JP2001056977A - 光磁気記録媒体の再生方法及び再生装置 - Google Patents
光磁気記録媒体の再生方法及び再生装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録層の記録磁区が転写され且つ拡大される
磁区拡大層を備えるMAMMOS用の光磁気記録媒体を用いて
更なる高密度化を実現する。 【解決手段】 方向の異なる２つの磁化の向きをそれぞ
れ第１の記録状態、第２の記録状態として第１の記録状
態の最小記録磁区が第２の記録状態の最小記録磁区より
も小さくなるように記録された光磁気記録媒体を再生光
で走査しながら交番磁界を印加する。再生レーザ光でデ
ィスクを走査する際に、記録再生エリアのある地点が該
高温領域に入ってから、該高温領域から出るまでの時間
よりも短い周期で再生外部磁界を印加する。記録マーク
によって拡大再生される信号を該記録マークよりも長い
範囲にわたって検出し、再生信号検出後に上記記録マー
クによって上記記録マークよりも長い範囲にわたって検
出された拡大信号の範囲を記録マークの長さに変換する
ことによって情報を再生する。記録磁区は熱スポットよ
り小さくても拡大再生されるので記録磁区の長さを極め
て短くすることができ、記録密度を一層増大させること
ができる。
磁区拡大層を備えるMAMMOS用の光磁気記録媒体を用いて
更なる高密度化を実現する。 【解決手段】 方向の異なる２つの磁化の向きをそれぞ
れ第１の記録状態、第２の記録状態として第１の記録状
態の最小記録磁区が第２の記録状態の最小記録磁区より
も小さくなるように記録された光磁気記録媒体を再生光
で走査しながら交番磁界を印加する。再生レーザ光でデ
ィスクを走査する際に、記録再生エリアのある地点が該
高温領域に入ってから、該高温領域から出るまでの時間
よりも短い周期で再生外部磁界を印加する。記録マーク
によって拡大再生される信号を該記録マークよりも長い
範囲にわたって検出し、再生信号検出後に上記記録マー
クによって上記記録マークよりも長い範囲にわたって検
出された拡大信号の範囲を記録マークの長さに変換する
ことによって情報を再生する。記録磁区は熱スポットよ
り小さくても拡大再生されるので記録磁区の長さを極め
て短くすることができ、記録密度を一層増大させること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録層の記録磁区
を磁区拡大再生層に転写拡大するタイプの光磁気記録媒
体の再生方法および再生装置に関し、更に詳細には、超
高密度化を実現する新規な再生方法および再生装置に関
する。
を磁区拡大再生層に転写拡大するタイプの光磁気記録媒
体の再生方法および再生装置に関し、更に詳細には、超
高密度化を実現する新規な再生方法および再生装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータなどの外部メモリとして光
磁気ディスクなどの光磁気記録媒体が知られている。光
磁気記録媒体は情報の書換えが可能であり、動画像や音
声などの大容量データを取り扱うことができることから
マルチメディア時代の記録媒体として利用されている。
かかる光磁気記録媒体においては、その記憶容量をより
一層増やすことが望まれている。
磁気ディスクなどの光磁気記録媒体が知られている。光
磁気記録媒体は情報の書換えが可能であり、動画像や音
声などの大容量データを取り扱うことができることから
マルチメディア時代の記録媒体として利用されている。
かかる光磁気記録媒体においては、その記憶容量をより
一層増やすことが望まれている。
【０００３】記憶容量を増大させる技術として、例え
ば、記録マークの前エッジと後エッジとにそれぞれ記録
データの”１”を対応させ記録マークの長さと記録マー
クの間隔に情報を付与させるマークエッジ記録方式が知
られている。この記録方式によれば従来と同一サイズの
最小記録マークであっても、線方向の記録密度を従来の
方式（マークポジション方式）のほぼ１．５倍に向上さ
せることができる。
ば、記録マークの前エッジと後エッジとにそれぞれ記録
データの”１”を対応させ記録マークの長さと記録マー
クの間隔に情報を付与させるマークエッジ記録方式が知
られている。この記録方式によれば従来と同一サイズの
最小記録マークであっても、線方向の記録密度を従来の
方式（マークポジション方式）のほぼ１．５倍に向上さ
せることができる。
【０００４】記憶容量を増大させる他の方法として、記
録マーク（記録磁区）を微小化して高密度に情報を記録
することも検討されている。記録磁区を微小化して記録
するには、記録クロックと同期してパルス化された光を
照射しながら記録信号に応じた極性の磁界を印加する光
パルス磁界変調方式を用いることで可能である。この方
式によれば、微小な記録磁区を形成することができる
が、かかる微小記録磁区が再生光スポット内に複数存在
する場合には、それらを識別して再生する方法が必要と
なる。
録マーク（記録磁区）を微小化して高密度に情報を記録
することも検討されている。記録磁区を微小化して記録
するには、記録クロックと同期してパルス化された光を
照射しながら記録信号に応じた極性の磁界を印加する光
パルス磁界変調方式を用いることで可能である。この方
式によれば、微小な記録磁区を形成することができる
が、かかる微小記録磁区が再生光スポット内に複数存在
する場合には、それらを識別して再生する方法が必要と
なる。
【０００５】再生光スポット内に複数個存在する微小記
録磁区をそれぞれ弁別して読み出すには、例えば、Jour
nal of Magnetic Society of Japan, Vol.17 Supplemen
t No.S1, pp.201(1993)において提案されている磁気超
解像（ＭＳＲ）と呼ばれる技術を用いることができる。
この技術は、光磁気記録媒体の光スポット内に温度分布
を利用して磁気的なマスクを形成し、光スポットよりも
小さな開口部（アパーチャー）と呼ばれる領域から記録
磁区を読み出す方法である。しかし、この方法では磁気
的マスクを形成することで実効的なスポット径を小さく
するため、再生信号出力に寄与する光量が少ない。この
ため、再生信号の振幅が低下し、十分なＳ／Ｎを得るこ
とが困難である。
録磁区をそれぞれ弁別して読み出すには、例えば、Jour
nal of Magnetic Society of Japan, Vol.17 Supplemen
t No.S1, pp.201(1993)において提案されている磁気超
解像（ＭＳＲ）と呼ばれる技術を用いることができる。
この技術は、光磁気記録媒体の光スポット内に温度分布
を利用して磁気的なマスクを形成し、光スポットよりも
小さな開口部（アパーチャー）と呼ばれる領域から記録
磁区を読み出す方法である。しかし、この方法では磁気
的マスクを形成することで実効的なスポット径を小さく
するため、再生信号出力に寄与する光量が少ない。この
ため、再生信号の振幅が低下し、十分なＳ／Ｎを得るこ
とが困難である。
【０００６】かかる問題を回避する方法として、例え
ば、日本応用磁気学会誌Vol.21, No.10, pp.1187-1192
(1997)において、記録層に記録された微小磁区を磁気的
に転写及び拡大して再生するための再生層を備えた光磁
気記録媒体が提案されている。この技術では、再生時に
記録クロックに同期させた外部磁界を交番させて印加す
ることによって、再生層に磁気的に転写された各微小磁
区を光スポットサイズまで拡大及び完全消滅させ、再生
層から増幅された信号振幅を検出して情報を読み出して
いる。この技術はＭＡＭＭＯＳ（Magnetic Amplifying
Magneto-OpticalSystem）と呼ばれ、再生信号振幅の低
下に関する上記磁気超解像技術の問題を解決している。
ば、日本応用磁気学会誌Vol.21, No.10, pp.1187-1192
(1997)において、記録層に記録された微小磁区を磁気的
に転写及び拡大して再生するための再生層を備えた光磁
気記録媒体が提案されている。この技術では、再生時に
記録クロックに同期させた外部磁界を交番させて印加す
ることによって、再生層に磁気的に転写された各微小磁
区を光スポットサイズまで拡大及び完全消滅させ、再生
層から増幅された信号振幅を検出して情報を読み出して
いる。この技術はＭＡＭＭＯＳ（Magnetic Amplifying
Magneto-OpticalSystem）と呼ばれ、再生信号振幅の低
下に関する上記磁気超解像技術の問題を解決している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記ＭＡＭ
ＭＯＳ用の光磁気記録媒体を用いて、更なる高密度化を
実現することが可能な新規な記録再生方法及びそれに好
適な再生装置を提供することを目的とする。
ＭＯＳ用の光磁気記録媒体を用いて、更なる高密度化を
実現することが可能な新規な記録再生方法及びそれに好
適な再生装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の態様に従
えば、記録磁区が形成される記録層と、磁区拡大再生層
とを備える光磁気記録媒体を用い、光磁気記録媒体に再
生光を照射して再生光スポット内で高温領域を生じさ
せ、該高温領域を通じて記録磁区を再生層に転写させる
とともに、転写した磁区を外部磁界の印加によって拡大
させる光磁気記録媒体の再生方法において、再生レーザ
光でディスクを走査する際に、記録再生エリアのある地
点が該高温領域に入ってから、該高温領域から出るまで
の時間よりも短い周期で再生外部磁界を印加することを
特長とする光磁気記録媒体の再生方法が提供される。
えば、記録磁区が形成される記録層と、磁区拡大再生層
とを備える光磁気記録媒体を用い、光磁気記録媒体に再
生光を照射して再生光スポット内で高温領域を生じさ
せ、該高温領域を通じて記録磁区を再生層に転写させる
とともに、転写した磁区を外部磁界の印加によって拡大
させる光磁気記録媒体の再生方法において、再生レーザ
光でディスクを走査する際に、記録再生エリアのある地
点が該高温領域に入ってから、該高温領域から出るまで
の時間よりも短い周期で再生外部磁界を印加することを
特長とする光磁気記録媒体の再生方法が提供される。
【０００９】本発明の第２の態様に従えば、記録マーク
によって拡大再生される信号を該記録マークよりも長い
範囲にわたって検出することを特長とする請求項第１に
記載の光磁気記録媒体の再生方法が提供される。
によって拡大再生される信号を該記録マークよりも長い
範囲にわたって検出することを特長とする請求項第１に
記載の光磁気記録媒体の再生方法が提供される。
【００１０】本発明の第３の態様に従えば、再生信号検
出後に上記記録マークによって上記記録マークよりも長
い範囲にわたって検出された拡大信号の範囲を記録マー
クの長さに変換することを特長とする請求項１又は２に
記載の光磁気記録媒体の再生方法が提供される。
出後に上記記録マークによって上記記録マークよりも長
い範囲にわたって検出された拡大信号の範囲を記録マー
クの長さに変換することを特長とする請求項１又は２に
記載の光磁気記録媒体の再生方法が提供される。
【００１１】本発明の第１、第２及び第３の態様の再生
方法に用いられる光磁気記録媒体は、情報が記録磁区と
して形成される記録層と、当該記録層の記録磁区が転写
されるとともに、転写された磁区を外部磁界の印加によ
り拡大することができる磁区拡大再生層とを備えるＭＡ
ＭＭＯＳ用の光磁気記録媒体である。このＭＡＭＭＯＳ
用の光磁気記録媒体の再生原理について図２９を参照し
ながら簡単に説明する。
方法に用いられる光磁気記録媒体は、情報が記録磁区と
して形成される記録層と、当該記録層の記録磁区が転写
されるとともに、転写された磁区を外部磁界の印加によ
り拡大することができる磁区拡大再生層とを備えるＭＡ
ＭＭＯＳ用の光磁気記録媒体である。このＭＡＭＭＯＳ
用の光磁気記録媒体の再生原理について図２９を参照し
ながら簡単に説明する。
【００１２】再生光の照射により光磁気記録媒体上に形
成される再生光スポット５０は、その光強度分布がガウ
ス分布に従うために、かかる再生光スポット５０により
加熱された磁区拡大再生層３においては、図２９に示す
ような温度分布に基づく温度領域が生じる。再生光スポ
ット５０の高温領域５２では磁区拡大再生層３の保磁力
が一層低下するために記録層５からの漏洩磁界の影響を
受けやすくなる。
成される再生光スポット５０は、その光強度分布がガウ
ス分布に従うために、かかる再生光スポット５０により
加熱された磁区拡大再生層３においては、図２９に示す
ような温度分布に基づく温度領域が生じる。再生光スポ
ット５０の高温領域５２では磁区拡大再生層３の保磁力
が一層低下するために記録層５からの漏洩磁界の影響を
受けやすくなる。
【００１３】このような温度分布が生じている光磁気記
録媒体に、再生外部磁界を記録磁区と同一極性で印加す
ると、磁区拡大再生層３の保磁力が記録層の漏洩磁界と
再生外部磁界との和よりも小さくなる領域では、記録層
５の記録磁区５３が磁区拡大再生層３に転写される。次
いで、磁区拡大再生層３に転写された磁区５４は、再生
外部磁界の下で再生光スポット５０の大きさまで拡大す
る。このため、磁区拡大再生層３で拡大した転写磁区か
らは増幅された光磁気信号を検出することができる。上
述のように、再生光スポット５０内において記録磁区５
３が再生層３に転写可能な高温領域を、本明細書におい
ては「熱スポット」と呼ぶ。なお、ＭＡＭＭＯＳ用の光
磁気記録媒体の構造及び原理については、例えば、ＷＯ
９８／０２８７８に詳細に説明されているので、それを
参照することができる。
録媒体に、再生外部磁界を記録磁区と同一極性で印加す
ると、磁区拡大再生層３の保磁力が記録層の漏洩磁界と
再生外部磁界との和よりも小さくなる領域では、記録層
５の記録磁区５３が磁区拡大再生層３に転写される。次
いで、磁区拡大再生層３に転写された磁区５４は、再生
外部磁界の下で再生光スポット５０の大きさまで拡大す
る。このため、磁区拡大再生層３で拡大した転写磁区か
らは増幅された光磁気信号を検出することができる。上
述のように、再生光スポット５０内において記録磁区５
３が再生層３に転写可能な高温領域を、本明細書におい
ては「熱スポット」と呼ぶ。なお、ＭＡＭＭＯＳ用の光
磁気記録媒体の構造及び原理については、例えば、ＷＯ
９８／０２８７８に詳細に説明されているので、それを
参照することができる。
【００１４】このＭＡＭＭＯＳ用の光磁気記録媒体に情
報を記録し、記録した情報を再生する方法について図１
〜９を参照しながら説明する。本発明の再生方法では、
光磁気記録媒体をトラックに沿って再生光で走査しつつ
１ビット１周期の外部磁界を印加する。図１に記録マー
ク（記録磁区）のパターンの一例と、かかる記録マーク
に対して印加する再生外部磁界の印加パターンを示し
た。また、図２〜９に、トラック３０内に記録された記
録磁区３２が再生光スポット５０に対して進行する様子
を示す。図２〜９は、図１に示した状態〜の位置
に、それぞれ、再生光スポット５０の熱スポットが存在
している場合を概念的に示している。
報を記録し、記録した情報を再生する方法について図１
〜９を参照しながら説明する。本発明の再生方法では、
光磁気記録媒体をトラックに沿って再生光で走査しつつ
１ビット１周期の外部磁界を印加する。図１に記録マー
ク（記録磁区）のパターンの一例と、かかる記録マーク
に対して印加する再生外部磁界の印加パターンを示し
た。また、図２〜９に、トラック３０内に記録された記
録磁区３２が再生光スポット５０に対して進行する様子
を示す。図２〜９は、図１に示した状態〜の位置
に、それぞれ、再生光スポット５０の熱スポットが存在
している場合を概念的に示している。
【００１５】前述したように、再生光の照射により、磁
区拡大再生層上に形成された熱スポット内では、磁区拡
大再生層の保磁力は低下している。しかしながら、図２
に示したように、状態では、まだ熱スポット内に記録
磁区３２が進入していないので記録磁区３２は磁区拡大
再生層には転写されず、拡大再生信号は検出されない。
再生光スポットに対する光磁気記録媒体の更なる移動に
より、図３、図４、図５、図６及び図７の状態及び
に示したように、記録磁区３２が磁区拡大再生層に形
成された熱スポット内に進入すると記録磁区３２が磁区
拡大再生層に転写される。このとき、光磁気記録媒体に
は交番外部磁界が印加されているので、磁区拡大再生層
に転写された記録磁区は磁区拡大再生層内で再生光スポ
ットの大きさまで拡大し、拡大した磁区から増幅した再
生信号が検出され、MAMMOSの再生原理にしたがって再生
する。
区拡大再生層上に形成された熱スポット内では、磁区拡
大再生層の保磁力は低下している。しかしながら、図２
に示したように、状態では、まだ熱スポット内に記録
磁区３２が進入していないので記録磁区３２は磁区拡大
再生層には転写されず、拡大再生信号は検出されない。
再生光スポットに対する光磁気記録媒体の更なる移動に
より、図３、図４、図５、図６及び図７の状態及び
に示したように、記録磁区３２が磁区拡大再生層に形
成された熱スポット内に進入すると記録磁区３２が磁区
拡大再生層に転写される。このとき、光磁気記録媒体に
は交番外部磁界が印加されているので、磁区拡大再生層
に転写された記録磁区は磁区拡大再生層内で再生光スポ
ットの大きさまで拡大し、拡大した磁区から増幅した再
生信号が検出され、MAMMOSの再生原理にしたがって再生
する。
【００１６】そして、図１に示したように熱スポットが
記録磁区３２よりも大きいために１ビットの記録磁区に
対して2ビット以上の拡大信号が検出されるので、再生
信号検出後に上記記録マークによって上記記録マークよ
りも長い範囲にわたって検出された拡大信号の範囲を記
録マークの長さに変換することによって記録情報を再生
することができる。
記録磁区３２よりも大きいために１ビットの記録磁区に
対して2ビット以上の拡大信号が検出されるので、再生
信号検出後に上記記録マークによって上記記録マークよ
りも長い範囲にわたって検出された拡大信号の範囲を記
録マークの長さに変換することによって記録情報を再生
することができる。
【００１７】すなわち、本発明の再生方法では、記録磁
区が熱スポットに進入すれば、ＭＡＭＭＯＳの再生原理
により増大した信号強度を検出できるので、記録層に形
成される記録磁区の大きさは問わない。それゆえ、記録
磁区の線方向の長さを極めて短くし、拡大信号の範囲を
記録マークの長さに変換することによって記録密度を大
幅に上げることが可能となる。
区が熱スポットに進入すれば、ＭＡＭＭＯＳの再生原理
により増大した信号強度を検出できるので、記録層に形
成される記録磁区の大きさは問わない。それゆえ、記録
磁区の線方向の長さを極めて短くし、拡大信号の範囲を
記録マークの長さに変換することによって記録密度を大
幅に上げることが可能となる。
【００１８】本発明の第４の態様に従えば、記録磁区が
形成される記録層と、磁区拡大再生層とを備える光磁気
記録媒体を用い、光磁気記録媒体に再生光を照射して再
生光スポット内で高温領域を生じさせ、該高温領域を通
じて記録磁区を再生層に転写させるとともに、転写した
磁区を外部磁界の印加によって拡大させる光磁気記録媒
体の再生方法において、方向の異なる２つの磁化の向き
をそれぞれ第１の記録状態、第２の記録状態として第１
の記録状態の最小記録磁区が第２の記録状態の最小記録
磁区よりも小さくなるように記録した磁化パターンから
該高温領域を走査して情報を再生する際に、該高温領域
の走査方向の長さが、第２の記録状態の最小磁区よりも
小さい状態で再生することを特徴とする光磁気記録媒体
の再生方法が提供される。
形成される記録層と、磁区拡大再生層とを備える光磁気
記録媒体を用い、光磁気記録媒体に再生光を照射して再
生光スポット内で高温領域を生じさせ、該高温領域を通
じて記録磁区を再生層に転写させるとともに、転写した
磁区を外部磁界の印加によって拡大させる光磁気記録媒
体の再生方法において、方向の異なる２つの磁化の向き
をそれぞれ第１の記録状態、第２の記録状態として第１
の記録状態の最小記録磁区が第２の記録状態の最小記録
磁区よりも小さくなるように記録した磁化パターンから
該高温領域を走査して情報を再生する際に、該高温領域
の走査方向の長さが、第２の記録状態の最小磁区よりも
小さい状態で再生することを特徴とする光磁気記録媒体
の再生方法が提供される。
【００１９】本発明の第５の態様に従えば、記録磁区が
形成される記録層と、磁区拡大再生層とを備える光磁気
記録媒体を用い、光磁気記録媒体に再生光を照射して再
生光スポット内で高温領域を生じさせ、該高温領域を通
じて記録磁区を再生層に転写させるとともに、転写した
磁区を外部磁界の印加によって拡大させる光磁気記録媒
体の記録方法において、方向の異なる２つの磁化の向き
をそれぞれ第１の記録状態、第２の記録状態として第１
の記録状態の最小記録磁区が第２の記録状態の最小記録
磁区よりも小さくなるように記録することを特徴とする
光磁気記録媒体の記録方法が提供される。
形成される記録層と、磁区拡大再生層とを備える光磁気
記録媒体を用い、光磁気記録媒体に再生光を照射して再
生光スポット内で高温領域を生じさせ、該高温領域を通
じて記録磁区を再生層に転写させるとともに、転写した
磁区を外部磁界の印加によって拡大させる光磁気記録媒
体の記録方法において、方向の異なる２つの磁化の向き
をそれぞれ第１の記録状態、第２の記録状態として第１
の記録状態の最小記録磁区が第２の記録状態の最小記録
磁区よりも小さくなるように記録することを特徴とする
光磁気記録媒体の記録方法が提供される。
【００２０】本発明の第４及び第５の態様に従う記録及
び再生方法おいて、上記再生原理に基づいて複数の記録
磁区が形成された光磁気記録媒体を再生光に対して相対
移動させながら再生する場合は、２つの記録磁区が同時
に再生層に転写されないようにする必要がある。このた
めには、記録層に形成されている記録磁区の磁区拡大再
生層への転写は熱スポットを通じて起こるので、前方記
録磁区のと後方記録磁区とが熱スポット内に同時に含ま
れないようにすればよい。それゆえ、前方記録磁区と後
方記録磁区との最短の間隔、すなわち２つの記録磁区の
最短間隔（最短スペース長）が、かかる熱スポットのト
ラック方向の長さと同等またはそれ以上になるように記
録磁区を形成すればよい。換言すれば、記録磁区を形成
した後に、必ず、トラック方向における熱スポットの長
さと同等またはそれ以上の寸法を有するスペースが形成
されるように情報を記録する。これにより、トラック方
向で隣り合う記録磁区は、少なくとも熱スポットの長さ
に相当するブランクを隔てて存在することになり、１つ
の記録磁区のみを独立して確実に再生することができ
る。なお、本発明においてスペースとは、トラック方向
において隣り合う記録磁区同士によって画成される、記
録磁区と反対方向の磁化を有する領域を意味するものと
する。
び再生方法おいて、上記再生原理に基づいて複数の記録
磁区が形成された光磁気記録媒体を再生光に対して相対
移動させながら再生する場合は、２つの記録磁区が同時
に再生層に転写されないようにする必要がある。このた
めには、記録層に形成されている記録磁区の磁区拡大再
生層への転写は熱スポットを通じて起こるので、前方記
録磁区のと後方記録磁区とが熱スポット内に同時に含ま
れないようにすればよい。それゆえ、前方記録磁区と後
方記録磁区との最短の間隔、すなわち２つの記録磁区の
最短間隔（最短スペース長）が、かかる熱スポットのト
ラック方向の長さと同等またはそれ以上になるように記
録磁区を形成すればよい。換言すれば、記録磁区を形成
した後に、必ず、トラック方向における熱スポットの長
さと同等またはそれ以上の寸法を有するスペースが形成
されるように情報を記録する。これにより、トラック方
