JP2001053125A - 処理システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被処理体の待機時間を有効活用し、従来より
も処理効率が優れた処理システムを提供する。 【解決手段】 被処理体であるガラス基板に対して所定
の処理を施す各処理装置４０〜７０に対し、搬送路１０
を挟んでガラス基板の待機部８０を設けると共に、この
待機部８０に隣接して検査部８５を設けた。そして、待
機部８０で待機しているガラス基板を、主搬送装置１１
により前記処理装置４０〜７０に搬送するか、副搬送装
置により検査部８５に搬送する。従って、本発明によれ
ば、被処理体の待機中に所定の検査を済ませることがで
き、検査時間も含めたシステム全体の処理時間を短縮
し、処理効率を向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶ディス
プレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）に使われる
被処理体であるガラス基板上にフォトリソグラフィ技術
を利用して処理を行う処理システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】ガラス基板上にＴＦＴアレイを形成する
工程では、薄膜形成前洗浄工程−薄膜形成工程−レジス
ト塗布工程−露光工程−現像工程−エッチング工程−レ
ジスト剥離工程が、１枚のガラス基板に対してアレイを
構成するレイヤの数だけ、例えば６回程度繰り返され
る。

【０００３】従来から、例えば上記の洗浄工程は洗浄装
置、レジスト剥離工程はアッシング装置、薄膜形成工程
は成膜装置、エッチング工程はエッチング装置、レジス
ト塗布工程及び現像工程は塗布・現像装置、露光工程は
露光装置によって行われており、これらの装置間でのガ
ラス基板の搬送はＡＧＶ（自走型搬送車）等により行わ
れていたが、最近ではこれらの装置を全て一体化したシ
ステム、例えばガラス基板を搬送する搬送装置が走行す
る搬送路に隣接して洗浄装置、アッシング装置、成膜装
置、エッチング装置、塗布・現像装置及び露光装置、更
に検査装置等を配置した構成の処理システムが提唱され
ている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
各種処理装置を一体化する場合、システム内に仕様の異
なる処理装置が混在することになると予想され、そのよ
うな場合に例えば各処理装置間でタクトタイムが異なる
ことにより処理待ち状態のガラス基板がシステム内に滞
留する虞がある。

【０００５】そこで、例えばシステム内に待機部を設
け、待ち状態のガラス基板を待機部に待機させておくこ
とが考えられるが、ガラス基板を待機させておくだけで
は、その間は当該ガラス基板に対する処理は何も進行し
ない。従って、待機時間の無駄をできるだけ解消する必
要がある。

【０００６】本発明は上記した事情に鑑みなされたもの
で、待機時間を有効活用し、従来よりも処理効率が優れ
た処理システムを提供することを課題とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ため、本発明の処理システムは、搬送路と、前記搬送路
に隣接して配置され、被処理体に対して所定の処理を施
す処理部と、前記搬送路に隣接して配置され、被処理体
を待機させておく待機部と、前記待機部に隣接して設け
られた被処理体の検査部と、前記搬送路に沿って走行可
能に設けられ、少なくとも前記処理部及び前記待機部と
の間で被処理体の受け渡しを行う主搬送機構と、前記待
機部と検査部との間で被処理体の受け渡しを行う副搬送
機構とを具備することを特徴とする。

【０００８】本発明では、所定の処理が施された被処理
体を次工程の処理部に搬送する前に、主搬送機構によ
り、搬送路に隣接した適宜位置に配置された待機部に搬
送する。被処理体が待機している間に副搬送機構が動作
して検査部に該被処理体を搬送する。検査部では、被処
理体に対し、所定の検査、例えば、ＣＣＤカメラによっ
てとらえた被処理体の画像を基にレジストの塗布むら、
パターン精度あるいは塵埃の付着などの検査や静電気検
査などを行う。そして、検査の結果、例えば、基準に達
している被処理体は副搬送機構により待機部に再び待機
させ、基準に達していない被処理体は、不合格品専用の
キャリアに搬送する。次に、例えば制御手段からの指示
により、所定のタイミングで、待機させていた検査済み
の被処理体を主搬送機構により次工程の処理部に搬送す
る。また、検査結果に応じて、以降の処理手順（各処理
部での処理時間等）を変更する。従って、本発明によれ
ば、被処理体の待機中に所定の検査を済ませることがで
き、検査時間も含めたシステム全体の処理時間を短縮
し、処理効率を向上させることができる。

