JP2001110601A - 抵抗器およびその製造方法 - Google Patents
抵抗器およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温高湿または硫黄分などの腐食性のガスを
含む雰囲気中で用いた際に、湿気やガス等が保護膜より
内部に侵入したとしても、薄膜抵抗体を酸化させること
がない信頼性の高い抵抗器およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 基板２１の上面に設けられた上面電極２
２と、この上面電極２２に両端部が重なるように設けら
れた薄膜抵抗体２４と、前記薄膜抵抗体２４および上面
電極２２の一部を覆うように設けられた金属酸化膜２５
と、薄膜抵抗体２４の端面より外側に位置する部分まで
を覆うとともに前記金属酸化膜２５を覆うように設けら
れた保護膜２６と、前記上面電極２２と電気的に接続さ
れるように前記基板２１の側面に設けられた側面電極２
７とを備えたものである。
含む雰囲気中で用いた際に、湿気やガス等が保護膜より
内部に侵入したとしても、薄膜抵抗体を酸化させること
がない信頼性の高い抵抗器およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 基板２１の上面に設けられた上面電極２
２と、この上面電極２２に両端部が重なるように設けら
れた薄膜抵抗体２４と、前記薄膜抵抗体２４および上面
電極２２の一部を覆うように設けられた金属酸化膜２５
と、薄膜抵抗体２４の端面より外側に位置する部分まで
を覆うとともに前記金属酸化膜２５を覆うように設けら
れた保護膜２６と、前記上面電極２２と電気的に接続さ
れるように前記基板２１の側面に設けられた側面電極２
７とを備えたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種電気機器の回
路に広く用いられる抵抗器およびその製造方法に関する
ものである。
路に広く用いられる抵抗器およびその製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に伴い、電子部
品の実装面積を縮小するため、表面実装部品への要求が
高まっている。その中で、高精度部品であるチップ形の
抵抗器に対する要求も多岐にわたり、特殊な環境下にお
いても信頼性が確保できる薄膜チップ抵抗器の需要が高
まっている。
品の実装面積を縮小するため、表面実装部品への要求が
高まっている。その中で、高精度部品であるチップ形の
抵抗器に対する要求も多岐にわたり、特殊な環境下にお
いても信頼性が確保できる薄膜チップ抵抗器の需要が高
まっている。
【０００３】図７は従来の抵抗器の断面図である。
【０００４】図７において、１はアルミナ等の絶縁体か
らなる基板である。２は基板１の上面に設けられたＮｉ
ＣｒＡｌ合金等の薄膜からなる薄膜抵抗体である。３は
薄膜抵抗体２の上面の端部に設けられ、Ｎｉを主成分と
する合金からなる中間電極である。４は薄膜抵抗体２お
よび中間電極３の一部を覆うように設けられた樹脂から
なる保護層である。５は薄膜抵抗体２および中間電極３
と電気的に接続されるように基板１の対向する側面に設
けられたＮｉＣｒ等からなる側面電極である。６は少な
くとも側面電極５を覆うように基板１の対向する側面に
設けられたＮｉめっきである。７はＮｉめっき６を覆う
ように基板１の対向する側面に設けられたはんだめっき
である。
らなる基板である。２は基板１の上面に設けられたＮｉ
ＣｒＡｌ合金等の薄膜からなる薄膜抵抗体である。３は
薄膜抵抗体２の上面の端部に設けられ、Ｎｉを主成分と
する合金からなる中間電極である。４は薄膜抵抗体２お
よび中間電極３の一部を覆うように設けられた樹脂から
なる保護層である。５は薄膜抵抗体２および中間電極３
と電気的に接続されるように基板１の対向する側面に設
けられたＮｉＣｒ等からなる側面電極である。６は少な
くとも側面電極５を覆うように基板１の対向する側面に
設けられたＮｉめっきである。７はＮｉめっき６を覆う
ように基板１の対向する側面に設けられたはんだめっき
である。
【０００５】以上のように構成された従来の抵抗器につ
いて、以下にその製造方法を説明する。
いて、以下にその製造方法を説明する。
【０００６】図８（ａ）〜（ｆ）は従来の抵抗器の製造
方法を示す工程図である。
方法を示す工程図である。
【０００７】まず、図８（ａ）に示すように、アルミナ
等の絶縁体からなる基板１１の上面全体にスパッタリン
グ工法でＮｉＣｒＡｌ合金を約５００Åの厚さで着膜
し、薄膜抵抗体１２を形成する。
等の絶縁体からなる基板１１の上面全体にスパッタリン
グ工法でＮｉＣｒＡｌ合金を約５００Åの厚さで着膜
し、薄膜抵抗体１２を形成する。
【０００８】次に、図８（ｂ）に示すように、薄膜抵抗
体１２の上面全体にスパッタリング工法でＮｉを主成分
とする合金を約０．５μｍ着膜する。この後、フォトリ
ソ工法により、この合金の一部を除去して基板１１の両
端部に中間電極１３を形成するとともに、所定の抵抗値
に近づけるため薄膜抵抗体１２の一部を除去し、約３０
０〜３５０℃で約３時間の加熱エージングを行う。
体１２の上面全体にスパッタリング工法でＮｉを主成分
とする合金を約０．５μｍ着膜する。この後、フォトリ
ソ工法により、この合金の一部を除去して基板１１の両
端部に中間電極１３を形成するとともに、所定の抵抗値
に近づけるため薄膜抵抗体１２の一部を除去し、約３０
０〜３５０℃で約３時間の加熱エージングを行う。
【０００９】次に、図８（ｃ）に示すように、薄膜抵抗
体１２をレーザートリミングにより切削してトリミング
溝１４を形成し、抵抗値修正を行う。
体１２をレーザートリミングにより切削してトリミング
溝１４を形成し、抵抗値修正を行う。
【００１０】次に、図８（ｄ）に示すように、中間電極
１３の一部と薄膜抵抗体１２とを覆うように樹脂からな
る保護膜１５を形成する。
１３の一部と薄膜抵抗体１２とを覆うように樹脂からな
る保護膜１５を形成する。
【００１１】次に、図８（ｅ）に示すように、薄膜抵抗
体１２および中間電極１３と電気的に接続されるよう
