JP2001009702A - Ｃｍｐ研磨方法及び半導体製造装置 - Google Patents

Ｃｍｐ研磨方法及び半導体製造装置

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JP2001009702A JP18154599A JP18154599A JP2001009702A JP 2001009702 A JP2001009702 A JP 2001009702A JP 18154599 A JP18154599 A JP 18154599A JP 18154599 A JP18154599 A JP 18154599A JP 2001009702 A JP2001009702 A JP 2001009702A
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    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step

Abstract

(57)【要約】 【課題】 界面活性剤の研磨粒子への吸着状態が弱い物
理吸着となり、研磨の際に界面活性剤が容易に離脱し、
その結果、研磨粒子としての働きが十分得られ、また従
来に比べて高い研磨速度が得られ、且つ優れた平坦化特
性が同時に得られる半導体基板上の被処理膜をＣＭＰ研
磨する方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板に形成した対するＣＭＰ研磨
処理を行う研磨剤に負に帯電した研磨粒子を用いるとと
もに陰イオン性の水溶性高分子界面活性剤を添加する。
負に帯電した研磨粒子を用いることにより界面活性剤の
研磨粒子への吸着状態が弱い物理吸着（水素結合）とな
り、研磨の際界面活性剤が容易に研磨粒子から離脱する
ので、研磨粒子としての働きが十分に得られ従来に比べ
高い研磨速度が得られる。また優れた平坦化特性が得ら
れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上の被
ポリッシング膜をＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishi
ng) によりポリッシングして平坦化するＣＭＰ研磨方法
に関し、とくにポリッシングに用いる研磨剤に含有され
る新規な研磨粒子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来ＩＣやＬＳＩなどの半導体装置のウ
ェーハ処理工程において、トレンチやコンタクトホール
などの溝（トレンチ）部に金属、ポリシリコン、シリコ
ン酸化膜（ＳｉＯ2 ）などの任意の材料を埋め込んだ後
にその表面を平坦化する方法としてエッチバックＲＩＥ
(Reactive Ion Etching)法が知られている。しかし、こ
のエッチバックＲＩＥ方法は、エッチバックレジストの
塗布などの工程が多くなること、ウェーハ表面にＲＩＥ
ダメージが入りやすいこと、良好な平坦化が難しいこ
と、また真空系の装置を用いるため、構造が複雑で、危
険なエッチングガスを使用することなどから様々な問題
点が多い。そこで最近では、半導体基板表面の平坦化方
法としてポリッシング装置を利用した前述のＣＭＰ研磨
方法がエッチバックＲＩＥに代わって用いられるように
なってきた。
【０００３】近年、ＬＳＩなどの半導体装置の高集積
化、高性能化のために様々な微細加工技術が研究・開発
されている。前述のＣＭＰ技術は、このような厳しい微
細化の要求を満たすために開発が進められている技術の
１つであり、とくに層間絶縁膜の平坦化、埋め込み素子
分離工程等において必須の技術である。ＣＭＰ方法の重
要な課題の１つとして、被研磨膜面の平坦化特性があ
り、これを解決すべく被研磨膜と相互作用が非常に強い
有機化合物を研磨剤に加えることでディッシング作用を
抑性してきた。しかし、この界面活性剤として加えた有
機化合物が研磨粒子へも強く相互作用して研磨粒子の表
面を覆い研磨速度を著しく低下させてしまうという問題
があった。ポリッシング装置は、研磨布を表面に張り付
けモータなどにより回転される研磨盤と、半導体などの
基板を回転自在に支持し、回転する基板を研磨盤に押し
付ける吸着盤とを備えている。このポリッシング装置を
用いて基板をポリッシングするには、回転する基板のポ
リッシュする面を回転する研磨盤上の研磨布に押し付
け、研磨布の加工点に研磨剤を供給しながらポリッシン
グするのが一般的である。研磨剤に含まれる研磨粒子と
しては、セリア（酸化セリウム）、シリカ（酸化シリコ
ン）、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）などが用いられている。
ポリッシング装置を用いて、例えば、半導体基板上に形
成されたリセス構造にＣＶＤ酸化膜を埋め込みストッパ
ー膜で止めることにより埋め込んだＣＶＤ酸化膜を完全
に平坦化することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来、ポリッシング装
置を用いて半導体基板の被処理膜をポリッシングするＣ
ＭＰ研磨処理を行う場合、半導体基板上の酸化膜などの
被処理膜を所定の厚さになるまでポリッシングし、被処
理膜の平坦化処理が完了したら半導体基板のポリッシン
グを止める。そして、研磨剤に代えて水を供給して半導
体基板を更に後処理ポリッシングする。これが、１つの
半導体基板をポリッシングして表面を平坦化するＣＭＰ
の全工程であるである。従来の研磨剤（スラリーともい
う）は、セリア（酸化セリウム（ＣｅＯ2 ））粒子やシ
リカ（ＳｉＯ2 ）粒子を研磨粒子として溶媒である、例