【０００９】本発明の処理システムは、搬送路と、前記
搬送路に隣接して配置され、被処理体に対して所定の処
理を施す処理部と、前記搬送路に隣接して配置され、被
処理体を待機させておく待機部と、前記待機部に隣接し
て設けられた被処理体の洗浄部と、前記搬送路に沿って
走行可能に設けられ、少なくとも前記処理部及び前記待
機部との間で被処理体の受け渡しを行う主搬送機構と、
前記待機部と洗浄部との間で被処理体の受け渡しを行う
副搬送機構とを具備することを特徴とする。

【００１０】本発明では、所定の処理が施された被処理
体を次工程の処理部に搬送する前に、主搬送機構によ
り、搬送路に隣接した適宜位置に配置された待機部に搬
送する。被処理体が待機している間に副搬送機構が動作
して洗浄部に該被処理体を搬送する。洗浄部では、被処
理体を洗浄処理し、その後、再び、副搬送機構により待
機部に待機させる。次に、例えば制御手段からの指示に
より、所定のタイミングで、待機させていた検査済みの
被処理体を主搬送機構により次工程の処理部に搬送す
る。従って、本発明によれば、被処理体の待機中に処理
工程の一つである洗浄処理を済ませることができ、シス
テム全体の処理時間を短縮し、処理効率を向上させるこ
とができる。

【００１１】本発明の処理システムは、搬送路と、前記
搬送路に隣接して配置され、被処理体に対して所定の処
理を施す処理部と、前記搬送路に隣接して配置され、被
処理体を待機させておく待機部と、前記待機部に隣接し
て設けられた被処理体の検査部と、前記待機部に隣接し
て設けられた被処理体の洗浄部と、前記搬送路に沿って
走行可能に設けられ、少なくとも前記処理部及び前記待
機部との間で被処理体の受け渡しを行う主搬送機構と、
前記待機部と検査部との間で、及び前記待機部と洗浄部
との間でそれぞれ被処理体の受け渡しを行う副搬送機構
とを具備することを特徴とする。

【００１２】本発明では、所定の処理が施された被処理
体を次工程の処理部に搬送する前に、主搬送機構によ
り、搬送路に隣接した適宜位置に配置された待機部に搬
送する。被処理体が待機している間に副搬送機構が動作
して検査部に該被処理体を搬送するか、洗浄部に被処理
体を搬送する。検査部に搬送された場合には、被処理体
に対して所定の検査が行われ、洗浄部に搬送された場合
には洗浄処理が行われる。検査後または洗浄処理後は、
副搬送機構により待機部に待機される。次に、例えば制
御手段からの指示により、所定のタイミングで、待機さ
せていた被処理体を、副搬送機構によって未検査のもの
を検査部におよび未洗浄のものを洗浄部にそれぞれ搬送
するか、あるいは、主搬送機構により次工程の処理部に
搬送する。従って、本発明によれば、被処理体の待機中
に所定の検査を済ませることができると共に、洗浄処理
も済ませることもできるため、システム全体の処理時間
を短縮し、処理効率を向上させることができる。

【００１３】本発明の処理システムは、前記待機部が複
数の被処理体を個別に保持できる多段の保持部を備えて
いることを特徴とする。かかる構成によれば、前記待機
部の保持部により、複数の被処理体を個別に保持できる
ため、被処理体を主搬送機構または副搬送機構により個
別に搬送するのに適している。

【００１４】本発明の処理システムは、前記待機部に清
浄エアーのダウンフローを形成するための手段を更に具
備することを特徴とする。かかる構成によれば、待機部
において塵埃（パーティクル）が浮遊することを防止
し、被処理体への付着を防止することができる。

【００１５】本発明の処理システムは、前記待機部内を
所定の温度に維持するための温度調節手段を更に具備す
ることを特徴とする。かかる構成によれば、待機部に温
度調節手段が設けられているため、被処理体を良好な状
態で保つことができる。

【００１６】本発明の処理システムは、前記主搬送機構
は、前記検査部または前記洗浄部との間で被処理体の受
け渡しを行うことを特徴とする。かかる構成によれば、
待機する必要はないが検査や洗浄が必要な被処理体を直
接的に検査部または洗浄部との間で受け渡すことがで
き、搬送効率を高めることができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。図１は本発明の一実施形態に係るＴ
ＦＴアレイを形成するための処理システムの平面図であ
る。

