JP2000515623A - ブリッジの主抵抗間の温度勾配を補正するホイーストンブリッジ及びひずみゲージを有する圧力センサにおけるその適用 - Google Patents

ブリッジの主抵抗間の温度勾配を補正するホイーストンブリッジ及びひずみゲージを有する圧力センサにおけるその適用

Info

Publication number
JP2000515623A
JP2000515623A JP09521042A JP52104297A JP2000515623A JP 2000515623 A JP2000515623 A JP 2000515623A JP 09521042 A JP09521042 A JP 09521042A JP 52104297 A JP52104297 A JP 52104297A JP 2000515623 A JP2000515623 A JP 2000515623A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resistance
wheatstone bridge
main
correction
strain gauge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
JP09521042A
Other languages
English (en)
Inventor
アヴィセ,ジャン―ベルナール
シロン,ジャニーヌ
Original Assignee
ソシエテ・ナシオナル・デテユード・エ・ドウ・コンストリユクシオン・ドウ・モトール・ダヴイアシオン、“エス.エヌ.ウ.セ.エム.アー.”
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ソシエテ・ナシオナル・デテユード・エ・ドウ・コンストリユクシオン・ドウ・モトール・ダヴイアシオン、“エス.エヌ.ウ.セ.エム.アー.” filed Critical ソシエテ・ナシオナル・デテユード・エ・ドウ・コンストリユクシオン・ドウ・モトール・ダヴイアシオン、“エス.エヌ.ウ.セ.エム.アー.”
Publication of JP2000515623A publication Critical patent/JP2000515623A/ja
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01DMEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D3/00Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups
    • G01D3/028Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups mitigating undesired influences, e.g. temperature, pressure
    • G01D3/036Indicating or recording apparatus with provision for the special purposes referred to in the subgroups mitigating undesired influences, e.g. temperature, pressure on measuring arrangements themselves
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00Measuring force or stress, in general
    • G01L1/20Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
    • G01L1/22Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
    • G01L1/2268Arrangements for correcting or for compensating unwanted effects
    • G01L1/2281Arrangements for correcting or for compensating unwanted effects for temperature variations
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R17/00Measuring arrangements involving comparison with a reference value, e.g. bridge
    • G01R17/10AC or DC measuring bridges
    • G01R17/105AC or DC measuring bridges for measuring impedance or resistance

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Measurement Of Force In General (AREA)
  • Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

(57)【要約】 実質的に等しいオーム値Rと実質的に等しい抵抗の温度係数αを有する4つの主抵抗(J1〜J4)を備えたホイーストンブリッジ型の電気回路の出力電圧は各ブランチにおいて、補正素子(r1〜r4)を上記主抵抗に直列式に接続させて加えることにより、ブリッジのブランチ間に存在する温度差に依存しなくなる。各補正素子は、主抵抗に等しい温度を有すべく、物理的に、隣接したブリッジのブランチの一方に位置する主抵抗に近接して配置される。上記補正素予は、等しいオーム値rと等しい抵抗の温度係数βを有し、Rα=rβでは、ブリッジの抵抗の変化に対するホイーストンブリッジの感度の損失を抑制すべく、rがRより小さく、好ましくは、r/R1/2である。