えば、純水や超純水に分散して用いられる。この研磨剤
には有機化合物からなる界面活性剤を必要に応じて添加
している。このようなＣＭＰ研磨処理において、前述の
ように研磨剤に界面活性剤として加えた有機化合物が研
磨粒子へも強く相互作用して研磨粒子の表面を覆い研磨
速度を著しく低下させてしまうという問題があった。つ
まり、図１（ａ）に示す従来の研磨粒子（ＣｅＯ2 ）
は、表面電位（ゼータ電位ともいう）が正であるので、
研磨剤に添加された界面活性剤のマイナス電位を持った
有機化合物が研磨粒子の表面を取り囲み、研磨粒子本来
の動きを止めてしまう。
【０００５】ところでシリコン半導体基板表面や被処理
膜或いは半導体基板に付着した研磨粒子の表面が持って
いるゼータ電位（ζ；Zeta Potential) （固体と液体の
界面を横切って存在する電気的ポテンシャル）は、極性
を持っている。図９のゼータ電位のｐＨ依存性を説明す
る特性図にも示されているように、例えば、セリア粒子
を研磨粒子とする研磨剤は、ｐＨが７以上であればゼー
タ電位は負であり、ｐＨが７より小さければセリア粒子
のゼータ電位は正である。シリカ粒子を研磨粒子とする
研磨剤は、ｐＨが４．８以上であればゼータ電位は負で
あり、ｐＨが４．８より小さければシリカ粒子のゼータ
電位は正である。ＣＭＰ処理を行うポリッシング装置に
おいては、半導体基板上の被処理膜の種類に応じて様々
な研磨剤を用いる。研磨粒子の種類によってそれぞれが
持っているゼータ電位が異なっている。ゼータ電位はｐ
Ｈ依存性を有している。本発明は、このような事情によ
りなされたものであり、界面活性剤の研磨粒子への吸着
状態が弱い物理吸着となり、研磨の際に界面活性剤が容
易に離脱し、その結果、研磨粒子としての働きが十分得
られ、また従来に比べて高い研磨速度が得られ、且つ優
れた平坦化特性が同時に得られる半導体基板上の被処理
膜をＣＭＰ研磨する方法及びこの方法を実施する半導体
製造装置を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板に
形成した対するＣＭＰ研磨処理を行う研磨剤に負に帯電
した研磨粒子を用いるとともに陰イオン性の水溶性高分
子界面活性剤を添加することを特徴としている。負に帯
電した研磨粒子を用いることにより界面活性剤の研磨粒
子への吸着状態が弱い物理吸着（水素結合）となり、研
磨の際界面活性剤が容易に研磨粒子から離脱するので、
研磨粒子としての働きが十分に得られ、従来に比べ高い
研磨速度が得られる。また優れた平坦化特性が得られ
る。図１に示すように、従来の研磨粒子（ＣｅＯ2 ）は
表面電位（ゼータ電位）が正であるので（図１
（ａ））、研磨剤に添加された界面活性剤はイオン結合
で研磨粒子の表面を取り囲み、研磨粒子本来の動きを止
めてしまうため研磨粒子本来の機能を果たすことができ
なかった。しかし、表面電位（ゼータ電位）を負に保っ
た本発明の研磨剤（ＣｅＯ2 ）は界面活性剤が水素結合
で吸着されている（図１（ｂ））。この吸着は物理的な
吸着であり、結合力が化学的な結合より弱い。この研磨
剤を用いて図１０に記載されたＣＭＰポリッシング装置
でＣＭＰ研磨を行ったときのメカニズムについて説明す
る。
【０００７】図１１は、ポリッシング装置の研磨布（研
磨パッドともいう）を半導体基板に当接したときの状態
を示す断面図である。シリコン半導体基板２０の上に
は、ＣＶＤ(Chemical Vapour Deposition)などにより形
成されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）などの層間絶縁膜
４０が形成されている。この層間絶縁膜４０の平坦化さ
れた表面にアルミニウムなどの金属配線パターン４１が
形成されている。この金属配線パターン４１を被覆する
ようにＣＶＤなどにより形成されたシリコン酸化膜（Ｓ
ｉＯ2 ）などの層間絶縁膜４２が堆積されている。この
層間絶縁膜４２は、金属配線パターン４１が被覆されて
いるので、図に示すように表面が凹凸であり、この上に
さらに配線パターンを形成するためには平坦化処理が必
要である。そのためには図１０に示すポリッシング装置
の研磨布２５を用いて表面をポリッシングする。このと
き用いる研磨剤は、純水や超純水などの溶媒に研磨粒子
としてセリア（酸化セリウム）粒子を分散させて形成さ
れる。研磨剤には研磨粒子を均一に分散させるために陰
イオン性の高分子界面活性剤を添加する。界面活性剤を
添加することにより研磨粒子は、前記界面活性剤に囲ま
れている。界面活性剤に囲まれていても、研磨粒子の表
面電位（ゼータ電位）は負で有るので界面活性剤と研磨
粒子とは物理的な吸着により結合されている。
【０００８】したがって、その結合力は従来の研磨粒子
と界面活性剤との結合である化学的な結合より弱い。そ
のため、研磨粒子４３と界面活性剤４４を有する研磨剤
を介在させて研磨布２５を用いて層間絶縁膜４２の表面
をポリッシングすると、層間絶縁膜４２の表面の凹部に
は界面活性剤４４が存在して研磨粒子４３が層間絶縁膜
４２の表面に接することはない。ところが、配線パター
ン４１が被覆された上部の凸部の角部には研磨布２５の
小さな押圧力により界面活性剤４４がこの角部から遠ざ
けられる。したがって、研磨粒子４３は直接角部に接
し、この部分から先にポリッシングされていく。その結
果凸部のみ先にポリッシングされていくので結局平坦化
が効率良く行われる。平坦化が進めば研磨粒子４３と層
間絶縁膜４２の表面との間の全面に界面活性剤４４が介
在しているので一様にポリッシングが遅れてポリッシン
グが終了する。
【０００９】本発明のＣＭＰ研磨方法は、半導体基板に
