JP3350484B2 - 発光ダイオード - Google Patents
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- Led Devices (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装型の発光
ダイオードに関するものである。
ダイオードに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の発光ダイオードとして
は、例えば図6に示したものが知られている。この発光
ダイオード1は、ガラスエポキシ基板(以下、ガラエポ
基板という)2の上面に一対の上面電極(カソード電極
3とアノード電極4)をパターン形成し、カソード電極
3の上に導電性接着剤5によって発光ダイオード素子6
を固着すると共に、発光ダイオード素子6の上面電極と
アノード電極4とをボンディングワイヤ7で接続し、こ
のボンディングワイヤ7及び発光ダイオード素子6を樹
脂封止体8によって封止した構造のものである。使用時
にはマザーボード11の上面に前記発光ダイオード1を
載置し、上面電極と一体に成形された下面電極9,10
をマザーボード11上のプリント配線12,13に半田
14で固定することによって表面実装が実現するもので
ある。
は、例えば図6に示したものが知られている。この発光
ダイオード1は、ガラスエポキシ基板(以下、ガラエポ
基板という)2の上面に一対の上面電極(カソード電極
3とアノード電極4)をパターン形成し、カソード電極
3の上に導電性接着剤5によって発光ダイオード素子6
を固着すると共に、発光ダイオード素子6の上面電極と
アノード電極4とをボンディングワイヤ7で接続し、こ
のボンディングワイヤ7及び発光ダイオード素子6を樹
脂封止体8によって封止した構造のものである。使用時
にはマザーボード11の上面に前記発光ダイオード1を
載置し、上面電極と一体に成形された下面電極9,10
をマザーボード11上のプリント配線12,13に半田
14で固定することによって表面実装が実現するもので
ある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の発光ダイオード1にあっては、マザーボード11に
実装したときの全体の高さ寸法h1は、マザーボード1
1の板厚に発光ダイオード1のガラエポ基板2の板厚と
樹脂封止体8の厚みを加えたものであり、薄型化の要請
を十分に満足するものではなかった。
来の発光ダイオード1にあっては、マザーボード11に
実装したときの全体の高さ寸法h1は、マザーボード1
1の板厚に発光ダイオード1のガラエポ基板2の板厚と
樹脂封止体8の厚みを加えたものであり、薄型化の要請
を十分に満足するものではなかった。
【0004】そこで、本発明の目的は、マザーボードに
発光ダイオードを実装した時に、マザーボードを含む全
体の高さ寸法をできるだけ小さくして薄型化を図るよう
にした表面実装型の発光ダイオードを提供するものであ
る。
発光ダイオードを実装した時に、マザーボードを含む全
体の高さ寸法をできるだけ小さくして薄型化を図るよう
にした表面実装型の発光ダイオードを提供するものであ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項1に係る発光ダイオードは、マザー
ボードに開設された開口部の端部に電極部を介して外周
部が載置される台座と、この台座に透明接着剤を介して
固着され素子基板が透明である窒化ガリウム系化合物半
導体からなる発光ダイオード素子と、前記発光ダイオー
ド素子の上方側に設けられる非透過部と、前記台座の発
光ダイオード素子側に設けられる樹脂封止体とを備え、
前記発光ダイオード素子及び樹脂封止体がマザーボード
の開口部内に挿入されると共に、台座には少なくとも発
光ダイオード素子が載置される部位に台座の上面から下
面まで達する透明樹脂部が設けられ、前記発光ダイオー
ド素子から出た光が透明樹脂部を透過して導かれるよう
にしたことを特徴とする。
に、本発明の請求項1に係る発光ダイオードは、マザー
ボードに開設された開口部の端部に電極部を介して外周
部が載置される台座と、この台座に透明接着剤を介して
固着され素子基板が透明である窒化ガリウム系化合物半
導体からなる発光ダイオード素子と、前記発光ダイオー
ド素子の上方側に設けられる非透過部と、前記台座の発
光ダイオード素子側に設けられる樹脂封止体とを備え、
前記発光ダイオード素子及び樹脂封止体がマザーボード
の開口部内に挿入されると共に、台座には少なくとも発