に、基板１１の側面にスパッタリング工法によりＣｒを
約２００Åの厚さで着膜し、さらにＮｉＶを約１μｍ着
膜して側面電極１６を形成する。
体１２および中間電極１３と電気的に接続されるよう
に、基板１１の側面にスパッタリング工法によりＣｒを
約２００Åの厚さで着膜し、さらにＮｉＶを約１μｍ着
膜して側面電極１６を形成する。
【００１２】最後に、図８（ｆ）に示すように、中間電
極１３および側面電極１６を覆うようにニッケルめっき
を約２μｍおよびはんだめっきを約６μｍ着膜してめっ
き層１７を形成することにより、従来の抵抗器を製造し
ていた。
極１３および側面電極１６を覆うようにニッケルめっき
を約２μｍおよびはんだめっきを約６μｍ着膜してめっ
き層１７を形成することにより、従来の抵抗器を製造し
ていた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の抵抗器
では、保護膜１５と薄膜抵抗体１２または中間電極１３
とが樹脂と金属という異種材料であるため、密着力が低
下することがあった。特にこの抵抗器を高温高湿または
硫黄分などの腐食性のガスを含む雰囲気中で用いた場
合、保護膜１５の密着力が低下した部分から湿気やガス
等が侵入し、薄膜抵抗体１２を酸化させてしまうため、
信頼性が低下するという課題を有していた。
では、保護膜１５と薄膜抵抗体１２または中間電極１３
とが樹脂と金属という異種材料であるため、密着力が低
下することがあった。特にこの抵抗器を高温高湿または
硫黄分などの腐食性のガスを含む雰囲気中で用いた場
合、保護膜１５の密着力が低下した部分から湿気やガス
等が侵入し、薄膜抵抗体１２を酸化させてしまうため、
信頼性が低下するという課題を有していた。
【００１４】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、高温高湿または硫黄分などの腐食性のガスを含む雰
囲気中で用いた際に、湿気やガス等が保護膜より内部に
侵入したとしても、薄膜抵抗体を酸化させることがない
信頼性の高い抵抗器およびその製造方法を提供すること
を目的とするものである。
で、高温高湿または硫黄分などの腐食性のガスを含む雰
囲気中で用いた際に、湿気やガス等が保護膜より内部に
侵入したとしても、薄膜抵抗体を酸化させることがない
信頼性の高い抵抗器およびその製造方法を提供すること
を目的とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の抵抗器は、絶縁性の基板と、この基板の上面
の両端部に設けられた少なくとも一対の上面電極と、こ
の一対の上面電極に両端部が重なるように設けられた少
なくとも一つの薄膜抵抗体と、前記薄膜抵抗体および上
面電極の一部を覆うように設けられた金属酸化膜と、前
記薄膜抵抗体の端面より外側に位置する部分までを覆う
とともに前記金属酸化膜の端面より内側を覆うように設
けられた保護膜と、前記一対の上面電極と電気的に接続
されるように前記基板の側面に設けられた側面電極とを
備えたもので、この構成によれば、高温高湿または硫黄
分などの腐食性のガスを含む雰囲気中で用いた際に、湿
気やガス等が保護膜より内部に侵入したとしても、薄膜
抵抗体を酸化させることがない信頼性の高い抵抗器が得
られるものである。
に本発明の抵抗器は、絶縁性の基板と、この基板の上面
の両端部に設けられた少なくとも一対の上面電極と、こ
の一対の上面電極に両端部が重なるように設けられた少
なくとも一つの薄膜抵抗体と、前記薄膜抵抗体および上
面電極の一部を覆うように設けられた金属酸化膜と、前
記薄膜抵抗体の端面より外側に位置する部分までを覆う
とともに前記金属酸化膜の端面より内側を覆うように設
けられた保護膜と、前記一対の上面電極と電気的に接続
されるように前記基板の側面に設けられた側面電極とを
備えたもので、この構成によれば、高温高湿または硫黄
分などの腐食性のガスを含む雰囲気中で用いた際に、湿
気やガス等が保護膜より内部に侵入したとしても、薄膜
抵抗体を酸化させることがない信頼性の高い抵抗器が得
られるものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、絶縁性の基板と、この基板の上面の両端部に設けら
れた少なくとも一対の上面電極と、この一対の上面電極
に両端部が重なるように設けられた少なくとも一つの薄
膜抵抗体と、前記薄膜抵抗体および上面電極の一部を覆
うように設けられた金属酸化膜と、前記薄膜抵抗体の端
面より外側に位置する部分までを覆うとともに前記金属
酸化膜の端面より内側を覆うように設けられた保護膜
と、前記一対の上面電極と電気的に接続されるように前
記基板の側面に設けられた側面電極とを備えたもので、
この構成によれば、薄膜抵抗体および上面電極の一部を
覆うように金属酸化膜を設けているため、高温高湿また
は硫黄分などの腐食性のガスを含む雰囲気中で用いた際
に、湿気やガス等が保護膜より内部に侵入したとして
も、金属酸化膜の存在により、薄膜抵抗体の酸化を防止
することができるという作用を有するものである。
は、絶縁性の基板と、この基板の上面の両端部に設けら
れた少なくとも一対の上面電極と、この一対の上面電極
に両端部が重なるように設けられた少なくとも一つの薄
膜抵抗体と、前記薄膜抵抗体および上面電極の一部を覆
うように設けられた金属酸化膜と、前記薄膜抵抗体の端
面より外側に位置する部分までを覆うとともに前記金属
酸化膜の端面より内側を覆うように設けられた保護膜
と、前記一対の上面電極と電気的に接続されるように前
記基板の側面に設けられた側面電極とを備えたもので、
この構成によれば、薄膜抵抗体および上面電極の一部を
覆うように金属酸化膜を設けているため、高温高湿また
は硫黄分などの腐食性のガスを含む雰囲気中で用いた際
に、湿気やガス等が保護膜より内部に侵入したとして
も、金属酸化膜の存在により、薄膜抵抗体の酸化を防止
することができるという作用を有するものである。
【００１７】請求項２に記載の発明は、絶縁性の基板
と、この基板の上面の両端部に設けられた少なくとも一
対の上面電極と、この一対の上面電極に両端部が重なる