【００１８】図１に示すように、この処理システム１の
ほぼ中心には、搬送路１０が直線状に設けられている。
この搬送路１０の一端には、被処理体としてのガラス基
板Ｇをシステム内へ搬入すると共にシステム外へ搬出す
るための搬入出部２０が配設され、搬送路１０の他端に
は露光装置２との間でガラス基板Ｇの受け渡しを行うた
めのインタフェース部３０が配設されている。また、搬
送路１０の一側には、搬送路１０の一端から順番に剥離
・洗浄系の処理装置４０、成膜系の処理装置５０、エッ
チング系の処理装置６０、塗布・現像系の処理装置７０
が配設されている。

【００１９】搬送路１０には、ガラス基板Ｇを搬送する
ための主搬送機構である例えば４台の主搬送装置１１が
ガラス基板Ｇを一旦保持する中継部１２を介して直列に
接続されている。搬送路１０間の中継部１２は、例えば
上下２段程度の受け渡し部（図示を省略）を有し、その
うち少なくとも一方については例えばガラス基板Ｇを冷
却するための温調板（クーリングプレート）により構成
されている。

【００２０】図２は上記の主搬送路装置１１の一例を示
す斜視図である。図２に示すように、主搬送装置１１
は、搬送路１０に沿って移動可能な本体１３と、装置本
体１３に対して上下動および旋回動が可能なベース部材
１４と、ベース部材１４上を水平方向に沿ってそれぞれ
独立して移動可能な上下２枚の基板支持部材１５ａ，１
５ｂとを有している。そして、ベース部材１４の中央部
と装置本体１３とが連結部１６により連結されている。
本体１３に内蔵された図示しないモータにより連結部１
６を上下動または回転させることにより、ベース部材１
４が上下動または旋回動される。このようなベース部材
１４の上下動および旋回動、ならびに基板支持部材１５
ａ，１５ｂの水平移動によりガラス基板Ｇの搬送が行わ
れる。参照符号１７ａ，１７ｂは、それぞれ基板支持部
材１５ａ，１５ｂをガイドするガイドレールである。

【００２１】搬入出部２０には、搬送路１０とほぼ直交
するように副搬送路２１が設けられている。この副搬送
路２１を挟んで搬送路１０の反対側には、ガラス基板Ｇ
を例えば２５枚ずつ収納したカセットＣが所定位置に例
えば４個整列して載置されるカセット載置台２３が設け
られている。また、副搬送路２１上には、各カセットＣ
から処理すべきガラス基板Ｇを取り出して搬送路１０側
へ受け渡し、また処理が終了して搬送路１０側から受け
渡されたガラス基板Ｇを各カセットＣへ戻す搬送装置２
２が移動可能に配置されている。搬送装置２２は例えば
図２に示した主搬送装置１１とほぼ同様の構成とされて
いる。

【００２２】搬送路１０の一側に配置される剥離・洗浄
系の処理装置４０は、例えば、水によりガラス基板Ｇを
ブラシ洗浄する処理部としての複数のスクラバユニット
４１と、真空状態でガラス基板Ｇに対してアッシング処
理を行う処理部としての複数のアッシングユニット４２
等を有している。

【００２３】図３はアッシングユニット４２の一例を示
す水平断面図である。図３に示すように、アッシングユ
ニット４２は、搬送路１０側に設けられたロードロック
室４３と、その奥に設けられた搬送室４４と、搬送室４
４の両側面に設けられたアッシング処理室４５とを有し
ている。そして、ロードロック室４３と搬送室４４との
間、搬送室４４と各処理室４５との間には、これらの間
を気密にシールし、かつ開閉可能に構成されたゲートバ
ルブＶが介挿されている。また、ロードロック室４５と
外側の大気雰囲気とを連通する開口部にもゲートバルブ
Ｖが設けられている。

【００２４】アッシング処理室４５は、その中にガラス
基板Ｇを載置するためのステージ４５ａが設けられてお
り、その内部を真空排気可能に構成されている。そし
て、アッシング処理室４５には、アッシングガス例えば
オゾンが導入可能となっており、アッシングガスにより
エッチング処理後のレジストを除去する。

【００２５】搬送室４４も真空排気可能に構成され、そ
の中に基板搬送部材４６が設けられている。基板搬送部
材４６は、多関節アームタイプであり、ベース４６ａ
と、中間アーム４６ｂと、先端に設けられた基板支持ア
ーム４６ｃとを有しており、これらの接続部分は旋回可
能になっている。この基板搬送部材４６は、ロードロッ
ク室４３、アッシング処理室４５との間でガラス基板Ｇ
の受け渡しを行う。基板搬送部材４６のベース４６ａの
中間アーム４６ｂと反対側にはガラス基板Ｇを保持可能
に構成されたバッファ枠体４６ｄが設けられており、こ
れによりガラス基板Ｇを一時的に保持することにより、
スループットの向上を図っている。

【００２６】ロードロック室４３も真空排気可能に構成
され、その中にガラス基板Ｇを載置するラック４７およ
びガラス基板Ｇのアライメントと行うポジショナー４８
が設けられている。ポジショナー４８は、矢印Ａ方向に
沿って移動することにより、ガラス基板Ｇの相対向する
２つの角部をそれぞれ２つのローラ４９で押しつけて、
ラック４７上でガラス基板Ｇのアライメントがなされ
る。アライメントの終了を確認するために、図示しない
光学センサが用いられる。ロードロック室４３は、搬送
路１０側との間でガラス基板Ｇの受け渡しをする場合に
は、その中を大気雰囲気とし、ガラス基板Ｇを処理室４
５側へ搬送する場合には、その中を真空雰囲気とする。

【００２７】成膜系の処理装置５０は、例えば、搬送路
１０の一側に沿ってそれぞれ処理部としての複数の成膜
ユニット５１が配置され、構成されている。成膜ユニッ
ト５１は、図３に示したアッシングユニットにおけるア
ッシング処理室４５に代えて、例えば真空雰囲気中でス
テージに載置されたガラス基板Ｇ上にＣＶＤにより所定
の膜を成膜する成膜室を設けたものである。

【００２８】エッチング系の処理装置６０は、搬送路１
０の一側に沿って、例えば、それぞれ処理部としての複
数のエッチングユニット６１が配置され、構成されてい
る。エッチングユニット６１は、図３に示したアッシン
グユニットにおけるアッシング処理室４５に代えて、例
えば真空雰囲気中でステージに載置されたガラス基板Ｇ
上にエッチング処理を施すエッチング処理室を設けたも
のである。エッチング処理室には、例えば所定のエッチ
ングガスが導入され、また高周波電界を印加することが
可能になっており、これらによりプラズマを形成し、そ
のプラズマによりガラス基板Ｇの所定の膜をその現像パ
ターンに対応してエッチングする。

【００２９】塗布・現像系の処理装置７０は、搬送路１
０の一側に沿って、例えば、洗浄ユニット７１、ガラス
基板Ｇの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバー
７２、レジスト塗布ユニット７３、現像処理ユニット７
４が配置され、構成されている。また、加熱処理ユニッ
トと冷却処理ユニットが上下に積層されてなる加熱処理
・冷却ユニット７５、上下２段に積層されてなる加熱処
理ユニット７６、アドヒージョン処理ユニットと冷却ユ
ニットとが上下に積層されてなるアドヒージョン処理・
冷却ユニット７７が配置されている。

【００３０】インタフェース部３０には、ガラス基板Ｇ
を搬送するための副搬送路３１が主搬送路とほぼ直交す
る方向に設けられている。この副搬送路３１は、ガラス
基板Ｇを一旦保持する中継部１２を介して搬送路１０と
接続されている。また、中継部１２の両側には、バッフ
ァカセットが配置されるバッファステージ３２が設けら
れている。また、副搬送路３１上には、隣接して配置さ
れた露光装置２との間でガラス基板Ｇの搬入出を行う搬
送装置３３が設けられている。搬送装置３３は図２に示
した主搬送装置１１とほぼ同様の構成とされている。

【００３１】また、例えば塗布・現像系の処理装置７０
の搬送路１０と挟んだ反対側には、待機部８０、搬送部
８２及び検査部８５が搬送路１０に沿って隣接して配置
されている。

【００３２】図４はこのような待機部８０、搬送部８２
及び検査部８５の拡大平面図、図５はこれらの側面図で
ある。

【００３３】待機部８０は多段に構成され、各待機部８
０にはガラス基板Ｇを保持するための支持ピン８０ａが
例えば４本立設されている。これにより、各待機部８０
では主搬送装置１１との間でガラス基板Ｇの受け渡しが
可能であり、また搬送部８２との間でもガラス基板Ｇの
受け渡しが可能とされている。

【００３４】また、この待機部８０の上部には、清浄エ
アーのダウンフローを形成するためのＦＦＵ（ファン・
フィルタ・ユニット）８０ｂが設けられている。これに
より、塵埃（パーティクル）が待機部８０内で浮遊する
ことを防止することができる。また、この待機部８０に
は温度調節部手段としての熱板８０ｃが配置されてい
る。