光ダイオード素子が載置される部位に台座の上面から下
面まで達する透明樹脂部が設けられ、前記発光ダイオー
ド素子から出た光が透明樹脂部を透過して導かれるよう
にしたことを特徴とする。
【0006】また、本発明の請求項2に係る発光ダイオ
ードは、前記透明樹脂部が、発光ダイオード素子が載置
される部位に対応して開設された台座の貫通孔と、この
貫通孔内に充填された透明樹脂とからなることを特徴と
する。
ードは、前記透明樹脂部が、発光ダイオード素子が載置
される部位に対応して開設された台座の貫通孔と、この
貫通孔内に充填された透明樹脂とからなることを特徴と
する。
【0007】また、本発明の請求項3に係る発光ダイオ
ードは、前記透明樹脂部が、台座を構成する透明樹脂体
によって形成されてなることを特徴とする。
ードは、前記透明樹脂部が、台座を構成する透明樹脂体
によって形成されてなることを特徴とする。
【0008】また、本発明の請求項4に係る発光ダイオ
ードは、前記透明樹脂部及び透明接着剤の少なくとも一
方にイットリウム化合物からなる蛍光材が分散され、発
光ダイオード素子から出た青色発光が透明樹脂部を透過
して台座の下面側に導かれる間で白色発光に波長変換す
ることを特徴とする。
ードは、前記透明樹脂部及び透明接着剤の少なくとも一
方にイットリウム化合物からなる蛍光材が分散され、発
光ダイオード素子から出た青色発光が透明樹脂部を透過
して台座の下面側に導かれる間で白色発光に波長変換す
ることを特徴とする。
【0009】また、本発明の請求項5に係る発光ダイオ
ードは、前記台座の下面側には透明樹脂部の下方に集光
レンズ部が突設されていることを特徴とする。
ードは、前記台座の下面側には透明樹脂部の下方に集光
レンズ部が突設されていることを特徴とする。
【0010】また、本発明の請求項6に係る発光ダイオ
ードは、前記発光ダイオード素子の上方側に設けられた
非透過部が、前記発光ダイオード素子の上面全体に設け
られる一対の非透過電極であることを特徴とする。
ードは、前記発光ダイオード素子の上方側に設けられた
非透過部が、前記発光ダイオード素子の上面全体に設け
られる一対の非透過電極であることを特徴とする。
【0011】また、本発明の請求項7に係る発光ダイオ
ードは、前記発光ダイオード素子の上方側に設けられた
非透過部が、透明の樹脂封止体の外周面を被う反射膜で
あることを特徴とする。
ードは、前記発光ダイオード素子の上方側に設けられた
非透過部が、透明の樹脂封止体の外周面を被う反射膜で
あることを特徴とする。
【0012】また、本発明の請求項8に係る発光ダイオ
ードは、前記発光ダイオード素子の上方側に設けられた
非透過部が、不透明の樹脂封止体であることを特徴とす
る。
ードは、前記発光ダイオード素子の上方側に設けられた
非透過部が、不透明の樹脂封止体であることを特徴とす
る。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
に係る発光ダイオードの実施形態を詳細に説明する。図
1及び図2は、表面実装型発光ダイオードの第1実施形
態を示したものである。この実施形態に係る表面実装型
の発光ダイオード21は、台座となる矩形状のガラスエ
ポキシ基板(以下、ガラエポ基板という)22の上面に
一対の上面電極(カソード電極23とアノード電極2
4)がパターン形成されると共に、ガラエポ基板22の
中央部には上面26aから下面26bに断面四角形状の
貫通孔25が設けられている。この貫通孔25には透明
樹脂が充填され、ガラエポ基板22の上面26a及び下
面26bと略同一面の透明樹脂部27を形成する。この
実施形態では透明樹脂部27の中にイットリウム化合物
等からなる蛍光材28が分散されており、後述するよう
に青色発光を白色発光に波長変換する。
に係る発光ダイオードの実施形態を詳細に説明する。図
1及び図2は、表面実装型発光ダイオードの第1実施形
態を示したものである。この実施形態に係る表面実装型
の発光ダイオード21は、台座となる矩形状のガラスエ
ポキシ基板(以下、ガラエポ基板という)22の上面に
一対の上面電極(カソード電極23とアノード電極2
4)がパターン形成されると共に、ガラエポ基板22の
中央部には上面26aから下面26bに断面四角形状の
貫通孔25が設けられている。この貫通孔25には透明
樹脂が充填され、ガラエポ基板22の上面26a及び下
面26bと略同一面の透明樹脂部27を形成する。この
実施形態では透明樹脂部27の中にイットリウム化合物
等からなる蛍光材28が分散されており、後述するよう
に青色発光を白色発光に波長変換する。
【0014】一方、前記ガラエポ基板22の上面26a