ように設けられた少なくとも一つの薄膜抵抗体と、前記
薄膜抵抗体および上面電極の一部を覆うように設けられ
た金属酸化膜と、前記薄膜抵抗体を覆うとともに前記金
属酸化膜の端面より内側を覆うように設けられた保護膜
と、前記上面電極および金属酸化膜の上面を覆いかつ保
護膜に接するように設けられた導電性樹脂材料からなる
中間電極と、前記上面電極および中間電極と電気的に接
続されるように前記基板の側面に設けられた側面電極と
を備えたもので、この構成によれば、導電性材料からな
る中間電極に接するように保護膜を金属酸化膜上に設け
ているため、保護膜を金属酸化膜上のみに設けたものに
比べ、保護膜の密着力が向上するという作用を有するも
のである。
と、この基板の上面の両端部に設けられた少なくとも一
対の上面電極と、この一対の上面電極に両端部が重なる
ように設けられた少なくとも一つの薄膜抵抗体と、前記
薄膜抵抗体および上面電極の一部を覆うように設けられ
た金属酸化膜と、前記薄膜抵抗体を覆うとともに前記金
属酸化膜の端面より内側を覆うように設けられた保護膜
と、前記上面電極および金属酸化膜の上面を覆いかつ保
護膜に接するように設けられた導電性樹脂材料からなる
中間電極と、前記上面電極および中間電極と電気的に接
続されるように前記基板の側面に設けられた側面電極と
を備えたもので、この構成によれば、導電性材料からな
る中間電極に接するように保護膜を金属酸化膜上に設け
ているため、保護膜を金属酸化膜上のみに設けたものに
比べ、保護膜の密着力が向上するという作用を有するも
のである。
【００１８】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載
の発明において、保護膜を、薄膜抵抗体の端面より外側
に位置する部分までを覆うとともに金属酸化膜の端面よ
り内側を覆うように設けたもので、この構成によれば、
薄膜抵抗体の上面が金属酸化膜と保護膜とで完全に覆わ
れるため、上面からの湿気やガス等が薄膜抵抗体の内部
に侵入しにくいという作用を有するものである。
の発明において、保護膜を、薄膜抵抗体の端面より外側
に位置する部分までを覆うとともに金属酸化膜の端面よ
り内側を覆うように設けたもので、この構成によれば、
薄膜抵抗体の上面が金属酸化膜と保護膜とで完全に覆わ
れるため、上面からの湿気やガス等が薄膜抵抗体の内部
に侵入しにくいという作用を有するものである。
【００１９】請求項４に記載の発明は、請求項２に記載
の発明において、保護膜を、薄膜抵抗体の端面より内側
を覆うとともに金属酸化膜の端面より内側を覆うように
設けたもので、この構成によれば、保護膜が薄膜抵抗体
の端面より内側に位置しているため、この保護膜に接す
るように設けられる導電性樹脂材料からなる中間電極層
を大きくすることができ、これにより、金属酸化膜と薄
膜抵抗体との密着力が向上するという作用を有するもの
である。
の発明において、保護膜を、薄膜抵抗体の端面より内側
を覆うとともに金属酸化膜の端面より内側を覆うように
設けたもので、この構成によれば、保護膜が薄膜抵抗体
の端面より内側に位置しているため、この保護膜に接す
るように設けられる導電性樹脂材料からなる中間電極層
を大きくすることができ、これにより、金属酸化膜と薄
膜抵抗体との密着力が向上するという作用を有するもの
である。
【００２０】請求項５に記載の発明は、絶縁性の基板の
上面の両端部に少なくとも一対の上面電極を形成し、こ
の一対の上面電極に両端部が重なるように少なくとも一
つの薄膜抵抗体を形成し、前記薄膜抵抗体および上面電
極の一部を覆うように金属酸化膜を形成し、前記薄膜抵
抗体の端面より外側に位置する部分までを覆うとともに
前記金属酸化膜の端面より内側を覆うように保護膜を形
成し、前記一対の上面電極と電気的に接続されるように
前記基板の側面に側面電極を形成するようにしたもの
で、この製造方法によれば、薄膜抵抗体および上面電極
の一部を覆うように金属酸化膜を形成しているため、高
温高湿または硫黄分などの腐食性のガスを含む雰囲気中
で用いた際に、湿気やガス等が保護膜より内部に侵入し
たとしても、金属酸化膜の存在により、薄膜抵抗体の酸
化を防止することができるという作用を有するものであ
る。
上面の両端部に少なくとも一対の上面電極を形成し、こ
の一対の上面電極に両端部が重なるように少なくとも一
つの薄膜抵抗体を形成し、前記薄膜抵抗体および上面電
極の一部を覆うように金属酸化膜を形成し、前記薄膜抵
抗体の端面より外側に位置する部分までを覆うとともに
前記金属酸化膜の端面より内側を覆うように保護膜を形
成し、前記一対の上面電極と電気的に接続されるように
前記基板の側面に側面電極を形成するようにしたもの
で、この製造方法によれば、薄膜抵抗体および上面電極
の一部を覆うように金属酸化膜を形成しているため、高
温高湿または硫黄分などの腐食性のガスを含む雰囲気中
で用いた際に、湿気やガス等が保護膜より内部に侵入し
たとしても、金属酸化膜の存在により、薄膜抵抗体の酸
化を防止することができるという作用を有するものであ
る。
【００２１】請求項６に記載の発明は、絶縁性の基板の
上面の両端部に少なくとも一対の上面電極を形成し、こ
の一対の上面電極に両端部が重なるように少なくとも一
つの薄膜抵抗体を形成し、前記薄膜抵抗体および上面電
極の一部を覆うように金属酸化膜を形成し、前記金属酸
化膜の端面より内側を覆うように保護膜を形成し、前記
上面電極および金属酸化膜の上面を覆いかつ保護膜に接
するように導電性樹脂材料からなる中間電極を形成し、
前記上面電極および中間電極と電気的に接続されるよう
に前記基板の側面に側面電極を形成するようにしたもの
で、この製造方法によれば、導電性樹脂材料からなる中
間電極に接するように保護膜を金属酸化膜上に形成する
ようにしているため、保護膜を金属酸化膜上のみに形成
するようにしたものに比べ、保護膜の密着力が向上する
という作用を有するものである。
上面の両端部に少なくとも一対の上面電極を形成し、こ
の一対の上面電極に両端部が重なるように少なくとも一
つの薄膜抵抗体を形成し、前記薄膜抵抗体および上面電
極の一部を覆うように金属酸化膜を形成し、前記金属酸