【００３５】この熱板８０ｃは、例えば待機するガラス
基板Ｇを次の工程で処理される処理温度に温調するもの
である。これにより、ガラス基板Ｇを温調するためのユ
ニットを不要にすることができ、さらにこのようなユニ
ットに搬送するための搬送時間を不要にすることができ
る。

【００３６】搬送部８２には、副搬送装置８３が配置さ
れている。副搬送装置８３は、図２に示した主搬送装置
１１とほぼ同様の構造とされている。

【００３７】検査部８５には、主搬送装置１１及び副搬
送装置８３との間でガラス基板Ｇを受け渡し可能な検査
ステージ８６が設けられている。この検査ステージ８６
は、例えば、基台部８６ａと、この基台部８６ａに対し
て昇降可能に設けられたリフトピン８６ｂとを有し、副
搬送装置８３等との間でガラス基板Ｇの受け渡しを行う
際には上昇し、検査のために必要に応じて下降し、ガラ
ス基板Ｇを水平に保持するものである。

【００３８】検査部８５内における検査ステージ８６回
りには、種々の検査に必要な測定器８７、例えば静電気
センサやＣＣＤカメラ等が配置される。これらのセンサ
やカメラからの出力は、本実施形態の処理システム系外
に配備された検査装置８８、８９に送られデータ処理さ
れる。例えば、一方の検査装置８８では、センシングデ
ータ処理部８８ａにより、センサから出力データを処理
して、検査処理コントローラ８８ｂを介して処理システ
ム全体を制御するメインコントローラに検査結果を送信
する。メインコントローラにおいて検査結果を受信した
ならば、検査結果に応じて予め定められている処理手順
（ローダからのガラス基板Ｇの搬出スピード、主搬送装
置や副搬送装置の動作、または各処理部での処理時間
等）に従って、その後の処理を制御する。あるいは、検
査結果に応じてオペレータが手動で処理プログラムを変
更し、その後の処理を行う。

【００３９】他方の検査装置８９は、画像処理部８９ａ
を備えており、測定器８７としてのＣＣＤカメラからの
出力がこの画像処理部８９ａに送られて処理された後、
検査処理コントローラ８９ｂを介して上記と同様にメイ
ンコントローラに検査結果が送信される。なお、例え
ば、レジストむら検査、パターン精度検査、塵埃検査な
どのように、いずれもＣＣＤカメラでの画像をもとに検
査を行うものについては、検査処理コントローラはそれ
ぞれ専用のものを用いるにしても、図６に示したよう
に、画像処理部８９ａは共用することが可能であり、こ
のような構成とすることで、装置全体の簡略化を図るこ
とができる。

【００４０】検査装置８８、８９による検査結果は、上
記のようにメインコントローラにフィードバックされる
が、より具体的には、この検査結果は、例えば、図７に
示したように、処理部の種類ごとに対応して処理変更内
容が記憶されており、この中から該当する結果番号１〜
ｎが、検査処理コントローラ８８ｂ、８９ｂを通じてメ
インコントローラに送信される。メインコントローラで
は、図８に示したように、送られた検査結果に対応する
処理部、例えば、エッチングユニットのコントローラに
対して、結果番号に対応する処理変更内容を指令する。
これにより、その後の処理が変更された処理手順に従っ
て行われることになる。

【００４１】図８において、処理部名「ＣＶＤ」の一方
の検査装置８８に対応する欄に「ＰＡＳＳ」という命令
が記録されているが、これは、一方の検査装置８８によ
る検査の結果、ガラス基板Ｇが基準に達していない場合
（ＮＧ時）にＣＶＤ処理しないという意味である。ま
た、「アンローダ」の欄に「別キャリア」と記載されて
いるのは、基準に達していないガラス基板Ｇを収納する
特別のキャリアに収納せよという命令である。処理部名
「ＣＶＤ」の他方の検査装置８９に対応する欄に記録さ
れた「ＯＰ」という命令は、他方の検査装置８９におけ
るＮＧ時にオペレータにＣＶＤの処理の有無を選択させ
るという意味である。

【００４２】なお、上記の命令プログラムはあくまで一
例であり、これらに限定されるものではないことはもち
ろんである。

【００４３】本実施形態によれば、搬入出部２０のカセ
ットＣから搬送装置２２に受け渡されたガラス基板Ｇ
は、搬送路１０の主搬送装置１１に受け渡される。主搬
送装置１１は、該ガラス基板Ｇを、剥離・洗浄系の処理
装置４０のスクラバユニット４１へ搬入する。そして、
スクラバユニット４１によって薄膜形成前洗浄が行われ
る。