Description

【発明の詳細な説明】 ブリッジの主抵抗間の温度勾配を補正するホイーストンブリッジ及びひずみゲ ージを有する圧力センサにおけるその適用 本発明は、「ホイーストンブリッジ」型の電気回路に、より詳細には、ブリッ ジのブランチ間に存在する温度差が自動補正されるような電気回路に関する。 ホイーストンブリッジ型の電気回路は良く知られている。それらは、ブリッジ のブランチにおける抵抗間の不均衡の存在及び大きさをあらわす出力電圧の変化 をもたらすべく、多くの異なる場合に適用される。通常、この型の回路は、基準 値に関するメインパラメータの変動による、あるいは、回路の異なるブランチに おける各抵抗への異なる影響を与える現象による不均衡を検出し得るように設計 される。明らかであるが、回路の作用は、他のパラメータ、若しく例えば周辺温 度のような現象から影響を受けないことが望ましい。 原理では、図1に示すような標準的なホイーストンブリッジの場合、出力電圧 USは、次式(1)に従って、ブリッジの抵抗R1〜R4に、また、供給電圧UAに 依存する。 素子R1〜R4の抵抗は、実際に、周辺温度の関数、また、抵抗の温度係数(T CR:temperature coefficient of resistance)αが無視出来ない場合には 、その関数として変化する。各素子Riの温度と基準温度との間にずれθiがあれ ば、理論式(1)は、次式(2)に変形される。 数式(2)及び以下では、抵抗の温度係数αが、ホイーストンブリッジの4つの 素子について同一であるかのように取り扱われる。実際、この単純化をほぼ実現 するようにブリッジの素子を選択することは比較的簡単である。 αθ《1と仮定して、ホイーストンブリッジの4つの素子Riが全て等しい温 度θにあり、供給電圧が一定である場合には、数式(2)が簡単化され、数式 (1)と同一になる。その結果、かかる場合には、周辺温度は、ホイーストンブ リッジの作用にほとんど影響しない。(しかしながら、例えば温度差がもたらさ れた機械的な支持体の変形により、ブリッジに対して残りの温度の影響が生じる 可能性はある)。 ホイーストンブリッジの素子Riが等しい温度にない場合には、数式(2)は 、一定の項を保有し、その値は、素子Riの局部温度に依存する。この影響は、 回路を用いてなされた測定の精度を低下させる。 ホイーストンブリッジの原理は、とりわけ、ひずみゲージを用いる圧力センサ の分野で利用されている。 かかる圧力センサの典型的な構成が、図2に模式的に示されており、図2(a )が、センサにおけるひずみゲージの物理的な配置を示す一方、図2(b)は、 それに対応する電気回路を示している。図2(a)のセンサでは、4つのひずみ ゲージJ1〜J4が、変形可能な薄膜体(membrane)上に配設され、2つのゲージ J1,J2が薄膜体の中央領域にあり、他の2つのゲージJ3,J4の周辺部近傍に ある。上記ひずみゲージは、それぞれ、任意の温度及び基準圧力において、等し い電気抵抗Rを有する。図2(b)に示されるようなホイーストンブリッジ回路 を構成するために、上記ゲージJ1〜J4、電力供給部及び出力端子の間には、電 気接続子(不図示)が取り付けられている。 かかる圧力センサでは、上記薄膜体が、図2(a)に示す矢印方向に加えられ る圧力の影響のもとで、外側に湾曲させられることにより変形する。収縮により 、薄膜体の中央部分において生じるひずみは、ゲージJ1及びJ2の抵抗において +ΔRの増加を導き、他方、圧力のひずみが薄膜体の周辺に生じて、ゲージJ3 ,J4の抵抗において−ΔRの減少を招来する。もし全てのゲージが等しい温度 にあれば、これらの抵抗の変化が、次式(3)に従って、ホイーストンブリッジ 回路の出力電圧に作用する。 この簡単な関係が、抵抗の変化の算出を可能とし、その結果、上記センサの薄膜 体に加えられる圧力を計算することができる。 しかしながら、もし、センサのゲージJ1〜J4の間に、温度勾配が存在すれば 、一層複雑な次式(4)が適用される。 各ゲージの温度に依存するこの複雑な関係のため、上記センサにより、精度の高 い圧力測定を行えないことは明らかである。 文書DE−U−8815056は、ホイーストンブリッジ型回路の主抵抗を構 成するひずみゲージを有する負荷センサ(load sensor)を説明するものである 。ホイーストンブリッジの各ブランチにおいて、補助抵抗は主抵抗に直列に接続 されている。全ての主抵抗及び補助抵抗は、等しい抵抗の温度係数及び等しい抵 抗オーム値を有している。 この公知の回路では、各補助抵抗が、ブリッジの他のブランチにおける主抵抗 の1つの近傍に配置され、ブリッジの主抵抗間における温度勾配の存在による影 響が、補助抵抗においてもたらされる影響により補正されるようになっている。 