JP2001007346A - 外力検知センサの製造方法 - Google Patents
外力検知センサの製造方法Info
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Abstract
形成する。 【解決手段】 素子基板3の裏面3bに凹部16を形成
してメンブレン17を形成する。次に、凹部16の天面
16aに導電性材料から成るエッチングストップ層18
を形成する。そして、シリコンの素子基板3とガラスの
支持基板2を陽極接合した後に、素子基板3の表面3a
側からエッチングストップ層18に至る貫通部20をド
ライエッチングによって複数個形成してセンサ素子1を
形作る。然る後に、エッチングストップ層18をフッ化
水素酸水溶液によってウエットエッチング除去する。導
電性材料のエッチングストップ層18は、貫通部20の
側壁面にノッチが形成されるのを防止すると共に、過剰
エッチングを防止する。これにより、設計通りに寸法精
度良くセンサ素子1を製造することができ、出力感度の
安定性に優れた外力検知センサを提供できる。
Description
速度センサ等の外力検知センサの製造方法に関するもの
である。
外力検知センサである角速度センサが上面図により示さ
れ、また、図6(b)には上記図6(a)に示すA−A
部分の断面図が示されている。この図6(a)、(b)
に示す角速度センサを構成するセンサ素子1は、例えば
ガラスの支持基板2に接合される素子基板(例えば単結
晶のシリコン基板等の半導体基板)3をドライエッチン
グ加工して予め定めた設定の形状としたものである。
持基板2のX−Y平面方向の面である表面2aの上方に
は、振動体5が上記支持基板2から浮いた状態で配置さ
れている。この振動体5は四角形状の枠体5aの内側に
おもり5bが設けられた構成と成している。この振動体
5を囲むように複数(図6の例では4個)の固定部6が
互いに間隔を介して支持基板2上に固定配設されてお
り、上記振動体5は上記各固定部6にそれぞれL字形状
の支持梁(梁)7によってX方向およびY方向に振動可
能に支持されている。
向(X方向)の外側に向かって櫛歯状の可動電極10
(10a,10b)が形成されており、この可動電極1
0と間隔を介して噛み合う固定櫛歯電極11(11a,
11b)が固定部12から横方向の内側に向かって伸長
形成されている。
ぞれ図示しない導電パターンが接続されており、該導電
パターンを介して上記各固定櫛歯電極11a,11bに
それぞれ外部から電圧を印加することができるように形
成されている。例えば、上記可動電極10a,10bを
設定の定電圧(例えば零V)の状態にして、固定櫛歯電
極11a,11bに上記各導電パターンを介してそれぞ
れ互いに位相が180°異なる交流電圧を印加すると、
可動電極10aと固定櫛歯電極11a間と、可動電極1
0bと固定櫛歯電極11b間とにそれぞれ逆向きの静電
力が発生し、この静電力により振動体5は、X方向に励
振振動するようになっている。
れ縦方向(Y方向)の外側に向かって可動電極13(1
3a,13b)が伸長形成されており、この可動電極1
3と間隔を介して対向する固定電極14(14a,14
b)が固定部15から縦方向の内側に向かって伸長形成
されている。
サ)では、上記したように振動体5がX方向に励振振動
している状態で、外力検知センサが上記X−Y平面方向
に直交するZ軸を回転軸として回転すると、Y方向にコ
リオリ力が発生する。このコリオリ力が振動体5に加え
られ、振動体5はコリオリ力の方向に振動する。このコ
リオリ力に起因した振動体5のY方向の振動によって上
記可動電極13と固定電極14間の間隔が変化して、可
動電極13と固定電極14間の静電容量が変化する。こ
の静電容量変化を利用して、上記コリオリ力による振動
体5のY方向の振動振幅の大きさに対応する電気信号を
検出することで、回転の角速度の大きさを検知すること
ができる。このように、図6に示す角速度センサのセン
サ素子1は振動体5や支持梁7等の可動部を有する可動
素子と成している。
方法の一例を図7(a)〜(e)に示す断面図を用いて
簡単に説明する。例えば、まず、図7(a)に示すよう
に、素子基板3の裏面3bにRIE(反応性イオンエッ
チング)等のドライエッチング技術によって凹部16を
形成して、例えば、厚みdが60〜70μmのメンブレ
ン(ダイヤフラム)17を形成する。
16の天面16aにCVD(化学気相成長)等の成膜技
術を用いて、酸化シリコンから成るエッチングストップ
層18を形成する。
子基板3の裏面3b側に支持基板2を配置して、支持基
板2および素子基板3を高温に加熱し高電圧を印加して
支持基板2と素子基板3を陽極接合する。
IEを利用して上記支持基板2のメンブレン17を加工
して、図7(d)に示すように、素子基板3の表面3a
から上記エッチングストップ層18に達する貫通部20
を複数形成し、これら複数の貫通部20によって、振動
体5と支持梁7と可動電極10と固定櫛歯電極11と可
動電極13と固定電極14等を形作ってセンサ素子1を
形成する。なお、この明細書では、上記のように、基板
の表面から裏面に貫通する貫通部を形成するためのドラ
イエッチング技術を貫通ドライエッチングと述べてい
る。
後には、図7(e)に示すように、上記エッチングスト
ップ層18をバッファフッ酸水溶液を用いてウエットエ
ッチング除去する。以上のようにして、図6に示すよう
な角速度センサを製造することができる。
に、従来では、角速度センサ等の外力検知センサの製造
中に形成されるエッチングストップ層18は、層形成の
容易さや、外力検知センサの製造プロセスの簡素化を図
る観点から、酸化シリコン等の絶縁体により構成されて
いた。ところが、上記のように、エッチングストップ層
18が絶縁体により形成されているために、図7(e)
に示すように貫通部20の側壁面の下部側(つまり、エ
ッチングストップ層18が形成されている側)にノッチ
(欠け)nが形成されることに本発明者は気付いた。
ものと考えられる。例えば、センサ素子1を形作るため
に、素子基板3を貫通ドライエッチングにより加工して
いるとき(ドライエッチング中)には、図6(a)に示
す振動体5の枠体5aとおもり5b間の貫通部(エッチ
ング孔)20aのようなエッチング除去面積が広い部分
は、マイクロローディング効果によって、可動電極10
と固定櫛歯電極11間の貫通部(エッチング溝)20b
のようなエッチング除去面積が狭い部分よりも速くエッ
チング除去が達成される。
してからエッチング除去がエッチングストップ層18ま
で達成されて貫通部20の形成が完了するに要する時間
は上記エッチング除去面積の違い等によって各貫通部2
0毎に異なる。上記貫通ドライエッチングは全ての貫通
部20の形成が完了するまで継続的に行われるため、エ
ッチング除去が完了したのにも拘わらずエッチングガス
に晒され続ける貫通部20(以下、このような貫通部を
オーバーエッチング中の貫通部と記す)が生じてしま
う。
20では、エッチング除去が完了しているのにエッチン
グガスが継続的に入り込んで、貫通部20の底部のエッ
チングストップ層18は、エッチングガス中のプラスイ
オンの衝突によって、プラス(正)に帯電する。
層18がプラスに帯電した以降にも引き続きエッチング
が継続されてエッチングガスが貫通部20の内部に入り
込み続ける場合には、そのエッチングガス中のプラスイ
オンは、貫通部20の内部をエッチングストップ層18
に向かって真っ直ぐに直進するが、エッチングストップ
層18に達する直前で、上記エッチングストップ層18
のプラス電荷に反発する。しかも、上記貫通部20の側
壁面はエッチングガス中の電子の衝突によってマイナス
(負)に帯電していることから、上記プラスイオンは、
エッチングストップ層18に達する直前で、貫通部20
の側壁面に引き寄せられてプラスイオンの進路は大きく
湾曲する。その結果、上記エッチングガス中のプラスイ
オンは貫通部20の側壁面の底部側(エッチングストッ
プ層18の形成側)に衝突して、前記図7(e)に示す
ようなノッチnを形成してしまう。