【００４４】上記洗浄が行われたガラス基板Ｇは中継部
１２を介して成膜系の搬送装置５０の成膜ユニット５１
へ搬入する。そして、成膜ユニット５１によって薄膜形
成が行われる。

【００４５】上記薄膜形成が行われたガラス基板Ｇは、
中継部１２を介して塗布・現像系の搬送装置７０の洗浄
ユニット７１でスクラバー洗浄が施され、加熱・冷却処
理ユニット７５の加熱処理ユニットで加熱乾燥された
後、冷却ユニットで冷却される。その後、ガラス基板Ｇ
は、レジストの定着性を高めるために、アドヒージョン
処理・冷却ユニット７７の上段のアドヒージョン処理ユ
ニットにて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、冷却ユニ
ットで冷却後、レジスト塗布ユニット７３でレジストが
塗布され、エッジリムーバー７２でガラス基板Ｇの周縁
の余分なレジストが除去される。その後、ガラス基板Ｇ
は、加熱処理ユニット７６の一つでプリベーク処理さ
れ、いずれかのユニット下段の冷却ユニットで冷却され
る。

【００４６】上記レジスト塗布が行われたガラス基板Ｇ
は、主搬送装置１１にてインタフェース部３０を介して
露光装置２に搬送されてそこで所定のパターンが露光さ
れる。そして、ガラス基板Ｇは再びインタフェース部３
０を介して主搬送装置１１に受け渡される。

【００４７】露光されたガラス基板Ｇは、中継部１２を
介して主搬送装置１１から塗布・現像系の処理装置７０
の現像処理ユニット７４のいずれかで現像処理され、所
定の回路パターンが形成される。現像処理されたガラス
基板Ｇ、いずれかの加熱処理ユニットにてポストベーク
処理が施された後，冷却ユニットにて冷却される。

【００４８】上記現像処理が行われたガラス基板Ｇは、
中継部１２を介して主搬送装置１１に受け渡される。主
搬送装置１１は、このガラス基板Ｇを、中継部１２を介
してエッチング系の処理装置６０のエッチングユニット
６１へ搬入する。そして、エッチングユニット６１によ
ってエッチング処理が行われる。

【００４９】上記エッチング処理が行われたガラス基板
Ｇは再び主搬送装置１１に受け渡される。主搬送装置１
１は、このガラス基板Ｇを、中継部１２を介して剥離・
洗浄系の処理装置４０のアッシングユニット４２へ搬入
する。そして、アッシングユニット４２によって剥離処
理が行われる。

【００５０】以上の処理を、ＴＦＴアレイを構成するレ
イヤの数だけ繰り返す。その後、ガラス基板Ｇは、主搬
送装置１１から搬入出部２０へ受け渡され、カセットＣ
へ搬入される。

【００５１】通常の処理は上記のように行われるが、ガ
ラス基板Ｇの検査は、従来、各工程での処理が終了した
後、別ラインに設けられている検査装置まで当該ガラス
基板Ｇを搬送して行っていた。しかしながら、本実施形
態によれば、上記の各処理をガラス基板Ｇに施すに当た
って、次々に送り出されるガラス基板Ｇの処理の進行を
円滑にするために必要となる待機部８０に隣接して検査
部８５を設けている。従って、本実施形態では、例え
ば、エッチングユニット６１においてエッチング処理の
済んだガラス基板Ｇを、剥離・洗浄系の処理装置４０の
アッシングユニット４２に搬送する前に、待機部８０に
主搬送装置１１を用いて一旦搬送する。

【００５２】搬送されたガラス基板Ｇは、副搬送装置８
３を介して検査部８５の検査ステージ８６のリフトピン
８６ｂ上に搬送される。リフトピン８６ｂはガラス基板
Ｇを水平に保持しながら必要に応じて下降する。その
後、測定器８７としての各種センサやＣＣＤカメラを通
じてガラス基板Ｇに対して検査が行われ、検査装置８
８、８９によって、その検査結果が上記のようにメイン
コントローラに送信される。メインコントローラでは、
検査結果に応じて、例えば、エッチングユニット６１に
付設されたコントローラに対し、プラズマを形成する高
周波電界の印加時間を数秒長くするような指令を送信す
る。これにより、エッチングユニット６１においては、
その後に搬送されてくるガラス基板Ｇに対する処理内容
が上記指令に基づき変更されることになる。