その結果、かかる温度勾配の存在が、ホイーストンブリッジの出力信号に影響す ることはないであろう。しかしながら、かかる文書DE−U−8815056の ホイーストンブリッジにおいて行われる補正方法は、上記センサの感度における 実質的な損失を招く。より詳しくは、ホイーストンブリッジにおいて生じる抵抗 の変化に対するセンサの感度は半減する。 前述した問題の観点から、本発明は、ブリッジで生じる抵抗の変化に対する回 路出力信号の感度の損失を抑制する一方で、TCRが無視し得るほど0には近似 せず、それらの間に存在する温度差に鈍感である抵抗から構成されるホイースト ンブリッジ型の電気回路の出力電圧を供給することを目的としてなされたもので ある。 本発明は、また、抵抗の変化が測定されるべきパラメータにおける変化に一致 し、そのTCRが無視出来ない抵抗により構成されるホイーストンブリッジイー ストン型の電気回路を含むセンサを提供することを目的としてなされたものであ る。上記抵抗は、センサの感度を確保し得るようにそれらの間に存在する温度差 に対して鈍感になっている。 上記課題を解決するために、本発明は、それぞれ、実質的に等しい抵抗オーム 値R及び実質的に等しい抵抗の温度係数αを有し、ホイーストンブリッジの各ブ ランチに配置される4つの主抵抗素子を備えたホイーストンブリッジ型の電気回 路を提供する。ここでは、上記ホイーストンブリッジの各ブランチが、それらに 対応する主抵抗素子に直列式に接続された補正素子を備え、該補正素子は、それ ぞれ、実質的に等しい抵抗オーム値r及び実質的に等しい抵抗の温度係数βを有 している。これらの値は、実質的に、公式 Rα=rβ に従って、上記主抵抗素子のそれに関係づけられ、各主抵抗素子は、ホイースト ンブリッジにおける隣接したブランチの補正素子と熱環境を共有している。ここ 本発明の好適な実施態様では、主抵抗素子及び補正素子は、2つの異なる金属 で作られている。 本発明に従ったホイーストンブリッジ型の電気回路では、ブリッジのブランチ 間における温度差がもたらす出力電圧に対する影響が、ブリッジの隣接したブラ ンチの主抵抗に直列に接続されるものの、それぞれブリッジにおけるブランチの 主抵抗の熱環境に置かれた補正抵抗によって除去される。主抵抗素子よりも小さ い抵抗オーム値を有する補正素子を用いることにより、それら補正素子の導入に よるホイーストンブリッジの感度の損失は軽減される。 上記補正素子の抵抗オーム値rが、主抵抗素子の抵抗オーム値Rの半分になる ように選択された場合には、ホイーストンブリッジにおける感度の損失の実質的 な軽減が得られる。かかる場合には、ホイーストンブリッジの感度が、25%の み軽減される。しかしながら、感度の損失を無視しても良いとみなすことができ る5%以下に保つべく、関係r/R1/10によるオーム値の抵抗を有する補 正素予を用いることが好ましい。 本発明に従い、関係Rα=rβが回路において重視される必要があることを考 慮して、上記補正素子を作るために高い抵抗の温度係数βを有する材料が選択さ れるとともに、小さな抵抗オーム値rを有する補正素子が用いられる。これに関 しては、ニッケル(β=4×10-3/℃)の補正素子が特に適切である。 本発明は、また、ブリッジの主抵抗を構成するひずみゲージを有し、補正素子 を含むホイーストンブリッジ型の電気回路を有する圧力センサを提供するもので ある。 このタイプの圧力センサは、上記ひずみゲージ間に存在する温度差による出力 電圧の変動に対して保護され、また、補正素子の抵抗オーム値がひずみゲージに 比べて低いため、上記センサは良好な感度を確保する。 本発明の他の特徴及び効果は、例として挙げられた以下の実施形態の記載及び 添付図面の参照からより明確に理解されるであろう。 図1は、ホイーストンブリッジ型の電気回路の典型的な構造を示すダイアグラ ムである。 図2は、ひずみゲージを有する圧力センサの構成を示しており、ここでは、図 2(a)が、簡単な薄膜体におけるひずみゲージの物理的な配置を示す一方、図 2(b)が、これらのゲージを含む電気回路を示している。 図3は、本発明の好適な実施形態によるホイーストンブリッジ型の電気回路を あらわす回路図である。 図4は、本発明に従う圧力センサの一例における、薄膜体上の薄いフィルムの 被膜により作製されたひずみゲージ及び補正素子の物理的な配置を示す平面図で ある。 図5は、図4のセンサの出力信号が、熱的衝撃がある場合に変化する様子を示 すグラフである。 図6は、比較を目的として、図4のものに類似するが補正抵抗をもたないセン サを示す平面図である。 図7は、比較を目的として、図6のセンサの出力信号が、熱的衝撃がある場合 に変化する様子を示すグラフである。 本発明の原理は、圧力センサのひずみゲージから構成されるホイーストンブリ ッジ型の電気回路を背景に、図3を参照して記載される。 