には、前記透明樹脂部27の略真上に発光ダイオード素
子29が搭載されている。この発光ダイオード素子29
は窒化ガリウム系化合物半導体からなる青色発光素子で
あり、透明ガラスであるサファイヤ基板30の上面にn
型半導体31とp型半導体32を成長させた構造であ
る。n型半導体31及びp型半導体32は、それぞれの
上面に電極を備えるが、この実施形態では非透過性の電
極33,34がn型半導体31及びp型半導体32の各
上面全体に形成されており、これによって上方への発光
が略完全に遮蔽される。これらの非透過性の電極33,
34と前記ガラエポ基板22に設けられたカソード電極
23及びアノード電極24とは、ボンディングワイヤ3
5,36によって接続されている。
には、前記透明樹脂部27の略真上に発光ダイオード素
子29が搭載されている。この発光ダイオード素子29
は窒化ガリウム系化合物半導体からなる青色発光素子で
あり、透明ガラスであるサファイヤ基板30の上面にn
型半導体31とp型半導体32を成長させた構造であ
る。n型半導体31及びp型半導体32は、それぞれの
上面に電極を備えるが、この実施形態では非透過性の電
極33,34がn型半導体31及びp型半導体32の各
上面全体に形成されており、これによって上方への発光
が略完全に遮蔽される。これらの非透過性の電極33,
34と前記ガラエポ基板22に設けられたカソード電極
23及びアノード電極24とは、ボンディングワイヤ3
5,36によって接続されている。
【0015】前記発光ダイオード素子29は、その下面
側に塗布された透明接着剤37を介して透明樹脂部27
の上面に固着されている。また、発光ダイオード素子2
9及びボンディングワイヤ35,36は、ガラエポ基板
22の上面に形成された直方体形状の透明の樹脂封止体
38によって保護されている。
側に塗布された透明接着剤37を介して透明樹脂部27
の上面に固着されている。また、発光ダイオード素子2
9及びボンディングワイヤ35,36は、ガラエポ基板
22の上面に形成された直方体形状の透明の樹脂封止体
38によって保護されている。
【0016】上述のような構成からなる発光ダイオード
21にあっては、発光ダイオード素子29のn型半導体
31とp型半導体32との境界面から上下方向に青色光
が発光するが、上方向へ発光した青色光は発光ダイオー
ド素子29の上面全体に設けられた非透過性の電極3
3,34に遮光されるために、樹脂封止体38内への透
過が殆どない状態で非透過性の電極33,34からの反
射を受ける。これらの反射光及び最初からサファイヤ基
板30を透過して下方側に向かう青色発光は、透明接着
剤37を介してガラエポ基板22の貫通孔25に充填さ
れている透明樹脂部27を透過し、ガラエポ基板22の
下面26b側に照射される。その際、透明樹脂部27内
に分散されている蛍光材28が青色発光の短波長によっ
て励起され、青色発光を黄色味のある発光に波長変換す
る。そして、元々の青色発光と波長変換された発光とが
互いに混色することで、ガラエポ基板22の下面26b
側では白色に近い発光が得られることになる。
21にあっては、発光ダイオード素子29のn型半導体
31とp型半導体32との境界面から上下方向に青色光
が発光するが、上方向へ発光した青色光は発光ダイオー
ド素子29の上面全体に設けられた非透過性の電極3
3,34に遮光されるために、樹脂封止体38内への透
過が殆どない状態で非透過性の電極33,34からの反
射を受ける。これらの反射光及び最初からサファイヤ基
板30を透過して下方側に向かう青色発光は、透明接着
剤37を介してガラエポ基板22の貫通孔25に充填さ
れている透明樹脂部27を透過し、ガラエポ基板22の
下面26b側に照射される。その際、透明樹脂部27内
に分散されている蛍光材28が青色発光の短波長によっ
て励起され、青色発光を黄色味のある発光に波長変換す
る。そして、元々の青色発光と波長変換された発光とが
互いに混色することで、ガラエポ基板22の下面26b
側では白色に近い発光が得られることになる。
【0017】次に、上記構成からなる発光ダイオード2
1の表面実装方法を説明する。図2は、マザーボード4
1に発光ダイオード21を表面実装した時の状態を示し
たものである。この実施形態では、予めマザーボード4
1に発光ダイオード21の樹脂封止体38が挿入される
四角形状の挿入孔42を開設しておき、実装時には前記
発光ダイオード21を上下逆にしてマザーボード41上
に載置し、挿入孔42内に樹脂封止体38全体を挿入す
る。ガラエポ基板22の外周縁は、前記挿入孔42の周
囲に載せ置かれるので、ガラエポ基板22上に設けられ
