JP2001092381A - 有機elディスプレイおよびその製造方法 - Google Patents
有機elディスプレイおよびその製造方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】アクティブマトリクス駆動有機ELディスプレ
イが大型化した場合においても、歩留まりよく、安価に
製造できる構造を得る。 【解決手段】多層基板の第1層の表面に陰極2を形成
し、その上に有機膜3を形成し、その上に共通陽極4を
形成して有機EL画素をマトリックス状に形成する。多
層基板の第2層に配線部を形成する。多層基板の第3層に
共通陽極取り出し電極9、陰極取り出し電極6,7,8
を形成し、第1層の陽極および各陰極と第3層の陽極取
り出し電極および陰極取り出し電極とを第2層の配線部
5および各層に設けた貫通孔を介して電気的に接続す
る。駆動ICを第3層の共通陽極取り出し電極および各
陰極取り出し電極に接続する。
イが大型化した場合においても、歩留まりよく、安価に
製造できる構造を得る。 【解決手段】多層基板の第1層の表面に陰極2を形成
し、その上に有機膜3を形成し、その上に共通陽極4を
形成して有機EL画素をマトリックス状に形成する。多
層基板の第2層に配線部を形成する。多層基板の第3層に
共通陽極取り出し電極9、陰極取り出し電極6,7,8
を形成し、第1層の陽極および各陰極と第3層の陽極取
り出し電極および陰極取り出し電極とを第2層の配線部
5および各層に設けた貫通孔を介して電気的に接続す
る。駆動ICを第3層の共通陽極取り出し電極および各
陰極取り出し電極に接続する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ELディスプ
レイ、特にアクティブマトリクス駆動の有機ELディス
プレイとその製造方法に関する。
レイ、特にアクティブマトリクス駆動の有機ELディス
プレイとその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、有機薄膜のエレクトロルミネッセ
ンス(EL)現象を利用した有機EL素子を応用したデ
バイスとして、有機EL素子構造を単位画素として、そ
の単位画素を1枚の支持基板上に平面的に2次元に配置し
て薄膜トランジスタ(TFT)を用いてマトリクス駆動
するアクティブマトリクス駆動有機ELディスプレイが
研究開発されている。
ンス(EL)現象を利用した有機EL素子を応用したデ
バイスとして、有機EL素子構造を単位画素として、そ
の単位画素を1枚の支持基板上に平面的に2次元に配置し
て薄膜トランジスタ(TFT)を用いてマトリクス駆動
するアクティブマトリクス駆動有機ELディスプレイが
研究開発されている。
【0003】図8は、アクティブマトリクス駆動ELデ
ィスプレイの等価回路図である(例えば、特開平8−2
34683号公報参照)。画素を形成するEL素子(E
L)および2つのTFT(T1,T2)とコンデンサC
sからなる駆動回路を上下左右に複数個並べ、左右方向
に並んだ各駆動回路の第1のTFT(T1)のゲート端
子を走査線に接続して走査信号を与え、また上下方向に
並んだ各駆動回路の第1のTFTのドレイン端子をデー
タ線に接続し、発光信号を与えている。EL素子(E
L)の一端にはEL駆動電源(図示せず)が接続され、
コンデンサCsの一端はアースされている。
ィスプレイの等価回路図である(例えば、特開平8−2
34683号公報参照)。画素を形成するEL素子(E
L)および2つのTFT(T1,T2)とコンデンサC
sからなる駆動回路を上下左右に複数個並べ、左右方向
に並んだ各駆動回路の第1のTFT(T1)のゲート端
子を走査線に接続して走査信号を与え、また上下方向に
並んだ各駆動回路の第1のTFTのドレイン端子をデー
タ線に接続し、発光信号を与えている。EL素子(E
L)の一端にはEL駆動電源(図示せず)が接続され、
コンデンサCsの一端はアースされている。
【0004】図9は、図8のEL素子として有機EL素
子を用いた場合のアクティブ駆動ELディスプレイの1
画素の部分的断面図である(従来例1)。ガラス基板6
4上に、p−Si膜61、ゲート絶縁膜62、ゲート電
極65、ゲート絶縁膜62に設けたホールを介してp−
Si膜61に接続されているソース・ドレイン電極63
を形成しTFT部分を構成し、この上に絶縁層(平坦
層)66を形成し、その上部に陽極(ITO)68、有
機膜91および陰極92を形成して有機EL素子を形成
