JPH10188385A - 光磁気記録媒体の再生方法及び再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ジッタが小さい高品質な光磁気再生信号を得
る。 【解決手段】 光磁気ディスク１から読出された再生信
号の前エッジ及び後エッジを二値化回路９により検出
し、第１の磁界変調指示回路により夫々のエッジに応じ
た方向の磁界変調を指示する再生磁界変調信号２７を磁
気コイル駆動回路４に与える。夫々のエッジに対し、ジ
ッタに関して有利な方向の磁界を印加するので、両エッ
ジの傾きが急峻なジッタが小さい再生信号を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録媒体の
再生方法及び再生装置に関し、特に磁気超解像（Magnet
ically Induced Super Resolution ，ＭＳＲ）再生が可
能な光磁気記録媒体の再生方法及び再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気ディスク及びこの記録再生装置
は、大容量、可換性、高信頼性等によりその市場を急速
に拡げ、画像、イメージ情報及びコンピュータ用コード
情報等の記録／再生を可能としている。このような光磁
気ディスクの記録容量のさらなる増大化が要望されてい
る。記録密度を増大させるためには媒体上にさらに多く
の記録マークを形成することが必要であり、そのために
は記録マーク長をレーザ光のスポット径よりも短くする
と共に記録マーク間隔を詰める必要がある。光磁気記録
／再生における記録マークの記録密度はディスクを照射
する光ビームのスポット径によって制限される。スポッ
ト径以下の周期を有する微細な記録マークを形成するの
は比較的簡単であるが、微細な記録マークを再生する際
には照射するレーザ光の波長λと対物レンズの開口数Ｎ
Ａとの制約により、再生可能な記録マークの長さに限界
があった。

【０００３】そこで、光ビームのスポット内に生じる媒
体の温度分布を利用し、スポット内の一部領域から記録
マーク（ビット）を読出すことにより、スポット径を絞
った場合と同等の効果を生ぜしめるＭＳＲ再生方式及び
ＭＳＲ媒体が、特開平１−143041号公報，特開平３−93
058 号公報等で提案されている。前者は、基板上に再生
層、スイッチ層及び記録層を積層した多層構造の光磁気
ディスクに再生磁界を印加しつつ光ビームを照射する光
磁気再生方法である。再生時に、光磁気ディスクの回転
によりビームスポット内には温度分布が生じ、高温領域
と低温領域とが形成される。低温領域ではスイッチ層を
介した記録層と再生層との交換結合力により、記録層の
ビットが再生層に転写されて読み出される。高温領域で
は記録層と再生層との交換結合力が切れるために再生層
の磁化が再生磁界の方向に揃えられ、記録層のビットが
マスクされる。これにより、スポット内の低温領域のみ
からビットが再生され（ＦＡＤ方式）、実質的にビーム
スポットを絞った場合と同様に再生分解能が向上する。

【０００４】図１１は、後者の特開平３−93058 号公報
で提案されているＭＳＲ媒体の膜構成と再生時の磁化状
態とを示す図である。図示しない基板上に再生層４１、
再生補助層４２、中間層４３及び記録層４４を積層した
多層構造の光磁気ディスクに初期磁界及び再生磁界Ｈｒ
を印加しつつ光ビームを照射する光磁気再生方法であ
る。再生時に、光磁気ディスクの回転によりビームスポ
ットＳ内には温度分布が生じ、高温領域、低温領域及び
その間の中間温度領域が形成される。低温領域では中間
層４３が面内磁化特性を有するので記録層４４と再生層
４１との間の交換結合力が切れ、再生層４１の磁化が初
期化磁界の方向に揃えられて記録層４４のビットがマス
クされる（フロントマスク）。また高温領域では再生補
助層４２がキュリー温度以上となって記録層４４と再生
層４１との間の交換結合力が切れ、再生層４１の磁化が
再生磁界の方向に揃えられて記録層４４のビットがマス
クされる（リアマスク）。

【０００５】中間温度領域においては中間層４３が垂直
磁化特性を有しており、記録層４４のビットが中間層４
３及び再生補助層４２を介して再生層４１に転写され、
これが読み出される（開口部）。これによりビームスポ
ットＳ内の中間温度領域のみからビットが再生され、実
質的にビームスポットを絞った場合と同様に再生分解能
が向上する（ＲＡＤダブルマスク方式）。

【０００６】このような特開平３−93058 号公報にて提
案されたＭＳＲ再生方式では、初期化磁石４５により数
ｋＯｅ程度の初期化磁界を光磁気ディスクに印加して再
生層４１及び再生補助層４２の磁化を同方向に揃える必
要があった。これは、低温領域において再生層４１と再
生補助層４２との保磁力が中間層４３を介した記録層４
４からの交換結合力よりも大きいためである。中間温度
領域である転写領域では、光磁気ディスクの温度の上昇
とともにこの大小関係が逆転することで交換結合力がは
たらく。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】図１２は従来の光磁気
再生装置の構成を示すブロック図である。図中１６は、
光磁気ディスクであり、前述したようなＲＡＤダブルマ
スク方式のＭＳＲ媒体である。光磁気ディスク１６は、
レーザパルス磁界変調記録方式を用いて記録マークが形
成されている。レーザパルス磁界変調記録方式とは磁界
変調記録の一種であり、記録すべき情報に基づいて変調
された磁界を印加しつつ、パルス発光せしめたレーザ光
を照射する記録方法である。これらの記録方式により、
より微細な記録マークを形成することができる。

【０００８】このような光磁気ディスク１６の一面側に
は光学ヘッド２が配されている。光学ヘッド２はレーザ
光源、該レーザ光源から出射したレーザ光を導く光学
系、及び光磁気信号を電気信号に変換する変換手段を備
えている。また、光磁気ディスク１６の他面側には磁気
コイル３が配されており、磁気コイル駆動回路４から与
えられる信号により光磁気ディスク１６に所定方向の再
生磁界を印加する。光学ヘッド２から出力されるレーザ
光は光磁気ディスク１６を照射し、その反射光が集光さ
れて光磁気信号が検出され、電気信号である再生信号に
変換される。

【０００９】光学ヘッド２から出力された再生信号はア
ンプ５に入力されて増幅され、ＡＧＣ（オートゲインコ
ントロール）回路６へ出力される。ＡＧＣ回路６へ入力
された信号はゲイン調整され、等化器７へ出力されて波
形等化され、波形等化された信号はＬＰＦ（ローパスフ
ィルタ）８へ出力されて高域雑音が除去される。ＬＰＦ
８から入力された信号は二値化回路９へ出力されて二値
化され、データ弁別器１０及びＰＬＬ（フェーズロック
ループ）１１へ出力される。データ弁別器１０に入力さ
れた二値化信号は、ＰＬＬ１１から出力された信号を受
けてセパレートデータとクロック信号とを復調器１２へ
出力する。入力されたセパレートデータは復調器１２に
て復調される。このように光磁気ディスク１６に記録さ
れた情報が再生される。