研磨剤を供給しながら、この半導体基板表面上の凹凸部
を有する被研磨膜を研磨定盤の研磨布に押圧して前記被
研磨膜を平坦化するＣＭＰ研磨方法において、前記研磨
剤を構成する研磨粒子として表面電位を負に調整し、さ
らに前記研磨剤に水溶性高分子からなる界面活性剤を添
加することを特徴としている。前記界面活性剤は、前記
半導体基板上に前記研磨剤を供給するときに、前記研磨
剤に添加されるようにしても良い。前記研磨粒子には、
酸化セリウムもしくは酸化シリコンを用いるようにして
も良い。前記研磨粒子に酸化セリウムを用いる場合にお
いて、この研磨粒子が含まれる前記研磨剤のｐＨを７以
上にするようにしても良い。前記研磨粒子に酸化シリコ
ンを用いる場合において、この研磨粒子が含まれる前記
研磨剤のｐＨを５以上にしても良い。前記水溶性高分子
界面活性剤として陰イオン性の高分子界面活性剤を用い
るようにしても良い。前記陰イオン性の高分子界面活性
剤は、ポリアクリル酸アンモニウム塩又は有機アミンを
用いても良い。
【００１０】本発明の半導体製造装置は、表面に研磨布
を固定させた研磨盤と、半導体基板を固定する吸着盤
と、前記研磨盤又は前記吸着盤もしくはこの両者を回転
させる駆動手段と前記研磨布に研磨剤を供給する手段
と、前記研磨布に供給される研磨剤に陰イオン性の水溶
性高分子からなる界面活性剤を添加する手段とを備え、
本発明のＣＭＰ研磨方法を実施することを特徴としてい
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して発明の実施
の形態を説明する。まず、図１０を参照して本発明のＣ
ＭＰ法を実施するポリッシング装置を説明する。図は、
そのポリッシング装置の断面図である。ステージ２１上
にベアリング２２を介して研磨盤受け２３が配置されて
いる。この研磨盤受け２３上には研磨盤２４が取り付け
られている。この研磨盤２４の上にはウェーハ（半導体
基板）をポリッシングする研磨布２５が張り付けられて
いる。研磨盤受け２３及び研磨盤２４を回転させるため
にこれらの中心部分に駆動シャフト２６が接続されてい
る。この駆動シャフト２６は、モーター２７により回転
ベルト２８を介して回転される。一方、ウェーハ２０
は、研磨布２５と対向する位置に配置され、真空又は水
張りなどにより吸着盤３１に取り付けられた吸着布３０
及びテンプレート２９に固定されている。
【００１２】この吸着盤３１は、駆動シャフト３２に接
続されている。また、この駆動シャフト３２は、モータ
ー３３によりギア３４及び３５を介して回転される。駆
動シャフト３２は、駆動台３６に固定されている。ま
た、駆動台３６はシリンダ３７に取り付けられ、このシ
リンダ３７による上下の移動に伴い、駆動台３６は、上
下し、これにより吸着盤３１に固定されたウェーハ２０
と研磨布２５の間には研磨剤が供給される。これにより
ウェーハ２０のポリッシングが行われる。前記ポリッシ
ング装置では、このような構造により、シリンダ３７に
よる上下の移動にともない、駆動台３６が上下し、吸着
盤３１に固定されたウェーハ２０と研磨布２５との間に
は目的とする被処理膜に応じた様々な種類の研磨剤が選
択されて研磨布２５の加工点に供給される。ポリッシン
グは、例えば、１００ｒｐｍ程度で回転する研磨盤２４
の上にウェーハ２０が押し付けられて行われる。研磨盤
２４の回転数は、２０〜２００ｒｐｍであり、押し付け
圧力は、５０〜５００ｇ／ｃｍ2 である。
【００１３】図２は、図１０に記載されたポリッシング
装置の研磨剤供給手段を説明したポリッシング装置の部
分拡大断面図である。この実施例では、研磨剤が加工点
に供給される直前に界面活性剤活性剤が添加される。回
転する研磨盤２４に支持された研磨布２５上の加工点近
傍に研磨剤を供給する手段として研磨剤タンク４０に連
結されたパイプ４１に接続された研磨剤供給ノズルが配
置されている。また、界面活性剤を研磨剤に添加する手
段として界面活性剤タンク４５に連結されたパイプ４６
が研磨布２５の上に配置され、このパイプ４６が研磨布
２５上の研磨剤供給ノズルに接続されている。このよう
な構成により、界面活性剤は、研磨剤を使用する直前に
添加されるので、研磨剤の変質やｐＨの変化が防止され
る。界面活性剤は、水などの溶媒に溶かされた溶液の状
態（界面活性剤の含有量は、３０ｗｔ％）で研磨剤に添
加される。研磨布２５に供給される時の研磨剤の界面活
性剤の含有量は、０．５〜５．０ｗｔ％好ましくは１．
０〜１．５ｗｔ％が適当である。パイプ４１からの研磨
剤供給量は、２００ｍｌ／ｍｉｎであり、パイプ４６か
らの界面活性剤供給量は、６．２ｍｌ／ｍｉｎである。
【００１４】この実施例では研磨剤は、研磨粒子として
セリア粒子を用いているが、本発明では、負の表面電位
を有する研磨粒子を発明の構成要素としているのであ
り、したがって、セリア粒子に限らず、例えば、シリカ
（酸化シリコン）粒子などを用いることができる。研磨
粒子は０．２μｍの粒子径を有し、研磨剤に添加された
時のｐＨは８．５である。また研磨剤における含有量
は、０．５ｗｔ％である。一方、従来のＣＭＰ研磨方法
における研磨剤の研磨粒子（セリア粒子）は、粒子径が
０．２μｍ、ｐＨが５．５、研磨粒子の研磨剤に対する
含有量は３．０ｗｔ％である。研磨粒子の表面電位（ゼ
ータ電位）は図９に示すように研磨剤のｐＨに依存して
いる。図９の縦軸は、研磨粒子（セリア）のゼータ電位
（ｍＶ）を表わし、横軸は、研磨剤のｐＨを表わしてい
る。図に示すように研磨剤のｐＨが７を越えるとセリア
粒子は、表面電位が負になり、本発明の研磨粒子として
用いられる。また、シリカ粒子は、研磨剤のｐＨが４．
８を越えると表面電位が負になり、したがって、この範
囲で本発明の研磨粒子として用いられる。
