JP2001007405A - 発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
と共に、色度のバラツキを抑えることである。 【解決手段】 ガラエポ基板12に発光ダイオード素子
20の裏面を固定すると共に、発光ダイオード素子20
の上面側を樹脂封止体33によって封止してなる発光ダ
イオードにおいて、前記発光ダイオード素子20の裏面
とガラエポ基板12との間に接着剤の中に蛍光材を分散
させた蛍光材含有層21を設け、この蛍光材含有層21
に発光ダイオード素子20の裏面を接着する。
Description
ダイオードに係り、特に青色発光を白色に変換するタイ
プの発光ダイオードに関するものである。
ードとしては、例えば図12に示したものが知られてい
る(特許第2900928号)。これはリードフレーム
型の発光ダイオード1であって、リードフレームの一方
のメタルステム2に凹部3を設け、この凹部3に窒化ガ
リウム系化合物半導体からなる発光ダイオード素子4を
載せて固着すると共に、この発光ダイオード素子4と前
記メタルステム2及びリードフレームの他方のメタルポ
スト5とをそれぞれボンディングワイヤ6,7によって
接続し、さらに全体を砲弾形の透明樹脂9によって封止
した構造のものである。前記透明樹脂9の中には波長変
換用の蛍光材8が分散してあり、発光ダイオード1を点
灯させた時には、発光ダイオード素子4から発した光が
蛍光物質8に当たって黄色に波長変換され、発光ダイオ
ード素子4の元来の青色発光と混色して白色の発光色を
得ることができる。
来の発光ダイオード1にあっては、発光ダイオード素子
4を封止している透明樹脂9の中に蛍光材8を分散させ
たものであるため、透明樹脂9を通過する光の透過率が
落ちてしまい、白色発光の輝度が低下するといった問題
があった。
が大きいため均一に分散させることが難しく、別々の発
光ダイオード間のみならず一つの発光ダイオードの中で
も色度のバラツキが生じてしまうといった問題があっ
た。
を図ると共に、色度のバラツキを抑えるようにした発光
ダイオードを提供することにある。
に、本発明の請求項1に係る発光ダイオードは、基材に
発光ダイオード素子の裏面を固定すると共に、発光ダイ
オード素子の上面側を樹脂封止してなる発光ダイオード
において、前記発光ダイオード素子の裏面と基材との間
に蛍光材含有層を設けたことを特徴とする。
ードは、前記蛍光材含有層が、接着剤の中に蛍光材を分
散させたものであり、この蛍光材含有層によって発光ダ
イオード素子の裏面を基材に固定したことを特徴とす
る。
ードは、前記蛍光材含有層の周囲が、前記基材の上面に
設けられた堰によって囲まれていることを特徴とする。
ードは、前記堰が、前記基材の上面に設けられた板状電
極に形成され、この板状電極に開設された蛍光材含有層
充填用の孔の内周縁であることを特徴とする。
ードは、前記基材上面に蛍光材含有層を形成し、その上
に接着剤を介して発光ダイオード素子の裏面を固定した
ことを特徴とする。
ードは、前記蛍光材含有層が、基材上面に蛍光材含有塗
料を印刷塗布するか又は蛍光材含有シートを貼付するこ
とによって形成されることを特徴とする。
ードは、前記蛍光材含有層の裏面側に反射面を設けたこ
とを特徴とする。
ードは、前記反射面が、前記基材側に設けられた電極の
上面であることを特徴とする。
ードは、前記蛍光材含有層が、前記基材に形成された絶
縁面の上に設けられていることを特徴とする。
オードは、前記基材が絶縁体であることを特徴とする。
オードは、前記基材が金属の薄板基板であることを特徴
とする。
オードは、前記樹脂封止体にドーム状のレンズ部が形成
されていることを特徴とする。
オードは、前記樹脂封止体の上面が平面状に形成され、
この上面の表皮部分に補助蛍光材含有層を形成したこと
を特徴とする。
オードは、前記発光ダイオード素子が、窒化ガリウム系
化合物半導体によって形成されていることを特徴とす
る。
オードは、前記発光ダイオード素子の周囲にテーパ状の
反射壁が形成されていることを特徴とする。
オードは、前記発光ダイオード素子が基材に設けられた
一対の電極に接続されており、この電極がマザーボード
上のプリント配線に直接表面実装されることを特徴とす
る。
に係る発光ダイオードの実施の形態を詳細に説明する。
図1乃至図3は、表面実装型の発光ダイオードに適用し
た場合の実施例を示したものである。この実施例に係る
表面実装型発光ダイオード11は、基材となる矩形状の
ガラスエポキシ基板(以下、ガラエポ基板という)12
に一対の電極(カソード電極13とアノード電極14)
をパターン形成し、この電極13,14の下面側をマザ
ーボード15上のプリント配線16,17に半田18で
固定することによって表面実装を実現するものである。
光ダイオード素子20が搭載され、その裏面側に塗布さ
れた蛍光材含有層21によってガラエポ基板12に固定
されている。この発光ダイオード素子20は窒化ガリウ
ム系化合物半導体からなる青色発光素子であり、図3に
示したように、サファイヤ基板22の上面にn型半導体
23とp型半導体24を成長させた構造からなる。n型
半導体23及びp型半導体24は電極25,26を備え
ており、前記ガラエポ基板12に設けられたカソード電
極13及びアノード電極14にボンディングワイヤ2
7,28によって接続されることで青色発光する。
設けられた蛍光材含有層21は、図3に示したように、
接着剤29をベースとした中に適当量の蛍光材30を均
一に分散させたものである。これをガラエポ基板12の
上面に所定の厚さになるように塗布し、その上に発光ダ
イオード素子20を載せ置く。接着剤29が加熱固化す
ることで、発光ダイオード素子20の裏面がガラエポ基
