することにより、ウエハ上に多数の再生用のＳＶＭＲヘ
ッドを完成する。
久磁石層（ＣｏＰｔ）１３及び１４を５０ｎｍ、及び電
極膜（Ｔａ）を５０ｎｍ形成し、さらに上部ギャップ層
（Ａｌ２Ｏ３）及び上部シールド層（ＮｉＦｅ）を形成
することにより、ウエハ上に多数の再生用のＳＶＭＲヘ
ッドを完成する。
【００４２】このようにして完成したウエハについて、
フリー層１２０及びピンド層１２２の磁化方向を互いに
直交化させるために、所定のアニール処理を行う。
フリー層１２０及びピンド層１２２の磁化方向を互いに
直交化させるために、所定のアニール処理を行う。
【００４３】図１０は本発明の他の実施形態におけるＳ
ＶＭＲ積層構造体及び縦バイアス磁界を発生する磁石層
の基本構造を示す斜視図である。
ＶＭＲ積層構造体及び縦バイアス磁界を発生する磁石層
の基本構造を示す斜視図である。
【００４４】本実施形態におけるＳＶＭＲ積層構造体１
０２は、同図に示すように、２つの強磁性層１０２０及
び１０２２と、これらを磁気的に分離してサンドイッチ
構造とする非磁性金属層１０２１とを備えている。強磁
性層１０２２上には反強磁性層１０２３が積層されてお
り、その界面で生じる交換バイアス磁界がこの強磁性層
（ピンド層）１０２２に印加されてピンニングされる。
強磁性層１０２０は交換バイアス磁界が印加されないフ
リー層である。なお、図１０において、１０７はＡＢ
Ｓ、１０８及び１０９はＳＶＭＲ積層構造体１０２と永
久磁石層１０３及び１０４との境界面をそれぞれ示して
いる。
０２は、同図に示すように、２つの強磁性層１０２０及
び１０２２と、これらを磁気的に分離してサンドイッチ
構造とする非磁性金属層１０２１とを備えている。強磁
性層１０２２上には反強磁性層１０２３が積層されてお
り、その界面で生じる交換バイアス磁界がこの強磁性層
（ピンド層）１０２２に印加されてピンニングされる。
強磁性層１０２０は交換バイアス磁界が印加されないフ
リー層である。なお、図１０において、１０７はＡＢ
Ｓ、１０８及び１０９はＳＶＭＲ積層構造体１０２と永
久磁石層１０３及び１０４との境界面をそれぞれ示して
いる。
【００４５】図１０から明らかのように、ＳＶＭＲ積層
構造体１０２と永久磁石層１０３及び１０４との境界面
１０８及び１０９は、ＡＢＳ１０７に垂直な方向１１０
に対して角度θ（５°≦θ≦６０°）だけ傾斜してい
る。即ち、ＳＶＭＲ積層構造体１０２のトラック幅方向
の縁端面は、ＡＢＳ１０７に垂直ではなく、トラック幅
方向に角度θだけ傾いて形成されている。本実施形態で
は、特に、境界面１０８及び１０９が、ＡＢＳ１０７に
垂直な方向１１０に対して縦バイアス磁界の進む方向１
１１と同じ方向に角度θだけ傾斜している。
構造体１０２と永久磁石層１０３及び１０４との境界面
１０８及び１０９は、ＡＢＳ１０７に垂直な方向１１０
に対して角度θ（５°≦θ≦６０°）だけ傾斜してい
る。即ち、ＳＶＭＲ積層構造体１０２のトラック幅方向
の縁端面は、ＡＢＳ１０７に垂直ではなく、トラック幅
方向に角度θだけ傾いて形成されている。本実施形態で
は、特に、境界面１０８及び１０９が、ＡＢＳ１０７に
垂直な方向１１０に対して縦バイアス磁界の進む方向１
１１と同じ方向に角度θだけ傾斜している。
【００４６】本実施形態におけるその他の構成及び変更
態様は、図１及び図２の実施形態の場合と同じである。
態様は、図１及び図２の実施形態の場合と同じである。
【００４７】本実施形態の構成によれば、２ステート現
象による出力変動の抑制効果については、図１及び図２
の実施形態の場合とほぼ同様の効果が得られる。アシメ
トリ特性については、図１及び図２の実施形態の場合よ
り多少のずれが生じるが、これは電気的回路によって補
償可能である。
象による出力変動の抑制効果については、図１及び図２
の実施形態の場合とほぼ同様の効果が得られる。アシメ
トリ特性については、図１及び図２の実施形態の場合よ
り多少のずれが生じるが、これは電気的回路によって補
償可能である。
【００４８】なお、以上述べた実施形態は、ＳＶＭＲ積
層構造体と永久磁石層との両方の境界面をＡＢＳに垂直
な方向に対して傾斜させるものであるが、一方の境界面
のみを傾斜させてもある程度の効果が得られる。しかし
ながらこの場合、スロートハイト（ＭＲハイト）の加工
時にその加工量に応じてトラック幅が変化してしまうと
いう問題を有している。
層構造体と永久磁石層との両方の境界面をＡＢＳに垂直
な方向に対して傾斜させるものであるが、一方の境界面
のみを傾斜させてもある程度の効果が得られる。しかし
ながらこの場合、スロートハイト（ＭＲハイト）の加工
時にその加工量に応じてトラック幅が変化してしまうと
いう問題を有している。
【００４９】また、以上述べた実施形態では、ＳＶＭＲ
センサを用いて本発明を説明したが、その他のＧＭＲセ
ンサ、ＴＭＲセンサについても同様に本発明を適用可能
である。
センサを用いて本発明を説明したが、その他のＧＭＲセ
ンサ、ＴＭＲセンサについても同様に本発明を適用可能
である。
【００５０】以上述べた実施形態及び実施例は全て本発
明を例示的に示すものであって限定的に示すものではな
く、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施す
ることができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲
及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
明を例示的に示すものであって限定的に示すものではな
く、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施す
ることができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲
及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【００５１】
【００５２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、ＧＭＲ、ＴＭＲ等のＭＲ積層構造体の感磁面又は
ＡＢＳと平行な方向の両方の縁端面が感磁面又はＡＢＳ
に垂直な方向に対して互いに同一の方向に傾斜してい
る。換言すれば、ＭＲ積層構造体と縦バイアス手段との
境界面が、感磁面又はＡＢＳに垂直ではなく、縦バイア
ス手段の存在する方向（磁気ヘッドの場合にトラック幅
方向）に傾いて形成されている。このように、ＭＲ積層
構造体の縁端面を傾けることにより、ピンド層の縁端面
が傾くのでその形状異方性と、ピンド層の膜自体の異方
性とが角度をなしているため、ピンド層に外部磁界が印
加されてもその磁化方向が元に戻り易くなる。その結
果、書き込み磁界等の外部磁界により生じる２ステート
現象等の出力不安定性が解消される。さらに、ＭＲ積層
構造体の縁端面を傾けることにより、磁気記録媒体方向
へ傾いていたフリー層の磁化の向きが補正され、アシメ
トリ特性の中心からのずれが小さくなる。その結果、サ
ーボ制御特性が大幅に向上する。
れば、ＧＭＲ、ＴＭＲ等のＭＲ積層構造体の感磁面又は
ＡＢＳと平行な方向の両方の縁端面が感磁面又はＡＢＳ
に垂直な方向に対して互いに同一の方向に傾斜してい
る。換言すれば、ＭＲ積層構造体と縦バイアス手段との
境界面が、感磁面又はＡＢＳに垂直ではなく、縦バイア
ス手段の存在する方向（磁気ヘッドの場合にトラック幅
方向）に傾いて形成されている。このように、ＭＲ積層
構造体の縁端面を傾けることにより、ピンド層の縁端面
が傾くのでその形状異方性と、ピンド層の膜自体の異方
性とが角度をなしているため、ピンド層に外部磁界が印
加されてもその磁化方向が元に戻り易くなる。その結
果、書き込み磁界等の外部磁界により生じる２ステート
現象等の出力不安定性が解消される。さらに、ＭＲ積層
構造体の縁端面を傾けることにより、磁気記録媒体方向
へ傾いていたフリー層の磁化の向きが補正され、アシメ
トリ特性の中心からのずれが小さくなる。その結果、サ
ーボ制御特性が大幅に向上する。
【図１】本発明の一実施形態として、薄膜磁気ヘッドの
ＳＶＭＲセンサをＡＢＳ側から見た概略図である。
ＳＶＭＲセンサをＡＢＳ側から見た概略図である。
【図２】図１の実施形態におけるＳＶＭＲ積層構造体及
び縦バイアス磁界を発生する磁石層の基本構造を示す斜
視図である。
び縦バイアス磁界を発生する磁石層の基本構造を示す斜
視図である。