図3は、圧力センサの4つのありふれたひずみゲージJ1〜J4及び4つの補正 抵抗r1〜r4で構成されるホイーストンブリッジ型の電気回路を示す回路図であ る。補正抵抗riは、ひずみゲージJiの1つに直列式に接続された状態で、ブリ ッジの各ブランチに含まれているが、物理的には、隣接した2つのブランチの一 方に位置する他のひずみゲージに近接して配置されている。その結果、各ひずみ ゲージは、その近傍にあるホイーストンブリッジのブランチに接続された補正抵 抗とその熱環境を共有する。ポイント+Aと−Aとの間には、供給電圧が供給さ れ、また、ポイント+Mと−Mとの間で、出力電圧が検出される。 圧力センサでは、ひずみゲージJi及びそれらの各抵抗の温度係数αiのオーム 値Riが互いに近似しており、平均値Rにより基準温度における各ゲージの抵抗 を、また、平均値αにより抵抗の温度係数を指示することができる。平均の抵抗 オーム値r及び平均の抵抗の温度係数βを有するように、補正抵抗riが順次選 択される。 上記ひずみゲージのTCRαが無視出来るほど低くなく、ひずみゲージの各温 度がθiだけ基準値から変化する場合、回路の出力電圧USは、次式(5)により 与えられる。 (供給電圧UA及び圧力は一定) 本発明によれば、補正抵抗のオーム値rは、次の関係式に基づいて選択される 。 Rα=rβ (6) この場合には、ホイーストンブリッジを構成するゲージの温度の間に差が存在す るが、出力電圧は、もはやこれらの異なる温度に依存しない。ブリッジ回路の感 本発明によれば、補正抵抗riのオーム値rは、ひずみゲージJiに共有される オーム値Rに関係して出来るだけ小さくなるように適正に選択され(つまりr《 R)、また、補正抵抗のTCRβは、ひずみゲージJiのTCRαよりも実質的 に大きくなるように選択される(つまりα《β)。 これらの条件において、数式(5)は、次式(7)に簡単化される。 数式(3)及び(7)を比較すると、加えられた圧力が変化する場合、補正素 子を含むホイーストンブリッジの出力信号は、これらの素子が省略されたホイー ストンブリッジのそれよりも小さいことが分かるであろう。これは、r/2Rに 等しい測定感度の損失に相当する。もし、補正素子の抵抗オーム値rがR/2に 等しいように選択されれば、この感度の損失は25%になる。これは、引き替え として温度勾配から免れることができる点からすると我慢できることかも知れな い。 多くとも約R/10に等しい抵抗オーム値を有する補正抵抗を用いることが好 ましい(このことは、β=10αの補正抵抗についての抵抗の温度係数の値を必 要とする)。かかる場合には、補正抵抗の回路に存在することにより、圧力セン サの感度はほとんど影響されない(補正抵抗が設けられておらず、ブリッジの作 用が理想的である場合に関して、出力電圧はその値の5%を損失する)。この感 度の損失は、更に、例えばRのせいぜい5%に等しい値を有するrをつくって、 ひずみゲージのオーム値に関してより小さい補正抵抗のオーム値を選ぶことによ り軽減され得る。 本発明による圧力センサの薄膜体m上のひずみゲージJ1〜J4及び補正抵抗r1 〜r4の形態の一例が、図4(平面図)に示されている。この形態は、上記薄膜 体上に薄いフィルムを置くことにより成されるものである。この例では、ひずみ ゲージがニッケル−クロムで作られ、それぞれ、1000Ωの抵抗及び1×10-4 /℃の抵抗の温度係数を有している。また、補正抵抗は白金で作られ、 それぞれ、100Ωの抵抗及び1×10-3/℃の抵抗の温度係数を有している。 図4に示された態様において、白金で作られた補正抵抗は、都合良く、4×1 0-3/℃に等しい抵抗の温度係数を有するニッケルで作られた補正抵抗により置 換される。これにより、センサの感度の損失は1.25%まで軽減される。 図5では、図4のセンサの出力信号が、後者が熱的衝撃を受ける場合について 示されている。図6は、比較を目的として、図4のそれに類似しているが補正抵 抗が省略されたセンサを示している。図7は、熱的衝撃を受ける場合における、 図6のセンサの出力信号を示すものである。図5及び7の比較から、センサの出 力信号が、主抵抗の間に存在する温度勾配に対して免れるのみならず、従来の圧 力センサに比べて、熱的衝撃に対する安定性を向上させられることが分かる。 