JP2001058281A - レーザーを用いたスクライブ法 - Google Patents
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Abstract
ライブ法に従ってレーザースクライブを行うと、スクラ
イブラインの直交する個所で大きなクラックが発生す
る。 【解決手段】 脆性材料の基板にレーザーを照射して熱
歪により基板に垂直クラックを形成するためのスクライ
ブ法は、第1の方向に垂直クラックを形成するステップ
と、その後、第1の方向と直交する第2の方向に垂直ク
ラックを形成するステップとからなる。第2の方向に垂
直クラックを形成するステップにおいて、第1の方向の
垂直クラック深さよりも第2の方向に形成する垂直クラ
ック深さを浅くする。たとえば、第2の方向へのスクラ
イブ時には、第1の方向へのスクライブ時に比べて単位
時間あたりの単位面積あたりのレーザービームの照射エ
ネルギーを減らす。
Description
性材料に対してCO2レーザーを照射して熱歪により垂
直クラックを形成する方法に関する。
な寸法のガラス基板から小さな所定角形サイズのガラス
板を切り出すプロセスでは、ガラス板に第1の方向とし
てX方向のスクライブを行ってから、それと直交する第
2の方向となるY方向のスクライブを行い、この後のブ
レイク工程にて曲げ応力を与えることで分断している。
この第2の方向へのスクライブ時には、交点飛び防止の
ため、第1の方向のスクライブ時と比較してスクライブ
圧を大きくし、スクライブ速度を遅くしている。
替わってレーザーを用いたスクライブ法が実用化される
ようになっている。このスクライブ法は特表平8−50
9947号に記載されており、この方法により得られる
垂直クラックはブラインドである。そして図1に示すよ
うに、矢印方向Aに移動しているガラス板1に対してレ
ーザー2よりのレーザービームがレーザースポット3に
され照射されており、そのレーザービームの照射で加熱
された領域が次に冷媒ジェット4で冷却されることによ
り、ガラス板1に内部歪応力変化が発生してブラインド
な垂直クラックが生じる。これにより、ブラインドなス
クライブライン(ブラインドな垂直クラックのライン)
5が生成される。本発明記載の明細書ではブラインドな
スクライブラインとブラインドな垂直クラックをガラス
カッターホイールによるスクライブ(スクライブライ
ン)および垂直クラックと呼称を区別せず、スクライブ
(スクライブライン)、垂直クラックと記載している。
も、ガラス板に第1の方向にスクライブを行ってから第
2の方向となるY方向のスクライブを行う。ところでガ
ラスカッターホイールを用いたクロススクライブ法で
は、上述の様に第2の方向へのスクライブ時には、第1
の方向のスクライブ時と比較して、確実に垂直クラック
を深く入れるために、スクライブ圧を大きくし、スクラ
イブ速度を遅くし、これにより、垂直クラックの深さを
深くしていた。従って、レーザースクライブにおいても
この方法を踏襲して、第2の方向へのスクライブ時に
は、第1の方向へのスクライブ時に比べて単位時間あた
りの単位面積あたりの照射エネルギーが増すように、ガ
ラス板の移動速度を遅くするか、その移動速度が同じ場
合は第2の方向の走査時にはレーザー出力を大きくして
いた。ところが第1の方向及び第2の方向にスクライブ
し、その後分離させたとき、スクライブラインが直交す
る箇所で大きなクラック(製品が不良となるクラック)が
高い確率で発生した。
クラックの発生をなくすためになされたものであり、製
品が不良となるクラックをなくせる新規なスクライブ法
を提供することを目的とする。
にレーザーを照射して熱歪により基板に垂直クラックを
形成する本発明スクライブ法は、第1の方向に垂直クラ
ックを形成するステップと、その後、第1の方向と直交
する第2の方向に垂直クラックを形成するステップとか
らなる。ここで、第2の方向に垂直クラックを形成する
ステップにおいて、第1の方向の垂直クラック深さより
も第2の方向に形成する垂直クラック深さを浅くする。
は、第2の方向に垂直クラックを形成するとき、第1の
方向に垂直クラックを形成するときに比べて単位時間あ
たりに単位面積あたりに照射する照射エネルギーを減ら
す。前記のスクライブ法において、たとえば、基板に対
するレーザーの相対移動速度が第1の方向および第2の
方向で同一のとき、第1の方向に対し、第2の方向での
レーザー出力を低下させる。好ましくは、第2の方向で
のレーザー出力を第1の方向に対し10〜40%低下さ
せる。前記のスクライブ法において、たとえば、第1の
方向および第2の方向でレーザー出力が同一のとき、第
1の方向に対し、第2の方向でのレーザーの相対移動速
度を増加させる。好ましくは、第2の方向でのレーザー
の相対移動速度を第1の方向に対し110〜140%と
する。
明の実施の形態のスクライブ法について説明する。図1
に示すように、矢印方向Aに移動しているガラス板1に
対してレーザー2よりのレーザービームがレーザースポ
ットにされ照射されており、そのレーザービームの照射
で加熱された領域が次に冷媒ジェット4で冷却されるこ
とにより、ガラス板1に内部歪応力変化が発生して熱歪
により垂直クラックが生じる。これにより、スクライブ
ライン(垂直クラックのライン)5が生成される。
向(先入れ)としてX方向にスクライブし、次いで、第1
の方向に直交する第2の方向(後入れ)としてY方向にス
クライブした。ここで、後で説明するような種々の条件
でスクライブを行うことにより、異常が発生しない場合
に得られたスクライブラインでは、第1の方向の垂直ク
ラック深さよりも第2の方向に形成する垂直クラック深
さが浅いことがわかった。具体的には、第2の方向への
スクライブ時に、第1の方向へのスクライブ時に比べて
単位時間あたりの単位面積あたりの照射エネルギーを減
らすことにより、異常の発生を抑えることができること
がわかった。
を用いた。ここで、レーザー2の出力を一定にし、レー
ザースポット3の移動速度を制御した。表1のに示す
ように、第1の方向時のスクライブでは、出力が30
W、移動速度が90mm/secとし、第2の方向時のスクラ
イブでは、出力が30W、移動速度が70mm/secとし、
第2方向でのスクライブ時の移動速度を第1のスクライ
ブ時に比べて遅くした。この場合、図3に示すように、
スクライブライン5の交差個所7で第1の方向のブレイ
ク面で大きな不要のクラック6の発生が見られ、その発
生率はおよそ75%(4枚の内3枚)であった。
すように、第1の方向時のスクライブでは、出力が30
W、移動速度が90mm/secとし、第2の方向時のスクラ
イブでは、出力が30W、移動速度が90mm/secとし、
第1および第2の方向でスクライブ条件を同一とした。
この場合の異常の発生率はおよそ25%(4枚の内1枚)
であった。
示すように、第1の方向時のスクライブでは、出力が3
0W、移動速度が70mm/secとし、第2の方向時のスク
ライブでは、出力が30W、移動速度が90mm/secと
し、このように第2方向でのスクライブ時の移動速度を
第1のスクライブ時に比べて速くした。この場合は異常
の発生が認められなかった。
条件を用いた。ここで、レーザースポット3の移動速度
を一定にし、レーザー2の出力を制御した。表2のに
示すように、第1の方向時のスクライブでは、出力が3
0W、移動速度が90mm/secとし、第2の方向時のスク
ライブでは、出力が40W、移動速度が90mm/secと
し、第2方向でのスクライブ時のレーザー2の出力を第
1のスクライブ時に比べて大きくした。この場合、図3
に示すように、スクライブライン5の交差個所7で第1
の方向のブレイク面で大きな不要のクラック6の発生が
見られ、その発生率はおよそ75%(4枚の内3枚)であ
った。
イブ条件である。このとき、第1の方向時のスクライブ
では、出力が30W、移動速度が90mm/secとし、第2
の方向時のスクライブでも、出力が30W、移動速度が
90mm/secとし、第1および第2の方向でスクライブ条
件を同一とした。異常の発生率はおよそ25%(4枚の
内1枚)であった。
示すように、第1の方向時のスクライブでは、出力が3
0W、移動速度が90mm/secとし、第2の方向時のスク
ライブでは、出力が20W、移動速度が90mm/secと
し、第2方向でのスクライブ時のレーザー2の出力を第
1のスクライブ時に比べて小さくした。この場合は異常
の発生が認められなかった。
出力またはレーザースポット3の移動速度を制御して、
第2の方向へのスクライブ時には、第1の方向へのスク
ライブ時に比べて単位面積あたりの照射エネルギーを減
らすと、異常発生なしとの良い結果が出た。一般的に、
基板に対するレーザーの相対移動速度が第1の方向およ
び第2の方向で同一のとき、第1の方向に対し、第2の
方向でのレーザー出力を10〜40%低下させると良い
結果が得られた。また、第1の方向および第2の方向で
レーザー出力が同一のとき、第1の方向に対し、第2の
方向でのレーザーの相対移動速度を110〜140%と
すると良い結果が得られた。
方向へのスクライブ時には、第1の方向へのスクライブ
時に比べて第2の方向に形成する垂直クラック深さを浅
くすることにより、不要な垂直クラックの発生をなくす
ことができる。
形成を示す図
Claims (6)
- 【請求項1】 脆性材料の基板にレーザーを照射して熱
歪により基板に垂直クラックを形成するためのスクライ
ブ法において、 第1の方向に垂直クラックを形成するステップと、 その後、第1の方向と直交する第2の方向に垂直クラッ
クを形成するステップとからなり、 第2の方向に垂直クラックを形成するステップにおい
て、第1の方向の垂直クラック深さよりも第2の方向に
形成する垂直クラック深さを浅くすることを特徴とする
レーザーを用いたスクライブ法。 - 【請求項2】 第2の方向に垂直クラックを形成すると
き、第1の方向に垂直クラックを形成するときに比べて
単位面積あたりの照射エネルギーを減らす請求項1記載
のレーザーを用いたスクライブ法。 - 【請求項3】 基板に対するレーザーの相対移動速度が
第1の方向および第2の方向で同一のとき、第1の方向
に対し、第2の方向でのレーザー出力を低下させる請求
項2記載のレーザーを用いたスクライブ法。 - 【請求項4】 第1の方向に対し、第2の方向でのレー
ザー出力を10〜40%低下させる請求項3記載のレー
ザーを用いたスクライブ法。 - 【請求項5】 第1の方向および第2の方向でレーザー
出力が同一のとき、第1の方向に対し、第2の方向での
レーザーの相対移動速度を増加した請求項2記載のレー
ザーを用いたスクライブ法。 - 【請求項6】 第1の方向に対し、第2の方向でのレー
ザーの相対移動速度を110〜140%とした請求項1
記載のレーザーを用いたスクライブ法。
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