【００５３】検査が終了したならば、検査部８５より副
搬送装置８３によって検査済みのガラス基板Ｇが取り出
され、再び、待機部８０に収納される。なお、検査部８
５のガラス基板Ｇを主搬送装置１１が直接受け取っても
よい。

【００５４】待機部８０に収納された検査済みのガラス
基板Ｇは、上記のように、主搬送装置１１に受け渡さ
れ、剥離・洗浄系の処理装置４０のアッシングユニット
４２へ搬入され、アッシングユニット４２によって剥離
処理が行われる。

【００５５】なお、他の処理部、例えば、剥離・洗浄系
の処理装置４０、成膜系の搬送装置５０または塗布・現
像系の搬送装置７０においても、ガラス基板Ｇを待機さ
せている間に、待機部８０へガラス基板Ｇを搬入し、検
査部８５において所定の検査を行うことはもちろん可能
である。

【００５６】ここで、多段に配置された上記の各待機部
８０において、種々の処理が施されたガラス基板Ｇが待
機のため搬入されることになると共に、さらに、検査済
みのガラス基板Ｇと未検査のガラス基板Ｇも収容される
ことになる。そこで、図９に示すように、これら待機部
８０をいくつかのグループに分け、例えば、第１グルー
プに属する待機部８０には、エッチング処理された未検
査のガラス基板Ｇを、第２グループに属する待機部８０
にはそのうち検査済みのガラス基板Ｇを、第３グループ
に属する待機部８０には、アッシング処理された未検査
のガラス基板Ｇを、第４グループに属する待機部８０に
はそのうち検査済みのガラス基板Ｇを収容するように利
用することができる。また、各グループに属する待機部
８０の数を予め割り振っておくのではなく、必要に応じ
て適宜数ずつ使用するようにすることもできる。さら
に、グループ分けしないで、空いている待機部８０に任
意の処理段階のガラス基板Ｇを収容するようにすること
もできる。

【００５７】なお、いずれにしても、この待機部８０に
対するアクセスは、主搬送装置１１か副搬送装置８３に
よってなされるが、それらのうちのいずれをアクセスさ
せるか、また、いずれの待機部８０にガラス基板Ｇを収
容するかは、待機部８０に付設された制御手段からの指
示に基づいて行われる。

【００５８】図１０は、本発明の他の実施形態を説明す
るための図である。この実施形態では、搬送部８２に隣
接して更に洗浄部９７を設けたものである。そして、待
機部８０に収容されたガラス基板Ｇを必要に応じて副搬
送装置８３によって洗浄部９７に搬送し、ガラス基板Ｇ
に洗浄処理を施す。洗浄処理されたガラス基板Ｇは、副
搬送装置８３によって待機部８０に戻される。

【００５９】また、待機部８０に収容されているガラス
基板Ｇは、洗浄処理する前、あるいは洗浄後に、上記実
施形態と同様に検査部８５に搬送され、種々の検査がな
される。なお、待機部８０に収容されているガラス基板
Ｇを副搬送装置８３により検査部８５に搬送するか、洗
浄部９７に搬送するか、さらには、主搬送装置１１によ
り次工程に搬送するかといった制御は、上記と同様に待
機部８０に付設された制御手段によってなされる。

【００６０】本実施形態によれば、待機部８０でガラス
基板Ｇを待機させている間に、検査のほか、洗浄処理も
行うこともできる。従って、待機時間を有効活用するこ
とができ、ガラス基板Ｇに対する処理をさらに効率よく
行うことができる。

【００６１】なお、上記各実施形態では、いずれも待機
部８０に検査部８５を付設しているが、検査部８５を省
略して洗浄部９７だけを備えている構成とすることもで
きる。この場合であっても、何らの処理部も付設されて
ない待機部と比較すれば、ガラス基板Ｇに対する処理効
率の向上を図ることができる。

【００６２】なお、本発明は上述した実施の形態には限
定されず、その技術思想の範囲内で様々な変形が可能で
ある。

【００６３】例えば、上述した実施形態では、ＴＦＴア
レイガラス基板に対する処理システムを例にとり説明し
たが、カラーフィルタ、更には半導体ウェハ等の他の基
板を処理するシステムにも当然適用できる。

【００６４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
被処理体の待機中に所定の検査を済ませることができ、
検査時間も含めたシステム全体の処理時間を短縮し、処
理効率を向上させることができる。また、本発明によれ
ば、被処理体の待機中に処理工程の一つである洗浄処理
を済ませることができ、システム全体の処理時間を短縮
し、処理効率を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施形態に係るＴＦＴアレイを形
成するための処理システムの平面図である。

【図２】 図１に示した主搬送装置の一例を示す斜視図
である。

【図３】 図１に示したアッシングユニットの一例を示
す水平断面図である。

【図４】 図１に示した待機部、搬送部及び検査部の一
例の外観を示す拡大平面図である。

【図５】 図４に示した待機部、搬送部及び検査部の側
面図である。

【図６】 画像処理部を共用した場合の検査装置の構成
を説明するための図である。

【図７】 検査結果の出力の一例を説明するための図で
ある。

【図８】 検査結果に応じたメインコントローラにおけ
る命令内容を説明するための図である。

【図９】 待機部の応用構成を説明するための図であ
る。

【図１０】 洗浄部を設けた実施形態を説明するための
待機部、搬送部、検査部及び洗浄部の関係を示す水平断
面図である。

【符号の説明】

１０ 搬送路 １１ 主搬送装置 ４０ 剥離・洗浄系の処理装置 ５０ 成膜系の処理装置 ６０ エッチング系の処理装置 ７０ 塗布・現像系の処理装置 ８０ 待機部 ８２ 搬送部 ８３ 副搬送装置 ８５ 検査部 ９７ 洗浄部 Ｇ ガラス基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 義治 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４ 東京エレクトロン九州株式会社 大津事業所内 (72)発明者 穴井 徳行 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４ 東京エレクトロン九州株式会社 大津事業所内 (72)発明者 岩津 春生 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４ 東京エレクトロン九州株式会社 大津事業所内 Ｆターム(参考） 5F031 CA05 FA02 FA11 FA12 FA15 GA47 GA48 GA49 GA50 MA06 MA09 MA23 MA28 MA33 PA03 PA04

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 搬送路と、 前記搬送路に隣接して配置され、被処理体に対して所定
   の処理を施す処理部と、 前記搬送路に隣接して配置され、被処理体を待機させて
   おく待機部と、 前記待機部に隣接して設けられた被処理体の検査部と、 前記搬送路に沿って走行可能に設けられ、少なくとも前
   記処理部及び前記待機部との間で被処理体の受け渡しを
   行う主搬送機構と、 前記待機部と検査部との間で被処理体の受け渡しを行う
   副搬送機構とを具備することを特徴とする処理システ
   ム。
2. 【請求項２】 搬送路と、 前記搬送路に隣接して配置され、被処理体に対して所定
   の処理を施す処理部と、 前記搬送路に隣接して配置され、被処理体を待機させて
   おく待機部と、 前記待機部に隣接して設けられた被処理体の洗浄部と、 前記搬送路に沿って走行可能に設けられ、少なくとも前
   記処理部及び前記待機部との間で被処理体の受け渡しを
   行う主搬送機構と、 前記待機部と洗浄部との間で被処理体の受け渡しを行う
   副搬送機構とを具備することを特徴とする処理システ
   ム。
3. 【請求項３】 搬送路と、 前記搬送路に隣接して配置され、被処理体に対して所定
   の処理を施す処理部と、 前記搬送路に隣接して配置され、被処理体を待機させて
   おく待機部と、 前記待機部に隣接して設けられた被処理体の検査部と、 前記待機部に隣接して設けられた被処理体の洗浄部と、 前記搬送路に沿って走行可能に設けられ、少なくとも前
   記処理部及び前記待機部との間で被処理体の受け渡しを
   行う主搬送機構と、 前記待機部と検査部との間で、及び前記待機部と洗浄部
   との間でそれぞれ被処理体の受け渡しを行う副搬送機構
   とを具備することを特徴とする処理システム。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載の処
   理システムであって、 前記待機部が複数の被処理体を個別に保持できる多段の
   保持部を備えていることを特徴とする処理システム。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載の処
   理システムであって、 前記待機部に清浄エアーのダウンフローを形成するため
   の手段を更に具備することを特徴とする処理システム。
6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の処
   理システムであって、 前記待機部内を所定の温度に維持するための温度調節手
   段を更に具備することを特徴とする処理システム。
7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項に記載の処
   理システムであって、 前記主搬送機構は、前記検査部または前記洗浄部との間
   で被処理体の受け渡しを行うことを特徴とする処理シス
   テム。