板12の上面に固定される。接着剤29とガラエポ基板
12との間では強い接着力が得られるので、蛍光材含有
層21が剥離するようなことはない。
0からの発光エネルギによって励起され短波長の可視光
を長波長の可視光に変換するものであり、例えばイット
リウム化合物等の蛍光物質が用いられる。
オード素子20のn型半導体23とp型半導体24との
境界面からの発光は、上方、側方及び下方へ青色光31
として発光するが、特に下方側へ発光した青色光31は
蛍光材含有層21の中に分散されている蛍光材30に当
たって励起され、黄色光32に波長変換されて四方八方
に発光する。そして、この黄色光32が前記発光ダイオ
ード素子20の上方及び側方へ発光した青色光31と混
色し、発光ダイオード11を見た時に白色発光が得られ
ることになる。発光ダイオード素子20の上方は、直方
体形状の樹脂封止体33によって保護され、前述の青色
光31及び波長変換された黄色光32がこの中を直進す
るが、この樹脂封止体33がエポキシ系の透明樹脂を主
成分としており、従来と異なって蛍光材を含まないので
光の透過率が良く、結果的に混色された白色発光の輝度
アップが図られることになる。また、この実施例では接
着剤29の中に蛍光材30を分散させているので、従来
のように樹脂封止体の中に蛍光材を分散させるのとは異
なって、蛍光材30の分散に偏りが生ずるといったこと
がなく、発光時における色度のバラツキが抑えられるこ
とになる。さらに、この実施例では蛍光材含有層21が
樹脂封止体33の上面から遠く離れており、しかも発光
ダイオード素子20の裏面側に隠れているので、紫外線
の影響を受けにくい構造となっている。なお、樹脂封止
体33の中に二酸化ケイ素等の拡散剤を混入させること
によって、より均一な発光を得ることもできる。
ルミ箔など反射率の高い薄膜層を設けたり、又は図4に
示したように、カソード電極13を延長して載置面35
を形成し、この載置面35の上に蛍光材含有層21を介
して発光ダイオード素子20を固定することによって
も、発光ダイオード素子20の下方側に発した光の反射
効率を上げることができる。
護する樹脂封止体33は、上述の直方体形状に限定され
ることなく、図5に示したようにドーム状のレンズ部3
4として形成することもできる。レンズ部34を形成す
ることで集光効果による発光輝度のアップを期待するこ
とができる。また、図6に示したように、樹脂封止体3
3の水平上面に補助蛍光材含有層36を薄く形成するこ
とによって、上面での色調整が可能となる。補助蛍光材
含有層36は、有機溶媒の中に上記イットリウム系の蛍
光材30又は別の蛍光材を分散させたものであり、塗料
として樹脂封止体33の上面に印刷したり、シート状に
形成したものを貼付してもよい。補助蛍光材含有層36
は薄く形成されることから、これによって樹脂封止体3
3での光透過率の低下を最小限に抑えることができる。
したものである。この実施例では上記カソード電極13
から延長した載置面35に発光ダイオード素子20の平
面形状より少し小さめの角孔37を開設し、この角孔3
7内に上記蛍光材含有層21を充填し、その上に発光ダ
イオード素子20を載置して固定したものであり、その
他の構成は上記第1の実施例と同様である。この実施例
においては、蛍光材含有層21をこの角孔37に充填し
た時に、角孔37の内周縁が堰38の役目をして蛍光材
含有層21の流れ出しを防ぐので、所定の厚みを確保す
ることができると共に、発光ダイオード素子20の下面
全域に亘って均一な厚みを確保することができる。な
お、所定の厚みを確保するための堰38は、上記カソー
ド電極13の一部をなす載置部35に限定されるもので
はない。
ある。上記の実施例とは異なって、接着剤29と蛍光材
30とを分離し、透明の有機溶媒の中に上述の蛍光材3
0を分散させた蛍光材含有塗料40をガラエポ基板12
の上面に印刷塗布し、重ね刷りなどによって所定の厚み
に形成したものである。蛍光材含有塗料40を乾燥させ
た後、この上に透明の接着剤29を塗布しその上に発光
ダイオード素子20を載置して固定する。この実施例に
あっては、発光ダイオード素子12の下面側への青色発
光は、接着剤29を通過して蛍光材含有塗料40に分散
された蛍光材30に当たって励起され、黄色発光に波長
変換されて四方八方に発光するが、蛍光材含有塗料40
の厚みを大きく確保することができると共に厚みの調整
が容易であるため、青色発光との混色度合いを調整し易
いといったメリットがある。なお、蛍光材含有塗料40
以外に、蛍光材含有シートを貼付することによって形成
することができる。
のである。この実施例ではガラエポ基板12の上面中央
部に円筒状の反射枠41を配置し、その中に発光ダイオ
ード素子20を載置したものである。反射枠41は内周
壁42がテーパ面になっており、発光ダイオード素子2
0の発光を内周壁42で反射させて上方向へ集光する働
きを持っている。発光ダイオード素子20は、上述した
図3と同様、接着剤29の中に蛍光材30を分散させた
蛍光材含有層21を介してガラエポ基板12の上面に固
定されている。なお、蛍光材含有層21の裏面側に反射
層を設けることでさらに反射効果を高めることができ
る。また、前記実施例と同様、蛍光材含有層21の接着
剤と蛍光材とを分離して、別々の層で形成することも可
能である。
であり、発光ダイオード素子20を載置する基材とし
て、上記ガラエポ基板12の代わりに薄板の金属基板4
5を用いたものである。この実施例では金属基板45の
中央部分にすりばち状の凹部46をプレス成形し、この
凹部46の底面47に上記実施例1と同様、接着剤29
の中に蛍光材30を分散させた蛍光材含有層21を介し
て発光ダイオード素子の裏面を固定してある。凹部46
の内周壁48は前記実施例と同様テーパ面になってお
り、反射効率を高めることができる構造になっている。
また、この実施例では金属基板45自体に導電性があっ
て電極となり得るため、ボンディングワイヤ27,28
を金属基板45の上面に接続してある。なお、金属基板
45に設けられたスリット49及び絶縁テープ50は、
カソード電極13側とアノード電極14側とを仕切るた
めのものである。また、金属基板45の裏面側には剛性
を確保するため樹脂51による補強がなされる。
たように、マザーボード15上のプリント配線16,1
7に直接表面実装されるチップ型の発光ダイオードにつ
いて説明したものであるが、この発明の発光ダイオード
は、従来例で説明したリードフレーム型のものにも適用
することができる。即ち、発光ダイオード素子が載置さ
れるメタルステムの凹部に蛍光材を含有した接着剤を塗
布し、その上に窒化ガリウム系化合物半導体からなる発
光ダイオード素子を固着することで、砲弾形の樹脂封止
体の中に蛍光材を分散させなくても高輝度の白色発光を
得ることができる。
ド素子20と一対の電極13,14をボンディングワイ
ヤ27,28によって接続した場合について説明した
が、この発明はこれに限定されるものではなく、例えば
半田バンプを用いたフリップチップ実装などの接続方法
も含まれるものである。
ダイオードによれば、発光ダイオード素子の裏面側に蛍
光材含有層を配置し、発光ダイオード素子で発光した光
の波長変換を発光ダイオード素子の裏面側で行うように
したので、発光ダイオード素子の上方側を保護する樹脂
封止体の中に波長変換用の蛍光材を分散させる必要がな
い。そのため、樹脂封止体における光の透過率が蛍光材
を分散させたものに比べてアップし、発光ダイオードの
発光輝度を上げることができるといった効果がある。
ば、発光ダイオード素子の上方を封止する樹脂体の中に
蛍光材を分散させる必要がないので、従来のように樹脂
封止体の内部で蛍光材の分散に偏りが生ずるといったこ
とがなく、個々の発光ダイオード間において、また一つ
の発光ダイオードの内部においても色度のバラツキを抑
えることができる。
ば、蛍光材を接着剤の中に分散させたことで、発光ダイ
オード素子を接着する工程の中で一緒に蛍光材の配置が
可能となり、工程的にも有利となる。
ば、蛍光材含有層の下面に反射層を設けたことで、蛍光
材によって波長変換した後の黄色発光を効率的に上方へ
反射させることができ、青色発光との混色が効果的に行
われる。
ば、発光ダイオード素子の上方を封止する樹脂封止体の
上面にドーム状のレンズ部を形成して集光させたり、発
光ダイオード素子の周囲に集光効果のあるテーパ面を設
けたりしたことで、白色発光の輝度をさらに上げること
ができる。
ば、堰を設けてその中に蛍光材含有層を配置したり、蛍
光材含有層を印刷やシートによって形成したことで、蛍
光材含有層の厚みを確保できると共に、その厚みを管理
できるといった効果がある。
ば、発光ダイオード素子の上方を封止する樹脂封止体の
上面に補助蛍光含有層を設けたことで、上面での色調整
が可能となる。
面実装タイプのチップ型発光ダイオードとして最適であ
り、量産性にも優れた構造である。
示す斜視図である。
時の上記図1におけるA−A線に沿った断面図である。
素子の裏面側での波長変換の原理を示す図である。
ダイオード素子を載置した時の発光ダイオードの斜視図
である。
合の発光ダイオードの断面図である。
た場合の発光ダイオードの断面図である。
いて、カソード電極の一部に堰を設けた付近を示す部分
斜視図である。
図である。
いて、接着剤層と蛍光材含有層を分離して2層構造とし
た場合の発光ダイオードの断面図である。
において、発光ダイオード素子の周囲に反射枠を設けた
場合の発光ダイオードの断面図である。
において、薄板の金属基板を用いた時の発光ダイオード
の断面図である。
す断面図である。
Claims (16)
- 【請求項1】 基材に発光ダイオード素子の裏面を固定
すると共に、発光ダイオード素子の上面側を樹脂封止し
てなる発光ダイオードにおいて、 前記発光ダイオード素子の裏面と基材との間に蛍光材含
有層を設けたことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項2】 前記蛍光材含有層が、接着剤の中に蛍光
材を分散させたものであり、この蛍光材含有層によって
発光ダイオード素子の裏面を基材に固定したことを特徴
とする請求項1記載の発光ダイオード。 - 【請求項3】 前記蛍光材含有層の周囲が、前記基材の
上面に設けられた堰によって囲まれていることを特徴と
する請求項2記載の発光ダイオード。 - 【請求項4】 前記堰が、前記基材の上面に設けられた
板状電極に形成され、この板状電極に開設された蛍光材
含有層充填用の孔の内周縁であることを特徴とする請求
項3記載の発光ダイオード。 - 【請求項5】 前記基材上面に蛍光材含有層を形成し、
その上に接着剤を介して発光ダイオード素子の裏面を固
定したことを特徴とする請求項1記載の発光ダイオー
ド。 - 【請求項6】 前記蛍光材含有層が、基材上面に蛍光材
含有塗料を印刷塗布するか又は蛍光材含有シートを貼付
することによって形成されることを特徴とする請求項5
記載の発光ダイオード。 - 【請求項7】 前記蛍光材含有層の裏面側に反射面を設
けたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載
の発光ダイオード。 - 【請求項8】 前記反射面が、前記基材側に設けられた
電極の上面であることを特徴とする請求項7記載の発光
ダイオード - 【請求項9】 前記蛍光材含有層が、前記基材に形成さ
れた絶縁面の上に設けられていることを特徴とする請求
項1乃至6のいずれかに記載の発光ダイオード。 - 【請求項10】 前記基材が絶縁体であることを特徴と
する請求項1乃至6のいずれかに記載の発光ダイオー
ド。 - 【請求項11】 前記基材が金属の薄板基板であること
を特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の発光ダ
イオード。 - 【請求項12】 前記樹脂封止体にドーム状のレンズ部
が形成されていることを特徴とする請求項1記載の発光
ダイオード。 - 【請求項13】 前記樹脂封止体の上面が平面状に形成
され、この上面の表皮部分に補助蛍光材含有層を形成し
たことを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。 - 【請求項14】 前記発光ダイオード素子が、窒化ガリ
ウム系化合物半導体によって形成されていることを特徴
とする請求項1,2,5のいずれかに記載の発光ダイオ
ード。 - 【請求項15】 前記発光ダイオード素子の周囲にテー
パ状の反射壁が形成されていることを特徴とする請求項
1,2,5,11,14のいずれかに記載の発光ダイオ
ード。 - 【請求項16】 前記発光ダイオード素子が基材に設け
られた一対の電極に接続されており、この電極がマザー
ボード上のプリント配線に直接表面実装されることを特
徴とする請求項1,2,5,14,15のいずれかに記
載の発光ダイオード。
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Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002226551A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード |
US6835958B2 (en) | 2002-02-06 | 2004-12-28 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP2005136427A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 発光ダイオードチップ |
JP2005333097A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Lighthouse Technology Co Ltd | 発光ダイオードパッケージ |
JP2006287267A (ja) * | 2006-07-25 | 2006-10-19 | Nippon Leiz Co Ltd | 光源装置の製造方法 |
JP2006310887A (ja) * | 2006-07-25 | 2006-11-09 | Nippon Leiz Co Ltd | 光源装置の製造方法 |
US7345322B2 (en) | 2005-02-01 | 2008-03-18 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode |
JP2008071837A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
US7530709B2 (en) | 2005-04-14 | 2009-05-12 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Illumination apparatus having a light-transmitting frame |
JP2009267039A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置 |
JPWO2005083805A1 (ja) * | 2004-02-26 | 2010-01-21 | パナソニック株式会社 | Led光源 |
US7872418B2 (en) | 2007-03-23 | 2011-01-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device and method for manufacturing the same |
WO2011136358A1 (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-03 | ローム株式会社 | Ledモジュール |
JP2012114149A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Nitto Denko Corp | 封止成型方法 |
US8283675B2 (en) | 2009-04-10 | 2012-10-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
JP2015019099A (ja) * | 2007-09-27 | 2015-01-29 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 可変の放射特性を有する光源 |
US9437787B2 (en) | 2012-06-18 | 2016-09-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device |
CN111384225A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 隆达电子股份有限公司 | 发光装置 |
US11474289B2 (en) | 2020-10-30 | 2022-10-18 | Lextar Electronics Corporation | Light-emitting device and backlight module thereof |
-
1999
- 1999-06-23 JP JP17635099A patent/JP3393089B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002226551A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード |
US6835958B2 (en) | 2002-02-06 | 2004-12-28 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP2005136427A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 発光ダイオードチップ |
JPWO2005083805A1 (ja) * | 2004-02-26 | 2010-01-21 | パナソニック株式会社 | Led光源 |
JP2005333097A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Lighthouse Technology Co Ltd | 発光ダイオードパッケージ |
US7345322B2 (en) | 2005-02-01 | 2008-03-18 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode |
US7530709B2 (en) | 2005-04-14 | 2009-05-12 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Illumination apparatus having a light-transmitting frame |
JP2006310887A (ja) * | 2006-07-25 | 2006-11-09 | Nippon Leiz Co Ltd | 光源装置の製造方法 |
JP2006287267A (ja) * | 2006-07-25 | 2006-10-19 | Nippon Leiz Co Ltd | 光源装置の製造方法 |
US8523626B2 (en) | 2006-09-12 | 2013-09-03 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method of making a light emitting device |
JP2008071837A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
US7872418B2 (en) | 2007-03-23 | 2011-01-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2015019099A (ja) * | 2007-09-27 | 2015-01-29 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 可変の放射特性を有する光源 |
JP2009267039A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置 |
US8283675B2 (en) | 2009-04-10 | 2012-10-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
WO2011136358A1 (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-03 | ローム株式会社 | Ledモジュール |
US8890203B2 (en) | 2010-04-30 | 2014-11-18 | Rohm Co., Ltd. | LED module |
US9312462B2 (en) | 2010-04-30 | 2016-04-12 | Rohm Co., Ltd. | LED module |
JP2012114149A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Nitto Denko Corp | 封止成型方法 |
US9437787B2 (en) | 2012-06-18 | 2016-09-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device |
CN111384225A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 隆达电子股份有限公司 | 发光装置 |
CN111384225B (zh) * | 2018-12-27 | 2022-04-29 | 隆达电子股份有限公司 | 发光装置 |
US11474289B2 (en) | 2020-10-30 | 2022-10-18 | Lextar Electronics Corporation | Light-emitting device and backlight module thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3393089B2 (ja) | 2003-04-07 |
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