により構成されているために、次に示すような問題発生
の虞があることも分かった。その問題とは、貫通部20
を形成するために貫通ドライエッチングを行っている最
中に、図8(a)に示すように、何れの貫通部20も形
成完了していないときには、図の矢印に示すような熱移
動があり、例えばエッチングガス中の電子が衝突して貫
通部20の側壁面に発生した熱はメンブレン17中に拡
散していき、メンブレン17等のドライエッチング加工
対象領域はほぼ全領域に亙り同程度の温度となってい
る。
ーエッチング中の貫通部20Aが生じてくると、そのオ
ーバーエッチング中の貫通部20Aによって挟み込まれ
た部分(例えば図8(b)の符号21に指し示された部
分)の温度が上昇してくる。つまり、エッチングガス中
の電子がオーバーエッチング中の貫通部20Aの側壁面
に衝突して熱を発生させたときに、エッチングストップ
層18は絶縁体により構成されて熱伝導が非常に悪いの
で、上記部分21は熱的に他の領域と独立した状態とな
っており、その部分21の側壁面に熱が籠もって該部分
21の温度が他の領域よりも上昇する。このため、その
部分21は他の領域よりもエッチング除去され易い状況
となり、図8(c)の点線に示すような寸法で形成され
るべきところが、実線に示すようにエッチング除去が過
剰に成されてしまい、設計通りの寸法で形成されないと
いう過剰エッチングの問題が生じる。
ップ層18を絶縁体により形成していたために、貫通部
20の側壁面のエッチングストップ層18側にノッチn
が形成されたり、過剰エッチング発生して、設計寸法通
りに精度良くセンサ素子1を形成することができない事
態が発生していることに本発明者は気付いた。そのよう
に、寸法精度良くセンサ素子1を形成することができな
いことによって、例えば、外力検知センサの安定的な出
力感度を得ることができないという問題が生じる。
たものであり、その目的は、設計寸法通りに精度良くセ
ンサ素子を形成することができる外力検知センサの製造
方法を提供することにある。
に、この発明は次に示す構成をもって前記課題を解決す
る手段としている。すなわち、第1の発明における外力
検知センサの製造方法は、素子基板を貫通ドライエッチ
ングしてセンサ素子を形成する外力検知センサの製造方
法において、前記素子基板のドライエッチングに用いる
エッチングストップ層として導電性材料を用いる構成を
もって前記課題を解決する手段としている。
方法は、素子基板の裏面側に凹部を形成すると共に表面
側にメンブレンを形成する工程と、前記素子基板の凹部
の天面に導電性材料から成るエッチングストップ層を設
ける工程と、前記素子基板の裏面側を支持基板に接合す
る工程と、前記素子基板のメンブレンをドライエッチン
グして、センサ素子を形成する工程と、を含むことを特
徴として構成されている。
方法は、上記第2の発明を構成する凹部は素子基板の裏
面中央部に形成されていることを特徴として構成されて
いる。
方法は、素子基板を貫通ドライエッチングしてセンサ素
子を形成する外力検知センサの製造方法において、前記
素子基板とこの素子基板を支えるダミー支持基板との間
に、導電性材料から成るエッチングストップ層を介在さ
せたことを特徴として構成されている。
方法は、上記第4の発明の構成を備え、素子基板にセン
サ素子を形成した後に、ダミー支持基板とエッチングス
トップ層を除去し、然る後に、凹部が形成された支持基
板を上記素子基板の裏面側に配置して上記素子基板のセ
ンサ素子に上記支持基板の凹部を対向させ、素子基板に
支持基板を接合することを特徴として構成されている。
方法は、素子基板の裏面側における設定のセンサ素子形
成領域に導電性材料から成るエッチングストップ層を形
成し、凹部が形成された支持基板を上記素子基板の裏面
側に配置して上記素子基板のエッチングストップ層に上
記支持基板の凹部を対向させ、素子基板に支持基板を接
合し、然る後に、前記素子基板のセンサ素子形成領域を
表面側から貫通ドライエッチングにより加工してセンサ
素子を形成することを特徴として構成されている。
方法は、素子基板の裏面側における設定のセンサ素子形
成領域に導電性材料から成るエッチングストップ層を形
成し、凹部が形成された支持基板を上記素子基板の裏面
側に配置して上記素子基板のエッチングストップ層に上
記支持基板の凹部を対向させ、素子基板に支持基板を接
合し、その後に、前記素子基板を所定の厚みに薄くする
加工を施し、然る後に、前記素子基板のセンサ素子形成
領域を表面側から貫通ドライエッチングにより加工して
センサ素子を形成することを特徴として構成されてい
る。
方法は、素子基板の設定のセンサ素子形成領域を表裏両
面側から加工してメンブレンを形成し、メンブレンの裏
面側に導電性材料から成るエッチングストップ層を形成
し、その後に、素子基板の裏面側に支持基板を接合し、
メンブレンを表面側から貫通ドライエッチングにより加
工してセンサ素子を形成することを特徴として構成され
ている。
方法は、上記第2又は第3又は第5又は第6又は第7又
は第8の発明を構成する素子基板はシリコンにより形成
され、支持基板はガラス材料により形成されており、素
子基板と支持基板を陽極接合することを特徴として構成
されている。
造方法は、上記第1〜第9の発明の何れか1つの発明の
構成を備え、エッチングストップ層のドライエッチング
速度に対する素子基板のドライエッチング速度の比であ
る選択比が1以上となる導電性材料によってエッチング
ストップ層が形成されていることを特徴として構成され
ている。
造方法は、上記第1〜第10の発明の何れか1つの発明
を構成するセンサ素子は可動素子であることを特徴とし
て構成されている。
ップ層を導電性材料により構成した。このため、貫通ド
ライエッチング中に、エッチングガスのプラスイオンが
オーバーエッチング中の貫通部の内部に入り込んでエッ
チングストップ層に衝突して該エッチングストップ層が
プラスに帯電しても、そのエッチングストップ層のプラ
ス電荷は、瞬時に、貫通部の側壁面のマイナス電荷と電
気的に中和することとなる。
ラスに帯電し続けることが無くなり、従来の問題、つま
り、オーバーエッチング中の貫通部の内部に入り込んだ
エッチングガスのプラスイオンが、エッチングストップ
層の継続的なプラス帯電状態によって、エッチングスト
ップ層に達する直前で、その進路を変えて貫通部の側壁
面に湾曲して衝突し、これにより、貫通部の側壁面のエ
ッチングストップ層側にノッチを形成してしまうという
問題を防止することができる。
は熱伝導が良いために、素子基板の熱はそのエッチング
ストップ層を介して伝搬することが容易であることか
ら、オーバーエッチング中の貫通部に囲まれている領域
が他の領域よりも温度上昇することを回避することがで
きる。これにより、所定のエッチング除去が終了してい
るのにも拘わらず、温度上昇に起因してエッチングが過
剰に行われてしまうという過剰エッチング問題を防止す
ることができる。
ッチ形成の回避と、過剰エッチングの防止とが成される
ので、センサ素子を設計通りの寸法で精度良く製造する
ことが可能となる。これにより、性能の良い外力検知セ
ンサを提供することが容易となる。
例を図面に基づいて説明する。
検知センサの製造方法の第1の実施形態例が示されてい
る。なお、この第1の実施形態例の説明において、前記
従来例と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部
分の重複説明は省略する。
とは、外力検知センサを構成するセンサ素子1の製造中
に形成されるエッチングストップ層18を導電性材料に
より構成することである。それ以外の構成は前記従来例
と同様である。
力検知センサのより高い感度が要求されるようになって
きているために、センサ素子1をより一層寸法精度良く
製造することが望まれている。このことから、前述した
ような貫通部20の側壁面に形成されるノッチnや過剰
エッチングが大きな問題となってきている。従来では、
前述したように、エッチングストップ層18は、層形成
の容易さや、製造プロセスの簡素化の観点から、絶縁体
