JP2001102747A - 多層基板とその製造方法および該多層基板への同軸コネクタ取り付け構造 - Google Patents

多層基板とその製造方法および該多層基板への同軸コネクタ取り付け構造

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JP2001102747A
JP2001102747A JP27825899A JP27825899A JP2001102747A JP 2001102747 A JP2001102747 A JP 2001102747A JP 27825899 A JP27825899 A JP 27825899A JP 27825899 A JP27825899 A JP 27825899A JP 2001102747 A JP2001102747 A JP 2001102747A
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dielectric substrate
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dielectric
substrate
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Taihei Nakada
大平 中田
Shigeru Mikami
成 三上
Takeshi Kumamoto
剛 熊本
Hideaki Fukuda
英明 福田
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】電気的特性の向上と信頼性の向上とを図る。 【解決手段】一方の面に導体膜層の形成された誘電体基
板22の他方の面にストリップライン1を形成し、この
ストリップライン1と導通する貫通スルーホール9を形
成する。一方の面に導体膜層の形成された誘電体基板2
1に貫通スルーホール9が露出するのぞき穴7を形成
し、誘電体基板21,22を互いの導体膜層を背中合わ
せにして張り合わせて多層基板2とする。この多層基板
2に取り付ける同軸コネクタ4としては本体41と中心
導体42とが一体化されたタイプのものを使用する。中
心導体42を貫通スルーホール9に通した状態で本体4
1を多層基板2に取り付け、中心導体42をのぞき穴7
側から貫通スルーホール9に半田付けする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばレーダ用空
中線装置の電力分配/合成回路など、特に高い周波数帯
で使用される多層基板とその製造方法および該多層基板
への同軸コネクタ取り付け構造に関する。
【0002】
【従来の技術】例えばレーダ用空中線装置の電力分配/
合成回路などにおいては、ストリップラインの形成され
た多層基板に同軸コネクタを例えば垂直に取り付けるこ
とが多い。従来のこの種の取り付け構造には、図3に示
すものがあった。すなわち、2枚の誘電体基板21,2
2を張り合わせて多層基板2を作成する際、両方の誘電
体基板21,22に穴を空けてストリップライン1の先
端に貫通スルーホール3を形成する。多層基板2に接続
される同軸コネクタ4には本体41と中心導体42とが
固定されたものを使用し、中心導体42がスルーホール
3を通るように本体41を多層基板2に固定したのち、
中心導体42を半田付けなどで固定するようにしてい
た。
【0003】このほか、図4に示すように一方の誘電体
22側に穴を空けて不貫通スルーホール5とし、同軸コ
ネクタ6として本体41と中心導体42とが分離するタ
イプのものを使用し、中心導体42を予め不貫通スルー
ホール5に半田付けなどで接続したのち本体41をビス
等によって多層基板2に固定するようにしたものがあっ
た。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが図3に示す手
法では、ストリップライン1と中心導体42との導通の
ためには誘電体基板21側のスルーホールは本来必要無
く、構造上の無駄となっている。さらに悪いことに、こ
の不要なスルーホールがリアクタンス成分として振る舞
うために、特に高周波を取り扱う場合にはインピーダン
スの不整合を生じ、電気的特性が悪化して信号のロスな
どを生じる原因となっていた。
【0005】また図4に示す手法では、本体41から中
心導体42を分離し個別に多層基板2への取り付けを行
うため、その際に位置ずれが生じると、これに起因する
機械的ストレスが半田付け部分に直接に作用することに
なる。このため接続部分の断線などを生じる危険性が大
きく、信頼性を損なう原因となっていた。特に、同軸コ
ネクタ6の形状が小型化された場合には尚更であり、何
らかの対策が望まれていた。
【0006】本発明は上記事情によりなされたもので、
その目的は、電気的特性の向上と信頼性の向上とを図っ
た多層基板とその製造方法および該多層基板への同軸コ
ネクタ取り付け構造を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係わる多層基板とその製造方法は、一方面に
導体膜層が形成され他方面にストリップラインが配され
た第1の誘電体基板に対し、第2の誘電体基板を前記他
