JP4489108B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図2は、本発明の一実施例に係る半導体装置の製造プロセスを工程順に示す断面図である。
下記の組成の研磨液を用い、下記の研磨条件により行なう。
砥粒:酸化セリウム0.5重量%(日立化成工業製DLS−2)
第1の界面活性剤:ポリカルボン酸アンモニウム(分子量4000):1.06重量%
第2の界面活性剤:ポリカルボン酸アンモニウム(分子量1000):0.10重量%
2.研磨条件
研磨装置:荏原製作所製F☆REX300E
研磨パッド:ニッタハース製IC1000/Suba400
研磨圧力:200hPa
トップリング/ターンテーブル回転数:107/100rpm
研磨液流量:197cc/min
<第2の研磨工程(シリコン窒化膜の露出)>
下記の組成の研磨液を用い、下記の研磨条件により行なう。
砥粒:酸化セリウム0.5重量%(日立化成工業製DLS−2)
第2の界面活性剤:ポリカルボン酸アンモニウム(分子量1000):0.1重量%
2.研磨条件
研磨装置:同上
研磨パッド:同上
研磨圧力:300hPa
トップリング/ターンテーブル回転数:66/60rpm
研磨液流量:190cc/min
以上の2段階の研磨工程により、最初に酸化セリウムとともに、高分子量(4000)のポリカルボン酸アンモニウム塩及び低分子量(1000)のポリカルボン酸アンモニウム塩を含む研磨液を用い、研磨パッドを高回転数で回転させて、研磨速度の研磨圧力応答性が大きく、平坦性の良好な研磨を行い、次いで酸化セリウムとともに低分子量(1000)のポリカルボン酸アンモニウム塩を含む研磨液で研磨を行い、シリコン窒化膜を露出させた。
第2の研磨工程の研磨圧力を150hPaとした以外は、実施例2と同様にして、シリコン酸化膜の研磨を行った。
第2の界面活性剤として、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムを用いた以外は、実施例2と同様にして、シリコン酸化膜の研磨を行った。
第1の研磨液の界面活性剤として、第1の界面活性剤(高分子量(4000)のポリカルボン酸アンモニウム塩)のみを用いた以外は、実施例1と同様にして、シリコン酸化膜の研磨を行った。
第1の研磨液の界面活性剤として、第1の界面活性剤(高分子量(4000)のポリカルボン酸アンモニウム塩)のみを用いた以外は、実施例2と同様にして、シリコン酸化膜の研磨を行った。
第1の研磨液の界面活性剤として、分子量4000のポリカルボン酸アンモニウム塩のみを用い、第2の研磨液の界面活性剤として、分子量4000のポリカルボン酸アンモニウム塩のみを用いた以外は、実施例1と同様にして、シリコン酸化膜の研磨を行った。
第2の研磨工程での研磨圧力を150hPaとした以外は、比較例2と同様にしてシリコン酸化膜の研磨を行った。
第1の研磨液の界面活性剤として、分子量1000のポリカルボン酸アンモニウム塩のみを用いた以外は、実施例1と同様にして、シリコン酸化膜の研磨を行った。
Claims (5)
- 凹部を有し、凹部以外の部分にストッパー膜を有する半導体基板上に、前記凹部を埋めるように絶縁膜を形成する工程、
酸化セリウムと第1のアニオン性界面活性剤を含む第1の研磨液を用いて化学的機械的研磨法により前記絶縁膜を研磨し、平坦化する第1の研磨工程、及び
酸化セリウムと前記第1のアニオン性界面活性剤よりも小さい分子量の第2のアニオン性界面活性剤を含む第2の研磨液を用い、前記第1の研磨工程とは異なる研磨条件で前記前記絶縁膜を研磨し、前記ストッパー膜を露出させる第2の研磨工程
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の研磨液は、前記第1のアニオン性界面活性剤よりも小さい分子量のアニオン性界面活性剤を更に含有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の研磨工程とは異なる研磨条件は、前記第1の研磨工程より低い研磨圧力であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の研磨工程とは異なる研磨条件は、前記第1の研磨工程より少ない研磨テーブルの回転数及び押しつけヘッドの回転数であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のアニオン性界面活性剤の分子量は、3000〜100000であり、前記第2のアニオン性界面活性剤の分子量は、100〜2500であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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