により形成しており、他の材料によりエッチングストッ
プ層18を形成することは考えられなかったが、上記問
題を解決するために、本発明者は、上記エッチングスト
ップ層18を導電性材料により構成することを考えた。
1(a)に示すように、素子基板3の裏面3bに凹部1
6を形成して、設定の厚みd(例えば、70μm)のメ
ンブレン17を形成する。そして、図1(b)に示すよ
うに、上記凹部16の天面16a(メンブレン17の裏
面側)にエッチングストップ層18を形成する。この第
1の実施形態例では、上記したように、エッチングスト
ップ層18は導電性材料により構成されており、例え
ば、電子ビーム蒸着法や、スパッタ等の成膜形成技術に
よって上記凹部16の天面16aにエッチングストップ
層18を形成する。また、この第1の実施形態例では、
エッチングストップ層18を形成する導電性材料は、エ
ッチングストップ層としての機能を確実に果たすため
に、選択比(つまり、エッチングストップ層18のドラ
イエッチング速度に対する素子基板3のドライエッチン
グ速度の比)が1以上となるものである。
基板2を素子基板3の裏面3b側に配置して、上記支持
基板2と素子基板3を陽極接合する。そして、図1
(d)に示すように、フォトリソグラフィと、RIE等
のドライエッチング技術とを利用して、素子基板3の上
記メンブレン17を表面3a側から貫通ドライエッチン
グして上記エッチングストップ層18に達する貫通部2
0を複数個形成し、これら複数の貫通部20によって、
図6に示すようなセンサ素子1を形作る。
ーエッチング中の貫通部20において、該貫通部20の
内部にエッチングガスが入り込んで該エッチングガス中
のプラスイオンがエッチングストップ層18に衝突して
エッチングストップ層18がプラスに帯電するが、エッ
チングストップ層18は導電性材料によって形成されて
いるために、そのエッチングストップ層18のプラス電
荷は、瞬時に、貫通部20の側壁面のマイナス電荷と電
気的に中和されて、エッチングストップ層18のプラス
帯電状態は解消される。
部20では、内部に入り込んだエッチングガス中のプラ
スイオンは真っ直ぐエッチングストップ層18に向かっ
て直進してエッチングストップ層18に衝突することと
なり、従来のようにプラスに帯電し続けるエッチングス
トップ層18に起因してプラスイオンの進路が湾曲して
貫通部20の側壁面に衝突して該側壁面にノッチnを形
成してしまうという問題を防止することができる。
ングストップ層18は上記の如く導電性材料により構成
されて熱伝導が良いものであることから、熱伝搬通路と
して機能することができるものである。これにより、オ
ーバーエッチング中の貫通部20によって囲まれている
部分がエッチングガスの衝突によって発熱しても、その
熱はエッチングストップ層18を通って他の領域に伝搬
することとなり、エッチング加工対象領域のほぼ全領域
の温度を同程度にすることができる。これにより、温度
不均一に起因した過剰エッチングを回避することができ
ることとなる。
を導電性材料により構成することによって、貫通部20
の側壁面のノッチn防止効果と、温度不均一に起因した
過剰エッチング回避効果とを共に奏することができる。
特に、本発明者の実験により得られたところによると、
上記エッチングストップ層18を構成する材料として、
導電率が1×106Ω−1・m−1以上、かつ、熱伝導率
が0.1W・cm−1・K− 1以上である導電性材料を用い
た場合に、上記効果が顕著となり、望ましい。例えば、
エッチングストップ層18をチタン(導電率1.7×106
Ω−1・m−1、熱伝導率0.219W・cm−1・
K−1)や、アルミニュウム(導電率3.8×107Ω −1
・m−1、熱伝導率2.37W・cm−1・K−1)により
構成することが最適である。
8の導電性材料として、ニッケルや銅等を用いてもよい
ものである。なお、エッチングストップ層18の厚み
は、該エッチングストップ層18を構成する導電性材料
の種類やメンブレン17の厚み等を考慮して適宜設定さ
れるものであり、例えば、エッチングストップ層18を
チタンあるいはアルミニュウムにより構成する際には、
そのエッチングストップ層18を例えば約300nmの厚
みに形成する。
全ての貫通部20の形成が終了した後に、上記導電性材
料から成るエッチングストップ層18を例えばフッ化水
素酸水溶液によって図1(e)に示すようにウエットエ
ッチング除去する。なお、上記フッ化水素酸水溶液は、
導電性材料のエッチングストップ層18をウエットエッ
チング除去するが、素子基板3には損傷を与えないもの
である。
ウエットエッチング除去した後に、必要に応じて、図1
(e)の点線に示すような蓋部30を設けてもよい。こ
の場合には、例えば、凹部31が形成された蓋部30で
あるガラス基板を上記図1(e)に示す素子基板3の表
面側に配置し、上記ガラス基板30の凹部31を素子基
板3のセンサ素子1に対向させて素子基板3とガラス基
板30を重ね合わせ陽極接合する。このように、蓋部3
0が設けられる場合には、センサ素子1は支持基板2と
蓋部30によって形成される内部空間内に収容封止され
ることとなり、その内部空間内は、センサ素子1の動作
特性に応じて、減圧されることもある。
製造手法により、外力検知センサを製造する。
グストップ層18を導電性材料により構成したので、上
記の如く、貫通ドライエッチング中に、オーバーエッチ
ング中の貫通部20の底部におけるエッチングストップ
層18がプラスに帯電し続けるのを防止することがで
き、エッチングストップ層18の継続的なプラス帯電に
起因した貫通部20の側壁面のノッチn形成を回避する
ことができる。また、この導電性材料から成るエッチン
グストップ層18は熱伝搬通路として機能することがで
きるので、このエッチングストップ層18を介して熱が
伝搬してエッチング加工対象領域のほぼ全領域に亙り、
温度をほぼ同程度に維持することができ、温度不均一に
起因した過剰エッチングを防止することができる。
ングを共に防止することができるので、センサ素子1を
寸法精度良く製造することができ、感度が良く、かつ、
出力感度が安定した外力検知センサを提供することがで
きて、外力検知センサの品質の信頼性を高めることが可
能となる。
ングストップ層18は前記選択比が1以上となる導電性
材料によって構成されているので、貫通ドライエッチン
グ中に、エッチングストップ層18がエッチング除去さ
れてしまってエッチングストップ層18に穴が開くとい
う問題は殆ど発生しない。また、仮に、エッチングスト
ップ層18に穴が開いてしまっても、この第1の実施形
態例では、凹部16の天面16aのほぼ全面にエッチン
グストップ層18が形成されているので、上記エッチン
グストップ層18の穴から凹部16の内部に入り込んだ
エッチングガスによって、凹部16の天面16aが損傷
されるのを防止することができる。
に、エッチングストップ層18を導電性材料によって構
成することによって、従来の製造プロセスに様々な変更
を加えなければならず、当然に、本発明者は、エッチン
グストップ層18を導電性材料によって形成した場合に
適切な製造プロセスを検討しているが、ここでは、その
詳細な説明は省略する。
お、この第2の実施形態例の説明において、前記第1の
実施形態例と同一構成部分には同一符号を付し、その共
通部分の重複説明は省略する。
検知センサの製造方法の第2の実施形態例が示されてい
る。この第2の実施形態例では、まず、図2(a)に示
すように、素子基板3の裏面3bのほぼ全面にエッチン
グストップ層18を例えばスパッタ等の成膜形成技術に
よって形成する。この第2の実施形態例においても、エ
ッチングストップ層18は前記第1の実施形態例と同様
に導電性材料により構成されている。
子基板3の裏面3b側に上記エッチングストップ層18
および接着層(例えばフォトレジスト)23を介してダ
ミー支持基板25を貼り合わせる。
ドライエッチングによって、素子基板3の表面3a側か
らエッチングストップ層18に至る貫通部20を複数形
成して、図6に示すようなセンサ素子1を形作る。