【００１０】図１３及び図１４は、光磁気ディスク１６
に形成された記録マークと、マイナス磁界及びプラス磁
界の再生磁界を印加して得られた夫々の再生信号の波形
を示す図であり、再生信号の波形の前エッジ及び後エッ
ジの位相分布を共に示している。記録マークは、磁化方
向が記録方向であるビットをハッチングで示している。
このようなＭＳＲ再生の際の再生信号のエッジは、ビー
ムスポットＳの全領域を開口部とする通常の再生の場合
と比較してエッジの傾斜が急峻であり、同一なノイズパ
ワーに対する二値化信号のジッタが小さいことが知られ
ている。これは、ＭＳＲ再生ではビームスポットＳの中
央に近い一部領域のみからビットを読出すために、再生
信号がビームスポットＳのガウス分布中央付近の光強度
に対応して得られるからである。

【００１１】再生磁界の向きを記録方向に対して逆の方
向（マイナス磁界）と同じ方向（プラス磁界）とで夫々
再生して比較してみると、マイナス磁界を印加した場合
は、図１３に示すように再生信号の波形は前エッジの傾
斜が後エッジの傾斜に比べて緩やかであり、プラス磁界
の再生磁界を印加した場合は、図１４に示すように後エ
ッジの傾斜が前エッジの傾斜に比べて緩やかである。こ
れは、ビームスポットＳ内でのフロントマスク及びリア
マスクの形成範囲の違いに起因する。ビームスポットＳ
の中央に近い範囲に形成されたマスク側のエッジの方が
傾斜が急峻である。

【００１２】また、図１３及び図１４にはエッジ位相分
布を共に示しており、エッジ位相分布は再生信号に含ま
れるノイズによる位相ぶれを表し、ジッタの大きさを示
している。マイナス磁界を印加した場合は、再生信号の
後エッジよりも前エッジの位相分布が広く、ジッタが大
きい。またプラス磁界を印加した場合は、前エッジより
も後エッジの位相分布が広く、ジッタが大きい。

【００１３】図１５は光磁気ディスクの記録密度に対す
るジッタ特性を示すグラフである。縦軸はジッタを示
し、横軸は記録マークの寸法を示している。グラフに示
すように、記録マークが小さくなる、即ち記録密度が高
くなるほど前エッジ及び後エッジの双方のジッタは大き
くなっている。再生信号は前エッジ及び後エッジのジッ
タの平均値で決まるために、図１３及び図１４で示した
ように、片側のエッジのジッタが大きい場合はこのジッ
タが再生信号の品質に大きく影響を与える。特にＭＳＲ
媒体のように高記録密度媒体では、エッジが非対称な再
生信号は品質が著しく劣化するという問題があった。

【００１４】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、再生時に磁界を変調して印加することによ
り、再生信号の波形の前後両エッジの傾きを急峻にでき
る光磁気記録媒体の再生方法を提供することを目的とす
る。また、ビームスポット径より小さい領域から再生信
号の読出しが可能なＭＳＲ媒体又はビームスポット内の
高温側の一部領域から再生信号の読出しが可能なＲＡＤ
ダブルマスク方式のＭＳＲ媒体を再生する際に、変調磁
界を印加することにより、前後両エッジの傾きをさらに
急峻にできる再生信号が得られる光磁気記録媒体の再生
方法を提供することを目的とする。

【００１５】さらに、読出した再生信号の前エッジ及び
後エッジを検出し、夫々のエッジに対応させて磁界の方
向を定めることにより、前後エッジの傾きが急峻で略対
称である再生信号が得られる光磁気記録媒体の再生方法
及び再生装置を提供することを目的とする。さらにま
た、変調磁界の磁界零の時点で生じる再生信号の変動を
マスクすることにより、再生信号のエッジを正確に検出
できる光磁気記録媒体の再生方法及び再生装置を提供す
ることを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】第１発明に係る光磁気記
録媒体の再生方法は、データが記録された光磁気記録媒
体に光ビームを照射しつつ磁界を印加して前記データに
対応する再生信号を読出し、該再生信号から前記データ
を得る光磁気記録媒体の再生方法において、前記光磁気
記録媒体の再生時に、前記再生信号に基づいて変調した
磁界を印加することを特徴とする。

【００１７】第２発明に係る光磁気記録媒体の再生方法
は、データが記録された光磁気記録媒体に光ビームを照
射しつつ磁界を印加して前記データに対応する再生信号
を読出し、該再生信号から前記データを得る光磁気記録
媒体の再生方法において、前記光磁気記録媒体との相対
移動を伴って光ビームを照射することにより該光ビーム
のスポット内に前記移動方向の温度分布を生ぜしめ、磁
界印加により前記スポット内の所定領域でデータをマス
クし、前記スポット内の残りの領域から前記再生信号を
読出す際に、前記磁界を変調せしめることを特徴とす
る。

【００１８】第３発明に係る光磁気記録媒体の再生方法
は、データが記録された光磁気記録媒体に光ビームを照
射しつつ磁界を印加して前記データに対応する再生信号
を読出し、該再生信号から前記データを得る光磁気記録
媒体の再生方法において、前記光磁気記録媒体との相対
移動を伴って光ビームを照射することにより該光ビーム
のスポット内に前記移動方向の温度分布を生ぜしめ、磁
界印加により低温側の領域及び高温側の一部領域でデー
タをマスクし、高温側の残りの領域から前記再生信号を
読出す際に、前記磁界を変調せしめることを特徴とす
る。

【００１９】第４発明に係る光磁気記録媒体の再生方法
は、第１、第２又は第３発明において、読出された前記
再生信号の前エッジ及び後エッジを検出し、夫々のエッ
ジの検出に応じて前記磁界の方向を変調せしめることを
特徴とする。

【００２０】本願出願人は、初期化磁石を用いることな
く、数百Ｏｅ程度の低い再生磁界を印加することにより
ＲＡＤダブルマスク方式でＭＳＲ再生が可能な光磁気媒
体を特開平７−244877号公報にて提案している。図１６
は本願出願人提案によるＭＳＲ媒体の再生時の磁化状態
を示す図であり、膜構成と共に示している。なお、図１
６（ａ）はビットの記録方向と逆方向の再生磁界を印加
した場合の磁化状態を示し、図１６（ｂ）は同方向の再
生磁界を印加した場合の磁化状態を示している。何れも
媒体の基板及び保護層等は省略して示している。

【００２１】図１６に示すように、光磁気ディスク１は
基板（図示せず）上に再生層３３、中間層３４及び記録
層３５をこの順に積層して構成されている。再生層３３
は遷移金属磁化優勢膜であり、垂直方向即ち積層方向に
磁化容易軸を有している。中間層３４は希土類磁化優勢
膜であり、室温（１０℃〜３５℃）では面内方向に磁化
容易軸を有しており、室温より高い所定温度以上になる
と磁化容易軸が面内方向から垂直方向に変化する。記録
層３５は遷移金属磁化優勢膜であり、垂直方向に磁化容
易軸を有している。