化膜の端面より内側を覆うように保護膜を形成し、前記
上面電極および金属酸化膜の上面を覆いかつ保護膜に接
するように導電性樹脂材料からなる中間電極を形成し、
前記上面電極および中間電極と電気的に接続されるよう
に前記基板の側面に側面電極を形成するようにしたもの
で、この製造方法によれば、導電性樹脂材料からなる中
間電極に接するように保護膜を金属酸化膜上に形成する
ようにしているため、保護膜を金属酸化膜上のみに形成
するようにしたものに比べ、保護膜の密着力が向上する
という作用を有するものである。
【００２２】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形
態１における抵抗器について、図面を参照しながら説明
する。
態１における抵抗器について、図面を参照しながら説明
する。
【００２３】図１は本発明の実施の形態１における抵抗
器の断面図である。
器の断面図である。
【００２４】図１において、２１は９６％アルミナを含
有してなる絶縁性の基板である。２２は基板２１の上面
の両端部に少なくとも一対設けられたＡｕ系等の金属か
らなる上面電極である。２３は必要に応じて基板２１の
下面の両端部に少なくとも一対設けられたＡｕ系等の金
属からなる下面電極である。２４は一対の上面電極２２
に両端部が重なるように少なくとも一つ設けられたＮｉ
Ｃｒ系等の金属からなる薄膜抵抗体である。２５は薄膜
抵抗体２４および上面電極２２の一部を覆うように設け
られた酸化アルミ、酸化珪素または酸化チタン等からな
る金属酸化膜である。２６は薄膜抵抗体２４の端面より
外側に位置する部分までを覆うとともに金属酸化膜２５
の端面より内側を覆うように設けられたエポキシ系の樹
脂からなる保護膜である。２７は一対の上面電極２２と
電気的に接続されるように基板２１の側面に設けられた
側面電極である。２８は露出した金属酸化膜２５、上面
電極２２および側面電極２７を覆うように設けられたニ
ッケルめっきである。２９はニッケルめっき２８を覆う
ように設けられたはんだめっきである。
有してなる絶縁性の基板である。２２は基板２１の上面
の両端部に少なくとも一対設けられたＡｕ系等の金属か
らなる上面電極である。２３は必要に応じて基板２１の
下面の両端部に少なくとも一対設けられたＡｕ系等の金
属からなる下面電極である。２４は一対の上面電極２２
に両端部が重なるように少なくとも一つ設けられたＮｉ
Ｃｒ系等の金属からなる薄膜抵抗体である。２５は薄膜
抵抗体２４および上面電極２２の一部を覆うように設け
られた酸化アルミ、酸化珪素または酸化チタン等からな
る金属酸化膜である。２６は薄膜抵抗体２４の端面より
外側に位置する部分までを覆うとともに金属酸化膜２５
の端面より内側を覆うように設けられたエポキシ系の樹
脂からなる保護膜である。２７は一対の上面電極２２と
電気的に接続されるように基板２１の側面に設けられた
側面電極である。２８は露出した金属酸化膜２５、上面
電極２２および側面電極２７を覆うように設けられたニ
ッケルめっきである。２９はニッケルめっき２８を覆う
ように設けられたはんだめっきである。
【００２５】以上のように構成された抵抗器について、
以下にその製造方法を図面を参照しながら説明する。
以下にその製造方法を図面を参照しながら説明する。
【００２６】図２（ａ）〜（ｇ）は本発明の実施の形態
１における抵抗器の製造方法を示す工程図である。
１における抵抗器の製造方法を示す工程図である。
【００２７】まず、図２（ａ）に示すように、９６％ア
ルミナを含有してなる絶縁性の基板３１の上面の両端部
にＡｕを主成分とする金属有機物からなるペーストをス
クリーン印刷して乾燥させる。さらにベルト式連続焼成
炉を用いて、約８５０℃で、ピーク時間約６分、ＩＮ−
ＯＵＴ時間約４５分のプロファイルで焼成することによ
り、少なくとも一対の上面電極３２を形成する。なお、
必要により、上面電極３２と同様の工法で基板３１の下
面の両端部に下面電極（図示せず）を形成してもよい。
ルミナを含有してなる絶縁性の基板３１の上面の両端部
にＡｕを主成分とする金属有機物からなるペーストをス
クリーン印刷して乾燥させる。さらにベルト式連続焼成
炉を用いて、約８５０℃で、ピーク時間約６分、ＩＮ−
ＯＵＴ時間約４５分のプロファイルで焼成することによ
り、少なくとも一対の上面電極３２を形成する。なお、
必要により、上面電極３２と同様の工法で基板３１の下
面の両端部に下面電極（図示せず）を形成してもよい。
【００２８】次に、図２（ｂ）に示すように、一対の上
面電極３２に両端部が重なるようにスパッタリング工法
でＮｉＣｒ系の金属材料を着膜し、少なくとも一つの薄
膜抵抗体３３を形成する。さらに所定の抵抗値に近づけ
るためにこの薄膜抵抗体３３にフォトリソ工法により第
１の溝３４を形成して抵抗値を調整する。
面電極３２に両端部が重なるようにスパッタリング工法
でＮｉＣｒ系の金属材料を着膜し、少なくとも一つの薄
膜抵抗体３３を形成する。さらに所定の抵抗値に近づけ
るためにこの薄膜抵抗体３３にフォトリソ工法により第
１の溝３４を形成して抵抗値を調整する。
【００２９】次に、図２（ｃ）に示すように、少なくと
も薄膜抵抗体３３を覆うように酸化アルミ、酸化珪素ま
たは酸化チタン等をスパッタリング工法で約１００〜５
００Åの厚さで着膜し、フォトリソ工法により所定のパ
ターンとして薄膜抵抗体３３と上面電極３２の一部を覆
う金属酸化膜３５を形成する。さらに薄膜抵抗体３３を
安定させるため、約２５０〜３５０℃で約５時間の熱エ
ージングを行う。
も薄膜抵抗体３３を覆うように酸化アルミ、酸化珪素ま
たは酸化チタン等をスパッタリング工法で約１００〜５
００Åの厚さで着膜し、フォトリソ工法により所定のパ
ターンとして薄膜抵抗体３３と上面電極３２の一部を覆
う金属酸化膜３５を形成する。さらに薄膜抵抗体３３を
安定させるため、約２５０〜３５０℃で約５時間の熱エ
ージングを行う。
【００３０】次に、図２（ｄ）に示すように、薄膜抵抗
体３３の抵抗値を所定の抵抗値にするためにレーザート
リミングにより第２の溝３６を形成し、抵抗値を調整す
る。
体３３の抵抗値を所定の抵抗値にするためにレーザート