25の結合体をアセトン溶液等に浸漬して上記接着層2
3を溶解し、素子基板3からダミー支持基板25を剥離
する。その後、図2(d)に示すように、フッ化水素酸
水溶液等の水溶液を用いて上記導電性材料から成るエッ
チングストップ層18をウエットエッチング除去する。
26が形成されたガラスの支持基板2を素子基板3の裏
面3b側に配置して該素子基板3のセンサ素子1に上記
支持基板2の凹部26を対向させ、素子基板3に支持基
板2を陽極接合する。なお、この際、必要に応じて、前
記第1の実施形態例に示したような蓋部30を素子基板
30の表面側に同時に陽極接合してもよい。上記支持基
板2の凹部26は、上記センサ素子1の可動を妨げない
ためのものである。
1の実施形態例と同様に、エッチングストップ層18を
導電性材料により構成したので、エッチングストップ層
18がプラスに帯電し続けるのを防止することができ
て、貫通部20の側壁面におけるノッチnの形成を回避
することができると共に、エッチング加工領域の温度不
均一を防止できて、温度不均一に起因した過剰エッチン
グを回避することができる。これにより、センサ素子1
を寸法精度良く製造することができ、感度が良く、か
つ、出力感度の安定性が良い外力検知センサを提供する
ことができることとなる。
お、この第3の実施形態例の説明において、前記各実施
形態例と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部
分の重複説明は省略する。
製造方法の第3の実施形態例が示されている。この第3
の実施形態例では、まず、図3(a)に示すように、半
導体の素子基板3の裏面3bにおける設定のセンサ素子
形成領域R(つまり、図6に示すようなセンサ素子1を
形成するための領域)にエッチングストップ層18を形
成する。この第3の実施形態例においても、前記各実施
形態例と同様に、エッチングストップ層18は導電性材
料により形成されており、前記各実施形態例と同様に電
子ビーム蒸着法やスパッタ等の成膜形成技術により素子
基板3の裏面3b側に上記エッチングストップ層18を
形成する。
6が形成されたガラスの支持基板2を素子基板3の裏面
3b側に配置して素子基板3のエッチングストップ層1
8に支持基板2の凹部26を対向させ、素子基板3に支
持基板2を陽極接合する。
ドライエッチングによって、素子基板3の表面3a側か
らセンサ素子形成領域Rを加工してエッチングストップ
層18に達する複数の貫通部20を形成し、図6に示す
ようなセンサ素子1を形作る。次に、図3(d)に示す
ように、エッチングストップ層18を前記各実施形態例
と同様な手法により除去する。この後に、必要に応じ
て、前記第1の実施形態例に述べたような蓋部30を素
子基板30の表面側に陽極接合してもよい。このように
して、外力検知センサを製造することができる。
実施形態例と同様に、エッチングストップ層18を導電
性材料により構成しているので、貫通部20の側壁面の
ノッチn形成および過剰エッチングを共に回避すること
ができて、設計寸法通りにセンサ素子1を形成すること
ができることとなる。これにより、感度に優れ、かつ、
出力感度の安定性が良い外力検知センサを提供すること
が可能となる。
お、この第4の実施形態例の説明において、前記各実施
形態例と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部
分の重複説明は省略する。
製造方法の第4の実施形態例が示されている。この第4
の実施形態例では、前記第3の実施形態例とほぼ同様な
製造工程によって外力検知センサを製造していくが、異
なる特徴的なことは、図4(b)に示すように半導体の
素子基板3にガラスの支持基板2を陽極接合した後に、
図4(c)に示すように、素子基板3を予め定めた厚み
にエッチングや切削等により薄くし、その後に、貫通ド
ライエッチングにより、素子基板3に複数の貫通部20
を形成してセンサ素子1を形作ることである。
施形態例と同様に、エッチングストップ層18を導電性
材料により構成するので、貫通部20の側壁面における
ノッチnの形成および過剰エッチングを共に回避するこ
とができ、センサ素子1を寸法精度良く形成することが
でき、感度に優れ、かつ、出力感度の安定性が良い外力
検知センサを提供することができる。
く加工された素子基板3を単体で搬送(ハンドリング)
すると、その薄い単体の素子基板3が割れたり、一部分
が欠けるという如く、破損し易い。これに対して、この
第4の実施形態例では、素子基板3を薄く形成する前に
その素子基板3に支持基板2を接合し、その後に、素子
基板3を薄く加工するので、薄い素子基板3が単体で搬
送されることが無くなり、製造中における素子基板3の
破損を防止することができる。また、外力検知センサを
製造するのに、非常に精密な搬送装置を用いなくとも済
む。
お、この第5の実施形態例の説明において、前記各実施
形態例と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部
分の重複説明は省略する。
製造方法の第5の実施形態例が示されている。この第5
の実施形態例では、まず、図5(a)に示すように、半
導体の素子基板3の表面3aと裏面3bの両面における
設定のセンサ素子形成領域Rにそれぞれ凹部27,28
を形成してメンブレン17を形成する。
ブレン17の裏面側にエッチングストップ層18を形成
する。この第5の実施形態例においても前記各実施形態
例と同様に、上記エッチングストップ層18は導電性材
料により構成する。
に、素子基板3の裏面3b側にガラスの支持基板2を陽
極接合し、図5(d)に示すように、上記メンブレン1
7を表面側から貫通ドライエッチングして複数の貫通部
20を形成して図6に示すようなセンサ素子1を形作
る。次に、図5(e)に示すように、エッチングストッ
プ層18を前記各実施形態例と同様の手法により除去し
てセンサ素子1が形成される。この後に、必要に応じ
て、前記各実施形態例と同様に素子基板3の表面側に蓋
部30を設けてもよい。以上のようにして、外力検知セ
ンサを製造することができる。
実施形態例と同様に、エッチングストップ層18を導電
性材料により構成することによって、貫通部20の側壁
面におけるノッチnの形成および過剰エッチングを共に
回避することができ、これにより、センサ素子1を設計
寸法通りに形成することができて外力検知センサの感度
および出力感度の安定性を向上させることができる。
されるものではなく、様々な実施の形態を採り得る。例
えば、上記各実施形態例では、ドライエッチング中に素
子基板3を冷却しなかったが、ドライエッチング中に、
素子基板3を冷却するようにしてもよい。従来の如くエ
ッチングストップ層18が絶縁体により構成されている
場合には、貫通ドライエッチング中に素子基板3全体を
冷却しても、前記したような温度不均一問題が生じる。
これに対して、上記各実施形態例と同様に、エッチング
ストップ層18を導電性材料によって形成することによ
り、貫通ドライエッチング中に素子基板3を冷却する場
合においても、上記各実施形態例と同様の効果を奏する
ことができることとなる。
板3はエッチングストップ層18と接着層23を介して
ダミー支持基板25を接合していたが、導電性樹脂等の
導電性接着剤によりエッチングストップ層18を構成す
る場合には、該エッチングストップ層18が接着層とし
ても機能することができることから、上記接着層23を
省略することができる。
2はガラス材料により形成されていたが、この支持基板
2はシリコン基板により構成してもよく、支持基板2を
形成する材料は限定されるものではない。
グストップ層18は、選択比が1以上となる導電性材料
によって構成されていたが、エッチングストップ層18
の厚みを厚くする等の場合には、選択比が1未満となる
導電性材料によって構成してもよい。
すような角速度センサを例にして説明したが、もちろ
ん、この発明は、図6に示す角速度センサ以外の角速度
センサや、角速度センサ以外の例えば加速度センサ等の