【００２２】このような構成の光磁気ディスク１に記録
マークを形成する際には、記録用磁界を印加しつつ、記
録用レーザ光を照射する。記録方法には光変調記録及び
磁界変調記録の２通りがあり、何れの記録方法を用いて
も記録可能である。上向きを記録方向として情報が記録
された光磁気ディスク１の再生時の磁化状態を説明す
る。図１６（ａ）に示すように、光磁気ディスク１に再
生用レーザ光が照射され、照射領域に記録方向とは逆の
下向きの再生磁界（マイナス磁界）が印加される。レー
ザ光に対して前方側となる低温領域では中間層３４と記
録層３５との交換結合力は弱く、中間層３４の磁化が再
生磁界の方向即ち下方向に揃う。そして、中間層３４と
再生層３３との交換結合力により再生層３３の磁化方向
は上向きに揃って記録層３５の磁化方向をマスクするは
たらきをする（フロントマスク）。また、高温領域は中
間層３４のキュリー温度を越えた領域であり、中間層３
４と再生層３３との交換結合力が切れている。これによ
り、再生層３３の磁化方向は再生磁界の下方向に揃い、
記録層３５の磁化方向をマスクするはたらきをする（リ
アマスク）。低温領域と高温領域との間の中間温度領域
では、中間層３４を介して記録層３５と再生層３３との
交換結合力により、記録層３５の磁化方向が再生層３３
に転写される（開口部）。

【００２３】また、図１６（ｂ）に示すように、光磁気
ディスク１に再生用レーザ光が照射され、照射領域に図
１６（ａ）とは逆の上向きの再生磁界（プラス磁界）が
印加される。低温領域では中間層３４と記録層３５との
交換結合力は弱く、中間層３４の磁化が再生磁界の方向
即ち上方向に揃う。そして、中間層３４と再生層３３と
の交換結合力により再生層３３の磁化方向は下向きに揃
って記録層３５の磁化方向をマスクするはたらきをする
（フロントマスク）。また、高温領域は中間層３４のキ
ュリー温度を越えた領域であり、中間層３４と再生層３
３との交換結合力が切れている。これにより、再生層３
３の磁化方向は再生磁界の上方向に揃い、記録層３５の
磁化方向をマスクするはたらきをする（リアマスク）。
低温領域と高温領域との間の中間温度領域では、中間層
３４を介して記録層３５と再生層３３との交換結合力に
より、記録層３５の磁化方向が再生層３３に転写される
（開口部）。

【００２４】このように本願出願人のＭＳＲ媒体では低
温領域において中間層３４の磁化方向を数百Ｏｅの再生
磁界の向きに揃えることができるので、数ｋＯｅのよう
な大きな初期磁石を必要とせず、フロントマスクを形成
することができる。上述したようなビームスポットＳ内
にマスクを形成するＭＳＲ媒体では、再生時に印加する
磁界の向きによって、マスクのビームスポット内形成範
囲が若干異なる。マスクの形成範囲が異なることによ
り、再生信号のエッジの傾斜が異なる。例えば、ＭＳＲ
媒体にマイナス磁界を印加して再生した場合には（図１
６（ａ））、記録方向のビットを読出す時点で、開口部
の中間層３４の磁化の向きは再生磁界と同じ向きであ
り、プラス磁界を印加した場合には（図１６（ｂ））再
生磁界と逆向きになる。この磁化方向の違いにより、フ
ロントマスクはマイナス磁界を印加した場合よりもプラ
ス磁界を印加した場合の方がビームスポットＳの中央に
近い位置まで形成される。従って、再生信号の前エッジ
はプラス磁界を印加した方が急峻になる。一方、リアマ
スクの領域の再生層３３の磁化の向きは、マイナス磁界
を印加した場合には、記録ビットを読出す時点で開口部
の中間層３４の磁化の向きと同じ向きになり、プラス磁
界を印加した場合には逆向きになる。この磁化方向の違
いにより、リアマスクはマイナス磁界を印加した方がプ
ラス磁界を印加した場合よりもビームスポットＳの中央
に近い位置まで形成される。従って、再生信号の後エッ
ジはマイナス磁界を印加した方が急峻になる。

【００２５】これらのことから、前エッジの出力時には
プラス磁界を印加し、後エッジの出力時にはマイナス磁
界を印加することにより、両エッジの傾斜を対称に近づ
けることができる。即ち、得られた再生信号の前後エッ
ジの検出に応じて再生磁界をプラス磁界からマイナス磁
界に又はその逆に切り換えて光磁気再生することによ
り、両エッジのジッタが共に小さい、高品質の再生信号
を得ることができる。

【００２６】また、第６発明に係る光磁気記録媒体の再
生装置は、データが記録された光磁気記録媒体に、光ビ
ームを照射しつつ磁界印加手段により磁界を印加し、前
記光磁気記録媒体で反射した光ビームの反射光を光学ヘ
ッドにより集光して前記データに対応する再生信号に変
換し、該再生信号から前記データを得る光磁気記録媒体
の再生装置において、前記光学ヘッドにより得られた再
生信号が入力され、該再生信号の前エッジ及び後エッジ
を検出するエッジ検出回路と、夫々のエッジの検出に応
じて磁界の変調を指示する信号を前記磁界印加手段に与
える磁界変調指示回路とを備えることを特徴とする。

【００２７】第６発明にあっては、エッジ検出回路にて
再生信号のエッジが検出されたタイミングで磁界変調を
指示する磁界変調指示回路を備える。例えば、再生信号
の前エッジは記録方向と同方向の磁界を印加して得、前
エッジを検出した時点で印加磁界を反転するように磁界
印加手段に指示し、後エッジを記録方向と逆方向の磁界
印加で得ることにより、夫々のエッジに対してジッタに
有利な方向の磁界を印加できるので、再生特性を向上で
きる。

【００２８】さらに、第５発明に係る光磁気記録媒体の
再生方法は、第４発明において、印加された変調磁界が
磁界零となる時点で生じる前記再生信号の変動をマスク
しつつ、前記前エッジ及び後エッジを検出することを特
徴とする。また、第７発明に係る光磁気記録媒体の再生
装置は、第６発明において、前記磁界変調指示回路は、
前記エッジ検出回路からの信号が入力され、印加された
変調磁界の磁界零の時点で生じる前記再生信号の変動を
マスクするための信号を生成する回路を備えることを特
徴とする。