たカソード電極23及びアノード電極24を挿入孔42
の周囲にプリントされたマザーボード41上の配線パタ
ーン43,44に半田45で固定する。
1の表面実装方法を説明する。図2は、マザーボード4
1に発光ダイオード21を表面実装した時の状態を示し
たものである。この実施形態では、予めマザーボード4
1に発光ダイオード21の樹脂封止体38が挿入される
四角形状の挿入孔42を開設しておき、実装時には前記
発光ダイオード21を上下逆にしてマザーボード41上
に載置し、挿入孔42内に樹脂封止体38全体を挿入す
る。ガラエポ基板22の外周縁は、前記挿入孔42の周
囲に載せ置かれるので、ガラエポ基板22上に設けられ
たカソード電極23及びアノード電極24を挿入孔42
の周囲にプリントされたマザーボード41上の配線パタ
ーン43,44に半田45で固定する。
【0018】上述の実装手段では、発光ダイオード21
が上下逆に実装されるために、マザーボード41の上方
が発光ダイオード21によって照射されることになる。
その際、青色から白色への波長変換が蛍光材28を含有
するガラエポ基板22の透明樹脂部27内で行われるの
で、指向性に優れた輝度の高い白色発光が得られる。ま
た、蛍光材28が分散されている透明樹脂部27は、そ
の高さ幅が大きいので、その中で波長変換が十分になさ
れると共に色度の調整も容易である。なお、挿入孔42
の内周壁を反射面とすることで、上方への指向性をさら
にアップさせることができる。
が上下逆に実装されるために、マザーボード41の上方
が発光ダイオード21によって照射されることになる。
その際、青色から白色への波長変換が蛍光材28を含有
するガラエポ基板22の透明樹脂部27内で行われるの
で、指向性に優れた輝度の高い白色発光が得られる。ま
た、蛍光材28が分散されている透明樹脂部27は、そ
の高さ幅が大きいので、その中で波長変換が十分になさ
れると共に色度の調整も容易である。なお、挿入孔42
の内周壁を反射面とすることで、上方への指向性をさら
にアップさせることができる。
【0019】上記マザーボード41を含めた全体の高さ
寸法h2は、マザーボード41の厚さに発光ダイオード
21のガラエポ基板22の厚さを加えただけであるの
で、従来に比べて樹脂封止体38の厚みが加算されない
分、全体の高さ寸法を抑えることができる。
寸法h2は、マザーボード41の厚さに発光ダイオード
21のガラエポ基板22の厚さを加えただけであるの
で、従来に比べて樹脂封止体38の厚みが加算されない
分、全体の高さ寸法を抑えることができる。
【0020】図3は、本発明の第2実施形態を示したも
のである。この実施形態ではガラエポ基板22の下面2
6b側において、透明樹脂部27の直上に半球状のレン
ズ部46を設けた以外は前記実施形態と略同様の構成か
らなるので詳細な説明を省略する。前記レンズ部46も
透明樹脂によって形成されている。この実施形態では蛍
光材28が分散されている透明樹脂部27の中を透過し
た光がガラエポ基板22の下面26b側でレンズ部46
によって屈折し、集光性が高められることになるので、
白色発光の輝度アップが図られることになる。
のである。この実施形態ではガラエポ基板22の下面2
6b側において、透明樹脂部27の直上に半球状のレン
ズ部46を設けた以外は前記実施形態と略同様の構成か
らなるので詳細な説明を省略する。前記レンズ部46も
透明樹脂によって形成されている。この実施形態では蛍
光材28が分散されている透明樹脂部27の中を透過し
た光がガラエポ基板22の下面26b側でレンズ部46
によって屈折し、集光性が高められることになるので、
白色発光の輝度アップが図られることになる。
【0021】なお、上記いずれの実施形態もガラエポ基
板22の貫通孔25内に充填した透明樹脂部27の中に
蛍光材28を分散させた場合について説明したが、透明
接着剤37の中に蛍光材28を分散させることも可能で
ある。
板22の貫通孔25内に充填した透明樹脂部27の中に
蛍光材28を分散させた場合について説明したが、透明
接着剤37の中に蛍光材28を分散させることも可能で
ある。
【0022】図4は本発明の第3実施形態を示したもの
である。この実施形態では台座を透明樹脂基板47で構
成し、その中に蛍光材28を分散させたものである。前
記実施形態と同様、窒化ガリウム系化合物半導体からな
る発光ダイオード素子29は、透明接着剤37によって
透明樹脂基板47に固着されると共に、その上方が透明
の樹脂封止体38によって保護されている。マザーボー
ド41に対しては上下逆に実装されており、前記実施形
態と同じように、マザーボード41の上方を照射する。
この実施形態は広範囲での照射に適するが、光の指向性
や集光性を得る場合には、先の実施形態と同様、透明樹
脂基板47の下面26b側に半球状のレンズ部を設けた
り、透明接着剤の中に蛍光材を分散させたりすればよ
い。
である。この実施形態では台座を透明樹脂基板47で構
成し、その中に蛍光材28を分散させたものである。前
記実施形態と同様、窒化ガリウム系化合物半導体からな
る発光ダイオード素子29は、透明接着剤37によって
透明樹脂基板47に固着されると共に、その上方が透明
の樹脂封止体38によって保護されている。マザーボー
ド41に対しては上下逆に実装されており、前記実施形
態と同じように、マザーボード41の上方を照射する。
この実施形態は広範囲での照射に適するが、光の指向性
や集光性を得る場合には、先の実施形態と同様、透明樹
脂基板47の下面26b側に半球状のレンズ部を設けた
り、透明接着剤の中に蛍光材を分散させたりすればよ
い。
【0023】図5は本発明の第4実施形態を示したもの
である。この実施形態では窒化ガリウム系化合物半導体
からなる発光ダイオード素子29の上面に一対の電極3
3a,34aを部分的に設けると共に、発光ダイオード
素子29を封止している樹脂封止体38aをドーム状に
形成し、この樹脂封止体38aの外周面に反射膜48を
コーティングしたものである。先の実施形態と同様、台
座が透明樹脂基板47によって形成され、その中に蛍光
材28が分散される。また、一対の電極33a,34a
が非透過性である必要はない。樹脂封止体38aは透明
樹脂を材料として形成され、反射膜48は銀やアルミニ
ウムなどの蒸着によって形成される。
である。この実施形態では窒化ガリウム系化合物半導体
からなる発光ダイオード素子29の上面に一対の電極3
3a,34aを部分的に設けると共に、発光ダイオード
素子29を封止している樹脂封止体38aをドーム状に
形成し、この樹脂封止体38aの外周面に反射膜48を
コーティングしたものである。先の実施形態と同様、台
座が透明樹脂基板47によって形成され、その中に蛍光
材28が分散される。また、一対の電極33a,34a
が非透過性である必要はない。樹脂封止体38aは透明
樹脂を材料として形成され、反射膜48は銀やアルミニ
ウムなどの蒸着によって形成される。
【0024】従って、この実施形態では発光ダイオード
素子29から樹脂封止体38a側に出た光は、電極33
a,34aが部分的にしか形成されてないために、樹脂
封止体38aを透過し、反射膜48によって反射を受け
る。この時、反射膜48が凹レンズのように作用するた
めに、反射膜48で反射した光が平行光49となって透
明樹脂基板47を透過し、その際に透明樹脂基板47の
中に分散された蛍光材28を励起して波長変換される。
素子29から樹脂封止体38a側に出た光は、電極33
a,34aが部分的にしか形成されてないために、樹脂
封止体38aを透過し、反射膜48によって反射を受け
る。この時、反射膜48が凹レンズのように作用するた
めに、反射膜48で反射した光が平行光49となって透
明樹脂基板47を透過し、その際に透明樹脂基板47の
中に分散された蛍光材28を励起して波長変換される。
【0025】なお、上述した第1実施形態及び第2実施
形態においても、発光ダイオード素子29の上面に設け
られる電極33,34が部分的なものであってもよく、
その場合には樹脂封止体38を不透明樹脂で形成して光
の透過を妨げたり、先の第4実施形態のように、樹脂封
止体38の外周面に反射膜を設けることでガラエポ基板
22の下面26b側に発光を導くことができる。反射膜
を設ける場合の樹脂封止体の形状は、直方体であっても
ドーム状であっても構わない。
形態においても、発光ダイオード素子29の上面に設け
られる電極33,34が部分的なものであってもよく、
その場合には樹脂封止体38を不透明樹脂で形成して光
の透過を妨げたり、先の第4実施形態のように、樹脂封
止体38の外周面に反射膜を設けることでガラエポ基板
22の下面26b側に発光を導くことができる。反射膜
を設ける場合の樹脂封止体の形状は、直方体であっても
ドーム状であっても構わない。
【0026】上述した全ての実施形態では、波長変換型
の発光ダイオードについて説明したが、本発明は波長変
換をしない発光ダイオードであっても、サファイヤ基板
等の透明基板を用いて下面側へ光が照射される発光ダイ
オード素子を用いた発光ダイオードにも適用できること
は勿論である。また、上記いずれの実施形態も発光ダイ
オード素子と電極をボンディングワイヤによって接続し
た場合について説明したが、この発明はこれに限定され