様々な外力検知センサにも適用することができるもので
ある。
層を導電性材料により構成したので、貫通ドライエッチ
ングによって素子基板に貫通部を形成している最中に、
オーバーエッチング中の貫通部の内部に入り込んだエッ
チングガスのプラスイオンがエッチングストップ層に衝
突してエッチングストップ層をプラスに帯電させても、
そのエッチングストップ層のプラス電荷は、瞬時に、貫
通部の側壁面のマイナス電荷と電気的に中和してエッチ
ングストップ層のプラス帯電状態は解消されて継続しな
いこととなる。
の内部に入り込んだエッチングガス中のプラスイオンは
ほぼ全て真っ直ぐにエッチングストップ層に向かって直
進し、貫通部の側壁面に衝突するのを防止することがで
きる。これにより、貫通部の側壁面にノッチが形成され
るのを回避することができる。
により構成されて熱伝導率が良いことから、熱伝搬通路
として機能することができ、貫通ドライエッチング中
に、エッチング加工対象領域をほぼ全領域に亙り同程度
の温度にすることができ、温度不均一に起因した過剰エ
ッチングを防止することができる。
電性材料により構成することによって、貫通部の側壁面
におけるノッチ形成と、過剰エッチングとを共に回避す
ることが可能である。このことにより、センサ素子を設
計通りに寸法精度良く製造することができる。このた
め、感度に優れ、かつ、出力感度が安定して、品質の信
頼性が高い外力検知センサを提供することができる。
ンを形成し、貫通ドライエッチングにより上記メンブレ
ンを加工してセンサ素子を形成して外力検知センサを製
造するものや、素子基板にダミー支持基板を接合した後
に、貫通ドライエッチングにより上記素子基板を加工し
てセンサ素子を形成して外力検知センサを製造するもの
や、素子基板の裏面側における設定のセンサ素子形成領
域にエッチングストップ層を形成し、凹部が形成された
支持基板を上記素子基板に接合した後に、貫通ドライエ
ッチングにより上記メンブレンを加工してセンサ素子を
形成して外力検知センサを製造するものや、素子基板の
表裏両面側に凹部を設けてメンブレンを形成し、貫通ド
ライエッチングにより上記メンブレンを加工してセンサ
素子を形成して外力検知センサを製造するものにあって
は、センサ素子は非常に微細なものであり、寸法精度良
くセンサ素子を形成するのは容易ではないが、この発明
を用いることによって、そのような微細な素子であって
も、設計通りに寸法精度良くセンサ素子を製造すること
が容易となり、小型かつ性能に優れた外力検知センサを
製造するのに非常に有効である。
子形成領域にエッチングストップ層を形成し、凹部が形
成された支持基板を上記素子基板に接合した後に、その
素子基板を所定の厚みに薄く加工し、貫通ドライエッチ
ングにより上記メンブレンを加工してセンサ素子を形成
して外力検知センサを製造するものにあっては、製造中
に、支持基板によって薄い素子基板を保護することがで
き、素子基板の破損を防止することができ、外力検知セ
ンサの歩留まりを向上させることが可能となる。
基板がガラス材料により構成されて素子基板と支持基板
を陽極接合するものにあっては、素子基板と支持基板を
強固に接合することができ、外力検知センサの機械的な
信頼性を高めることができる。
あっては、より厳密な寸法精度が要求されるが、この発
明を用いることにより、その厳しい要求に対しても十分
に応えることができ、特性が良い可動素子であるセンサ
素子を製造することが可能となり、より感度に優れ、か
つ、出力感度の安定性が良い外力検知センサを提供する
ことができる。
ッチング速度に対する素子基板のドライエッチング速度
の比である選択比が1以上となる導電性材料によってエ
ッチングストップ層が形成されているものにあっては、
ドライエッチング加工中に、エッチングストップ層に穴
が開いてしまうという事態を確実に回避することができ
る。
の実施形態例を説明するための図である。
図である。
Claims (11)
- 【請求項1】 素子基板を貫通ドライエッチングしてセ
ンサ素子を形成する外力検知センサの製造方法におい
て、前記素子基板のドライエッチングに用いるエッチン
グストップ層として導電性材料を用いることを特徴とす
る外力検知センサの製造方法。 - 【請求項2】 素子基板の裏面側に凹部を形成すると共
に表面側にメンブレンを形成する工程と、前記素子基板
の凹部の天面に導電性材料から成るエッチングストップ
層を設ける工程と、前記素子基板の裏面側を支持基板に
接合する工程と、前記素子基板のメンブレンをドライエ
ッチングして、センサ素子を形成する工程と、を含む外
力検知センサの製造方法。 - 【請求項3】 凹部は素子基板の裏面中央部に形成する
ことを特徴とした請求項2記載の外力検知センサの製造
方法。 - 【請求項4】 素子基板を貫通ドライエッチングしてセ
ンサ素子を形成する外力検知センサの製造方法におい
て、前記素子基板とこの素子基板を支えるダミー支持基
板との間に、導電性材料から成るエッチングストップ層
を介在させたことを特徴とする外力検知センサの製造方
法。 - 【請求項5】 素子基板にセンサ素子を形成した後に、
ダミー支持基板とエッチングストップ層を除去し、然る
後に、凹部が形成された支持基板を上記素子基板の裏面
側に配置して上記素子基板のセンサ素子に上記支持基板
の凹部を対向させ、素子基板に支持基板を接合すること
を特徴とした請求項4記載の外力検知センサの製造方
法。 - 【請求項6】 素子基板の裏面側における設定のセンサ
素子形成領域に導電性材料から成るエッチングストップ
層を形成し、凹部が形成された支持基板を上記素子基板
の裏面側に配置して上記素子基板のエッチングストップ
層に上記支持基板の凹部を対向させ、素子基板に支持基
板を接合し、然る後に、前記素子基板のセンサ素子形成
領域を表面側から貫通ドライエッチングにより加工して
センサ素子を形成することを特徴とする外力検知センサ
の製造方法。 - 【請求項7】 素子基板の裏面側における設定のセンサ
素子形成領域に導電性材料から成るエッチングストップ
層を形成し、凹部が形成された支持基板を上記素子基板
の裏面側に配置して上記素子基板のエッチングストップ
層に上記支持基板の凹部を対向させ、素子基板に支持基
板を接合し、その後に、前記素子基板を所定の厚みに薄
くする加工を施し、然る後に、前記素子基板のセンサ素
子形成領域を表面側から貫通ドライエッチングにより加
工してセンサ素子を形成することを特徴とする外力検知
センサの製造方法。 - 【請求項8】 素子基板の設定のセンサ素子形成領域を
表裏両面側から加工してメンブレンを形成し、メンブレ
ンの裏面側に導電性材料から成るエッチングストップ層
を形成し、その後に、素子基板の裏面側に支持基板を接
合し、メンブレンを表面側から貫通ドライエッチングに
より加工してセンサ素子を形成することを特徴とする外
力検知センサの製造方法。 - 【請求項9】 素子基板はシリコンにより形成され、支
持基板はガラス材料により形成されており、素子基板と
支持基板を陽極接合することを特徴とする請求項2又は
請求項3又は請求項5又は請求項6又は請求項7又は請
求項8記載の外力検知センサの製造方法。 - 【請求項10】 エッチングストップ層のドライエッチ
ング速度に対する素子基板のドライエッチング速度の比
である選択比が1以上となる導電性材料によってエッチ
ングストップ層が形成されていることを特徴とした請求
項1乃至請求項9の何れか1つに記載の外力検知センサ
の製造方法。 - 【請求項11】 センサ素子は可動素子であることを特
徴とした請求項1乃至請求項10の何れか1つに記載の
外力検知センサの製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000026139A JP3575373B2 (ja) | 1999-04-19 | 2000-02-03 | 外力検知センサの製造方法 |
US09/548,414 US7067344B1 (en) | 1999-04-19 | 2000-04-13 | Method of manufacturing an external force detection sensor |