本発明の原理は、ひずみゲージを有する圧力センサを背景に述べられたが、そ れらは、概して、4つの抵抗が実質的に等しいオーム値Rおよび実質的に等しい 抵抗の温度係数αを有する、いかなるホイーストンブリッジ型の電気回路にも当 てはまるものである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. それぞれ実質的に等しい抵抗オーム値R及び実質的に等しい抵抗の温度係 数αを有し、ホイーストンブリッジの各ブランチに1つずつ配置された4つの主 抵抗(J1〜J4)を備えたホイーストンブリッジ型の電気回路において、 上記ホイーストンブリッジの各ブランチが、それらに対応する主抵抗素子に直 列に接続された補正素子を備え、該補正素子(r1〜r4)は、それぞれ、実質的 に等しい抵抗オーム値r及び実質的に等しい抵抗の温度係数βを有し、それらの 値は、実質的に、公式 Rα=rβ に従って、上記主抵抗素子のそれに関係づけられ、上記各主抵抗素子が、ホイー ストンブリッジにおける隣接したブランチの補正素子と熱環境を共有しており、 ジ型の電気回路。 2. 上記各補正素子が、物理的に主抵抗素子に近接して配置されることにより 、ホイーストンブリッジの隣接したブランチの主抵抗素子の熱環境を共有するこ とを特徴とする請求の範囲第1項によるホイーストンブリッジ型の電気回路。 3. 上記補正素子の抵抗オーム値rが、主抵抗素子のRと比較して非常に小さ く、また、補正素子の抵抗の温度係数βが、主抵抗素子のαよりも僅かに大きい ことを特徴とする請求の範囲第1項又は第2項によるホイーストンブリッジ型の 電気回路。 4. 上記補正素子の抵抗オーム値rが、主抵抗素子のオーム値のせいぜい10 %であることを特徴とする請求の範囲第3項によるホイーストンブリッジ型の電 気回路。 5. 上記主抵抗素子を構成するひずみゲージ(J1〜J4)を有する圧力センサ の一部をなすことを特徴とする請求の範囲第1項〜第4項のいずれか一によるホ イーストンブリッジ型の電気回路。 6. 上記主抵抗素子及び補正素子が、2つの異なる金属で作られていることを 特徴とする請求の範囲第1項〜第5項のいずれか一によるホイーストンブリッジ 型の電気回路。 7. 上記補正素子がニッケルで作られていることを特徴とする請求の範囲第1 項〜第6項のいずれか一によるホイーストンブリッジ型の電気回路。 8. 1つの薄膜体上に配置され、ホイーストンブリッジ形式に接続されるとと もに、実質的に等しい抵抗オーム値R及び実質的に等しい抵抗の温度係数αを有 する4つのひずみゲージ(J1〜J4)を備えた圧力センサにおいて、 ホイーストンブリッジの各ブランチが、対応するひずみゲージに直列式に接続 された補正素子を備え、該補正素子(r1〜r4)は、それぞれ、実質的に等しい 抵抗オーム値r及び実質的に等しい抵抗の温度係数βを有し、それらの値は、実 質的に、公式 Rα=rβ に従って、上記ひずみゲージのそれに関係づけられ、上記各ひずみゲージが、ホ イーストンブリッジにおける隣接したブランチの補正素子と熱環境を共有してお り、 9. 各補正素子が、物理的に上記ひずみゲージに近接して配置されることによ り、ホイーストンブリッジの隣接したブランチのひずみゲージの熱環境8を共有 することを特徴とする請求の範囲第8項による圧力センサ。 10. 上記補正素子の抵抗オーム値rが、ひずみゲージのRと比較して非常に 小さく、また、補正素子の抵抗の温度係数βが、ひずみゲージのαよりも僅かに 大きいことを特徴とする請求の範囲第8項又は第9項による圧力センサ。 11. 上記補正素子の抵抗オーム値rが、ひずみゲージのオーム値のせいぜい 10%であることを特徴とする請求の範囲第10項による圧力センサ。 12. 上記ひずみゲージ及び補正素子が、2つの異なる金属で作られているこ とを特徴とする請求の範囲第8項〜第12項のいずれか一による圧力センサ。 13. 上記補正素子がニッケルで作られていることを特徴とする請求の範囲第 8項〜第12項のいずれか一による圧力センサ。
JP09521042A 1995-12-04 1996-12-04 ブリッジの主抵抗間の温度勾配を補正するホイーストンブリッジ及びひずみゲージを有する圧力センサにおけるその適用 Ceased JP2000515623A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR95/14295 1995-12-04
FR9514295A FR2741951B1 (fr) 1995-12-04 1995-12-04 Pont de wheatstone avec compensation de gradient de temperature entre resistances principales du pont et application a un capteur de pression a jauges extensometriques
PCT/FR1996/001933 WO1997021083A1 (fr) 1995-12-04 1996-12-04 Pont de wheatstone avec compensation de gradient de temperature

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000515623A true JP2000515623A (ja) 2000-11-21

Family

ID=9485110

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP09521042A Ceased JP2000515623A (ja) 1995-12-04 1996-12-04 ブリッジの主抵抗間の温度勾配を補正するホイーストンブリッジ及びひずみゲージを有する圧力センサにおけるその適用

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6098464A (ja)
EP (1) EP0866958B1 (ja)
JP (1) JP2000515623A (ja)
CN (1) CN1135377C (ja)
CA (1) CA2238017C (ja)
DE (1) DE69619858T2 (ja)
ES (1) ES2174123T3 (ja)
FR (1) FR2741951B1 (ja)
WO (1) WO1997021083A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011099678A (ja) * 2009-11-03 2011-05-19 Ngk Spark Plug Co Ltd 圧力検出装置
WO2013161219A1 (ja) * 2012-04-23 2013-10-31 株式会社デンソー 磁気センサ
KR101460158B1 (ko) 2008-11-20 2014-11-10 삼성전자주식회사 온도 변화에 강인한 휘스톤 브리지 최적화 장치 및 방법
JP2017021004A (ja) * 2015-07-08 2017-01-26 株式会社日本自動車部品総合研究所 面圧センサ
JP2018534574A (ja) * 2015-11-18 2018-11-22 ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングRobert Bosch Gmbh 圧力センサのためのセンサ素子
JP2020134451A (ja) * 2019-02-25 2020-08-31 Tdk株式会社 圧力センサ
JP7088067B2 (ja) 2019-02-15 2022-06-21 Tdk株式会社 圧力センサ

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6701790B2 (en) * 2002-06-13 2004-03-09 Mykrolis Corporation Temperature regulator for use with a pressure sensing device
JP2004205410A (ja) * 2002-12-26 2004-07-22 Takata Corp 荷重センサ及びシート重量計測装置
US6903561B2 (en) * 2003-04-08 2005-06-07 Delphi Technologies, Inc. Circuitry for measuring mechanical stress impressed on a printed circuit board
US6718830B1 (en) * 2003-05-20 2004-04-13 Honeywell International, Inc. Customized span compensation of SOI pressure sensor
US6888074B2 (en) * 2003-06-10 2005-05-03 The Flintec Group, Ltd. Compression column load cell
US7342185B2 (en) * 2003-06-10 2008-03-11 The Flintec Group, Ltd. Compression column load cell with compensation for off center loading errors
US7176698B2 (en) * 2003-10-10 2007-02-13 Primary Integration, Llc Voltage sensing device and associated method
EP2060884A1 (en) * 2006-09-05 2009-05-20 Ishida Co., Ltd. Load cell unit, weight checker, electronic weighting instrument, and weighting instrument
DE102008054408A1 (de) * 2008-12-09 2010-06-10 Robert Bosch Gmbh Messbrücke, Messeinheit und drehbar gelagerter Spiegel
WO2011128047A1 (en) * 2010-04-12 2011-10-20 Aktiebolaget Skf Load on object derived from natural-mode series modelling
CN101936791B (zh) * 2010-07-28 2011-11-16 四川蜀谷仪表科技有限公司 数字压力计
CN102226682A (zh) * 2011-03-29 2011-10-26 中国科学院电工研究所 一种用于聚变超导磁体的应变测量装置
US9003897B2 (en) 2012-05-10 2015-04-14 Honeywell International Inc. Temperature compensated force sensor
JP6113581B2 (ja) 2013-06-12 2017-04-12 株式会社東芝 圧力センサ、音響マイク、血圧センサ及びタッチパネル
CN104236766B (zh) * 2013-06-13 2016-09-14 中国科学院上海微***与信息技术研究所 封装应力与温漂自补偿的双悬浮式力敏传感器芯片及制备方法
US9429491B2 (en) * 2014-01-23 2016-08-30 Kulite Semiconductor Products, Inc. Compensating a sensor having thermal gradients
JP6316636B2 (ja) * 2014-03-31 2018-04-25 アズビル株式会社 角度センサの温度補償装置
US9714876B2 (en) * 2015-03-26 2017-07-25 Sensata Technologies, Inc. Semiconductor strain gauge
US10101145B2 (en) * 2016-01-19 2018-10-16 Rosemount Aerospace Inc. Passive temperature error compensation for strain gauge pressure sensors
CN105975137B (zh) * 2016-07-07 2020-11-03 上海天马微电子有限公司 一种触控显示面板及触控显示装置
CN106093513A (zh) * 2016-07-28 2016-11-09 富阳兴远仪器仪表经营部 一种能测量普通电阻、高阻、超高阻的电桥
CN107014401B (zh) * 2016-11-18 2019-12-31 清华四川能源互联网研究院 一种磁阻传感器温度补偿装置
CN106768217B (zh) * 2016-12-07 2019-02-19 锐马(福建)电气制造有限公司 一种应变式传感器温度补偿方法
CN110864736B (zh) * 2019-11-22 2020-12-15 清华大学 柔性传感器应变及温度补偿方法和多感知集成传感器
CN111426413A (zh) * 2020-05-15 2020-07-17 罕王微电子(辽宁)有限公司 一种新型压力传感器及设计方法
CN111780658A (zh) * 2020-06-19 2020-10-16 北京科技大学 高能束粉床打印增材制造中零件变形实时测量装置及方法
CN111998976B (zh) * 2020-08-07 2022-03-25 维沃移动通信有限公司 压力传感器和电子设备
CN112484630B (zh) * 2020-12-09 2022-02-01 湖南启泰传感科技有限公司 一种薄膜电阻应变压力传感器及其布局优化方法
CN114720029A (zh) * 2022-03-11 2022-07-08 中国航发沈阳发动机研究所 一种多元拉杆结构的载荷测量装置及方法
CN115290293B (zh) * 2022-10-08 2022-12-13 中国航空工业集团公司沈阳空气动力研究所 降低轴向力测量元件零点温度效应的应变天平研制方法
CN115617188B (zh) * 2022-11-07 2023-05-23 荣耀终端有限公司 一种手写笔、手写笔的压感校准方法及设备***

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4174639A (en) * 1978-04-06 1979-11-20 American Chain & Cable Company, Inc. Bridge circuits
JPS6225977B2 (ja) * 1981-05-27 1987-06-05 Toshiba Kk
CH673893A5 (en) * 1988-02-12 1990-04-12 Mettler Toledo Ag Temp. compensated load sensor with strain-gauge transducer - incorporates electromechanically active resistances in bridge circuit with thermal couplings to passive resistances in neighbouring branches
JPH0412236A (ja) * 1990-04-28 1992-01-16 Nippon Seiki Co Ltd 歪抵抗装置
JPH04131721A (ja) * 1990-09-21 1992-05-06 Hitachi Constr Mach Co Ltd 応力センサ
JPH05256716A (ja) * 1992-03-13 1993-10-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
DE4227764A1 (de) * 1992-08-24 1994-03-03 Schenck Ag Carl Sensor zum Erfassen mechanischer Belastungen
JPH06148015A (ja) * 1992-11-05 1994-05-27 Toyota Motor Corp ブリッジ式センサ
JPH06167405A (ja) * 1992-11-27 1994-06-14 Omron Corp 圧力センサ
JPH06265427A (ja) * 1993-03-15 1994-09-22 Matsushita Electron Corp 半導体圧力変換器
JPH0783775A (ja) * 1993-09-14 1995-03-31 Toyoda Mach Works Ltd 半導体センサにおける温度補償回路
JPH07253374A (ja) * 1994-03-14 1995-10-03 Nippondenso Co Ltd 圧力検出装置
JPH07287033A (ja) * 1994-02-28 1995-10-31 Zexel Corp 抵抗ブリッジ回路の温度補償方法及び温度補償回路を備えた抵抗ブリッジ回路並びに加速度センサ
JPH08136378A (ja) * 1994-11-07 1996-05-31 Tec Corp 薄膜ゲージ圧力計

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3665756A (en) * 1965-10-18 1972-05-30 Microdot Inc Strain gauge temperature compensation system
US4444056A (en) * 1982-05-05 1984-04-24 Itt Corporation Temperature compensated circuit
US4565097A (en) * 1984-05-09 1986-01-21 Mark Telephone Products, Inc. Method and apparatus for transducer error cancellation
US4765188A (en) * 1986-11-24 1988-08-23 Bourns Instruments, Inc. Pressure transducer with integral digital temperature compensation
US5375474A (en) * 1992-08-12 1994-12-27 The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration Compensated high temperature strain gage
AU691239B2 (en) * 1994-12-02 1998-05-14 Getinge Sterilization Aktiebolag A temperature compensation method in pressure sensors

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4174639A (en) * 1978-04-06 1979-11-20 American Chain & Cable Company, Inc. Bridge circuits
JPS6225977B2 (ja) * 1981-05-27 1987-06-05 Toshiba Kk
CH673893A5 (en) * 1988-02-12 1990-04-12 Mettler Toledo Ag Temp. compensated load sensor with strain-gauge transducer - incorporates electromechanically active resistances in bridge circuit with thermal couplings to passive resistances in neighbouring branches
JPH0412236A (ja) * 1990-04-28 1992-01-16 Nippon Seiki Co Ltd 歪抵抗装置
JPH04131721A (ja) * 1990-09-21 1992-05-06 Hitachi Constr Mach Co Ltd 応力センサ
JPH05256716A (ja) * 1992-03-13 1993-10-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
DE4227764A1 (de) * 1992-08-24 1994-03-03 Schenck Ag Carl Sensor zum Erfassen mechanischer Belastungen
JPH06148015A (ja) * 1992-11-05 1994-05-27 Toyota Motor Corp ブリッジ式センサ
JPH06167405A (ja) * 1992-11-27 1994-06-14 Omron Corp 圧力センサ
JPH06265427A (ja) * 1993-03-15 1994-09-22 Matsushita Electron Corp 半導体圧力変換器
JPH0783775A (ja) * 1993-09-14 1995-03-31 Toyoda Mach Works Ltd 半導体センサにおける温度補償回路
JPH07287033A (ja) * 1994-02-28 1995-10-31 Zexel Corp 抵抗ブリッジ回路の温度補償方法及び温度補償回路を備えた抵抗ブリッジ回路並びに加速度センサ
JPH07253374A (ja) * 1994-03-14 1995-10-03 Nippondenso Co Ltd 圧力検出装置
JPH08136378A (ja) * 1994-11-07 1996-05-31 Tec Corp 薄膜ゲージ圧力計