向で隣り合う記録磁区は、少なくとも熱スポットの長さ
に相当するブランクを隔てて存在することになり、１つ
の記録磁区のみを独立して確実に再生することができ
る。なお、本発明においてスペースとは、トラック方向
において隣り合う記録磁区同士によって画成される、記
録磁区と反対方向の磁化を有する領域を意味するものと
する。
【００２１】本発明の第６の態様に従えば、記録磁区が
形成される記録層と、記録層の記録磁区が転写されて外
部磁界の印加により拡大される磁区拡大再生層とを備え
る光磁気記録媒体の再生方法において、再生信号を前と
後の両方、又は前か後かのどちらかに１ビット以上シフ
トさせ、再生信号とシフトした後の信号の論理積をとる
過程を有する光磁気記録媒体の再生方法が提供される。
形成される記録層と、記録層の記録磁区が転写されて外
部磁界の印加により拡大される磁区拡大再生層とを備え
る光磁気記録媒体の再生方法において、再生信号を前と
後の両方、又は前か後かのどちらかに１ビット以上シフ
トさせ、再生信号とシフトした後の信号の論理積をとる
過程を有する光磁気記録媒体の再生方法が提供される。
【００２２】本発明の第７の態様に従えば、記録磁区が
形成される記録層と、記録層の記録磁区が転写されて外
部磁界の印加により拡大される磁区拡大再生層とを備え
る光磁気記録媒体を再生するための再生装置において、
光磁気記録媒体に光を照射するための光源と、上記外部
磁界を発生させるための磁界印加装置と、磁区拡大再生
層からの再生信号を検出するための信号検出装置と、再
生信号を前後にずらすための波形シフト装置と、再生信
号と上記波形シフト装置の出力との論理積をとるための
論理演算装置とを備えることを特徴とする再生装置が提
供される。
形成される記録層と、記録層の記録磁区が転写されて外
部磁界の印加により拡大される磁区拡大再生層とを備え
る光磁気記録媒体を再生するための再生装置において、
光磁気記録媒体に光を照射するための光源と、上記外部
磁界を発生させるための磁界印加装置と、磁区拡大再生
層からの再生信号を検出するための信号検出装置と、再
生信号を前後にずらすための波形シフト装置と、再生信
号と上記波形シフト装置の出力との論理積をとるための
論理演算装置とを備えることを特徴とする再生装置が提
供される。
【００２３】本発明の再生装置は波形シフト装置により
光磁気記録媒体から検出された信号を時間的に前後さ
せ、それらと再生信号との論理積をとることができる。
このような光磁気記録媒体から検出された信号を時間的
に前後させ、それらと再生信号との論理積をとる操作は
本発明の第１及び第2の態様の再生方法に極めて有効で
ある。
光磁気記録媒体から検出された信号を時間的に前後さ
せ、それらと再生信号との論理積をとることができる。
このような光磁気記録媒体から検出された信号を時間的
に前後させ、それらと再生信号との論理積をとる操作は
本発明の第１及び第2の態様の再生方法に極めて有効で
ある。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明に従う記録再生方法
及びその記録再生方法の実施に好適な装置について図面
を参照にして具体的に説明するが、本発明はそれらに限
定されるものではない。
及びその記録再生方法の実施に好適な装置について図面
を参照にして具体的に説明するが、本発明はそれらに限
定されるものではない。
【００２５】
【実施例】［実施例１］まず、本発明の再生方法に従う
光磁気記録媒体としてＭＡＭＭＯＳ用の光磁気記録媒体
を用意した。図２８に、ＭＡＭＭＯＳ用光磁気記録媒体
の断面構造の一例を示す。光磁気記録媒体１００は、透
明基板１上に、第１誘電体層２、磁区拡大再生層３、非
磁性層４、記録層５及び第２誘電体層６を順次積層して
有する。
光磁気記録媒体としてＭＡＭＭＯＳ用の光磁気記録媒体
を用意した。図２８に、ＭＡＭＭＯＳ用光磁気記録媒体
の断面構造の一例を示す。光磁気記録媒体１００は、透
明基板１上に、第１誘電体層２、磁区拡大再生層３、非
磁性層４、記録層５及び第２誘電体層６を順次積層して
有する。
【００２６】本実施例で用いる光磁気記録媒体１００で
は、透明基板１としてディスク状のポリカーボネート基
板を用い、第１誘電体層２及び第２誘電体層６に窒化珪
素を、磁区拡大再生層３にＧｄＦｅＣｏ合金を、非磁性
体層４に窒化珪素を、記録層５にＴｂＦｅＣｏ合金をそ
れぞれ用いた。これらの各層２〜６は、それぞれ、マグ
ネトロンスパッタ装置を用いてスパッタリングにより成
膜した。
は、透明基板１としてディスク状のポリカーボネート基
板を用い、第１誘電体層２及び第２誘電体層６に窒化珪
素を、磁区拡大再生層３にＧｄＦｅＣｏ合金を、非磁性
体層４に窒化珪素を、記録層５にＴｂＦｅＣｏ合金をそ
れぞれ用いた。これらの各層２〜６は、それぞれ、マグ
ネトロンスパッタ装置を用いてスパッタリングにより成
膜した。
【００２７】かかる光磁気記録媒体１００に、（２，
７）RLL変調を用いユーザーデーターをエンコードしてN
RZIに対応するように記録データを記録した。情報の記
録では、光パルス磁界変調方式を用い、エンコードされ
た情報に従う入力信号に基づいて変調された記録レーザ
ー光及び記録磁界を光磁気記録媒体に適用して、記録層
のトラック上に記録磁区を形成した。１ビットのトラッ
ク方向の長さは０．０６７μｍとした。記録層に形成さ
れた記録磁区の磁区パターンの例を図１に示す。磁区パ
ターンの上方の数字は入力情報（記録情報）を示してい
る。
７）RLL変調を用いユーザーデーターをエンコードしてN
RZIに対応するように記録データを記録した。情報の記
録では、光パルス磁界変調方式を用い、エンコードされ
た情報に従う入力信号に基づいて変調された記録レーザ
ー光及び記録磁界を光磁気記録媒体に適用して、記録層
のトラック上に記録磁区を形成した。１ビットのトラッ
ク方向の長さは０．０６７μｍとした。記録層に形成さ
れた記録磁区の磁区パターンの例を図１に示す。磁区パ
ターンの上方の数字は入力情報（記録情報）を示してい
る。
【００２８】次いで、かかる記録方法により記録磁区が
形成された光磁気記録媒体を一定速度で回転させながら
再生レーザー光を所定のパワーで照射するとともに、１
ビット１周期の再生外部磁界を一定の磁界強度で印加し
て情報を再生した。図１に、印加した再生外部磁界及び
検出された再生信号のタイミングチャートを示す。図２
に示したように、再生レーザー光のスポットサイズは
１．０μｍであり、記録層から磁区拡大再生層への磁区
の転写が生じる熱スポットのトラックに平行な方向の長
さは約０．２μｍであった。この熱スポットのトラック
に平行な方向の長さは、後述する方法に基づいて予め調
整して得た。
形成された光磁気記録媒体を一定速度で回転させながら
再生レーザー光を所定のパワーで照射するとともに、１
ビット１周期の再生外部磁界を一定の磁界強度で印加し
て情報を再生した。図１に、印加した再生外部磁界及び
検出された再生信号のタイミングチャートを示す。図２
に示したように、再生レーザー光のスポットサイズは
１．０μｍであり、記録層から磁区拡大再生層への磁区
の転写が生じる熱スポットのトラックに平行な方向の長
さは約０．２μｍであった。この熱スポットのトラック
に平行な方向の長さは、後述する方法に基づいて予め調
整して得た。
【００２９】つぎに、光磁気記録媒体の所定のトラック
を再生光スポットで走査したときに、再生光スポット内
に形成された熱スポットに対して記録磁区が移動する様
子を図２〜９に順次示した。図２〜９にそれぞれ示した
各状態〜は、図１に示した再生外部磁界のタイミン
グチャートの下方に示した番号〜にそれぞれ対応し
ている。すなわち、図２〜９は、それぞれ、図１に示し
た〜の位置に熱スポットが存在している場合を概念
的に示している。また、図２〜９においては、紙面裏か
ら表に向かう向きが記録方向、すなわち記録磁区の磁化
と同一方向である。
を再生光スポットで走査したときに、再生光スポット内
に形成された熱スポットに対して記録磁区が移動する様
子を図２〜９に順次示した。図２〜９にそれぞれ示した
各状態〜は、図１に示した再生外部磁界のタイミン
グチャートの下方に示した番号〜にそれぞれ対応し
ている。すなわち、図２〜９は、それぞれ、図１に示し
た〜の位置に熱スポットが存在している場合を概念
的に示している。また、図２〜９においては、紙面裏か
ら表に向かう向きが記録方向、すなわち記録磁区の磁化
と同一方向である。
【００３０】図１及び図２に示したように、状態で
は、再生外部磁界が記録磁区と同一極性で印加されてい
るが、熱スポット内に記録磁区３２が進入していないた
め記録磁区３２は磁区拡大再生層に転写されず、磁区拡
大再生層から再生信号は検出されない。図２、図３、図
４、図５、図６及び図７に示すように、状態、状態
、状態、状態及び状態では、記録磁区３２の一
部が熱スポット内に進入しているので、かかる磁区（記
録磁区３２の一部）が磁区拡大再生層に転写されるとと
もに、再生外部磁界により拡大されて、前述のＭＡＭＭ
ＯＳの原理により増幅された再生信号が検出される。
は、再生外部磁界が記録磁区と同一極性で印加されてい
るが、熱スポット内に記録磁区３２が進入していないた
め記録磁区３２は磁区拡大再生層に転写されず、磁区拡
大再生層から再生信号は検出されない。図２、図３、図
４、図５、図６及び図７に示すように、状態、状態
、状態、状態及び状態では、記録磁区３２の一
部が熱スポット内に進入しているので、かかる磁区（記
録磁区３２の一部）が磁区拡大再生層に転写されるとと
もに、再生外部磁界により拡大されて、前述のＭＡＭＭ
ＯＳの原理により増幅された再生信号が検出される。
【００３１】次いで、図５示したように、状態では、
記録磁区３２が熱スポット内に進入していないため記録
磁区３２は磁区拡大再生層に転写されず、磁区拡大再生
層から再生信号は検出されない。すなわち熱スポットよ
りも記録磁区３２と次の記録磁区３３との間隔（スペー
ス）が大きければ、かかるスペース内で外部磁界を印加
しても記録磁区３２及び記録磁区３３は磁区拡大再生層
に転写されず、その部分が該スペースであることを検出
することができる。本実施例では１ビットを０．０６７
μｍとして（２，７）RLL変調を用い、NRZIに対応して
記録磁区を形成しているので該スペースは０．２μｍ以
上であるから該スペースを検出することができる。
記録磁区３２が熱スポット内に進入していないため記録
磁区３２は磁区拡大再生層に転写されず、磁区拡大再生
層から再生信号は検出されない。すなわち熱スポットよ
りも記録磁区３２と次の記録磁区３３との間隔（スペー
ス）が大きければ、かかるスペース内で外部磁界を印加
しても記録磁区３２及び記録磁区３３は磁区拡大再生層
に転写されず、その部分が該スペースであることを検出
することができる。本実施例では１ビットを０．０６７
μｍとして（２，７）RLL変調を用い、NRZIに対応して
記録磁区を形成しているので該スペースは０．２μｍ以
上であるから該スペースを検出することができる。
【００３２】しかし、図１に示したように熱スポットが
記録磁区３２よりも大きいために一つの記録磁区に対し
て前後１ビットづつ２ビットの拡大信号が記録磁区より
も多く検出されている。したがって、拡大信号が検出さ
れた場合その両端の拡大信号を０に変換しなければ記録
した情報と同一の情報を得ることができない。本実施例
では、拡大信号の両端を０に変換する手段として、図１
に示すように再生信号を後に１ビットずつシフトしてそ
れと再生信号のの論理積をとる方法を用いた。
記録磁区３２よりも大きいために一つの記録磁区に対し
て前後１ビットづつ２ビットの拡大信号が記録磁区より
も多く検出されている。したがって、拡大信号が検出さ
れた場合その両端の拡大信号を０に変換しなければ記録
した情報と同一の情報を得ることができない。本実施例
では、拡大信号の両端を０に変換する手段として、図１
に示すように再生信号を後に１ビットずつシフトしてそ
れと再生信号のの論理積をとる方法を用いた。
【００３３】こうして、各記録磁区の位置情報をそれぞ
れ増幅した再生信号で再生することによって図１の下方
に示したような再生情報が得られ、かかる再生情報を後
に１ビットシフトしてそれと再生信号の論理積をとるこ
とによって図１の上方に示した記録情報を再生すること
ができる。
れ増幅した再生信号で再生することによって図１の下方
に示したような再生情報が得られ、かかる再生情報を後
に１ビットシフトしてそれと再生信号の論理積をとるこ
とによって図１の上方に示した記録情報を再生すること
ができる。
【００３４】ここで、再生時の熱スポットの大きさを
０．２μｍとし、（２，７）RLL符号を用いてNRZIに対
応して記録マークを記録した場合、該スペースは０．２
μｍとなり、ビットピッチは約０．１３３μｍとなる。
最短スペースを０．２μｍにした理由はMAMMOSでは熱ス
ポットよりも小さい記録磁区は転写拡大することによっ
て検出できるが、熱スポットより小さい該スペースは検
出できないから該スペースが０．２μｍ以上になるよう
にしたからである。
０．２μｍとし、（２，７）RLL符号を用いてNRZIに対
応して記録マークを記録した場合、該スペースは０．２
μｍとなり、ビットピッチは約０．１３３μｍとなる。
最短スペースを０．２μｍにした理由はMAMMOSでは熱ス
ポットよりも小さい記録磁区は転写拡大することによっ
て検出できるが、熱スポットより小さい該スペースは検
出できないから該スペースが０．２μｍ以上になるよう
にしたからである。
【００３５】従来のマークポジション記録方式において
も、該スペースはは熱スポットの長さよりも長くするこ
とが必要であった。すなわち、熱スポットの大きさを
０．２μｍとした場合１ビットの情報には、上記（２，
７）RLL変調を用いた場合と同様に考えて、該スペース
を０．２μｍとすると、ビットピッチは０．２μｍにし
かならない。それゆえ、本発明の記録再生方法は、記録
できる情報量を従来のマークポジション記録方式よりも
一層増大できることがわかる。
も、該スペースはは熱スポットの長さよりも長くするこ
とが必要であった。すなわち、熱スポットの大きさを
０．２μｍとした場合１ビットの情報には、上記（２，
７）RLL変調を用いた場合と同様に考えて、該スペース
を０．２μｍとすると、ビットピッチは０．２μｍにし
かならない。それゆえ、本発明の記録再生方法は、記録
できる情報量を従来のマークポジション記録方式よりも
一層増大できることがわかる。
【００３６】つぎに、前述した熱スポットのトラック方
向の長さの調整方法について説明する。まず、記録層
に、トラック方向の長さが１μｍの記録マークを記録
し、かかる記録マークが記録された光磁気記録媒体を線
速２．５ｍ／ｓで回転させながら、図３０に示したよう
に、再生光スポットで記録マークを走査する。ここで、
再生光スポットにより形成される熱スポットのトラック
方向の長さが０．２μｍ程度であると仮定した場合、記
録マークの前エッジが再生光スポットの熱スポット内に
進入した時点から、記録マークの後エッジが熱スポット
から進出するまでの時間Ｔは、計算により、（１μｍ＋
０．２μｍ）／２．５ｍ／ｓ＝４８０ｎｓ秒後である。
向の長さの調整方法について説明する。まず、記録層
に、トラック方向の長さが１μｍの記録マークを記録
し、かかる記録マークが記録された光磁気記録媒体を線
速２．５ｍ／ｓで回転させながら、図３０に示したよう
に、再生光スポットで記録マークを走査する。ここで、
再生光スポットにより形成される熱スポットのトラック
方向の長さが０．２μｍ程度であると仮定した場合、記
録マークの前エッジが再生光スポットの熱スポット内に
進入した時点から、記録マークの後エッジが熱スポット
から進出するまでの時間Ｔは、計算により、（１μｍ＋
０．２μｍ）／２．５ｍ／ｓ＝４８０ｎｓ秒後である。
【００３７】図３０に示したように、記録マークの手前
から記録マークと同一極性の再生磁界を印加しながら再
生光スポットで記録マークを走査すると、再生光スポッ
トの熱スポット内に記録マークの前エッジＦが進入した
ときに再生信号が検出される。再生信号を検出した直後
に再生磁界の極性を反転させ、上記時間Ｔ＝４８０ｎｓ
よりも短い４６０ｎｓ秒後に再度、再生磁界を反転させ
て印加すると、熱スポット内に記録マークの後エッジＥ
が含まれてしまうために再生信号が検出される。一方、
図３１に示したように、再生信号を検出した直後に再生
磁界の極性を反転させた後、上記時間Ｔ＝４８０ｎｓよ
りも長い５００秒後に再度、再生磁界を反転させて印加
すると、熱スポット内には記録マークの後エッジＥに含
まれないために再生信号は検出されない。したがって、
最初に再生信号を検出した時点から、４６０ｎｓ秒後に
再生磁界Ｈ＋を印加したときに再生信号が検出され、且
つ５００秒後に再生磁界Ｈ＋を印加したときに再生信号
が検出されないように、再生光のパワーをコントロール
すれば熱スポットのトラック方向の長さをほぼ０．２μ
ｍにすることができる。以上が熱スポットのトラック方
向の長さの調整方法である。
から記録マークと同一極性の再生磁界を印加しながら再
生光スポットで記録マークを走査すると、再生光スポッ
トの熱スポット内に記録マークの前エッジＦが進入した
ときに再生信号が検出される。再生信号を検出した直後
に再生磁界の極性を反転させ、上記時間Ｔ＝４８０ｎｓ
よりも短い４６０ｎｓ秒後に再度、再生磁界を反転させ
て印加すると、熱スポット内に記録マークの後エッジＥ
が含まれてしまうために再生信号が検出される。一方、
図３１に示したように、再生信号を検出した直後に再生
磁界の極性を反転させた後、上記時間Ｔ＝４８０ｎｓよ
りも長い５００秒後に再度、再生磁界を反転させて印加
すると、熱スポット内には記録マークの後エッジＥに含
まれないために再生信号は検出されない。したがって、
最初に再生信号を検出した時点から、４６０ｎｓ秒後に
再生磁界Ｈ＋を印加したときに再生信号が検出され、且
つ５００秒後に再生磁界Ｈ＋を印加したときに再生信号
が検出されないように、再生光のパワーをコントロール
すれば熱スポットのトラック方向の長さをほぼ０．２μ
ｍにすることができる。以上が熱スポットのトラック方
向の長さの調整方法である。
【００３８】［実施例２］まず、本発明の再生方法に従
う光磁気記録媒体として実施例１と同様のＭＡＭＭＯＳ
用の光磁気記録媒体を用意した。
う光磁気記録媒体として実施例１と同様のＭＡＭＭＯＳ
用の光磁気記録媒体を用意した。
【００３９】かかる光磁気記録媒体１００に、（２，
７）RLL変調を用いユーザーデーターをエンコードしてN
RZIに対応するように記録データを記録した。ただし、
前後１/２ビットずつ短くなるように記録磁区を形成し
て記録を行った。すなわち、最短記録磁区は２ビットの
長さに相当する。情報の記録では、光パルス磁界変調方
式を用い、エンコードされた情報に従う入力信号に基づ
いて変調された記録レーザー光及び記録磁界を光磁気記
録媒体に適用して、記録層のトラック上に記録磁区を形
成した。１ビットのトラック方向の長さは０．０５μｍ
とした。記録層に形成された記録磁区の磁区パターンの
例を図１０に示す。磁区パターンの上方の数字は入力情
報（記録情報）を示している。
７）RLL変調を用いユーザーデーターをエンコードしてN
RZIに対応するように記録データを記録した。ただし、
前後１/２ビットずつ短くなるように記録磁区を形成し
て記録を行った。すなわち、最短記録磁区は２ビットの
長さに相当する。情報の記録では、光パルス磁界変調方
式を用い、エンコードされた情報に従う入力信号に基づ
いて変調された記録レーザー光及び記録磁界を光磁気記
録媒体に適用して、記録層のトラック上に記録磁区を形
成した。１ビットのトラック方向の長さは０．０５μｍ
とした。記録層に形成された記録磁区の磁区パターンの
例を図１０に示す。磁区パターンの上方の数字は入力情
報（記録情報）を示している。
【００４０】次いで、かかる記録方法により記録磁区が
形成された光磁気記録媒体を一定速度で回転させながら
再生レーザー光を所定のパワーで照射するとともに、１
ビット１周期の再生外部磁界を一定の磁界強度で印加し
て情報を再生した。図１０に、印加した再生外部磁界及
び検出された再生信号のタイミングチャートを示す。図
１１に示したように、再生レーザー光のスポットサイズ
は１．０μｍであり、記録層から磁区拡大再生層への磁
区の転写が生じる熱スポットのトラックに平行な方向の
長さは約０．２μｍであった。この熱スポットのトラッ
クに平行な方向の長さは、実施例１で説明した方法に基
づいて予め調整して得た。
形成された光磁気記録媒体を一定速度で回転させながら
再生レーザー光を所定のパワーで照射するとともに、１
ビット１周期の再生外部磁界を一定の磁界強度で印加し
て情報を再生した。図１０に、印加した再生外部磁界及
び検出された再生信号のタイミングチャートを示す。図
１１に示したように、再生レーザー光のスポットサイズ
は１．０μｍであり、記録層から磁区拡大再生層への磁
区の転写が生じる熱スポットのトラックに平行な方向の
長さは約０．２μｍであった。この熱スポットのトラッ
クに平行な方向の長さは、実施例１で説明した方法に基
づいて予め調整して得た。
【００４１】つぎに、光磁気記録媒体の所定のトラック
を再生光スポットで走査したときに、再生光スポット内
に形成された熱スポットに対して記録磁区が移動する様
子を図１１〜１８に順次示した。図１１〜１８にそれぞ
れ示した各状態〜は、図１０に示した再生外部磁界
のタイミングチャートの下方に示した番号〜にそれ
ぞれ対応している。すなわち、図１１〜１８は、それぞ
れ、図１０に示した〜の位置に熱スポットが存在し
ている場合を概念的に示している。また、図１１〜１８
においては、紙面裏から表に向かう向きが記録方向、す
なわち記録磁区の磁化と同一方向である。
を再生光スポットで走査したときに、再生光スポット内
に形成された熱スポットに対して記録磁区が移動する様
子を図１１〜１８に順次示した。図１１〜１８にそれぞ
れ示した各状態〜は、図１０に示した再生外部磁界
のタイミングチャートの下方に示した番号〜にそれ
ぞれ対応している。すなわち、図１１〜１８は、それぞ
れ、図１０に示した〜の位置に熱スポットが存在し
ている場合を概念的に示している。また、図１１〜１８
においては、紙面裏から表に向かう向きが記録方向、す
なわち記録磁区の磁化と同一方向である。
【００４２】図１０及び図１１に示したように、状態
では、再生外部磁界が記録磁区と同一極性で印加されて
いるが、熱スポット内に記録磁区３２が進入していない
ため記録磁区３２は磁区拡大再生層に転写されず、磁区
拡大再生層から再生信号は検出されない。、図１１，図
１２、図１３、図１４、図１５、及び図１６に示すよう
に、状態、状態、状態、状態及び状態では、
記録磁区３２の一部が熱スポット内に進入しているの
で、かかる磁区（記録磁区３２の一部）が磁区拡大再生
層に転写されるとともに、再生外部磁界により拡大され
て、前述のＭＡＭＭＯＳの原理により増幅された再生信
号が検出される。
では、再生外部磁界が記録磁区と同一極性で印加されて
いるが、熱スポット内に記録磁区３２が進入していない
ため記録磁区３２は磁区拡大再生層に転写されず、磁区
拡大再生層から再生信号は検出されない。、図１１，図
１２、図１３、図１４、図１５、及び図１６に示すよう
に、状態、状態、状態、状態及び状態では、
記録磁区３２の一部が熱スポット内に進入しているの
で、かかる磁区（記録磁区３２の一部）が磁区拡大再生
層に転写されるとともに、再生外部磁界により拡大され
て、前述のＭＡＭＭＯＳの原理により増幅された再生信
号が検出される。
【００４３】次いで、図１７示したように、状態で
は、記録磁区３２が熱スポット内に進入していないため
記録磁区３２は磁区拡大再生層に転写されず、磁区拡大
再生層から再生信号は検出されない。すなわち熱スポッ
トよりも記録磁区３２と次の記録磁区３３との間隔（ス