EP00108261A EP1046917A3 (en) | 1999-04-19 | 2000-04-14 | Method of manufacturing an external force detection sensor |
EP06001027.9A EP1657553B1 (en) | 1999-04-19 | 2000-04-14 | Method of manufacturing an external force detection sensor |
EP06001026A EP1655610A3 (en) | 1999-04-19 | 2000-04-14 | Method of manufacturing an external force detection sensor |
US10/725,874 US7049165B2 (en) | 1999-04-19 | 2003-12-02 | Method of manufacturing an external force detection sensor |
US11/296,052 US7393714B2 (en) | 1999-04-19 | 2005-12-06 | Method of manufacturing external force detection sensor |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11-111298 | 1999-04-19 | ||
JP11129899 | 1999-04-19 | ||
JP2000026139A JP3575373B2 (ja) | 1999-04-19 | 2000-02-03 | 外力検知センサの製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004150727A Division JP4569167B2 (ja) | 1999-04-19 | 2004-05-20 | 外力検知センサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001007346A true JP2001007346A (ja) | 2001-01-12 |
JP3575373B2 JP3575373B2 (ja) | 2004-10-13 |
Family
ID=26450725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000026139A Expired - Lifetime JP3575373B2 (ja) | 1999-04-19 | 2000-02-03 | 外力検知センサの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7067344B1 (ja) |
EP (3) | EP1655610A3 (ja) |
JP (1) | JP3575373B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003046091A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 微小構造体とその製造方法 |
JP2005161516A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-23 | Akustica Inc | 超薄形状のmemsマイクロホン及びマイクロスピーカ |
JP2005254430A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置の製造方法 |
EP1749794A2 (en) | 2005-08-01 | 2007-02-07 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electronic parts packaging structure and method of manufacturing the same |
US7750358B2 (en) | 2005-11-14 | 2010-07-06 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
JP2010223599A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Murata Mfg Co Ltd | 機能素子 |
CN103926034A (zh) * | 2014-03-25 | 2014-07-16 | 慧石(上海)测控科技有限公司 | 硅压力芯片结构设计及工艺 |
US10670401B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-06-02 | Seiko Epson Corporation | Gyro sensor, method of manufacturing gyro sensor, electronic apparatus, and vehicle |
WO2021117341A1 (ja) * | 2019-12-12 | 2021-06-17 | Agc株式会社 | 積層基板、及びその製造方法 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4569167B2 (ja) * | 1999-04-19 | 2010-10-27 | 株式会社村田製作所 | 外力検知センサの製造方法 |
JP3575373B2 (ja) * | 1999-04-19 | 2004-10-13 | 株式会社村田製作所 | 外力検知センサの製造方法 |
EP1273355B1 (en) * | 2001-02-23 | 2010-03-31 | Microflow Engineering SA | Method of manufacturing a liquid droplet spray device and such spray device |
EP1236517A1 (en) * | 2001-02-23 | 2002-09-04 | Microflow Engineering SA | Method of manufacturing a liquid droplet spray device and such spray device |
US7482730B2 (en) * | 2004-02-09 | 2009-01-27 | Microvision, Inc. | High performance MEMS scanner |
US7442918B2 (en) * | 2004-05-14 | 2008-10-28 | Microvision, Inc. | MEMS device having simplified drive |
FR2878076B1 (fr) * | 2004-11-17 | 2007-02-23 | St Microelectronics Sa | Amincissement d'une plaquette semiconductrice |
US7300814B2 (en) * | 2004-12-16 | 2007-11-27 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Method for fabricating micro-mechanical devices |
US7636101B2 (en) | 2005-02-09 | 2009-12-22 | Microvision, Inc. | MEMS scanner adapted to a laser printer |
US8043880B2 (en) * | 2005-07-28 | 2011-10-25 | Hewlett-Packard Development, L.P. | Microelectronic device |