るものではなく、例えば半田バンプを用いたフリップチ
ップ実装などの接続方法も含まれるものである。
の発光ダイオードについて説明したが、本発明は波長変
換をしない発光ダイオードであっても、サファイヤ基板
等の透明基板を用いて下面側へ光が照射される発光ダイ
オード素子を用いた発光ダイオードにも適用できること
は勿論である。また、上記いずれの実施形態も発光ダイ
オード素子と電極をボンディングワイヤによって接続し
た場合について説明したが、この発明はこれに限定され
るものではなく、例えば半田バンプを用いたフリップチ
ップ実装などの接続方法も含まれるものである。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る発光
ダイオードによれば、マザーボードに開設された開口部
内に発光ダイオード素子や樹脂封止体を挿入した状態で
表面実装でき、且つマザーボードの上方に発光できるよ
うにしたので、マザーボードの上方に突出する部分が台
座部分だけとなって、マザーボードを含む発光ダイオー
ド全体の高さ寸法を抑えることができ、発光ダイオード
の薄型化が達成できた。
ダイオードによれば、マザーボードに開設された開口部
内に発光ダイオード素子や樹脂封止体を挿入した状態で
表面実装でき、且つマザーボードの上方に発光できるよ
うにしたので、マザーボードの上方に突出する部分が台
座部分だけとなって、マザーボードを含む発光ダイオー
ド全体の高さ寸法を抑えることができ、発光ダイオード
の薄型化が達成できた。
【0028】また、本発明によれば、台座に貫通孔を開
設し、この貫通孔に充填した透明樹脂部を通して発光ダ
イオード素子から出た光を台座の下面側に導くようにし
たので、発光が拡散せずに上方への指向性が良くなる。
また、これに集光レンズ部を設けることで高輝度の発光
が得られることになる。
設し、この貫通孔に充填した透明樹脂部を通して発光ダ
イオード素子から出た光を台座の下面側に導くようにし
たので、発光が拡散せずに上方への指向性が良くなる。
また、これに集光レンズ部を設けることで高輝度の発光
が得られることになる。
【0029】さらに、台座の上に窒化ガリウム系化合物
半導体からなる青色発光ダイオード素子を搭載し、その
裏面側の透明樹脂部又はこの透明樹脂部に発光ダイオー
ド素子を固着するための透明接着剤に青色発光によって
励起される蛍光材を含有させたので、白色発光の表面実
装型発光ダイオードをより一層薄型化することができ
た。
半導体からなる青色発光ダイオード素子を搭載し、その
裏面側の透明樹脂部又はこの透明樹脂部に発光ダイオー
ド素子を固着するための透明接着剤に青色発光によって
励起される蛍光材を含有させたので、白色発光の表面実
装型発光ダイオードをより一層薄型化することができ
た。
【0030】また、窒化ガリウム系化合物半導体からな
る青色発光ダイオードの場合は、透明のサファイヤガラ
スを素子基板として使用し、且つ素子基板の裏面側には
電極が形成されないため、発光ダイオード素子の上面側
よりサファイヤガラスを通して素子の下面側に発光させ
た方が発光効率がよく輝度アップも図られる。
る青色発光ダイオードの場合は、透明のサファイヤガラ
スを素子基板として使用し、且つ素子基板の裏面側には
電極が形成されないため、発光ダイオード素子の上面側
よりサファイヤガラスを通して素子の下面側に発光させ
た方が発光効率がよく輝度アップも図られる。
【図1】本発明に係る発光ダイオードの第1実施形態を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図2】上記発光ダイオードをマザーボードに実装した
時の断面図である。
時の断面図である。
【図3】本発明に係る発光ダイオードの第2実施形態を
示す図2と同様の断面図である。
示す図2と同様の断面図である。
【図4】本発明に係る発光ダイオードの第3実施形態を
示す図2と同様の断面図である。
示す図2と同様の断面図である。
【図5】本発明に係る発光ダイオードの第4実施形態を
示す図2と同様の断面図である。
示す図2と同様の断面図である。
【図6】従来における発光ダイオードをマザーボードに
実装した時の断面図である。
実装した時の断面図である。
21 発光ダイオード 22 ガラエポ基板(台座) 25 貫通孔 26a 上面 26b 下面 27 透明樹脂部 28 蛍光材 29 発光ダイオード素子 30 サファイヤ基板(素子基板) 33,34 非透過電極(非透過部) 37 透明接着剤 38 樹脂封止体 46 レンズ部 47 透明樹脂基板(台座) 48 反射膜