【図３】従来のＳＶＭＲセンサについて実験的に求め
た、書き込みサイクルに対するピーク出力電圧特性を示
す図である。
た、書き込みサイクルに対するピーク出力電圧特性を示
す図である。
【図４】図１の実施形態のＳＶＭＲセンサについて実験
的に求めた、書き込みサイクルに対するピーク出力電圧
特性を示す図である。
的に求めた、書き込みサイクルに対するピーク出力電圧
特性を示す図である。
【図５】図１の実施形態のＳＶＭＲセンサについて実験
的に求めた、書き込みサイクルに対するピーク出力電圧
特性を示す図である。
的に求めた、書き込みサイクルに対するピーク出力電圧
特性を示す図である。
【図６】図１の実施形態のＳＶＭＲセンサについて実験
的に求めた、書き込みサイクルに対するピーク出力電圧
特性を示す図である。
的に求めた、書き込みサイクルに対するピーク出力電圧
特性を示す図である。
【図７】図１の実施形態のＳＶＭＲセンサについて実験
的に求めた、傾斜角度θに対する出力安定性特性を示す
図である。
的に求めた、傾斜角度θに対する出力安定性特性を示す
図である。
【図８】従来のＳＶＭＲセンサについて実験的に求め
た、オフトラック位置に対するアシンメトリ特性を示す
図である。
た、オフトラック位置に対するアシンメトリ特性を示す
図である。
【図９】図１の実施形態のＳＶＭＲセンサについて実験
的に求めた、オフトラック位置に対するアシンメトリ特
性を示す図である。
的に求めた、オフトラック位置に対するアシンメトリ特
性を示す図である。
【図１０】本発明の他の実施形態におけるにおけるＳＶ
ＭＲ積層構造体及び縦バイアス磁界を発生する磁石層の
基本構造を示す斜視図である。
ＭＲ積層構造体及び縦バイアス磁界を発生する磁石層の
基本構造を示す斜視図である。
１０ 下部シールド層
１１ 下部シールドギャップ層
１２、１０２ ＳＶＭＲ積層構造体
１３、１４、１０３、１０４ 永久磁石層
１５ 上部シールドギャップ層
１６ 上部シールド層
１７、１０７ ＡＢＳ
１８、１９、１０８、１０９ 境界面
２０、１１０ ＡＢＳに垂直な方向
２１、１１１ 縦バイアス磁界の進む方向
１２０、１２２、１０２０、１０２２ 強磁性層
１２１、１０２１ 非磁性金属層
１２３、１０２３ 反強磁性層
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 5/39
Claims (13)
- 【請求項１】 非磁性層、該非磁性層を挟んで積層され
た第１及び第２の強磁性層、並びに該第２の強磁性層の
前記非磁性層とは反対側の面に積層された反強磁性層を
含む磁気抵抗効果積層構造体と、該磁気抵抗効果積層構
造体の感磁面に平行な方向の両方の縁端面にそれぞれ接
して設けられており該磁気抵抗効果積層構造体に縦バイ
アス磁界を印加する縦バイアス手段とを備えた磁気抵抗
効果センサであって、前記磁気抵抗効果積層構造体の前
記両方の縁端面が前記感磁面に垂直な方向に対して互い
に同一の方向に傾斜していることを特徴とする磁気抵抗
効果センサ。 - 【請求項２】 前記両方の縁端面が、前記感磁面に垂直
な方向に対して前記縦バイアス磁界の進む方向とは逆方
向に傾斜していることを特徴とする請求項１に記載のセ
ンサ。 - 【請求項３】 前記両方の縁端面が、前記感磁面に垂直
な方向に対して前記縦バイアス磁界の進む方向と同じ方
向に傾斜していることを特徴とする請求項１に記載のセ
ンサ。 - 【請求項４】 前記両方の縁端面が、前記感磁面に垂直
な方向に対して２°以上傾斜していることを特徴とする
請求項１から３のいずれか１項に記載のセンサ。 - 【請求項５】 前記両方の縁端面が、前記感磁面に垂直
な方向に対して５°以上傾斜していることを特徴とする
請求項１から３のいずれか１項に記載のセンサ。 - 【請求項６】 前記両方の縁端面が、前記感磁面に垂直
な方向に対して６０°以下で傾斜していることを特徴と
する請求項１から５のいずれか１項に記載のセンサ。 - 【請求項７】 非磁性層、該非磁性層を挟んで積層され
た第１及び第２の強磁性層、並びに該第２の強磁性層の
前記非磁性層とは反対側の面に積層された反強磁性層を
含む磁気抵抗効果積層構造体と、該磁気抵抗効果積層構
造体のトラック幅方向の両方の縁端面にそれぞれ接して
設けられており該磁気抵抗効果積層構造体に縦バイアス
磁界を印加する縦バイアス手段とを備えた薄膜磁気ヘッ
ドであって、前記磁気抵抗効果積層構造体の前記両方の
縁端面が当該薄膜磁気ヘッドの浮上面に垂直な方向に対
して互いに同一の方向に傾斜していることを特徴とする
薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項８】 前記両方の縁端面が、前記浮上面に垂直
な方向に対して前記縦バイアス磁界の進む方向とは逆方
向に傾斜していることを特徴とする請求項７に記載のヘ
ッド。 - 【請求項９】 前記両方の縁端面が、前記浮上面に垂直
な方向に対して前記縦バイアス磁界の進む方向と同じ方
向に傾斜していることを特徴とする請求項７に記載のヘ
ッド。 - 【請求項１０】 前記両方の縁端面が、当該薄膜磁気ヘ
ッドの浮上面に垂直な方向に対して２°以上傾斜してい
ることを特徴とする請求項７から９のいずれか１項に記
載のヘッド。 - 【請求項１１】 前記両方の縁端面が、当該薄膜磁気ヘ
ッドの浮上面に垂直な方向に対して５°以上傾斜してい
ることを特徴とする請求項７から９のいずれか１項に記
載のヘッド。 - 【請求項１２】 前記両方の縁端面が、当該薄膜磁気ヘ
ッドの浮上面に垂直な方向に対して６０°以下で傾斜し
ていることを特徴とする請求項７から１１のいずれか１
項に記載のヘッド。 - 【請求項１３】 請求項７から１２のいずれか１項に記
載の薄膜磁気ヘッドを複数備えたことを特徴とする薄膜
ウエハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31664299A JP3367488B2 (ja) | 1999-10-05 | 1999-11-08 | 磁気抵抗効果センサ、薄膜磁気ヘッド及び該薄膜磁気ヘッドを備えた薄膜ウエハ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-283868 | 1999-10-05 | ||
| JP28386899 | 1999-10-05 | ||
| JP31664299A JP3367488B2 (ja) | 1999-10-05 | 1999-11-08 | 磁気抵抗効果センサ、薄膜磁気ヘッド及び該薄膜磁気ヘッドを備えた薄膜ウエハ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001176025A JP2001176025A (ja) | 2001-06-29 |
| JP3367488B2 true JP3367488B2 (ja) | 2003-01-14 |
Family
ID=26555235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31664299A Expired - Fee Related JP3367488B2 (ja) | 1999-10-05 | 1999-11-08 | 磁気抵抗効果センサ、薄膜磁気ヘッド及び該薄膜磁気ヘッドを備えた薄膜ウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3367488B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007036274A (ja) * | 2001-09-25 | 2007-02-08 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子の製造方法 |
| CN116646146A (zh) * | 2023-06-21 | 2023-08-25 | 上海韬润半导体有限公司 | 一种闭合磁芯片上电感结构及其制备方法、开关电源 |
-
1999
- 1999-11-08 JP JP31664299A patent/JP3367488B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001176025A (ja) | 2001-06-29 |
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