JP2004127420A - 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004127420A JP2004127420A JP2002289952A JP2002289952A JP2004127420A JP 2004127420 A JP2004127420 A JP 2004127420A JP 2002289952 A JP2002289952 A JP 2002289952A JP 2002289952 A JP2002289952 A JP 2002289952A JP 2004127420 A JP2004127420 A JP 2004127420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- magnetoresistive element
- magnetic shield
- magnetoresistive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3909—Arrangements using a magnetic tunnel junction
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3932—Magnetic biasing films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/30—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE]
- H01F41/302—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/0008—Magnetic conditionning of heads, e.g. biasing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/001—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure
- G11B2005/0013—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation
- G11B2005/0016—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation of magnetoresistive transducers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
【解決手段】第1の磁気シールド膜25はMR膜30の膜厚方向の一面側に配置され、第2の磁気シールド膜26は、MR膜30の膜厚方向の他面側に配置されている。反強磁性膜271、272は、第1及び第2の磁気シールド膜25、26の間に配置され、第1または第2の磁気シールド膜25、26の少なくとも一方に隣接し、交換結合を生じる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
時代とともに急速に進展するハ−ドディスク(HDD)の高密度記録化に伴い、薄膜磁気ヘッドの性能向上も、それに追従すべく、絶え間ない研究開発の努力がなされてきた。薄膜磁気ヘッドとしては、磁気抵抗効果素子(以下MR素子と称する)を用いた読み取り素子と、誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを内蔵する複合型薄膜磁気ヘッドが、一般に用いられる。
【0003】
読み取り素子として用いられるMR素子は、スピンバルブ膜(以下SV膜と称する)及び強磁性トンネル接合膜(以下TMR膜と称する)などの巨大磁気抵抗効果膜(以下GMR膜と称する)を用いたものが現在の主流である。SV膜を用いたものとしては、膜面に平行な方向にセンス電流を流す方式のほか、膜面に垂直な方向にセンス電流を流すCPP−GMR(Current Perpendicular to a Plane of a Giant Magnetoresistance)も知られている。
【0004】
この種のGMR膜は、磁化方向が固定されたピンド層と、非磁性層と、外部磁界に応答する磁界応答層(以下フリ−層と称する)とを有し、フリー層の磁化方向が外部磁界に応答して回転したとき、ピンド層の固定された磁化方向に対するフリ−層の磁化方向の回転角度に応じて、非磁性層を通るセンス電流に対する抵抗値が大きく変化する特性を利用している。
【0005】
GMR素子は、MR変化率が極めて高いから、外乱磁界に応答しないような磁気シールド構造が必要である。その手段として、MR膜を、第1の磁気シールド膜と第2の磁気シールド膜とでサンドイッチした構造が採られている。第1の磁気シールド膜と第2の磁気シールド膜との間の間隔は、一般に、シールドギャップと称されている。
【0006】
従来、第1の磁気シールド膜及び第2の磁気シールド膜は、GMR膜から分離して配置するのが一般的であったが、高密度記録の進展により、シールドギャップのより一層の狭小化が要求され、この要求に応えるべく、近年は、GMR膜にセンス電流を流す一対の電極膜を、導電性を有する強磁性材料によって構成し、電極膜を、第1の磁気シールド及び第2の磁気シールド膜として兼用する構造が主流になっている(特許文献3参照)。
【0007】
しかし、電極膜を、第1の磁気シールド膜及び第2の磁気シールド膜として兼用する構造の場合は、磁気記録媒体から生じる読み取り磁界以外の磁界、記録磁界、及び、GMR膜に流れるセンス電流の作る磁界などによって、第1の磁気シールド膜及び第2の磁気シールド膜の磁化が変化し、GMR膜がその磁化変化による影響を受け、再生出力の不安定性及びアシンメトリー変動を惹起するという問題点があった。このため、従来の薄膜磁気ヘッドでは、再生出力変動率を5.0%に抑えるのが精一杯であった。
【0008】
【特許文献1】
特開2002−74626号公報(図1〜図6)
【特許文献2】
特開2001−6127号公報(図1)
【特許文献3】
特開2002−117510号公報(図4、図5)
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、磁気シールド膜の磁化変化の影響を受けにくいMR素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明に係るMR素子は、磁気抵抗効果膜(MR膜)と、磁区制御膜と、第1の磁気シールド膜と、第2の磁気シールド膜と、反強磁性膜とを含む。前記磁区制御膜は、前記MR膜の幅方向の両側部に配置され、前記MR膜に対して磁区制御を加える。
【0011】
第1の磁気シールド膜は、前記MR膜の膜厚方向の一面側に配置されており、前記第2の磁気シールド膜は、前記MR膜の膜厚方向の他面側に配置されている。
【0012】