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−151794(JP,A) 特開 平11−191641(JP,A) 特開 平7−147432(JP,A) 特開 平11−163409(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 33/00 H01L 21/52
Claims (8)
- 【請求項1】 マザーボードに開設された開口部の端部
に電極部を介して外周部が載置される台座と、 この台座に透明接着剤を介して固着され素子基板が透明
である窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光ダイオ
ード素子と、 前記発光ダイオード素子の上方側に設けられる非透過部
と、 前記台座の発光ダイオード素子側に設けられる樹脂封止
体とを備え、 前記発光ダイオード素子及び樹脂封止体がマザーボード
の開口部内に挿入されると共に、台座には少なくとも発
光ダイオード素子が載置される部位に台座の上面から下
面まで達する透明樹脂部が設けられ、前記発光ダイオー
ド素子から出た光が透明樹脂部を透過して導かれるよう
にしたことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項2】 前記透明樹脂部が、発光ダイオード素子
が載置される部位に対応して開設された台座の貫通孔
と、この貫通孔内に充填された透明樹脂とからなる請求
項1記載の発光ダイオード。 - 【請求項3】 前記透明樹脂部が、台座を構成する透明
樹脂体によって形成されてなる請求項1記載の発光ダイ
オード。 - 【請求項4】 前記透明樹脂部及び透明接着剤の少なく
とも一方にイットリウム化合物からなる蛍光材が分散さ
れ、発光ダイオード素子から出た青色発光が透明樹脂部
を透過して台座の下面側に導かれる間で白色発光に波長
変換する請求項1記載の発光ダイオード。 - 【請求項5】 前記台座の下面側には透明樹脂部の下方
に集光レンズ部が突設される請求項1記載の発光ダイオ
ード。 - 【請求項6】 前記発光ダイオード素子の上方側に設け
られた非透過部が、前記発光ダイオード素子の上面全体
に設けられる一対の非透過電極である請求項1記載の発
光ダイオード。 - 【請求項7】 前記発光ダイオード素子の上方側に設け
られた非透過部が、透明の樹脂封止体の外周面を被う反
射膜である請求項1記載の発光ダイオード。 - 【請求項8】 前記発光ダイオード素子の上方側に設け
られた非透過部が、不透明の樹脂封止体である請求項1
記載の発光ダイオード。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21452799A JP3350484B2 (ja) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 発光ダイオード |
PCT/JP2000/005038 WO2001009963A1 (fr) | 1999-07-29 | 2000-07-27 | Diode electroluminescente |
CNB008015554A CN1196203C (zh) | 1999-07-29 | 2000-07-27 | 发光二极管 |
US09/787,873 US6396082B1 (en) | 1999-07-29 | 2000-07-27 | Light-emitting diode |
KR10-2001-7003802A KR100463653B1 (ko) | 1999-07-29 | 2000-07-27 | 발광 다이오드 |
EP00948262A EP1119058A4 (en) | 1999-07-29 | 2000-07-27 | LIGHT-EMITTING DIODE |
CN00801556A CN1108267C (zh) | 1999-07-29 | 2000-08-01 | 带有集成的运输架和引导机的运输*** |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21452799A JP3350484B2 (ja) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 発光ダイオード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001044516A JP2001044516A (ja) | 2001-02-16 |
JP3350484B2 true JP3350484B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=16657211
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21452799A Expired - Fee Related JP3350484B2 (ja) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3350484B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10034865B4 (de) * | 2000-07-18 | 2006-06-01 | Infineon Technologies Ag | Optoelektronisches oberflächenmontierbares Modul |
JP2002270901A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-20 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオードとその製造方法 |
JP2002280614A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-27 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
JP4822482B2 (ja) * | 2001-05-23 | 2011-11-24 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP3996408B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2007-10-24 | ローム株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
DE10351397A1 (de) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip |
JP2005159296A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-16 | Sharp Corp | オプトデバイスのパッケージ構造 |
JP2008108871A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子の実装構造 |
JP2008218610A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
JP5326705B2 (ja) * | 2009-03-17 | 2013-10-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR20110136676A (ko) * | 2010-06-14 | 2011-12-21 | 삼성엘이디 주식회사 | 양자점을 이용한 발광소자 패키지, 조광 장치 및 디스플레이 장치 |
JPWO2013061511A1 (ja) * | 2011-10-27 | 2015-04-02 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
JP2014220431A (ja) * | 2013-05-09 | 2014-11-20 | 日東電工株式会社 | 回路基板、光半導体装置およびその製造方法 |
JP5725115B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2015-05-27 | ウシオ電機株式会社 | 発光装置及びそれを備えた灯具 |
TWM496848U (zh) * | 2014-07-30 | 2015-03-01 | Yu-Yu Gao | 螢光複合樹脂基板白光發光二極體 |
US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
-
1999
- 1999-07-29 JP JP21452799A patent/JP3350484B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001044516A (ja) | 2001-02-16 |
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