US7851876B2 (en) * | 2006-10-20 | 2010-12-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro electro mechanical system |
JP2008188711A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置製造方法 |
JP4557034B2 (ja) * | 2008-04-01 | 2010-10-06 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサおよびその製造方法 |
JP5520691B2 (ja) * | 2009-06-18 | 2014-06-11 | ローム株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5158160B2 (ja) * | 2010-09-10 | 2013-03-06 | 横河電機株式会社 | 振動式トランスデューサ |
US8368152B2 (en) * | 2011-04-18 | 2013-02-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | MEMS device etch stop |
CN104678125B (zh) * | 2013-11-27 | 2019-07-02 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Mems加速度传感器的形成方法 |
WO2017056920A1 (ja) | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
GB201617171D0 (en) * | 2016-10-10 | 2016-11-23 | Universitetet I Troms� - Norges Arktiske Universitet | Piezoelectric films |
CN112194097B (zh) * | 2020-12-07 | 2021-05-07 | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 | 一种惯性传感器及其形成方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5343064A (en) | 1988-03-18 | 1994-08-30 | Spangler Leland J | Fully integrated single-crystal silicon-on-insulator process, sensors and circuits |
DE4219523A1 (de) * | 1992-06-15 | 1993-12-16 | Daimler Benz Ag | Monolithisch integrierter Millimeterwellenschaltkreis und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2727909B2 (ja) * | 1993-03-26 | 1998-03-18 | 松下電器産業株式会社 | 金属配線の形成方法 |
JP3551527B2 (ja) * | 1994-04-27 | 2004-08-11 | 株式会社デンソー | 半導体感歪センサの製造方法 |
DE4442023C2 (de) | 1994-11-25 | 1997-02-06 | Bosch Gmbh Robert | Siliziumkörper mit einem Durchbruch mit frei definierbarer Austrittsöffnung und Verfahren zu seiner Herstellung |
US5610431A (en) | 1995-05-12 | 1997-03-11 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Covers for micromechanical sensors and other semiconductor devices |
JP3429407B2 (ja) * | 1996-01-19 | 2003-07-22 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
DE19610782B4 (de) | 1996-03-19 | 2004-08-12 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Strukturen |
JP3512968B2 (ja) | 1996-04-11 | 2004-03-31 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 半導体装置の製造方法 |
JPH101400A (ja) | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Murata Mfg Co Ltd | Si振動子の製造方法 |
US5865938A (en) | 1996-06-25 | 1999-02-02 | Xerox Corporation | Wafer chuck for inducing an electrical bias across wafer heterojunctions |
US6004874A (en) * | 1996-06-26 | 1999-12-21 | Cypress Semiconductor Corporation | Method for forming an interconnect |
US6071819A (en) | 1997-01-24 | 2000-06-06 | California Institute Of Technology | Flexible skin incorporating mems technology |
JPH10242483A (ja) | 1997-02-25 | 1998-09-11 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体慣性センサの製造方法 |
JP3050161B2 (ja) * | 1997-04-18 | 2000-06-12 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US6207976B1 (en) * | 1997-12-17 | 2001-03-27 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with ohmic contacts on compound semiconductor and manufacture thereof |
US6177351B1 (en) * | 1997-12-24 | 2001-01-23 | Texas Instruments Incorporated | Method and structure for etching a thin film perovskite layer |
TWI250337B (en) * | 1998-02-09 | 2006-03-01 | Seiko Epson Corp | An electro-optical apparatus and electronic appliances |
US6043001A (en) * | 1998-02-20 | 2000-03-28 | Eastman Kodak Company | Dual mask pattern transfer techniques for fabrication of lenslet arrays |