した構造を有している。なお、図9には、コンデンサや
配線については描いていないが、これらも同じガラス基
板64上に形成されている。このようなTFTと有機E
L素子からなる画素が同一基板上に複数個マトリクス状
に形成されてアクティブマトリクス駆動ディスプレイが
出来上がっている。
子を用いた場合のアクティブ駆動ELディスプレイの1
画素の部分的断面図である(従来例1)。ガラス基板6
4上に、p−Si膜61、ゲート絶縁膜62、ゲート電
極65、ゲート絶縁膜62に設けたホールを介してp−
Si膜61に接続されているソース・ドレイン電極63
を形成しTFT部分を構成し、この上に絶縁層(平坦
層)66を形成し、その上部に陽極(ITO)68、有
機膜91および陰極92を形成して有機EL素子を形成
した構造を有している。なお、図9には、コンデンサや
配線については描いていないが、これらも同じガラス基
板64上に形成されている。このようなTFTと有機E
L素子からなる画素が同一基板上に複数個マトリクス状
に形成されてアクティブマトリクス駆動ディスプレイが
出来上がっている。
【0005】一方、実開平4−31299号公報に、ア
クティブマトリクス駆動ELディスプレイにおいて、開
口率を高めて高画質のELディスプレイを得るために、
EL素子を形成したEL基板と、TFT、コンデンサ、
配線を形成したTFT基板とを、EL基板の電極とTF
T基板の電極とが接続バンクを用いて接続されるように
貼り合わせる構造が提案されている(従来例2)。
クティブマトリクス駆動ELディスプレイにおいて、開
口率を高めて高画質のELディスプレイを得るために、
EL素子を形成したEL基板と、TFT、コンデンサ、
配線を形成したTFT基板とを、EL基板の電極とTF
T基板の電極とが接続バンクを用いて接続されるように
貼り合わせる構造が提案されている(従来例2)。
【0006】図10および図11は、それぞれ実開平4
−31299号公報に提案されているアクティブマトリ
クス駆動ELディスプレイの断面図と斜視図である。図
10に示すように、ガラスなどのEL基板111上に、
透明電極(陽極)112、第1絶縁層113、ZnS発
光層114、第2絶縁層115および金属電極(陰極)
116を順次形成することによりEL素子が形成されて
いる。一方、TFT基板121上に、ゲート電極12
2、ゲート絶縁層123、a―Si層124、チャネル
保護膜125が順次積層され、この上にソース電極13
0とドレイン電極131が形成されてTFTが設けられ
ている。こうして別々に形成されたEL基板111とT
FT基板121を、それぞれの基板上の電極を接続バン
プ136を用いて接続するように貼り合わせて図11に
示すようなELディスプレイが構成されている。この様
な構成によって、1画素内の発光部の面積をEL基板上
に広くとることができるので開口率の高いアクティブマ
トリクス駆動ELディスプレイが得られるとしている。
なお、図11において、132は走査用電極、133は
データ用電極、134はグランド電極、135は透明電
極接続用電極である。
−31299号公報に提案されているアクティブマトリ
クス駆動ELディスプレイの断面図と斜視図である。図
10に示すように、ガラスなどのEL基板111上に、
透明電極(陽極)112、第1絶縁層113、ZnS発
光層114、第2絶縁層115および金属電極(陰極)
116を順次形成することによりEL素子が形成されて
いる。一方、TFT基板121上に、ゲート電極12
2、ゲート絶縁層123、a―Si層124、チャネル
保護膜125が順次積層され、この上にソース電極13
0とドレイン電極131が形成されてTFTが設けられ
ている。こうして別々に形成されたEL基板111とT
FT基板121を、それぞれの基板上の電極を接続バン
プ136を用いて接続するように貼り合わせて図11に
示すようなELディスプレイが構成されている。この様
な構成によって、1画素内の発光部の面積をEL基板上
に広くとることができるので開口率の高いアクティブマ
トリクス駆動ELディスプレイが得られるとしている。
なお、図11において、132は走査用電極、133は
データ用電極、134はグランド電極、135は透明電
極接続用電極である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上で述べた従来例1に
おいては、同一の基板上に、有機EL素子、TFT、コ
ンデンサ、配線などすべてを形成しているので、ディス
プレイのサイズがそのままTFTなどを形成するガラス
基板のサイズに相当していた。このためアクティブマト
リクス駆動ディスプレイのサイズを大きくするために
は、TFTなどを形成したガラス基板のサイズそのもの
を大きくせねばならなかった。
おいては、同一の基板上に、有機EL素子、TFT、コ
ンデンサ、配線などすべてを形成しているので、ディス
プレイのサイズがそのままTFTなどを形成するガラス
基板のサイズに相当していた。このためアクティブマト
リクス駆動ディスプレイのサイズを大きくするために
は、TFTなどを形成したガラス基板のサイズそのもの
を大きくせねばならなかった。
【0008】また、実開平4−31299号公報に記載
の従来例2の場合も、TFT基板とEL基板のサイズが
同じため、基板の面積そのものもほぼ同じになってい
た。
の従来例2の場合も、TFT基板とEL基板のサイズが
同じため、基板の面積そのものもほぼ同じになってい
た。
【0009】これら従来例のように、ディスプレイを形
成するガラス基板の面積と、TFTを使った駆動回路を
形成する基板の面積が同じ場合には、以下のような種々
の弊害が生じていた。すなわち、TFT駆動回路を製造
するプロセス装置がディスプレイの大型化と共に巨大
化、高価格化する。大面積ガラス基板の強度を稼ぐため
のガラス重量が増加する。大画面ガラス基板にTFTを
形成するので、大面積中のTFTやトランジスタの歩留
まりが低下する、などである。このような欠点は、従来
TFT駆動回路を、ディスプレイと同じ基板若しくは同
様の面積の基板に作るために生じていた。本発明の目的
は、かかる問題点を解消できるアクティブマトリクス駆
動有機ELディスプレイを提供することである。
成するガラス基板の面積と、TFTを使った駆動回路を
形成する基板の面積が同じ場合には、以下のような種々
の弊害が生じていた。すなわち、TFT駆動回路を製造
するプロセス装置がディスプレイの大型化と共に巨大
化、高価格化する。大面積ガラス基板の強度を稼ぐため
のガラス重量が増加する。大画面ガラス基板にTFTを
形成するので、大面積中のTFTやトランジスタの歩留
まりが低下する、などである。このような欠点は、従来
TFT駆動回路を、ディスプレイと同じ基板若しくは同
様の面積の基板に作るために生じていた。本発明の目的
は、かかる問題点を解消できるアクティブマトリクス駆
動有機ELディスプレイを提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の有機ELディス
プレイは、有機EL画素を多層基板に製作し、駆動回路
を別の基板に製作し、この2つの基板を接続し張り合わ
せて形成したこと、すなわち、有機EL画素を形成した
多層基板の配線により、駆動回路との接続面積を画素の
形成面積より縮小した点が特徴である。
プレイは、有機EL画素を多層基板に製作し、駆動回路
を別の基板に製作し、この2つの基板を接続し張り合わ
せて形成したこと、すなわち、有機EL画素を形成した
多層基板の配線により、駆動回路との接続面積を画素の
形成面積より縮小した点が特徴である。
【0011】本発明は、有機EL画素をマトリクス状に
形成したアクティブマトリクス駆動の有機ELディスプ
レイにおいて、多層基板の表面に有機EL画素をマトリ
クス状に形成し、前記有機EL画素に駆動電圧を印加す
る配線を前記多層基板の内層と前記有機EL画素を形成
した以外の層に形成し、前記有機EL画素を駆動する駆
動回路を集積形成した駆動ICを前記多層基板の前記有
機EL画素を形成した面と異なる面に設けた前記有機E
L画素の取り出し電極に接続したことを特徴とする。マ
トリクス状に形成された有機EL画素の陽極は、各画素
共通に形成されている。また、マトリクス状に形成され
た有機EL画素の陽極および陰極とこれらに駆動電圧を
印加する配線との電気的接続は、多層基板に設けた貫通
孔を介して行う。駆動ICは、シリコン基板上に集積し
て形成することができる。また、各画素共通に形成され
た陽極は、多層基板の有機EL画素を形成した表面に設
けた陽極接続電極を介して配線と接続してもよい。
形成したアクティブマトリクス駆動の有機ELディスプ
レイにおいて、多層基板の表面に有機EL画素をマトリ
クス状に形成し、前記有機EL画素に駆動電圧を印加す
る配線を前記多層基板の内層と前記有機EL画素を形成
した以外の層に形成し、前記有機EL画素を駆動する駆
動回路を集積形成した駆動ICを前記多層基板の前記有
機EL画素を形成した面と異なる面に設けた前記有機E
L画素の取り出し電極に接続したことを特徴とする。マ
トリクス状に形成された有機EL画素の陽極は、各画素
共通に形成されている。また、マトリクス状に形成され
た有機EL画素の陽極および陰極とこれらに駆動電圧を
印加する配線との電気的接続は、多層基板に設けた貫通
孔を介して行う。駆動ICは、シリコン基板上に集積し
て形成することができる。また、各画素共通に形成され
た陽極は、多層基板の有機EL画素を形成した表面に設
けた陽極接続電極を介して配線と接続してもよい。
【0012】さらに、本発明によれば、多層基板の表面
に複数の陰極をマトリクス状に形成する工程と、陰極上
に有機膜を形成する工程と、有機膜上に陽極を共通に形
成する工程と、多層基板の内層面に配線部を形成する工
程と、多層基板の裏面に共通陽極取り出し電極および各
陰極取り出し電極を形成する工程と、前記各陰極および
共通陽極とこれらの取り出し電極とを前記配線部および
多層基板に形成した貫通孔を介して電気的に接続する工
程と、前記共通陽極取り出し電極および各陰極取り出し
電極に駆動ICを接続する工程とを有することを特徴と
する有機ELディスプレイの製造方法が得られる。
に複数の陰極をマトリクス状に形成する工程と、陰極上
に有機膜を形成する工程と、有機膜上に陽極を共通に形
成する工程と、多層基板の内層面に配線部を形成する工
程と、多層基板の裏面に共通陽極取り出し電極および各
陰極取り出し電極を形成する工程と、前記各陰極および
共通陽極とこれらの取り出し電極とを前記配線部および
多層基板に形成した貫通孔を介して電気的に接続する工
程と、前記共通陽極取り出し電極および各陰極取り出し
電極に駆動ICを接続する工程とを有することを特徴と
する有機ELディスプレイの製造方法が得られる。
【0013】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態を示す
断面図で、有機EL画素を形成した基板の構造を示して
いる。この実施の形態で用いる基板は多層基板である。
多層基板(第1層)1の上に、陰極(アルミニウム)2が形
成してある。形成方法は多層基板1の上に銅等の金属層
を形成後、エッチング等によりパターンを形成し、この
上にアルミニウム層(リチウムを含む)を蒸着若しくは
スパッタ等で形成する。この陰極2の上に有機膜3を形
成する。有機膜3は、一般的には多層膜であるが、特に
本発明の場合には、単層若しくは多層膜のどちらでも問
題ない。有機膜3の上に陽極(ITO)4を形成する。
この陰極2と陽極4に有機膜3が挟まれた構造におい
て、陽極4より電圧を印加すると、有機膜3に電子と正
孔が注入され、この電子と正孔が再結合し発光する。
て説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態を示す
断面図で、有機EL画素を形成した基板の構造を示して
いる。この実施の形態で用いる基板は多層基板である。
多層基板(第1層)1の上に、陰極(アルミニウム)2が形
成してある。形成方法は多層基板1の上に銅等の金属層
を形成後、エッチング等によりパターンを形成し、この
上にアルミニウム層(リチウムを含む)を蒸着若しくは
スパッタ等で形成する。この陰極2の上に有機膜3を形
成する。有機膜3は、一般的には多層膜であるが、特に
本発明の場合には、単層若しくは多層膜のどちらでも問
題ない。有機膜3の上に陽極(ITO)4を形成する。
この陰極2と陽極4に有機膜3が挟まれた構造におい
て、陽極4より電圧を印加すると、有機膜3に電子と正
孔が注入され、この電子と正孔が再結合し発光する。
【0014】陰極2の第1の画素と、多層基板(第3
層)10の裏面に形成した第1画素陰極取り出し電極6
は、多層基板(第2層)12に形成した配線部5と各層
に形成した貫通孔を介して電気的に接続される。また、
第2の画素、第3の画素の陰極もそれぞれ第2画素陰極
取り出し電極7及び第3画素陰極取り出し電極8と配線
部5により接続される。陽極4は、各画素に共通に形成
され、これも配線部5と各層に形成した貫通孔を介して
多層基板(第3層)10の裏面に形成した共通陽極取り
出し電極9に接続される。第1画素陰極取り出し電極
6、第2画素陰極取り出し電極7、第3画素陰極取り出
し電極8及び共通陽極取り出し電極9は、駆動用のIC
11のパッドに接続される。また、多層基板1の表面に
キャップ13を接着し、有機膜を湿度より保護する。
層)10の裏面に形成した第1画素陰極取り出し電極6
は、多層基板(第2層)12に形成した配線部5と各層
に形成した貫通孔を介して電気的に接続される。また、
第2の画素、第3の画素の陰極もそれぞれ第2画素陰極
取り出し電極7及び第3画素陰極取り出し電極8と配線
部5により接続される。陽極4は、各画素に共通に形成
され、これも配線部5と各層に形成した貫通孔を介して
多層基板(第3層)10の裏面に形成した共通陽極取り
出し電極9に接続される。第1画素陰極取り出し電極
6、第2画素陰極取り出し電極7、第3画素陰極取り出
し電極8及び共通陽極取り出し電極9は、駆動用のIC
11のパッドに接続される。また、多層基板1の表面に
キャップ13を接着し、有機膜を湿度より保護する。
【0015】次に、ディスプレイとしての平面の配置に
ついて図2,3,4を用いて説明する。図2は、第1の
実施の形態を上面から見た平面図である。この実施の形
態では、図示していないが、有機膜及び陽極(ITO
等)を陰極(アルミニウム)2の上部に形成することに
より、陰極(アルミニウム)2の形成部分が画素とな
る。したがって図2の例では、6×6のマトリクス構成
のディスプレイを形成している。この陰極形成部分には
一般的にはビア23と呼ばれる多層基板の1層ないし2
層を貫通して電気的な接続をする貫通孔が、それぞれ設
けられている。このビア23と図3に示した多層基板の
内層に形成された配線部5が電気的に接続されている。
図3の配線パターンは1例を示したまでで、実際の配線
は、配線を多層の内層を用いて立体的に配線するため、
種々のパターンになる。この陰極2からビア23を通じ
て接続された配線は、図4に示したように、多層基板
(第3層)10に形成した画素陰極取り出し電極22
に、再びビアを介して接続される。一方、表面層の陽極
電極4は、内層の配線部5とビアを介して反対側の裏面
層に形成した共通陽極取り出し電極9に配線接続され
る。これらの画素陰極取り出し電極22及び共通陽極取
り出し電極9には、有機EL画素の駆動IC11が接続
される。接続方法は、本実施の形態では、バンプ接続を
挙げているが、ワイアボンディング接続でも問題ない。
ついて図2,3,4を用いて説明する。図2は、第1の
実施の形態を上面から見た平面図である。この実施の形
態では、図示していないが、有機膜及び陽極(ITO
等)を陰極(アルミニウム)2の上部に形成することに
より、陰極(アルミニウム)2の形成部分が画素とな
る。したがって図2の例では、6×6のマトリクス構成
のディスプレイを形成している。この陰極形成部分には
一般的にはビア23と呼ばれる多層基板の1層ないし2
層を貫通して電気的な接続をする貫通孔が、それぞれ設
けられている。このビア23と図3に示した多層基板の
内層に形成された配線部5が電気的に接続されている。
図3の配線パターンは1例を示したまでで、実際の配線
は、配線を多層の内層を用いて立体的に配線するため、
種々のパターンになる。この陰極2からビア23を通じ
て接続された配線は、図4に示したように、多層基板
(第3層)10に形成した画素陰極取り出し電極22
に、再びビアを介して接続される。一方、表面層の陽極
電極4は、内層の配線部5とビアを介して反対側の裏面
層に形成した共通陽極取り出し電極9に配線接続され
る。これらの画素陰極取り出し電極22及び共通陽極取
り出し電極9には、有機EL画素の駆動IC11が接続
される。接続方法は、本実施の形態では、バンプ接続を
挙げているが、ワイアボンディング接続でも問題ない。
【0016】図5に、図2,3,4中のA-A’線で示し
た部分の断面図を示す。この例では、画素陰極取り出し
部分24には、画素陰極取り出し電極22が1列に形成
されている。この例でわかるように、有機EL画素を形
成したディスプレイ部分と、この有機EL画素を駆動す
る回路(IC)部分の面積は、回路部分の面積が1/2
以下、特に図5の例では1/10程度に縮小されてい
る。
た部分の断面図を示す。この例では、画素陰極取り出し
部分24には、画素陰極取り出し電極22が1列に形成
されている。この例でわかるように、有機EL画素を形
成したディスプレイ部分と、この有機EL画素を駆動す
る回路(IC)部分の面積は、回路部分の面積が1/2
以下、特に図5の例では1/10程度に縮小されてい
る。
【0017】次に本発明の動作を第1の実施の形態の図
1を使用して説明する。駆動IC11より、所望の輝度に
応じて決まる電流が有機EL素子の各画素に供給され
る。電流は、駆動ICの端子より共通陽極取り出し電極
9と配線部5を通じて陽極4に供給される。供給された
電流は、有機膜3の中で電子と正孔のペアとして存在
し、このペアが再結合するときに発光現象を起こす。電
流は、各画素の陰極取り出し電極6、7、8から駆動I
C11に帰還される。
1を使用して説明する。駆動IC11より、所望の輝度に
応じて決まる電流が有機EL素子の各画素に供給され
る。電流は、駆動ICの端子より共通陽極取り出し電極
9と配線部5を通じて陽極4に供給される。供給された
電流は、有機膜3の中で電子と正孔のペアとして存在
し、このペアが再結合するときに発光現象を起こす。電
流は、各画素の陰極取り出し電極6、7、8から駆動I
C11に帰還される。
【0018】駆動ICの回路構成の1例を図6に示す。
本実施の形態の場合、図6に示したようなアクティブマ
トリクス回路が一般的に使用される。この回路は、デー
タ書き込み用トランジスタM01,駆動用トランジスタ
M02、データ保持コンデンサC01及び、走査線、デ
ータ線等の配線から構成される。図面右に示した共通陽
極接続端子51及び画素陰極接続端子52は、それぞれ
図1の共通陽極取り出し電極9と、画素陰極取り出し電
極6、7、8等に接続される。
本実施の形態の場合、図6に示したようなアクティブマ
トリクス回路が一般的に使用される。この回路は、デー
タ書き込み用トランジスタM01,駆動用トランジスタ
M02、データ保持コンデンサC01及び、走査線、デ
ータ線等の配線から構成される。図面右に示した共通陽
極接続端子51及び画素陰極接続端子52は、それぞれ
図1の共通陽極取り出し電極9と、画素陰極取り出し電
極6、7、8等に接続される。
【0019】回路の動作は、データ書き込みは、走査線
nがハイ状態になったときにデータ書き込みトランジス
タM01がオン状態になり、データ線mの電位がデータ
保持コンデンサC01に書き込まれる。その後、走査線
nがロウ状態に推移すると、データ書き込みトランジス
タM01はオフ状態になり、データ保持コンデンサC0
1の電位は次の書き込みタイミングまで保持される。デ
ータ保持コンデンサC01の電位に応じて、駆動用トラ
ンジスタM02は、画素から電流をシンクする。この電
流シンクはデータ保持トランジスタC01に電位がある
限り継続的に行われる。このため有機EL素子をアクテ
ィブマトリクス駆動できる。
nがハイ状態になったときにデータ書き込みトランジス
タM01がオン状態になり、データ線mの電位がデータ
保持コンデンサC01に書き込まれる。その後、走査線
nがロウ状態に推移すると、データ書き込みトランジス
タM01はオフ状態になり、データ保持コンデンサC0
1の電位は次の書き込みタイミングまで保持される。デ
ータ保持コンデンサC01の電位に応じて、駆動用トラ
ンジスタM02は、画素から電流をシンクする。この電
流シンクはデータ保持トランジスタC01に電位がある
限り継続的に行われる。このため有機EL素子をアクテ
ィブマトリクス駆動できる。
【0020】本実施の形態の構成では、有機ELディス
プレイを構成する多層基板の面積を巨大化しても、駆動
ICは多層基板とは別に製作するので、駆動ICのサイ
ズを小さくすることが可能になる。駆動ICのサイズが
小さいことは、駆動IC中のトランジスタのばらつきを
低減し、特性的に有利になる上、歩留まりを飛躍的に向
上できる。
プレイを構成する多層基板の面積を巨大化しても、駆動
ICは多層基板とは別に製作するので、駆動ICのサイ
ズを小さくすることが可能になる。駆動ICのサイズが
小さいことは、駆動IC中のトランジスタのばらつきを
低減し、特性的に有利になる上、歩留まりを飛躍的に向
上できる。
【0021】また、駆動ICを構成するデータ書き込み
用トランジスタM01や駆動用トランジスタM02は、
TFTを使用する必要は必ずしもないためシリコン等の
単結晶基板を使用できるので、電流供給能力的にもTF
Tより2〜10倍程度大きくなる。この電流供給能力の
差は、同じ回路の面積を縮小できることを意味している
ので、一層、特性ばらつきや歩留まりの点で有利にな
る。また、TFTとシリコン基板上のICでは、放熱特
性がシリコンICの方が数倍以上優れているため、この
点でも有利になる。
用トランジスタM01や駆動用トランジスタM02は、
TFTを使用する必要は必ずしもないためシリコン等の
単結晶基板を使用できるので、電流供給能力的にもTF
Tより2〜10倍程度大きくなる。この電流供給能力の
差は、同じ回路の面積を縮小できることを意味している
ので、一層、特性ばらつきや歩留まりの点で有利にな
る。また、TFTとシリコン基板上のICでは、放熱特
性がシリコンICの方が数倍以上優れているため、この
点でも有利になる。
【0022】次に本発明の第2の実施の形態を図7を用
いて説明する。この第2の実施の形態では、陽極4を配
線部5に直接接続せずに、陽極接続電極21を介して接
続している。これは陰極2と有機膜3を形成したときの
膜厚によって、陽極の形成時にこの段差により陽極が断
線することを防止するために、陰極2と同じ厚さ若しく
は、陰極2の厚さと有機膜3の厚さの合計の厚さと同じ
厚さに陽極接続電極21を形成する。その他の部分は第
1の実施の形態と同じである。
いて説明する。この第2の実施の形態では、陽極4を配
線部5に直接接続せずに、陽極接続電極21を介して接
続している。これは陰極2と有機膜3を形成したときの
膜厚によって、陽極の形成時にこの段差により陽極が断
線することを防止するために、陰極2と同じ厚さ若しく
は、陰極2の厚さと有機膜3の厚さの合計の厚さと同じ
厚さに陽極接続電極21を形成する。その他の部分は第
1の実施の形態と同じである。
【0023】
【発明の効果】以上、説明したように本発明では、有機
ELディスプレイを構成する多層基板の面積を巨大化し
ても、ディスプレイの面積に比較して駆動ICの部分の面
積が飛躍的に縮小できるため、駆動ICの特性ばらつき等
の特性面で改善されるとともに、ICの歩留まりが向上
し、コスト的にも有利になる。また、駆動ICは、TF
Tを使用する必要は必ずしもないためシリコン等の単結
晶基板を使用できるため、電流供給能力的にもTFTよ
り2〜10倍程度大きくなる。この電流供給能力の差
は、同じ回路の面積を縮小できることを意味しているの
で、一層、特性ばらつきや歩留まりの点で有利になる。
また、TFTとシリコン基板上のICでは、放熱特性が
シリコンICの方が数倍以上優れているため、本発明
は、この点でも有利である。
ELディスプレイを構成する多層基板の面積を巨大化し
ても、ディスプレイの面積に比較して駆動ICの部分の面
積が飛躍的に縮小できるため、駆動ICの特性ばらつき等
の特性面で改善されるとともに、ICの歩留まりが向上
し、コスト的にも有利になる。また、駆動ICは、TF
Tを使用する必要は必ずしもないためシリコン等の単結
晶基板を使用できるため、電流供給能力的にもTFTよ
り2〜10倍程度大きくなる。この電流供給能力の差
は、同じ回路の面積を縮小できることを意味しているの
で、一層、特性ばらつきや歩留まりの点で有利になる。
また、TFTとシリコン基板上のICでは、放熱特性が
シリコンICの方が数倍以上優れているため、本発明
は、この点でも有利である。
【図1】本発明の第1の実施の形態の有機ELディスプ
レイの断面図である。
レイの断面図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態の多層基板の第1層
の平面図である。
の平面図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態の多層基板の第2層
の配線部を示す平面図である。
の配線部を示す平面図である。
【図4】本発明の第1の実施の形態の多層基板の第3層
の駆動IC接続面を示す平面図である。
の駆動IC接続面を示す平面図である。
【図5】図2,3,4中のA−A'線で示した部分の断面
図である。
図である。
【図6】本発明に用いる駆動ICの回路構成の一例を示
す図である。
す図である。
【図7】本発明の第2の実施の形態の有機ELディスプ
レイの断面図である。
レイの断面図である。
【図8】アクティブマトリクス駆動ELディスプレイの
等価回路図である。
等価回路図である。
【図9】従来のアクティブマトリクス駆動の有機EL素
子の断面図である。
子の断面図である。
【図10】実開平4−31299に記載されているアク
ティブマトリクス駆動ELディスプレイの断面図であ
る。
ティブマトリクス駆動ELディスプレイの断面図であ
る。
【図11】実開平4−31299に記載されているアク
ティブマトリクス駆動ELディスプレイの斜視図であ
る。
ティブマトリクス駆動ELディスプレイの斜視図であ
る。
1 多層基板(第1層) 2 陰極(アルミニウム) 3 有機膜 4 陽極(ITO) 5 配線部 6,7,8,22 画素陰極取り出し電極 9 共通陽極取り出し電極 10 多層基板(第3層) 11 駆動IC 12 多層基板(第2層) 13 キャップ 21 陽極接続電極 23 ビア 24 画素陰極取り出し部分 51 共通陽極接続端子 52 画素陰極接続端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3K007 AB18 BA06 DA02 5C094 AA42 AA43 AA44 BA03 BA29 CA19 DA09 DB01 EA03 EA04 EA07 EB05 EB10 GB01
Claims (6)
- 【請求項1】 有機EL画素をマトリクス状に形成した
アクティブマトリクス駆動の有機ELディスプレイにお
いて、多層基板の表面に有機EL画素をマトリクス状に
形成し、前記有機EL画素に駆動電圧を印加する配線を
前記多層基板の内層と前記有機EL画素を形成した以外
の層に形成し、前記有機EL画素を駆動する駆動回路を
集積形成した駆動ICを前記多層基板の前記有機EL画
素を形成した面と異なる面に設けた前記有機EL画素の
取り出し電極に接続したことを特徴とする有機ELディ
スプレイ。 - 【請求項2】 前記マトリクス状に形成した有機EL画
素の陽極は、各画素共通に形成されていることを特徴と
する請求項1記載の有機ELディスプレイ。 - 【請求項3】 前記マトリクス状に形成された有機EL
画素の陽極および陰極とこれらに駆動電圧を印加する配
線との電気的接続は、前記多層基板に設けた貫通孔を介
して行うことを特徴とする請求項1記載の有機ELディ
スプレイ。 - 【請求項4】 前記駆動ICはシリコン基板上に集積し
て形成されていることを特徴とする請求項1記載の有機
ELディスプレイ。 - 【請求項5】 前記各画素共通に形成された陽極は、多
層基板の有機EL画素を形成した表面に設けた陽極接続
電極を介して配線と接続されていることを特徴とする請
求項2または3記載の有機ELディスプレイ。 - 【請求項6】 多層基板の表面に複数の陰極をマトリク
ス状に形成する工程と、陰極上に有機膜を形成する工程
と、有機膜上に陽極を共通に形成する工程と、多層基板
の内層面に配線部を形成する工程と、多層基板の裏面に
共通陽極取り出し電極および各陰極取り出し電極を形成
する工程と、前記各陰極および共通陽極とこれらの取り
出し電極とを前記配線部および多層基板に形成した貫通
孔を介して電気的に接続する工程と、前記共通陽極取り
出し電極および各陰極取り出し電極に駆動ICを接続す
る工程とを有することを特徴とする有機ELディスプレ
イの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27275899A JP2001092381A (ja) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | 有機elディスプレイおよびその製造方法 |
US09/669,129 US6633134B1 (en) | 1999-09-27 | 2000-09-25 | Active-matrix-driven organic EL display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27275899A JP2001092381A (ja) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | 有機elディスプレイおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001092381A true JP2001092381A (ja) | 2001-04-06 |
Family
ID=17518349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27275899A Pending JP2001092381A (ja) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | 有機elディスプレイおよびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
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US (1) | US6633134B1 (ja) |
JP (1) | JP2001092381A (ja) |
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