【００１５】本発明において、セリア粒子の研磨剤に対
する添加量は、安定した研磨が可能になるので、０．１
〜３ｗｔ％が適当である。この実施例に用いられる陰イ
オン性の高分子界面活性剤としては、例えば、ポリアク
リル酸をアンモニアで一部乃至完全中和したポリアクリ
ル酸アンモニウムがある。ここで用いるポリアクリル酸
は、次式（Ａ）で表わされる。 このポリアクリル酸（Ａ）にアンモニア（ＮＨ3 ）を加
えて完全に中和すると、次式（Ｂ）で表わされるアンモ
ニウム塩が形成される。
【００１６】このアンモニウム塩（Ｂ）は、完全に中和
されている（中和度１．０）が、次式（Ｂ′）で表わさ
れる中和度がほぼ０．３３のアンモニウム塩も本発明の
界面活性剤として用いられる。また、中和に用いるアル
カリ性化合物として有機アミンも用いられる。（中和度
＝アルカリ性化合物／カルボン酸の当量比） 界面活性剤は、上記陰イオン性の高分子化合物からな
り、純水もしくは超純水などの溶媒にとけた溶液の状態
で使用される。この実施例では高分子化合物であるアン
モニウムポリアクリレートの分子量は、３０００であ
り、その溶液に対する含有量は、３０ｗｔ％である。ま
た、界面活性剤のｐＨは、５．５〜６．０である。本発
明のＣＭＰ研磨方法に用いられる研磨剤は、このように
負の表面電位を有する研磨粒子、陰イオン性の高分子化
合物からなる界面活性剤及び溶媒から構成され、研磨粒
子がポリッシングレートを向上させ、界面活性剤がディ
ッシング量を減少させる作用を行う。
【００１７】次に、図３を参照して高分子化合物（アン
モニウムポリアクリレート）の中和度の違いによる界面
活性剤としての特性の変化を説明する。縦軸は、半導体
基板上のスペース３００μｍの配線を被覆する絶縁膜
（ＳｉＯ2 ）をポリッシングしたときのディッシング量
（ｎｍ）を表わし、横軸は、平坦化がなされた後の絶縁
膜に対するポリッシングレート（ｎｍ／ｍｉｎ）を表わ
している。中和度がどのような値であっても正の表面電
位（ゼータ電位）を有する従来の研磨粒子を用いた研磨
剤を使用した場合に比較してディッシング量は低下して
いる。しかし、中和度が大きいと絶縁膜がＣＭＰにより
平坦化されてもポリッシングレートが下がらず、ポリッ
シングが進んでしまう。また中和度が低いと異常ポリッ
シング領域に入ってしまい、正常なポリッシングができ
ないことになる。以上のことを考慮すると、中和度の好
ましい範囲は、０．６から０．９４が適当である。ま
た、中和度は、不純物として含まれるＮａ、Ｋ等のアル
カリ金属イオンにも影響される。したがって、Ｎａ、Ｋ
等のアルカリ金属の総量は、３０ｐｐｍ以下が好まし
く、１０ｐｐｍ以下が適当である。
【００１８】次に、図４及び図５を参照して本発明の研
磨剤を用いて行われるＣＭＰ研磨方法の作用効果を説明
する。図４は、ＣＭＰ研磨によるポリッシングを行った
後の絶縁膜の状態を説明する配線パターンが形成された
半導体基板の断面図、図５は、本発明の方法に用いる研
磨剤と従来の研磨粒子を用いた研磨剤との作用効果の違
いを説明する特性図である。縦軸は、ポリッシング後の
高密度配線領域の厚さと低密度配線領域の厚さの差を示
す段差（ｎｍ）を表わし、横軸は、ポリッシング時間
（ｍｉｎ）を表わしている。図４において、シリコンな
どの半導体基板５０上にはシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）
などの第１の絶縁膜５１が形成されている。この絶縁膜
の平坦化された表面にはアルミニウムなどの配線パター
ン５２が形成されている。半導体基板の高密度配線領域
（Ｉ）にはライン幅３００μｍ、配線間隔３０μｍ（Ｌ
／Ｓ＝３００／３０μｍ）の高密度配線パターン５２１
が形成されている。低密度配線領域（II）にはＬ／Ｓ＝
３０／３００μｍの低密度配線パターンが形成されてい
る。配線パターン５２を被覆するように第１の絶縁膜５
１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）などの第２の絶縁膜
５３が形成されている。
【００１９】本発明のＣＭＰ研磨は、この第２の絶縁膜
５３に対して行われる。ＣＭＰ研磨により第２の絶縁膜
を５３をポリッシングすると、ＣＭＰ前は実線で示すよ
うに凹凸が著しかったのにＣＭＰ後は、点線に示すよう
に平坦化されるが、配線パターンの少ない低密度配線領
域（II）の方が高密度配線領域（Ｉ）よりポリッシング
レートが大きいので、両領域の間には段差Ｓが生じる。
しかし、本発明の研磨剤を用いればポリッシングレ−ト
が増加するので短時間で処理が終了し、凸部に対するポ
リッシング処理が効率的に行うことができるので、平坦
化処理の能力が向上する。図５におけるＡ（−●−）
は、本発明の研磨剤を用いて行ったＣＭＰ研磨方法によ
るポリッシング特性を示す特性線、Ｂ（−○−）は、従
来の正の表面電位を有する研磨粒子（セリア粒子）を含
んだ研磨剤を用いて行ったＣＭＰ研磨方法によるポリッ
シング特性を示す特性線、Ｃ（−■−）は、従来の正の
表面電位を有する研磨粒子（シリカ粒子）を含んだ研磨
剤を用いて行ったＣＭＰ研磨方法によるポリッシング特
性を示す特性線である。この特性図から本発明のＣＭＰ
研磨方法によれば、ポリッシング時間は、短くなり、低
密度配線領域と高密度配線領域との間に生ずる段差Ｓは
著しく小さくなり、平坦性が十分維持される。
【００２０】次に、図６を参照して本発明のＣＭＰ研磨
方法によって得られるディッシング量の減少効果を説明
する。図６は、本発明の方法に用いる研磨剤と従来の研
磨粒子を用いた研磨剤との作用効果の違いを説明する特
性図である。縦軸は、図４に示される絶縁膜５３のディ
ッシング量（Ｄ）（ｎｍ）を表わし、横軸は、ポリッシ
ング後の高密度配線領域の厚さと低密度配線領域の厚さ
との差を示す段差（Ｓ）を表わしている。図６における
Ａ（−●−）は、本発明の研磨剤を用いて行ったＣＭＰ
研磨方法によるポリッシング特性を示す特性線、Ｂ（−
○−）は、従来の正の表面電位を有する研磨粒子（セリ
ア粒子）を含んだ研磨剤を用いて行ったＣＭＰ研磨方法
によるポリッシング特性を示す特性線Ｃ（−■−）は、
従来の正の表面電位を有する研磨粒子（シリカ粒子）を
含んだ研磨剤を用いて行ったＣＭＰ研磨方法によるポリ
ッシング特性を示す特性線である。この特性図から、本
発明のＣＭＰ研磨方法によれば、従来の研磨方法では大
きかったディッシング量（Ｄ）は少なくなり、低密度配
線領域と高密度配線領域との間に生ずる段差（Ｓ）は著
しく小さくなって平坦性が十分維持されることがわか
る。
【００２１】次に、図７を参照して本発明のＣＭＰ研磨
方法によって得られるポリッシングの安定性を説明す
る。図７は、本発明の方法に用いる研磨剤と従来の研磨
粒子を用いた研磨剤との作用効果の違いを説明する特性
図である。縦軸は、図４に示される絶縁膜５３の低密度
配線領域（II）の配線パターン５２２上のポリッシング
量（除去量）（Ｒ）（ｎｍ）を表わし、横軸は、ポリッ
シング時間（ｍｉｎ）を表わしている。図７におけるＡ
（−●−）は本発明の研磨剤を用いて行ったＣＭＰ研磨
方法によるポリッシング特性を示す特性線、Ｂ（−○
−）は、従来の正の表面電位を有する研磨粒子（セリア
粒子）を含んだ研磨剤を用いて行ったＣＭＰ研磨方法に
よるポリッシング特性を示す特性線Ｃ（−■−）は、従
来の正の表面電位を有する研磨粒子（シリカ粒子）を含
んだ研磨剤を用いて行ったＣＭＰ研磨方法によるポリッ
シング特性を示す特性線である。この特性図から、本発
明のＣＭＰ研磨方法によれば、従来の方法では所定量の
ポリッシングが行われた後もポリッシングが進んでオー
バーポリッシングになる傾向になり、しかもポリッシン
グ時間が長いのに対し、本発明の方法では、ポリッシン
グ時間が短くなると共に、ポリッシング終了後はポリッ
シングがそれ以上進まないので、オーバーポリッシング
が無く、平坦性が十分維持されることがわかる。
【００２２】次に、図８を参照して図１１において説明
した研磨布が半導体基板に及ぼす影響について説明す
る。図８は、研磨布が半導体基板を押圧する押圧力とポ
リッシングレートとの相互関係を示す特性図である。縦
軸は、ポリッシングレート（ｎｍ／ｍｉｎ）を表し、横
軸は、押圧力（ｋＰａ）を表している。Ａは、本発明の
研磨剤を用いて行ったＣＭＰ研磨方法によるポリッシン
グ特性を示す特性線、Ｂは、従来の正の表面電位を有す
る研磨粒子（セリア粒子）を含み界面活性剤を含む研磨
剤を用いて行ったＣＭＰ研磨方法によるポリッシング特
性を示す特性線、Ｃは、従来の正の表面電位を有する研
磨粒子（シリカ粒子）を含み、界面活性剤を添加しない
研磨剤を用いて行ったＣＭＰ研磨方法によるポリッシン
グ特性を示す特性線である。研磨剤に界面活性剤を添加
しない従来のＣＭＰ研磨では、研磨布２５の押圧力は、
直接研磨粒子４３に影響を及ぼすので、特性線Ｃに示す
ように、押圧力に比例してポリッシングレートが変化す
る。ところが研磨剤に界面活性剤が添加されると研磨粒
子の有するポリッシング作用が制動されてポリッシング
レートは低下するが、研磨布の押圧力がある臨界点を越
えると、界面活性剤は排除され直接半導体基板と研磨粒
子が接触するようになる（特性線Ｂ）。
【００２３】本発明の研磨剤は、物理的な吸着力により
研磨粒子と界面活性剤とが接合しているので両者の接離
の作用が敏感であり、特性線Ａに示すように、界面活性
剤が研磨粒子から排除された後、つまり、臨界点以降の
ポリッシング特性は大きくなる。本発明のポリッシング
が特性線Ａのように作用するのでそのポリッシング特性
は著しく安定化し、良好な平坦化特性させることができ
る。
【００２４】
【発明の効果】本発明では、良好な平坦化特性を得るた
めに研磨液に水溶性高分子界面活性剤を添加するが、負
に帯電した研磨粒子を用いた研磨液に陰イオン性の界面
活性剤を添加することにより、界面活性剤の研磨粒子へ
の吸着状態が弱い物理吸着（水素結合）となって、研磨
の際容易に離脱する。その結果、研磨粒子としての働き
が十分得られ従来に比べて高い研磨速度と優れた平坦化
特性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明及び従来の界面活性剤を吸着する研磨粒
子の模式平面図。
【図２】本発明のＣＭＰ研磨方法を実施するポリッシン
グ装置の部分断面図。
【図３】高分子化合物（アンモニウムポリアクリレー
ト）の中和度の違いによる界面活性剤としての特性の変
化を説明する特性図。
【図４】配線パターンを被覆する絶縁膜をポリッシング
する方法を説明する半導体基板の断面図。
【図５】本発明の方法に用いる研磨剤と従来の研磨粒子
を用いた研磨剤との作用効果の違いを説明する特性図。
【図６】本発明の方法に用いる研磨剤と従来の研磨粒子
を用いた研磨剤との作用効果の違いを説明する特性図。
【図７】本発明の方法に用いる研磨剤と従来の研磨粒子
を用いた研磨剤との作用効果の違いを説明する特性図。
【図８】研磨布が半導体基板を押圧する押圧力とポリッ
シングレートとの相互関係を示す特性図である。
【図９】研磨粒子の表面電位（ゼータ電位）のｐＨ依存
性を説明する特性図。
【図１０】本発明のＣＭＰ研磨方法を実施するポリッシ
ング装置の断面図。
【図１１】ポリッシング装置の研磨布（研磨パッド）を
半導体基板に当接したときの状態を示す断面図。
【符号の説明】
２０・・・ウェーハ（半導体基板）、 ２１・・・ス
テージ、２２・・・ベアリング、 ２３・・・研磨盤受
け、 ２４・・・研磨盤、２５・・・研磨布、 ２６
・・・駆動シャフト、２７・・・モーター、 ２８・
・・回転ベルト、２９・・・テンプレート、 ３０・
・・吸着布、 ３１・・・吸着盤、３２・・・駆動シ
ャフト、３３・・・モーター、 ３４、３５・・・ギ
ア、３６・・・駆動台、 ３７・・・シリンダ、４
０、４２、５１、５３・・・絶縁膜、 ４１、５２・・
・配線パターン、４３・・・研磨粒子、 ４４・・・
界面活性剤、４５・・・界面活性剤タンク、 ４６・
・・界面活性剤供給パイプ、４７・・・研磨剤タンク、
４８・・・研磨剤供給パイプ、５２１・・・高密度
配線パターン、 ５２２・・・低密度配線パターン。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板に研磨剤を供給しながら、こ
    の半導体基板表面上の凹凸部を有する被研磨膜を研磨定
    盤の研磨布に押圧して前記被研磨膜を平坦化するＣＭＰ
    研磨方法において、前記研磨剤を構成する研磨粒子とし
    て表面電位を負に調整し、さらに前記研磨剤に水溶性高
    分子からなる界面活性剤を添加することを特徴とするＣ
    ＭＰ研磨方法。
  2. 【請求項２】 前記界面活性剤は、前記半導体基板上に
    前記研磨剤を供給するときに、前記研磨剤に添加される
    ことを特徴とする請求項１に記載のＣＭＰ研磨方法。
  3. 【請求項３】 前記研磨粒子には、酸化セリウムもしく
    は酸化シリコンを用いることを特徴とする請求項１又は
    請求項２に記載のＣＭＰ研磨方法。
  4. 【請求項４】 前記研磨粒子に酸化セリウムを用いる場
    合において、この研磨粒子が含まれる前記研磨剤のｐＨ
    を７以上にすることを特徴とする請求項３に記載のＣＭ
    Ｐ研磨方法。
  5. 【請求項５】 前記研磨粒子に酸化シリコンを用いる場
    合において、この研磨粒子が含まれる前記研磨剤のｐＨ
    を５以上にすることを特徴とする請求項３に記載のＣＭ
    Ｐ研磨方法。
  6. 【請求項６】 前記水溶性高分子界面活性剤として陰イ
    オン性の高分子界面活性剤を用いることを特徴とする請
    求項１乃至請求項５のいずれかに記載のＣＭＰ研磨方
    法。
  7. 【請求項７】 前記陰イオン性高分子界面活性剤はポリ
    アクリル酸アンモニウム塩又は有機アミン塩であること
    を特徴とする請求項６に記載の研磨方法。
  8. 【請求項８】 表面に研磨布を固定させた研磨盤と、半
    導体基板を固定する吸着盤と、前記研磨盤又は前記吸着
    盤もしくはこの両者を回転させる駆動手段と、前記研磨
    布に研磨剤を供給する手段と、前記研磨布に供給される
    研磨剤に陰イオン性の水溶性高分子からなる界面活性剤
    を添加する手段とを備え、請求項１乃至請求項７のいず
    れかに記載のＣＭＰ研磨方法を実施することを特徴とす
    る半導体製造装置。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353175A (ja) * 2001-05-25 2002-12-06 Ekc Technology Kk 酸化セリウム研磨剤及び基板の製造方法
JP2003200033A (ja) * 2002-01-09 2003-07-15 Hitachi Chem Co Ltd 中空微粒子集合体の製造方法及びそれにより得られた中空微粒子集合体
JP2007009333A (ja) * 2006-10-23 2007-01-18 Shinshu Univ めっき構造物とその製造方法
JP2007019427A (ja) * 2005-07-11 2007-01-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法と半導体装置
JPWO2005101474A1 (ja) * 2004-04-12 2007-08-16 日立化成工業株式会社 金属用研磨液及びこれを用いた研磨方法
JP2008187191A (ja) * 2008-02-25 2008-08-14 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体
JP2010067997A (ja) * 2003-07-31 2010-03-25 Fujitsu Microelectronics Ltd 半導体装置の製造方法
JP4554363B2 (ja) * 2002-07-22 2010-09-29 Ａｇｃセイミケミカル株式会社 半導体用研磨剤、その製造方法及び研磨方法
JP2010222707A (ja) * 2010-06-07 2010-10-07 Shinshu Univ 無電解めっき方法および無電解めっき液
US7951715B2 (en) 2003-07-31 2011-05-31 Fujitsu Semiconductor Limited Semiconductor device fabrication method
JP2011216581A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Fujifilm Corp 研磨液及び研磨方法
JP2013243208A (ja) * 2012-05-18 2013-12-05 Fujimi Inc 研磨用組成物並びにそれを用いた研磨方法及び基板の製造方法
