JP3858426B2 - ポリマー組成物 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、フェニレン基含有(共)重合体と、金属アルコキシドの加水分解物および/またはその部分縮合物とを含有し、密着性、耐熱性、低誘電性、耐溶剤性などに優れた新規なポリマー組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
大規模集積回路(LSI)は、微細加工技術の進歩を反映して、高集積化、多機能化、高性能化をたどっている。その結果、回路抵抗や配線間のコンデンサー容量(以下、それぞれ、「寄生抵抗」、「寄生容量」ともいう)が増大して、消費電力が増加するだけでなく、遅延時間も増大して、デバイスの信号スピードが低下する大きな要因となっている。
そのため、寄生抵抗や寄生容量を下げることが求められており、その解決策の一つとして、配線の周辺を層間絶縁膜で被うことにより、寄生容量を下げてデバイスの高速化に対応しようとしている。しかしながら、層間絶縁膜には、実装基板製造時の薄膜形成工程やチップ接続、ピン付けなどの後工程に耐えられる優れた耐熱性を有することが必要である。
【0003】
この高耐熱性の有機材料として、ポリイミドが広く知られているが、極性の高いイミド基を含むため、低誘電性、低吸水性の面では、満足なものは得られていない。一方、極性基を含まない高耐熱性の有機材料としては、ポリフェニレンが知られている。このポリフェニレンに、可溶性を付与するために、一般に側鎖を導入することが行われているが、側鎖を導入することにより、耐熱性が低下したり、原料の製造が煩雑になるなどの問題があるうえ、耐溶剤性や密着性の改善も充分ではない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、従来技術における上記課題を背景になされたもので、密着性、耐熱性、低誘電性、耐溶剤性などに優れたポリマー組成物を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、(A)下記一般式(I)で表される繰り返し構造単位を有するフェニレン基含有(共)重合体、ならびに(B)金属アルコキシドの加水分解物および/またはその部分縮合物を含有するポリマー組成物を提供するものである。
【0006】
【化2】
【0007】
〔式中、nで括られる括弧内の繰り返し構造単位のうち、Xは−CYY′−(ここで、Y〜Y′は同一または異なり、水素原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基およびアリール基の群から選ばれた少なくとも1種の基を示す)、またはフルオレニレン基を示し、R1 〜R8 は同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子または1価の有機基である。また、mで括られる括弧内の繰り返し構造単位のうち、R9 〜R12は同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子または1価の有機基であって、R9 〜R12の少なくとも1つは金属アルコキシドと反応可能な基であって、かつ当該繰り返し構造単位は、3,6−ジクロロフタル酸無水物、3,5−ジクロロ安息香酸メチル、または3,5−ジクロロ−t−ブトキシカルボニロキシベンゼンから誘導された繰り返し構造単位である。さらに、nとmのモル比は0〜100/100〜0である。〕
また、本発明は、上記ポリマー組成物を硬化してなる硬化物を提供するものである。
【0008】
【発明の実施の形態】
本発明のポリマー組成物に用いられる上記(A)フェニレン基含有(共)重合体は、上記一般式(I)で表される主鎖にフェニレン基を有する繰り返し構造単位を有する。
ここで、上記一般式(I)で表される繰り返し構造単位中のXは、−CYY′−(ここで、Y〜Y′は同一または異なり、水素原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基およびアリール基の群から選ばれた少なくとも1種の基を示す)、またはフルオレニレン基である。
本発明に用いられるフェニレン基含有(共)重合体を構成する上記一般式(I)中、nで括られる括弧内の繰り返し構造単位の−CYY′−のY〜Y′のうち、アルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基などが、ハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロイソプロピル基などが、またアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、トリル基、ペンタフルオロフェニル基、好ましくはフェニル基などが挙げられる。
【0009】
また、上記一般式(I)中、nで括られる括弧内の繰り返し構造単位中のR1 〜R8 は、同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子、または1価の有機基(好ましくは、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリル基およびアリール基の群から選ばれた少なくとも1種の1価の有機基)である。
ここで、上記一般式(I)中のR1 〜R8 のうち、ハロゲン原子としては、フッ素原子などが、アルキル基としては、メチル基、エチル基などが、ハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、好ましくはトリフルオロメチル基などが、アリル基としては、プロペニル基などが、アリール基としては、フェニル基などが挙げられる。
さらに、上記一般式(I)中、mで括られる括弧内の繰り返し構造単位中のR9 〜R12は、同一または異なり、水素原子、ハロゲン原子または1価の有機基である。R9 〜R12の少なくとも1つは、金属アルコキシドと反応可能な基である。この金属アルコキシドと反応可能な基としては、好ましくは水酸基、カルボキシル基、アルコキシシリル基が挙げられるが、隣接する2つの置換基がカルボキシル基である場合、2つのカルボキシル基が脱水閉環した構造であってもよい。金属アルコキシドと反応可能な基は、保護基により保護された前駆体であってもよく、この前駆体は、重合後に金属アルコキシドと反応可能な基に戻すことができる。水酸基または反応性有機基を保護する方法としては、ヒドロキシアルキル基、水酸基に対してはカルボン酸誘導体でエステル化する方法や、二炭酸ジ−t−ブチルなどによりカーボネート化する方法などが挙げられ、カルボキシル基に対しては、アルコールやイソブテンなどによりエステル化する方法が挙げられる。
また、上記ハロゲン原子としてはフッ素原子、またこれらの有機基としては、メチル基、エチル基、プロピル基などのアルキル基、トリフルオロメチル基、ヘキサフルオロエチル基などのハロゲン化アルキル基、フェニル基などのアリール基、カルボキシル基、トリフルオロメトキシ基などのアルコキシシリル基などが挙げられる。
上記一般式(1)中、以上のmで括られる括弧内の繰り返し構造単位は、3,6−ジクロロフタル酸無水物、3,5−ジクロロ安息香酸メチル、または3,5−ジクロロ−t−ブトキシカルボニロキシベンゼンから誘導された繰り返し構造単位である。
【0010】
上記一般式(I)中のnとmのモル比は、0〜100/100〜0、好ましくは5〜95/95〜5、さらに好ましくは50〜90/50〜10である。すなわち、本発明のポリマー組成物に用いられる(A)フェニレン基含有(共)重合体は、繰り返し構造単位中、左辺(n側)が100モル%でも、右辺(m側)が100モル%でも、あるいはこれらの共重合体であってもよい。
【0011】
本発明のポリマー組成物に用いられる(A)フェニレン基含有(共)重合体のポリスチレン換算重量平均分子量は、1,000〜1,000,000、好ましくは1,500〜200,000である。1,000未満では、塗膜性が不充分であり、一方、1,000,000を超えると、溶解性が不充分となる。
【0012】
本発明に用いられるフェニレン基含有(共)重合体は、下記一般式(I)′で表されるフェニレン基含有化合物、および/または、下記一般式(II) ′で表される共重合可能な他の化合物の少なくとも1種を、遷移金属化合物触媒を含む触媒系の存在下に、重合溶媒中で(共)重合することにより製造される。
【0013】
【化3】
【0014】
〔式中、XおよびR 1 〜R 8 は上記一般式(I)と同様であり、R13〜R14は同一または異なり、ハロゲン原子、または−OSO2 Z(ここで、Zはアルキル基、ハロゲン化アルキル基もしくはアリール基を示す)で表される基である。〕
ここで、上記R13〜R14のハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。また、一般式(I)′中、−OSO2 Z中のZを構成する、アルキル基としてはメチル基、エチル基などが、ハロゲン化アルキル基としてはトリフルオロメチル基などが、アリール基としてはフェニル基、p−トリル基、p−フルオロフェニル基などが挙げられる。
【0015】
上記一般式(I)′で表されるフェニレン基含有化合物の具体例としては、2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)メタン、ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−フェニルフェニル)フルオレン、ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)ジフェニルメタン、9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)フルオレン、ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)メタン、ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)メタン、ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン、ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)メタン、ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)トリフルオロメチルフェニルメタン、ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)フェニルメタンなどが挙げられる。
【0016】
一般式(I)′で表されるフェニレン基含有化合物の具体例としては、2,2−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)メタン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、2,2−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、9,9−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−フェニルフェニル)フルオレン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)ジフェニルメタン、9,9−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)フルオレン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)メタン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)メタン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)メタン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)トリフルオロメチルフェニルメタン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)などが挙げられる。
【0017】
上記一般式(I)′で表されるフェニレン基含有化合物の具体例としては、2,2−ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)メタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、2,2−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−フェニルフェニル)フルオレン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)ジフェニルメタン、9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)フルオレン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)メタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)メタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)メタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)トリフルオロメチルフェニルメタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)フェニルメタンなどが挙げられる。
【0018】
上記一般式(I)′で表されるフェニレン基含有化合物の具体例としては、2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニル)メタン、ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−フェニルフェニル)フルオレン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)ジフェニルメタン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)ジフェニルメタン、9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)フルオレン、9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)フルオレン、ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニル)メタン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)メタン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)メタン、ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニル)トリフルオロメチルフェニルメタン、ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニル)フェニルメタンなどが挙げられる。
【0019】
本発明において、上記一般式(I)′で表されるフェニレン基含有化合物の少なくとも2種を共重合することもできる。この場合、その好ましい組み合わせとしては、2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン/9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)フルオレン、2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン/ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルプロパン、9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)フルオレン/ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルプロパン、2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)プロパン/2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)プロパン/2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン/2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)プロパンなどが挙げられる。
【0020】
一方、上記共重合可能な他の化合物としては、下記一般式(II) ′で表される化合物の少なくとも1種が好ましい。
【0021】
【化4】
【0022】
〔式中、R9 〜R12は同一または異なり、一般式(I)のR9 〜R12と同様であり、R13〜R14は同一または異なり、一般式(I)′のR13〜R14と同様であり、m′は1または2である。〕
【0023】
ここで、上記一般式(II) ′で表される共重合可能な他の化合物の具体例は、3,6−ジクロロフタル酸無水物、3,5−ジクロロ安息香酸メチル、または3,5−ジクロロ−t−ブトキシカルボニロキシベンゼンである。
【0024】
本発明に用いられるフェニレン基含有(共)重合体を製造する際に使用される触媒は、遷移金属化合物を含む触媒系であり、この触媒系としては、(1)遷移金属塩および配位子または配位子が配位された遷移金属(塩)、ならびに(2)還元剤を必須成分とし、さらに、重合速度を上げるために、「塩」を添加してもよい。
ここで、遷移金属塩としては、塩化ニッケル、臭化ニッケル、ヨウ化ニッケル、ニッケルアセチルアセトナートなどのニッケル化合物、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウムなどのパラジウム化合物、塩化鉄、臭化鉄、ヨウ化鉄などの鉄化合物、塩化コバルト、臭化コバルト、ヨウ化コバルトなどのコバルト化合物などが挙げられる。これらのうち特に、塩化ニッケル、臭化ニッケルなどが好ましい。また、配位子としては、トリフェニルホスフィン、2,2′−ビピリジン、1,5−シクロオクタジエン、1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパンなどが挙げられるが、トリフェニルホスフィン、2,2′−ビピリジンが好ましい。上記配位子は、1種単独で、あるいは2種以上を併用することができる。
【0025】
さらに、あらかじめ配位子が配位された遷移金属(塩)としては、例えば、塩化ニッケル2トリフェニルホスフィン、臭化ニッケル2トリフェニルホスフィン、ヨウ化ニッケル2トリフェニルホスフィン、硝酸ニッケル2−トリフェニルホスフィン、塩化ニッケル2,2′ビピリジン、臭化ニッケル2,2′ビピリジン、ヨウ化ニッケル2,2′ビピリジン、硝酸ニッケル2,2′ビピリジン、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル、テトラキス(トリフェニルホスフィン)ニッケル、テトラキス(トリフェニルホスファイト)ニッケル、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムなどが挙げられるが、塩化ニッケル2トリフェニルホスフィン、塩化ニッケル2,2′ビピリジンが好ましい。
【0026】
本発明の触媒系において使用することができる上記還元剤としては、例えば、鉄、亜鉛、マンガン、アルミニウム、マグネシウム、ナトリウム、カルシウムなどを挙げることできるが、亜鉛、マンガンが好ましい。これらの還元剤は、酸や有機酸に接触させることにより、より活性化して用いることができる。
また、本発明の触媒系において使用することのできる「塩」としては、フッ化ナトリウム、塩化ナトリウム、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、硫酸ナトリウムなどのナトリウム化合物、フッ化カリウム、塩化カリウム、臭化カリウム、ヨウ化カリウム、硫酸カリウムなどのカリウム化合物、フッ化テトラエチルアンモニウム、塩化テトラエチルアンモニウム、臭化テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テトラエチルアンモニウム、硫酸テトラエチルアンモニウムなどのアンモニウム化合物などが挙げられるが、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、臭化カリウム、臭化テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テトラエチルアンモニウムが好ましい。
【0027】
触媒系における各成分の使用割合は、遷移金属塩または配位子が配位された遷移金属(塩)が、上記一般式(I)′で表される化合物および一般式(II) ′で表される共重合可能な他の化合物の少なくとも1種の合計量1モルに対し、通常、0.0001〜10モル、好ましくは0.01〜0.5モルである。0.0001モル未満では、重合反応が充分に進行せず、一方、10モルを超えると、分子量が低下するという問題がある。
触媒系において、遷移金属塩および配位子を用いる場合、この配位子の使用割合は、遷移金属塩1モルに対し、通常、0.1〜100モル、好ましくは1〜10モルである。0.1モル未満では、触媒活性が不充分となり、一方、100モルを超えると、分子量が低下するという問題がある。また、触媒系における還元剤の使用割合は、上記一般式(I)′で表される化合物および一般式(II) ′で表される共重合可能な他の化合物の少なくとも1種の合計量1モルに対し、通常、0.1〜100モル、好ましくは1〜10モルである。0.1モル未満では、重合が充分進行せず、一方、100モルを超えると、得られる重合体の精製が困難になるという問題がある。
さらに、触媒系に「塩」を使用する場合、その使用割合は、上記一般式(I)′で表される化合物および一般式(II) ′で表される共重合可能な他の化合物の少なくとも1種の合計量1モルに対し、通常、0.001〜100モル、好ましくは0.01〜1モルである。0.001モル未満では、重合速度を上げる効果が不充分であり、一方、100モルを超えると、得られる重合体の精製が困難となるという問題がある。
【0028】
本発明で使用することのできる重合溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、γ−ブチロラクタムなどが挙げられ、テトラヒドロフラン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1−メチル−2−ピロリドンが好ましい。これらの重合溶媒は、充分に乾燥してから用いることが好ましい。
重合溶媒中における上記一般式(I)′で表される化合物および一般式(II)′で表される共重合可能な他の化合物の少なくとも1種の濃度は、通常、1〜100重量%、好ましくは5〜40重量%である。
また、本発明に用いられるフェニレン基含有(共)重合体を(共)重合する際の重合温度は、通常、0〜200℃、好ましくは50〜80℃である。また、重合時間は、通常、0.5〜100時間、好ましくは1〜40時間である。
【0029】
上記一般式(I)′で表されるフェニレン基含有化合物の少なくとも1種、および上記一般式(II) ′で表される共重合可能な他の化合物(3,6−ジクロロフタル酸無水物、3,5−ジクロロ安息香酸メチル、または3,5−ジクロロ−t−ブトキシカルボニロキシベンゼン)の少なくとも1種を用いて、フェニレン基含有(共)重合体を得る際のモデル反応式の一例は、下記のとおりである。ただし、以下の反応式では、一般式(I)′で表されるフェニレン基含有化合物と一般式(II) ′で表される共重合可能な他の化合物を、それぞれ、1種類用いた場合を示している。また、このモデル反応式において、m、nは繰り返し単位数を示す。
なお、本発明に用いられるフェニレン基含有(共)重合体は、共重合体である場合、ランダム共重合体であっても、またブロック共重合体であってもよい。ここで、ランダム共重合体を得るには、上記一般式(I)′で表されるフェニレン基含有化合物および(II) ′これと共重合可能な他の化合物を、重合開始時、直前または直後から重合系に存在させる方法が挙げられる。
また、ブロック共重合体を得るには、各種の一般式(I)′で表されるフェニレン基含有化合物、(II) ′これと共重合可能な他の化合物を、それぞれ、あらかじめ遷移金属化合物を含む触媒系の存在下で、重合させたのち、反応液を混合し、重合させる方法、あるいは、1回、反応液を精製し、再び、遷移金属化合物を含む触媒系の存在下に重合する方法、また、上記一般式(I)′で表されるフェニレン基含有化合物、(II) ′これと共重合可能な他の化合物のいずれか1種を、あらかじめ遷移金属化合物含む触媒系の存在下で、あらかじめ重合し、途中から他の共重合成分を添加して重合する方法などが挙げられる。
【0030】
【化5】
【0031】
本発明に用いられる(A)フェニレン基含有(共)重合体の構造は、例えば、赤外線吸収スペクトルによって、900〜675cm-1、1,300〜1,000cm-1、1,500〜1,400cm-1、3,100〜3,000cm-1の吸収により確認でき、これらの組成比は、元素分析により知ることができる。また、核磁気共鳴スペクトルにより、6.0〜8.5ppmのピークから、その構造を確認することができる。
【0032】
次に、本発明のポリマー組成物に用いられる(B)成分は、金属アルコキシドの加水分解物および/またはその部分縮合物である。
上記金属アルコキシドとしては、下記一般式(III) で表される加水分解性オルガノ金属化合物が挙げられる。
Rs M(OR′)4-s ・・・(III)
〔一般式(III) において、Rは炭素数1〜8の有機基、R′は炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜4のアシル基を示し、sは0〜2の整数、Mはケイ素、チタン、ジルコニウムまたはアルミニウムである。〕
【0033】
一般式(III) において、Rの炭素数1〜8の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基などの直鎖あるいは分岐鎖のアルキル基のほか、3−クロロプロピル基、3−ブロモプロピル基、3,3,3−トリフロロプロピル基、3−グリシドキシプロピル基、3−(メタ)アクリルオキシプロピル基、3−メルカプトプロピル基、3−アミノプロピル基、3−ジメチルアミノプロピル基、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基、ビニル基、フェニル基などを挙げることができる。一般式(III) において、Rが2個存在するとき、各Rは相互に同一でも異なってもよい。
また、R′の炭素数1〜5のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基などの直鎖あるいは分岐鎖の基を挙げることができ、炭素数1〜4のアシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基などを挙げることができる。一般式(III) において、R′が2〜4個存在するとき、各R′は相互に同一でも異なってもよい。
【0034】
このような金属アルコキシドの具体例としては、Mがケイ素原子である場合を例にとると、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、テトラ−i−プロポキシシラン、テトラ−n−ブトキシシラン、テトラ−i−ブトキシシランなどのテトラアルコキシシラン類;メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラン、i−プロピルトリメトキシシラン、i−プロピルトリエトキシシラン、n−ブチルトリメトキシシラン、i−ブチルトリメトキシシランなどのアルキルトリアルコキシシラン類;3−クロロプロピルトリメトキシシラン、3−クロロプロピルトリエトキシシラン、3,3,3−トリフロロプロピルトリメトキシシラン、3,3,3−トリフロロプロピルトリエトキシシランなどのハロアルキルトリアルコキシシラン類;3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどのグリシドキシアルキルトリアルコキシシラン類;3−(メタ)アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−(メタ)アクリルオキシプロピルトリエトキシシランなどの(メタ)アクリルオキシアルキルトリアルコキシシラン類;3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシランなどのメルカプトアルキルトリアルコキシシラン類;3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシランなどのアミノアルキルトリアルコキシシラン類;ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランなどのビニルトリアルコキシシラン類;フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシランなどのフェニルトリアルコキシシラン類;3,4−エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、3,4−エポキシシクロヘキシルエチルトリエトキシシランなどの3,4−エポキシシクロヘキシルアルキルトリアルコキシシラン類;ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジ−n−プロピルジメトキシシラン、ジ−n−プロピルジエトキシシラン、ジ−i−プロピルジメトキシシラン、ジ−i−プロピルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどのジアルコキシシラン類;テトラアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、エチルトリアセトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、ジエチルジアセトキシシランなどのアシルオキシシラン類などを挙げることができる。これらの金属アルコキシドのうち、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシランなどが好ましい。
また、金属アルコキシドのうち、Mがチタン、ジルコニウムあるいはアルミニウムなどの場合も、上記シラン化合物のうち、Mがこれらの金属と対応した化合物が挙げられる。
以上の金属アルコキシドは、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
【0035】
本発明のポリマー組成物において、(B)成分は、上記金属アルコキシドをあらかじめ加水分解・部分縮合させて使用するが、通常、(A)成分と金属アルコキシドとを配合する際に、適量の水を添加することにより、組成物の調製時に、金属アルコキシドを加水分解・部分縮合させて、(B)成分とする。金属アルコキシドを加水分解・部分縮合させる際の水の添加量は、金属アルコキシド中のアルコキシ金属基(例えば、アルコキシシリル基)および/またはアシルオキシ金属基(例えば、アシルオキシシリル基)1当量あたり、通常、0.3〜1モル、好ましくは0.3〜0.8モル程度である。
(B)成分のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により求めたポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は、好ましくは2,000〜100,000である。
【0036】
本発明のポリマー組成物において、上記(A)成分と(B)成分の配合割合は、(A)成分100重量部に対し、(B)成分が金属アルコキシド換算で、1〜100重量部、好ましくは5〜95重量部である。(B)成分が1重量部未満では、充分な耐溶剤性、密着性が得られにくい。
【0037】
なお、本発明の上記(A)成分および(B)成分を含有するポリマー組成物には、さらに、(C)ジルコニウム、チタンおよびアルミニウムの群から選ばれた少なくとも1種の金属のキレート化合物および/またはアルコキシド化合物(以下「(C)化合物」ともいう)を配合してもよい。
本発明における(C)化合物は、(A)成分と(B)成分との間の縮合反応を促進し、両成分の共縮合物の形成を促進する作用をなすものと考えられる。このような(C)成分としては、例えば、下記一般式
Zr(OR15) r (R16COCHCOR17)4-r、
Ti(OR15) s (R16COCHCOR17)4-sまたは
Al(OR15) t R16COCHCOR17)3-t
で表される化合物、あるいはこれらの化合物の部分加水分解物を挙げることができる。
【0038】
上記各式において、R15およびR16は、相互に同一でも異なってもよく、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基などの直鎖もしくは分岐鎖の炭素数1〜6のアルキル基を示し、R17は、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基などの直鎖または分岐鎖の炭素数1〜5のアルキル基、またはメトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、i−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基、ラウリルオキシ基、ステアリルオキシ基などの直鎖または分岐鎖の炭素数1〜16のアルコキシル基を示す。上記各式中にR15、R16あるいはR17が2個以上存在するとき、それぞれの基は相互に同一でも異なってもよい。また、rおよびsは0〜3の整数、tは0〜2の整数である。
【0039】
(C)成分の具体例としては、トリ−n−ブトキシ・エチルアセトアセテートジルコニウム、ジ−n−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、n−ブトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、テトラキス(n−プロピルアセトアセテート)ジルコニウム、テトラキス(アセチルアセトアセテート)ジルコニウム、テトラキス(エチルアセトアセテート)ジルコニウムなどのジルコニウムキレート化合物;ジ−i−プロポキシ・ビス(エチルアセトアセテート)チタン、ジ−i−プロポキシ・ビス(アセチルアセテート)チタン、ジ−i−プロポキシ・ビス(アセチルアセテート)チタン、トリ−n−ブトキシ・エチルアセトアセテートチタン、トリ−i−プロポキシ・エチルアセトアセテートチタン、トリ−n−ブトキシ・アセトアセテートチタン、トリ−i−プロポキシ・アセトアセテートチタン、ジ−n−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)チタン、ジ−n−ブトキシ・ビス(アセトアセテート)チタン、n−ブトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)チタン、n−ブトキシ・トリス(アセトアセテート)チタン、テトラキス(エチルアセトアセテート)チタン、テトラキス(アセトアセテート)チタンなどのチタンキレート化合物;ジ−i−プロポキシ・エチルアセトアセテートアルミニウム、ジ−i−プロポキシ・アセチルアセテートアルミニウム、i−プロポキシ・ビス(エチルアセトアセテート)アルミニウム、i−プロポキシ・ビス(アセチルアセテート)アルミニウム、トリス(エチルアセトアセテート)アルミニウム、トリス(アセチルアセテート)アルミニウム、モノアセチルアセテート・ビス(エチルアセトアセテート)アルミニウムなどのアルミニウムキレート化合物;テトラ−i−プロポキシジルコニウム、テトラ−n−ブトキシジルコニウムなどのジルコニウムアルコキシド化合物;テトラ−i−プロポキシチタン、テトラ−n−ブトキシチタンなどのチタンアルコキシド化合物;テトラ−i−プロポキシアルミニウム、テトラ−n−ブトキシアルミニウムなどのアルミニウムアルコキシド化合物などを挙げることができる。
これらの化合物のうち、トリ−n−ブトキシ・エチルアセトアセテートジルコニウム、ジ−i−プロポキシ・ビス(アセチルアセテート)チタニウム、ジ−i−プロポキシ・エチルアセトアセテートアルミニウム、トリス(エチルアセトアセテート)アルミニウムが好ましい。
本発明において、(C)成分は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。(C)成分の配合割合は、(B)成分の原料である金属アルコキシド100重量部に対して、通常、0.01〜50重量部、好ましくは0.1〜50重量部、さらに好ましくは0.5〜10重量部である。この場合、(C)成分の配合割合が上記範囲外であると、得られる硬化物の耐熱性が低下する傾向がある。
【0040】
さらに、本発明においては、上記(A)成分および(B)成分、さらに必要に応じて用いられる(C)成分以外に、下記(D)成分を使用することが好ましい。
(D)成分は、一般式R16COCH2 COR17〔ただし、R16〜R17は、それぞれ(C)成分の金属キレート化合物を表す上記一般式におけるR16〜R17と同義であるが、両者のR16〜R17は、それぞれ相互に同一でも異なってもよい〕で表されるβ−ジケトン類および/またはβ−ケトエステル類からなり、本発明のポリマー組成物の保存安定性をさらに向上させる作用を有するものである。
すなわち、(D)成分は、上記(C)成分をなす金属キレート化合物中の金属原子に配位することにより、この金属キレート化合物の(A)成分と(B)成分との間の縮合反応の促進作用を適度に抑制することによって、得られるポリマー組成物の保存安定性を向上させる作用を示すものと考えられる。
【0041】
このような(D)成分の具体例としては、アセチルアセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセト酢酸n−プロピル、アセト酢酸i−プロピル、アセト酢酸n−ブチル、アセト酢酸i−ブチル、アセト酢酸sec−ブチル、アセト酢酸t−ブチル、2,4−ヘキサンジオン、2,4−ヘプタンジオン、3,5−ヘプタンジオン、2,4−オクタンジオン、3,5−オクタンジオン、2,4−ノナンジオン、3,5−ノナンジオン、5−メチル−2,4−ヘキサンジオンを挙げることができる。これらの化合物のうち、アセチルアセトン、アセト酢酸エチルが好ましく、特にアセチルアセトンが好ましい。
本発明において、(D)成分は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
(D)成分の配合割合は、(C)成分1モルあたり、通常、2モル以上、好ましくは3〜20モル、さらに好ましくは4〜15モルである。この場合、(D)成分の配合割合が2モル未満では、得られるポリマー組成物の保存安定性の向上効果が低下する傾向がある。
【0042】
本発明のポリマー組成物には、そのほか、他の添加剤を配合することができる。
例えば、本発明のポリマー組成物の硬化条件によっては、硬化促進剤(以下「(E)成分」ともいう)を少なくとも1種配合してもよく、比較的低い温度で硬化させるには、(E)成分の併用が効果的である。このような(E)成分としては、例えば、ナフテン酸、オクチル酸、亜硝酸、亜硫酸、アルミン酸、炭酸などのアルカリ金属塩:水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ性化合物;アルキルチタン酸、リン酸、p−トルエンスルホン酸、フタル酸などの酸性化合物;1,2−エチレンジアミン、1,6−ヘキシレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ピペリジン、ピペラジン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、エタノールアミン、トリエチルアミン、N−メチルモルホリンなどのアミン類や、エポキシ樹脂の硬化剤として用いられる各種変性アミン類;3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−(2−アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3−(2−アミノエチルアミノ)プロピルジメトキシメチルシラン、3−アニリノプロピルトリメトキシシランなどのアミノ基含有シラン化合物;
(C4H9)2Sn(OCOC11H23)2
、
(C4H9)2Sn(OCOCH=CHCOOCH3)2、
(C4H9)2Sn(OCOCH=CHCOOC4H9)2
、
(C8H17)2Sn(OCOC11H23)2、
(C8H17)2Sn(OCOCH=CHCOOCH3)2
、
(C8H17)2Sn(OCOCH=CHCOOC4H9)2、
(C8H17)2Sn(OCOCH=CHCOOC8H17)2
、
Sn(OCOC7H17)2
などのカルボン酸型有機スズ化合物;
(C4H9)2Sn(SCH2COO)2
、
(C4H9)2Sn(SCH2COOC8H17)2、
(C8H17)2Sn(SCH2COO)2、
(C8H17)2Sn(SCH2CH2COO)2
、
(C8H17)2Sn(SCH2COOCH2CH2OCOCH2S)2
、
(C8H17)2Sn(SCH2COOCH2CH2CH2CH2OCOCH2S)2
、
(C8H17)2Sn(SCH2COOC8H17)2
、
(C8H17)2Sn(SCH2COOC12H25)2
などのメルカプチド型有機錫化合物;
(C4H9)2Sn=S
、(C8H17)2Sn=Sなどのスルフィド型有機錫化合物;
(C4H9)2Sn=O
、(C8H17)2Sn=Oなどの酸化物型有機錫酸化物と、エチルシリケート、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、フタル酸ジオクチルなどのエステル化合物との反応生成物などの有機錫化合物などを挙げることができる。
(E)成分の配合割合は、(A)〜(E)成分の固形分合計の、通常、15重量%以下、好ましくは10重量%以下である。
なお、上記(C)成分も、硬化促進剤として作用するものである。
(E)成分の添加方法は特に限定されるものではなく、本発明のポリマー組成物を調製する際および/または調製後の適宜の段階で添加することができる。
【0043】
さらに、本発明のポリマー組成物には、例えば、クレー、ゼオライト、タルク、マイカ、シリカ、カーボンブラック、グラファイト、アルミナ、炭酸カルシウム、ワラストナイトなどの充填剤や、ガラス、カーボン、アルミナ、チタン酸カリウム、ほう酸アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、芳香族ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、全芳香族ポリエステル、超高分子量ポリエチレン、高強度ポリアクリロニトリル、高強力ポリビニルアルコールなどの繊維あるいはウイスカーなどの補強材を配合することができる。上記補強材は、織布、不織布、編み物などの布帛の形で用い、この布帛に本発明のポリマー組成物を含浸させて使用することもできる。
これらの充填剤および補強材は、それぞれ単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。また、上記添加剤以外に、必要に応じて、酸化防止剤、熱安定剤、紫外線吸収剤、光安定剤、帯電防止剤、難燃剤、滑剤、防曇剤、防カビ剤、顔料、染料、分散剤、増粘剤、レベリング剤、シランカップリング剤、チタンカップリング剤や、オルトぎ酸メチル、オルト酢酸メチル、テトラエトキシシランなどの脱水剤などを配合することもできる。
【0044】
本発明のポリマー組成物を調製するには、好ましくは、上記(A)成分および(B)成分、さらに必要に応じて、(C)成分を含有する組成物を調製し、これに必要に応じて上記(D)成分などを添加する方法により調製することができる。
本発明のポリマー組成物の好ましい調製法は、下記(1)〜(3)の方法であり、特に好ましくは(1)あるいは(3)の方法である。
(1)(A)フェニレン基含有(共)重合体、(B)成分を構成する金属アルコキシドの混合物に、(B)成分中のアルコキシ金属基および/またはアシルオキシ金属基1当量あたり、0.3〜1モルの水を加えて、金属アルコキシドを加水分解・部分縮合させて、(A)〜(B)成分からなる組成物を調製したのち、必要に応じて、(C)〜(D)成分を添加する方法。
(2)(B)成分を構成する金属アルコキシドに対して、金属アルコキシド中のアルコキシ金属基および/またはアシルオキシ金属基1当量あたり、0.3〜1モルの水を加えて、金属アルコキシドを加水分解・部分縮合させ、その後、(A)成分と必要に応じて(C)成分を同時にあるいは段階的に添加して、さらに縮合反応を行って、(A)〜(B)成分または(A)〜(C)成分からなる組成物を調製したのち、必要に応じて(D)成分を添加する方法。
(3)(B)成分を構成する金属アルコキシドと必要に応じて用いられる(C)成分の混合物に、金属アルコキシド中のアルコキシ金属基および/またはアシルオキシ金属基1当量あたり、0.3〜1モルの水を加えて、金属アルコキシドを加水分解・部分縮合させ、その後、(A)成分を添加して、さらに縮合反応を行って、(A)〜(B)成分または(A)〜(C)成分からなる組成物を調製したのち、必要に応じて(D)成分を添加する方法。
上記(1)〜(3)の方法においては、上記(E)成分および他の添加剤は、適宜の段階で配合することができる。
本発明において、ポリマー組成物を構成する(A)成分および(B)成分、さらにこれらの成分と必要に応じて用いられる(C)成分は、それらの少なくとも2種以上が、部分的にまたは全部が化学的に結合していてもよい。
【0045】
また、本発明においては、ポリマー組成物の全固形分濃度を調整し、併せて粘度も調整するために、有機溶媒を使用することができる。このような有機溶媒としては、本発明のポリマー組成物に対して不活性であり、かつこれを溶解しうる限り、特に限定されるものではない。
上記有機溶媒としては、例えば、n−ペンタン、i−ペンタン、n−ヘキサン、i−ヘキサン、n−ヘプタン、i−ヘプタン、2,2,4−トリメチルペンタン、n−オクタン、i−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n−プロピルベンセン、i−プロピルベンセン、ジエチルベンゼン、i−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−i−プロピルベンセン、n−アミルナフタレンなどの芳香族炭化水素系溶媒;メタノール、エタノール、n−プロパノール、i−プロパノール、n−ブタノール、i−ブタノール、sec−ブタノール、t−ブタノール、n−ペンタノール、i−ペンタノール、2−メチルブタノール、sec−ペンタノール、t−ペンタノール、3−メトキシブタノール、n−ヘキサノール、2−メチルペンタノール、sec−ヘキサノール、2−エチルブタノール、sec−ヘプタノール、ヘプタノール−3、n−オクタノール、2−エチルヘキサノール、sec−オクタノール、n−ノニルアルコール、2,6−ジメチルヘプタノール−4、n−デカノール、sec−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec−テトラデシルアルコール、sec−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、フェニルメチルカルビノール、ジアセトンアルコール、クレゾールなどのモノアルコール系溶媒;エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−ブチレングリコール、ペンタンジオール−2,4、2−メチルペンタンジオール−2,4、ヘキサンジオール−2,5、ヘプタンジオール−2,4、2−エチルヘキサンジオール−1,3、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、グリセリンなどの多価アルコール系溶媒;アセトン、メチルエチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−n−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−i−ブチルケトン、メチル−n−ペンチルケトン、エチル−n−ブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジ−i−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、2,4−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン、フェンチョンなどのケトン系溶媒;エチルエーテル、i−プロピルエーテル、n−ブチルエーテル、n−ヘキシルエーテル、2−エチルヘキシルエーテル、エチレンオキシド、1,2−プロピレンオキシド、ジオキソラン、4−メチルジオキソラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、エチレングリコールモノ−n−ヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−2−エチルブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、テトラヒドロフラン、2−メチルテトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒;ジエチルカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、酢酸n−プロピル、酢酸i−プロピル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、酢酸sec−ブチル、酢酸n−ペンチル、酢酸sec−ペンチル、酢酸3−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2−エチルブチル、酢酸2−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸i−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−n−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル、乳酸n−アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチルなどのエステル系溶媒;N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルプロピオンアミド、N−メチルピロリドンなどの含窒素系溶媒;硫化ジメチル、硫化ジエチル、チオフェン、テトラヒドロチオフェン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、1,3−プロパンスルトンなどの含硫黄系溶媒などを挙げることができる。
【0046】
本発明のポリマー組成物は、溶液としての保存安定性に優れるとともに、硬化時にクラックの発生がなく、しかもその硬化物は、各種基体に対する密着性、耐熱性、耐湿熱性、電気絶縁性などに優れている。
従って、本発明のポリマー組成物は、特に、半導体素子の多層配線間の層間絶縁膜あるいは平坦化膜、各種の電気機器や電子部品などの保護膜あるいは電気絶縁膜などとして極めて好適に使用することができるほか、耐熱性が要求される接着剤や塗料としても有用である。
【0047】
また、本発明のポリマー組成物を予め離型処理した適当な基体に塗布して、熱硬化性薄膜を成形し、該薄膜を硬化前に基体から強制的に剥離することによって、熱硬化性フィルムを取得することができ、この熱硬化性フィルムは、電気機器や電子部品などの耐熱性接着フィルムなどとして有用である。あるいは、上記基体から強制的に剥離された熱硬化性薄膜を硬化させるか、または予め離型処理した適当な基体上に形成したポリマー薄膜を加熱、硬化させたのち、得られた硬化薄膜を基体から強制的に剥離することによって、硬化フィルムを取得することができる。
【0048】
さらに、本発明のポリマー組成物の溶液をガラスクロスなどの適当な布帛に含浸させたのち乾燥したプリプレグ、あるいは無溶媒のこの樹脂組成物をガラスクロスなどの適当な布帛に含浸させたプリプレグは、銅張り積層板などの積層材などとしても有用である。また、本発明のポリマー組成物は、例えば、粉末、ペレットなどの形態で、熱硬化性成形材料としても有用である。
本発明のポリマー組成物からフィルムを形成させる際に使用される基体は、特に限定されるものではなく、例えば、鉄、ニッケル、ステンレス、チタン、アルミニウム、銅、各種合金などの金属;窒化ケイ素、炭化ケイ素、サイアロン、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化ほう素、酸化ジルコニウム、酸化チタン、アルミナ、シリカや、これらの混合物などのセラミック;Si、Ge、SiC、SiGE、GaAsなどの半導体; ガラス、陶磁器などの窯業材料;芳香族ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、全芳香族ポリエステルなどの耐熱性樹脂などを挙げることができる。
【0049】
上記基体には、所望により、予め離型処理を施しておくことができ、また、シランカップリング剤、チタンカップリング剤などによる薬品処理や、プラズマ処理、イオンプレーティング、スパッタリング、気相反応法、真空蒸着の如き適宜の前処理を施すこともできる。本発明のポリマー組成物を上記基体に塗布する際には、回転塗布法、ロール塗布法、流延塗布法、浸漬塗布法、噴霧塗布法などの適宜の塗布手段を採用することができる。
また、塗布厚さは、塗布手段の選択、組成物溶液の固形分濃度や粘度を調節することにより、適宜制御することができる。上記のように、本発明のポリマー組成物の硬化物を得るには、本発明のポリマー組成物をスピンコート法などにより基板に塗布し、50〜200℃の温度で加熱したのち、さらに200〜400℃で10分〜3時間程度加熱すればよい。
【0050】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明の実施の形態をさらに具体的に説明する。ただし、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
実施例および比較例中の部および%は、特記しない限り重量に基づく。
実施例および比較例における各評価は、下記の要領で行った。
【0051】
重量平均分子量
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)測定により、ポリスチレン換算で求めた。
5%重量減少温度
TG法により、窒素雰囲気中、昇温速度10℃/分の条件で測定した。
比誘電率
SUS基板に、上記と同様の方法で重合体の塗膜を形成させたのち、マスク蒸着により金電極を形成させ、比誘電率測定用サンプルとした。このサンプルの静電容量をLCRメーターにより測定し、下記の式から、比誘電率を求めた。
ε=C・d/ε0 ・S
ここで、εは比誘電率、Cは静電容量、ε0 は真空中の誘電率、Sは上部電極面積である。
【0052】
密着性試験
所定の基板にサンプルを塗布したものを、JIS K5400碁盤目テープ法に準じて、テープ剥離後の碁盤目の数を数えることにより行った。
耐溶剤性
ガラス基板にサンプルを塗布したものを、所定の溶媒に1時間浸漬し、外観を観察した。
○;変化なし
△;剥がれ、膨潤あり
×;溶解
【0053】
合成例1
アルゴンガス導入管および温度計を備えた内容積500mlの三つ口フラスコに、ヨウ化ナトリウム7.5g、無水塩化ニッケル1.3g、トリフェニルホスフィン15.7g、酢酸に接触させた亜鉛末45.8g、および2,2′−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(以下「AFMs」と略記する)41.8g(85mmol)、3,6−ジクロロフタル酸無水物3.23g(15mmol)を加え、24時間、真空下で乾燥したのち、三つ口フラスコ内をアルゴンガスで充填した。引き続き、乾燥N,N−ジメチルアセトアミド150mlを添加し、70℃でアルゴン気流下に攪拌したところ、反応液が褐色となった。そのまま、70℃で20時間反応させたのち、反応液を36%塩酸500mlおよびメタノール2,000ml混合液中に注ぎ、沈殿物を回収した。
得られた沈殿物を、クロロホルム中に加えて懸濁させ、2規定塩酸水溶液で抽出を行ったのち、クロロホルム層をメタノールに注ぎ、沈殿を回収、乾燥したところ、重量平均分子量43,300の白色粉末状重合体を得た。
【0054】
合成例2
モノマーを表1に示す組成で仕込んだ以外は、合成例1と同様の手法で白色粉末状重合体を得た。
【0055】
合成例3
モノマーを表1に示す組成で仕込んだ以外は、合成例1と同様の手法で保護基のついた重合体を得た。次に、攪拌子を備えたナス型フラスコに、カリウム−t−ブトキシド10.9g、ジメチルスルホキシド100mlを加え均一溶液とした。この溶液に、先に得られた重合体10gを加え、80℃で4時間攪拌した。の反応液を、0.5規定の塩酸250ml、メタノール500mlの混合溶液に注ぎ込み、沈殿を回収した。得られた沈殿を、クロロホルム100mlに溶解し、2規定の塩酸で2回、純水で1回洗浄し、次いでメタノールで再沈殿させることによって、カルボキシル基を有する重合体の白色粉末を得た。
【0056】
合成例4
モノマーを表1に示す組成で仕込んだ以外は、合成例1と同様の手法で保護基のついた重合体を得た。
次に、この重合体10gを、還流管、攪拌子を備えた300mlのナス型フラスコに加え、次いでp−トルエンスルホン酸1水和物0.5g、トルエン220gを加え、120℃で3時間攪拌した。この反応液を、約50mlまで濃縮し、メタノールで再沈殿させることにより、ヒドロキシル基を有する重合体の白色粉末を得た。
【0057】
【表1】
【0058】
*)各モノマーの略記号は、次のとおりである。
AFMs;2,2′−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン
p−CPhAA;3,6−ジクロロフタル酸無水物
FLMs;ビス(メチルスルフォニロキシフェニル)トリフルオロメチルフェニルメタン
CBTf;2,4−ジクロロベンゾトリフルオライド
m−CBMe;3,5−ジクロロ安息香酸メチル
CPh−t−Boc;3,5−ジクロロ−t−ブトキシカルボニロキシベンゼン
【0059】
実施例1
合成例1で得た重合体をシクロヘキサノンに溶かして固形分濃度10%の溶液とし、この溶液100部に対し、ジ−n−ブトキシビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム10部を加え、23℃で20分間反応させたのち、メチルトリメトキシシラン100部、ジ−n−ブトキシビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム2部とイオン交換水14部を加え、さらに60℃で4時間反応させたのち、アセチルアセトン5部を加え、60℃で1時間反応させて、固形分濃度15%の熱硬化性樹脂組成物を調製した。
この樹脂組成物を、所定の基板にスピンコートし、80℃,120℃でそれぞれ2分ずつ、300℃で60分焼成することによって得られた薄膜について、評価した。結果を表2に示す。
【0060】
実施例2
合成例1で得た重合体の代わりに、合成例2で得た重合体を用いた以外は、実施例1と同様の方法で行った。評価結果を表2に示す。
実施例3
合成例1で得た重合体の代わりに、合成例3で得た重合体を用いた以外は、実施例1と同様の方法で行った。評価結果を表2に示す。
【0061】
実施例4
合成例4で得た重合体10gに対し、シクロヘキサノン40gを加えてワニスとした(溶液A)。一方、メチルトリメトキシシラン13gとシクロヘキサノン66gとを均一に混合したのち、テトラブトキシジルコニウム22gとアセト酢酸エチル6.5gとを、60℃で3時間攪拌してトリブトキシアセト酢酸エチルジルコニウム溶液(溶液B)を得た。この溶液Bを1.16gにイオン交換水2.6gを加え、室温で攪拌して均一溶液としたのち、60℃で3時間攪拌した。この溶液に、溶液Aを加え、60℃で2時間攪拌したのち、減圧濃縮することによって、固形分濃度21.5%の熱硬化性樹脂組成物を得た。
この樹脂組成物を、所定の基板にスピンコートし、80℃,120℃でそれぞれ2分ずつ、300℃で60分焼成することによって得られた薄膜について、評価した。結果を表2に示す。
【0062】
【表2】
【0063】
*1)1−メチル−2−ピロリドン
*2)ジメチルスルホキシド
*3)プロピレングリコール−1−モノメチルエーテル−2−アセテート
【0064】
【発明の効果】
本発明のポリマー組成物は、溶液としての保存安定性に優れるとともに、硬化時にクラックを発生することがなく、しかも各種基材に対する密着性、耐熱性、耐湿熱性、電気絶縁性などに優れる。
Claims (6)
- (A)下記一般式(I)で表される繰り返し構造単位を有するフェニレン基含有(共)重合体、ならびに(B)金属アルコキシドの加水分解物および/またはその部分縮合物を含有するポリマー組成物。
- nとmのモル比が5〜95/95〜5である請求項1記載のポリマー組成物。
- (A)成分100重量部に対し、(B)成分が金属アルコキシド換算で1〜100重量部である請求項1または2記載のポリマー組成物。
- さらに、(C)ジルコニウム、チタンおよびアルミニウムの群から選ばれた少なくとも1種の金属キレート化合物および/またはアルコキシド化合物を、(B)成分(金属アルコキシド換算)100重量部に対し、0.01〜50重量部添加してなる請求項1〜3いずれかに記載のポリマー組成物。
- さらに、(D)R 16 COCH 2 COR 17 (ただし、R 16 は直鎖もしくは分岐鎖の炭素数1〜6のアルキル基を示し、R 17 は直鎖または分岐鎖の炭素数1〜5のアルキル基、また直鎖または分岐鎖の炭素数1〜16のアルコキシル基を示し、R 16 〜R 17 は、それぞれ相互に同一でも異なってもよい)で表されるβ−ジケトン類および/またはβ−ケトエステル類を、(C)成分1モルあたり2モル以上添加してなる請求項4記載のポリマー組成物。
- 請求項1〜5いずれかに記載のポリマー組成物を硬化してなる硬化物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03354798A JP3858426B2 (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | ポリマー組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03354798A JP3858426B2 (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | ポリマー組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11217490A JPH11217490A (ja) | 1999-08-10 |
JP3858426B2 true JP3858426B2 (ja) | 2006-12-13 |
Family
ID=12389598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03354798A Expired - Fee Related JP3858426B2 (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | ポリマー組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3858426B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6184284B1 (en) | 1998-08-24 | 2001-02-06 | The Dow Chemical Company | Adhesion promoter and self-priming resin compositions and articles made therefrom |
WO2010050581A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-06 | ナガセケムテックス株式会社 | 硬化性組成物 |
-
1998
- 1998-02-02 JP JP03354798A patent/JP3858426B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11217490A (ja) | 1999-08-10 |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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