リミングにより第２の溝３６を形成し、抵抗値を調整す
る。
【００３１】次に、図２（ｅ）に示すように、薄膜抵抗
体３３の端面より外側に位置する部分までを覆うととも
に金属酸化膜３５の端面より内側を覆うようにエポキシ
系樹脂ペーストをスクリーン印刷し、約２００℃の乾燥
機内で約３０分間乾燥させて保護膜３７を形成する。
体３３の端面より外側に位置する部分までを覆うととも
に金属酸化膜３５の端面より内側を覆うようにエポキシ
系樹脂ペーストをスクリーン印刷し、約２００℃の乾燥
機内で約３０分間乾燥させて保護膜３７を形成する。
【００３２】次に、図２（ｆ）に示すように、一対の上
面電極３２と電気的に接続されるように基板３１の側面
にＮｉＣｒ系の金属材料をスパッタリング工法で着膜
し、側面電極３８を形成する。
面電極３２と電気的に接続されるように基板３１の側面
にＮｉＣｒ系の金属材料をスパッタリング工法で着膜
し、側面電極３８を形成する。
【００３３】最後に、図２（ｇ）に示すように、露出し
た金属酸化膜３５、上面電極３２および側面電極３８を
覆うようにニッケルめっきおよびはんだめっきからなる
めっき層３９を形成して本発明の抵抗器を製造するもの
である。
た金属酸化膜３５、上面電極３２および側面電極３８を
覆うようにニッケルめっきおよびはんだめっきからなる
めっき層３９を形成して本発明の抵抗器を製造するもの
である。
【００３４】（実施の形態２）以下、本発明の実施の形
態２における抵抗器について、図面を参照しながら説明
する。
態２における抵抗器について、図面を参照しながら説明
する。
【００３５】図３は本発明の実施の形態２における抵抗
器の断面図である。
器の断面図である。
【００３６】図３において、４１は９６％アルミナを含
有してなる絶縁性の基板である。４２は基板４１の上面
の両端部に少なくとも一対設けられたＡｕ系等の金属か
らなる上面電極である。４３は必要に応じて基板４１の
下面の両端部に少なくとも一対設けられたＡｕ系等の金
属からなる下面電極である。４４は一対の上面電極４２
に両端部が重なるように少なくとも一つ設けられたＮｉ
Ｃｒ系等の金属からなる薄膜抵抗体である。４５は薄膜
抵抗体４４および上面電極４２の一部を覆うように設け
られた酸化アルミ、酸化珪素または酸化チタン等からな
る金属酸化膜である。４６は薄膜抵抗体４４の端面より
外側に位置する部分までを覆うとともに金属酸化膜４５
の端面より内側を覆うように設けられたエポキシ系の樹
脂からなる保護膜である。４７は前記上面電極４２およ
び金属酸化膜４５の上面の一部を覆いかつ保護膜４６に
接するように設けられた導電性樹脂材料からなる中間電
極である。４８は上面電極４２および中間電極４７と電
気的に接続されるように基板４１の側面に設けられた側
面電極である。４９は露出した金属酸化膜４５、上面電
極４２および側面電極４８を覆うように設けられたニッ
ケルめっきである。５０はニッケルめっき４９を覆うよ
うに設けられたはんだめっきである。
有してなる絶縁性の基板である。４２は基板４１の上面
の両端部に少なくとも一対設けられたＡｕ系等の金属か
らなる上面電極である。４３は必要に応じて基板４１の
下面の両端部に少なくとも一対設けられたＡｕ系等の金
属からなる下面電極である。４４は一対の上面電極４２
に両端部が重なるように少なくとも一つ設けられたＮｉ
Ｃｒ系等の金属からなる薄膜抵抗体である。４５は薄膜
抵抗体４４および上面電極４２の一部を覆うように設け
られた酸化アルミ、酸化珪素または酸化チタン等からな
る金属酸化膜である。４６は薄膜抵抗体４４の端面より
外側に位置する部分までを覆うとともに金属酸化膜４５
の端面より内側を覆うように設けられたエポキシ系の樹
脂からなる保護膜である。４７は前記上面電極４２およ
び金属酸化膜４５の上面の一部を覆いかつ保護膜４６に
接するように設けられた導電性樹脂材料からなる中間電
極である。４８は上面電極４２および中間電極４７と電
気的に接続されるように基板４１の側面に設けられた側
面電極である。４９は露出した金属酸化膜４５、上面電
極４２および側面電極４８を覆うように設けられたニッ
ケルめっきである。５０はニッケルめっき４９を覆うよ
うに設けられたはんだめっきである。
【００３７】以上のように構成された抵抗器について、
以下にその製造方法を図面を参照しながら説明する。
以下にその製造方法を図面を参照しながら説明する。
【００３８】図４（ａ）〜（ｈ）は本発明の実施の形態
２における抵抗器の製造方法を示す工程図である。
２における抵抗器の製造方法を示す工程図である。
【００３９】まず、図４（ａ）に示すように、９６％ア
ルミナを含有してなる絶縁性の基板５１の上面の両端部
にＡｕを主成分とする金属有機物からなるペーストをス
クリーン印刷して乾燥させる。さらにベルト式連続焼成
炉を用いて、約８５０℃で、ピーク時間約６分、ＩＮ−
ＯＵＴ時間約４５分のプロファイルで焼成することによ
り、少なくとも一対の上面電極５２を形成する。なお、
必要により、上面電極５２と同様の工法で基板５１の下
面の両端部に下面電極（図示せず）を形成してもよい。
ルミナを含有してなる絶縁性の基板５１の上面の両端部
にＡｕを主成分とする金属有機物からなるペーストをス
クリーン印刷して乾燥させる。さらにベルト式連続焼成
炉を用いて、約８５０℃で、ピーク時間約６分、ＩＮ−
ＯＵＴ時間約４５分のプロファイルで焼成することによ
り、少なくとも一対の上面電極５２を形成する。なお、
必要により、上面電極５２と同様の工法で基板５１の下
面の両端部に下面電極（図示せず）を形成してもよい。
【００４０】次に、図４（ｂ）に示すように、一対の上
面電極５２に両端部が重なるようにスパッタリング工法
でＮｉＣｒ系の金属材料を着膜し、少なくとも一つの薄
膜抵抗体５３を形成する。さらに所定の抵抗値に近づけ
るためにこの薄膜抵抗体５３にフォトリソ工法により第
１の溝５４を形成して抵抗値を調整する。
面電極５２に両端部が重なるようにスパッタリング工法
でＮｉＣｒ系の金属材料を着膜し、少なくとも一つの薄
膜抵抗体５３を形成する。さらに所定の抵抗値に近づけ
るためにこの薄膜抵抗体５３にフォトリソ工法により第