方面上に積層してなる多層基板にあって、前記第1の誘
電体基板に、前記ストリップラインと導通しかつ前記導
体膜層と絶縁されたスルーホールを形成し、前記第2の
誘電体基板に、前記スルーホール形成部分を露出させる
のぞき穴を形成するようにしたものである。
【0008】また本発明に係わる同軸コネクタ取り付け
構造は、本体およびこの本体と絶縁された中心導体が一
体化された同軸コネクタを上記多層基板に取り付けるた
めの取り付け構造であって、該同軸コネクタの中心導体
を前記スルーホールに通した状態で本体を前記第1の誘
電体基板に接続固定し、前記中心導体を前記のぞき穴側
から前記ストリップラインに接続固定するようにしたも
のである。
【0009】このような手段を講じたことにより、同軸
コネクタを多層基板に取り付ける際に中心導体が前記の
ぞき穴から露出することになる。この中心導体は、接続
されるべきストリップラインと導通するスルーホールに
通された状態であり、のぞき穴から半田付けなどでスト
リップラインに接続固定することができる。
【0010】このとき、のぞき穴を形成した分だけスル
ーホールの長さが短くなる。これによりリアクタンス成
分が減少し、従って特に高周波帯でのインピーダンス不
整合を解消して電気的特性を向上させることが可能とな
る。もちろん、のぞき穴から見て中心導体が露出してい
るので、作業性を損なうことも無い。
【0011】また本発明では、前記第2の誘電体基板の
積層面とは反対側の面に導体膜層が形成されていると
き、前記第1および第2の誘電体基板の導体膜層間を互
いに電気的に結合するスルーホールを前記のぞき穴の周
囲に形成してもよい。このようにすることで同軸コネク
タの取り付け部分にシールド効果を及ぼすことができ、
このことによっても電気的特性の向上を図れる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図1は、本発明に係わる同
軸コネクタ取り付け構造を示す図である。図1において
図3、図4と共通する部分には同一の符号を付す。図1
に示す構成では、まず、同軸コネクタ4として本体41
と中心導体42とが固定されたものを使用する。この同
軸コネクタ4が取り付けられる多層基板2は、例えば以
下のごとく作成される。
【0013】(1)図1(a)に示すように、片方の面
にアース用導体膜層(符号付さず)が形成された誘電体
基板22の他方の面に、所望のパターンのストリップラ
イン1を形成する。このストリップライン1の先端部に
同軸コネクタ4の中心導体42の寸法に合わせて穴を空
け、この穴にストリップライン1と接続する導体膜層を
形成して貫通スルーホール9を形成する。もちろんこの
貫通スルーホール9に被さる導体膜層は、アース用導体
膜層と絶縁されている。
【0014】(2)片方の面にアース用導体膜層が形成
された誘電体基板21に、のぞき穴7を形成する。のぞ
き穴7は、図1(b)に示すように中心導体42が見え
る位置に設け、貫通スルーホール9が露出するサイズと
する。より好ましくは、中心導体42を貫通スルーホー
ル9に半田付けする作業(手作業、機械的作業を問わな
い)が容易に行えるサイズとする。なお図1に示すごと
く、のぞき穴7の周囲には導体膜層を形成しない。
【0015】(3)2枚の誘電体基板21,22を、互
いのアース用導体膜層が形成された面を反対向きにして
張り合わせる。この状態から両誘電体基板21,22の
アース用導体膜層を結ぶように、かつストリップライン
1を避けつつ両誘電体基板21,22を通して穴を空け
る。好ましくは、図2に示すようにのぞき穴7の周囲を
取り囲むように複数の穴を空けるようにする。この穴に
導体膜層を形成してアース用の貫通スルーホール8を形
成し、多層基板2とする。このときのぞき穴7のサイズ
はアース用の貫通スルーホール8の配置径よりも小さく
なる。
【0016】このようにして形成された多層基板2に、
のぞき穴7の反対面から同軸コネクタ4を取り付ける。
その際、中心導体42を貫通スルーホール9に通した状
態でネジ止めなどにより本体41を固定する。そのの
ち、のぞき穴7側から中心導体42を半田付けなどによ
り貫通スルーホール9と固定するようにすれば良い。
【0017】上記構成で特徴的なのは、同軸コネクタ4
の取り付け面と反対側の誘電体基板21に、のぞき穴7
を形成したことにある。すなわち図1(本願発明)と図
3(従来例)とを比較して判るように、のぞき穴7を設
けることにより中心導体42の貫通部分の長さが誘電体
基板21の厚み分だけ短くなる。これによりリアクタン
ス成分を減らすことができ、特に高周波帯域でのインピ
ーダンス不整合を解消して電気的特性を向上させること
ができる。
【0018】しかも、同軸コネクタ4には本体41と中
心導体42とが一体化されたタイプのものを使用してい
るため、取り付けの際に中心導体42の固定部分に機械
的ストレスが集中することを避けることができる。この
ため断線などの虞を削減でき、信頼性を向上させること
が可能となる。
【0019】また上記構成によれば、図2に示すごとく
のぞき穴7の周囲に設けられた貫通スルーホール8は、
中心導体42の半田付け部分に対してシールド効果を及
ぼす。これによっても電気的特性の向上を図ることがで
きる。
【0020】なお本発明は上記構成に限るものではな
く、同軸コネクタ4に代えて、同軸の線材を直接多層基
板2に接続固定するような用途にも使用することが可能
である。このほか、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種
々の変形実施を行うことができる。
【0021】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、電
気的特性の向上と信頼性の向上とを図った多層基板とそ
の製造方法および該多層基板への同軸コネクタ取り付け
構造を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係わる同軸コネクタ取り付け構造を
示す断面図。
【図2】 本発明に係わる同軸コネクタ取り付け構造を
示す上面図。
【図3】 従来の取り付け構造の一例を示す断面図。
【図4】 従来の取り付け構造の一例を示す断面図。
【符号の説明】
1…ストリップライン 2…多層基板 21,22…誘電体基板 3…貫通スルーホール 4…同軸コネクタ 41…本体 42…中心導体 5…不貫通スルーホール 6…同軸コネクタ 7…のぞき穴 8…アース用の貫通スルーホール 9…貫通スルーホール
フロントページの続き (72)発明者 熊本 剛 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝小向工場内 (72)発明者 福田 英明 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝小向工場内 Fターム(参考) 5E023 AA01 AA16 BB22 CC22 FF01 HH01 HH11 HH16 HH18 5E346 AA42 BB02 FF34 FF45 GG15 GG28 HH06 HH07

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一方面に導体膜層が形成され他方面にス
    トリップラインが配された第1の誘電体基板に対し、第
    2の誘電体基板を前記他方面上に積層してなる多層基板
    において、 前記第1の誘電体基板には、 前記ストリップラインと導通しかつ前記導体膜層と絶縁
    されたスルーホールを形成し、 前記第2の誘電体基板には、 前記スルーホール形成部分を露出させるのぞき穴を形成
    してなることを特徴とする多層基板。
  2. 【請求項2】 前記第2の誘電体基板の積層面とは反対
    側の面に導体膜層が形成されているとき、さらに、前記
    のぞき穴の周囲に、前記第1および第2の誘電体基板の
    導体膜層間を互いに電気的に結合するスルーホールを形
    成してなることを特徴とする請求項1に記載の多層基
    板。
  3. 【請求項3】 一方面に導体膜層が形成された第1の誘
    電体基板の他方面にストリップラインを配する工程と、 このストリップラインと導通しかつ前記導体膜層と絶縁
    されたスルーホールを第1の誘電体基板に形成する工程
    と、 第2の誘電体基板に、前記スルーホールを露出させるこ
    との可能なのぞき穴を形成する工程と、 前記第1の誘電体基板の他方面上に、前記第2の誘電体
    基板を、前記のぞき穴から前記スルーホール形成部分が
    露出するようにして積層させる工程とを具備することを
    特徴とする多層基板の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記第2の誘電体基板の積層面とは反対
    側の面に導体膜層が形成されているとき、さらに、前記
    第1および第2の誘電体基板の導体膜層間を互いに電気
    的に結合するスルーホールを前記のぞき穴の周囲に形成
    する工程を備えることを特徴とする請求項3に記載の多
    層基板の製造方法。
  5. 【請求項5】 一方面に導体膜層が形成され他方面にス
    トリップラインが配された第1の誘電体基板に対し第2
    の誘電体基板を前記他方面上に積層してなる多層基板
    に、本体およびこの本体と絶縁された中心導体が一体化
    された同軸コネクタを取り付けるための同軸コネクタ取
    り付け構造であって、 前記第1の誘電体基板には、前記ストリップラインと導
    通しかつ前記導体膜層と絶縁されたスルーホールが形成
    され、 前記第2の誘電体基板には、前記スルーホール形成部分
    を露出させるのぞき穴が形成され、 前記同軸コネクタは、前記中心導体を前記スルーホール
    に通した状態で本体を前記第1の誘電体基板に接続固定
    され、前記中心導体が前記のぞき穴側から前記ストリッ
    プラインに接続固定されることを特徴とする同軸コネク
    タ取り付け構造。
  6. 【請求項6】 前記第2の誘電体基板の積層面とは反対
    側の面に導体膜層が形成されているとき、さらに、前記
    のぞき穴の周囲に、前記第1および第2の誘電体基板の
    導体膜層間を互いに電気的に結合するスルーホールが形
    成されたことを特徴とする請求項5に記載の同軸コネク
    タ取り付け構造。
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