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101460158B1 (ko) 2008-11-20 2014-11-10 삼성전자주식회사 온도 변화에 강인한 휘스톤 브리지 최적화 장치 및 방법
JP2011099678A (ja) * 2009-11-03 2011-05-19 Ngk Spark Plug Co Ltd 圧力検出装置
WO2013161219A1 (ja) * 2012-04-23 2013-10-31 株式会社デンソー 磁気センサ
JP2013242299A (ja) * 2012-04-23 2013-12-05 Denso Corp 磁気センサ
JP2017021004A (ja) * 2015-07-08 2017-01-26 株式会社日本自動車部品総合研究所 面圧センサ
JP2018534574A (ja) * 2015-11-18 2018-11-22 ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングRobert Bosch Gmbh 圧力センサのためのセンサ素子
US10670482B2 (en) 2015-11-18 2020-06-02 Robert Bosch Gmbh Sensor element for a pressure sensor
JP7088067B2 (ja) 2019-02-15 2022-06-21 Tdk株式会社 圧力センサ
JP2020134451A (ja) * 2019-02-25 2020-08-31 Tdk株式会社 圧力センサ
WO2020175155A1 (ja) * 2019-02-25 2020-09-03 Tdk株式会社 圧力センサ
JP7139998B2 (ja) 2019-02-25 2022-09-21 Tdk株式会社 圧力センサ

Also Published As

Publication number Publication date
ES2174123T3 (es) 2002-11-01
WO1997021083A1 (fr) 1997-06-12
CN1203662A (zh) 1998-12-30
DE69619858D1 (de) 2002-04-18
CA2238017C (en) 2003-02-11
EP0866958A1 (fr) 1998-09-30
EP0866958B1 (fr) 2002-03-13
CN1135377C (zh) 2004-01-21
FR2741951A1 (fr) 1997-06-06
DE69619858T2 (de) 2002-10-31
FR2741951B1 (fr) 1998-02-20
CA2238017A1 (en) 1997-06-12
US6098464A (en) 2000-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000515623A (ja) ブリッジの主抵抗間の温度勾配を補正するホイーストンブリッジ及びひずみゲージを有する圧力センサにおけるその適用
US4333349A (en) Binary balancing apparatus for semiconductor transducer structures
US6700473B2 (en) Pressure transducer employing on-chip resistor compensation
EP0239094B1 (en) Semiconductor strain gauge bridge circuit
US4173900A (en) Semiconductor pressure transducer
NL7907294A (nl) Drukmeter met een rekstrookopnemer.
US3245252A (en) Temperature compensated semiconductor strain gage unit
JPH06174536A (ja) 計量装置
EP0803054B1 (en) A temperature compensation method in pressure sensors
EP1625372B1 (en) Integrated resistor network for multi-functional use in constant current or constant voltage operation of a pressure sensor
JP2639481B2 (ja) 荷重検出装置の温度補償方法
JP4131990B2 (ja) 超低温での零シフト非線形性を補償する圧力センサ
US5048343A (en) Temperature-compensated strain-gauge amplifier
US6559661B1 (en) Circuit configuration for compensating the temperature non-linearity of the characteristic curves of the piezoresistive measuring resistors connected in a bridge circuit
US7918137B2 (en) Method for temperature compensation of a piezoresistive gaged metal diaphragm
US7714591B2 (en) Apparatus and methods for linearizing piezoresistive wheatstone bridges
US4442717A (en) Compensation and normalization apparatus for shear piezoresistive gage sensors
US3085193A (en) Linear electrical compensation circuits
US4787256A (en) Resistance-gauge force transducer
JP3275117B2 (ja) 高温ひずみゲージのみかけひずみ補償回路
JP3041829B2 (ja) 圧力センサ
JP2536822B2 (ja) 計量装置用温度補償回路
GB2107876A (en) Temperature compensation of strain gauges
JP2020517925A (ja) 膜レジスタ及び薄膜センサ
EP0928414B1 (en) Compensation technique for resistive bridge

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050719

A313 Final decision of rejection without a dissenting response from the applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A313

Effective date: 20051205

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060124