反強磁性膜は、前記第1の磁気シールド膜と前記第2の磁気シールド膜との間に配置され、前記第1または第2の磁気シールド膜の少なくとも一方に隣接し、交換結合を生じる。
【0013】
上述したように、本発明に係るMR素子は、MR膜を含む。MR膜としては、特に、GMR膜が好ましい。GMR膜の例は、SV膜またはTMR膜である。SV膜またはTMR膜は、少なくとも1つのフリー層を含んでおり、フリ−層に発生することのあるバルクハウゼンノイズを抑制しなければならない。本発明に係るMR素子は、磁区制御膜を含んでおり、磁区制御膜は、GMR膜の幅方向の両側部に配置され、フリ−層の磁区を制御する。従って、バルクハウゼンノイズを抑制することができる。
【0014】
本発明に係るMR素子は、第1の磁気シールド膜と、第2の磁気シールド膜とを含んでおり、第1の磁気シールド膜はGMR膜の膜厚方向の一面側に配置されており、第2の磁気シールド膜はGMR膜の膜厚方向の他面側に配置されている。従って、GMR膜を第1の磁気シールド膜と第2の磁気シールド膜とによるシールドギャップ間に配置し、GMR膜を、外乱磁界の影響から遮蔽することができる。本来的に検知すべき磁気記録媒体からの読み取り磁界は、第1及び第2の磁気シールド膜の間に形成されるシールドギャップ内のGMR膜によって、高感度で検知される。
【0015】
本発明に係るMR素子は、その特徴的構造要件として、反強磁性膜を含んでいる。反強磁性膜は、第1の磁気シールド膜と第2の磁気シールド膜との間に配置され、第1または第2の磁気シールド膜の少なくとも一方に隣接し、交換結合を生じる。このため、第1及び第2の磁気シールド膜のうち、反強磁性膜と交換結合を生じている磁気シールド膜の磁化が安定し、磁気シールド膜の磁化の変化に起因する再生出力の不安定性や、アシンメトリー変動などを抑制することができる。磁気シールド膜の磁化の変化は、磁気記録媒体から生じる磁界、記録磁界、及び、GMR膜に流れるセンス電流の作る磁界などによって惹起されるものであるから、本発明によれば、これらの外乱磁界による影響を受けなくなる。
【0016】
GMR膜は、一般的構造として、センス電流を供給するための第1の電極膜と、第2の電極膜とを備えている。GMR膜に対する第1及び第2の電極膜の接続構造としては、第1の電極膜がGMR膜の膜厚方向の一面に隣接し、第2の電極膜がGMR膜の膜厚方向の他面に隣接する構造が好ましい。そのようなGMR膜の例は、CPPタイプのSV膜またはTMR膜である。
【0017】
GMR膜が、CPPタイプのSV膜またはTMR膜である場合、第1の電極膜を第1の磁気シールド膜として兼用し、第2の電極膜を第2の磁気シールド膜として兼用することが好ましい。この構造によれば、シールドギャップを最小化し、高密度記録に対応することができる。
【0018】
第1及び第2の電極膜を、それぞれ、第1及び第2の磁気シールド膜として兼用する場合、反強磁性膜は第1の磁気シールド膜に隣接し交換結合させるか、第2の磁気シールド膜に隣接し交換結合させるか、または、第1及び第2の磁気シールド膜の両者に隣接し、両者と交換結合させる。この場合、反強磁性膜はGMR膜の幅方向の両側に配置される。反強磁性膜は、電気絶縁性を有する材料組成であってもよいし、導電性を有する材料組成てもよい。更に、磁区制御膜と、第1及び第2の磁気シールド膜との間を、反強磁性膜によって埋め、反強磁性膜を、磁区制御膜と交換結合させる構成を採用することもできる。
【0019】
反強磁性膜が電気絶縁性を有する場合も、導電性を有する場合も、反強磁性膜と磁区制御膜との間に電気絶縁層を有する構成とすることができる。
【0020】
本発明は、更に、上記MR素子を読み取り素子として用いた薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドとヘッド支持装置とを組み合わせた磁気ヘッド装置、及び、磁気ヘッド装置と磁気ディスクとを組み合わせた磁気記録再生装置をも開示する。これらの場合も、上述したMR素子の有する作用効果をそのまま発揮し得る。
【0021】
【発明の実施の形態】
1.MR素子
図1は本発明に係るMR素子の一実施例を示す断面図である。図示実施例のMR素子は、GMR膜30と、磁区制御膜21、22と、第1の磁気シールド膜25と、第2の磁気シールド膜26と、反強磁性膜271、272とを含む。GMR膜30は、外部磁界に応答するフリー層(図示しない)を含んでおり、磁区制御膜21、22は、GMR膜30の幅方向の両側部に配置され、フリー層の磁区を制御する。
【0022】
磁区制御膜21、22は、この実施例では、硬磁性膜(マグネット)で構成されている。具体的には、CoCrPt、CoPtなどである。この他、反強磁性膜によって構成することもできる。膜厚は15〜60nmの範囲に設定できる。
【0023】
第1の磁気シールド膜25は、GMR膜30の膜厚方向の一面側に配置されており、第2の磁気シールド膜26は、GMR膜30の膜厚方向の他面側に配置されている。
【0024】
GMR膜30は、センス電流を供給するための第1の電極膜25と、第2の電極膜26とを備えている。第1の電極膜25はGMR膜30の膜厚方向の一面に隣接し、第2の電極膜26は、GMR膜30の膜厚方向の他面に隣接している。このようなGMR膜30の例は、TMR膜またはCPPタイプのSV膜である。
【0025】
図示実施例では、第1の電極膜25が、第1の磁気シールド膜25として兼用され、第2の電極膜26が第2の磁気シールド膜26として兼用されている。この構造によれば、シールドギャップを最小化し、高密度記録に対応することができる。第1の磁気シールド膜25及び第2の磁気シールド膜26を電極膜として利用する場合、適した材料の具体例としては、CoFe、NiFe、CoNiFe等がある。膜厚は5〜30nmの範囲に設定できる。
【0026】
反強磁性膜271、272は、第1の磁気シールド膜25に隣接し、交換結合を生じる。反強磁性膜271、272はGMR膜30の幅方向の両側に配置される。
【0027】
反強磁性膜271、272は、電気絶縁性を有する材料組成であってもよいし、導電性を有する材料組成てもよい。電気絶縁性を有する反強磁性膜271、272は、NiO、CoO及びFe2O3から選択された少なくとも1種で構成できる。膜厚は10〜50nmの範囲である。
【0028】
導電性を有する反強磁性膜271、272は、例えば、FeMn、PtMn、IrMn、NiMn及びCrPtMnから選択された少なくとも1種で構成できる。
【0029】
反強磁性膜271、272が電気絶縁性を有する場合も、導電性を有する場合も、反強磁性膜271、272と磁区制御膜21、22との間に絶縁層23、24を有する構成とすることができる。絶縁層23、24は、一般には、金属酸化物でなる。具体的には、Al2O3またはSiO2等である。膜厚は5〜50nmの範囲に設定できる。
【0030】
