JP2001131469A - 膜形成用組成物、膜の形成方法、及び膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】加工性に優れるとともに、耐熱性、低誘電性、
及び機械的強度に優れた塗膜を形成し得る膜形成用組成
物、膜の形成方法、及び膜を提供する。 【解決手段】（Ａ）下記式（１）に示す繰り返し単位を
１０モル％以上含む重合体、（Ｂ）ＴＧ／ＤＴＡにより
窒素下、昇温速度１０℃／分の条件で測定した５％重量
減少温度が２００〜４００℃の有機化合物、及び（Ｃ）
有機溶媒を含有してなることを特徴とする膜形成用組成
物。 【化１】 ［式（１）中、Ｙは、特定の２価の有機基を示し、Ａｒ
は、２価の芳香族基を示す。］

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、膜形成用組成物、
膜の形成方法、及び膜に関する。さらに詳しくは、ＬＳ
Ｉ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡ
Ｍ、Ｄ−ＲＤＲＡＭ等の半導体素子用低誘電性層間絶縁
膜；半導体素子の表面コート膜等の保護膜；多層配線基
板の低誘電性層間絶縁膜；液晶表示素子用の保護膜や絶
縁防止膜等の原材料として好適な、加工性に優れるとと
もに、耐熱性、低誘電性及び機械的強度に優れた塗膜を
形成し得る膜形成用組成物、膜の形成方法、及び膜に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子材料分野においては、高集積
化、多機能化、高性能化の進行に伴い、回路抵抗や配線
間のコンデンサー容量が増大し、消費電力や遅延時間の
増大を招いている。中でも、遅延時間の増大は、デバイ
スの信号スピードの低下やクロストークの発生の大きな
要因となるため、この遅延時間を減少させてデバイスの
高速化を図るべく、寄生抵抗や寄生容量の低減が求めら
れている。この寄生容量を低減するための具体策の一つ
として、配線の周辺を低誘電性の層間絶縁膜で被覆する
ことが試みられている。また、層間絶縁膜には、実装基
板製造時の薄膜形成工程やチップ接続、ピン付け等の後
工程に耐えうる優れた耐熱性やウェットプロセスに耐え
うる耐薬品性が求められている。さらに、近年は、Ａｌ
配線から低抵抗のＣｕ配線が導入されつつあり、これに
伴い、ＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング）によ
る平坦化が一般的となっており、このプロセスに耐え得
る機械的強度が求められている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の問題
に鑑みなされたものであり、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、
ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭ等
の半導体素子用層間絶縁膜；半導体素子の表面コート膜
等の保護膜；多層配線基板の層間絶縁膜；液晶表示素子
用の保護膜、絶縁防止膜、ガス分離膜等の原材料として
好適な、加工性に優れるとともに、耐熱性、低誘電性、
及び機械的強度に優れた塗膜を形成し得る膜形成用組成
物、膜の形成方法、及び膜を提供することを目的とす
る。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の課
題を解決すべく、絶縁膜や保護膜の原材料として好適な
ポリマーについて鋭意研究した結果、特定の繰り返し単
位を特定モル％以上有する新規なポリマーが好適である
ことを見出した。この新規なポリマーは、加熱すること
により特定の繰り返し単位がＢｅｒｇｍａｎ環化を起こ
し、アリールラジカルを生ずることにより、低温で架橋
することができるため、特定の有機化合物との組成物と
し、この組成物を基板に塗布し、加熱することにより絶
縁膜や保護膜に好適な膜を形成できることを見出し、本
発明を完成させた。すなわち、本発明は、以下の膜形成
用組成物、硬化膜及び硬化膜の形成方法を提供するもの
である。

【０００５】［１］（Ａ）下記式（１）に示す繰り返し
単位を１０モル％以上含む重合体、（Ｂ）ＴＧ／ＤＴＡ
により窒素下、昇温速度１０℃／分の条件で測定した５
％重量減少温度が２００〜４００℃の有機化合物、及び
（Ｃ）有機溶媒を含有してなることを特徴とする膜形成
用組成物。

【０００６】

【化４】

【０００７】［式（１）中、Ｙは、下記式（２）又は下
記式（３）に示す２価の有機基を示し、Ａｒは、２価の
芳香族基を示す。］

【０００８】

【化５】

【０００９】［式（２）中、Ｒ¹〜Ｒ²は、同一でも異な
っていてもよく、シス（ｃｉｓ）位置にあり、水素原
子、アルキル基、アリール基を示す。］

【００１０】

【化６】

【００１１】［式（３）中、Ｒ³〜Ｒ⁶は、同一でも異な
っていてもよく、水素原子、フッ素原子、アルキル基、
ハロゲン化アルキル基、アリール基を示す。］

【００１２】

【化７】

【００１３】［式（１）中、Ｙは、下記式（２）又は下
記式（３）に示す２価の有機基を示し、Ａｒは、２価の
芳香族基を示す。］

【００１４】

【化８】

【００１５】［式（２）中、Ｒ¹〜Ｒ²は、同一でも異な
っていてもよく、水素原子、アルキル基、アリール基を
示す。］

【００１６】

【化９】

【００１７】［式（３）中、Ｒ³〜Ｒ⁶は、同一でも異な
っていてもよく、水素原子、フッ素原子、アルキル基、
ハロゲン化アルキル基、アリール基を示す。］

【００１８】［２］前記（Ｂ）有機化合物が、ポリアル
キレングリコール誘導体、ポリスチレン誘導体、エポキ
シ誘導体、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、ポリエステ
ル、ポリカーボネート、（メタ）アクリレート共重合
体、ビニルピロリドン共重合体、アクリルアミド共重合
体、脂肪族ポリアミド、アビエチン酸誘導体、コレステ
ロール誘導体及びシクロデキストリン誘導体からなる群
から選ばれる少なくとも１種である前記［１］に記載の
膜形成用組成物。

【００１９】［３］前記［１］又は［２］に記載の膜形
成用組成物を基板上に塗布し、前記（Ｂ）有機化合物の
熱分解温度未満の温度で加熱して前記ジイン含有（共）
重合体（Ａ）を一部硬化させ、次いで、前記化合物
（Ｂ）の熱分解温度以上の温度で加熱して成膜すること
を特徴とする膜の形成方法。

【００２０】［４］真空又は不活性ガスの雰囲気下で成
膜する前記［３］に記載の膜の形成方法。

【００２１】［５］前記［３］又は［４］に記載の膜の
形成方法によって形成してなる膜。

【００２２】［６] 絶縁膜であることを特徴とする[５]
に記載の膜。

【００２３】本発明の膜形成用組成物は、膜を形成する
ベースポリマーとして、特定の繰り返し単位を特定モル
％以上有するとともに特定の重量平均分子量を有する
（Ａ）ジイン含有（共）重合体（以下、「重合体
（Ａ）」ということがある）を含有し、かつ多孔質を形
成する材料として、（Ｂ）特定の有機化合物（以下、
「化合物（Ｂ）」ということがある）を含有し、さら
に、重合体（Ａ）及び化合物（Ｂ）の溶媒として（Ｃ）
有機溶媒（以下、「溶媒（Ｃ）」ということがある）を
用いるので、耐熱性、低誘電性及び機械的強度に優れた
塗膜を形成することができる。また、本発明の膜の形成
方法は、上述の組成物を、シリコンウエハ等の基材に塗
布し、特定温度条件で加熱することにより、化合物
（Ｂ）及び溶媒（Ｃ）を除去し、かつ、重合体（Ａ）を
熱硬化させるもので、この形成方法によって、重合体
（Ａ）の巨大高分子の膜を形成することができるととも
に、化合物（Ｂ）が分解、除去されて、膜に微細孔を形
成することができる。従って、本発明の膜の形成方法に
よって形成した膜は、低密度のものとなり、耐熱性、低
誘電性及び機械的強度に優れ、半導体素子等における層
間絶縁膜材料等として好適に用いることができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を具体
的に説明する。 Ｉ．膜形成用組成物 本発明の膜形成用組成物は、（Ａ）前記式（１）に示す
繰り返し単位を１０モル％以上含む重合体、（Ｂ）ＴＧ
／ＤＴＡにより窒素下、昇温速度１０℃／分の条件で測
定した５％重量減少温度が２００〜４００℃の有機化合
物、及び（Ｃ）有機溶媒を含有してなることを特徴とす
る。

【００２５】本発明の膜形成用組成物の全固形分濃度
は、好ましくは、２〜３０重量％であり、使用目的に応
じて適宜調整することができる。組成物の全固形分濃度
が２〜３０重量％であると、塗膜の膜厚が適当な範囲と
なり、保存安定性もより優れたものとなる。

【００２６】以下、本発明の膜形成用組成物を、各構成
要素ごとにさらに具体的に説明する。

【００２７】１．重合体（Ａ） （１）前記式（１）に示す繰り返し単位 本発明に用いられる重合体（Ａ）は、前記式（１）に示
す繰り返し単位を１０モル％以上有するものであるが、
説明の便宜上、式（１）を再び以下に示す。

【００２８】

【化１０】

【００２９】［式（１）中、Ｙは、下記式（２）又は下
記式（３）に示す２価の有機基を示し、Ａｒは、２価の
芳香族基を示す。］

【００３０】

【化１１】

【００３１】［式（２）中、Ｒ¹〜Ｒ²は、同一でも異な
っていてもよく、シス（ｃｉｓ）位置にあり、水素原
子、アルキル基、アリール基を示す。］

【００３２】

【化１２】

【００３３】［式（３）中、Ｒ³〜Ｒ⁶は、同一でも異な
っていてもよく、水素原子、フッ素原子、アルキル基、
ハロゲン化アルキル基、アリール基を示す。］

【００３４】前記式（２）中のＲ¹〜Ｒ² で示されるア
ルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル
基、ｎ−プロピル基等；アリール基としては、フェニル
基等を挙げることができる。

【００３５】前記式（３）中のＲ³〜Ｒ⁶ で示されるア
ルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル
基、ｎ−プロピル基等；ハロゲン化アルキル基として
は、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基
等；アリール基としては、フェニル基、ペンタフルオロ
フェニル基等を挙げることができる。

【００３６】前記式（１）中のＹで示される２価の有機
基としては、例えば、ｃｉｓ−ビニレン基、１，２−フ
ェニレン基等を挙げることができる。

【００３７】前記式（１）中のＡｒで示される２価の芳
香族基としては、例えば、１，２−フェニレン基、１，
３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、及び下記に
示す基（ａ）〜（ｆ）等を挙げることができる。

【００３８】

【化１３】

【００３９】

【化１４】

【００４０】

【化１５】

【００４１】

【化１６】

【００４２】

【化１７】

【００４３】

【化１８】

【００４４】中でも、１，３−フェニレン基、１，４−
フェニレン基、前記基（ａ）及び（ｄ）が好ましい。

【００４５】本発明に用いられる重合体（Ａ）は、前記
式（１）に示す繰り返し単位を１０モル％以上、好まし
くは２０モル％以上、さらに好ましくは３０モル％以
上、特に好ましくは、５０モル％以上有するものであ
る。１０モル％未満であると、耐溶剤性が不十分とな
る。

【００４６】（２）重量平均分子量 本発明に用いられる重合体（Ａ）の重量平均分子量は、
５００〜１，０００，０００、好ましくは１，０００〜
２００，０００である。５００未満であると、塗膜性が
不十分となり、１，０００，０００を超えると、有機溶
媒溶解性が不十分となったり、粘度が高くなり、塗膜
（硬化膜）が平滑性に欠けるものになる。

【００４７】（３）配合量 重合体（Ａ）の配合量は、他の配合成分である化合物
（Ｂ）及び溶媒（Ｃ）の配合量との相対的関係におい
て、重合体（Ａ）の配合量を１００重量部とした場合、
化合物（Ｂ）の配合量が１〜４００重量部、及び溶媒
（Ｃ）の配合量が５０〜１０，０００重量部となる量で
ある。すなわち、重合体（Ａ）、化合物（Ｂ）及び溶媒
（Ｃ）の重量比は、（Ａ）：（Ｂ）：（Ｃ）＝１：０．
０１〜４：０．５〜１００となる。

【００４８】２．化合物（Ｂ） 本発明の膜形成用組成物において化合物（Ｂ）を用いる
ことによって、得られる塗膜の密度を低下させ、低誘電
性を達成することができる。従って、得られる膜は、半
導体素子等における層間低誘電性絶縁膜等として有用で
ある。

【００４９】本発明に用いられる化合物（Ｂ）として
は、後述する、ＴＧ（熱重量測定）／ＤＴＡ（示差熱分
析）により窒素下、昇温速度１０℃／分の条件で測定し
た５％重量減少温度が２００〜４００℃のものであれば
特に制限はないが、例えば、ポリアルキレングリコール
誘導体、ポリスチレン誘導体、エポキシ誘導体、ノボラ
ック樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル、ポリカーボネ
ート、（メタ）アクリレート共重合体、ビニルピロリド
ン共重合体、アクリルアミド共重合体、脂肪族ポリアミ
ド、アビエチン酸誘導体、コレステロール誘導体及びシ
クロデキストリン誘導体からなる群から選ばれる少なく
とも１種を挙げることができる。

【００５０】（１）化合物（Ｂ）の具体例 ポリアルキレングリコール誘導体 本発明に用いられるポリアルキレングリコール誘導体と
しては、例えば、炭素数２〜１２のポリアルキレングリ
コール化合物を挙げることができる。具体的には、ポリ
エチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリ
トリメチレングリコール、ポリテトラメチレングリコー
ル、ポリペンタメチレングリコール、ポリヘキサメチレ
ングリコール、ポリエチレングリコール−ポリプロピレ
ングリコールブロックコポリマー、ポリエチレングリコ
ール−ポリテトラメチレングリコールブロックコポリマ
ー、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコー
ル−ポリエチレングリコールブロックコポリマー、及び
そのメチルエーテル、エチルエーテル、プロピルエーテ
ル、トリメトキシシリルエーテル、トリエトキシシリル
エーテル、トリプロポキシシリルエーテル、トリメトキ
シシリルメチルエーテル、トリエトキシシリルメチルエ
ーテル、２−トリメトキシシリルエチルエーテル、２−
トリエトキシシリルエチルエーテル、３−トリメトキシ
シリルプロピルエーテル、３−トリエトキシシリルプロ
ピルエーテル等のほか、ポリエチレングリコールモノペ
ンチルエーテル、ポリエチレングリコールモノヘキシル
エーテル、ポリエチレングリコールモノペプチルエーテ
ル、ポリエチレングリコールモノオクチルエーテル、ポ
リエチレングリコールモノノニルエーテル、ポリエチレ
ングリコールモノデカニルエーテル、ポリエチレングリ
コールモノウンデカニルエーテル、ポリエチレングリコ
ールモノドデカニルエーテル、ポリエチレングリコール
モノトリデカニルエーテル、ポリエチレングリコールモ
ノテトラデカニルエーテル、ポリエチレングリコールモ
ノペンタデカニルエーテル、ポリエチレングリコールモ
ノヘキサデカニルエーテル、ポリエチレングリコールモ
ノヘプタデカニルエーテル、ポリエチレングリコールモ
ノオクタデカニルエーテル、ポリエチレングリコールモ
ノノナデカニルエーテル、ポリエチレングリコールモノ
イコサニルエーテル、ポリエチレングリコールモノヘニ
コサニルエーテル、ポリエチレングリコールモノドコサ
ニルエーテル、ポリエチレングリコールモノトリコサニ
ルエーテル、ポリエチレングリコールモノテトラコサニ
ルエーテル、ポリエチレングリコールモノペンタコサニ
ルエーテル、ポリエチレングリコールモノヘキサコサニ
ルエーテル、ポリエチレングリコールモノヘプタコサニ
ルエーテル、ポリエチレングリコールモノオクタコサニ
ルエーテル、ポリエチレングリコールモノノナコサニル
エーテル、ポリエチレングリコールモノトリアコンタニ
ルエーテル等のポリエチレングリコールアルキルエーテ
ル類及びそのメチルエーテル、エチルエーテル、プロピ
ルエーテル、トリメトキシシリルエーテル、トリエトキ
シシリルエーテル、トリプロポキシシリルエーテル、ト
リメトキシシリルメチルエーテル、トリエトキシシリル
メチルエーテル、２−トリメトキシシリルエチルエーテ
ル、２−トリエトキシシリルエチルエーテル、３−トリ
メトキシシリルプロピルエーテル、３−トリエトキシシ
リルプロピルエーテル等のポリエチレングリコールアル
キルエーテル誘導体；

【００５１】ポリエチレングリコールモノ−ｐ−メチル
フェニルエーテル、ポリエチレングリコールモノ−ｐ−
エチルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールモノ
−ｐ−プロピルフェニルエーテル、ポリエチレングリコ
ールモノ−ｐ−ブチルフェニルエーテル、ポリエチレン
グリコールモノ−ｐ−ペンチルフェニルエーテル、ポリ
エチレングリコールモノ−ｐ−ヘキシルフェニルエーテ
ル、ポリエチレングリコールモノ−ｐ−ペプチルフェニ
ルエーテル、ポリエチレングリコールモノ−ｐ−オクチ
ルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールモノ−ｐ
−ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールモ
ノ−ｐ−デカニルフェニルエーテル、ポリエチレングリ
コールモノ−ｐ−ウンデカニルフェニルエーテル、ポリ
エチレングリコールモノ−ｐ−ドデカニルフェニルエー
テル、ポリエチレングリコールモノ−ｐ−トリデカニル
フェニルエーテル、ポリエチレングリコールモノ−ｐ−
テトラデカニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコ
ールモノ−ｐ−ペンタデカニルフェニルエーテル、ポリ
エチレングリコールモノ−ｐ−ヘキサデカニルフェニル
エーテル、ポリエチレングリコールモノ−ｐ−ヘプタデ
カニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールモノ
−ｐ−オクタデカニルフェニルエーテル、ポリエチレン
グリコールモノ−ｐ−ノナデカニルフェニルエーテル、
ポリエチレングリコールモノ−ｐ−イコサニルフェニル
エーテル、ポリエチレングリコールモノ−ｐ−ヘニコサ
ニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールモノ−
ｐ−ドコサニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコ
ールモノ−ｐ−トリコサニルフェニルエーテル、ポリエ
チレングリコールモノ−ｐ−テトラコサニルフェニルエ
ーテル等のポリエチレングリコール−ｐ−アルキルフェ
ニルエーテル類及びそのメチルエーテル、エチルエーテ
ル、プロピルエーテル、トリメトキシシリルエーテル、
トリエトキシシリルエーテル、トリプロポキシシリルエ
ーテル、トリメトキシシリルメチルエーテル、トリエト
キシシリルメチルエーテル、２−トリメトキシシリルエ
チルエーテル、２−トリエトキシシリルエチルエーテ
ル、３−トリメトキシシリルプロピルエーテル、３−ト
リエトキシシリルプロピルエーテル等のポリエチレング
リコール−ｐ−アルキルフェニルエーテル誘導体；

【００５２】ポリエチレングリコールモノペンタン酸エ
ステル、ポリエチレングリコールモノヘキサン酸エステ
ル、ポリエチレングリコールモノヘプタン酸エステル、
ポリエチレングリコールモノオクタン酸エステル、ポリ
エチレングリコールモノノナン酸エステル、ポリエチレ
ングリコールモノデカン酸エステル、ポリエチレングリ
コールモノウンデカン酸エステル、ポリエチレングリコ
ールモノドデカン酸エステル、ポリエチレングリコール
モノトリデカン酸エステル、ポリエチレングリコールモ
ノテトラデカン酸エステル、ポリエチレングリコールモ
ノペンタデカン酸エステル、ポリエチレングリコールモ
ノヘキサデカン酸エステル、ポリエチレングリコールモ
ノヘプタデカン酸エステル、ポリエチレングリコールモ
ノオクタデカン酸エステル、ポリエチレングリコールモ
ノノナデカン酸エステル、ポリエチレングリコールモノ
イコサン酸エステル、ポリエチレングリコールモノヘニ
コサン酸エステル、ポリエチレングリコールモノドコサ
ン酸エステル、ポリエチレングリコールモノトリコサン
酸エステル、ポリエチレングリコールモノテトラコサン
酸エステル、ポリエチレングリコールモノペンタコサン
酸エステル、ポリエチレングリコールモノヘキサコサン
酸エステル、ポリエチレングリコールモノヘプタコサン
酸エステル、ポリエチレングリコールモノオクタコサン
酸エステル、ポリエチレングリコールモノノナコサン酸
エステル、ポリエチレングリコールモノトリアコンタン
酸エステル等のポリエチレングリコールアルキル酸エス
テル類及びそのメチルエーテル、エチルエーテル、プロ
ピルエーテル、トリメトキシシリルエーテル、トリエト
キシシリルエーテル、トリプロポキシシリルエーテル、
トリメトキシシリルメチルエーテル、トリエトキシシリ
ルメチルエーテル、２−トリメトキシシリルエチルエー
テル、２−トリエトキシシリルエチルエーテル、３−ト
リメトキシシリルプロピルエーテル、３−トリエトキシ
シリルプロピルエーテル等のポリエチレングリコールア
ルキル酸エステル誘導体等を挙げることができる。

【００５３】ポリアルキレングリコール誘導体のポリス
チレン換算の重量平均分子量は、好ましくは、３００〜
３００，０００、さらに好ましくは３００〜２００，０
００、特に好ましくは３００〜１００，０００である。

【００５４】ポリスチレン誘導体 本発明に用いられるポリスチレン誘導体としては、例え
ば、ポリスチレン、ポリα−メチルスチレン、ポリヒド
ロキシスチレン、スチレン−（メタ）アクリレート共重
合体等を挙げることができる。

【００５５】ポリエステル 本発明に用いられるポリエステルとしては、例えば、炭
素数２〜１２の脂肪族鎖及びエステル結合を繰り返し単
位中に含む化合物を挙げることができる。具体的には、
ポリカプロラクトン、ポリピバロラクトン、ポリエチレ
ンオキサレート、ポリエチレンマロネート、ポリエチレ
ンスクシネート、ポリエチレングリタレート、ポリエチ
レンアジペート、ポリエチレンピメレート、ポリエチレ
ンスベレート、ポリエチレンアゼラート、ポリエチレン
セバケート、ポリプロピレンオキサレート、ポリプロピ
レンマロネート、ポリプロピレンスクシネート、ポリプ
ロピレングリタレート、ポリプロピレンアジペート、ポ
リプロピレンピメレート、ポリプロピレンスベレート、
ポリプロピレンアゼラート、ポリプロピレンセバケー
ト、ポリブチレンオキサレート、ポリブチレンマロネー
ト、ポリブチレンスクシネート、ポリブチレングリタレ
ート、ポリブチレンアジペート、ポリブチレンピメレー
ト、ポリブチレンスベレート、ポリブチレンアゼラー
ト、ポリブチレンセバケート、ポリオキシジエチレンオ
キサレート、ポリオキシジエチレンマロネート、ポリオ
キシジエチレンスクシネート、ポリオキシジエチレング
リタレート、ポリオキシジエチレンアジペート、ポリオ
キシジエチレンピメレート、ポリオキシジエチレンスベ
レート、ポリオキシジエチレンアゼラート、ポリオキシ
ジエチレンセバケート、等の脂肪族ポリエステル類、及
びそのメチルエーテル、エチルエーテル、プロピルエー
テル、トリメトキシシリルエーテル、トリエトキシシリ
ルエーテル、トリプロポキシシリルエーテル、トリメト
キシシリルメチルエーテル、トリエトキシシリルメチル
エーテル、２−トリメトキシシリルエチルエーテル、２
−トリエトキシシリルエチルエーテル、３−トリメトキ
シシリルプロピルエーテル、３−トリエトキシシリルプ
ロピルエーテル、メチルエステル、エチルエステル、プ
ロピルエステル、トリメトキシシリルエステル、トリエ
トキシシリルエステル、トリプロポキシシリルエステ
ル、トリメトキシシリルメチルエステル、トリエトキシ
シリルメチルエステル、２−トリメトキシシリルエチル
エステル、２−トリエトキシシリルエチルエステル、３
−トリメトキシシリルプロピルエステル、３−トリエト
キシシリルプロピルエステル等の脂肪族ポリエステルア
ルキルエーテル誘導体及び脂肪族ポリエステルアルキル
エステル誘導体等を挙げることができる。

【００５６】ポリエステルのポリスチレン換算の重量平
均分子量は、好ましくは、３００〜３００，０００、さ
らに好ましくは３００〜２００，０００、特に好ましく
は３００〜１００，０００である。

【００５７】ポリカーボネート 本発明に用いられるポリカーボネートとしては、例え
ば、炭素数２〜１２の脂肪族ポリカーボネートを挙げる
ことができる。具体的には、ポリエチレンカーボネー
ト、ポリプロピレンカーボネート、ポリトリメチレンカ
ーボネート、ポリテトラメチレンカーボネート、ポリペ
ンタメチレンカーボネート、ポリヘキサメチレンカーボ
ネート、ポリヘプタメチレンカーボネート、ポリオクタ
メチレンカーボネート、ポリノナメチレンカーボネー
ト、ポリデカメチレンカーボネート、ポリオキシジエチ
レンカーボネート、ポリ−３，６−ジオキシオクタンカ
ーボネート、ポリ−３，６，９−トリオキシウンデカン
カーボネート、ポリオキシジプロピレンカーボネート、
ポリシクロペンタンカーボネート、ポリシクロヘキサン
カーボネート、等の脂肪族ポリカーボネート、及びその
メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、
トリメトキシシリルエステル、トリエトキシシリルエス
テル、トリプロポキシシリルエステル、トリメトキシシ
リルメチルエステル、トリエトキシシリルメチルエステ
ル、２−トリメトキシシリルエチルエステル、２−トリ
エトキシシリルエチルエステル、３−トリメトキシシリ
ルプロピルエステル、３−トリエトキシシリルプロピル
エステル等の脂肪族ポリカーボネートアルキルエステル
誘導体等を挙げることができる。

【００５８】ポリカーボネートのポリスチレン換算の重
量平均分子量は、好ましくは、３００〜３００，００
０、さらに好ましくは３００〜２００，０００、特に好
ましくは３００〜１００，０００である。

【００５９】（メタ）アクリレート共重合体 本発明に用いられる（メタ）アクリレート共重合体とし
ては、例えば、ポリメチル（メタ）アクリレート、トリ
メトキシシリルプロピル（メタ）アクリレート−メチル
（メタ）アクリレート共重合体等を挙げることができ
る。

【００６０】アビエチン酸誘導体 本発明に用いられるアビエチン酸誘導体としては、例え
ば、アビエチン酸、アビエチン酸メチル等を挙げること
ができる。

【００６１】シクロデキストリン誘導体 本発明に用いられるシクロデキストリン誘導体として
は、例えば、α−シクロデキストリン、β−シクロデキ
ストリン、γ−シクロデキストリン、メチルトリメトキ
シシリル変性シクロデキストリン等を挙げることができ
る。

【００６２】化合物（Ｂ）の具体例である上記化合物
は、１種単独で又は２種以上を組合わせて用いることが
できる。

【００６３】（２）５％重量減少温度 化合物（Ｂ）は、ＴＧ／ＤＴＡにより窒素下、昇温速度
１０℃／分の条件で測定した５％重量減少温度が２００
〜４００℃、好ましくは、２００〜３５０℃のものであ
る。２００℃未満であると、マトリックスの架橋の前に
分解が起こり、空孔を形成することができず、４００℃
を超えると、半導体製造プロセスに不都合を来す。

【００６４】（３）配合量 化合物（Ｂ）の配合量は、ジイン含有（共）重合体
（Ａ）の配合量１００重量部に対し、１〜４００重量
部、好ましくは、５〜１００重量部である。すなわち、
重合体（Ａ）及び化合物（Ｂ）の重量比は、（Ａ）：
（Ｂ）＝１：０．０１〜４、好ましくは、１：０．０５
〜１である。１重量部未満であると、誘電率を下げる効
果が小さく、４００重量部を超えると、機械的強度が低
下する。

【００６５】３．溶媒（Ｃ） 本発明の膜形成用組成物において溶媒（Ｃ）は、重合体
（Ａ）及び化合物（Ｂ）を溶解又は分散させるために用
いられる。従って、本発明に用いられる溶媒（Ｃ）は、
重合体（Ａ）及び化合物（Ｂ）を溶解又は分散し得るも
のであれば特に制限はないが、例えば、エーテル系溶
媒、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、アミド系
溶媒及びケトン系溶媒からなる群から選ばれる少なくと
も１種を挙げることができる。これらの溶媒を用いるこ
とにより、塗布性（加工性）が良好で、かつ貯蔵安定性
に優れた組成物を得ることができる。

【００６６】（１）具体例 エーテル系溶媒 エーテル系溶媒としては、例えば、エチルエーテル、イ
ソプロピルエーテル、ｎ−ブチルエーテル、ｎ−ヘキシ
ルエーテル、２−エチルヘキシルエーテル、エチレンオ
キシド、１，２−プロピレンオキシド、ジオキソラン、
４−メチルジオキソラン、ジオキサン、ジメチルジオキ
サン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコール
ジエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチ
ルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエ
ーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エ
チレングリコールモノ−２−エチルブチルエーテル、エ
チレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエ
チルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、
ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、エトキシ
トリグリコール、テトラエチレングリコールジ−ｎ−ブ
チルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピ
レングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリ
コールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチル
エーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、２−メチルテトラ
ヒドロフラン等を挙げることができる。

【００６７】エステル系溶媒 エステル系溶媒としては、例えば、ジエチルカーボネー
ト、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ
−バレロラクトン、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソプロピ
ル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｓｅｃ−ブ
チル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸
３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エ
チルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、
酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸
ｎ−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢
酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリ
コールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコール
モノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−
ｎ−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテ
ル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢
酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジ
プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリ
コール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エ
チル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸イソアミ
ル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸
メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミ
ル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジ
エチル、メトキシメチルプロピオネート、エトキシエチ
ルプロピオネート等を挙げることができる。

【００６８】芳香族炭化水素系溶媒 芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリ
メチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、ｎ−プロピル
ベンセン、イソプロピルベンセン、ジエチルベンゼン、
イソブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−イソプ
ロピルベンセン、ｎ−アミルナフタレン、トリメチルベ
ンゼン等を挙げることができる。

【００６９】アミド系溶媒 アミド系溶媒としては、例えば、Ｎ−メチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル
ホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピ
オンアミド、Ｎ−メチルピロリドン等を挙げることがで
きる。

【００７０】ケトン系溶媒 ケトン系溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチ
ルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、ジエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケ
トン、エチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシ
ルケトン、ジイソブチルケトン、トリメチルノナノン、
シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、２−ヘキ
サノン、２，４−ペンタンジオン、アセトニルアセト
ン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン、フェンチ
ョン等を挙げることができる。

【００７１】溶媒（Ｃ）の具体例である上記化合物は、
は、１種単独で又は２種以上を組合わせて用いることが
できる。

【００７２】（２）配合量 溶媒（Ｃ）の配合量は、重合体（Ａ）の配合量１００重
量部に対して、５０〜１０，０００重量部、好ましく
は、１００〜２，０００重量部である。すなわち、重合
体（Ａ）及び溶媒（Ｃ）の重量比は、（Ａ）：（Ｃ）＝
１：０．５〜１００、好ましくは、１：１〜２０であ
る。５０重量部未満であると、均一に溶解しないことが
あり、１０，０００重量部を超えると、所望の膜厚が得
られないことが ある。

【００７３】４．その他の配合成分 本発明の膜形成用組成物には、さらに、界面活性剤等の
その他の配合成分（Ｄ）を、重合体（Ａ）の配合量１０
０重量部に対して、好ましくは、０．００１〜１０重量
部配合してもよい。

【００７４】界面活性剤としては、例えば、イオン種の
面からは、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性
剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤等を挙げる
ことができ、また、化学種の面からは、シリコーン系界
面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、含フ
ッ素界面活性剤等を挙げることができる。

【００７５】ＩＩ．膜の形成方法 本発明の膜の形成方法は、前述の膜形成用組成物を基板
上に塗布し、化合物（Ｂ）の熱分解温度未満の温度で加
熱して重合体（Ａ）を一部硬化させ、次いで、化合物
（Ｂ）の熱分解温度以上の温度で加熱して成膜すること
を特徴とする。上記形成方法は、２００〜６００℃の加
熱温度、かつ真空又は不活性ガスの雰囲気下で成膜する
ことが好ましい。

【００７６】１．基板上への塗布 上述の膜形成用組成物を用いて膜を形成するには、まず
その組成物を基板に塗布する。組成物を塗布することが
できる基板としては、例えば、半導体、ガラス、セラミ
ックス、金属等を挙げることができる。上述の組成物
は、上記基板の中でも、シリコンウエハ、ＳｉＯ₂ ウエ
ハ、ＳｉＮウエハ等の半導体チップ上に塗布して、絶縁
膜とすることに適している。また、塗布方法としては、
例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレー
ド法等を挙げることができる。

【００７７】２．加熱方法 加熱方法としては、例えば、ホットプレート、オーブ
ン、ファーネス等によるものを挙げることができる。ま
た、加熱雰囲気としては、例えば、窒素雰囲気、アルゴ
ン雰囲気、真空下、酸素濃度をコントロールした減圧下
等を挙げることができる。この加熱方法としては、形成
した塗膜を、化合物（Ｂ）の熱分解温度未満の温度で加
熱し、重合体（Ａ）を一部硬化させ、次いで、化合物
（Ｂ）の熱分解温度以上の温度から最終硬化温度まで加
熱し、低密度の硬化物とする方法が好ましい。すなわ
ち、重合体（Ａ）を一部硬化させてマトリックスの流動
性を十分下げた状態で化合物（Ｂ）を分解させることに
よって、分解によって形成された空孔の形状を保持した
まま膜を形成することができる。

【００７８】化合物（Ｂ）の熱分解温度は、通常、２０
０〜４００℃、より多くは２００〜３５０℃の範囲にあ
るので、塗膜は最終的にはこの温度以上、すなわち、２
００〜６００℃で加熱することが好ましく、また、減圧
（真空）状態又は不活性ガス下で加熱することが好まし
い。

【００７９】ＩＩＩ．膜 本発明の膜は、前述の形成方法で形成することができ
る。この膜は、多孔質であるため低密度で、低誘電性の
ものとなる。すなわち、本発明の膜（以下、「低密度化
膜」ということがある）は、その膜密度が、好ましく
は、０．３５〜１．２ｇ／ｃｍ³ 、さらに好ましくは
０．４〜１．１ｇ／ｃｍ³ 、特に好ましくは０．５〜
１．０ｇ／ｃｍ³ の範囲にあるものである。０．３５
ｇ／ｃｍ³ 未満であると、塗膜の機械的強度が低下する
ことがあり、１．２ｇ／ｃｍ³ を超えると、低誘電性と
することができないことがある。この膜密度の調整は、
本発明における膜形成用組成物中の化合物（Ｂ）の含有
量により、容易に行うことができる。

【００８０】本発明の低密度化膜の誘電率は、低誘電率
であり、好ましくは、２．６〜１．２、さらに好ましく
は２．５〜１．２、特に好ましくは２．４〜１．２であ
る。この誘電率の調整は、膜形成用組成物中の化合物
（Ｂ）の含有量により容易に行うことができる。

【００８１】本発明の低密度化膜は、絶縁性はもとよ
り、耐熱性、低誘電性及び機械的強度に優れることか
ら、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、
ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭ等の半導体素子用層間絶縁
膜、半導体素子の表面コート膜等の保護膜、多層配線基
板の層間絶縁膜、液晶表示素子用の保護膜、絶縁防止
膜、ガス分離膜等の用途に有用である。

【００８２】

【実施例】以下、本発明を実施例によって、さらに具体
的に説明するが、本発明は、これらの実施例によって何
等制限を受けるものではない。なお、実施例中、％及び
部は、特に断らない限り重量基準である。また、実施例
中の各種の測定項目は、下記のようにして測定した。

【００８３】（１）重量平均分子量 ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）測
定により、ポリスチレン換算で求めた。 （２）比誘電率 ８インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて
組成物試料を塗布し、ホットプレート上で８０℃で５分
間、さらに３２５℃又は３５０℃で５分間基板を焼成し
た。得られた基板上に上部電極としてアルミニウムを蒸
着し、誘電率評価用基板を作製した。誘電率は、横川・
ヒューレットパッカード社製のＨＰ１６４５１Ｂ電極及
びＨＰ４２８４ＡプレシジョンＬＣＲメーター用いて１
００ｋＨｚにおける静電容量値を測定し、下記式から、
比誘電率を求めた。 ε＝Ｃ・ｄ／ε₀ ・Ｓ ここで、εは比誘電率、Ｃは静電容量、ε₀は真空中の
誘電率、Ｓは上部電極面積をそれぞれ示す。 （３）耐熱性 ＴＧ／ＤＴＡにより、４２５℃、窒素雰囲気下で、２時
間保持した後の重量減少量（重量％）を測定した。 （４）弾性率（ＧＰａ） 得られた膜をナノデンターＸＰ（ナノインスツルメント
社製）を用いて、連続剛性測定法により測定した。

【００８４】合成例１ 温度計、アルゴンガス導入管、攪拌装置を備えた１００
０ｍｌ三口フラスコにジエチルアミン１５０ｍｌ（１．
４５モル）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）
パラジウム２．１ｇ（３ミリモル）、ヨウ化銅０．２８
６ｇ（１．５０ミリモル）、１，２−ジクロロエタン３
５０ｍｌ、１，２−ジヨードベンゼン９９ｇを加えた。
次に１，４−ジエチニルベンゼン１８．９ｇ（１５０ミ
リモル）、１，３−ジエチニルベンゼン２６．５ｇ（２
１０ミリモル）を加え５０℃で２０時間反応させた後、
エチニルベンゼン ｇを加えさらに６時間反応させた。
この反応液を酢酸５ｌで再沈殿を２回繰り返した後、ク
ロロホルムに溶かし水で２回洗浄し、シクロヘキサン５
ｌで再沈殿し、沈殿を濾過、乾燥により、重量平均分子
量３６００の褐色粉末（重合体Ａ１）を得た。

【００８５】合成例２ 合成例１において、１，４−ジエチニルベンゼンの代わ
りに４，４’−ジエチニルジフェニルエーテル３２．７
ｇ（１５０ミリモル）を用いたこと以外は合成例１と同
様の方法で行い、重合体Ａ２を得た。

【００８６】合成例３ 温度計、アルゴンガス導入管、攪拌装置を備えた１００
０ｍｌ三口フラスコにテトラキス（トリフェニルホスフ
ェン）パラジウム（０）５０ｇ（４３．３ミリモル）、
ヨウ化銅１６．５ｇ（８６．５ミリモル）、ｎ−ブチル
アミン２９０．０ｇ（３．９６モル）、ｃｉｓ−１，２
−ジクロロエチレン８３．８ｇ（０．８６４モル）を加
えた。次に、１，４−ジエチニルベンゼン１０９．０ｇ
（００．８６５モル）をベンゼン８７０ｍｌに溶かし、
シリンジにて加え室温で６時間反応させ濃赤色の反応液
を得た。この反応液を酢酸５ｌで再沈殿を２回繰り返し
た後、クロロホルムに溶かし水で２回洗浄し、シクロヘ
キサン５ｌで再沈殿し、沈殿を濾過、乾燥により重量平
均分子量５０００の褐色粉末（重合体Ａ３）を得た。

【００８７】合成例４ 合成例１と同様な反応装置にジクロロビス（トリフェニ
ルホスフィン）パラジウム２．１１ｇ（３ミリモル）と
ヨウ化銅１．１４ｇ（６ミリモル）を加え、系内をアル
ゴン置換した。アルゴン雰囲気下でｏ−ジヨードベンゼ
ン９９ｇ（３００ミリモル）とアルゴンのバブリングで
脱酸素したピペリジン１５０ｍｌ（１．５２モル）とＴ
ＨＦ３５０ｍｌを加え、反応系を１０℃まで冷却した。
系を攪拌しながら、さらにＴＨＦ１００ｍｌに溶解させ
た１，３−ジエチニルベンゼン１８．９ｇ（１５０ミリ
モル）と１，４−ジエチニルベンゼン１８．９ｇ（１５
０ミリモル）を加え、反応系を室温まで加温した。ピペ
リジニウムヨーダイドの沈殿が生じ始めたが、さらに２
０時間攪拌し、反応を継続した。重合反応後、反応混合
物溶液を３リットルの酢酸に注ぎ、生成重合体を析出さ
せ、濾集により重合体を回収分離した。得られた重合体
をクロロホルムに再溶解し、水で３回洗浄した。次い
で、洗浄重合体溶液を大過剰のメタノールに注ぎ、凝固
析出させた。濾集、真空乾燥によって黄橙色、重量平均
分子量が３８０００の重合体（Ａ４）を得た。

【００８８】実施例１ 合成例１で得られた重合体Ａ１を１００部、ポリスチレ
ン（重量平均分子量４０００）４３部、シリコン系界面
活性剤０．０２部、シクロヘキサノン４００部からなる
塗布液を調製した。この塗布液をスピンコートし８０℃
〜２００℃までオーブン中窒素下で３０分かけて焼成
し、４２５℃１時間真空中で焼成した。得られた塗膜の
物性を表１に示す。

【００８９】実施例２〜４，比較例１ 表１に示す組成で塗布液を調製したこと以外は実施例１
と同様に行った。得られた塗膜の物性を表１に示す。

【００９０】実施例５ 合成例４で得られた重合体Ａ４を１００部、ポリスチレ
ン（重量平均分子量１５００）４３部、シリコン系界面
活性剤０．０２部、シクロヘキサノン６００部からなる
塗布液を調製した。実施例１と同様に塗布、８０℃〜２
００℃まで、オーブン中窒素下で３０分かけて硬化焼成
し、さらに４２５℃で３０分窒素下で硬化焼成を完結さ
せた。得られた塗膜の物性は、表１に示すように耐熱性
０．３％、比誘電率２．４、弾性率３．８ＧＰａであっ
た。

【００９１】

【表１】

【００９２】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明によっ
て、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、
ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭ等の半導体素子用低誘電性
層間絶縁膜；半導体素子の表面コート膜等の保護膜；多
層配線基板の低誘電性層間絶縁膜；液晶表示素子用の保
護膜、絶縁防止膜、ガス分離膜等の原材料として好適
な、加工性に優れるとともに、耐熱性、低誘電性、及び
機械的強度に優れた塗膜を形成し得る膜形成用組成物、
膜の形成方法、及び膜を提供することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 昌之 東京都中央区築地二丁目11番24号ジェイエ スアール株式会社内 (72)発明者 後藤 幸平 東京都中央区築地二丁目11番24号ジェイエ スアール株式会社内 Ｆターム(参考） 4J032 CA02 CA03 CA04 CB04 CB12 4J038 BA192 CD022 CG142 CG172 CK032 CR071 DA062 DA162 DB002 DD002 DE002 DF012 DH002 GA01 KA06 MA07 MA12 MA14 NA11 NA14 NA17 NA21 NA23 PA15 PA19 PB09 PC03 5F058 AA10 AC10 AF04 AG01 AH01 AH02

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（Ａ）下記式（１）に示す繰り返し単位を
   １０モル％以上含む重合体、（Ｂ）ＴＧ／ＤＴＡにより
   窒素下、昇温速度１０℃／分の条件で測定した５％重量
   減少温度が２００〜４００℃の有機化合物、及び（Ｃ）
   有機溶媒を含有してなることを特徴とする膜形成用組成
   物。 【化１】 ［式（１）中、Ｙは、下記式（２）又は下記式（３）に
   示す２価の有機基を示し、Ａｒは、２価の芳香族基を示
   す。］ 【化２】 ［式（２）中、Ｒ¹〜Ｒ²は、同一でも異なっていてもよ
   く、シス（ｃｉｓ）位置にあり、水素原子、アルキル
   基、アリール基を示す。］ 【化３】 ［式（３）中、Ｒ³〜Ｒ⁶は、同一でも異なっていてもよ
   く、水素原子、フッ素原子、アルキル基、ハロゲン化ア
   ルキル基、アリール基を示す。］
2. 【請求項２】前記（Ｂ）有機化合物が、ポリアルキレン
   グリコール誘導体、ポリスチレン誘導体、エポキシ誘導
   体、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル、ポ
   リカーボネート、（メタ）アクリレート共重合体、ビニ
   ルピロリドン共重合体、アクリルアミド共重合体、脂肪
   族ポリアミド、アビエチン酸誘導体、コレステロール誘
   導体及びシクロデキストリン誘導体からなる群から選ば
   れる少なくとも１種である請求項１に記載の膜形成用組
   成物。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載の膜形成用組成物
   を基板上に塗布し、前記（Ｂ）有機化合物の熱分解温度
   未満の温度で加熱して前記ジイン含有（共）重合体
   （Ａ）を一部硬化させ、次いで、前記化合物（Ｂ）の熱
   分解温度以上の温度で加熱して成膜することを特徴とす
   る膜の形成方法。
4. 【請求項４】真空又は不活性ガスの雰囲気下で成膜する
   請求項３に記載の膜の形成方法。
5. 【請求項５】請求項３又は４に記載の膜の形成方法によ
   って形成してなる膜。
6. 【請求項６】絶縁膜であることを特徴とする請求項５に
   記載の膜。