JP2014069260A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP2016500747A (ja) * 2012-11-02 2016-01-14 ローレンス リバモア ナショナル セキュリティー， エルエルシー 表面活性を失うことなく荷電コロイドの凝集を阻止する方法

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6821897B2 (en) * 2001-12-05 2004-11-23 Cabot Microelectronics Corporation Method for copper CMP using polymeric complexing agents
US7071105B2 (en) * 2003-02-03 2006-07-04 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a silicon-containing dielectric
US7199018B2 (en) * 2003-04-30 2007-04-03 Macronix International Co., Ltd. Plasma assisted pre-planarization process
WO2005000984A1 (en) * 2003-06-27 2005-01-06 Showa Denko K.K. Polishing composition and method for polishing substrate using the composition
KR100564580B1 (ko) * 2003-10-06 2006-03-29 삼성전자주식회사 산화막 평탄화 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US7427361B2 (en) * 2003-10-10 2008-09-23 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Particulate or particle-bound chelating agents
US7182798B2 (en) * 2004-07-29 2007-02-27 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polymer-coated particles for chemical mechanical polishing
TWI338329B (en) * 2005-07-11 2011-03-01 Fujitsu Semiconductor Ltd Manufacture of semiconductor device with cmp
JP4744250B2 (ja) * 2005-09-14 2011-08-10 株式会社岡本工作機械製作所 角形状基板の両面研磨装置および両面研磨方法
KR100832993B1 (ko) * 2006-04-14 2008-05-27 주식회사 엘지화학 Ｃｍｐ 슬러리용 보조제
US7691287B2 (en) * 2007-01-31 2010-04-06 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Method for immobilizing ligands and organometallic compounds on silica surface, and their application in chemical mechanical planarization
JP5423669B2 (ja) 2008-04-23 2014-02-19 日立化成株式会社 研磨剤及びこの研磨剤を用いた基板の研磨方法
US8506661B2 (en) * 2008-10-24 2013-08-13 Air Products & Chemicals, Inc. Polishing slurry for copper films
KR20120070597A (ko) * 2009-11-19 2012-06-29 가부시키가이샤 아루박 투명 도전막의 제조 방법, 투명 도전막의 제조 장치, 스퍼터링 타겟 및 투명 도전막
JPWO2013137220A1 (ja) * 2012-03-14 2015-08-03 日立化成株式会社 研磨方法
CN102626896A (zh) * 2012-04-24 2012-08-08 浙江金瑞泓科技股份有限公司 一种定盘边缘抛光布割布的硅片抛光方法
US9583359B2 (en) * 2014-04-04 2017-02-28 Fujifilm Planar Solutions, LLC Polishing compositions and methods for selectively polishing silicon nitride over silicon oxide films
KR102463863B1 (ko) * 2015-07-20 2022-11-04 삼성전자주식회사 연마용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4169337A (en) * 1978-03-30 1979-10-02 Nalco Chemical Company Process for polishing semi-conductor materials
JP3278532B2 (ja) 1994-07-08 2002-04-30 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JPH09186116A (ja) * 1995-12-27 1997-07-15 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
US6059920A (en) * 1996-02-20 2000-05-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device polishing apparatus having improved polishing liquid supplying apparatus, and polishing liquid supplying method
CN1245471C (zh) * 1996-09-30 2006-03-15 日立化成工业株式会社 氧化铈研磨剂以及基板的研磨方法
JPH10154672A (ja) 1996-09-30 1998-06-09 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
JPH1133896A (ja) 1997-05-22 1999-02-09 Nippon Steel Corp 研磨砥粒、研磨剤及び研磨方法
JPH11181403A (ja) 1997-12-18 1999-07-06 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
US6083840A (en) * 1998-11-25 2000-07-04 Arch Specialty Chemicals, Inc. Slurry compositions and method for the chemical-mechanical polishing of copper and copper alloys

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353175A (ja) * 2001-05-25 2002-12-06 Ekc Technology Kk 酸化セリウム研磨剤及び基板の製造方法
JP2003200033A (ja) * 2002-01-09 2003-07-15 Hitachi Chem Co Ltd 中空微粒子集合体の製造方法及びそれにより得られた中空微粒子集合体
JP4554363B2 (ja) * 2002-07-22 2010-09-29 Ａｇｃセイミケミカル株式会社 半導体用研磨剤、その製造方法及び研磨方法
US7951715B2 (en) 2003-07-31 2011-05-31 Fujitsu Semiconductor Limited Semiconductor device fabrication method
JP2010067997A (ja) * 2003-07-31 2010-03-25 Fujitsu Microelectronics Ltd 半導体装置の製造方法
JP2010067998A (ja) * 2003-07-31 2010-03-25 Fujitsu Microelectronics Ltd 半導体装置の製造方法
JP4775260B2 (ja) * 2004-04-12 2011-09-21 日立化成工業株式会社 金属用研磨液及びこれを用いた研磨方法
JPWO2005101474A1 (ja) * 2004-04-12 2007-08-16 日立化成工業株式会社 金属用研磨液及びこれを用いた研磨方法
JP2007019427A (ja) * 2005-07-11 2007-01-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法と半導体装置
JP4679277B2 (ja) * 2005-07-11 2011-04-27 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
JP4599565B2 (ja) * 2006-10-23 2010-12-15 国立大学法人信州大学 電解めっき方法および電解めっき液
JP2007009333A (ja) * 2006-10-23 2007-01-18 Shinshu Univ めっき構造物とその製造方法
JP2008187191A (ja) * 2008-02-25 2008-08-14 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体
JP2011216581A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Fujifilm Corp 研磨液及び研磨方法
US8932479B2 (en) 2010-03-31 2015-01-13 Fujifilm Corporation Polishing liquid and polishing method
JP2010222707A (ja) * 2010-06-07 2010-10-07 Shinshu Univ 無電解めっき方法および無電解めっき液
JP2013243208A (ja) * 2012-05-18 2013-12-05 Fujimi Inc 研磨用組成物並びにそれを用いた研磨方法及び基板の製造方法
JP2014069260A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP2016500747A (ja) * 2012-11-02 2016-01-14 ローレンス リバモア ナショナル セキュリティー， エルエルシー 表面活性を失うことなく荷電コロイドの凝集を阻止する方法

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