上述したように、本発明に係るMR素子は、GMR膜30を含む。GMR膜30はフリー層を含んでおり、フリ−層に発生することのあるバルクハウゼンノイズを抑制しなければならない。本発明に係るMR素子は、磁区制御膜21、22を含んでおり、磁区制御膜21、22は、GMR膜30の幅方向の両側部に配置され、GMR膜30に含まれるフリ−層の磁区を制御する。従って、バルクハウゼンノイズを抑制することができる。
【0031】
本発明に係るMR素子は、第1の磁気シールド膜25と、第2の磁気シールド膜26とを含んでおり、第1の磁気シールド膜25はGMR膜30の膜厚方向の一面側に配置されており、第2の磁気シールド膜26はGMR膜30の膜厚方向の他面側に配置されている。従って、第1の磁気シールド膜25と第2の磁気シールド膜26とによるシールドギャップ間に、GMR膜30を配置し、GMR膜30を、外乱磁界の影響から遮蔽することができる。本来的に検知すべき磁気記録媒体からの読み取り磁界は、第1及び第2の磁気シールド膜25、26の間に形成されるシールドギャップ内のGMR膜30によって、高感度で検知される。
【0032】
本発明に係るMR素子は、その特徴的構造要件として、反強磁性膜271、272を含んでいる。反強磁性膜271、272は、第1の磁気シールド膜25に隣接し、交換結合を生じる。このため、反強磁性膜271、272と交換結合を生じている第1の磁気シールド膜25の磁化が安定し、第1の磁気シールド膜25における磁化の変化に起因する再生出力の不安定性や、アシンメトリー変動などを抑制することができる。図1に示した実施例の再生出力変動率は、1.1%であった。
【0033】
第1の磁気シールド膜25における磁化の変化は、磁気記録媒体から生じる磁界、記録磁界、及び、GMR膜30に流れるセンス電流の作る磁界などによって惹起されるものであるから、本発明によれば、これらの外乱磁界による影響を受けなくなる。
【0034】
実施例において、磁区制御膜21、22は、GMR膜30の幅方向の両側部に、間隔ΔW11、ΔW12を隔てて配置されている。絶縁層23、24は、磁区制御膜21、22と、第2の電極膜26、反強磁性膜271、272及びGMR膜30との間を埋めている。具体的には、絶縁層23、24は、磁区制御膜21、22と、第2の電極膜26及び反強磁性膜271、272との間では、層状に配置され、磁区制御膜21、22とGMR膜30との間では、両者間に生じる間隔ΔW11、ΔW12を埋めている。
【0035】
図示実施例のMR素子の場合、第1及び第の電極膜25、26のそれぞれは、GMR膜30の両面に隣接している。したがって、GMR膜30の膜面に対して垂直方向にセンス電流を流すMR素子を得ることができる。そのようなMR素子の例は、既に述べたように、CPPタイプのSV膜またはTMR膜である。
【0036】
絶縁層23、24は、磁区制御膜21、22と、電極膜25、26との間に層状に介在し、GMR膜30との間では、両者間に生じる間隔ΔW11、ΔW12を埋めている。この構造によれば、電極膜25、26及びGMR膜30から磁区制御膜21、22へのセンス電流の漏洩を、絶縁層23、24によって、確実に防止することができる。
【0037】
図2は本発明に係るMR素子の別の実施例を示す断面図である。図において、図1に表れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。この実施例では、実施例では、反強磁性膜273、274は、第2の磁気シールド膜26に隣接し、交換結合を生じる。このため、反強磁性膜273、274と交換結合を生じている第2の磁気シールド膜26の磁化が安定し、第2の磁気シールド膜26における磁化の変化に起因する再生出力の不安定性や、アシンメトリー変動などを抑制することができる。図2に示した実施例の再生出力変動率は、1.0%であった。
【0038】
図3は本発明に係るMR素子の更に別の実施例を示す断面図である。図において、図1に表れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。この実施例では、第2の磁気シールド膜26に反強磁性膜270が隣接して交換結合を生じている。反強磁性膜270は導電性を有する材料で構成されている。この実施例の場合、反強磁性膜270と交換結合を生じている第2の磁気シールド膜26の磁化が安定し、第2の磁気シールド膜26における磁化の変化に起因する再生出力の不安定性や、アシンメトリー変動などを抑制することができる。反強磁性膜270は、GMR膜30に含まれる強磁性層と交換結合し、その磁化方向を固定する反強磁性層としても用いることができる。
【0039】
図4は本発明に係るMR素子の更に別の実施例を示す断面図である。図において、図1に表れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。この実施例では、第1の磁気シールド膜25に反強磁性膜271、272が隣接して交換結合を生じ、第2の磁気シールド膜26に強磁性膜273、274が隣接して交換結合を生じている。このため、反強磁性膜271、272と交換結合を生じている第1の磁気シールド膜25の磁化、および、反強磁性膜273、274と交換結合を生じている第2の磁気シールド膜26の磁化が安定し、第1及び第2の磁気シールド膜25、26における磁化の変化に起因する再生出力の不安定性や、アシンメトリー変動などを抑制することができる。図4に示した実施例の再生出力変動率は、0.3%であった。
【0040】
図5は本発明に係るMR素子の更に別の実施例を示す断面図である。図において、図1に表れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。この実施例では、反強磁性膜271、272は、磁区制御膜21、22と、第1の磁気シールド膜25、第2の磁気シールド膜26及びGMR膜30との間を埋め、磁区制御膜21、22と交換結合する。反強磁性膜271、272は、勿論、第1の磁気シールド膜25及び第2の磁気シールド膜26と交換結合する。
【0041】
この実施例の場合、反強磁性膜271、272は、磁区制御膜21、22と交換結合することによる磁界によって、GMR膜30に対して、磁区制御を加えることができる。反強磁性膜271、272は、電気絶縁性材料でなければならない。そのような具体例は、前述NiOである。反強磁性膜271、272をNiOで構成した場合、これと交換結合を生ずべき磁区制御膜21、22は、CoFeで構成する。図5に示した実施例の再生出力変動率は、0.3%であった。
【0042】
以上述べたように、本発明によれば、再生出力変動率を、0.3〜1.1%の範囲に抑制したMR素子を提供することができる。従来の薄膜磁気ヘッドでは、再生出力変動率を5.0%に抑えるのが精一杯であったことを考慮すると、本発明の効果は、きわめて顕著であるといえる。
【0043】
2.薄膜磁気ヘッド
図6は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図、図7は図6に示した薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子部分の拡大断面図、図8は図7の8−8線に沿った断面図である。図6〜図8に示す薄膜磁気ヘッドは、図1〜図5に示したMR素子のうち、図1に示したものを、読み取り素子として適用したものであるが、図2〜図5に示したMR素子も同様に適用できる。何れの図面においても、寸法、プロポ−ション等は、図示の都合上、誇張されまたは省略されている。
【0044】
図示された薄膜磁気ヘッドは、スライダ基体5と、電磁変換素子3、4とを含む。スライダ基体5は、媒体対向面に浮上特性制御用の幾何学的形状を有している。そのような幾何学的形状の代表例として、実施例では、レ−ル51、52を示してある。レ−ル51、52の表面は、空気ベアリング面(以下ABSと称する)53、54となる。レ−ル51、52の形状は、図示の単純な直線状輪郭の他、複雑な輪郭や、負圧を発生される輪郭など多種、多様であり、本発明には何れも適用できる。スライダ基体5は、例えば、アルティック(Al2O3−TiC)等のセラミック材料からなる。
【0045】
図6〜図8を参照すると、スライダ基体1の端面には絶縁層501が設けられている。絶縁層501は、例えば、アルミナ(Al2O3)、SiO2等の絶縁材料からなり、1〜5μmの厚みである。
【0046】
電磁変換素子3、4は、再生素子を構成するMR素子3と、記録素子4とを含む。再生素子を構成するMR素子3は、SV膜またはTMR膜を含んでいる。SV膜の場合は、膜面に垂直に電流を流すCPP−GMRが用いられる。TMR膜は、本来、膜面に垂直にセンス電流を流すものである。
【0047】
記録素子4は、例えば、誘導型磁気変換素子あり、書き込み用磁極端がABS53、54に面している。記録素子4は、再生素子を構成するMR素子3と近接して配置され、保護膜49によって覆われている。
【0048】
記録素子4は、第1の磁極層41と、第2の磁極層45と、記録ギャップ層42と、薄膜コイル43、47とを含む。第1の磁極層41は上部シ−ルド層41として兼用されている。
【0049】
第1の磁極層41は、絶縁層46の上に形成され、第2の磁極層45と磁気的に連結されている。記録ギャップ層42は第1の磁極層41の磁極部分と、第2の磁極層45の磁極部分との間に設けられている。薄膜コイル43、47は、第1の磁極層41及び第2の磁極層45の間のインナーギャップ間の絶縁層48内に配設されている。
【0050】
再生素子を構成するMR素子3は、GMR膜30と、第1及び第2の電極膜25、26と、絶縁層23、24と、反強磁性膜271、272を含む。
【0051】
図8を参照すると、GMR膜30は、フリ−層301を含み、フリ−層301に非磁性層302が隣接し、非磁性層302の上に、ピンド層303が隣接している。ピンド層303の上には反強磁性層304が設けられている。ピンド層303は、反強磁性層304との交換結合により、磁化方向が固定される。
【0052】
フリ−層301、非磁性層302、ピンド層303及び反強磁性層304の膜構造及び組成材料等については、既に知られている技術を、任意に適用できる。一例をあげると、フリ−層301及びピンド層303は、例えば、NiFe、NiFeCo、CoFe等で構成され、反強磁性層304はFeMn、IrMn、NiMn、CrPtMnなどによって構成される。
【0053】
非磁性層302は、CPPタイプのSV膜の場合はCu等を主成分とする導電性材料層で構成され、TMR膜の場合は、酸化アルミニウム層などの絶縁性材料層で構成される。
【0054】
第1の電極膜25は、絶縁層501の上に形成され、一面側がGMR膜30のフリー層301に隣接している。この第1の電極膜25は、第1の磁気シールド層25として兼用されている。
【0055】
第2の電極膜26は、一面側がGMR膜30の反強磁性層304に隣接し、第2の磁気シールド層26として兼用されている。
【0056】
反強磁性膜271、272は、第1の磁気シールド膜25に隣接し、交換結合を生じる。反強磁性膜271、272はGMR膜30の幅方向の両側に配置される。上記構造によれば、反強磁性膜271、272と交換結合を生じている第1の磁気シールド膜25の磁化が安定し、第1の磁気シールド膜25における磁化の変化に起因する再生出力の不安定性や、アシンメトリー変動などを抑制することができる。
【0057】
磁区制御膜21、22は、GMR膜30の幅方向の両側部に、絶縁層23、24による間隔を隔てて配置されている。磁区制御膜21、22は、フリ−層301の磁区を制御する。
【0058】
絶縁層23、24は、磁区制御膜21、22と、第1及び第2の電極膜25、26及びGMR膜30との間を埋めている。具体的には、絶縁層23、24は、磁区制御膜21、22と第1及び第2の電極膜25、26との間では、層状に配置され、磁区制御膜21、22とGMR膜30との間では、両者間に生じる間隔を埋めている。
【0059】
CPPタイプのSV膜またはTMR膜は、フリ−層301を含んでおり、フリ−層301に発生することのあるバルクハウゼンノイズを抑制しなければならない。図示実施例のMR素子は、磁区制御膜21、22を含んでおり、磁区制御膜21、22は、GMR膜30の幅方向の両側部に配置され、フリ−層301の磁区を制御する。したがって、バルクハウゼンノイズを抑制することができる。
【0060】
絶縁層23、24は、磁区制御膜21、22と、第1及び第2の電極膜25、26との間に層状に介在し、GMR膜30との間では、両者間に生じる間隔ΔW11、ΔW12を埋めている。この構造によれば、第1及び第2の電極膜25、26及びGMR膜30から磁区制御膜21、22へのセンス電流の漏洩を、絶縁層23、24によって、確実に防止することができる。
【0061】
3.磁気ヘッド装置
図9は本発明に係る磁気ヘッド装置の正面図、図10は図9に示した磁気ヘッド装置の底面図である。図示された磁気ヘッド装置は、図6〜図8に示した薄膜磁気ヘッド40と、ヘッド支持装置50とを含む。ヘッド支持装置50は、金属薄板でなる支持体51の長手方向の一端にある自由端に、同じく金属薄板でなる可撓体52を取付け、この可撓体52の下面に薄膜磁気ヘッド40を取付けた構造となっている。
【0062】
具体的には、可撓体52は、支持体51の長手方向軸線と略平行して伸びる2つの外側枠部521、522と、支持体51から離れた端において外側枠部521、522を連結する横枠523と、横枠523の略中央部から外側枠部521、522に略平行するように延びていて先端を自由端とした舌状片524とを有する。横枠523のある方向とは反対側の一端は、支持体51の自由端付近に溶接等の手段によって取付けられている。
【0063】
支持体51の下面には、例えば半球状の荷重用突起525が設けられている。この荷重用突起525により、支持体51の自由端から舌状片524へ荷重力が伝えられる。
【0064】
薄膜磁気ヘッド40は、舌状片524の下面に接着等の手段によって取付けられている。薄膜磁気ヘッド40は、ピッチ動作及びロール動作が許容されるように支持されている。
【0065】
本発明に適用可能なヘッド支持装置50は、上記実施例に限定するものではなく、これまで提案され、またはこれから提案されることのあるヘッド支持装置を、広く適用できる。例えば、支持体51と舌状片524とを、タブテープ(TAB)等のフレキシブルな高分子系配線板を用いて一体化したもの等を用いることもできる。また、従来より周知のジンバル構造を持つものを自由に用いることができる。
【0066】
4.磁気記録再生装置
図11は図9、図10に示した磁気ヘッド装置を用いた磁気記録再生装置の平面図である。図示された磁気記録再生装置は、図9、図10に示した磁気ヘッド装置6と、位置決め装置8と、磁気ディスク7とを含む。位置決め装置8は、ロータリ・アクチュエータ方式であり、ヘッド支持装置50の他端側を支持している。
【0067】
本実施例において、磁気ディスク7は磁気ヘッド装置6と協働して磁気記録再生を行う。磁気ディスク7は、図示しない回転駆動機構により、矢印F1の方向に高速で回転駆動される。
【0068】
薄膜磁気ヘッド40は、ヘッド支持装置50、アーム9及び位置決め装置8により、矢印B1またはB2の方向に駆動され、所定のトラック上で、磁気ディスク7への書き込み及び読み出しを行う。
【0069】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、磁気シールド膜の磁化変化の影響を受けにくいMR素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るMR素子の一実施例を示す断面図である。
【図2】本発明に係るMR素子の別の実施例を示す断面図である。
【図3】本発明に係るMR素子の更に別の実施例を示す断面図である。
【図4】本発明に係るMR素子の更に別の実施例を示す断面図である。
【図5】本発明に係るMR素子の更に別の実施例を示す断面図である。
【図6】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図7】図6に示した薄膜磁気ヘッドの電磁変換素子部分の拡大断面図である。
【図8】図7の8−8線に沿った断面図である。
【図9】本発明に係る磁気ヘッド装置の正面図である。
【図10】図9に示した磁気ヘッド装置の底面図である。
【図11】図9、図10に示した磁気ヘッド装置を用いた磁気記録再生装置の平面図である。
【符号の説明】
21、22 磁区制御膜
25 第1の電極膜または第1の磁気シールド膜
26 第2の電極膜または第の磁気シールド膜
30 GMR膜
270〜274 反強磁性膜
Claims (19)
- 磁気抵抗効果膜と、磁区制御膜と、第1の磁気シールド膜と、第2の磁気シールド膜と、反強磁性膜とを含む磁気抵抗効果素子であって、
前記磁区制御膜は、前記磁気抵抗効果膜の幅方向の両側部に配置され、前記磁気抵抗効果膜に対して磁区制御を加えるものであり、
前記第1の磁気シールド膜は、前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向の一面側に配置されており、
前記第2の磁気シールド膜は、前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向の他面側に配置されており、
前記反強磁性膜は、前記第1の磁気シールド膜と前記第2の磁気シールド膜との間に配置され、前記第1または第2の磁気シールド膜の少なくとも一方に隣接し、交換結合を生じる
磁気抵抗効果素子。 - 請求項1に記載された磁気抵抗効果素子であって、
前記磁気抵抗効果膜は、第1の電極膜と、第2の電極膜とを備えており、
前記第1の電極膜は、前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向の一面に隣接しており、
前記第2の電極膜は、前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向の他面に隣接している
磁気抵抗効果素子。 - 請求項2に記載された磁気抵抗効果素子であって、
前記第1の電極膜は、前記第1の磁気シールド膜として兼用され、
前記第2の電極膜は、前記第2の磁気シールド膜として兼用されている
磁気抵抗効果素子。 - 請求項3に記載された磁気抵抗効果素子であって、
前記反強磁性膜は、前記第1の磁気シールド膜に隣接し、交換結合する
磁気抵抗効果素子。 - 請求項3に記載された磁気抵抗効果素子であって、
前記反強磁性膜は、前記第2の磁気シールド膜に隣接し、交換結合する
磁気抵抗効果素子。 - 請求項3に記載された磁気抵抗効果素子であって、
前記反強磁性膜は、前記第1及び第2の磁気シールド膜に隣接し、交換結合する
磁気抵抗効果素子。 - 請求項4乃至6の何れかに記載された磁気抵抗効果素子であって、
前記反強磁性膜は、前記磁気抵抗効果膜の幅方向の両側に配置されている
磁気抵抗効果素子。 - 請求項4乃至7の何れかに記載された磁気抵抗効果素子であって、
前記反強磁性膜は、電気絶縁性を有する
磁気抵抗効果素子。 - 請求項8に記載された磁気抵抗効果素子であって、
前記反強磁性膜は、NiO、CoO及びFe2O3から選択された少なくとも1種でなる
磁気抵抗効果素子。 - 請求項4乃至9の何れかに記載された磁気抵抗効果素子であって、
前記反強磁性膜と、前記磁区制御膜との間に電気絶縁層を有する
磁気抵抗効果素子。 - 請求項6に記載された磁気抵抗効果素子であって、
前記反強磁性膜は、前記磁区制御膜と、前記第1及び第2の磁気シールド膜との間を埋め、前記磁区制御膜と交換結合する
磁気抵抗効果素子。 - 請求項4乃至7の何れかに記載された磁気抵抗効果素子であって、
前記反強磁性膜は、導電性を有する
磁気抵抗効果素子。 - 請求項12に記載された磁気抵抗効果素子であって、
前記反強磁性膜は、FeMn、PtMn、IrMn、NiMn及びCrPtMnから選択された少なくとも1種でなる
磁気抵抗効果素子。 - 請求項12または13に記載された磁気抵抗効果素子であって、
前記反強磁性膜と、前記磁区制御膜との間に電気絶縁層を有する
磁気抵抗効果素子。 - 請求項1乃至14の何れかに記載された磁気抵抗効果素子であって、前記磁気抵抗効果膜はスピンバルブ膜である磁気抵抗効果素子。
- 請求項1乃至14の何れかに記載された磁気抵抗効果素子であって、前記磁気抵抗効果膜は強磁性トンネル接合膜である磁気抵抗効果素子。
- 磁気抵抗効果素子と、スライダとを含む薄膜磁気ヘッドであって、
前記磁気抵抗効果素子は、請求項1乃至16の何れかに記載されたものでなり、
前記スライダは、前記磁気抵抗効果素子を支持する
薄膜磁気ヘッド。 - 薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置とを含む磁気ヘッド装置であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、請求項17に記載されたものでなり、
前記ヘッド支持装置は、前記薄膜磁気ヘッドを支持する
磁気ヘッド装置。 - 磁気ヘッド装置と、磁気ディスクとを含む磁気記録再生装置であって、
前記磁気ヘッド装置は、請求項18に記載されたものでなり、
前記磁気ディスクは、前記磁気ヘッド装置との協働により、磁気記録の書き込み及び読み出しを行う
磁気記録再生装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002289952A JP3815676B2 (ja) | 2002-10-02 | 2002-10-02 | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 |
US10/667,349 US7046487B2 (en) | 2002-10-02 | 2003-09-23 | Magnetoresistive effective element, thin film magnetic head, magnetic head device and magnetic recording/reproducing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002289952A JP3815676B2 (ja) | 2002-10-02 | 2002-10-02 | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004127420A true JP2004127420A (ja) | 2004-04-22 |
JP3815676B2 JP3815676B2 (ja) | 2006-08-30 |
Family
ID=32040648
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002289952A Expired - Fee Related JP3815676B2 (ja) | 2002-10-02 | 2002-10-02 | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7046487B2 (ja) |
JP (1) | JP3815676B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7573675B2 (en) | 2005-03-18 | 2009-08-11 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head |
US20120087046A1 (en) * | 2010-10-08 | 2012-04-12 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head including soft layer magnetically connected with shield |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9007727B2 (en) * | 2007-07-17 | 2015-04-14 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic head having CPP sensor with improved stabilization of the magnetization of the pinned magnetic layer |
US8031442B2 (en) * | 2007-08-01 | 2011-10-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic head having CPP sensor with improved biasing for free magnetic layer |
US8305715B2 (en) * | 2007-12-27 | 2012-11-06 | HGST Netherlands, B.V. | Magnetoresistance (MR) read elements having an active shield |
US8066897B2 (en) * | 2007-12-28 | 2011-11-29 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Dynamic hard magnet thickness adjustment for reduced variation in free layer stabilization field in a magnetoresistive sensor |
US8553370B2 (en) | 2010-11-24 | 2013-10-08 | HGST Netherlands B.V. | TMR reader structure having shield layer |
US8441756B1 (en) | 2010-12-16 | 2013-05-14 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing an antiferromagnetically coupled writer |
US9123359B1 (en) | 2010-12-22 | 2015-09-01 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording transducer with sputtered antiferromagnetic coupling trilayer between plated ferromagnetic shields and method of fabrication |
US8760819B1 (en) | 2010-12-23 | 2014-06-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording sensor with sputtered antiferromagnetic coupling trilayer between plated ferromagnetic shields |
US8630068B1 (en) | 2011-11-15 | 2014-01-14 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a side shielded read transducer |
US8797692B1 (en) | 2012-09-07 | 2014-08-05 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording sensor with AFM exchange coupled shield stabilization |
US8780505B1 (en) | 2013-03-12 | 2014-07-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having an improved composite magnetic shield |
US9013836B1 (en) | 2013-04-02 | 2015-04-21 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing an antiferromagnetically coupled return pole |
US9431047B1 (en) | 2013-05-01 | 2016-08-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing an improved AFM reader shield |
KR102175471B1 (ko) * | 2014-04-04 | 2020-11-06 | 삼성전자주식회사 | 자기 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
US10074387B1 (en) | 2014-12-21 | 2018-09-11 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having symmetric antiferromagnetically coupled shields |
JP6390728B2 (ja) * | 2017-02-22 | 2018-09-19 | Tdk株式会社 | 磁気センサとその製造方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3635504B2 (ja) * | 1995-08-31 | 2005-04-06 | 富士通株式会社 | 磁気抵抗効果ヘッドとその製造方法及び磁気記録装置 |
US6047462A (en) * | 1996-04-02 | 2000-04-11 | Tdk Corporation | Method of making a combined type thin film magnetic head |
JP3188212B2 (ja) | 1997-05-08 | 2001-07-16 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
JP2000030227A (ja) * | 1998-07-14 | 2000-01-28 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
US6275560B1 (en) | 1998-12-22 | 2001-08-14 | General Electric Company | Cardiac gated computed tomography system |
JP2001006127A (ja) | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Tdk Corp | トンネル磁気抵抗効果型ヘッド |
JP2001014616A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Tdk Corp | 磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法 |
JP2001229515A (ja) | 1999-12-07 | 2001-08-24 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びこれを用いた磁気再生装置 |
JP2002117510A (ja) | 2000-07-18 | 2002-04-19 | Read Rite Corp | フリー層を偏向させる硬質磁性体を使用したtmrセンサを設ける方法及びシステム |
JP3490673B2 (ja) | 2000-09-05 | 2004-01-26 | 株式会社日立製作所 | スピントンネル型磁気抵抗効果ヘッド及び磁気記録再生装置 |
JP2002133614A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-10 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
JP2002170211A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-14 | Hitachi Ltd | スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 |
US6697235B2 (en) * | 2001-04-26 | 2004-02-24 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive head and magnetic recoding/reproducing apparatus using the same |
JP3379704B2 (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-24 | ティーディーケイ株式会社 | 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 |
JP4467210B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2010-05-26 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 磁気記録装置及び磁気ヘッド |
US20030099069A1 (en) * | 2001-10-10 | 2003-05-29 | Tdk Corporation | Magnetic head, method of manufacturing same, and head suspension assembly |
US7130165B2 (en) * | 2002-06-05 | 2006-10-31 | Seagate Technology Llc | Side shielded current in plane spin-valve |
JP2004127404A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 |
-
2002
- 2002-10-02 JP JP2002289952A patent/JP3815676B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-09-23 US US10/667,349 patent/US7046487B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7573675B2 (en) | 2005-03-18 | 2009-08-11 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head |
US20120087046A1 (en) * | 2010-10-08 | 2012-04-12 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head including soft layer magnetically connected with shield |
US8462467B2 (en) * | 2010-10-08 | 2013-06-11 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head including soft layer magnetically connected with shield |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040066586A1 (en) | 2004-04-08 |
US7046487B2 (en) | 2006-05-16 |
JP3815676B2 (ja) | 2006-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7283333B2 (en) | Self-pinned double tunnel junction head | |
KR100426768B1 (ko) | 자기저항효과헤드 | |
US7130166B2 (en) | CPP GMR with improved synthetic free layer | |
US7330339B2 (en) | Structure providing enhanced self-pinning for CPP GMR and tunnel valve heads | |
US7035059B2 (en) | Head with self-pinned structure having pinned layer extending beyond track edges of the free layer | |
JP3815676B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 | |
US6867953B2 (en) | Self-pinned in-stack bias structure with improved pinning | |
US6943997B2 (en) | Sensor with improved stabilization and track definition | |
US20020097533A1 (en) | Current perpendicular to plane type magnetoresistive device, magnetic head, and magnetic recording/reproducing apparatus | |
JP2008152818A (ja) | 磁気ヘッド、および磁気ディスク装置 | |
US7268979B2 (en) | Head with thin AFM with high positive magnetostrictive pinned layer | |
US7180714B2 (en) | Apparatus for providing a ballistic magnetoresistive sensor in a current perpendicular-to-plane mode | |
JP4377777B2 (ja) | 磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアッセンブリ、および磁気再生装置 | |
US7180715B2 (en) | Canted easy axis in self-pinned layers | |
US20050213258A1 (en) | Method and apparatus for providing a dual current-perpendicular-to-plane (CPP) GMR sensor with improved top pinning | |
US20050270705A1 (en) | Magneto-resistive element, thin film magnetic head, magnetic head and magnetic recording/reproducing apparatus | |
JP2004327651A (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 | |
US7023671B2 (en) | Hard bias structure with antiparallel layers | |
JP3593077B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
JP2004319709A (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 | |
US7190560B2 (en) | Self-pinned CPP sensor using Fe/Cr/Fe structure | |
US20080118778A1 (en) | Magnetoresistive reproducing magnetic head and magnetic recording apparatus utilizing the head | |
JP2002305338A (ja) | 垂直通電型磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置 | |
JP3828428B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッド組立体及び記憶装置 | |
JP2002232038A (ja) | 垂直通電型磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040317 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050427 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050622 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060531 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060601 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |