JP2001099855A - マイクロマシニング型の回転角加速度センサ - Google Patents
マイクロマシニング型の回転角加速度センサInfo
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Abstract
マイクロマシニング型の回転角加速度センサを提供す
る。 【解決手段】 リング状のはずみ質量体10が、撓みば
ね装置15a,15b,15cを介して中央の固定装置
20に結合されており、はずみ質量体10が、回転軸線
zを中心にして、検出したい回転角加速度によって弾性
的に静止位置から変位可能であり、はずみ質量体10
に、変位可能な第1のコンデンサプレート装置101〜
106が設けられており、基板上に、固定の第2のコン
デンサプレート装置201〜218が設けられており、
両コンデンサプレート装置が、回転軸線zを中心とした
回転角加速度を表すパラメータxを検出するための差動
コンデンサ装置として形成されている。
Description
グ型(mikromechanisch.)の回転角加
速度センサに関する。
unigung)を測定するためには、通常、ヨーレー
トセンサ(ジャイロスコープ、回転角速度センサ)が使
用される。この場合、ヨーレートから時間的な微分によ
って回転角加速度が推量される。
ラ(W.Golderer)、J.ゲルステンマイヤ
(J.Gerstenmeier)、J.マレーク
(J.Marek)、B.マイヘーファ(B.Maih
oefer)およびD.シューベルト(D.Schub
ert)著の「A Precision Yaw Ra
teSensor in Silicon Micro
machining」;SAE Technical
Paper、980267およびK.フンク(K.Fu
nk)、A.シルプ(A.Schilp)、M.オッフ
ェンベルク(M.Offenberg)、B.エルスナ
(B.Elsner)およびF.ラルマ(F.Laer
mer)著の「Surface−micromachi
ning of Resonant Silicon
Structures」;The 8th Inter
national Conference on So
lid−State Sonsor and Actu
ators,Eurosensors IX,ストック
ホルム(Stockholm)、スェーデン国(Sch
weden)、1995年6月25日〜29日、第50
頁〜第52頁の記載に基づき、通常、比較的複雑な電子
評価装置を必要とするヨーレートセンサが知られてい
る。
号明細書に基づき、回転角加速度検出装置が公知であ
り、この場合、複数の加速度センサが電気的に評価さ
れ、そして各加速度センサの信号の結合を介して、つま
り信号の差値形成、総和値形成もしくは平均値形成を介
して、回転角加速度が推量される。
ットマイヤ K.(Nottmeyer.K)、カナイ
Y.(Kanai Y.)、ベルベリヒ O.(Be
rberig O.)、コバヤシ T.(Kobaya
shi T.)、エサシ M.著の「Proc. Tr
ansducers ′99」、仙台、日本国、199
9年6月7日〜10日、第1302頁〜第1305頁に
は、複雑な組み合わされた線状加速度・回転角加速度セ
ンサが記載されている。
的単純な電子評価装置しか必要としないマイクロマシニ
ング型の回転角加速度センサを提供することである。
に本発明の構成では、基板が設けられていて、該基板
が、該基板上に設けられた固定装置を有しており、リン
グ状の回転質量体もしくははずみ質量体が設けられてい
て、該はずみ質量体が、撓みばね装置を介して前記固定
装置に結合されており、前記固定装置が、ほぼリング中
央に位置していて、リング状のはずみ質量体が、少なく
とも1つの回転軸線を中心にして、検出したい回転角加
速度によって弾性的に静止位置から変位可能であり、リ
ング状のはずみ質量体に取り付けられた、変位可能な第
1のコンデンサプレート装置と、基板上に取り付けられ
た、固定の第2のコンデンサプレート装置とが設けられ
ており、第1のコンデンサプレート装置と、第2のコン
デンサプレート装置とが、回転軸線を中心とした回転角
加速度を表すパラメータを検出するための差動コンデン
サ装置として形成されているようにした。
サ構造体の使用により、回転角速度の時間的な導出なし
に回転角加速度を測定することができるようにする点に
ある。このためには、公知の容量型の加速度センサをほ
とんど変更することなしに引き取ることのできる単純な
容量型の差動容量測定装置を利用することができる。
角加速度センサは公知の解決手段に比べて、次のような
特別な利点を有している。すなわち、本発明によるマイ
クロマシニング型の回転角加速度センサは小さな構成寸
法しか有しておらず、そしてたとえば標準の表面マイク
ロマシニング製作プロセスにおいて廉価に製造可能とな
る。
(櫛)構造体を備えた加速度センサの製作から知られて
いるプロセスである。表面マイクロマシニング技術の使
用、特に典型的に10μmの厚さの厚いエピポリ層(E
pipolyschicht)を用いた大量製造プロセ
スの使用に基づき、僅かな横方向感度を達成させる剛性
的なセンサ構造体の形成が可能となる。
クロマシニング型の回転角加速度センサの有利な改良形
が記載されている。
ずみ質量体に取り付けられた、変位可能な第3のコンデ
ンサプレート装置と、基板上に取り付けられた、固定の
第4のコンデンサプレート装置とが設けられている。第
3のコンデンサプレート装置と、第4のコンデンサプレ
ート装置とが、撓みばね装置のばね剛性を静電気的にチ
ューニングするためのスチフネス・チューニング装置と
して形成されている。これによって、プロセス技術的な
限界を超えて、測定感度を調節することができる。
量体が円形リング構造体を有していて、基板表面に対し
て垂直に位置する回転軸線を中心にして変位可能であ
る。
1のコンデンサプレート装置と、第3のコンデンサプレ
ート装置とが、円形リング構造体に設けられた切欠き内
に形成されている。このことは高価なレイアウトスペー
スを節約する。
2のコンデンサプレート装置と、第4のコンデンサプレ
ート装置とが、円形リング構造体に設けられた切欠き内
に突入している。このことは、外部の回転角加速度に基
づく角度変化をできるだけ大きな距離変化に変換するた
めに、回転点から大きく遠ざけられた質量(最大の慣性
モーメント)と、同じく大きく外側に位置する電極との
間での妥協を提供する。
ずみ質量体が、二重円形リング構造体を有していて、基
板表面に対して直角に位置する回転軸線を中心にして変
位可能である。この場合には、両円形リングの間に差動
コンデンサ装置および/またはスチフネス・チューニン
グ装置が配置されている。
みばね装置が、内側の円形リングに設けられた中断部を
通じて、外側の円形リングにまで案内されている。これ
によって、曲げ剛性を減少させ、ひいては感度を高める
ことができる。
ずみ質量体が方形リング構造体を有していて、基板表面
に対して平行に延びる回転軸線を中心にして変位可能で
ある。このことから、このような回転軸線に関しても、
はずみ質量体の回転対称的な構造体が得られる。
1のコンデンサプレート装置が、回転軸線に対して平行
に延びる方形体辺に沿って設けられており、第2のコン
デンサプレート装置が、その下に位置する基板範囲に設
けられている。こうして、シーソ原理(Wippenp
rinzip)に基づく差動コンデンサを実現すること
ができる。
面につき詳しく説明する。図面中、同一の構成部分また
は同一機能を有する構成部分は同じ符号で示されてい
る。
グ型の回転角加速度センサの第1実施例が概略的な平面
図で示されている。
型の回転角加速度センサでは、基板(図示しない)、た
とえばSiウェーハが設けられており、この基板は、こ
の基板上に設けられた固定装置20、たとえばポスト
(柱体)を有している。
5a,15b,15cから成る撓みばね装置を介して、
リング状の回転質量体もしくははずみ質量体10が結合
されており、この場合、固定装置20はほぼリング中央
に位置していて、これによりリング状のはずみ質量体1
0はz軸を中心として、検出したい回転角加速度によっ
て弾性的にその静止位置から変位可能となる。x方向も
しくはy方向における加速度に対する感度を小さく保持
するためには、少なくとも3つの撓みばねを設けること
が有利である。
コンデンサプレート101,102,103,104,
105,106から成る変位可能な第1のコンデンサプ
レート装置が設けられている。また、隣接したリング材
料も、コンデンサの一部として働く。基板には、18個
のコンデンサプレート201,202,203,20
4,205,206,207,208,209,21
0,211,212,213,214,215,21
6,217,218から成る位置不動の、つまり固定の
第2のコンデンサプレート装置が設けられている。
のコンデンサプレート装置は、公知の形式で、回転軸線
を中心とした回転角加速度を表すパラメータ、つまりこ
の場合には変位量aを検出するための差動コンデンサ装
置として形成されており、この場合、aは半径R×回転
角ψにほぼ等しい。
つの容量(キャパシタンス)が互いに逆向きに変化する
ので、つまり一方の容量が増加すると、他方の容量が減
少するので、加速度センサから知られている評価方法を
変位量aの評価のために使用することができる(差動コ
ンデンサ原理)。単に静止容量の大きさ(センサデザイ
ン)もしくは電子評価装置の増幅だけを評価ICもしく
は測定領域に適合させるだけで済む。
た、3つのコンデンサプレート111,112,113
を備えた変位可能な第3のコンデンサプレート装置およ
び基板に設けられた、3つのコンデンサプレート対40
a,40b,40cから成る固定の第4のコンデンサプ
レート装置は、撓みばね装置15a,15b,15cの
ばね剛性を静電気的にチューニングするためのスチッフ
ネス・チューニング装置(Stiffness−Tun
ing−Einrichtung)として働く(さらに
下で詳しく説明する)。
サプレート装置101〜106と、第3のコンデンサプ
レート装置111〜113とは、円形リング構造体に設
けられた複数の切欠き内に形成されており、この場合、
第2のコンデンサプレート装置201〜218と、第4
のコンデンサプレート装置40a〜40cとは、円形リ
ング構造体に設けられたこれらの切欠き内に突入してい
て、対応する変位可能なコンデンサプレートと静電気的
に協働する。
機能は、以下に挙げる物理的な関係をベースとしてい
る。
グ型の回転角加速度センサの第2実施例が概略的な平面
図で示されている。
回転角加速度センサでは、回転質量体もしくははずみ質
量体10′が二重円形リング構造体を有していて、やは
りz軸を中心として変位可能である。差動キャパシタ装
置もしくは差動コンデンサ装置は、図面を見易くすると
いう理由からそれぞれ一括して符号S1,S2,S3で
示されており、スチフネス・チューニング装置は符号T
1,T2,T3,T4,T5,T6で示されている。
の両円形リングの間に配置されている。変位可能なコン
デンサプレートは内側の円形リングの外周面に設けられ
ている(原理的には、変位可能なコンデンサプレートを
外側の円形リングの内周面に配置することもできる)。
撓みばね15a,15b,15cは内側の円形リングに
設けられた中断部を通じて、外側の円形リングにまで案
内されて、この外側の円形リングに作用している。
で、できるだけ大きな測定効果を得るためには、慣性モ
ーメントが最大化され、方向モーメントが最小化され、
そして変位半径、つまりばね懸吊部に対して相対的なコ
ンデンサプレートの位置が最大化されなければならな
い。
質量の、懸吊点に対して相対的な位置(二次;quad
ratisch)とによって決定される。
高さ(一次)と、ばね幅(三次;kubisch)と、
ばね長さ(逆三次;invers kubisch)と
に関連している。このことは次のように示すことができ
る。
方向におけるばね剛性kRは、次の式で表される:
もしくは方向モーメントDmechを撓み梁の数nBを考慮
して求めることができる:
つ長尺の梁ばねを配置することによって軟らかいばねが
得られる。梁ばねの高さはデザインパラメータとしてさ
しあたり利用され得ない。なぜならば、プロセス技術的
な理由から、梁の高さを容易に変更することができない
からである。
ことは構造体の、著しく増大された感度において外部の
z加速度に作用してしまう。すなわち、個々の梁のz方
向におけるばね剛性は:
限に可能な構造体幅(ばね幅)と、センサ構造体の最大
サイズ(チップ面)と、z方向、つまりチップ表面に対
して直角な方向における加速度に対する構造体の横方向
感度とから生ぜしめられる。
に相矛盾して設定された条件、すなわち、長尺で小幅の
撓みばね、できるだけ小さな質量(つまりF=m・aに
基づく線状加速度に対する小さな感度)ならびに固定点
からの質量の大きな距離に基づく、最大化された慣性モ
ーメントを考慮している。できるだけ大きな半径によっ
て変位量のスケーリングを得るためには、差動コンデン
サ装置S1〜S3の検出電極が、やはりできるだけ外側
に設けられている。
グ型の回転角加速度センサの第3実施例が概略的な斜視
図で示されている。
回転角加速度センサでは、回転質量体もしくははずみ質
量体10′′が方形リング構造体を有していて、基板表
面に対して平行に延びる回転軸線、つまりy軸と呼ばれ
る回転軸線を中心にして変位可能である。第1のコンデ
ンサプレート装置PMは回転軸線に対して平行に延びる
方形辺に沿って設けられており、第2のコンデンサプレ
ート装置PSはその下に位置する基板範囲に設けられて
いる。すなわち、差動コンデンサC1,C2は可動のセ
ンサ構造体と基板との間に形成される。
10′′は回転軸線からできるだけ大きく遠ざけられて
設けられており、これによりできるだけ大きな慣性モー
メントが得られると同時に、最小化された質量(横方向
感度)も達成される。ばね戻しモーメントはこの場合、
梁状の捩りばね15a′,15b′によって付与され
る。これらの捩りばね15a′,15b′は、薄くて、
ただしできるだけ剛性的な保持部18を介してはずみ質
量体10′′に結合されている。
例および第2実施例の場合と同様に次のようなデザイン
考察が当てはまる。センサ質量は横方向感度に基づき最
小化されなければならないが、それに対して慣性モーメ
ントは最大であることが望ましい。このことは、はずみ
質量体10′′を懸吊軸線に関して長尺のアームの端部
に取り付けることによって達成される。
スト説明するために、2つの固定電極の間に配置された
1つの可動電極が概略的に示されている。
ンデンサプレートを、符号PBが可動のコンデンサプレ
ートを、符号Uが電圧を、符号dがプレート間隔を、そ
して符号aが変位量を、それぞれ示している。
もしくは測定量(回転角加速度)と横方向影響(z加速
度)との間の比較的大きな感度間隔を達成するために
は、上で説明した第1実施例および第2実施例において
は、たとえばK.Y.パーク(Park)、C.W.リ
ー(Lee)、H.S.ヤング(Jang)、Y.S.
オウ(Oh)およびB.J.ハ(ha)著の「Capa
citive Sensing Type Surfa
ce Micromachined Silicon
Accelerometer with A Stif
fness Tuning Capability」
(Proc.MEMS98、1998年1月25日〜2
9日、Heidelberg、ドイツ連邦共和国)第6
37頁〜第642頁に記載されているような「スチフネ
ス・チューニング装置」が設けられている。
電圧によって電気的な吸引力を生ぜしめる。この吸引力
の作用は、負のばね定数とみなすことができる。
加算することにより、必要となるばね剛性は減少し、し
たがってセンサ質量を変位させるためには、一層僅かな
モーメントだけしか必要とならない。全方向モーメント
のためには、機械的な方向モーメントと電気的な方向モ
ーメントとの総和を記載することもできる。
Dmech+Delが成り立つ。
ず図5に示したような、面積Aを有するプレートコンデ
ンサのエネルギ含量を利用する。電気的なエネルギに関
しては:
により、x方向における力作用を規定することができ
る。引き続き、もう一回xを求めて導出されると、電気
的なばね剛性が得られる。
とは逆向きの力作用により生じる。電気的なばね剛性
は、上記式で表したように変位量に関連していて、かつ
非線形である。推定のためには、静止位置、つまりx=
0を中心としたばね剛性を以下のように簡単にすること
ができる:
た電圧の変動と、ギャップ間隔dもしくはそのプロセス
技術的な変動とに著しく関連している。したがって、こ
のデザインでは、スチフネス・チューニング電極のギャ
ップ間隔が、最大測定領域におけるセンサ構造体の変位
量に比べて大きく設定される。
て、測定軸線を中心としてセンサを意図的に軟化させ、
それに対して横方向感度はこのような軟化の影響を全く
受けないで済む。
気的な正帰還(Mitkopplung)によって導入
されたシステムの非線形性(Nicht−Linear
itaet)は、公称変位量に比例して電極間隔を適当
に設定することにより最小化することができる。
るマイクロマシニング型の回転角加速度センサの第1実
施例〜第3実施例のための可能なカプセル封入体が横断
面図で示されている。
加的に、符号50が図1〜図3に示したマイクロマシニ
ング型の回転角加速度センサを、符号100が基板を、
符号110が二酸化ケイ素から成る第1の絶縁層を、符
号120がアルミニウムから成る第1の導電層を、符号
135がベースを、符号140が二酸化ケイ素から成る
第2の絶縁層を、符号150がガラスはんだを、符号1
60がシリコンウェーハの形のキャップを、符号170
がボンディングパッドのためのアルミニウムから成る第
2の導電層を、符号175がボンディングパッドベース
を、符号180がボンディングパッド開口を、それぞれ
示している。
ロマシニング型の回転角加速度センサをパッケージ化す
るための方法を詳しく説明する。
マイクロマシニングの公知のプロセスステップを用い
て、本発明によるマイクロマシニング型の回転角加速度
センサの製造が行われる(たとえば、表面マイクロマシ
ニングプロセスが説明されている、M.Offenbe
rg、F.Laermer、B.Elsner、H.M
uenzelおよびW.Riethmueller著の
「Novel process for a mono
lithic integrated acceler
ometer」、Transducers95参照)。
特に、小さな回転角加速度を測定するためには、このよ
うにして達成可能な小さな構造体幅と、大きな層厚さと
が(高いアスペクト比)好都合となる。
縁層110の析出もしくは成長と、パターン化とが行わ
れる。
デンサ装置とのための電気的な接続部を形成するため
に、第1の導電層120が、(埋設したい)LPCVD
ポリシリコンから析出され、かつパターン化される。
ケイ素から成る第2の絶縁層140が析出され、かつパ
ターン化される。
速度センサ50を形成するために、形成された構造体上
に、エピタキシポリシリコン(エピタキシャル成長装置
を用いて製造した多結晶シリコン)から成る第2の導電
層130が析出され、かつパターン化される。また、こ
の第2の導電層130からは、キャップウェーハ160
のためのベース135と、ボンディングパッドベース1
75とが形成される。
能なコンポーネントが、基板100の上で自由に運動可
能にされる。
ップ装着が行われる。キャップ装着プロセスのために
は、例示的にガラスはんだ結合技術が示されている。こ
のガラスはんだ結合技術を用いて、センサを密にカプセ
ル封入すると同時に、真空を封入することができる(こ
の真空を介してシステムの機械的な品質もしくは減衰を
調節することができる)。しかし、別の技術、たとえば
陽極ボンディングをキャップ装着のために使用すること
もできる。
きたが、しかし本発明は上記実施例に限定されるもので
はなく、それどころか種々様々に改良可能である。
的形状)ならびに撓みばね装置およびコンデンサ装置の
ジオメトリは図示の例に限定されるものではない。しか
し、外部加速度の線形成分が測定結果を誤める危険が存
在する場合には、固定部を中心とした対称的な配置から
の比較的大きなずれを回避することが望ましい。
方法は、やはり例示的なものであるに過ぎず、別の方
法、たとえば電気メッキ法(galvanisch.V
erfahren)を同じく回転角加速度センサの製造
のために使用することもできる。
速度センサの第1実施例を示す概略的な平面図である。
速度センサの第2実施例を示す概略的な平面図である。
速度センサの第3実施例を示す概略的な斜視図である。
めの、2つの固定電極の間に配置された1つの可動電極
を示す概略図である。
ニング型の回転角加速度センサの第1実施例、第2実施
例および第3実施例のためのカプセル封入体を示す横断
面図である。
5b,15c 撓みばね、 15a′,15b′ 捩り
ばね、 18 保持部、 20 固定装置、40a,4
0b,40c コンデンサプレート対、 50 回転角
加速度センサ、 100 基板、 101,102,1
03,104,105,106 コンデンサプレート、
110 第1の絶縁層、 111,112,113
コンデンサプレート、 120 第1の導電層、 13
5 ベース、 140 第2の絶縁層、 150 ガラ
スはんだ、 160 キャップ、 170 第2の導電
層、 175 ボンディングパッドベース、 180
ボンディングパッド開口、 201,202,203,
204,205,206,207,208,209,2
10,211,212,213,214,215,21
6,217,218 コンデンサプレート、 C1,C
2 差動コンデンサ、 PB 可動のコンデンサプレー
ト、 PF1,PF2 固定のコンデンサプレート、
PM 第1のコンデンサプレート装置、 PS 第2の
コンデンサプレート装置、 S1,S2,S3 差動コ
ンデンサ装置、 T1,T2,T3,T4,T5,T6
スチフネス・チューニング装置、
Claims (9)
- 【請求項1】 マイクロマシニング型の回転角加速度セ
ンサにおいて、 基板(100)が設けられていて、該基板(100)
が、該基板(100)上に設けられた固定装置(20;
20′′)を有しており、 リング状のはずみ質量体(10;10′;10′′)が
設けられていて、該はずみ質量体(10;10′;1
0′′)が、撓みばね装置(15a,15b,15c;
15a′,15b′)を介して前記固定装置(20;2
0′′)に結合されており、前記固定装置(20;2
0′′)が、ほぼリング中央に位置していて、リング状
のはずみ質量体(10;10′;10′′)が、少なく
とも1つの回転軸線(z,y)を中心にして、検出した
い回転角加速度によって弾性的に静止位置から変位可能
であり、 リング状のはずみ質量体(10;10′;10′′)に
取り付けられた、変位可能な第1のコンデンサプレート
装置(101,102,103,104,105,10
6;PM)と、基板(100)上に取り付けられた、固
定の第2のコンデンサプレート装置(201,202,
203,204,205,206,207,208,2
09,210,211,212,213,214,21
5,216,217,218;PS)とが設けられてお
り、 第1のコンデンサプレート装置(101,102,10
3,104,105,106;PM)と、第2のコンデ
ンサプレート装置(201,202,203,204,
205,206,207,208,209,210,2
11,212,213,214,215,216,21
7,218;PS)とが、回転軸線(z,y)を中心と
した回転角加速度を表すパラメータ(x)を検出するた
めの差動コンデンサ装置(S1,S2,S3;C1,C
2)として形成されていることを特徴とする、マイクロ
マシニング型の回転角加速度センサ。 - 【請求項2】 リング状のはずみ質量体(10;1
0′;10′′)に取り付けられた、変位可能な第3の
コンデンサプレート装置(111,112,113)
と、基板(100)上に取り付けられた、固定の第4の
コンデンサプレート装置(40a,40b,40c)と
が設けられており、 第3のコンデンサプレート装置(111,112,11
3)と、第4のコンデンサプレート装置(40a,40
b,40c)とが、撓みばね装置(15a,15b,1
5c;15a′,15b′)のばね剛性を静電気的にチ
ューニングするためのスチフネス・チューニング装置
(T1,T2,T3,T4,T5,T6)として形成さ
れている、請求項1記載のマイクロマシニング型の回転
角加速度センサ。 - 【請求項3】 はずみ質量体(10;10′)が円形リ
ング構造体を有していて、基板表面に対して垂直に位置
する回転軸線(z)を中心にして変位可能である、請求
項1または2記載のマイクロマシニング型の回転角加速
度センサ。 - 【請求項4】 第1のコンデンサプレート装置(10
1,102,103,104,105,106)と、第
3のコンデンサプレート装置(111,112,11
3)とが、円形リング構造体に設けられた切欠き内に形
成されている、請求項3記載のマイクロマシニング型の
回転角加速度センサ。 - 【請求項5】 第2のコンデンサプレート装置(20
1,202,203,204,205,206,20
7,208,209,210,211,212,21
3,214,215,216,217,218)と、第
4のコンデンサプレート装置(40a,40b,40
c)とが、円形リング構造体に設けられた切欠き内に突
入している、請求項3または4記載のマイクロマシニン
グ型の回転角加速度センサ。 - 【請求項6】 はずみ質量体(10;10′)が、二重
円形リング構造体を有していて、基板表面に対して垂直
に位置する回転軸線(z)を中心にして変位可能であ
り、両円形リングの間に差動コンデンサ装置(S1,S
2,S3)および/またはスチフネス・チューニング装
置(T1,T2,T3,T4,T5,T6)が配置され
ている、請求項1または2記載のマイクロマシニング型
の回転角加速度センサ。 - 【請求項7】 撓みばね装置(15a,15b,15
c)が、内側の円形リングに設けられた中断部を通じて
外側の円形リングにまで案内されている、請求項6記載
のマイクロマシニング型の回転角加速度センサ。 - 【請求項8】 はずみ質量体(10′′)が方形リング
構造体を有していて、基板表面に対して平行に延びる回
転軸線(y)を中心にして変位可能である、請求項1ま
たは2記載のマイクロマシニング型の回転角加速度セン
サ。 - 【請求項9】 第1のコンデンサプレート装置(PM)
が、回転軸線(y)に対して平行に延びる方形体辺に沿
って設けられており、第2のコンデンサプレート装置
(PS)が、その下に位置する基板範囲に設けられてい
る、請求項8記載のマイクロマシニング型の回転角加速
度センサ。
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