ペース）が大きければ、かかるスペース内で外部磁界を
印加しても記録磁区３２及び記録磁区３３は磁区拡大再
生層に転写されず、その部分が該スペースであることを
検出することができる。本実施例では１ビットを０．０
５μｍとして（２，７）RLL変調を用い、NRZIに対応し
て記録磁区を形成し、記録磁区の前後が１／２ビット短
くなるように記録しているので該スペースは０．２μｍ
以上であるから該スペースを検出することができる。
は、記録磁区３２が熱スポット内に進入していないため
記録磁区３２は磁区拡大再生層に転写されず、磁区拡大
再生層から再生信号は検出されない。すなわち熱スポッ
トよりも記録磁区３２と次の記録磁区３３との間隔（ス
ペース）が大きければ、かかるスペース内で外部磁界を
印加しても記録磁区３２及び記録磁区３３は磁区拡大再
生層に転写されず、その部分が該スペースであることを
検出することができる。本実施例では１ビットを０．０
５μｍとして（２，７）RLL変調を用い、NRZIに対応し
て記録磁区を形成し、記録磁区の前後が１／２ビット短
くなるように記録しているので該スペースは０．２μｍ
以上であるから該スペースを検出することができる。
【００４４】しかし、図１０に示したように熱スポット
が記録磁区３２よりも大きいために一つの記録磁区に対
して前後１ビットづつ２ビットの拡大信号が記録磁区よ
りも多く検出されている。したがって、拡大信号が検出
された場合その両端の拡大信号を０に変換しなければ記
録した情報と同一の情報を得ることができない。本実施
例では、拡大信号の両端を０に変換する手段として、図
１０に示すように再生信号を後に１ビットずつシフトし
てそれと再生信号のの論理積をとる方法を用いた。
が記録磁区３２よりも大きいために一つの記録磁区に対
して前後１ビットづつ２ビットの拡大信号が記録磁区よ
りも多く検出されている。したがって、拡大信号が検出
された場合その両端の拡大信号を０に変換しなければ記
録した情報と同一の情報を得ることができない。本実施
例では、拡大信号の両端を０に変換する手段として、図
１０に示すように再生信号を後に１ビットずつシフトし
てそれと再生信号のの論理積をとる方法を用いた。
【００４５】こうして、各記録磁区の位置情報をそれぞ
れ増幅した再生信号で再生することによって図１０の下
方に示したような再生情報が得られ、かかる再生情報を
後に１ビットシフトしてそれと再生信号の論理積をとる
ことによって図１の上方に示した記録情報を再生するこ
とができる。
れ増幅した再生信号で再生することによって図１０の下
方に示したような再生情報が得られ、かかる再生情報を
後に１ビットシフトしてそれと再生信号の論理積をとる
ことによって図１の上方に示した記録情報を再生するこ
とができる。
【００４６】ここで、再生時の熱スポットの大きさを
０．２μｍとし、（２，７）RLL符号を用いてNRZIに対
応して記録磁区が前後１／２ビット短くなるように記録
マークを記録し、最短スペースは０．２μｍとした。こ
の時ビットピッチは約０．１μｍとなる。最短スペース
を０．２μｍにした理由はMAMMOSでは熱スポットよりも
小さい記録磁区は転写拡大することによって検出できる
が、熱スポットより小さい該スペースは検出できないか
ら該スペースが０．２μｍ以上になるようにしたからで
ある。
０．２μｍとし、（２，７）RLL符号を用いてNRZIに対
応して記録磁区が前後１／２ビット短くなるように記録
マークを記録し、最短スペースは０．２μｍとした。こ
の時ビットピッチは約０．１μｍとなる。最短スペース
を０．２μｍにした理由はMAMMOSでは熱スポットよりも
小さい記録磁区は転写拡大することによって検出できる
が、熱スポットより小さい該スペースは検出できないか
ら該スペースが０．２μｍ以上になるようにしたからで
ある。
【００４７】従来のマークポジション記録方式において
も、該スペースはは熱スポットの長さよりも長くするこ
とが必要であった。すなわち、熱スポットの大きさを
０．２μｍとした場合１ビットの情報には、上記（２，
７）RLL変調を用いた場合と同様に考えて、該スペース
を０．２μｍとすると、ビットピッチは０．２μｍにし
かならない。それゆえ、本発明の記録再生方法は、記録
できる情報量を従来のマークポジション記録方式よりも
一層増大できることがわかる。
も、該スペースはは熱スポットの長さよりも長くするこ
とが必要であった。すなわち、熱スポットの大きさを
０．２μｍとした場合１ビットの情報には、上記（２，
７）RLL変調を用いた場合と同様に考えて、該スペース
を０．２μｍとすると、ビットピッチは０．２μｍにし
かならない。それゆえ、本発明の記録再生方法は、記録
できる情報量を従来のマークポジション記録方式よりも
一層増大できることがわかる。
【００４８】実施例１の様に記録磁区の前後を短くしな
かった場合は、熱スポットのトラックに平行な方向の長
さが０．２μｍの時、ビットピッチは０．１３３μｍで
あった。すなわち、本実施例のように記録磁区を短く記
録し、最短スペースを長くすることによって記録密度が
増大していることがわかる。本実施例では、前後１／２
ビットづつ、合計１ビットの記録磁区を短くしたが、該
記録磁区を短くする方向及び該１ビットなる長さに限定
はされない。MAMMOSによる再生においては微小磁区が熱
スポット内にある時に外部磁界を加えると拡大再生する
ので、最短記録磁区がゼロでなければよい。従って、記
録磁区を短くする長さをｓ、短くする前の最短記録磁区
の長さをｍとすると、０≦ｓ＜ｍの範囲で記録磁区を短
くすることができる。
かった場合は、熱スポットのトラックに平行な方向の長
さが０．２μｍの時、ビットピッチは０．１３３μｍで
あった。すなわち、本実施例のように記録磁区を短く記
録し、最短スペースを長くすることによって記録密度が
増大していることがわかる。本実施例では、前後１／２
ビットづつ、合計１ビットの記録磁区を短くしたが、該
記録磁区を短くする方向及び該１ビットなる長さに限定
はされない。MAMMOSによる再生においては微小磁区が熱
スポット内にある時に外部磁界を加えると拡大再生する
ので、最短記録磁区がゼロでなければよい。従って、記
録磁区を短くする長さをｓ、短くする前の最短記録磁区
の長さをｍとすると、０≦ｓ＜ｍの範囲で記録磁区を短
くすることができる。
【００４９】［実施例３］まず、本発明の再生方法に従
う光磁気記録媒体として実施例１と同様のＭＡＭＭＯＳ
用の光磁気記録媒体を用意した。
う光磁気記録媒体として実施例１と同様のＭＡＭＭＯＳ
用の光磁気記録媒体を用意した。
【００５０】かかる光磁気記録媒体１００に、（２，
７）RLL変調を用いユーザーデーターをエンコードしてN
RZに対応するように記録データを記録した。情報の記録
では、光パルス磁界変調方式を用い、エンコードされた
情報に従う入力信号に基づいて変調された記録レーザー
光及び記録磁界を光磁気記録媒体に適用して、記録層の
トラック上に記録磁区を形成した。１ビットのトラック
方向の長さは０．６７μｍとした。記録層に形成された
記録磁区の磁区パターンの例を図１９に示す。磁区パタ
ーンの上方の数字は入力情報（記録情報）を示してい
る。
７）RLL変調を用いユーザーデーターをエンコードしてN
RZに対応するように記録データを記録した。情報の記録
では、光パルス磁界変調方式を用い、エンコードされた
情報に従う入力信号に基づいて変調された記録レーザー
光及び記録磁界を光磁気記録媒体に適用して、記録層の
トラック上に記録磁区を形成した。１ビットのトラック
方向の長さは０．６７μｍとした。記録層に形成された
記録磁区の磁区パターンの例を図１９に示す。磁区パタ
ーンの上方の数字は入力情報（記録情報）を示してい
る。
【００５１】次いで、かかる記録方法により記録磁区が
形成された光磁気記録媒体を一定速度で回転させながら
再生レーザー光を所定のパワーで照射するとともに、１
ビット１周期の再生外部磁界を一定の磁界強度で印加し
て情報を再生した。図１９に、印加した再生外部磁界及
び検出された再生信号のタイミングチャートを示す。図
２０に示したように、再生レーザー光のスポットサイズ
は１．０μｍであり、記録層から磁区拡大再生層への磁
区の転写が生じる熱スポットのトラックに平行な方向の
長さは約０．２μｍであった。この熱スポットのトラッ
クに平行な方向の長さは、実施例１で説明した方法に基
づいて予め調整して得た。
形成された光磁気記録媒体を一定速度で回転させながら
再生レーザー光を所定のパワーで照射するとともに、１
ビット１周期の再生外部磁界を一定の磁界強度で印加し
て情報を再生した。図１９に、印加した再生外部磁界及
び検出された再生信号のタイミングチャートを示す。図
２０に示したように、再生レーザー光のスポットサイズ
は１．０μｍであり、記録層から磁区拡大再生層への磁
区の転写が生じる熱スポットのトラックに平行な方向の
長さは約０．２μｍであった。この熱スポットのトラッ
クに平行な方向の長さは、実施例１で説明した方法に基
づいて予め調整して得た。
【００５２】つぎに、光磁気記録媒体の所定のトラック
を再生光スポットで走査したときに、再生光スポット内
に形成された熱スポットに対して記録磁区が移動する様
子を図２０〜２７に順次示した。図２０〜２７にそれぞ
れ示した各状態〜は、図１９に示した再生外部磁界
のタイミングチャートの下方に示した番号〜にそれ
ぞれ対応している。すなわち、図２０〜２７は、それぞ
れ、図１９に示した〜の位置に熱スポットが存在し
ている場合を概念的に示している。また、図２０〜２７
においては、紙面裏から表に向かう向きが記録方向、す
なわち記録磁区の磁化と同一方向である。
を再生光スポットで走査したときに、再生光スポット内
に形成された熱スポットに対して記録磁区が移動する様
子を図２０〜２７に順次示した。図２０〜２７にそれぞ
れ示した各状態〜は、図１９に示した再生外部磁界
のタイミングチャートの下方に示した番号〜にそれ
ぞれ対応している。すなわち、図２０〜２７は、それぞ
れ、図１９に示した〜の位置に熱スポットが存在し
ている場合を概念的に示している。また、図２０〜２７
においては、紙面裏から表に向かう向きが記録方向、す
なわち記録磁区の磁化と同一方向である。
【００５３】図２０に示したように、状態では、再生
外部磁界が記録磁区と同一極性で印加されているが、熱
スポット内に記録磁区３２が進入していないため記録磁
区３２は磁区拡大再生層に転写されず、磁区拡大再生層
から再生信号は検出されない。図２０、図２２、図２
３、図２４、及び図２５に示すように、状態、状態
、状態、状態及び状態では、記録磁区３２の一
部が熱スポット内に進入しているので、かかる磁区（記
録磁区３２の一部）が磁区拡大再生層に転写されるとと
もに、再生外部磁界により拡大されて、前述のＭＡＭＭ
ＯＳの原理により増幅された再生信号が検出される。
外部磁界が記録磁区と同一極性で印加されているが、熱
スポット内に記録磁区３２が進入していないため記録磁
区３２は磁区拡大再生層に転写されず、磁区拡大再生層
から再生信号は検出されない。図２０、図２２、図２
３、図２４、及び図２５に示すように、状態、状態
、状態、状態及び状態では、記録磁区３２の一
部が熱スポット内に進入しているので、かかる磁区（記
録磁区３２の一部）が磁区拡大再生層に転写されるとと
もに、再生外部磁界により拡大されて、前述のＭＡＭＭ
ＯＳの原理により増幅された再生信号が検出される。
【００５４】次いで、図２６示したように、状態で
は、記録磁区３２が熱スポット内に進入していないため
記録磁区３２は磁区拡大再生層に転写されず、磁区拡大
再生層から再生信号は検出されない。すなわち熱スポッ
トよりも記録磁区３２と次の記録磁区３３との間隔（ス
ペース）が大きければ、かかるスペース内で外部磁界を
印加しても記録磁区３２及び記録磁区３３は磁区拡大再
生層に転写されず、その部分が該スペースであることを
検出することができる。本実施例では熱スポットの大き
さが０．２μｍなので０．２μｍ以上の長さを持つスペ
ースを検出することができる。
は、記録磁区３２が熱スポット内に進入していないため
記録磁区３２は磁区拡大再生層に転写されず、磁区拡大
再生層から再生信号は検出されない。すなわち熱スポッ
トよりも記録磁区３２と次の記録磁区３３との間隔（ス
ペース）が大きければ、かかるスペース内で外部磁界を
印加しても記録磁区３２及び記録磁区３３は磁区拡大再
生層に転写されず、その部分が該スペースであることを
検出することができる。本実施例では熱スポットの大き
さが０．２μｍなので０．２μｍ以上の長さを持つスペ
ースを検出することができる。
【００５５】ここで、本実施例では（２，７）RLL変調
を用い、１ビットを０．０６７μｍとしてNRZに対応し
て記録磁区を形成しているので該スペースは０．１３μ
ｍ、０．２μｍ、０．２７μｍ、０．３４μｍ、０．４
μｍ及び０．４７の６通りのみで、これらのスペースの
間には必ず１ビットの記録磁区が記録されている。従っ
て、最短スペースである０．１３μｍのスペースは検出
されなくても、その他の５通りのスペースが検出できれ
ば、全ての記録パターンを再生することができる。
を用い、１ビットを０．０６７μｍとしてNRZに対応し
て記録磁区を形成しているので該スペースは０．１３μ
ｍ、０．２μｍ、０．２７μｍ、０．３４μｍ、０．４
μｍ及び０．４７の６通りのみで、これらのスペースの
間には必ず１ビットの記録磁区が記録されている。従っ
て、最短スペースである０．１３μｍのスペースは検出
されなくても、その他の５通りのスペースが検出できれ
ば、全ての記録パターンを再生することができる。
【００５６】図１に示したように熱スポットが記録磁区
３２よりも大きいために一つの記録磁区に対して前後１
ビットづつ２ビットの拡大信号が記録磁区よりも多く検
出されている。したがって、拡大信号が検出された場合
その両端の拡大信号を０に変換しなければ記録した情報
と同一の情報を得ることができない。本実施例では、１
１１の再生パターンを０１０に変換して再生情報を得
た。
３２よりも大きいために一つの記録磁区に対して前後１
ビットづつ２ビットの拡大信号が記録磁区よりも多く検
出されている。したがって、拡大信号が検出された場合
その両端の拡大信号を０に変換しなければ記録した情報
と同一の情報を得ることができない。本実施例では、１
１１の再生パターンを０１０に変換して再生情報を得
た。
【００５７】こうして、各記録磁区の位置情報をそれぞ
れ増幅した再生信号で再生することによって図１９の下
方に示したような再生情報が得られ、かかる再生情報の
１１１の再生パターンを０１０に変換後することによっ
て図１９の上方に示した記録情報を再生することができ
る。
れ増幅した再生信号で再生することによって図１９の下
方に示したような再生情報が得られ、かかる再生情報の
１１１の再生パターンを０１０に変換後することによっ
て図１９の上方に示した記録情報を再生することができ
る。
【００５８】ここで、再生時の熱スポットの大きさを
０．２μｍとし、（２，７）RLL符号を用いてNRZに対応
して記録マークを記録した場合、検出するべき最短スペ
ースは０．２μｍとなり、ビットピッチは約０．１３３
μｍとなる。検出するべき最短スペースを０．２μｍに
した理由はMAMMOSでは熱スポットよりも小さい記録磁区
は転写拡大することによって検出できるが、熱スポット
より小さい該スペースは検出できないから該スペースが
０．２μｍ以上になるようにしたからである。
０．２μｍとし、（２，７）RLL符号を用いてNRZに対応
して記録マークを記録した場合、検出するべき最短スペ
ースは０．２μｍとなり、ビットピッチは約０．１３３
μｍとなる。検出するべき最短スペースを０．２μｍに
した理由はMAMMOSでは熱スポットよりも小さい記録磁区
は転写拡大することによって検出できるが、熱スポット
より小さい該スペースは検出できないから該スペースが
０．２μｍ以上になるようにしたからである。
【００５９】従来のマークポジション記録方式において
も、該スペースはは熱スポットの長さよりも長くするこ
とが必要であった。すなわち、熱スポットの大きさを
０．２μｍとした場合１ビットの情報には、上記（２，
７）RLL変調を用いた場合と同様に考えて、該スペース
を０．２μｍとすると、ビットピッチは０．２μｍにし
かならない。それゆえ、本発明の記録再生方法は、記録
できる情報量を従来のマークポジション記録方式よりも
一層増大できることがわかる。
も、該スペースはは熱スポットの長さよりも長くするこ
とが必要であった。すなわち、熱スポットの大きさを
０．２μｍとした場合１ビットの情報には、上記（２，
７）RLL変調を用いた場合と同様に考えて、該スペース
を０．２μｍとすると、ビットピッチは０．２μｍにし
かならない。それゆえ、本発明の記録再生方法は、記録
できる情報量を従来のマークポジション記録方式よりも
一層増大できることがわかる。
【００６０】［実施例４］この実施例では、実施例１及
び実施例２で説明した記録再生方法に好適な装置の構成
例について説明する。図３２に、本発明の記録再生方法
に従う記録再生装置の構成を概略的に示す。記録再生装
置１０１は、コードデータと同期した周期でパルス化さ
れた光を光磁気記録媒体１００に照射するためのレーザ
ー光照射部と、記録再生時に制御された磁界を光磁気記
録媒体１００に印加する磁界印加部と、光磁気記録媒体
１００からの信号を検出及び処理する信号処理系とから
主に構成されている。
び実施例２で説明した記録再生方法に好適な装置の構成
例について説明する。図３２に、本発明の記録再生方法
に従う記録再生装置の構成を概略的に示す。記録再生装
置１０１は、コードデータと同期した周期でパルス化さ
れた光を光磁気記録媒体１００に照射するためのレーザ
ー光照射部と、記録再生時に制御された磁界を光磁気記
録媒体１００に印加する磁界印加部と、光磁気記録媒体
１００からの信号を検出及び処理する信号処理系とから
主に構成されている。
【００６１】レーザー光照射部において、レーザー２２
は、レーザー駆動回路１３２及び記録パルス幅／位相調
整回路（ＲＣ−ＰＰＡ）１５１に接続されており、レー
ザー駆動回路３２は、記録パルス幅／位相調整回路５１
または再生パルス幅／位相調整回路５３からの信号を受
けてレーザー２２のレーザーパルス幅及び位相を制御す
る。記録パルス幅／位相調整回路１５１は、記録時に、
ＰＬＬ回路３９から記録クロックを受けてレーザー光の
位相及びパルス幅を調整するための第１同期信号を発生
する。
は、レーザー駆動回路１３２及び記録パルス幅／位相調
整回路（ＲＣ−ＰＰＡ）１５１に接続されており、レー
ザー駆動回路３２は、記録パルス幅／位相調整回路５１
または再生パルス幅／位相調整回路５３からの信号を受
けてレーザー２２のレーザーパルス幅及び位相を制御す
る。記録パルス幅／位相調整回路１５１は、記録時に、
ＰＬＬ回路３９から記録クロックを受けてレーザー光の
位相及びパルス幅を調整するための第１同期信号を発生
する。
【００６２】磁界印加部において、光磁気記録媒体１０
０に磁界を印加するための磁気コイル２９は磁気コイル
駆動回路（Ｍ−ＤＲＩＶＥ）３４に接続されており、直
流（ＤＣ）磁界（連続磁界）とパルス磁界（交番磁界）
とを切り替えて光磁気記録媒体１００に印加することが
できる。記録時には磁気コイル駆動回路３４は、記録デ
ータを所定のコードに変換する符号器３０３から位相調
整回路（ＲＥ−ＰＡ）２３１を通じてコード変換された
データを受けて磁気コイル２９を制御する。一方、再生
時には、再生パルス幅／位相調整回路（ＲＰ−ＰＰＡ）
１３１を通じて磁気コイル２９を制御する。磁気コイル
駆動回路３４に入力される信号を記録時と再生時で切り
換えるために、記録再生切換器（ＲＣ／ＲＰ ＳＷ）１
３４が磁気コイル駆動回路３４に接続されている。
０に磁界を印加するための磁気コイル２９は磁気コイル
駆動回路（Ｍ−ＤＲＩＶＥ）３４に接続されており、直
流（ＤＣ）磁界（連続磁界）とパルス磁界（交番磁界）
とを切り替えて光磁気記録媒体１００に印加することが
できる。記録時には磁気コイル駆動回路３４は、記録デ
ータを所定のコードに変換する符号器３０３から位相調
整回路（ＲＥ−ＰＡ）２３１を通じてコード変換された
データを受けて磁気コイル２９を制御する。一方、再生
時には、再生パルス幅／位相調整回路（ＲＰ−ＰＰＡ）
１３１を通じて磁気コイル２９を制御する。磁気コイル
駆動回路３４に入力される信号を記録時と再生時で切り
換えるために、記録再生切換器（ＲＣ／ＲＰ ＳＷ）１
３４が磁気コイル駆動回路３４に接続されている。
【００６３】信号処理系において、レーザ２２と光磁気
ディスク１００との間には第１の偏光プリズム２５が配
置され、その側方には第２の偏光プリズム２５１及び検
出器２８及び２８１が配置されている。検出器２８及び
２８１は、それぞれ、Ｉ／Ｖ変換器３１１及び３１２を
介して、共に、減算器３０２及び加算器３０１に接続さ
れる。加算器３０１はクロック抽出回路（ＣＳＳ）３７
を介してＰＬＬ回路３９に接続されている。減算器３０
２の一部は、クロックに同期して信号をホールドするサ
ンプルホールド（Ｓ／Ｈ）回路４１、同様にクロックと
同期してアナログデジタル変換を行うＡ／Ｄ変換回路４
２及び２値化信号処理回路（ＢＳＣ）４３を介して復号
器３８に接続される。
ディスク１００との間には第１の偏光プリズム２５が配
置され、その側方には第２の偏光プリズム２５１及び検
出器２８及び２８１が配置されている。検出器２８及び
２８１は、それぞれ、Ｉ／Ｖ変換器３１１及び３１２を
介して、共に、減算器３０２及び加算器３０１に接続さ
れる。加算器３０１はクロック抽出回路（ＣＳＳ）３７
を介してＰＬＬ回路３９に接続されている。減算器３０
２の一部は、クロックに同期して信号をホールドするサ
ンプルホールド（Ｓ／Ｈ）回路４１、同様にクロックと
同期してアナログデジタル変換を行うＡ／Ｄ変換回路４
２及び２値化信号処理回路（ＢＳＣ）４３を介して復号
器３８に接続される。
【００６４】レーザ２２から出射した光はコリメータレ
ンズ２３によって平行光にされ、偏光プリズム２５を通
って対物レンズ２４によって光磁気ディスク１００上に
集光される。ディスク１００からの反射光は偏光プリズ
ム２５によって偏光プリズム２５１の方向に向けられ、
１／２波長板２６を透過した後、偏光プリズム２５１で
二方向に分割される。分割された光はそれぞれ検出レン
ズ２７で集光されて光検出器２８及び２８１に導かれ
る。ここで、光磁気ディスク１００上にはトラッキング
エラー信号及びクロック信号生成用のピットが予め形成
されている。クロック信号生成用ピットからの反射光を
示す信号が検出器２８及び２８１で検出された後、クロ
ック抽出回路３７において抽出される。次いでクロック
抽出回路３７に接続されたＰＬＬ回路３９においてデー
タチャネルクロックが発生される。
ンズ２３によって平行光にされ、偏光プリズム２５を通
って対物レンズ２４によって光磁気ディスク１００上に
集光される。ディスク１００からの反射光は偏光プリズ
ム２５によって偏光プリズム２５１の方向に向けられ、
１／２波長板２６を透過した後、偏光プリズム２５１で
二方向に分割される。分割された光はそれぞれ検出レン
ズ２７で集光されて光検出器２８及び２８１に導かれ
る。ここで、光磁気ディスク１００上にはトラッキング
エラー信号及びクロック信号生成用のピットが予め形成
されている。クロック信号生成用ピットからの反射光を
示す信号が検出器２８及び２８１で検出された後、クロ
ック抽出回路３７において抽出される。次いでクロック
抽出回路３７に接続されたＰＬＬ回路３９においてデー
タチャネルクロックが発生される。
【００６５】上記装置において、PLL回路３９に同期さ
せて１ビットに対して１周期の交番磁界を磁気ヘッドド
ライバーを介して再生外部磁界として光磁気記録媒体に
印加する。２値化された再生信号は波形シフト装置（Ｐ
ＣＳ）７１としてを用いてシフトレジスタによって、１
ビット後にシフトされ、論理回路７２によって再生信号
と論理積をとることによって、図１及び図１０に示した
ように記録信号と同様の再生信号を得ることができるた
め、実施例１で説明した再生方法に基づく情報の再生が
実現される。
せて１ビットに対して１周期の交番磁界を磁気ヘッドド
ライバーを介して再生外部磁界として光磁気記録媒体に
印加する。２値化された再生信号は波形シフト装置（Ｐ
ＣＳ）７１としてを用いてシフトレジスタによって、１
ビット後にシフトされ、論理回路７２によって再生信号
と論理積をとることによって、図１及び図１０に示した
ように記録信号と同様の再生信号を得ることができるた
め、実施例１で説明した再生方法に基づく情報の再生が
実現される。
【００６６】図３３及び図３４は波形シフト装置と論理
回路の一例と各部の波形である。入力信号Ｓ０はＤ−Ｆ
Ｆによってクロックの立ち上がりの状態が保持されてＳ
０'としてＱに出力される図３４の例ではＳ０はクロッ
クの立ち下がりで立ち上がっているので、Ｓ０'はＳ０
よりＣＫに対して半周期遅れた信号になる。次に一段目
のクロックの否定を２段目のＣＫとしてＳ０'をＤ−Ｆ
Ｆに入力すると同様にＣＫに対して半周期遅れた信号Ｓ
１となって出力される。すなわちＳ１はＳ０よりもクロ
ックに対して１ビット遅れた信号として出力される。同
様にＳ２はＳ０よりもクロックに対して１ビット遅れた
信号として出力される。このように、D−ＦＦを連続し
て構成することにより任意のビットだけシフトした信号
を作ることが可能である。再生信号をＳ０としてシフト
された信号と再生信号との論理積をとることにより実施
例１及び実施例２で説明した再生方法に基づく再生が実
現される。
回路の一例と各部の波形である。入力信号Ｓ０はＤ−Ｆ
Ｆによってクロックの立ち上がりの状態が保持されてＳ
０'としてＱに出力される図３４の例ではＳ０はクロッ
クの立ち下がりで立ち上がっているので、Ｓ０'はＳ０
よりＣＫに対して半周期遅れた信号になる。次に一段目
のクロックの否定を２段目のＣＫとしてＳ０'をＤ−Ｆ
Ｆに入力すると同様にＣＫに対して半周期遅れた信号Ｓ
１となって出力される。すなわちＳ１はＳ０よりもクロ
ックに対して１ビット遅れた信号として出力される。同
様にＳ２はＳ０よりもクロックに対して１ビット遅れた
信号として出力される。このように、D−ＦＦを連続し
て構成することにより任意のビットだけシフトした信号
を作ることが可能である。再生信号をＳ０としてシフト
された信号と再生信号との論理積をとることにより実施
例１及び実施例２で説明した再生方法に基づく再生が実
現される。
【００６７】以上、本発明の記録再生方法について実施
例１、実施例２、実施例３及び実施例４により具体的に
説明してきたが、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。例えば、実施例１、実施例２及び実施例
３では、（２，７）RLL符号を用いなくても（１，７）R
LLなど他の変調方式でも同様な再生を行うことができ
る。
例１、実施例２、実施例３及び実施例４により具体的に
説明してきたが、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。例えば、実施例１、実施例２及び実施例
３では、（２，７）RLL符号を用いなくても（１，７）R
LLなど他の変調方式でも同様な再生を行うことができ
る。
【００６８】また、実施例４においては、シフトレジス
タを用いて再生信号をシフトさせたが、遅延回路を通す
ことによっても再生信号をシフトさせることができる。
その他にも、波形を一旦コンピュータに取り込んでソフ
トウェアによって行うことも可能である。
タを用いて再生信号をシフトさせたが、遅延回路を通す
ことによっても再生信号をシフトさせることができる。
その他にも、波形を一旦コンピュータに取り込んでソフ
トウェアによって行うことも可能である。
【００６９】さらに、実施例１及び実施例２において
は、再生信号を前後に１ビットずつシフトさせたが、前
又は後に２ビットずつでも同様の再生ができる。シフト
量も熱スポットの大きさ、スペースの最小の長さ、再生
外部磁界の周期などによって変わり得る。
は、再生信号を前後に１ビットずつシフトさせたが、前
又は後に２ビットずつでも同様の再生ができる。シフト
量も熱スポットの大きさ、スペースの最小の長さ、再生
外部磁界の周期などによって変わり得る。
【００７０】また、上記実施例１、実施例２及び実施例
３においては、光パルス磁界記録方式を用いて情報の記
録を行ったが、それに限定されることはなく、光変調方
式及び磁界変調方式を用いることも可能である。更に、
ＭＡＭＭＯＳ用の光磁気記録媒体として図２８に示した
構造の媒体を使用したが、これに限らず、例えばＷＯ９
８／０２８７８号に開示された種々の構造のＭＡＭＭＯ
Ｓ用の光磁気記録媒体を使用することができる。
３においては、光パルス磁界記録方式を用いて情報の記
録を行ったが、それに限定されることはなく、光変調方
式及び磁界変調方式を用いることも可能である。更に、
ＭＡＭＭＯＳ用の光磁気記録媒体として図２８に示した
構造の媒体を使用したが、これに限らず、例えばＷＯ９
８／０２８７８号に開示された種々の構造のＭＡＭＭＯ
Ｓ用の光磁気記録媒体を使用することができる。
【００７１】
【発明の効果】本発明の再生方法は、熱スポットよりも
記録マークの間隔（スペース）が大きければスペースの
有無を検出し、記録磁区が検出された前後のビットを反
転することによって記録した情報を得ることができるの
で、スペースに対して記録マークの幅を極めて短くする
ことができ、光磁気記録媒体の記録密度を大幅に向上さ
せることができる。
記録マークの間隔（スペース）が大きければスペースの
有無を検出し、記録磁区が検出された前後のビットを反
転することによって記録した情報を得ることができるの
で、スペースに対して記録マークの幅を極めて短くする
ことができ、光磁気記録媒体の記録密度を大幅に向上さ
せることができる。
【図１】実施例１において記録層に形成した記録磁区の
磁区パターンの一例と、再生外部磁界の印加パターン
と、検出される再生信号を示す図である。
磁区パターンの一例と、再生外部磁界の印加パターン
と、検出される再生信号を示す図である。
【図２】再生光スポット内に形成された熱スポットに対
して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図１
の状態の場合である。
して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図１
の状態の場合である。
【図３】再生光スポット内に形成された熱スポットに対
して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図１
の状態の場合である。
して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図１
の状態の場合である。
【図４】再生光スポット内に形成された熱スポットに対
して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図１
の状態の場合である。
して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図１
の状態の場合である。
【図５】再生光スポット内に形成された熱スポットに対
して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図１
の状態の場合である。
して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図１
の状態の場合である。
【図６】再生光スポット内に形成された熱スポットに対
して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図１
の状態の場合である。
して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図１
の状態の場合である。
【図７】再生光スポット内に形成された熱スポットに対
して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図１
の状態の場合である。
して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図１
の状態の場合である。
【図８】再生光スポット内に形成された熱スポットに対
して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図１
の状態の場合である。
して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図１
の状態の場合である。
【図９】再生光スポット内に形成された熱スポットに対
して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図１
の状態の場合である。
して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図１
の状態の場合である。
【図１０】実施例２において記録層に形成した記録磁区
の磁区パターンの一例と、再生外部磁界の印加パターン
と、検出される再生信号を示す図である。
の磁区パターンの一例と、再生外部磁界の印加パターン
と、検出される再生信号を示す図である。
【図１１】再生光スポット内に形成された熱スポットに
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１０の状態の場合である。
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１０の状態の場合である。
【図１２】再生光スポット内に形成された熱スポットに
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１０の状態の場合である。
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１０の状態の場合である。
【図１３】再生光スポット内に形成された熱スポットに
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１０の状態の場合である。
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１０の状態の場合である。
【図１４】再生光スポット内に形成された熱スポットに
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１０の状態の場合である。
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１０の状態の場合である。
【図１５】再生光スポット内に形成された熱スポットに
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１０の状態の場合である。
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１０の状態の場合である。
【図１６】再生光スポット内に形成された熱スポットに
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１０の状態の場合である。
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１０の状態の場合である。
【図１７】再生光スポット内に形成された熱スポットに
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１０の状態の場合である。
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１０の状態の場合である。
【図１８】再生光スポット内に形成された熱スポットに
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１０の状態の場合である。
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１０の状態の場合である。
【図１９】実施例３において記録層に形成した記録磁区
の磁区パターンの一例と、再生外部磁界の印加パターン
と、検出される再生信号を示す図である。
の磁区パターンの一例と、再生外部磁界の印加パターン
と、検出される再生信号を示す図である。
【図２０】再生光スポット内に形成された熱スポットに
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１９の状態の場合である。
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１９の状態の場合である。
【図２１】再生光スポット内に形成された熱スポットに
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１９の状態の場合である。
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１９の状態の場合である。
【図２２】再生光スポット内に形成された熱スポットに
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１９の状態の場合である。
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１９の状態の場合である。
【図２３】再生光スポット内に形成された熱スポットに
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１９の状態の場合である。
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１９の状態の場合である。
【図２４】再生光スポット内に形成された熱スポットに
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１９の状態の場合である。
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１９の状態の場合である。
【図２５】再生光スポット内に形成された熱スポットに
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１９の状態の場合である。
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１９の状態の場合である。
【図２６】再生光スポット内に形成された熱スポットに
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１９の状態の場合である。
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１９の状態の場合である。
【図２７】再生光スポット内に形成された熱スポットに
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１９の状態の場合である。
対して記録磁区が移動する様子を説明する図であり、図
１９の状態の場合である。
【図２８】実施例で用いた光磁気記録媒体の断面構造を
模式的に示す図である。
模式的に示す図である。
【図２９】ＭＡＭＭＯＳの再生原理について説明するた
めの図である。
めの図である。
【図３０】熱スポットのトラック方向の長さを調整する
方法を説明するための図であり、１μｍの記録マークを
光スポットで走査した様子を示す図である。
方法を説明するための図であり、１μｍの記録マークを
光スポットで走査した様子を示す図である。
【図３１】熱スポットのトラック方向の長さを調整する
方法を説明するための図であり、印加タイミングを変更
したときの再生磁界と、それにより検出される再生信号
を示す図である。
方法を説明するための図であり、印加タイミングを変更
したときの再生磁界と、それにより検出される再生信号
を示す図である。
【図３２】実施例３で使用した光磁気記録再生装置のブ
ロック図である。
ロック図である。
【図３３】図２０中の波形シフト装置及び論理回路の例
を示す図である。
を示す図である。
【図３４】図２１の回路各部の波形の説明図である。
１ 透明基板 ２ 第１誘電体層 ３ 磁区拡大再生層 ４ 非磁性層 ５ 記録層 ６ 第２誘電体層 １００ 光磁気記録媒体 １０１ 記録再生装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 粟野 博之 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 Ｆターム(参考） 5D075 AA03 CC01 CC11 CC23
Claims (7)
- 【請求項１】 記録磁区が形成される記録層と、磁区拡
大再生層とを備える光磁気記録媒体を用い、光磁気記録
媒体に再生光を照射して再生光スポット内で高温領域を
生じさせ、該高温領域を通じて記録磁区を再生層に転写
させるとともに、転写した磁区を外部磁界の印加によっ
て拡大させる光磁気記録媒体の再生方法において、再生
レーザ光でディスクを走査する際に、記録再生エリアの
ある地点が該高温領域に入ってから、該高温領域から出
るまでの時間よりも短い周期で再生外部磁界を印加する
ことを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。 - 【請求項２】 記録マークによって拡大再生される信号
を該記録マークよりも長い範囲にわたって検出すること
を特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体の再生方
法。 - 【請求項３】 再生信号検出後に上記記録マークによっ
て上記記録マークよりも長い範囲にわたって検出された
拡大信号の範囲を記録マークと同じ長さに変換すること
を特徴とする請求項１および２記載の光磁気記録媒体の
再生方法。 - 【請求項４】 記録磁区が形成される記録層と、磁区拡
大再生層とを備える光磁気記録媒体を用い、光磁気記録
媒体に再生光を照射して再生光スポット内で高温領域を
生じさせ、該高温領域を通じて記録磁区を再生層に転写
させるとともに、転写した磁区を外部磁界の印加によっ
て拡大させる光磁気記録媒体の再生方法において、方向
の異なる２つの磁化の向きをそれぞれ第１の記録状態、
第２の記録状態として第一の記録状態の最小記録磁区が
第２の記録状態の最小記録磁区よりも小さくなるように
記録した磁化パターンから該高温領域を走査して情報を
再生する際に、該高温領域の走査方向の長さが、第２の
記録状態の最小磁区よりも小さい状態で再生することを
特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。 - 【請求項５】 記録磁区が形成される記録層と、磁区拡
大再生層とを備える光磁気記録媒体を用い、光磁気記録
媒体に再生光を照射して再生光スポット内で高温領域を
生じさせ、該高温領域を通じて記録磁区を再生層に転写
させるとともに、転写した磁区を外部磁界の印加によっ
て拡大させる光磁気記録媒体の記録方法において、方向
の異なる２つの磁化の向きをそれぞれ第１の記録状態、
第２の記録状態として第１の記録状態の最小記録磁区が
第２の記録状態の最小記録磁区よりも小さくなるように
記録することを特徴とする光磁気記録媒体の記録方法。 - 【請求項６】 記録磁区が形成される記録層と、記録層
の記録磁区が転写されて外部磁界の印加により拡大され
る磁区拡大再生層とを備える光磁気記録媒体の再生方法
において、再生信号を前と後の両方、又は前か後かのど
ちらかに１ビット以上シフトさせ、再生信号とシフトし
た後の信号の論理積をとる過程を有することを特徴とす
る光磁気記録媒体の再生方法。 - 【請求項７】 記録磁区が形成される記録層と、記録層
の記録磁区が転写されて外部磁界の印加により拡大され
る磁区拡大再生層とを備える光磁気記録媒体を再生する
ための再生装置において、光磁気記録媒体に光を照射す
るための光源と、前記外部磁界を発生させるための磁界
印加装置と、磁区拡大再生層からの再生信号を検出する
ための信号検出装置と、再生信号を前後にずらすための
波形シフト装置と、再生信号と上記信号波形シフト装置
の出力との論理積をとるための論理演算装置とを備える
ことを特徴とする再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11231551A JP2001056977A (ja) | 1999-08-18 | 1999-08-18 | 光磁気記録媒体の再生方法及び再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11231551A JP2001056977A (ja) | 1999-08-18 | 1999-08-18 | 光磁気記録媒体の再生方法及び再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001056977A true JP2001056977A (ja) | 2001-02-27 |
Family
ID=16925279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11231551A Withdrawn JP2001056977A (ja) | 1999-08-18 | 1999-08-18 | 光磁気記録媒体の再生方法及び再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001056977A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003069614A2 (en) * | 2002-02-14 | 2003-08-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for data dependent field switching for domain expansion reading and record carrier for use by the method |
-
1999
- 1999-08-18 JP JP11231551A patent/JP2001056977A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003069614A2 (en) * | 2002-02-14 | 2003-08-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for data dependent field switching for domain expansion reading and record carrier for use by the method |
| WO2003069614A3 (en) * | 2002-02-14 | 2004-01-08 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method and device for data dependent field switching for domain expansion reading and record carrier for use by the method |
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