【００２９】第５又は第７発明にあっては、変調磁界を
印加した場合に、磁界零の時点で再生信号にグリッチの
ような変動が生じるので、磁界変調指示回路は磁界の変
調を指示する信号が出力されてから所定の期間、該信号
がグリッチに影響を受けて出力されないような信号、又
は再生信号からグリッチ自身を除去したような信号を生
成する回路を備える。これにより、磁界の変調を指示す
る信号が再生信号の変動に影響を受けて誤出力すること
を防止する。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態を
示す図面に基づき具体的に説明する。 第１の実施の形態 図１は、本発明の光磁気再生装置の構成を示すブロック
図であり、図２は本発明の特徴となる第１の磁界変調指
示回路の構成回路図である。図１において、１は本発明
の再生方法の実施に用いる光磁気ディスクである。図３
は、この光磁気ディスク１の膜構成図である。

【００３１】図３に示すように、光磁気ディスク１はフ
ォトポリマーガラス（２Ｐガラス）製の基板３１上にＳ
ｉＮからなる厚さ７０ｎｍの下地層３２と、ＧｄＦｅＣ
ｏからなる厚さ４０ｎｍの第１磁性層たる再生層３３，
ＧｄＦｅからなる厚さ４０ｎｍの第２磁性層たる中間層
３４，及びＴｂＦｅＣｏからなる厚さ５０ｎｍの第３磁
性層たる記録層３５と、ＳｉＮからなる厚さ６０ｎｍの
保護層３６とがこの順に積層して構成されている。これ
らの磁性層の積層はマグネトロンスパッタ法により行な
う。

【００３２】再生層３３は遷移金属磁化優勢膜であり、
垂直方向即ち積層方向に磁化容易軸を有している。中間
層３４は、キュリー温度まで補償温度が見られない希土
類磁化優勢膜であり、室温では面内方向に磁化容易軸を
有している。また室温より高い所定温度以上になるとそ
の磁化容易軸は面内方向から垂直方向に変化する。記録
層３５は遷移金属磁化優勢膜であり、垂直方向に磁化容
易軸を有している。また、再生層３３，中間層３４及び
記録層３５のキュリー温度を夫々Ｔｃ１，Ｔｃ２及びＴ
ｃ３とした場合に、Ｔｃ２＜Ｔｃ１，Ｔｃ２＜Ｔｃ３の
関係を満たしている。また、再生層３３及び記録層３５
の室温における保磁力を夫々Ｈｃ１及びＨｃ３とした場
合に、Ｈｃ３＞Ｈｃ１の関係を満たしている。光磁気デ
ィスク１は、本願出願人が特開平７−244877号公報にて
提案しているＭＳＲ媒体と同様のものであり、その他の
構成及び製造工程等の説明は省略する。

【００３３】以上の如き構成の光磁気ディスク１には、
レーザパルス磁界変調記録方式により（１，７）ＲＬＬ
変調符号を用いて記録マークが形成されている。記録条
件は、記録レーザ光パワーが11.0ｍＷ、記録磁界が300
Ｏｅである。

【００３４】図１に示すように、光磁気ディスク１の一
面側には光学ヘッド２が配されている。光学ヘッド２は
レーザ光源、該レーザ光源から出射したレーザ光を導く
光学系、及び光磁気信号を電気信号に変換する変換手段
を備えている。また、光磁気ディスク１の他面側には磁
気コイル３が配されており、磁気コイル駆動回路４から
与えられる信号により光磁気ディスク１に所定方向の再
生磁界を印加する。光学ヘッド２から出力されるレーザ
光は光磁気ディスク１を照射し、その反射光が集光され
て光磁気信号が検出され、電気信号である再生信号に変
換されるようになっている。

【００３５】なお、レーザ光の波長λは６８５ｎｍであ
り、対物レンズの開口数ＮＡは0.55である。光磁気ディ
スク１の再生条件は、再生レーザ光パワーが3.0 ｍＷで
あり、再生磁界が400 Ｏｅである。また、本実施の形態
では記録マークはマークエッジ方式で再生される。マー
クエッジ方式とは記録マークのエッジの有無を二値情報
の‘１’，‘０’に対応させる記録マークの記録／再生
方式であり、記録マークの有無を‘１’，‘０’に対応
させるマークポジション方式と比較して高密度に情報を
記録できる。

【００３６】光学ヘッド２から出力された再生信号はア
ンプ５に入力されて増幅され、ＡＧＣ回路６へ出力され
る。ＡＧＣ回路６へ入力された信号はゲイン調整され、
等化器７へ出力されて波形等化され、波形等化された信
号はＬＰＦ８へ出力されて高域雑音が除去される。ＬＰ
Ｆ８から出力された信号は二値化回路９に与えられて二
値化され、二値化信号に基づいて生成されたローデータ
２１が第１の磁界変調指示回路１３に与えられる。この
ときのローデータ２１は、二値化信号のエッジにタイミ
ングを合わせて立ち上がるパルスである。第１の磁界変
調指示回路１３には、ＰＬＬ１１からの反転エッジ同期
クロック（バー）ＣＬＫも入力され、弁別用データ２３
をデータ弁別器１０へ、ＰＬＬ同期用信号２５をＰＬＬ
１１へ、再生磁界変調信号２７を磁気コイル駆動回路４
へ夫々与える。

【００３７】図２に示す第１の磁界変調指示回路１３の
回路構成について説明する。ローデータ２１はモノマル
チ回路（ＭＭ）Ｍ１にトリガ信号として入力され、モノ
マルチ信号２２が第１のＤフリップフロップ（Ｄ−Ｆ
Ｆ）Ｄ１のＤ入力端子に与えられる。Ｄフリップフロッ
プＤ１は出力信号である弁別用データ２３を、自身のク
ロック端子と第２のＤフリップフロップＤ２のＤ入力端
子と、データ弁別器１０（図１参照）とに与える。Ｄフ
リップフロップＤ２は、反転エッジ同期クロック（バ
ー）ＣＬＫがクロック端子に入力され、出力信号である
ＰＬＬ同期用信号２５をＤフリップフロップＤ１のリセ
ット端子とＴフリップフロップＴ１のＴ入力端子とＰＬ
Ｌ１１（図１参照）とに与える。また、Ｄフリップフロ
ップＤ２の反転出力信号はクリア信号としてモノマルチ
回路Ｍ１に与えられる。ＴフリップフロップＴ１の反転
出力信号は再生磁界変調信号２７として磁気コイル駆動
回路４（図１参照）に与えられる。

【００３８】図１に示すように、第１の磁界変調指示回
路１３から出力される再生磁界変調信号２７は磁気コイ
ル駆動回路４へ入力され、この再生磁界変調信号２７に
応じて磁気コイル３が駆動され、光磁気ディスク１に印
加する再生磁界が制御されるようになっている。一方、
第１の磁界変調指示回路１３から出力される弁別用デー
タ２３はデータ弁別器１０に入力され、反転エッジ同期
クロック（バー）ＣＬＫが与ええられてセパレートデー
タ２８とエッジ同期クロックＣＬＫとを復調器１２へ出
力する。反転エッジ同期クロック（バー）ＣＬＫは、Ｐ
ＬＬ同期用信号２５に基づいてＰＬＬ１１から出力され
る。セパレートデータ２８は復調器１２にて復調され
る。

【００３９】以上の如き構成の再生装置を用いて光磁気
ディスク１に記録された情報を再生する際の各回路の動
作を説明する。図４は、本実施の形態でのローデータ、
再生磁界変調信号及びセパレートデータ等のタイミング
チャートであり、記録マーク、再生磁界波形及びそのエ
ッジの位相分布を共に示している。記録マークは、磁化
方向が記録方向であるビットをハッチングで示してい
る。光磁気ディスク１に3.0 ｍＷのレーザ光を照射し、
磁気コイル駆動回路４により磁気コイルを駆動せしめ
て、まず記録方向と同方向のプラス磁界を400 Ｏｅで印
加する。光学ヘッド２により記録マークの前エッジが読
み出され、図４に示すように再生信号の前エッジのタイ
ミングでローデータ２１はパルスを立ち上げる（Ａ時
点）。前述したように、プラス磁界を印加しつつ再生信
号の前エッジを得た場合は再生波形が急峻であり、ジッ
タが小さい。

【００４０】ローデータ２１はモノマルチ回路Ｍ１にト
リガ信号として入力され、図４に示すように、Ａ時点で
モノマルチ信号２２が立ち上がり、第１のＤフリップフ
ロップＤ１に入力されて弁別用データ２３が立ち上が
る。第２のＤフリップフロップＤ２では、弁別用データ
２３がＨレベル（以下‘Ｈ’で示す）で、反転エッジ同
期クロック（バー）ＣＬＫが‘Ｈ’のときに、ＰＬＬ同
期用信号２５が立ち上がる（Ｂ時点）。ここでエッジ同
期クロックＣＬＫ及び反転エッジ同期クロック（バー）
ＣＬＫは記録マークに同期して１記録マークが１クロッ
クに対応しており、記録マークのエッジ位置でエッジ同
期クロックＣＬＫが立ち上がる。第１のＦフリップフロ
ップＦ１では、ＰＬＬ同期用信号２５の立ち上がりのタ
イミングで再生磁界変調信号２７が立ち下がり、磁気コ
イル駆動回路４が磁気コイル３に磁界変調を指示し、再
生磁界がプラス磁界からマイナス磁界へ変調される。同
時に第１のＤフリップフロップＤ１には、再生磁界変調
信号２７が与えられてリセットされ、弁別用データ２３
を立ち下げる。

【００４１】図４に示すように、第２のＤフリップフロ
ップＤ２に入力される弁別用データ２３がＬレベル（以
下‘Ｌ’で示す）で、反転エッジ同期クロック（バー）
ＣＬＫが‘Ｈ’のときＰＬＬ同期用信号２５が‘Ｌ’に
なり、反転ＰＬＬ同期用信号２６が立ち上がる（Ｃ時
点）。このときモノマルチ回路Ｍ１がクリアされ、モノ
マルチ信号２２が立ち下がる。図４に示すように、再生
磁界は再生磁界変調信号２７が出力された後、１クロッ
クの間に磁界をプラスからマイナスに変調する。Ｃ時点
において、磁気コイル３はマイナス磁界（−400 Ｏｅ）
を光磁気ディスク１に印加している。

【００４２】このように、再生信号の前エッジの検出に
応じて磁界をプラス磁界からマイナス磁界に変調させる
が、この磁界反転の遷移過程において磁界が零となる時
点がある。このとき再生信号の振幅が零となり、二値化
信号にグリッチが生じてローデータ２１が出力され、モ
ノマルチ信号２２が立ち上がって再生磁界変調信号２７
が‘Ｈ’となる虞があるが、モノマルチ信号２２はＡ時
点から反転ＰＬＬ同期信号２６が立ち上がるＣ時点まで
は‘Ｈ’の状態を維持しているのでグリッチがマスクさ
れ、再生磁界変調信号２７が‘Ｈ’になることはない。
例えば本実施の形態では再生磁界変調信号２７が出力さ
れた時点から略0.5 クロック以内に磁界が零となってグ
リッチが生じており、モノマルチ信号２２は再生信号の
前エッジを検出後1.5 クロック間は‘Ｈ’であるので、
この期間は再生磁界変調信号２７が‘Ｈ’になることは
なく、グリッチの影響による誤出力が防止される。な
お、磁界が変調し始めてから磁界零になる時点までの期
間は0.5 クロックであり、この期間は磁気コイル３の特
性に依存する。従って、グリッチ発生までの期間を考慮
してモノマルチ信号２２が‘Ｈ’を維持するような回路
構成とすることが好ましい。

【００４３】一方、第１のＤフリップフロップＤ１から
出力された弁別用データ２３はデータ弁別器１０に与え
られ、セパレートデータ２８が出力されて復調器１２に
て復調される。

【００４４】次に後エッジの検出について説明する。マ
イナス磁界が印加された状態で記録マークの後エッジが
読み出され、図４に示すように、再生信号の後エッジの
タイミングでローデータ２１はパルスを立ち上げる。こ
のように再生信号の後エッジを得る際にはマイナス磁界
を印加するので再生波形が急峻となり、ジッタが小さ
い。ローデータ２１が立ち上がると、上述の動作と同様
にＰＬＬ同期用信号２５が立ち上がる。再生磁界変調信
号２７はプラス磁界印加でのＢ時点での立ち下がりの後
は‘Ｌ’の状態を維持しており、今回のマイナス磁界印
加でのＰＬＬ同期用信号２５の次の立ち上がりのタイミ
ングで‘Ｈ’になる。磁気コイル駆動回路４は磁気コイ
ル３に磁界変調を指示し、再生磁界がマイナス磁界から
プラス磁界へ変調される。

【００４５】このマイナス磁界からプラス磁界への磁界
反転の遷移過程において磁界が零となる時点がある。こ
のとき再生信号の振幅が零となり、二値化信号にグリッ
チが生じ、再生磁界変調信号が‘Ｈ’となる虞がある
が、上述したプラス磁界からマイナス磁界への変調の際
と同様に、モノマルチ信号２２により再生磁界変調信号
２７の誤出力がマスクされる。

【００４６】一方、第１のＤフリップフロップＤ１から
出力された弁別用データ２３はデータ弁別器１０に与え
られ、セパレートデータ２８が出力されて復調器１２に
て復調される。このように、再生信号の前エッジ及び後
エッジ夫々の検出に応じて再生磁界変調信号２７の出力
を繰り返し行い、夫々のエッジでジッタに対して有利な
方向の磁界を印加するようにしている。

【００４７】以上の如く、本実施の形態では前エッジ及
び後エッジの両方で急峻な傾きを有する再生信号が得ら
れるので再生信号波形のエッジが前後対称に近づき、再
生特性が向上する。

【００４８】以上の如き光磁気再生装置にあっては、最
小マーク長の寸法及び光磁気ディスクの線速度によって
はＡＧＣ回路６，等化器７及びＬＰＦ８の回路遅延が大
きくなり、光学ヘッド２により再生信号が読み出されて
からエッジが検出されるまでの期間が長くなる場合があ
る。このような場合には、再生磁界変調信号２７が出力
された時点で既に次のエッジが得られている、即ち次の
エッジまでに再生磁界の変調が行なえないことがある。
そこで、データ再生のための回路遅延が大きくても、エ
ッジ検出が回路遅延に関係なく迅速に行なえる光磁気再
生装置を以下に説明する。

【００４９】第２の実施の形態 図５は第２の実施の形態の光磁気再生装置の構成を示す
ブロック図である。図５に示すように、光磁気ディスク
１の一面側には光学ヘッド２が配されており、読み出さ
れた再生信号はアンプ５で増幅されてＡＧＣ回路６及び
第２の二値化回路９ｂに入力される。ＡＧＣ回路６に入
力された信号は、等化器７，ＬＰＦ８，第１の二値化回
路９ａ，データ弁別器１０及び復調器１２に順次送られ
てデータ再生される。なお、第１の二値化回路９ａ及び
第２の二値化回路９ｂは同様の回路構成を有する。

【００５０】一方、第２の二値化回路９ｂに入力された
信号は第１の磁界変調指示回路１３へ入力される。第１
の磁界変調指示回路１３は、第１の実施の形態と同様の
回路構成を有しており、ローデータ２１がモノマルチ回
路Ｍ１に与えられ、図４のタイミングチャートに示すよ
うに再生信号のエッジが検出されて再生磁界変調信号２
７を磁気コイル駆動回路４に与え、再生磁界を変調す
る。光磁気再生装置のその他の構成及びこれらのブロッ
クの機能は第１の実施の形態と同様であり、同部分に同
符号を付してその説明を省略する。

【００５１】このように第２の実施の形態では、第１の
実施の形態と同様の効果が得られ、さらに、再生信号は
増幅された後にデータ再生経路とエッジ検出経路とに分
かれて信号処理されるので、再生経路の回路遅延が大き
くてもエッジ検出は迅速に行われ、エッジが検出されて
から次のエッジまでに確実に再生磁界の変調を行なうこ
とができる。

【００５２】上述した第１及び第２の実施の形態では、
磁界反転に伴って生じるグリッチをマスクする期間が1.
5 クロック間であるために、記録される情報は（１，
７）ＲＬＬ変調符号又は（２，７）ＲＬＬ変調符号のよ
うにｄ制約が１以上の符号を用いる必要がある。この符
号制限をなくして、どのような変調符号であってもグリ
ッチによる影響を受けずに磁界変調できる光磁気再生装
置を以下に示す。

【００５３】第３の実施の形態 図６は、本発明の第３の実施の形態の光磁気再生装置の
構成を示すブロック図である。図中１はＭＳＲ再生可能
な光磁気ディスクであり、その膜構成及び磁気特性は第
１の実施の形態で示したものと同様である。光磁気ディ
スク１から読み出された再生信号は二値化回路９へ与え
られ、二値化回路９から出力される二値化信号は、第３
実施の形態の特徴であるヒステリシス回路１５に入力さ
れる。ヒステリシス回路１５では再生磁界の反転時に生
じるグリッチが除去され、整形二値化信号２４が出力さ
れる。整形二値化信号２４は第２の磁界変調指示回路１
４及びデータ弁別器１０に与えられる。第２の磁界変調
指示回路１４は、整形二値化信号２４と反転エッジ同期
クロック（バー）ＣＬＫとが与えられて再生磁界変調信
号２９を磁気コイル駆動回路４へ与える。反転エッジ同
期クロック（バー）ＣＬＫは、整形二値化信号２４に基
づいてＰＬＬ１１から出力される。再生磁界変調信号２
９に応じて磁気コイル３が駆動され、光磁気ディスク１
に印加する再生磁界が制御されるようになっている。

【００５４】図７は、第２の磁界変調指示回路の構成回
路図である。ヒステリシス回路１５から出力される整形
二値化信号２４は、第３のＤフリップフロップＤ３の入
力端子に与えられ、ＰＬＬ１１から出力される反転エッ
ジ同期クロック（バー）ＣＬＫはインバータ４５に入力
される。その出力であるエッジ同期クロックＣＬＫはＤ
フリップフロップＤ３のクロック端子に与えられる。Ｄ
フリップフロップＤ３の反転出力は磁気コイル駆動回路
４へ与えられる。また、ＤフリップフロップＤ３のリセ
ット端子には、後述するリードゲート信号が与えられる
ようになっている。

【００５５】一方、ヒステリシス回路１５から整形二値
化信号２４が入力されたデータ弁別器１０は、ＰＬＬ１
１から出力される反転エッジ同期クロック（バー）ＣＬ
Ｋが入力されてセパレートデータ２８とエッジ同期クロ
ックＣＬＫとを復調器１２へ出力する。入力されたセパ
レートデータは復調器１２にて復調される。その他の構
成は、上述した第１の実施の形態と同様であり、同部分
に同符号を付してその説明を省略する。なお、ヒステリ
シス回路１５はグリッチ除去の目的で用いられる周知の
回路である。

【００５６】以上の如き構成の再生装置を用いて光磁気
ディスク１に記録された情報を再生する。図８は、第３
の実施の形態での二値化信号、再生磁界変調信号及びセ
パレートデータ等のタイミングチャートであり、記録マ
ーク、再生磁界波形及びそのエッジの位相分布を共に示
している。記録マークは、記録方向のビットをハッチン
グで示している。光磁気ディスク１に3.0 ｍＷのレーザ
光を照射し、磁気コイル駆動回路４により磁気コイル３
を駆動せしめて、まず記録方向と同方向のプラス磁界を
400 Ｏｅで印加する。光学ヘッド２により記録マークの
前エッジが読み出され、図８に示すように、再生信号の
前エッジのタイミングで二値化信号及び整形二値化信号
２４はパルスを立ち上げる。前述したように、プラス磁
界を印加しつつ再生信号の前エッジを得た場合は再生波
形が急峻であり、ジッタが小さい。

【００５７】整形二値化信号２４はＤフリップフロップ
Ｄ３に与えられ、エッジ同期クロックＣＬＫが立ち下が
るタイミングで再生磁界変調信号２９を‘Ｌ’にする。
再生磁界変調信号２９は磁気コイル駆動回路４に与えら
れて磁気コイル３に磁界変調を指示し、再生磁界はプラ
ス磁界からマイナス磁界へ変調される。図８に示すよう
に、再生磁界は再生磁界変調信号２９が出力された後、
後エッジまでの間に磁界をプラスからマイナスに変調す
る。

【００５８】このように、再生信号の前エッジの検出に
応じて磁界をプラス磁界からマイナス磁界に変調させる
が、この磁界反転の遷移過程において磁界が零となる時
点がある。このとき再生信号の振幅が零となるために、
二値化信号にグリッチが生じて再生磁界変調信号２９が
‘Ｈ’となる虞があるが、第３実施の形態ではヒステリ
シス回路１５によりグリッチが除去されている。二値化
信号は再生信号の前エッジ及び後エッジ間で同レベルを
維持するようにレベル反転するために、ヒステリシス回
路１５から出力される整形二値化信号２４は必ずグリッ
チが除去されている。グリッチ除去により、再生磁界変
調信号２９の誤出力が防止される。

【００５９】次に後エッジの検出について説明する。マ
イナス磁界が印加された状態で記録マークの後エッジが
読み出され、図８に示すように、再生信号の後エッジの
タイミングで整形二値化信号２４はパルスを立ち下げ
る。このように再生信号の後エッジを得る際にはマイナ
ス磁界を印加するので再生波形が急峻となり、ジッタが
小さい。整形二値化信号２４が立ち下がると、エッジ同
期クロックＣＬＫが立ち下がるタイミングで再生磁界変
調信号２９が‘Ｈ’となる。再生磁界変調信号２９は磁
気コイル駆動回路４に与えられて磁気コイル３に磁界変
調を指示し、再生磁界はマイナス磁界からプラス磁界へ
変調される。図８に示すように、再生磁界は再生磁界変
調信号２９が出力された後、前エッジまでの間に磁界を
プラスからマイナスに変調する。

【００６０】このマイナス磁界からプラス磁界への磁界
反転の遷移過程において磁界が零となる時点があるが、
上述したプラス磁界からマイナス磁界への変調の際と同
様に、ヒステリシス回路１５によりグリッチが除去さ
れ、再生磁界変調信号２９の誤出力が防止される。

【００６１】一方、ヒステリシス回路１５から整形二値
化信号２４が入力されたデータ弁別器１０では、ＰＬＬ
１１からの出力が与えられてセパレートデータ２８が出
力され、復調器１２にて復調される。このように、再生
信号の前エッジ及び後エッジ夫々の検出に応じて再生磁
界変調信号２９の出力を繰り返し行い、夫々のエッジで
ジッタに対して有利な方向の磁界を印加するようにして
いる。

【００６２】以上の如く、第３の実施の形態では前エッ
ジ及び後エッジの両方で急峻な傾きを有する再生信号が
得られ、再生信号波形のエッジが前後対称に近づくの
で、再生特性が向上する。

【００６３】第３の実施の形態の光磁気再生装置にあっ
ては、前述したように、最小マーク長の寸法及び光磁気
ディスクの線速度によっては回路遅延が大きくなり、エ
ッジが検出されてから次のエッジまでの期間に再生磁界
の変調が行なえないことがある。そこで、データ再生の
ための回路遅延が大きくても、エッジ検出が回路遅延に
関係なく迅速に行なえる光磁気再生装置を以下に説明す
る。

【００６４】第４の実施の形態 図９は第４の実施の形態の光磁気再生装置の構成を示す
ブロック図である。図９に示すように、光磁気ディスク
１の一面側には光学ヘッド２が配されており、読み出さ
れた再生信号はアンプ５で増幅されてＡＧＣ回路６及び
第２の二値化回路９ｂに入力される。ＡＧＣ回路６に入
力された信号は、等化器７，ＬＰＦ８，第１の二値化回
路９ａ，データ弁別器１０及び復調器１２に順次送られ
てデータ再生される。なお、第１の二値化回路９ａ及び
第２の二値化回路９ｂとは同様の回路構成を有する。

【００６５】一方、第２の二値化回路９ｂに入力された
信号はヒステリシス回路１５に入力され、グリッチが取
り除かれる。ヒステリシス回路１５から出力された整形
二値化信号２４は第２の磁界変調指示回路１４に入力さ
れる。ヒステリシス回路１５及び第２の磁界変調指示回
路１４は、第３の実施の形態と同様の回路構成を有して
おり、整形二値化信号２４がＤフリップフロップＤ３に
与えられ、図８のタイミングチャートに示すように再生
信号のエッジが検出されて再生磁界変調信号２７を磁気
コイル駆動回路４に与え、再生磁界を変調する。光磁気
再生装置のその他の構成及びこれらのブロックの機能は
第３の実施の形態と同様であり、同部分に同符号を付し
てその説明を省略する。

【００６６】このように第４の実施の形態では、第３の
実施の形態と同様の効果が得られ、さらに、再生信号は
増幅された後にデータ再生経路とエッジ検出経路とに分
かれて信号処理されるので、再生経路の回路遅延が大き
くてもエッジ検出は迅速に行われ、エッジが検出されて
から次のエッジまでに確実に再生磁界の変調を行なうこ
とができる。

【００６７】図１０は、本発明の光磁気再生装置に適用
されるフォーマット及び磁界変調のタイミングを示すタ
イミングチャートである。光磁気ディスク１のＩＳＯ規
格のフォーマット構造の一部を示しており、データ部の
ＭＯ（光磁気）領域は同期信号を制御するＶＦＯ領域及
びＳｙｎｃ領域とユーザの情報が記録されるＤａｔａ領
域とを備えている。リードゲートはＭＯ領域の再生開始
のタイミングを決定する信号、ＰＬＬゲートはＰＬＬ制
御開始のタイミングを決定する信号、磁界ゲートは磁界
印加開始のタイミングを決定する信号であり、これらの
信号は光磁気再生装置が備えるドライブコントローラか
ら出力される。

【００６８】以下に、第１〜第４の実施の形態で説明し
た磁界変調を行なうタイミングについて、図１０に基づ
いて説明する。ＶＦＯ領域の再生が開始されるとリード
ゲート信号が‘Ｈ’レベルになり、ＡＧＣ調整を行な
う。記録マークとスペースとを認識した後、ＶＦＯ領域
の略中間でＰＬＬゲートが‘Ｈ’レベルとなり、キャプ
チャレンジが広いファストモードでＰＬＬ制御を開始す
る。そしてＶＦＯ領域の終盤ではキャプチャレンジを狭
くしたノーマルモードでＰＬＬ制御を行ない、磁界ゲー
トを‘Ｈ’レベルにして変調を開始するようになってい
る。これにより、クロックが再生信号に十分に同期して
いる状態で、認識した記録マーク及びスペースから磁界
変調開始時の磁化方向を決定することができる。そして
セクタが終了するとリードゲート及び磁界ゲートを
‘Ｌ’レベルにして再生動作及び磁界印加を終了する。
なお、磁界変調は再生信号に応じて常時行なうようにし
てあっても良い。

【００６９】なお、第１〜第４の実施の形態において、
光磁気ディスク１にはマークエッジ方式により記録マー
クが形成されているが、これに限るものではなく、マー
クポジション方式を用いて記録マークが形成された光磁
気ディスクであっても本発明に適用できる。マークポジ
ション方式の場合は、再生信号のピークを二値情報の
‘１’，‘０’に対応させるので、再生信号波形が前後
エッジで非対称である場合は再生信号のピークの決定に
誤差が生じてジッタが大きくなるが、上述した実施の形
態により、再生信号波形の前後エッジが対称に近づき、
再生信号の品質を向上させる。

【００７０】また、第１〜第４の実施の形態では、ＲＡ
Ｄダブルマスク再生可能なＭＳＲ媒体を例に挙げて説明
しているが、これに限るものではなく、ＲＡＤシングル
マスク再生方式又はＦＡＤ再生方式のＭＳＲ媒体であっ
ても本発明に適用可能であり、前述した特開平１−1430
41号公報，特開平３−93058 号公報にて提案されたＭＳ
Ｒ媒体においても本発明方法の適用により、同様の効果
を得ることができる。

【００７１】

【発明の効果】以上のように、本発明においては、得ら
れた再生信号の波形の前エッジ及び後エッジを検出し、
エッジ検出に応じて再生磁界を変調するので、前エッジ
及び後エッジ夫々にジッタに関して有利な方向の磁界を
印加できる。これにより前後エッジの傾きが急峻で略対
称な再生信号の波形が得られ、ジッタが小さい高品質な
再生信号を得ることができる。また、磁界反転の遷移過
程において、磁界零の時点での再生信号の変動をマスク
するので、再生信号のエッジの検出を正確に行なうこと
ができる等、本発明は優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態の光磁気再生装置の構成を示
すブロック図である。

【図２】第１の磁界変調指示回路の構成回路図である。

【図３】本発明の実施に用いる光磁気ディスクの膜構成
図である。

【図４】第１の実施の形態の動作タイミングチャートで
ある。

【図５】第２の実施の形態の光磁気再生装置の構成を示
すブロック図である。

【図６】第３の実施の形態の光磁気再生装置の構成を示
すブロック図である。

【図７】第２の磁界変調指示回路の構成回路図である。

【図８】第３の実施の形態の動作タイミングチャートで
ある。

【図９】第４の実施の形態の光磁気再生装置の構成を示
すブロック図である。

【図１０】本発明の光磁気再生装置のフォーマット及び
磁界変調のタイミングを示すタイミングチャートであ
る。

【図１１】従来のＭＳＲ媒体の膜構成と再生時の磁化状
態とを示す図である。

【図１２】従来の光磁気再生装置の構成を示すブロック
図である。

【図１３】従来の再生方法（マイナス磁界）による再生
信号及びエッジ位相分布を示す図である。

【図１４】従来の再生方法（プラス磁界）による再生信
号及びエッジ位相分布を示す図である。

【図１５】記録密度に対するジッタ特性を示すグラフで
ある。

【図１６】本願出願人の提案によるＭＳＲ媒体の再生時
の磁化状態を示す図である。

【符号の説明】

１ 光磁気ディスク ２ 光学ヘッド ３ 磁気コイル ４ 磁気コイル駆動回路 ９ａ 第１の二値化回路 ９ｂ 第２の二値化回路 １１ ＰＬＬ １３ 第１の磁界変調指示回路 １４ 第２の磁界変調指示回路 １５ ヒステリシス回路 ２４ 整形二値化信号 ２７，２９ 再生磁界変調信号 ２８ セパレートデータ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 データが記録された光磁気記録媒体に光
   ビームを照射しつつ磁界を印加して前記データに対応す
   る再生信号を読出し、該再生信号から前記データを得る
   光磁気記録媒体の再生方法において、 前記光磁気記録媒体の再生時に、前記再生信号に基づい
   て変調した磁界を印加することを特徴とする光磁気記録
   媒体の再生方法。
2. 【請求項２】 データが記録された光磁気記録媒体に光
   ビームを照射しつつ磁界を印加して前記データに対応す
   る再生信号を読出し、該再生信号から前記データを得る
   光磁気記録媒体の再生方法において、 前記光磁気記録媒体との相対移動を伴って光ビームを照
   射することにより該光ビームのスポット内に前記移動方
   向の温度分布を生ぜしめ、磁界印加により前記スポット
   内の所定領域でデータをマスクし、前記スポット内の残
   りの領域から前記再生信号を読出す際に、前記磁界を変
   調せしめることを特徴とする光磁気記録媒体の再生方
   法。
3. 【請求項３】 データが記録された光磁気記録媒体に光
   ビームを照射しつつ磁界を印加して前記データに対応す
   る再生信号を読出し、該再生信号から前記データを得る
   光磁気記録媒体の再生方法において、 前記光磁気記録媒体との相対移動を伴って光ビームを照
   射することにより該光ビームのスポット内に前記移動方
   向の温度分布を生ぜしめ、磁界印加により低温側の領域
   及び高温側の一部領域でデータをマスクし、高温側の残
   りの領域から前記再生信号を読出す際に、前記磁界を変
   調せしめることを特徴とする光磁気記録媒体の再生方
   法。
4. 【請求項４】 読出された前記再生信号の波形の前エッ
   ジ及び後エッジを検出し、夫々のエッジの検出に応じて
   前記磁界の方向を変調せしめる請求項１、２又は３記載
   の光磁気記録媒体の再生方法。
5. 【請求項５】 印加された変調磁界が磁界零となる時点
   で生じる前記再生信号の変動をマスクしつつ、前記前エ
   ッジ及び後エッジを検出する請求項４記載の光磁気記録
   媒体の再生方法。
6. 【請求項６】 データが記録された光磁気記録媒体に、
   光ビームを照射しつつ磁界印加手段により磁界を印加
   し、前記光磁気記録媒体で反射した光ビームの反射光を
   光学ヘッドにより集光して前記データに対応する再生信
   号に変換し、該再生信号から前記データを得る光磁気記
   録媒体の再生装置において、 前記光学ヘッドにより得られた再生信号が入力され、該
   再生信号の波形の前エッジ及び後エッジを検出するエッ
   ジ検出回路と、夫々のエッジの検出に応じて磁界の変調
   を指示する指示信号を前記磁界印加手段に与える磁界変
   調指示回路とを備えることを特徴とする光磁気記録媒体
   の再生装置。
7. 【請求項７】 前記磁界変調指示回路は、前記エッジ検
   出回路からの信号が入力され、印加された変調磁界の磁
   界零の時点で生じる前記再生信号の変動をマスクするた
   めの信号を生成する回路を備える請求項６記載の光磁気
   記録媒体の再生装置。