１の溝５４を形成して抵抗値を調整する。
【００４１】次に、図４（ｃ）に示すように、少なくと
も薄膜抵抗体５３を覆うように酸化アルミ、酸化珪素ま
たは酸化チタン等をスパッタリング工法で約１００〜１
００００Åの厚さで着膜し、フォトリソ工法により所定
のパターンとして薄膜抵抗体５３と上面電極５２の一部
を覆う金属酸化膜５５を形成する。さらに薄膜抵抗体５
３を安定させるため、約２５０〜３５０℃で約５時間の
熱エージングを行う。
も薄膜抵抗体５３を覆うように酸化アルミ、酸化珪素ま
たは酸化チタン等をスパッタリング工法で約１００〜１
００００Åの厚さで着膜し、フォトリソ工法により所定
のパターンとして薄膜抵抗体５３と上面電極５２の一部
を覆う金属酸化膜５５を形成する。さらに薄膜抵抗体５
３を安定させるため、約２５０〜３５０℃で約５時間の
熱エージングを行う。
【００４２】次に、図４（ｄ）に示すように、薄膜抵抗
体５３の抵抗値を所定の抵抗値にするためにレーザート
リミングにより第２の溝５６を形成し、抵抗値を調整す
る。
体５３の抵抗値を所定の抵抗値にするためにレーザート
リミングにより第２の溝５６を形成し、抵抗値を調整す
る。
【００４３】次に、図４（ｅ）に示すように、薄膜抵抗
体５３の端面より外側に位置する部分までを覆うととも
に金属酸化膜５５の端面より内側を覆うようにエポキシ
系樹脂ペーストをスクリーン印刷し、約２００℃の乾燥
機内で約３０分間乾燥させて保護膜５７を形成する。
体５３の端面より外側に位置する部分までを覆うととも
に金属酸化膜５５の端面より内側を覆うようにエポキシ
系樹脂ペーストをスクリーン印刷し、約２００℃の乾燥
機内で約３０分間乾燥させて保護膜５７を形成する。
【００４４】次に、図４（ｆ）に示すように、上面電極
５２および金属酸化膜５５の上面を覆いかつ保護膜５７
に接するように導電性樹脂材料からなる中間電極５８を
形成する。このとき、中間電極５８を形成する導電性樹
脂材料として、保護膜５７と同系の材料、例えばエポキ
シ系、フェノール系などの樹脂材料を用いると、中間電
極５８と保護膜５７との密着力が向上し、これにより、
湿気やガス等が薄膜抵抗体５３の内部に侵入するのを防
止する効果がさらに高まるものである。また、前記金属
酸化膜５５の厚みが５００Åを越えても密着力は保たれ
るものである。
５２および金属酸化膜５５の上面を覆いかつ保護膜５７
に接するように導電性樹脂材料からなる中間電極５８を
形成する。このとき、中間電極５８を形成する導電性樹
脂材料として、保護膜５７と同系の材料、例えばエポキ
シ系、フェノール系などの樹脂材料を用いると、中間電
極５８と保護膜５７との密着力が向上し、これにより、
湿気やガス等が薄膜抵抗体５３の内部に侵入するのを防
止する効果がさらに高まるものである。また、前記金属
酸化膜５５の厚みが５００Åを越えても密着力は保たれ
るものである。
【００４５】次に、図４（ｇ）に示すように、上面電極
５２および中間電極５８と電気的に接続されるように基
板５１の側面にＮｉＣｒ系の金属材料をスパッタリング
工法で着膜し、側面電極５９を形成する。
５２および中間電極５８と電気的に接続されるように基
板５１の側面にＮｉＣｒ系の金属材料をスパッタリング
工法で着膜し、側面電極５９を形成する。
【００４６】最後に、図４（ｈ）に示すように、露出し
た金属酸化膜５５、上面電極５２および側面電極５９を
覆うようにニッケルめっきおよびはんだめっきからなる
めっき層６０を形成して本発明の抵抗器を製造するもの
である。
た金属酸化膜５５、上面電極５２および側面電極５９を
覆うようにニッケルめっきおよびはんだめっきからなる
めっき層６０を形成して本発明の抵抗器を製造するもの
である。
【００４７】なお、上記本発明の実施の形態２において
は、保護膜５７を設けた後に中間電極５８を形成する工
法としたが、これに限定されるものではなく、例えば金
属酸化膜５５を形成し、そして熱エージングした後に中
間電極５８を形成してもよいものである。
は、保護膜５７を設けた後に中間電極５８を形成する工
法としたが、これに限定されるものではなく、例えば金
属酸化膜５５を形成し、そして熱エージングした後に中
間電極５８を形成してもよいものである。
【００４８】また、図３においては、保護膜４６を薄膜
抵抗体４４の端面より外側に位置する部分までを覆うよ
うに設けたものについて説明したが、図５に示すよう
に、保護膜６１を薄膜抵抗体６２の端面より内側を覆う
とともに金属酸化膜６３の端面より内側を覆うように設
けてもよいものである。この場合、保護膜６１が薄膜抵
抗体６２の端面より内側に位置しているため、この保護
膜６１に接するように設けられる導電性樹脂材料からな
る中間電極６４をさらに大きくすることができ、これに
より、金属酸化膜６３と薄膜抵抗体６２との密着力が向
上するものである。
抵抗体４４の端面より外側に位置する部分までを覆うよ
うに設けたものについて説明したが、図５に示すよう
に、保護膜６１を薄膜抵抗体６２の端面より内側を覆う
とともに金属酸化膜６３の端面より内側を覆うように設
けてもよいものである。この場合、保護膜６１が薄膜抵
抗体６２の端面より内側に位置しているため、この保護
膜６１に接するように設けられる導電性樹脂材料からな
る中間電極６４をさらに大きくすることができ、これに
より、金属酸化膜６３と薄膜抵抗体６２との密着力が向
上するものである。
【００４９】そしてまた、上記本発明の実施の形態にお
いては、一つの薄膜抵抗体と一対の上面電極で構成され
ている抵抗器に採用したものについて説明したが、図６
に示すような基板７１の上面に薄膜抵抗体（図示せず）
と複数対の上面電極７２とを備えた多連形の抵抗器に採
用した場合においても、本発明の実施の形態と同様の効
果が得られるものである。
いては、一つの薄膜抵抗体と一対の上面電極で構成され
ている抵抗器に採用したものについて説明したが、図６
に示すような基板７１の上面に薄膜抵抗体（図示せず）
と複数対の上面電極７２とを備えた多連形の抵抗器に採
用した場合においても、本発明の実施の形態と同様の効
果が得られるものである。
【００５０】
【発明の効果】以上のように本発明の抵抗器は、絶縁性
の基板と、この基板の上面の両端部に設けられた少なく
とも一対の上面電極と、この一対の上面電極に両端部が
重なるように設けられた少なくとも一つの薄膜抵抗体
と、前記薄膜抵抗体および上面電極の一部を覆うように
設けられた金属酸化膜と、前記薄膜抵抗体の端面より外
側に位置する部分までを覆うとともに前記金属酸化膜の
端面より内側を覆うように設けられた保護膜と、前記一
対の上面電極と電気的に接続されるように前記基板の側
面に設けられた側面電極とを備えたもので、この構成に
よれば、薄膜抵抗体および上面電極の一部を覆うように
金属酸化膜を設けているため、高温高湿または硫黄分な
どの腐食性のガスを含む雰囲気中で用いた際に、湿気や
ガス等が保護膜より内部に侵入したとしても、金属酸化
膜の存在により、薄膜抵抗体の酸化を防止することがで
き、これにより、信頼性の高い抵抗器を得ることができ
るというすぐれた効果を有するものである。
の基板と、この基板の上面の両端部に設けられた少なく
とも一対の上面電極と、この一対の上面電極に両端部が
重なるように設けられた少なくとも一つの薄膜抵抗体
と、前記薄膜抵抗体および上面電極の一部を覆うように
設けられた金属酸化膜と、前記薄膜抵抗体の端面より外
側に位置する部分までを覆うとともに前記金属酸化膜の
端面より内側を覆うように設けられた保護膜と、前記一
対の上面電極と電気的に接続されるように前記基板の側
面に設けられた側面電極とを備えたもので、この構成に
よれば、薄膜抵抗体および上面電極の一部を覆うように
金属酸化膜を設けているため、高温高湿または硫黄分な
どの腐食性のガスを含む雰囲気中で用いた際に、湿気や
ガス等が保護膜より内部に侵入したとしても、金属酸化
膜の存在により、薄膜抵抗体の酸化を防止することがで
き、これにより、信頼性の高い抵抗器を得ることができ
るというすぐれた効果を有するものである。
【図１】本発明の実施の形態１における抵抗器の断面図
【図２】（ａ）〜（ｇ）同抵抗器の製造方法を示す工程
図
図
【図３】本発明の実施の形態２における抵抗器の断面図
【図４】（ａ）〜（ｈ）同抵抗器の製造方法を示す工程
図
図
【図５】本発明の実施の形態２における他の例を示す抵
抗器の断面図
抗器の断面図
【図６】本発明の実施の形態における多連形の抵抗器の
上面図
上面図
【図７】従来の抵抗器の断面図
【図８】（ａ）〜（ｆ）同抵抗器の製造方法を示す工程
図
図
２１，３１，４１，５１，７１ 基板 ２２，３２，４２，５２，７２ 上面電極 ２４，３３，４４，５３，６２ 薄膜抵抗体 ２５，３５，４５，５５，６３ 金属酸化膜 ２６，３７，４６，５７，６１ 保護膜 ２７，３８，４８，５９ 側面電極 ４７，５８ 中間電極
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E032 BA12 BB01 CA02 CC14 CC16 TA13 TB02 5E033 AA02 BB02 BC01 BD01 BE02 BF05 BG02 BG03 BH02
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁性の基板と、この基板の上面の両端
部に設けられた少なくとも一対の上面電極と、この一対
の上面電極に両端部が重なるように設けられた少なくと
も一つの薄膜抵抗体と、前記薄膜抵抗体および上面電極
の一部を覆うように設けられた金属酸化膜と、前記薄膜
抵抗体の端面より外側に位置する部分までを覆うととも
に前記金属酸化膜の端面より内側を覆うように設けられ
た保護膜と、前記一対の上面電極と電気的に接続される
ように前記基板の側面に設けられた側面電極とを備えた
抵抗器。 - 【請求項２】 絶縁性の基板と、この基板の上面の両端
部に設けられた少なくとも一対の上面電極と、この一対
の上面電極に両端部が重なるように設けられた少なくと
も一つの薄膜抵抗体と、前記薄膜抵抗体および上面電極
の一部を覆うように設けられた金属酸化膜と、前記薄膜
抵抗体を覆うとともに前記金属酸化膜の端面より内側を
覆うように設けられた保護膜と、前記上面電極および金
属酸化膜の上面を覆いかつ保護膜に接するように設けら
れた導電性樹脂材料からなる中間電極と、前記上面電極
および中間電極と電気的に接続されるように前記基板の
側面に設けられた側面電極とを備えた抵抗器。 - 【請求項３】 保護膜を、薄膜抵抗体の端面より外側に
位置する部分までを覆うとともに金属酸化膜の端面より
内側を覆うように設けた請求項２記載の抵抗器。 - 【請求項４】 保護膜を、薄膜抵抗体の端面より内側を
覆うとともに金属酸化膜の端面より内側を覆うように設
けた請求項２記載の抵抗器。 - 【請求項５】 絶縁性の基板の上面の両端部に少なくと
も一対の上面電極を形成し、この一対の上面電極に両端
部が重なるように少なくとも一つの薄膜抵抗体を形成
し、前記薄膜抵抗体および上面電極の一部を覆うように
金属酸化膜を形成し、前記薄膜抵抗体の端面より外側に
位置する部分までを覆うとともに前記金属酸化膜の端面
より内側を覆うように保護膜を形成し、前記一対の上面
電極と電気的に接続されるように前記基板の側面に側面
電極を形成するようにした抵抗器の製造方法。 - 【請求項６】 絶縁性の基板の上面の両端部に少なくと
も一対の上面電極を形成し、この一対の上面電極に両端
部が重なるように少なくとも一つの薄膜抵抗体を形成
し、前記薄膜抵抗体および上面電極の一部を覆うように
金属酸化膜を形成し、前記金属酸化膜の端面より内側を
覆うように保護膜を形成し、前記上面電極および金属酸
化膜の上面を覆いかつ保護膜に接するように導電性樹脂
材料からなる中間電極を形成し、前記上面電極および中
間電極と電気的に接続されるように前記基板の側面に側
面電極を形成するようにした抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29203699A JP2001110601A (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | 抵抗器およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29203699A JP2001110601A (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | 抵抗器およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001110601A true JP2001110601A (ja) | 2001-04-20 |
Family
ID=17776710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29203699A Pending JP2001110601A (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | 抵抗器およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001110601A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003046934A1 (fr) * | 2001-11-28 | 2003-06-05 | Rohm Co.,Ltd. | Pave resisitf et procede de fabrication correspondant |
| WO2008109262A1 (en) * | 2007-03-01 | 2008-09-12 | Vishay Intertechnology, Inc. | Sulfuration resistant chip resistor and method for making same |
| US8018318B2 (en) | 2008-08-13 | 2011-09-13 | Cyntec Co., Ltd. | Resistive component and method of manufacturing the same |
| US9818512B2 (en) | 2014-12-08 | 2017-11-14 | Vishay Dale Electronics, Llc | Thermally sprayed thin film resistor and method of making |
| WO2021075221A1 (ja) * | 2019-10-18 | 2021-04-22 | Koa株式会社 | チップ部品 |
| WO2021075222A1 (ja) * | 2019-10-18 | 2021-04-22 | Koa株式会社 | チップ部品およびチップ部品の製造方法 |
-
1999
- 1999-10-14 JP JP29203699A patent/JP2001110601A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003046934A1 (fr) * | 2001-11-28 | 2003-06-05 | Rohm Co.,Ltd. | Pave resisitf et procede de fabrication correspondant |
| US7098768B2 (en) | 2001-11-28 | 2006-08-29 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method for making the same |
| CN100351956C (zh) * | 2001-11-28 | 2007-11-28 | 罗姆股份有限公司 | 芯片电阻器及其制造方法 |
| US8957756B2 (en) | 2007-03-01 | 2015-02-17 | Vishay Intertechnology, Inc. | Sulfuration resistant chip resistor and method for making same |
| JP2010520624A (ja) * | 2007-03-01 | 2010-06-10 | ヴィシェイ インターテクノロジー インコーポレイテッド | 耐硫化チップ抵抗器およびその製造方法 |
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| US8514051B2 (en) | 2007-03-01 | 2013-08-20 | Vishay Intertechnology, Inc. | Sulfuration resistant chip resistor and method for making same |
| JP2013219387A (ja) * | 2007-03-01 | 2013-10-24 | Vishay Intertechnology Inc | 耐硫化チップ抵抗器およびその製造方法 |
| WO2008109262A1 (en) * | 2007-03-01 | 2008-09-12 | Vishay Intertechnology, Inc. | Sulfuration resistant chip resistor and method for making same |
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| WO2021075221A1 (ja) * | 2019-10-18 | 2021-04-22 | Koa株式会社 | チップ部品 |
| WO2021075222A1 (ja) * | 2019-10-18 | 2021-04-22 | Koa株式会社 | チップ部品およびチップ部品の製造方法 |
| JP7349317B2 (ja) | 2019-10-18 | 2023-09-22 | Koa株式会社 | チップ部品およびチップ部品の製造方法 |
| JP7372813B2 (ja) | 2019-10-18 | 2023-11-01 | Koa株式会社 | チップ部品 |
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