JP3575373B2 (ja) | 1999-04-19 | 2004-10-13 | 株式会社村田製作所 | 外力検知センサの製造方法 |
JP3907151B2 (ja) * | 2000-01-25 | 2007-04-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
-
2000
- 2000-02-03 JP JP2000026139A patent/JP3575373B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-13 US US09/548,414 patent/US7067344B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-14 EP EP06001026A patent/EP1655610A3/en not_active Withdrawn
- 2000-04-14 EP EP06001027.9A patent/EP1657553B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-14 EP EP00108261A patent/EP1046917A3/en not_active Withdrawn
-
2003
- 2003-12-02 US US10/725,874 patent/US7049165B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-12-06 US US11/296,052 patent/US7393714B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003046091A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 微小構造体とその製造方法 |
JP2005161516A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-23 | Akustica Inc | 超薄形状のmemsマイクロホン及びマイクロスピーカ |
JP4675084B2 (ja) * | 2003-11-05 | 2011-04-20 | アクスティカ,インコーポレイテッド | 超薄形状のmemsマイクロホン及びマイクロスピーカ |
JP2005254430A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4556454B2 (ja) * | 2004-03-15 | 2010-10-06 | パナソニック電工株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
EP1749794A2 (en) | 2005-08-01 | 2007-02-07 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electronic parts packaging structure and method of manufacturing the same |
US7656023B2 (en) | 2005-08-01 | 2010-02-02 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electronic parts packaging structure and method of manufacturing the same |
US7750358B2 (en) | 2005-11-14 | 2010-07-06 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
JP2010223599A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Murata Mfg Co Ltd | 機能素子 |
CN103926034A (zh) * | 2014-03-25 | 2014-07-16 | 慧石(上海)测控科技有限公司 | 硅压力芯片结构设计及工艺 |
US10670401B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-06-02 | Seiko Epson Corporation | Gyro sensor, method of manufacturing gyro sensor, electronic apparatus, and vehicle |
WO2021117341A1 (ja) * | 2019-12-12 | 2021-06-17 | Agc株式会社 | 積層基板、及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040110318A1 (en) | 2004-06-10 |
EP1657553B1 (en) | 2016-08-31 |
EP1657553A2 (en) | 2006-05-17 |
EP1655610A3 (en) | 2007-12-19 |
EP1657553A3 (en) | 2007-12-19 |
EP1046917A2 (en) | 2000-10-25 |
US7393714B2 (en) | 2008-07-01 |
EP1655610A2 (en) | 2006-05-10 |
EP1046917A3 (en) | 2004-08-11 |
US20060110843A1 (en) | 2006-05-25 |
JP3575373B2 (ja) | 2004-10-13 |
US7067344B1 (en) | 2006-06-27 |
US7049165B2 (en) | 2006-05-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040120 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040413 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040520 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040615 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040628 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3575373 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080716 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090716 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090716 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100716 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100716 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110716 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110716 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120716 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130716 Year of fee payment: 9 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |