JP2000510999A - 電気化学キャパシターにおけるグラファイチックナノファイバー - Google Patents

電気化学キャパシターにおけるグラファイチックナノファイバー

Info

Publication number
JP2000510999A
JP2000510999A JP09541123A JP54112397A JP2000510999A JP 2000510999 A JP2000510999 A JP 2000510999A JP 09541123 A JP09541123 A JP 09541123A JP 54112397 A JP54112397 A JP 54112397A JP 2000510999 A JP2000510999 A JP 2000510999A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capacitor
electrode
nanofibers
nanofiber
carbon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
JP09541123A
Other languages
English (en)
Inventor
テネント,ハワード
モイ,デビッド
ニウ,チュン―ミン
Original Assignee
ハイピリオン カタリシス インターナショナル インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ハイピリオン カタリシス インターナショナル インコーポレイテッド filed Critical ハイピリオン カタリシス インターナショナル インコーポレイテッド
Publication of JP2000510999A publication Critical patent/JP2000510999A/ja
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/30Electrodes characterised by their material
    • H01G11/32Carbon-based
    • H01G11/36Nanostructures, e.g. nanofibres, nanotubes or fullerenes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/02Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof using combined reduction-oxidation reactions, e.g. redox arrangement or solion
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/24Electrodes characterised by structural features of the materials making up or comprised in the electrodes, e.g. form, surface area or porosity; characterised by the structural features of powders or particles used therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/30Electrodes characterised by their material
    • H01G11/32Carbon-based
    • H01G11/38Carbon pastes or blends; Binders or additives therein
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/30Electrodes characterised by their material
    • H01G11/48Conductive polymers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/22Devices using combined reduction and oxidation, e.g. redox arrangement or solion
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01MPROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00Electrodes
    • H01M4/02Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/58Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic compounds other than oxides or hydroxides, e.g. sulfides, selenides, tellurides, halogenides or LiCoFy; of polyanionic structures, e.g. phosphates, silicates or borates
    • H01M4/583Carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10Energy storage using batteries
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13Energy storage using capacitors
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02TCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
    • Y02T10/00Road transport of goods or passengers
    • Y02T10/60Other road transportation technologies with climate change mitigation effect
    • Y02T10/70Energy storage systems for electromobility, e.g. batteries
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/70Nanostructure
    • Y10S977/734Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/70Nanostructure
    • Y10S977/788Of specified organic or carbon-based composition

Abstract

(57)【要約】 管状フラーレン(通常「バッキーチューブ」と言う)、ナノチューブとフィブリルを包含するグラファイトナノファイバーを、電気化学コンデンサーの電極として用いる。グラファイトナノファイバーをベースにした電極は、電気化学コンデンサーの性能を高める。

Description

【発明の詳細な説明】 電気化学キャパシターにおけるグラファイチックナノファイバー 発明の分野 本発明は一般的には電気化学的蓄積デバイスに関し、より詳しくは、電気化学 キャパシター(electrochemical capacitors)における電極としてのグラファイチ ックナノファイバー(graphiti cnanofiber)の応用に関する。 発明の背景 本願は幾つかの刊行物を引用している。これら資料は本発明が関係する技術分 野の状況を記載しており、本願明細書中に組み入れられる。 電気化学キャパシター(ECs)はエレトロニクス産業ではシステム設計者達 がそれらの属性や利点に通じてくるにつれて受け入れられつつある。コンベンシ ョナルキャパシターと比べて、ECsは極めて高いキャパシタンス値、限られた 周波数応答、電極厚さに正比例し電極の断面積に反比例する高い等価直列抵抗、 電圧依存性キャパシタンス、及び電圧依存性自己放電速度を有している。ECs は元々は、軌道レーザー(orbital laser)用の駆動エネルギーの大きな噴出を提 供するために開発された。コンプレメンタリー金属酸化膜半導体(CMOS)メ モリーバックアップ用途には、例えば、たった2分の1立方インチの容積を有す る1ファラドのECが、ニッケル‐カドミウムバッテリー又はリチウムバッテリ ーの代わりをすることができ、数カ月分のバックアップパワーを提供することが できる。また、電気乗物(electric vehicle)用途には、大きなECsがバッテ リーシステム上のパワーを「負荷均等化する(load-level)」ことができ、それに よってバッテリー寿命を増加し乗物の範囲を拡大することができる。 キャパシターは絶縁体によって隔離されている2つの互いに逆に帯電した平行 なプレートの間の電場にエネルギーを蓄積する。キャパシターが蓄積できるエネ ルギーの量は、導電性プレートの面積が増加、プレート間の距離が減少、及び絶 縁材料の誘電率(プレート間に電荷を蓄積する能力)が増加するにつれて、増加 することができる。 ECsは、適切な金属における制御された電解酸化プロセスによってしばしば 形成される薄い絶縁性の酸化膜を介しての電荷離隔によってエネルギーを蓄積す るトラディショナル電解キャパシターとは区別される。 ECの高容積キャパシタンス密度(コンベンショナルキャパシターより10〜 100倍大きい)は大きな有効「プレート面積」を生じさせる多孔質電極を使用 すること及び拡散二重層の中にエネルギーを蓄積することに由来する。電圧を印 加されたときに固体-電解質界面に自然に発生するこの二重層はたった約1nm の厚さを有し、従って極めて小さな有効「プレート隔離」を形成する。幾つかの ECsでは、やはり固体-電解質界面に起こるいわゆる「プソイドキャパシタン ス(pseudocapacitance)」効果によって蓄積エネルギーは実質的に増大する。二 重層キャパシタンスは普通、16〜40μF cm-2のオーダーであるが、EC システムに関連したプソイドキャパシタンスは普通、10〜100μF cm-2 である。 二重層キャパシターは、電解質の中に浸漬した活性炭の如き高い表面積の電極 材料を基本にしている。分極二重層は各電極において形成され二重層キャパシタ ンスを提供する。炭素は高い表面積Aを与え、そして有効dは原子尺に減少し、 従って、高いキャパシタンスが提供される。 二重層のエネルギー蓄積能力は100年以上前から認識されていたが、ECs のための市場を創出するには小電流ドロー(low-current-draw)の揮発性のコンピ ューター用メモリーの開発を必要とした。 コンベンショナル電気化学エネルギー蓄積はガルヴァーニセル(galvanic cell )又はかかるセルのバッテリーの中で達成される。エネルギーは、セルの電極間 の電位差を乗じた、放電時にバッテリーの中で起こり得る化学的レドックス変化 に関連した変化に対応している。放電プロセスは、反応体1モル当たりの或る数 の電子の通過又はファラデー数に関連したセル内での正味の化学反応を伴う。 レドックスプロセスのような電気化学反応が電極で又は電極近くで起こるはず であるならば、キャパシタンスは更に増加するかも知れない。この増加したキャ パシタンスはしばしば「プソイドキャパシタンス」と称され、そして得られるデ バイスは正当に電気化学キャパシターであるのに、非公式に、プソイドキャパシ ター、スーパーキャパシター又はウルトラキャパシターと呼ばれている。電気化 学キャパシターは純粋な二重層キャパシターとは異なるサイクリックボルタモグ ラム(cyclic voltammogram)、即ち、ファラダイック(Faradaic)特徴を現すプソ イドキャパシタンス、を有する。 電気化学キャパシターのためのレドックスシステム、特にRuO2・xH2Oの レドックスシステムは実証されている(Z.P.ゼングとT.R.ジャウ執筆の 「電気化学キャパシターのための新しい電荷蓄積メカニズム」、ジャーナルオブ エレクトロケミカル ソサイエティ第142巻L6(1995年)(Zheng,Z .P.and Jow,T.R.,"A new charge storage mechanism for Electrochemical Ca pacitors",J.Electrochem.Soc., 142,L6(1995))、しかし、高コストと限られ たサイクル寿命はかかる材料の商業的使用に対して存続する障害である。キャパ シタンスのファラダイック成分が大きくなるほど、放電曲線及び寿命はキャパシ ターのものよりもバッテリーのものに近づく。他方、EV応用に適する高いパワ ー出力を得るという特殊な目標は、既知の又は提案された電極材料を用いた純粋 な二重層キャパシターによって満足させることができない(E.T.エイザンマ ンの「炭素系ウルトラキャパシターのための設計基準と実体検証」(Eisenmann, E.T.,"Design Rules and Reality Check for Carbon-Based Ultracapacitors" )、SAND95−0671・UC−400)1995年4月)。 ECsはバッテリーのエネルギー密度に近づいていない。与えられた印加電圧 では、与えられた電荷に関連した静電容量的蓄積エネルギーは同じ電荷の通過の ための対応バッテリーシステムの中に蓄積可能なそれの半分である。この相違は 2相システムを伴う理想的なバッテリー反応においては電荷が一定電位で蓄積さ れることができるのに、キャパシターでは電圧及び電荷が継続的に蓄積されつつ あるキャパシターの中へと電荷が移動しなければならないという事実のせいであ る。これがキャパシターによるエネルギー蓄積は他の点では同一の理想的条件下 でのバッテリーエネルギー蓄積における同じ電荷及び電圧についてのそれの半分 になる理由である。 それにもかかわらず、ECsは極めて魅力的なパワー源である。バッテリーに 比べて、それらは保守を必要とせず、はるかに高いサイクル寿命を呈し、非常に 簡単な充電回路で済み、「記憶効果(memory effect)」を体験せず、かつ一般に はるかに安全である。化学的エネルギー蓄積よりむしろ物理的エネルギー蓄積で あることがそれらの安全な操作と異常に高いサイクル寿命の主な理由である。 しかしながら、容易に入手可能なEC製品は主としてそれらの目標がメモリー バックアップ用途であるためにサイズとパワー性能が制約されている。それらは 数ファラド迄のキャパシタンス値、1〜50Ωの等価直列抵抗(ESR)、及び 3〜11Vの作業電圧を有する。 最近までは、高パワー応用に適するECsは入手不可能であった。しかし、電 気乗物(EV)の負荷均等化におけるばかりでなく自動車のスターティング・ラ イティング・イグニッション(SLI)における関心は、かかる高パワーデバイ スについての製品開発活動を刺激している。目標はこれら高級応用のために特定 された時間で効率的に充電でき次いで放電できる製品を開発することである。 EVに使用されるエネルギー蓄積システムに対しては厳しい要求が出されてい る。このシステムは許容可能な駆動範囲を提供するのに十分なエネルギーを蓄積 しなければならない。それは許容可能な駆動性能特に加速度を提供するのに十分 なパワーを有していなければならない。加えて、このシステムは信頼性のある操 作の年数を与えるように耐久性でなければならない。そして最後に、このシステ ムは供給可能でなければならない。これら4つの要件は候補のエネルギー蓄積技 術にとってはしばしば両立しない。この状況はEVエネルギー蓄積システムの開 発者達にとってかなり挑戦的である。 キャパシターはEVエネルギー蓄積システムに有意な利点を与える。しかし、 有効であるためには、それは約400Whのエネルギーを蓄積しなければならな いし、約10秒間に約40kWのパワーを引き渡すことができなければならない し、高いサイクル寿命(>100,000サイクル)を提供しなければならない し、かつ特定された容積、重量及びコストの拘束を満足させなければならない。 このようなキャパシターは現在、存在しない。 しばしばウルトラキャパシター又はスーパーキャパシターと呼ばれる電気化学 キャパシターはハイブリッド電気乗物において関心が持たれており、そこでそれ らは電気自動車に使用されるバッテリーを補足して急加速、即ち、バッテリー推 進自動車を商業的に実行可能にするための最大の技術的ハードル、に必要なパワ ーの噴出を提供することができる。バッテリーは長距離を経済速度で走るために も使用されるものであるが、キャパシターは(バッテリーよりも遥かに急速にエ ネルギーを放出するので)、自動車が併走、追越し、緊急行動及び登坂のために 加速を必要とするときいつでもキックインするのである。追加バッテリー容量に 比較して有効なコスト及び重量であるためには、それらは十分に特異なエネルギ ーと特異なパワーを長いサイクル寿命と共に兼ね備えていなければならないし、 並びにコスト目標を満足させなければならない。 電気化学キャパシターの性能特徴は基本的には、電極の電気化学的性質によっ て決まる。多数の従来提案された電極材料は許容できない高コストのキャパシタ ーをもたらしてきた。 充電キャパシターに蓄積されるエネルギーは誘電体の絶縁破壊によってのみ制 限される電圧の増加に比例して連続的に増加させることができる。与えられた化 学種にとって、最大の利用可能な蓄積エネルギーは電気活性材料の量、それらの 標準電極電位及びそれらの当量によって決まり、そしてパワーは放電中に起こる 電気化学変化の可逆性並びに材料及び外部回路の電気抵抗によって決まる。 炭素電極電気化学キャパシターによる経験は、測定された表面積とダイポール 層の巾から算出された幾何学的キャパシタンスが型通りには達成されないことを 示している。実際、非常に高い表面積の炭素では、「理論」キャパシタンスの典 型的にたった約10%が実測されるようである。 この失望させられる性能は微小孔の存在に関係しており、そして互いに逆に帯 電した表面が約20Å未満しか離れていない孔での湿潤不足及び/又はうまく二 重層を形成する能力の無さのせいであるとみられる。活性炭では、炭素源及び熱 処理温度に依存して、表面の驚くべき量がかかる微小孔の形態にあることがある (J.W.パトリック編のカーボン類の多孔度:特徴と応用の中のJ.F.バー ンとH.マーシュ執筆の「序説概論」、ハルステッド、1995年(Byrne,J.F. and Marsh,H.,"Introductory Overview"in Patrick,J.W.,Porosity in Carbo ns:Characterization and Applications ,Halsted,1995))。 バッテリーの代わりに電気化学キャパシターを考察する基本的理由はパワー密 度と寿命である。これらは真に静電容量的なシステムに固有のものであるが、例 えば、電気乗物応用に要求されるエネルギー密度の目標はかかるシステムでは満 足させることができない。電気化学キャパシターのエネルギー蓄積の範囲を押し 上げる努力は常に、キャパシタンスの実質的部分(大部分)がファラダイックメ カニズムから生じることに頼っている。 高い利用可能表面積と高い多孔度を有しそして減少した微小孔を有するか又は 微小孔の無い炭素系電極を使用して、より大きな幾何学的キャパシタンスを示す 電気化学キャパシターを製造することが望まれているのである。現時点の炭素系 電極の中の微小孔の存在はそれをEVエネルギー蓄積システムに応用することを 不可能にしている。 発明の目的 本発明の目的は電気化学キャパシターの性能を増すためにカーボンナノファイ バー系電極を提供することである。 本発明の目的はまた、ナノファイバー系電極を表面処理してファラダイックキ ャパシタンスを改変することである。 本発明の別の目的は、かかる電極に使用するための官能化されたナノファイバ ーを提供することである。 発明の概要 その最も広い態様においては、本発明はナノチューブ(ナノファイバー)を図 1に示すような電気化学キャパシター電極に応用することに関する。特に、前記 ナノファイバーはグラファイチックナノファイバーである。より詳しくは、本発 明は高い表面積(>100m2/g)を有し且つ微小孔(即ち、2nm未満の直 径又は断面を有する細孔)を実質的に含有しないカーボンナノファイバーからな る電極に関する。更により詳しくは、本発明はかかる電極を電気化学キャパシタ ーに使用することに関する。好ましくは、電極の各々は異なる官能基によって官 能化されたカーボンナノファイバーからなる。 一態様において、本発明は約100m2/gより大きい表面積を有するナノフ ァイバーを含む電極を有するキャパシターに関する。有利には、ナノファイバー は実質的に微小孔を含有しない又は微小孔は表面積の5%以下に寄与する。 好ましくは、ナノファイバーは官能化されている、例えば、キノン、ヒドロキ ノン、第4級化芳香族アミン類、メルカプタン類又はジスルフィド類から選ばれ た一つ又はそれ以上の官能基によって官能化されている。官能基は、式 (式中、GはCH又はNである) のラダーポリマーの中に含有されてもよいし、又は の一つ又はそれ以上のグラフェニック類似体(graphenic analogue)であっても よい。 ナノファイバーは有利には、実質的に一定の直径を有する実質的に円筒状であ るカーボンナノファイバーであり、ナノファイバー軸と同軸のグラファイチック 層を有し且つ熱分解付着炭素を実質的に含有しない。 ナノファイバーは熱分解炭素質ポリマーの薄い被覆層で被覆されてもよい。被 覆層は好ましくは、フェノール類‐ホルムアルデヒド、ポリアクリロニトリル、 スチレンDVB、セルロース系ポリマー、及びH−レジンからなる群から選ばれ た一つ又はそれ以上のポリマーからなる。 ナノファイバーは硬質の多孔性カーボン構造を形成するように互いにより合わ されそして互いに連結されてもよい。 別の態様においては、本発明は約100m2/gより大きい表面積を有するナ ノファイバーを含む電極に関する。有利には、ナノファイバーは実質的に微小孔 を含有しない又は微小孔は表面積の5%以下に寄与する。 好ましくは、ナノファイバーは官能化されている、例えば、キノン、ヒドロキ ノン、第4級化芳香族アミン類、メルカプタン類又はジスルフィド類から選ばれ た一つ又はそれ以上の官能基によって官能化されている。官能基は、式 (式中、GはCH又はNである) のラダーポリマーの中に含有されてもよいし、又は の一つ又はそれ以上のグラフェニック類似物であってもよい。 ナノファイバーは有利には、実質的に一定の直径を有する実質的に円筒状であ るカーボンナノファイバーであり、ナノファイバー軸と同軸のグラファイチック 層を有し且つ熱分解付着炭素を実質的に含有しない。 ナノファイバーは熱分解炭素質ポリマーの薄い被覆層で被覆されてもよい。被 覆層は好ましくは、フェノール類-ホルムアルデヒド、ポリアクリロニトリル、 スチレンDVB、セルロース系ポリマー、及びH−レジンからなる群から選ばれ た一つ又はそれ以上のポリマーからなる。 ナノファイバーは硬質の多孔性カーボン構造を形成するように互いにより合わ されそして互いに連結されてもよい。 更に別の態様においては、本発明はキャパシターに関し、それは、 第一電極、該第一電極は約100m2/gより大きい表面積を有するナノファ イバーを含んでいる; 第二電極、該第二電極は約100m2/gより大きい表面積を有するナノファ イバーを含んでいる;及び 電極間に置かれた電極隔離板、該電極隔離板は電気不導性かつイオン伝導性の 材料を含んでいる; を含む。 有利には、ナノファイバーは実質的に微小孔を含有しない又は微小孔は表面積 の5%以下に寄与する。 電極のナノファイバーは官能化されている、例えば、キノン、ヒドロキノン、 第4級化芳香族アミン類、メルカプタン類又はジスルフィド類から選ばれた一つ 又はそれ以上の官能基によって。官能基は、式(式中、GはCH又はNである) のラダーポリマーの中に含有されてもよいし、又は の一つ又はそれ以上のグラフェニック類似体であってもよい。 前記第一電極のナノファイバーは前記第二電極の前記ナノファイバーと同じ官 能基によって官能化されていてもよい。 前記第一電極及び前記第二電極のナノファイバーは有利には、実質的に一定の 直径を有する実質的に円筒状であるカーボンナノファイバーであり、ナノファイ バー軸と同軸のグラファイチック層を有し且つ熱分解付着炭素を実質的に含有し ない。 前記第一電極及び前記第二電極のナノファイバーは熱分解炭素質ポリマーの薄 い被覆層で被覆されてもよい。被覆層は好ましくは、フェノール類-ホルムアル デヒド、ポリアクリロニトリル、スチレンDVB、セルロース系ポリマー、及び H−レジンからなる群から選ばれた一つ又はそれ以上のポリマーからなる。 前記第一電極及び前記第二電極のナノファイバーは硬質の多孔性カーボン構造 を形成するように互いにより合わさせそして互いに連結されてもよい。 前記第一電極のナノファイバーは前記第二電極の前記ナノファイバーとは異な る官能基によって官能化されていてもよい。 第二電極は有利には、前記第一電極とは異なるレドックス電圧を有する。好ま しくは、前記第二電極のレドックス電圧はゼロ(NHE)に近い。 更に別の態様においては、本発明は複数のセルとセル間の電気的接続とを含む キャパシターに関し、各セルは、 第一電極、該第一電極は約100m2/gより大きい表面積を有するナノファ イバーを含んでいる; 第二電極、該第二電極は約100m2/gより大きい表面積を有するナノファ イバーを含んでいる;及び 電極間に置かれた電極隔離板、該電極隔離板は電気不導性かつイオン伝導性の 材料を含んでいる; を含む。 更に別の態様においては、本発明は、約100m2/gより大きい表面積を有 するナノファイバー電極の2つの層と、電気不導性かつイオン伝導性の材料を含 んでいる電極隔離板の少なくとも2つの層を含む、巻いたロールキャパシターに 関する。 本発明はまた、 約100m2/gより大きい表面積を有する第一電極; 約100m2/gより大きい表面積を有する第二電極、該第二電極は前記第一 電極とは異なるレドックス電位を有する; 電極間に置かれた電極隔離板、該電極隔離板は電気不導性かつイオン伝導性の 材料を含んでいる; を含み、そしてレドックス反応が前記第一及び第二電極の表面だけで起こる、キ ャパシターに関する。 図面の簡単な説明 図1は本発明のキャパシターの概略図である。 図2はスタック構成における図1のキャパシターの概略図である。 図3は図1のキャパシターの巻いたロール構成の概略図である。 図4は未処理のグラファイチックナノファイバー又は酸化されたグラファイチ ックナノファイバーどちらかから造った対称電極を使用しての0.05Mの硫酸 中でのサイクリックボルタンメトリー(CV)曲線を示すグラフである。 図5はキャパシターの電気的性能を表す等価回路図である。 発明の詳細な説明 用語の定義 用語「官能基」は、それらが結合した化合物又は物質に特徴的な化学的及び物 理的性質を与える原子団を称する。「官能化された」表面は、炭素による電子輸 送のために及び電解質の中でのイオンとの相互作用のために利用可能であるよう に化学種が吸着又は化学結合されたカーボン表面を称する。本発明と典型的に関 連する官能基としては、限定されるものではないが、−SO3、−R’COX、 −R’(COOH)2、−CN、−R’CH2X、=O、−R’CHO、−R’C Nが挙げられ、R’は炭化水素基であり、そしてXは−NH2、−OH又はハロ ゲンである。 「グラフェニック」カーボンは、炭素原子の各々が、六角形の縮合環(複数) を形成する本質的に平面の層の中の3つの他の炭素原子と結合しているカーボン の形態である。層は直径に数個の環があるだけの小さな板状体である、又はそれ はリボンであってもよく、長さ方向には多数個の環があるが、巾方向には数個の 環しかない。層間の関係には秩序がなく、殆どが平行でない。層間の空間の多く は電気化学キャパシターにとって有効な細孔である。 「グラファイチック」カーボンにおいては、層は本質的に互いに平行であり且 つ3.6Å以下の間隔である。 用語「微小孔」は、少なくとも一つの次元が小さ過ぎて二重層の形成又はファ ラダイック過程又はイオン拡散を許さないが窒素の吸着(BETを利用可能)を なお許す細孔を称する。 用語「ナノファィバー」、「ナノチューブ」及びフィブリルは、互いに交換可 能に使用されている。各々は、1μ未満の横断面(例えば、角のある角張ったフ ァイバー)又は直径(例えば、丸い)を有する細長い構造体を称する。構造体は 中空又は中実どちらであってもよい。 用語「ポリマー」は、多数の既知の方法のいずれかによってモノマーから形成 された高分子量の物質を称する。 用語「細孔」は、被覆された又は被覆されないナノファイバーの表面における 開口又は陥凹を称する。 用語「プソンドキャパシタンス」及び「ファラダイックキャパシタンス」は、 互いに交換可能に使用される。 用語「熱分解」は、熱だけの適用によって起こった物質の中の化学的変化を称 する。 用語「比較的に」は、物理的性質の値の95%が平均値の±50%の範囲内に あることを意味する。 用語「実質的に」は、物理的性質の値の95%が平均値の±10%の範囲内に あることを意味する。 用語「表面積」は、BET技術により測定可能な物質の全表面積を称する。 用語「薄い被覆層」は、ナノファイバー上に付着した伝導性の非金属性物質の 層を称する。代表的には、薄い被覆層は被覆用ポリマー物質の適用とその後のポ リマーの熱分解とによって付着されたカーボン層である。 本発明並びに他の目的及びその特徴は、或る好ましい態様についての下記の記 載から更に明確かつ完全に理解されるであろう。 図を引用すると、図1には、本発明の基本的なキャパシター構造(セル)の横 断面を示されている。官能化されたナノファイバーのマット1A及び1Bは2つ の別個の導体プレートメッシュ2に結合されて、100m2/gより大きい又は 好ましくは200m2/gより大きい高い表面積を有する2つの官能化されたナ ノファイバー電極4A及び4Bを形成する。導体プレートメッシュ2は金やアル ミニウム等のような金属シート、又は細孔が官能化されたナノファイバー又は官 能化されたナノファイバーメッシュで充填されているカーボンファイバーペーパ ーのようなカーボンシートであることができる。好ましくは、電極の寸法は長さ 及び巾が約5〜10cmであり、そして高さが約1cmである。 2つの官能化されたナノファイバー電極4Aと4Bは、あらゆるイオン伝導性 電解質(水性又は非水性)であることができる多孔性隔離板3によって隔離され ている。各層は互いに緊密に接触しており、そして電解質は官能化されたナノフ ァイバーのマットの細孔に完全に満ち溢れている。官能化されたナノファイバー のマット1A及び1Bは好ましくは、代表的には直径が100Åで長さが数μで あるフィブリルから形成されている。グラファイト同様、フィブリルは炭素原子 の平行な層から構成されているが、平坦なグラファイトシートの多層としてでは なくファイバーの長軸のまわりに配列した一連の同軸チューブの形態にある。グラファイチックナノチューブ ナノファイバーは電気化学キャパシターの中に様々な幾何学的形態で使用され てもよく、分散体として、集合体として、マット又はフィルムとして、大きな支 持体に付着されたもの、又は他の材料と混合されそして複合体として使用される ものも包含される。ナノファイバーは主として、化学的に改変可能なグラファイ チックカーボンからなる。それらは一般に、0.1μm以下の直径及び少なくと も5の長さ/直径比を有する。代表的には、0.01μmの直径と1〜10μm の長さを有する。 1970年代から、ナノファイバー及びフィブリルは様々な応用にとって興味 ある材料として確認されてきた。サブミクロンのグラファイチックナノファイバ ーはしばしば、気相成長カーボンファイバーと呼ばれている。カーボンナノファ イバーは直径が1.0μ未満、好ましくは0.5μ未満、より好ましくは0.2 μ未満であるバーミキュラーカーボンデポジット(vermicular carbon deposit )である。それらは様々な形態で存在しており、そして様々な炭素含有気体を金 属表面において接触分解することを通して製造されてきた。かかるバーミキュラ ーカーボンデポジットはほとんど電子顕微鏡の出現以来観察されてきた。優れて 早い時期の調査及び資料はベーカーとハリスの著作カーボンの化学と物理、ウォ ーカー アンド スローワー出版、第14巻、1987年、第83頁(Baker an d Harris,Chemistry and Physics of Carbon,Walker and Thrower ed.,Vol. 14,1978,p.83)の中に見いだせる。また、N.ロドリゲズ、ジェーナル オ マテリアルズ リサーチ 、第8巻第3233頁(1993年)(Rodriguez,N. ,J .Mater.Research, Vol.8,p.3233(1993))を参照。 1976年には、エンドー等はかかるカーボンフィブリルが成長する基本的メ カニズムを明らかにした(A.オベリンとM.エンドー、ジャーナル オブ ク リスタリル グロウス 、第32巻(1976年)第335〜349頁(Obelin,A .and Endo,M.,J .of Crystal Growth, Vol.32(1976),pp.335-349)を参照) 。それらは、炭化水素含有気体の存在下で炭素の中に過飽和されていく金属触媒 粒子から発生することがわかった。円筒状の秩序化したグラファイチックコアが 押し出され、それはエンドー等によれば直ちに熱分解付着グラファイトの外層に よって被覆されてしまう。熱分解オーバーコートを有するこれらフィブリルは典 型的に0.1μを越す直径を有し、より典型的には0.2〜0.5μの直径を有 する。 1983年に、テナント(Tennent)の米国特許第4,663,230号は、熱 分解炭素によって汚染されていない円筒状の秩序化したグラファイトコアを成長 させることに成功した。従って、テナントの発明はより小さな直径の代表的には 35〜700Å(0.0035〜0.070μ)のフィブリルおよび秩序化した 「成長したままの」グラファイチック表面の入手を提供した。それよりも完全で ない構造ではあるがやはり熱分解炭素を含有しないフィブリル性カーボンも成長 した。 フィブリル、バッキーチューブ及びナノチューブは、強化材として商業的に入 手可能な連続した炭素繊維とは区別することができる。大きいことが望ましいが 不可避的に有限のアスペクト比を有するフィブリルとは対照的に、連続炭素繊維 はアスペクト比(L/D)が少なくとも104、しばしば106又はそれ以上であ る。連続繊維の直径もまた、フィブリルのそれよりもはるかに大きく、常に、> 1.0μであり、代表的には5〜7μである。 連続炭素繊維は、有機の前駆体繊維、通常、レーヨン、ポリアクリロニトリル (PAN)及びピッチ、の熱分解によって製造される。従って、それらはその構 造内にヘテロ原子を包含するかも知れない。「製造したままの」連続炭素繊維の グラファイチック特性は変化するが、それら繊維は後続のグラファイト化工程を 受けてもよい。存在するとしてもグラファイト面のグラファイト化度、配向及び 結晶化度における相違や、可能性のあるヘテロ原子の存在や、更に基質直径にお ける絶対的相違は、連続繊維での経験をしてナノファイバー化学の予測を乏しい ものにしている。 テナントの米国特許第4,663,230号には、連続したサーマルカーボン のオーバーコートを含有しない且つフィブリル軸に実質的に平行な多数のグラフ ァイチック外層を有するカーボンフィブリルが記載されている。そういうものと して、それらはそれらのc軸、即ち、それらの円筒軸に対して実質的に垂直な、 グラファイトの湾曲層の接線に垂直である軸、を有するとして特徴付けられるか も知れない。それらは一般に、0.1μより大きくない直径と、少なくとも5の 長さ/直径比を有している。望ましくは、それらは連続したサーマルカーボンの オーバーコートすなわち製造に使用した供給気体の熱分解から生じた熱分解付着 炭素を実質的に含有しない。 テナントの米国特許第5,171,560号には、サーマルオーバーコートを 含有しないで、そしてフィブリル軸に実質的に平行なグラファイチック層を有し ていて、前記フィブリル軸上の前記層の突起が少なくとも2つのフィブリル直径 の距離分延びている、カーボンフィブリルが記載されている。代表的には、かか るフィブリルは実質的に一定直径の実質的に円筒状のグラファイチックナノファ イバーであり、そしてそれらのc軸がそれらの円筒軸に実質的に垂直であるとこ ろの円筒状のグラファイチックシートからなる。それらは熱分解付着炭素を実質 的に含有せず、0.1μ未満の直径と5より大きい長さ/直径比を有する。これ らのフィブリルは本発明において第一に関心がもたれるものである。 カーボンフィブリルの形成に関する更なる詳細は、スナイダー(Snyder)等の1 988年1月28日出願の米国特許出願第149,573号及び1989年1月 28日出願のPCT出願第US89/00322号(「カーボン フィブリルズ 」)WO第89/07163号、及びモイ(Moy)等の1989年9月28日出願 の米国特許出願第413,837号及び1990年9月27日出願のPCT出願 第US90/05498号(「フィブリル集合体とその製造法(Fibril Aggregat es and Method of Making Same)」)WO第91/05089号、の開 示の中に見いだすことができ、それら出願のいずれもが本発明と同じ譲受人に譲 渡されている。 モイ等の1992年5月22日出願USSN 07/887,307号には、 互いに無作為に絡み合わされてバードネスト(bird nest)(「BN」)に似た絡 み合ったフィブリルの球を形成していて(走査電子顕微鏡によって測定したとき に)多様な巨視的形態を有している集合体として製造されたフィブリル;又は、 実質的に同じ相対配向を有しそしてコーマヤーン(combed yarn)(「CY」)の 外観を有する真っ直ぐな又は僅かに曲がった又はよじれたカーボンフィブリルの 束からなる集合体として製造されたフィブリル、例えば、各フィブリルの長軸は (個々の曲がり又はよじれにもかかわらず)束の中の周りのフィブリルの方向と 同じ方向に延びている;又は、互いにゆるく絡み合わされて「オープンネット」 (open net)(「ON」)構造を形成している真っ直ぐ乃至僅かに曲がった又はよ じれたフィブリルからなる集合体として製造されたフィブリル;が記載されてい る。オープンネット構造では、フィブリルの絡み度合はコーマヤーン集合体(そ こでは個々のフィブリルは実質的に同じ相対配向を有する)で観察されるものよ りも大きいが、バードネストのものよりも小さい。CY集合体及びON集合体は BNよりも容易に分散されるので、構造体全体を通して均一な性質が要望される 複合体加工においてそれらを有効ならしめる。 フィブリル軸上のグラファイチック層の突起がフィブリル直径2つ分より小さ な距離延びている場合には、横断面におけるグラファイチックナノファイバーの 炭素面はヘリングボーン(herring bone)外観を帯びる。これらはフィッシュボ ーンフィブリルと称される。ゲウス(Geus)の米国特許第4,855,091号 は、熱分解オーバーコートを実質的に含有しないフィッシュボーンフィブリルを 製造する方法を提供する。これらフィブリルも本発明の実施に有効である。 上記の触媒作用で成長したフィブリルに似た形態のカーボンナノチューブが、 高温炭素アークの中で成長された(イイジマ、ネーチャー第354巻第56頁、 1991年(Iijima,Nature 354 56 1991)。これらアーク成長ナノファイバーは テナントの当初の触媒作用で成長したフィブリルと同じ形態を有することが今や 一般に受け入れられている(ウィーバー、サイエンス第265巻、1994年 (Weaver,Science 265 1994)。アーク成長カーボンナノファイバーも本発明に有 効である。 フィブリルはS.イイジマのネーチャー第354巻第56頁(1991年)及 びS.イイジマとT.イチハシとY.アンドーのネーチャー第356巻第776 頁(1992年)によって報告されたナノチューブに似た寸法及び形態を有して おり、電気アークプロセスによって製造され、そして最近ではS.アマリンクス (Amelinckx)等によって触媒作用で製造された:サイエンス第265巻第635 頁(1994年)。 アーク成長細管とは対照的に、気相成長フィブリル性カーボンは無定形カーボ ンで汚染されていない自由流動性の集合体又はその他のグラファイチック非チュ ーブ構造体として製造される。集合体の多孔度は非常に高い。これら集合体は分 散されることができ、そしてフェルトファイバーマットに似た互いに連結された フィブリルナノチューブからなるマクロ構造体に再集合されることができる。 カーボンナノチューブは酸素含有基の高い表面濃度を生じるように酸化される ことができる(1990年11月29日にWO第90/14221号として公開 されたベニング(Bening)等のPCT/US90/02667号;T.マッカーシ ー(McCarthy)とR.ベニングの、ポリマー プレプリント(Polymer Preprints )第30巻第1号第420頁(1990年))。これら酸化されたナノチューブ は極性溶媒の中に容易かつ高度に分散可能であり、そして約1.0g/ccのよ うな高い密度をもつマットを形成する。また、それらの酸性官能基は通常の有機 反応によって実質的にあらゆる所望の第二の官能基に変換可能であり、それによ って広範囲の表面親水性又は疎水性を与える。 フィブリルは電気伝導性である。個々のフィブリルの導電率は測定するのが難 しいが、一つの試み(1994年のサンフランシスコでのMRS会議で呈示され たG.ホワイトサイデスとC.S.ワイスバッヘルの「個々のカーボンナノチュ ーブの導電率の測定」(Whitesides,G.and Weisbacher,C.S.,"Measurement of the Conductivity of Individual Carbon Nanotubes"))は、 9.5(±4.5)×10-3Ωcmの値の推定抵抗率、即ち、グラファイト化炭素 について典型的に測定されたものより僅かに高い抵抗率、を生じた。マット電極 状に圧縮した場合、温度の関数としての抵抗率の丁寧な測定は、室温において、 24×10-3Ωcmの値を示す。 その小さな直径故に、フィブリルはBET測定によって測定したとき約200 m2/gの表面積を有する。表面積のこの値は平均フィブリル寸法に基づく計算 によっても到達できる。計算とBET測定の間のこの一致は、200m2/gが フィブリルの外表面上の全部であることを実証している。フィブリルマット電極 1A及び1Bの分析の電気化学的作用は、フィブリル表面積の全部が電気化学プ ロセスのために利用可能であることを実証している。例えば、フィブリルマット 電極の二重層帯電容量はフィブリルマット密度の広範囲にわたって、電極の中の フィブリルの質量と共に直線的に変動する。 一態様においては、電極4Aと4Bは対称拡散二重層キャパシターを形成する ために同じである。言い換えれば、フィブリルマット1Aと1Bは対称電極を形 成するために同じ官能基によって官能化されている(又は同じように酸化されて いる)。極めて小さな有効プレート隔離を形成する拡散二重層は電圧を適用され たときに電極-電解質界面に自然に発生する。従って、分極二重層は電荷を分離 する数百万個の薄いプレートからなる各電極にて形成される。 図4のサイクリックボルタンメトリー(CV)曲線は未処理のナノファイバー 電極の挙動と硝酸で酸化されたものからなる電極の挙動との間の大きな相違を示 している。未処理のナノファイバー電極を使用した曲線Aの矩形の形状は、純粋 に静電容量的な二重層帯電の特徴である。フィブリルマット1A及び1Bの中の 細孔は電荷を分離する数百万の薄い「プレート」として作用するので、「プレー ト」間の間隔が最小である間は「プレート」の総面積が最大になる。二重層キャ パシタンスは硝酸で酸化されたフィブリルのCVに約44μF/cm2寄与する。 ファラダイックプロセスは硝酸で酸化されたフィブリルを使用したCV曲線Bの 非矩形の形状によって示される。図4は硝酸で酸化されたフィブリルが二重層寄 与に匹敵する大きなプソイドキャパシタンスを有することを示している。 電気化学キャパシターでのナノファイバーの有用性の直接表示は、硫酸電解質 中での酸化ナノファイバー電極のACキャパシタンスの測定から生じる。図1の デバイスは約1.0g/ccの密度を有する酸化(官能化)ナノファイバーマット から造った電極を用いて集成した。キャパシタンスと等価直列抵抗(ESR)は 方法DOD−C−29501に従って、65×103〜10-3Hzの周波数範囲 にわたって0ボルトと1.0ボルトのバイアスで10ミリボルトのAC信号を使 用して室温で測定した。要約すると、低周波数、0ボルトのバイアスで3.23 Fのキャパシタンスが測定され、それは酸化された電極のナノファイバーについ ての86F/gのキャパシタンスに相応している。このデバイスは、0ボルトの バイアスでは約2Hzまでは及び1ボルトのバイアスでは約4Hzまでの周波数 では理想的な静電容量挙動を示した。等価直列抵抗は約0.1Ωであった。 測定されたキャパシタンスが有意なファラダイック成分を含有すると考えられ る幾つかの理由が存在する: 1) 1ボルトのバイアス電位における測定キャパシタンスは0ボルトにおけ るそれの約半分である。 2) 図4に示されるようなサイクリックボルタンメトリー。 3) カーボンの「代表的」表面キャパシタンスは10〜40μF/cm2に及 ぶが、基底面グラファイトのキャパシタンスはたった3μF/cm2であると測定 されている(J.P.ランディンとE.イエーガー、ジャーナル オブ エレク トアナリナィカル ケミストリー第36巻第257頁(1972)(Randin,J. P.and Yearger,E.,J.Electroanal.Chem.36,257(1972));J.P.ラン ディンとE.イエーガー、同書の第58巻第313頁(1975));ナノチュ ーブの表面は主として基底面グラファイトであると予想されるのである。 ナノファイバー系電気化学キャパシターの基本的利点が存在する。 第一に、図4のサイクリックボルタンメトリーに示されているように、全体的 に微小孔が存在しないので200m2/gにわたって異常に利用可能な表面が提 供される。従って、求めるものは、大抵の炭素系電極に特有のより大きい比表面 積のより劣悪な利用に比べて200m2/gの100%利用である。 また、高エネルギー密度の電気化学キャパシターデバイス用に電気接続(図示 されてない)によって互いに接合されてもよいマルチセルスタック10(図2) を形成するために、図1のキャパシターセルを反復することにより、似た層をも つ電極と隔離板から構成される追加のセルを造りだすことができる。個々のキャ パシター電極は、図2に図解されているように、電気不導性であるがイオン伝導 性の隔離板3によって互いに電気的に絶縁されている。セル内電圧差を維持する ためには電気不導性は欠くことが出来ない。加えて、隔離板3はイオン伝導、電 気化学キャパシターの内部抵抗の主な成分、を促進するのに十分な多孔性でなけ ればならない。 セルを積み重ねてマルチセルスタック10をつくる代わりに、電極を長くし、 そして高エネルギー密度の電気化学キャパシターデバイスを提供するために図3 に示されているように「ゼリーロール」20の状態に巻くことができる。 好ましくは、「ゼリーロール」20においては、電極は長さが約100cmで あり、そして巾が約5cmである。 加えて、ナノファイバーの段階でファラダイック寄与を改変するためにナノフ ァイバーを表面処理することができ次いで簡単な濾過によって電極マットの状態 に集成することができるという能力が存在する。このことは一度形成されたら本 質的に誘導体化することが難しいエーロゲルやその他の高い表面積の炭素とは対 照的である。 本発明の別の態様によれば、電極は熱分解炭素質ポリマーの非常に薄い多孔性 層で被覆されているナノファイバーから構成されてもよい。それから、薄いポリ マー層に熱を適用してポリマーの非炭素成分を熱分解し、それによってポリマー の中の以前これら非炭素成分があったところに「細孔」が残される。非炭素ポリ マー成分の熱分解によって残された細孔は増加した表面積を効率的に生み出す。 ナノファイバーの有効表面積は「活性化」として知られるプロセスにより更に増 加させてもよい。かかる高表面積ナノファイバーとその製造方法はハワード テ ナント(Howard Tennent)とデービッド モイ(David Moy)とチュン‐ミングニウ( Chun-Ming Niu)による「高表面積ナノファイバー、その製造方法、その使用方法 及びそれを含有する製品(High Surface Area Nanofibers,Methods of Making, Methods of Using and Products Containing Same)」と題する同時出願された暫 定出願第 号(CMS包袋番号370077−3630)に記載され ており、それは本願明細書の中に組み入れられる。 理想的には表面基だけが関与するので、充電/放電の事象は急速であり、物理 的不安定につながるかも知れない過剰の分子転位反応は回避される。従って、バ ッテリーのメカニズムとエネルギー密度の状況を侵害する間に、電気化学キャパ シターのパワー密度と寿命の利点は維持される。 本発明の更に別の態様によれば、電極は互いにより合わされたカーボンナノフ ァイバーからなる硬質の多孔性構造の形態にあるナノファイバーから成ってもよ い。ナノファイバーが結合を形成するようにするか又はファイバーの交叉点で他 のナノファイバーと接着されるようにすることによってナノファイバーの硬さは 改良される。結合は、ナノファイバーの表面を結合を促進するように化学的に改 変することにより、「接着」剤を添加することにより及び/又はナノファイバー を熱分解して連結点で融合又は結合を起こさせることにより、誘発させることが できる。かかる構造とその製造方法は、ハワード テナント(Howard Tennent) とデービッド モイ(David Moy)とチュン‐ミング ニウ(Chun-Ming Niu)による 「硬質の多孔性カーボン構造、その製造方法、その使用方法及びそれを含有する 製品(Rigid Porous Carbon Structures,Methods of Making,Methods of Using and Products Containing Same)」と題する同時出願された米国暫定出願第 号(CMS包袋番号370077−3480)に記載されており、それ は本願明細書の中に組み入れられる。 本発明の更に別の態様によれば、異なるレドックス電位をもつ2つの電極4A 及び4Bが使用される。言い換えれば、ナノファイバーマット1A及び1Bの各 各は異なる官能基によって官能化されて異なるファラダイック特性をもつ非対称 電極を形成する。有利には、ナノファイバー電極の一方はゼロ(標準水素電極、 NHE)に近いレドックス電圧を有する。 かかる非対称ファラダイックプソイドキャパシターは初期電圧がその官能基の レドックス電位の差であるときには純粋な二重層キャパシターのエネルギーの4 倍まで蓄積することができる。これは、二重層キャパシターの平均電圧がその初 期電圧の半分であり放電すると0ボルトになるからであり且つ二重層キャパシタ ーデバイスの2つの電極が直列に連結した2つの別個のキャパシターとして作用 するからである。従って、各々にかかる電圧はデバイス電圧のたったの半分であ る。 レドックス電位の差が1ボルトである表面基を担持し、デバイス重量の50% が電極重量であると推定し、そして表面炭素6個当たり1個の官能基の負荷を有 する2つの200m2/gの電極は、15Wh/Kgの比エネルギーを達成するであろ う。より高い表面積では、より低い負荷ですむであろう。 電極がデバイス重量の50%を構成すると仮定し、1ボルトで測定した等価直 列抵抗に基づいて、3350W/Kgのピークパワーが算出される。 フィブリルの比キャパシタンスは次の2つの方法で数倍に増加する:(1)高 濃度のレドックス基によって官能化することができる熱分解炭素質ポリマーの非 常に薄い多孔質層で被覆することによって有効表面積を増加させる;及び(2) その中に(別個に)強い酸化又は還元電気を有するかかる基を組み入れる。理想 的には、コンベンショナルバッテリーと違って、電極の表面での又は表面近くで のレドックス反応は相変化を伴わない。コンベンショナルバッテリーでは、一つ の酸化状態から別の酸化状態への転化は一つの相の実質的に全てが別の相に転化 されるまで理想的には唯一の電位で進行する(B,E.コンウェイの「電気化学 エネルギー蓄積における‘スーパーキャパシター’から‘バッテリー’への挙動 の転移」、ジャーナル オブ エレクトロケミカル ソサイエティ第138巻第 6号、1991年6月(B.E.Conway"Transition from’Supercapacitor’to'Bat tery' Behavior in Electrochemical Energy Storage,"J.Electrochem.Soc. Vol.138,No.6,June 1991)を参照、これは本願明細書中に組み入れられる)。 本質的に、これは純粋キャパシターと再充電可能なバッテリーの間のハイブリッ ドをもたらすであろう。 好ましくは、酸化用半電池(half cell)は酸化されたナノファイバーに観察さ れるプソンドキャパシタンスの原因となると考えられるキノン/ヒドロキノン対 である。もう一方の半電池は好ましくは、第4級化芳香族アミン類、又はメルカ プタン‐ジスルフィド対を含有する: 好ましくは、これら基を含有するポリマーは芳香環のラダーである: 炭素質ポリマーはアセチレンの酸化カップリングと環化によって形成される。 含窒素ラダーはシアノゲンの重合によって又は炭素質ポリマーの熱分解脱水素と その後のN2との反応によって形成される(G.アーリ著炭素の素平衡化学、ワ イリー、NY、1989年(Urry,G.,Elementary Equilibrium Chemistry ofCa rbon ,Wiley,NY 1989))。ポリマーは既知の芳香族反応によって又は熱分解脱 水素とその後のO2同上の書物)、S2又は官能化されたアセチレンとの反応に よって官能化される。 概括的には、粒子は官能化されたナノファイバー、即ち、その表面が一つ又は それ以上の物質と反応又は接触してその上に様々な化学種の化学的置換又は物理 的吸着のための活性サイトを付与されているナノファイバーである。 マッカーシー等の1989年5月15日出願の米国特許出願第351,967 号には、カーボンフィブリルの表面を酸化するための方法が記載されており、そ こには、フィブリルの表面を酸化するのに十分な条件(例えば、時間、温度、及 び圧力)下でフィブリルを酸化剤(硫酸H2SO4や塩素酸カリウムKClO3も 包含される)と接触させることも包含されている。マッカーシー等の方法に従っ て酸化されたフィブリルは不均一に酸化されており、即ち、炭素原子はカルボキ シル、アルデヒド、ケトン、フェノール性の及びその他のカルボニル基の混合物 によって置換されている。 ナノファイバーは硝酸による処理によっても不均一に酸化されてきた。国際出 願PCT/US94/10168号は官能基の混合物を含有する酸化フィブリル の形成を開示している。M.S.ホウゲンバード(Hoogenvaad)等も(1994 年、ベルギー、ブリュッセルにおける、不均一触媒の製造のための科学的基礎に ついての第6回国際会議(Sixth International Conference on Scientific Bas is for the Preparation of Heterogeneous Catalusts)で呈示した「新規炭素 支持体に支持された金属触媒(Metal Catalysts supported on a Novel Carbon S upport)」)、フィブリルに支持された貴金属の製造においてはフィブ リルをまず硝酸で酸化することが有益であることを見いだした。酸によるかかる 前処理は炭素で支持された貴金属触媒の製造においては標準的な工程であり、か かる炭素の通常の源を与えられたときに、望ましくない材料の表面を清浄にする のと同じように、それを官能化することは有益である。 公開された研究において、マッカーシーとベニングは(ポリマー プレプリン ト ACS デビジョン オブ ポリマー ケミストリー 第30巻 第1号第 420頁(1990年))、表面が様々な酸化された基から構成されたことを実 証するために酸化フィブリルの誘導体を製造した。彼らが製造した化合物、フェ ニルヒドラゾン類、ハロ芳香族エステル類、第一タリウム塩、等々は、それらの 分析有用性、例えば、鮮やかに着色すること、又は何らかのその他の強度及び容 易に同定され区別されるしるしを有することを理由に、選ばれた。官能化されたナノファイバー 有利には、ナノファイバーは官能化されたナノファイバー、即ち、それらに関 連した官能性化学成分を有するように表面が均一又は不均一に修飾されているナ ノファイバー、である。ナノファイバー表面は酸化剤又はその他の化学物質との 反応によって官能化されてもよい。ナノファイバー表面は化学反応によるか又は 化学反応性をそれ自体有する種の物理吸着によるかどちらかによって均一に修飾 されてもよい。ナノファイバー表面は例えば酸化によって修飾されてもよいし、 そして他の官能基との反応によって更に修飾されてもよい。ナノファイバー表面 はナノファイバーが様々な基質の中の化学基に化学的に反応又は物理的に結合す ることができるように官能基のスペクトルによって修飾されてもよい。 ナノファイバーの複合体構造はフィブリル上の官能基を或る範囲のリンカーの 化学作用によって互いに連結させることによって得られる。 ナノファイバーはキャパシターの諸性質を向上させるように官能化されてもよ い。官能化されたナノファイバー及びその製造方法は、1994年12月8日出 願の、官能化されたナノチューブ(FUNCTIONALIZED NANOTUBES)、に関する米国 特許出願第08/352,400号に記載されており、それは本願明細書中に組 み入れられる。このナノファイバーは、次の式を有する好ましく官能化されたナ ノファイバーである: 式中、 nは整数であり、Lは0.1nより小さい数であり、mは0.5nより小さい 数であり、 Rの各々は同一であって、 から選ばれ、 yは3以下の整数であり、 R’はアルキル、アリール、ヘテロアルキル、シクロアルキル、アラルキル又 はヘテロアラルキルであり、 R”はフルオロアルキル、フルオロアリール、フルオロシクロアルキル、フル オロアラルキル又はシクロアリールであり、 Xはハライドであり、そして Zはカルボキシレート又はトリフルオロアセテートである。 炭素原子、Cnは、ナノファイバーの表面炭素である。 ナノファイバーには、不均一に置換されたナノファイバーも包含される。また 式 (式中、n、L、m、R’及びRは上記と同じ意味を有する) を有する官能化されたナノファイバーも包含される。 均一に置換されているナノファイバー及び不均一に置換されているナノファイ バーどちらにおいても、表面炭素Cnは反応されている。グラファイチックナノ ファイバーの表面層の中の大抵の炭素原子は、グラファイトにおいてそうである ように、基礎面炭素である。基礎面炭素は化学的攻撃に対して比較的不活性であ る。欠陥サイトには、例えば、グラファイト面がナノファイバーの周りに十分に 延びることに失敗したところには、グラファイト面のエッジ炭素原子に類似した 炭素原子が存在する(エッジ炭素及び基礎面炭素に関する議論については、アー リ著、炭素の素平衡化学、ワイリー、NY、1989年(Urry,Elementary Equ ilibrium Chemistry of Carbon,Wiley,New York 1989)を参照)。 欠陥サイトにおいては、ナノファイバーのもっと下の内層のエッジ又は基礎面 の炭素が露出しているであろう。用語、表面炭素はナノファイバーの最外層の基 礎面とエッジの全炭素ばかりでなく、最外層の欠陥サイトにおいて露出する下層 の基礎面及び/又はエッジどちらの炭素をも包含する。エッジ炭素は反応性であ り、そして炭素原子価を満たすために若干のヘテロ原子又は基を含有しなければ ならない。 上記の置換ナノファイバーは有利には更に官能化されてもよい。かかる組成物 には、式 〔式中、炭素はナノファイバーの表面炭素であり、n、Lおよびmは上記の通り であり、 Aは から選ばれ、 Yは、タンパク質、ペプチド、酵素、抗体、ヌクレオチド、オリゴヌクレオチ ド、抗原、又は酵素基質、酵素阻害物質又は酵素基質の遷移状態類似物、の適切 な官能基であり、又は から選ばれ、 そしてwは1より大きくかつ200より小さい整数である〕 の組成物が包含される。 構造 の官能性ナノファイバーは、式 を有する組成物を生成するように官能化されてもよい。式中、n、L、m、R’ およびAは上記定義通りである。 本発明の粒子としては、或る種の環式化合物が吸着されているところのナノフ ァイバーも挙げられる。これらには、式 (式中、nは整数であり、Lは0.1nより小さい数であり、mは0.5nより 小さい数であり、aはゼロであるか又は10より小さい数であり、Xは多核芳香 族、ポリヘテロ核芳香族またはメタロポリヘテロ核芳香族の成分であり、そして Rは上記の通りである) の物質の組成物が包含される。 好ましい環式化合物は、コットンとウィルキンソンのアドバンスド オーガニ ック ケミストリー(Cotton and Wilkinson,Advanced Organic Chemistry)の7 6頁に記載されている通りの平面状の巨大環式化合物である。吸着にとってより 好ましい環式化合物はポリフィリン類およびフタロシアニン類である。 吸着された環式化合物は官能化されてもよい。かかる組成物としては、式 (式中、m、n、L、a、XおよびAは上記定義通りであり、そして炭素は上記 の通り実質的に円筒状のグラファイチックナノファイバーの表面炭素である) の化合物が挙げられる。 上記のように官能化されたカーボンナノファイバーはマトリックスの中に組み 入れられてもよい。好ましくは、マトリックスは、有機重合体(例えば、熱硬化 樹脂、例えば、エポキシ、ビスマレイミド、ポリアミド、またはポリエステル樹 脂;熱可塑性樹脂;反応射出成形樹脂;又はエラストマー、例えば、天然ゴム、 スチレン−ブタジエンゴム、またはシス−1,4−ポリブタジエン);無機重合 体(例えば、ポリマー性無機酸化物、例えばガラス)、金属(例えば、鉛または 銅)、またはセラミック材料(例えば、ポルトランド セメント)である。 官能基は、カーボンナノファイバーと強い酸化剤とを、前記ナノファイバーの 表面を酸化するのに十分な時間接触させ、そして更に前記ナノファイバーを酸化 表面に官能基を付加するのに適する反応体と接触させることによって、カーボン ナノファイバーの表面に導入されてもよい。好ましくは、酸化剤は強酸中のアル カリ金属塩素酸塩の溶液からなる。別の態様においては、アルカリ金属塩素酸塩 は塩素酸ナトリウム又は塩素酸カリウムである。好ましい態様においては、使用 される強酸は硫酸である。酸化のために十分な時間は約0.5時間〜約24時間 である。 カーボンナノファイバーの網目構造は、カーボンフィブリルと酸化剤を十分な 時間接触させてカーボンナノファイバーの表面を酸化し、この表面酸化されたカ ーボンナノファイバーをカーボンナノファイバーの表面に官能基を付加するのに 適する反応体と接触させ、そしてこの表面官能化されたナノファイバーをカーボ ンナノファイバーの網目構造を生成するのに有効な架橋剤と更に接触させること をによって、製造される。好ましい架橋剤はポリオール、ポリアミンまたはポリ カルボン酸である。 官能化されたナノファイバーはナノファイバーの硬質網目構造の形態であって もよい。酸官能化ナノファイバーのよく分散された三次元網目構造は、例えば、 酸基(インター‐フィブリル)をポリオールまたはポリアアミンによって交叉結 合させて硬質網目構造を形成することによって安定化されてもよい。 ナノファイバー粒子としては、本発明の官能化されたナノファイバーを連結す ることによって形成された三次元網目構造も挙げられる。これら複合体として、 直接結合又は化学成分からなる一つ又はそれ以上のリンカーによって連結された 少なくとも2つの官能化ナノファイバーが挙げられる。これらの網目構造は顕著 に一様な均等な孔径の多孔質媒体を構成する。 これらのナノファイバーの間の隙間は大きさ及び形状どちらにおいても不規則 であるが、細孔として考えることができ、そして多孔質媒体を特徴付けるのに用 いられる方法によって特徴付けることができる。かかる網目構造の中の隙間の大 きさは、ナノファイバーの濃度及び分散度、及び架橋剤の濃度及び鎖長によって コントロールすることができる。 各々の場合に、ナノファイバーの表面に関連する官能基を付与するように、ナ ノファイバーの表面を化学的に修飾する方法及びナノファイバーの表面に種を物 理的に吸着させる方法を説明する。 ナノファイバーを官能化する方法 本発明の官能化されたナノファイバーはスルホン化や、脱酸素されたナノファ イバー表面への求電子付加や、メタレーションによって直接製造できる。アーク 成長ナノチューブを使用する場合には、官能化に先立って長大な精製を必要とす るかも知れない。エバスン等(ネーチャー第367巻第519頁(1994年)) (Ebbesen et al.(Nature 367 519(1994))は、かかる精製のための手順を与えて いる。 好ましくは、カーボンナノファイバーはそれらを官能化剤と接触させる前に加 工される。かかる加工はナノファイバーを溶剤中に分散させることを包含するで あろう。場合によっては、それから、カーボンナノファイバーは更なる接触に先 立って濾過され乾燥される。 1.スルホン化 背景技術は次の文献に記載されている:J.P.マーチ、アドバンスド オー ガニック ケミストリー、第3版、ワイリー、ニューヨーク、1985年;H. ホウス、モダーン シンセティック リアクションズ、第2版、ベンジャミン/ カミングズ、メンロパーク、CA州、1972年(March,J.P.,Advanced Organ ic Chemistry,3rd Ed.,Wiley,New York 1985;House,H.,Mordern Synthetic Reactions,2nd Ed.,Benjamin/Cummings,Menlo Park,CA 1972)。 活性化されたC−H(芳香族のC−Hも含まれる)結合はSO3を20%ま で含有する濃硫酸の溶液である発煙硫酸(oleum)を使用してスルホン化すること ができる。通常の方法は発煙硫酸を使用してT〜80℃の液相によってである; しかしながら、活性化されたC−H結合は不活性な非プロトン性溶媒中のSO3 又は気相中のSO3を使用してスルホン化することも可能である。反応は次の通 りである: 過剰反応は次の反応に従ってスルホンの生成を生じる: 製造A SO3を使用してのC−H結合の活性化 反応は気相中と溶液中で行い、結果に有意差を生じなかった。気相反応はリン ドバーグ炉によって加熱された水平アルミナ管反応器の中で行った。気体流入/ 流出管を装着した、濃硫酸中の20%SO3を含有する多口フラスコを、SO3源 として使用した。 磁製ボートの中のフィブリル(BNまたはCC)の秤量試料を、気体導入口を 備えた1″管の中に入れた;流出口は濃硫酸バブラートラップ(bubbler trap) に接続した。反応器全体にアルゴンを20分間フラッシュして全空気を除去し、 そして試料を300℃に1時間加熱して残留水分を除去した。乾燥後、アルゴン 下で温度を反応温度に調節した。 所定温度が安定化したら、SO3源を反応管に接続し、そしてアルゴン流を使 用してSO3蒸気をアルミナ管反応器の中に送った。反応は所定温度で所定時間 行い、その後で反応器をアルゴン流の下で冷却した。それからフィブリルを5” Hg真空で90℃で乾燥して乾燥重量増加を得た。スルホン酸(−SO3H)含 有量は0.010NのNaOHとの反応および0.010NのHClによる逆滴 定で終点としてpH6.0を使用して求めた。 液相反応は温度計/温度コントローラー及び磁気攪拌機を装着した100cc の多口フラスコの中でSO320%を含有する濃硫酸中で行った。濃硫酸(50 )の中のフィブリルスラリをフラスコに入れた。発煙硫酸溶液(20cc)を反 応器に加える前に〜60℃に予め加熱した。反応後、酸スラリーを砕いた氷の上 に注ぎ、そして直ちに1リットルの脱イオン水で希釈した。固体を濾過し、そし て洗浄排出液のpHが変化しなくなる迄、脱イオン水で完全に洗浄した。フィブ リルを5”Hg真空で100℃で乾燥した。濾過での移し替えによる損失のせい で、正確な重量増加は観察されなかった。結果は表1に列挙されている。表1 反応のまとめ 試料 フィブリル 温度 乾燥 SO3H濃度X. 実験# 反応 重量g のタイプ 時間 重量増加 ミリ当量/g 1A 118-60A 気相 0.20 CY 110 15m 9.3% 0.50 1B 118-61A 気相 0.20 BN 100 30m 8.5% 0.31 1C 118-61B 気相 0.20 BN 65 15m 4.2% 0.45 1D 118-56A 液相 1.2 CY 50 10m 0.33 1E 118-56B 液相 1.0 CY 25 20m 0.40 気相または液相での反応によってスルホン酸含量に有意差はなかった。温度効 果はあった。より高い温度の反応(気相)は、より高い量のスルホンを与える。 118−61Bでは、4.2%の重量増加はスルホン酸含量(理論値は0.51 ミリ当量/gであった)と一致した。実験60Aおよび61Aはスルホン酸含量 によるだけと説明するには高すぎる重量増加を有した。従って、かなりの量のス ルホンも製造されたと推定された。 2.無酸化フィブリル表面への付加 背景技術は次の文献に記載されている:G.アーリ著、炭素の素平衡化学、ワ イリー、NY、1989年(Urry,G.,Elementary Equilibrium Chemistry of Carbon,Wiley,New York 1989)。 フィブリルの中の表面炭素はグラファイトのように挙動する;すなわち、それ らは基礎面炭素とエッジ炭素の両方を含有するヘキサゴナルシート(hexagonal s heet)の状態に配列されている。基礎面炭素は化学的攻撃に比較的不活性である が、エッジ炭素は反応性であり、そして炭素原子価を満たすために若干のヘテロ 原子または基を含有しなければならない。フィブリルは、基本的にエッジ炭素で ありヘテロ原子または基を含有する表面欠陥サイトをも有している。 フィブリルの表面炭素に結合している最も普通のヘテロ原子は次のようなもの である:水素、製造中の主な気体成分;酸素、その高い反応性のせい及び微量の それを回避するのが非常に難しいせい;及びH2O、それは触媒のせいで常に存在 する。真空中での〜1000℃における熱分解はメカニズムのわからない複雑な 反応で表面を脱酸素するであろう。生成物はCOとCO2である。得られたフブ リル表面はC1−C4整列の中に基を含有しており、それら基は活性化されたオレ フィンに対して非常に反応性である。表面は真空中で又は不活性気体の存在下で 安定であるが、反応性気体に曝されるまではその高い反応性を維持する。従って 、フィブリルは真空中又は不活性雰囲気下で〜1000℃で熱分解され、これら の同じ条件下で冷却され、そして低温で適切な分子と反応して安定な官能基を与 えることができる。代表的な例は次の通りである:それに続いて次の通り: 但し、R’は炭化水素基(アルキル、アリール、ヘテロアリール、シクロアルキ ル、アラルキル、ヘテロアラルキル、等)である。 製造B アクリル酸と無酸化フィブリル表面との反応による 官能化されたフィブリルの製造 磁製ボートの中の1gの100分の1のBNフィブリルを、熱電対を装着した 水平の1”アルミナ管の中で入れ、そしてリンドバーグ管炉の中に置いた。端部 に気体流入口/流出口を装着した。管を乾燥脱酸素アルゴンで10分間パージし た後に、炉の温度を300℃に昇げて30分維持した。その後で、アルゴンの連 続流の下で、温度を100℃増分で1000℃まで昇げ、そしてそこに16時間 維持した。その後で、管をアルゴン流の下で室温(RT)に冷却した。次いで、 アルゴンの流れを、50℃の純粋な精製アクリル酸を含有し気体流入口/流出口 を装着した多口フラスコの中を通過するようにそらした。アクリル酸/アルゴン 蒸気の流れはRTで6時間継続した。その後、残留した未反応アクリル酸は、ま ずアルゴンによるパージによって、次いで<5”の真空で100℃で真空乾燥す ることによって除去した。カルボン酸含量は、過剰の0.010NのNaOHと 反応させそして0.010NのHClでpH7.5の終点まで逆滴定することに よって、測定した。 製造C アクリル酸と無酸化フィブリル表面との反応による 官能化されたフィブリルの製造 手順は熱分解と冷却を10-4トル真空で行ったこと以外は上記手順と同じよう に繰り返した。精製アルリル酸蒸気は上記手順におけるようにアルゴンで希釈し た。 製造D マレイン酸と無酸化フィブリル表面との反応による 官能化されたフィブリルの製造 手順はRTにおける反応体が精製した無水マレイン酸(MAN)であり、それ がアルゴン気体を80℃の溶融MAN浴に通すことによって反応器に供給された こと以外は製造Bと同じように繰り返した。 調製E 塩化アクリロイルと酸化物の無いフィブリル表面の反応による機能化フィブリル の調製 室温の反応体が精製塩化アクリロイルであり、25℃で純塩化アクリロイル上 にアルゴンを通過させることにより反応容器に供給する以外は、調製Bの方法を 繰り返した。塩化アクリロイル含有量の測定は、過剰の0.010NのNaOH との反応及び0.010NのHClによる逆滴定で行う。 真空中のフィブリルの熱分解は、フィブリル表面から酸素と水素を除去する。 TGA装置内で、真空又は精製Ar流中で1000℃で行う熱分解は、BNフィ ブリルの3個のサンプルに対し平均3%の重量損失を与える。ガスクロマトグラ フ分析では、CO、CO2と低分子量の炭化水素を検知したに過ぎない。得られ た表面は極めて反応性であり、そしてアクリル酸、塩化アクリロイル、アクリル アミド、アクロレイン、無水マレイン酸、アリルアミン、アリルアルコール又は ハロゲン化アリルのような活性オレフィンが、室温でも反応して活性オレフィン に結合した官能体だけを含む純粋生成物を生成する。カルボン酸だけを含有する 表面は、アクリル酸又は無水マレイン酸との反応により得られ;酸塩化物だけを 含むものは塩化アクリロイルとの反応で得られ;アルデヒドだけを含むものはア クロレインから得られ;ヒドロキシルだけを含むものはアリルアルコールから得 られ;アミンだけを含むものはアリルアミンから得られ;そしてハロゲンだけを 含むものはハロゲン化アリルから得られる。3.メタル化 背景技術は、マーチのAdvanced Organic Chemistry、第3版、545頁に記載 されている。 芳香族C−H結合は、種々の有機金属試薬を用いたメタル化によって、炭素− 金属結合(C−M)を生成可能である。Mは、通常Li、Be、Mg、Alまた はTlであるが、他の金属も使用できる。最も単純な反応は、活性芳香族化合物 における水素の直接置換である: 反応は、さらに強塩基、例えばカリウムt−ブトキサイド又はキレート化ジア ミンを必要とする。また、非プロトン性溶媒も必要である(パラフィン、ベンゼ ン)。 TFA=トリフルオロ酢酸エステル HTFA=トリフルオロ酢酸 メタル化誘導体は、主要な単独機能化フィブリルの例である。しかし、これら のフィブリルは、さらに反応して別の主要な単独機能化フィブリルを与える。中 間体を分離することなく同一容器中で引き続いて数種の反応が行われる。 調製F フィブリル−Liの調製 0.01gのCCフィブリルを磁器性舟形容器に入れ、1インチのアルミナ管 反応容器に挿入して、リンドバーグ管状炉に入れる。管の両端にガスの取入口と 排出口をつける。H2の連続流下でフィブリルを700℃で2時間加熱して全て の表面酸化物をC−H結合に変えた。その後、反応容器をH2を流しながら室温 に冷却した。 水素化フィブリルを、乾燥した脱酸素ヘプタン(LiAlH4と共に)と共に 1リットルの多頚丸底フラスコに移す。このフラスコは、全空気を除去し不活性 雰囲気を維持するための精製アルゴン浄化装置、凝縮器、マグネチック攪拌機と 液体を注射器で添加するためのゴム隔膜を備えている。アルゴン雰囲気下で、ヘ プタン中に5mmolのブチルリチウムを含有する2%溶液を注射器で添加し、 スラリーを穏やかに還流しながら4時間攪拌した。この時間の最後に、アルゴン 雰囲気のグローブボックス中で重力濾過により、フィブリルを分離し、濾紙上で 乾燥した脱酸素ヘプタンを用い洗浄した。フィブリルを、止めコック付きの50 ccの丸底フラスコに移し、10-4トールの真空下で50℃で乾燥した。リチウム 濃度の測定は、フィブリルサンプルと過剰量の0.010NのHCl溶解脱イオ ン水の反応及びPH5.0を終点とする0.010NのNaOHによる逆滴定に より実施した。 調製G フィブリル−Tl(TFA)2の調製 0.01gのCCフィブリルを調製Eのように水素化し、HTFAと共に多頚 フラスコに入れ、乾燥アルゴンによる浄化を繰り返して脱ガスした。HTFA中 5mmolのTl(TFA)3の5%溶液をゴム隔膜を介してフラスコに添加し、 スラリーを穏やかに還流しながら6時間攪拌した。反応後、フィブリルを集めて 調製Aのように乾燥した。 調製H フィブリル−OHの調製 (OH機能だけを含有する酸素化誘導体) 調製Fで調製したリチウム化フィブリル0.5gを、アルゴン雰囲気のグロー ブバッグ中で、乾燥した脱酸素ヘプタンと共に、止めコックと磁気攪拌子を備え た50ccの単頚フラスコに移した。フラスコをグローブバックから取り出し、マ グネチックスターラー上で攪拌した。止めコックを大気に対して開放し、スラリ ーを24時間攪拌する。この時間の最後に、フィブリルを濾過により分離し、 MeOH水溶液で洗浄し、50℃で5インチの真空で乾燥した。OH基の濃度測 定は、80℃でジオキサン中の無水酢酸標準溶液(0.252M)との反応によ り、OH基を酢酸エステルに変換して行った。この反応では、反応無水物1モル 当たり1等量の酢酸を放出する。PH7.5を終点とする0.010NのNaO Hを用いた滴定により、全酸量、遊離酢酸と未反応無水酢酸を測定した。 調製I フィブリル−NH2の調製 0.01gのタリウム化フィブリルを調製Gのように調製した。フィブリルを ジオキサンに入れスラリーを作り、ジオキサンに溶解した0.5gのトリフェニ ルホスフィンを添加した。スラリーを50℃で数分間攪拌し、続いて50℃で3 0分間に気体状アンモニアを加えた。その後、フィブリルを濾過分離しジオキサ ン中に続いて脱イオン水中で洗浄した後、80℃で5インチの真空で乾燥した。 アミン濃度の測定は、過剰量の無水酢酸との反応及び遊離酢酸と未反応無水物を 0.010NのNaOHによる逆滴定により実施した。 4.誘導された多環式芳香族、多複素環式芳香族と平面大環式化合物 フィブリルのグラファイト表面は、芳香族化合物を物理的に吸収する。吸引は ファン・デア・ワールス力による。この力は、多環複素環式芳香族化合物と黒鉛 表面の基底面炭素の間では相当なものである。脱着は、競合する表面吸着が起き る時、又は吸着物質が高溶解性である場合に起きる 調製J フィブリル上へのポルフィリンとフタロシアニンの吸着 フィブリル上の物理的吸着に好適な化合物は、誘導されたポルフィリン又はフ タロシアニンであり、これらはグラファイト又はカーボンブラック上に強力に吸 着することで知られている。幾つかの化合物が入手可能であり、例えばテトラカ ルボン酸ポルフィリン、コバルト(II)フタロシアニン又はジリチウムフタロシ アニンである。後者の2つはカルボン酸型に誘導可能である。 ポルフィリンとフタロシアニンのローデイング(roading)能力の測定は、これ らを漸次添加する時の溶液の脱色で行うことが可能である。溶液の深い色(メタ ノール中のテトラカルボン酸ポルフィリンに対しては深い桃色、アセトン又はピ リジン中のコバルト(II)又はジリチウムフタロシアニンに対しては暗青緑色) が、フィブリルの黒色表面に分子が吸着除去されるに従って消失する。 ローデイング能力をこの方法で評価し、誘導体の足跡を概略の測定(〜140 平方Å)から計算した。250m2/gのフィブリル平均表面積に対し、最大ロ ーデイングは〜0.3mmolになる。 テトラカルボン酸ポルフィリンを滴定により分析した。周辺温度と高い温度の 水性溶液系で色の放出によって完全吸着度を試験した。 フィブリルスラリーを最初に混合(ワーリングブレンダーを使用)し、ローデ イング中攪拌した。色が放出されなくなった後に超音波をかけたが、効果は得ら れなかった。 ローデイング後、実験169−11、−12、−14と−19−1(表II参照 )は、同一溶剤中で洗浄し、吸着された色素を除去した。全てサンプルが、洗浄 液で連続的に弱い色を示したので、飽和点を正確に決定することが困難であった 。実験168−18と−19−2は、ローデイングに計算量の色素を使用し、ロ ーデイング後には極く軽く洗浄した。 テトラカルボン酸ポルフィリン(アセトンから)とCoフタロシアニン(ピリ ジンから)をフィブリル上にローデイングして、特徴を表示した(それぞれ、実 験168−18と−19−2)。テトラカルボン酸ポルフィリンの分析 過剰の塩基の添加(PH11−12)は、滴定中のスラリーを即座に桃色に着 色させた。これは、滴定を妨害しなかったが、高PHでポルフィリンが脱着した ことを示した。カルボン酸濃度は、PH7.5の終点を用い過剰のNaOHの逆 滴定によって測定した。滴定は1.10ミリ等量/酸1gのローデイング値、0 .275ミリ等量/ポルフィリン1gに等しい値を示した。コバルト又はジリチウムフタロシアニンの分析 これらの吸着物質の濃度は、脱色実験から評価した。30分後に青緑色が褪色し ない点を、飽和点と考えた。 多くの置換した多環式芳香族化合物と多複素環式芳香族化合物をフィブリル表 面に吸着させた。付着力の点からは、芳香環の数は、ペンダントの官能基当たり 2環より多くなければならない。従って、3融合環を含む、置換アントラセン、 フェナントレンなど、或いは、4又はそれ以上の融合環を含む多官能性誘導体は 、ポルフィリン又はフタロシアニン誘導体の代わりに使用できる。同様に、キノ リンのような置換芳香族複素環化合物、又は4又はそれ以上の環を含む多置換複 素芳香族化合物も使用可能である。 表IIは、3つのポルフィリン/フタロシアニン誘導体に対するローデイング実 験の結果を掲載する。 表 II 吸着実験の概要 TCAPorph=テトラカルボン酸ポルフィリン (cal)=計算 DiLiPhth=ジリチウムフタロシアニン (T)=滴定 CoPhth=コバルト(II)フタロシアニン 5.塩素酸塩又は硝酸酸化 濃硫酸又は硝酸中の塩素酸カリのような強酸化剤によるグラファイトの酸化に 関する文献には、R.N.スミス、Quarterly Review13、287(1959); M.J.D.ロウ、Chem.Rev.60、267(1960)がある。一般に、稜炭素 (欠陥位置を含む)が攻撃を受けて、カルボン酸、フェノールと他の酸化された 基の混合物を与える。この機構は複雑であり、ラジカル反応を含んでいる。 調製K 塩素酸塩を用いたカルボン酸−機能化フィブリルの調製 CCフィブリルのサンプルを濃硫酸中でスパチュラを使用して混合してスラリ ーを作り、ガス取入口/排出口と頭上式攪拌機を備えた反応フラスコに移した。 攪拌を続け、アルゴンを徐々に流しながら、室温下で実験時間中に数回に別けて NaClO3を加えた。実験の全過程で塩素蒸気が発生し、これを反応器から排 出してNaOH水溶液トラップ中に取り込んだ。実験の最終段階で、フィブリル のスラリーを砕氷の上に注ぎ、真空濾過した。濾過ケーキをソックスレー筒に移 し、ソックスレー抽出器中で脱イオン水を用いて洗浄した。洗浄水は数時間おき に交換した。新規な脱イオン水を加えた時にフィブリルのサンプルが水のPHを 変化させなくなる迄、洗浄を続けた。その後、フィブリルを濾過分離し、100 ℃で5インチの真空で一夜乾燥させた。 サンプルを過剰量の0.010NのNaOHと反応させ、PH7.5を終点と して0.010NのHClを用いた逆滴定により、カルボン酸含有量の測定を行 った。結果を表IIIに掲載する。 表 III 直接酸化実験の概要 調製L 硝酸を用いたカルボン酸−機能化フィブリルの調製 秤量したフィブリルサンプルを、丸底多頚の窪みのある反応フラスコ中で、適 切な強さの硝酸を用いてスラリーとした。このフラスコは頭上式攪拌機と水凝縮 器を備えていた。一定の攪拌を続け、温度調節を行い、反応を特定時間実施した 。酸強度に関係なく、温度が70℃を越えると即座に、茶色の発煙があった。反 応後、スラリーを砕氷の上に注ぎ、脱イオン水で希釈した。スラリーを濾過し、 ソックスレー抽出器中で過剰の酸を洗浄除去した。この洗浄は、数時間毎に水溜 まりを新鮮な脱イオン水で置き換えながら、スラリー状のサンプルが脱イオン水 の PHに変化を与えなくなる迄、継続して実施した。フィブリルを100℃で5イ ンチの真空で一夜乾燥させた。秤量したフィブリルを標準0.010NのNaO Hと反応させ、0.010NのHClを用いた逆滴定によりカルボン酸含有量の 測定を行った。表面の酸素含有量をXPSを用いて測定した。水中の分散性を、 0.1重量%の濃度で、ワーニングブレンダー中で高速で2分間混合して試験し た。結果を表IVに掲載する。 表 IV 直接酸化実験の概要 6.機能化フィブリルの2次誘導体 カルボン酸−機能化フィブリル 正しくカルボン酸から調製可能な2次誘導体の数は本質的に無制限である。ア ルコール又はアミンは、酸と容易に結合して安定なエステル又はアミドを与える 。アルコール又はアミンが、ジ−又はポリ−官能性分子の一部であるならば、O −又はNH−を介した結合はペンダント基として他の機能部位を残す。代表的な 2次試薬の例を以下に示す。 アルコール又はアミンを用いてカルボン酸をエステル化する又はアミノ化する ために開発された如何なる方法を用いても、この反応を実施できる。それらの内 、エステル又はアミドのためのアッシル化剤としてN,N’−カルボニルジイミ ダゾール(CDI)を使用するH.A.スターブ、Angew.Chem.Internat.Edit. 、(1)、351(1962)の方法と、N−ヒドロキシサクシンイミドを使用 し てアミド化のためにカルボン酸を活性化するG.W.アンダーソンら、J.Amer.C hem.Soc.86、1839(1964)の方法を用いた。 調製M 機能化フィブリルの2次誘導体の調製N,N’−カルボニルジイミダゾール この方法には、純粋な乾燥非プロトン性溶剤(例えば、トルエン又はジオキサ ン)が必要である。化学量論量の試薬で十分である。エステル化の場合、カルボ ン酸化合物を、不活性雰囲気(アルゴン)下トルエン中で、トルエンに溶解した 化学量論量のCDIと室温で2時間反応させる。この間中、CO2が発生する。 2時間後、触媒量のNaエトキサイドと共に、アルコールを加え、80℃で4時 間反応を続ける。通常のアルコールの場合、収量は定量的である。反応は下記の ように進行する: Im=イミダゾリド、HIm=イミダゾール アミンのアミド化は、非触媒的に室温で起きる。この方法の第1段階は同一で ある。CO2の発生後、化学量論量のアミンを室温で加え、1−2時間反応させ る。反応は定量的である。その反応は下記のようである: N−ヒドロキシサクシンイミド 第1アミンを用いるアミノ化のためのカルボン酸の活性化は、N−ヒドロキシ サクシナミルエステルを介して起きる;置換尿素として、カルボジイミドを用い 放出水を結合させる。その後、NHSエステルは、第1アミンと反応して室温で アミドに変換する。反応は下記のようである。 シリル化 下記の式に従って、トリアルキルシリルクロライド又はトリアルキルシラノー ルは、酸性Hと直ちに反応する: 少量のジアゾ−1,1,1,−ビシクロオクタン(DABCO)を触媒として 使用する。適切な溶剤は、ジオキサンとトルエンである。 調製N カルボン酸−機能化フィブリルからエステル/アルコール誘導体の調製 カルボン酸−機能化フィブリルを、調製Kのように調製した。カルボン酸含有 量は0.75ミリ等量/gであった。不活性雰囲気下でトルエンを溶剤として用 い、室温でフィブリルを化学量論量のCDIと、CO2の発生が終了するまで反 応させた。その後、スラリーを80℃で、10倍モルの過剰のポリエチレングリ コール(MW600)と少量のNaOEt触媒と反応させた。2時間の反応後、 フィブリルを濾過分離し、トルエンで洗浄し、100℃で乾燥した。 調製O カルボン酸−機能化フィブリルからアミド/アミン誘導体の調製 (177−041−1) セラム(serum)ストッパーを備えた100mlの丸底フラスコ中で、0.242 gの塩素酸塩−酸化フィブリル(0.62ミリ等量/g)を、攪拌しながら20 mlの無水ジオキサンに分散させた。20倍モルの過剰のN−ヒドロキシサクシン イミド(0.299g)を加え、溶解させた。その後、20倍モルの過剰の1− エチル−3−(3−ジメチルアミノプロピル)−カルボジイミド(EDAC)( 0.510g)を加え、室温で2時間攪拌を続けた。この時間の最終に、攪拌を 停止し、浮遊物質を吸引排除し、固形物を無水ジオキサンとMeOHで洗浄した 後、0.45ミクロンのポリスルホンメンブラン上で濾過した。そのメンブラン 濾紙上で追加のMeOHを用いて、固形物を洗浄し、重量減少がなくなる迄真空 乾燥した。NHS−活性化酸化フィブリルの収率は、観察された6重量%の増加 をベースにして100%であった。 10mlの0.2MのNaHCO3緩衝液に100μLのエチレンジアミン(e n)を加えた。同量の酢酸(HOAc)を加え、PHを8付近に維持した。NH S−活性化酸化フィブリル(0.310g)を加え激しく攪拌して、1時間 反応させた。追加の300μLのenと300μLのHOAcをさらに10分間 に添加した。溶液を0.45ミクロンのポリスルホンメンブラン上で濾過し、続 いてNaHCO3緩衝液、1%HCl、脱イオン水とEtOHで洗浄した。固形 物を真空下で1夜乾燥した。HCl塩をNaOHと反応させてフリーのアミンに 変換し(177−046−1)、さらに分析と反応を行った。 ESCAを実施してアミノ化フィブリル上に存在するNの量を定量した(GF /NH2)。177−046−1のESCA分析は、0.90at%Nを示した (177−059)。このN中のどの程度が受け入れ易く、反応性のアミン基と して存在するかをさらに評価するために、気相反応によりペンタフルオロベンズ アルデヒドと反応させて、誘導体を作り、利用可能な第1アミン基との相当する シッフ塩基結合を作成した。予想したように、ESCA分析は、0.90at% Nと1.68at%Fを示した。これは、アミノ化フィブリル上の反応性第1ア ミンとして存在するNの0.34at%に書き換える(ペンタフルオロベンズア ルデヒド分子当たり5F)。0.45at%Nは、各Nのフリー末端との完全な 反応を推定して予想される。観察された水準は、NとNHS−活性化フィブリル の反応から極めて高収率を示唆し、利用可能なアミノ基の反応性を裏書きするも のである。 ESCAデータから計算され、フリーアミンとして存在する0.34at%N の水準では、フィブリルは、フリーアミン基により殆ど完全に被覆されていて、 他の物質とのカップリングが可能になる。 調製P カルボン酸−機能化フィブリルからシリル誘導体の調製 調製Kのように調製した酸−機能化フィブリルを、不活性雰囲気下でジオキサ ン中でスラリーとした。攪拌しながら、化学量論量のクロロトリエチルシランを 加え、0.5時間反応の後、DABCOの5%ジオキサン溶液の数滴を添加した 。この系をさらに1時間反応させた後、濾過によりフィブリルを回収し、ジオキ サン中で洗浄した。フィブリルを100℃、5インチの真空で1夜乾燥した。 表Vは、2次誘導体の調製の概要を示す。生成物をESCA分析し、C、O、 N、SiとFの表面濃度を求めた。表 V 2次誘導体の調製の概要 調製Q カルボン酸−機能化フィブリルからシリル誘導体の調製 調製Kのように調製した酸−機能化フィブリルを、不活性雰囲気下でジオキサ ン中でスラリーとした。攪拌しながら、化学量論量のクロロトリエチルシランを 加え、0.5時間反応の後、DABCOの5%ジオキサン溶液の数滴を添加した 。この系をさらに1時間反応させた後、濾過によりフィブリルを回収し、ジオキ サン中で洗浄した。フィブリルを100℃、5インチの真空下で1夜乾燥した。 表VIは、2次誘導体の調製の概要を示す。生成物をESCA分析した。この分 析は、所望のペンダント基の組込みを裏付けた。生成物をESCA分析し、C、 O、N、SiとFの表面濃度を求めた。表 VI 2次誘導体の調製の概要 スルホン酸−機能化フィブリル 調製Aのように調製したアリールスルホン酸を更に反応させて2次誘導体を作 成してもよい。スルホン酸は、LiAlH4又はトリフェニルホスフィンとヨウ 素の組合わせでメルカプタンに還元できる(マーチ、J.P.、p.1107)。これ らは、ジアルキルエーテルとの反応によりスルホン酸エステルに変換できる、即 ち: 酸素のないフィブリル表面に対する求電子付与又はメタル化による機能化フィブ リル 酸素のないフィブリル表面に対する活性化した求電子試薬を付加して得られる 1次生成物は、−COOH、−COCl、−CN、−CH2NH2、−CH2OH 、−CH2−ハロゲン、又はHC=Oのペンダントを有する。これらの化合物は 、下記のように2次誘導体に変換可能である: 多環式又は多複素環式芳香族化合物、又は平面大環式化合物の吸着による機能化 フィブリル ジリチウムフタロシアニン 一般的に、2個のLi+イオンは、多くの金属錯体(特に多価の)によって、 フタロシアニン(Pc)基から置換される。従って、安定な配位子と結合した金 属イオンによるLi+イオンの置換は、フィブリル表面に安定な官能基を結合さ せる手段である。殆ど全ての遷移金属錯体は、PcからLi+を置換して安定な 、変化しないキレートを形成する。この点は、この金属を安定な配位子と結合さ せる。コバルト(II)フタロシアニン コバルト(II)錯体は特にこれに適している。Co++イオンは、2個のLi+イ オンと置換して、極めて安定なキレートを形成する。Co++イオンは、ニコチン 酸のような配位子に配位結合する。このニコチン酸はペンダントのカルボン酸基 をつけたピリジン環を含有し、該カルボン酸基はピリジン基に優先的に結合する ことで知られている。過剰量のニコチン酸の存在で、コバルト(II)Pcは、電 気化学的に酸化されてコバルト(III)Pcになり、ニコチン酸のピリジン部位 と安定な錯体を形成する。このように、ニコチン酸配位子の遊離カルボン酸基は 、フィブリル表面に堅く結合する。 その他の好適な配位子は、アミノピリジン又はエチレンジアミン(ペンダント NH2)、メルカプトピリジン(SH)、又は一端にアミノ−或はピリジル部位 、他端に所望の機能を含んだ他の多官能性配位子である。 7.3次元構成物 酸化フィブリルは、非酸化フィブリルに比較して水性媒体に容易に分散される 。メソ−及びマクロ細孔(細孔>2nm)をもつ安定な、多孔性3次元構成は、 触媒又はクロマトグラフ担体として大変有用である。フィブリルは個別の規模で 分散するので、架橋により安定化された高分散性サンプルがこのような担体を構 成する。機能化フィブリルは水性媒体又は極性媒体中に容易に分散し、且つ機能 部位が架橋点を提供する故、機能化フィブリルはこのような用途に対して理想的 である。さらに、機能部位は、触媒の又はクロマトグラフの部位を保持する点を 提供する。最後に得られる結果は、精密な3次元構成物であり、活性な薬剤を保 持する官能部位を受け入れ得る全表面積を有している。 触媒担体としての代表的な応用は、含浸作成した金属触媒、例えば貴金属水素 化触媒のための超多孔性担体の用途がある。さらに、構造体の超微細孔と結びつ いた機能部位により鎖で分子触媒を担体に固定する能力は、不均一系で均一反応 を行うことを可能にする。鎖で結ばれた分子触媒は、均一系反応体と同様に連続 液相中では本質的にダングリング(dangling)しており、均一系反応に付属する選 択性と速度の利点を利用できる。しかし、固体の担体に鎖で結ばれていることは 、活性、且つ多くの場合極めて高価な触媒の分離と回収を容易にしている。 これまで、これらの安定で精密な構成物は、担体に適切な鏡像異性触媒又は選 択的支持体を付着することにより、不斉合成又はアフィニテイ・クロマトグラフ のような、極めて困難な反応を実施可能にした。また、金属−Pc又は金属−ポ ルフィリン錯体を経た誘導は、金属イオンに結合した配位子、及び2次誘導体を 経て配位子に結合した分子の回復を可能にしている。例えば、機能化フィブリル の3次元構成物が電極又は電極の一部であり、且つ機能部位がCo(II)Pcの 吸着に由来する場合、ニコチン酸の存在下でのCo(II)からCo(III)への 電気化学的酸化は、ペンダント基としてカルボン酸をもった安定なCo(III) −ピリジル錯体を生成する。適切な抗原、抗体、触媒的抗体、又は他の部位特定 補足剤と結合することは、分子の選択的分離(アフィニテイクロマトグラフ)を 可能 にし、この選択的分離はこれ以外では達成が極めて困難である。電極を洗浄して 吸着物質を除去した後、標的分子を含有するCo(III)錯体を電気化学的に還 元して不安定なCo(II)に戻す。標的分子を含有するCo(II)上の配位子は 、不安定なCo(II)配位子の質量作用の交代現象により復元され、分子の分離 と回収を効果的に行うことができ、さもなくば実施に際し極めて困難又は極めて 高費用である(例えばキラルドラッグ)。 3次元構成物の他の例はフィブリル−セラミック複合体である。 以上の説明及び例示によって説明したように、本発明は広範囲の機能化ナノファ イバーの作成に適用できる。 使用した用語と表現は、説明のために用いたものであって、このような用語と 表現を使用したことで、それらの部分として示し且つ説明した特性をもつ均等物 を除外することを意図していない。種々の変性が本発明の範囲内で可能であるこ とを認識すべきである。 本発明の好適な実施態様の説明 ナノファイバーは、表面処理を変更することにより調製できる。ナノファイバ ーの湿式酸化の2システムを例証する:塩素酸塩酸化及び硝酸酸化。これらの内 で、酸の強さと温度が変更できる。 ナノファイバー表面にレドックス基の生成が特に好適である。キノン及びハイ ドロキノンが、ナノファイバーの存在下で適切な溶剤から吸着又は沈殿により沈 積可能である。新種の構成物と表面被覆手段がフィブリルから得られ、これを電 極に組立てる。 処理ナノファイバーのスラリーを単純に濾過することにより、電極を組立てら れる。厚みは、経験に基づき密度を予測して、使用材料の量と形態により調節で きる。自己支持フェルトを得るためには厚みの調節が必要になることがある。ナ ノファイバーと従来ファイバーのスラリーから得た複合電極も使用できる。 電極の特性は、循環式電圧電流測定、電導度と直流静電容量測定で明らかにで きる。 酸化還元電位差がゼロに近いファラデイック電極を作成するために、酸化還元 電位差がゼロに近い表面基を導入する。このような表面基は、好ましくはジサル ファイドと4級アミンを包含する。サルファイドと適切なアミンは、好ましくは フィブリルの存在下で吸着又は沈殿させて、マット状に組立てる。 実施例 機器 天秤:オース 型式E120 周波数応答分析器(FRA):シュランベルガー 型式1250 電位差調節器:EG&G 型式273 デジタルマルチメーター:ケイスレイ 型式197 RCLモーター:フィリップスPM6303 実施例−1 秤量したフィブリルサンプルを、頭上式攪拌機と水凝縮器を備えた丸底多頚式 の窪んだ反応フラスコに入れ、適切な強さの硝酸を用いてスラリーとした。一定 の攪拌を続けながら、温度調節を行い、決められた時間反応させた。酸の強さに 無関係に、温度が70℃を越えた直後に茶色の発煙が認められた。反応後、スラ リーを砕氷上に注ぎ、脱イオン水で希釈した。スラリーを濾過し、そしてソック スレー抽出器を用いて、数時間毎に水溜めを新鮮な脱イオン水と置き換えながら 、スラリーサンプルが脱イオン水のPHと同一になるまで、過剰の酸を洗浄除去 した。フィブリルを100℃で5インチの真空で一晩中乾燥した。 1.3gの乾燥フィブリルを新鮮な脱イオン水を用いてスラリーとなし、直径 7cmの濾紙を用いて濾過して、酸化フィブリルの薄いシートを作成した。 このフィブリルシート材料を170−42と分類し、脱イオン水に浸漬し、そ の後直径0.73インチの円板に打ち抜いた。これを85℃で約1時間乾燥した 後に秤量した。平均重量は0.074gであった。この円板を、約85℃に保っ た38重量%の硫酸に一晩中浸漬した後、セル組立てまでは25℃の酸溶液に保 存した。数対の円板を用いて、シングルセル電気化学コンデンサーを作成した。 コンデンサーは、0.001インチ厚さの多孔質隔離板を用いて水浸し条件で評 価した。打ち抜き円板を用いて3つの独立したシングルセルコンデンサーを組立 て、試験した。 10オームと100オームの充電抵抗器を用いて、DOD−C−29501に 記載された試験方法に従って、静電容量を測定した。 DOD−C−29501に従い、0−Vバイアス、1KHzで、ESRを測定 した。また、漏れ電流もこの方法で測定した。 各テストコンデンサーの複合インピーダンスを、FRAと電位差調節器を用い て、室温で測定した。測定は、周波数範囲65×103Hz−約1×10-3Hz にわたって0−Vと1−Vで行った。この周波数範囲は、容量性の反応が現れた 時には、範囲を広げた。 各テスト考案装置の静電容量とESR測定を、最初に組立て直後に、そして各 装置を評価する時間にわたり周期的に行った。一般的に、静電容量は時間と共に 増加し、ESRは一定であった。結果を表VIIに示す。続けて行った測定結果も この表に掲載した。 表VII−静電容量、ESR、と漏れ電流値 インピーダンスデータを用いて、テストコンデンサー“a”に対して、等価回 路モデルを導いた。図5は、分巻抵抗器と直列誘導器をもつ、シングル−タイム −コンスタント(single-time-constant)RCモデルを表している。回路素子値を 表VIIIに掲載した。 本テストコンデンサーの低周波、0−Vバイアス静電容量は、約3.23Fで あり、電極静電容量は約6.4Fであった。電極質量が0.074gである故、 材料は約86F/gの低周波比静電容量であった。有意義にも、この考案装置は 、0−Vバイアスでは約2Hzの周波数まで、そして1Vバイアスでは約4Hz までの理想的な静電容量反応を示した。 表VIII−回路素子変数 時間と共に静電容量チャージングのドリフト(drift)が、3つのテスト考案装 置に全て認められた。その方向は一貫して上方であり、装置“c”では約40% に達した
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF ,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE, SN,TD,TG),AP(GH,KE,LS,MW,S D,SZ,UG),AM,AT,AU,BA,BB,B G,BR,BY,CA,CH,CN,CU,CZ,DE ,DK,EE,ES,FI,GB,GE,GH,HU, IL,IS,JP,KE,KG,KP,KR,KZ,L K,LR,LT,LU,LV,MD,MG,MN,MW ,MX,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD, SE,SG,SI,SK,TJ,TM,TT,UA,U Z,VN,YU (72)発明者 ニウ,チュン―ミン アメリカ合衆国02144 マサチューセッツ 州サマビル,ステルリング ストリート 7

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.約100m2/g以上の表面積をもつナノファイバーより成る電極を有す ることを特徴とするコンデンサー。 2.前記ナノファイバーが実質的にミクロ細孔をもたない、請求の範囲第1項 に記載するコンデンサー。 3.ミクロ孔が5%未満の表面積に寄与する、請求の範囲第1項に記載するコ ンデンサー。 4.前記ナノファイバーが機能化されている、請求の範囲第1項に記載するコ ンデンサー。 5.前記ナノファイバーが、キノン、ハイドロキノン、第四級芳香族アミン、 メルカプタン又はジサルファイドから選ばれた1種又はそれ以上の官能基で機能 化されている、請求の範囲第4項に記載するコンデンサー。 6.官能基が、式: 〔式中、Gは、CH又はNであるか、又は式: で表される1種又はそれ以上のグラフェニック類似化合物である〕 で表されるラダーポリマー中に含まれる、請求の範囲第5項に記載するコンデン サー。 7.前記ナノファイバーが、実質的に一定の直径をもつ実質的に円柱状であり 、ナノファイバー軸と同軸のグラファイト層を有し、且つ熱分解堆積炭素を実質 的に含まないカーボンナノファイバーである、請求の範囲第6項に記載するコン デンサー。 8.前記ナノファイバーが、熱分解炭素質ポリマーの薄い被覆層で被覆されて いる、請求の範囲第6項に記載するコンデンサー。 9.前記被覆層が、フェノール−フォルムアルデヒド樹脂、ポリアクリロニト リル、スチレンDVB、セルロース系ポリマー、とH−樹脂より成る群から選ば れる1種又はそれ以上のポリマーからなる、請求の範囲第8項に記載するコンデ ンサー。 10.前記ナノファイバーが、絡み合い及び相互に連結して、硬質多孔性炭素 構造を形成する、請求の範囲第2項に記載するコンデンサー。 11.約100m2/g以上の表面積をもつナノファイバーより成ることを特 徴とする電極。 12.前記ナノファイバーが実質的にミクロ孔をもたない、請求の範囲第11 項に記載する電極。 13.ミクロ孔が5%未満の表面積に寄与する、請求の範囲第11項に記載す る電極。 14.前記ナノファイバーが機能化されている、請求の範囲第11項に記載す る電極。 15.前記ナノファイバーが、キノン、ハイドロキノン、第四級芳香族アミン 、メルカプタン又はジサルファイドから選ばれた1種又はそれ以上の官能基で機 能化されている、請求の範囲第14項に記載する電極。 16.官能基が、式: 〔式中、Gは、CH又はNであるか、又は式: で表される1種又はそれ以上のグラフェニック類似化合物である〕 で表されるラダーポリマー中に含まれる、請求の範囲第15項に記載する電極。 17.前記ナノファイバーが、実質的に一定の直径をもつ実質的に円柱状であ り、ナノファイバー軸と同軸のグラファイト層を有し、且つ熱分解堆積炭素を実 質的に含まないカーボンナノファイバーである、請求の範囲第16項に記載する 電極。 18.前記ナノファイバーが、熱分解炭素質ポリマーの薄い被覆層で被覆され ている、請求の範囲第16項に記載する電極。 19.前記被覆層が、フェノール−フォルムアルデヒド樹脂、ポリアクリロニ トリル、スチレンDVB、セルロース系ポリマー、とH−樹脂より成る群から選 ばれる1種又はそれ以上のポリマーからなる、請求の範囲第18項に記載する電 極。 20.前記ナノファイバーが、絡み合い及び相互に連結して、硬質多孔性炭素 構造を形成する、請求の範囲第16項に記載する電極。 21.約100m2/g以上の表面積をもつナノファイバーより成る第1電極 ; 約100m2/g以上の表面積をもつナノファイバーより成る第2電極;と 電極間に配置され、電気的に非伝導性であるがイオン的に伝導性の材料より成 る電極隔離板; から成ることを特徴とするコンデンサー。 22.前記ナノファイバーが実質的にミクロ孔をもたない、請求の範囲第21 項に記載するコンデンサー。 23.ミクロ孔が5%未満の表面積に寄与する、請求の範囲第21項に記載す るコンデンサー。 24.前記電極のナノファイバーが機能化されている、請求の範囲第21項に 記載するコンデンサー。 25.前記電極のナノファイバーが、キノン、ハイドロキノン、第四級芳香族 アミン、メルカプタン又はジサルファイドから選ばれた1種又はそれ以上の官能 基で機能化されている、請求の範囲第24項に記載するコンデンサー。 26.官能基が、式:〔式中、Gは、CH又はNであるか、又は式: で表される1種又はそれ以上のグラフェニック類似化合物である〕 で表されるラダーポリマー中に含まれる、請求の範囲第25項に記載するコンデ ンサー。 27.前記第1電極の前記ナノファイバーが、前記第2電極の前記ナノファイ バーと同一の官能基で機能化されている、請求の範囲第26項に記載するコンデ ンサー。 28.前記第1電極と第2電極の前記ナノファイバーが、実質的に一定の直径 をもつ実質的に円柱状であり、ナノファイバー軸と同軸のグラファイト層を有し 、且つ熱分解堆積炭素を実質的に含まないカーボンナノファイバーである、請求 の範囲第27項に記載するコンデンサー。 29.前記第1電極と第2電極の前記ナノファイバーが、熱分解炭素質ポリマ ーの薄い被覆層で被覆されている、請求の範囲第27項に記載するコンデンサー 。 30.前記被覆層が、フェノール−フォルムアルデヒド樹脂、ポリアクリロニト リル、スチレンDVB、セルロース系ポリマー、とH−樹脂より成る群から選ば れる1種又はそれ以上のポリマーからなる、請求の範囲第29項に記載するコン デンサー。 31.前記第1電極と第2電極の前記ナノファイバーが、絡み合い及び相互に 連結して、硬質多孔性炭素構造を形成する、請求の範囲第27項に記載するコン デンサー。 32.前記第2電極の前記ナノファイバーが、実質的に一定の直径をもつ実質 的に円柱状であり、ナノファイバー軸と同軸のグラファイト層を有し、且つ熱分 解堆積炭素を実質的に含まないカーボンナノファイバーである、請求の範囲第2 7項に記載するコンデンサー。 33.前記第2電極の前記ナノファイバーが、熱分解炭素質ポリマーの薄い被 覆層で被覆されている、請求の範囲第27項に記載するコンデンサー。 34.前記被覆層が、フェノール−フォルムアルデヒド樹脂、ポリアクリロニ トリル、スチレンDVB、セルロース系ポリマー、とH−樹脂より成る群から選 ばれる1種又はそれ以上のポリマーからなる、請求の範囲第33項に記載するコ ンデンサー。 35.前記第2電極の前記ナノファイバーが、絡み合い及び相互に連結して、 硬質多孔性炭素構造を形成する、請求の範囲第27項に記載するコンデンサー。 36.前記第1電極の前記ナノファイバーが、前記第2電極の前記ナノファイ バーとは異なる官能基で機能化されている、請求の範囲第26項に記載するコン デンサー。 37.前記第2電極が前記第1電極とは異なる酸化還元電圧を有する、請求の 範囲第36項に記載するコンデンサー。 38.前記第2電極の酸化還元電圧がゼロに近い(NHE)、請求の範囲第3 7項に記載するコンデンサー。 39.前記第1電極と第2電極の前記ナノファイバーが、実質的に一定の直径 をもつ実質的に円柱状であり、ナノファイバー軸と同軸のグラファイト層を有し 、且つ熱分解堆積炭素を実質的に含まないカーボンナノファイバーである、請求 の範囲第37項に記載するコンデンサー。 40.前記第1電極と第2電極の前記ナノファイバーが、熱分解炭素質ポリマ ーの薄い被覆層で被覆されている、請求の範囲第37項に記載するコンデンサー 。 41.前記被覆層が、フェノール−フォルムアルデヒド樹脂、ポリアクリロニ トリル、スチレンDVB、セルロース系ポリマー、とH−樹脂より成る群から選 ばれる1種又はそれ以上のポリマーからなる、請求の範囲第39項に記載するコ ンデンサー。 42.前記第1電極と第2電極の前記ナノファイバーが、絡み合い及び相互に 連結して、硬質多孔性炭素構造を形成する、請求の範囲第37項に記載するコン デンサー。 43.前記第2電極の前記ナノファイバーが、実質的に一定の直径をもつ実質 的に円柱状であり、ナノファイバー軸と同軸のグラファイト層を有し、且つ熱分 解堆積炭素を実質的に含まないカーボンナノファイバーである、請求の範囲第3 7項に記載するコンデンサー。 44.前記第2電極の前記ナノファイバーが、熱分解炭素質ポリマーの薄い被 覆層で被覆されている、請求の範囲第37項に記載するコンデンサー。 45.前記被覆層が、フェノール−フォルムアルデヒド樹脂、ポリアクリロニ トリル、スチレンDVB、セルロース系ポリマー、とH−樹脂より成る群から選 ばれる1種又はそれ以上のポリマーからなる、請求の範囲第44項に記載するコ ンデンサー。 46.前記第2電極の前記ナノファイバーが、絡み合い及び相互に連結して、 硬質多孔性炭素構造を形成する、請求の範囲第37項に記載するコンデンサー。 47.複数のセルから成るコンデンサーであって、各セルが: 約100m2/g以上の表面積をもつナノファイバーより成る第1電極; 約100m2/g以上の表面積をもつナノファイバーより成る第2電極;と 電極間に配置され、電気的に非伝導性であるがイオン的に伝導性の材料より成 る電極隔離板 から成り、そしてセル間が電気的に接続されていることを特徴とする前記コンデ ンサー。 48.前記ナノファイバーが実質的にミクロ孔をもたない、請求の範囲第47 項に記載するコンデンサー。 49.ミクロ孔が5%未満の表面積に寄与する、請求の範囲第47項に記載す るコンデンサー。 50.前記ナノファイバーが機能化されている、請求の範囲第47項に記載す るコンデンサー。 51.前記ナノファイバーが、キノン、ハイドロキノン、第四級芳香族アミン 、メルカプタン又はジサルファイドから選ばれた1種又はそれ以上の官能基で機 能化されている、請求の範囲第50項に記載するコンデンサー。 52.官能基が、式: 〔式中、Gは、CH又はNであるか、又は式: で表される1種又はそれ以上のグラフェニック類似化合物である〕 で表されるラダーポリマー中に含まれる、請求の範囲第51項に記載するコンデ ンサー。 53.前記複数のセルの前記第1電極が、前記複数のセルの前記第2電極の前 記ナノファイバーと同一の官能基により機能化されている、請求の範囲第52項 に記載するコンデンサー。 54.前記複数のセルの前記第1電極と第2電極の前記ナノファイバーが、実 質的に一定の直径をもつ実質的に円柱状であり、ナノファイバー軸と同軸のグラ ファイト層を有し、且つ熱分解堆積炭素を実質的に含まないカーボンナノファイ バーである、請求の範囲第53項に記載するコンデンサー。 55.前記複数のセルの前記第1電極と第2電極の前記ナノファイバーが、熱 分解炭素質ポリマーの薄い被覆層で被覆されている、請求の範囲第53項に記載 するコンデンサー。 56.前記被覆層が、フェノール−フォルムアルデヒド樹脂、ポリアクリロニ トリル、スチレンDVB、セルロース系ポリマー、とH−樹脂より成る群から選 ばれる1種又はそれ以上のポリマーからなる、請求の範囲第55項に記載するコ ンデンサー。 57.前記複数のセルの前記第1電極と第2電極の前記ナノファイバーが、絡 み合い及び相互に連結して、硬質多孔性炭素構造を形成する、請求の範囲第53 項に記載するコンデンサー。 58.前記複数のセルの前記第2電極の前記ナノファイバーが、実質的に一定 の直径をもつ実質的に円柱状であり、ナノファイバー軸と同軸のグラファイト層 を有し、且つ熱分解堆積炭素を実質的に含まないカーボンナノファイバーである 、請求の範囲第53項に記載するコンデンサー。 59.前記複数のセルの前記第2電極の前記ナノファイバーが、熱分解炭素質 ポリマーの薄い被覆層で被覆されている、請求の範囲第53項に記載するコンデ ンサー。 60.前記被覆層が、フェノール−フォルムアルデヒド樹脂、ポリアクリロニ トリル、スチレンDVB、セルロース系ポリマー、とH−樹脂より成る群から選 ばれる1種又はそれ以上のポリマーからなる、請求の範囲第59項に記載するコ ンデンサー。 61.前記第2電極の前記ナノファイバーが、絡み合い及び相互に連結して、 硬質多孔性炭素構造を形成する、請求の範囲第53項に記載するコンデンサー。 62.前記複数のセルの前記第1電極の前記ナノファイバーが、前記複数のセ ルの前記第2電極の前記ナノファイバーとは異なる官能基で機能化されている、 請求の範囲第52項に記載するコンデンサー。 63.前記第2電極が前記第1電極とは異なる酸化還元電圧を有する、請求の 範囲第62項に記載するコンデンサー。 64.前記第2電極の酸化還元電圧がゼロに近い(NHE)、請求の範囲第6 3項に記載するコンデンサー。 65.前記複数のセルの前記第1電極と第2電極の前記ナノファイバーが、実 質的に一定の直径をもつ実質的に円柱状であり、ナノファイバー軸と同軸のグラ ファイト層を有し、且つ熱分解堆積炭素を実質的に含まないカーボンナノファイ バーである、請求の範囲第63項に記載するコンデンサー。 66.前記複数のセルの前記第1電極と第2電極の前記ナノファイバーが、熱 分解炭素質ポリマーの薄い被覆層で被覆されている、請求の範囲第63項に記載 するコンデンサー。 67.前記被覆層が、フェノール−フォルムアルデヒド樹脂、ポリアクリロニ トリル、スチレンDVB、セルロース系ポリマー、とH−樹脂より成る群から選 ばれる1種又はそれ以上のポリマーからなる、請求の範囲第66項に記載するコ ンデンサー。 68.前記複数のセルの前記第1電極と第2電極の前記ナノファイバーが、絡 み合い及び相互に連結して、硬質多孔性炭素構造を形成する、請求の範囲第63 項に記載するコンデンサー。 69.前記複数のセルの前記第2電極の前記ナノファイバーが、実質的に一定 の直径をもつ実質的に円柱状であり、ナノファイバー軸と同軸のグラファイト層 を有し、且つ熱分解堆積炭素を実質的に含まないカーボンナノファイバーである 、請求の範囲第63項に記載するコンデンサー。 70.前記複数のセルの前記第2電極の前記ナノファイバーが、熱分解炭素質 ポリマーの薄い被覆層で被覆されている、請求の範囲第63項に記載するコンデ ンサー。 71.前記被覆層が、フェノール−フォルムアルデヒド樹脂、ポリアクリロニ トリル、スチレンDVB、セルロース系ポリマー、とH−樹脂より成る群から選 ばれる1種又はそれ以上のポリマーからなる、請求の範囲第70項に記載するコ ンデンサー。 72.前記複数のセルの前記第2電極の前記ナノファイバーが、絡み合い及び 相互に連結して、硬質多孔性炭素構造を形成する、請求の範囲第63項に記載す るコンデンサー。 73.約100m2/g以上の表面積をもつ2層のナノファイバー電極、と電 気的に非伝導性であるがイオン的に伝導性の材料より成る少なくとも2層の電極 隔離板から成ることを特徴とする巻取りロールコンデンサー。 74.前記2層のナノファイバーが、実質的にミクロ孔をもたない、請求の範 囲第73項に記載するコンデンサー。 75.ミクロ孔が5%未満の表面積に寄与する、請求の範囲第73項に記載す るコンデンサー。 76.ナノファイバー電極が機能化されている、請求の範囲第73項に記載す るコンデンサー。 77.ナノファイバー電極が、キノン、ハイドロキノン、第四級芳香族アミン 、メルカプタン又はジサルファイドから選ばれた1種又はそれ以上の官能基で機 能化されている、請求の範囲第76項に記載するコンデンサー。 78.官能基が、式: 〔式中、Gは、CH又はNであるか、又は式: で表される1種又はそれ以上のグラフェニック類似化合物である〕 で表されるラダーポリマー中に含まれる、請求の範囲第77項に記載するコンデ ンサー。 79.ナノファイバー電極の第1層が、ナノファイバー電極の第2層と同一の 官能基により機能化されている、請求の範囲第78項に記載するコンデンサー。 。 80.前記ナノファイバー電極の第1層と第2層が、実質的に一定の直径をも つ実質的に円柱状であり、ナノファイバー軸と同軸のグラファイト層を有し、且 つ熱分解堆積炭素を実質的に含まないカーボンナノファイバーである、請求の範 囲第79項に記載するコンデンサー。 81.前記ナノファイバー電極の第1層と第2層が、熱分解炭素質ポリマーの 薄い被覆層で被覆されている、請求の範囲第79項に記載するコンデンサー。 82.前記被覆層が、フェノール−フォルムアルデヒド樹脂、ポリアクリロニ トリル、スチレンDVB、セルロース系ポリマー、とH−樹脂より成る群から選 ばれる1種又はそれ以上のポリマーからなる、請求の範囲第81項に記載するコ ンデンサー。 83.前記ナノファイバー電極の第1層と第2層が、絡み合い及び相互に連結 して、硬質多孔性炭素構造電極を形成する、請求の範囲第79項に記載するコン デンサー。 84.前記ナノファイバー電極の第2層が、実質的に一定の直径をもつ実質的 に円柱状であり、ナノファイバー軸と同軸のグラファイト層を有し、且つ熱分解 堆積炭素を実質的に含まないカーボンナノファイバーである、請求の範囲第79 項に記載するコンデンサー。 85.前記ナノファイバー電極の第2層が、熱分解炭素質ポリマーの薄い被覆 層で被覆されている、請求の範囲第79項に記載するコンデンサー。 86.前記被覆層が、フェノール−フォルムアルデヒド樹脂、ポリアクリロニ トリル、スチレンDVB、セルロース系ポリマー、とH−樹脂より成る群から選 ばれる1種又はそれ以上のポリマーからなる、請求の範囲第85項に記載するコ ンデンサー。 87.前記ナノファイバー電極の第2層が、絡み合い及び相互に連結して、硬 質多孔性炭素構造電極を形成する、請求の範囲第79項に記載するコンデンサー 。 88.前記ナノファイバー電極の第1層が、前記ナノファイバー電極の第2層 とは異なる官能基で機能化されている、請求の範囲第78項に記載するコンデン サー。 89.前記ナノファイバー電極の第2層が、前記ナノファイバー電極の第1層 とは異なる酸化還元電圧を有する、請求の範囲第88項に記載するコンデンサー 。 90.前記ナノファイバー電極の第2層の酸化還元電圧がゼロに近い(NHE )、請求の範囲第88項に記載するコンデンサー。 91.前記ナノファイバー電極の第1層と第2層が、実質的に一定の直径をも つ実質的に円柱状であり、ナノファイバー軸と同軸のグラファイト層を有し、且 つ熱分解堆積炭素を実質的に含まないカーボンナノファイバーである、請求の範 囲第89項に記載するコンデンサー。 92.前記ナノファイバー電極の第1層と第2層が、熱分解炭素質ポリマーの 薄い被覆層で被覆されている、請求の範囲第89項に記載するコンデンサー。 93.前記被覆層が、フェノール−フォルムアルデヒド樹脂、ポリアクリロニ トリル、スチレンDVB、セルロース系ポリマー、とH−樹脂より成る群から選 ばれる1種又はそれ以上のポリマーからなる、請求の範囲第92項に記載するコ ンデンサー。 94.前記ナノファイバー電極の第1層と第2層が、絡み合い及び相互に連結 して、硬質多孔性炭素構造電極を形成する、請求の範囲第89項に記載するコン デンサー。 95.前記ナノファイバー電極の前記第2層が、実質的に一定の直径をもつ実 質的に円柱状であり、ナノファイバー軸と同軸のグラファイト層を有し、且つ熱 分解堆積炭素を実質的に含まないカーボンナノファイバー電極である、請求の範 囲第89項に記載するコンデンサー。 96.前記ナノファイバー電極の前記第2層が、熱分解炭素質ポリマーの薄い 被覆層で被覆されている、請求の範囲第89項に記載するコンデンサー。 97.前記被覆層が、フェノール−フォルムアルデヒド樹脂、ポリアクリロニ トリル、スチレンDVB、セルロース系ポリマー、とH−樹脂より成る群から選 ばれる1種又はそれ以上のポリマーから成る、請求の範囲第96項に記載するコ ンデンサー。 98.前記ナノファイバー電極の前記第2層が、絡み合い及び相互に連結して 、硬質多孔性炭素構造電極を形成する、請求の範囲第89項に記載するコンデン サー。 99.約100m2/g以上の表面積をもつ第1電極; 約100m2/g以上の表面積をもち、前記第1電極とは異なる酸化還元電圧 を有する第2電極; 電極間に配置され、電気的に非伝導性であるがイオン的に伝導性の材料より成 る電極隔離板; から成り、そして酸化還元反応が前記第1電極と第2電極の表面だけで起きるこ とを特徴とするコンデンサー。
JP09541123A 1996-05-15 1997-05-15 電気化学キャパシターにおけるグラファイチックナノファイバー Ceased JP2000510999A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US1760996P 1996-05-15 1996-05-15
US60/017,609 1996-05-15
PCT/US1997/008256 WO1997043774A1 (en) 1996-05-15 1997-05-15 Graphitic nanofibers in electrochemical capacitors

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008068777A Division JP2008205487A (ja) 1996-05-15 2008-03-18 電気化学キャパシターにおけるグラファイチックナノファイバー

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000510999A true JP2000510999A (ja) 2000-08-22

Family

ID=21783556

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP09541123A Ceased JP2000510999A (ja) 1996-05-15 1997-05-15 電気化学キャパシターにおけるグラファイチックナノファイバー
JP2008068777A Pending JP2008205487A (ja) 1996-05-15 2008-03-18 電気化学キャパシターにおけるグラファイチックナノファイバー

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008068777A Pending JP2008205487A (ja) 1996-05-15 2008-03-18 電気化学キャパシターにおけるグラファイチックナノファイバー

Country Status (12)

Country Link
US (3) US6031711A (ja)
EP (1) EP0972292B1 (ja)
JP (2) JP2000510999A (ja)
CN (1) CN1230283A (ja)
AT (1) ATE419635T1 (ja)
AU (1) AU721291C (ja)
BR (1) BR9710812A (ja)
CA (1) CA2254911C (ja)
DE (1) DE69739191D1 (ja)
IL (1) IL126976A (ja)
RU (1) RU98120524A (ja)
WO (1) WO1997043774A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003028053A1 (en) * 2001-09-26 2003-04-03 Japan Science And Technology Corporation Polarizing electrode and its manufacturing method, and electric double-layer capacitor
JP2003522410A (ja) * 2000-02-01 2003-07-22 キャボット コーポレイション 改質炭素生成物を含むキャパシター及びスーパーキャパシター
JP2005040938A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Korea Advanced Inst Of Science & Technology 高密度カーボンナノチューブフィルムまたはパータンを用いたバイオチップの製造方法
JP2005235728A (ja) * 2003-12-01 2005-09-02 Fuji Xerox Co Ltd 電気部材及び電気装置、並びにこれらの製造方法
JP2006013153A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Fuji Xerox Co Ltd デカップリング素子およびその製造方法、並びにそれを用いたプリント基板回路
JP2008517863A (ja) * 2004-10-22 2008-05-29 ハイピリオン カタリシス インターナショナル インコーポレイテッド カーボンナノチューブの改善されたオゾン分解
JP2010517918A (ja) * 2007-02-16 2010-05-27 エスゲーエル カーボン ソシエタス ヨーロピア バイオポリマー炭化物とカーボンナノチューブとを含む複合材料

Families Citing this family (217)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040202603A1 (en) * 1994-12-08 2004-10-14 Hyperion Catalysis International, Inc. Functionalized nanotubes
US6031711A (en) * 1996-05-15 2000-02-29 Hyperion Catalysis International, Inc. Graphitic nanofibers in electrochemical capacitors
JP4128628B2 (ja) * 1996-05-15 2008-07-30 ハイピリオン カタリシス インターナショナル インコーポレイテッド 堅い多孔質炭素構造体及びその製造方法
US6479030B1 (en) 1997-09-16 2002-11-12 Inorganic Specialists, Inc. Carbon electrode material
IL122695A (en) * 1997-12-21 2001-03-19 Technion Res & Dev Foundation Device and method for producing high frequency radiation
US6426134B1 (en) * 1998-06-30 2002-07-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Single-wall carbon nanotube-polymer composites
WO2000019461A1 (en) * 1998-09-28 2000-04-06 Hyperion Catalysis International, Inc. Fibril composite electrode for electrochemical capacitors
US6936565B2 (en) 1999-01-12 2005-08-30 Hyperion Catalysis International, Inc. Modified carbide and oxycarbide containing catalysts and methods of making and using thereof
EP1920837A3 (en) 1999-01-12 2008-11-19 Hyperion Catalysis International, Inc. Carbide and oxycarbide based compositions and nanorods
US6514897B1 (en) * 1999-01-12 2003-02-04 Hyperion Catalysis International, Inc. Carbide and oxycarbide based compositions, rigid porous structures including the same, methods of making and using the same
US6809229B2 (en) * 1999-01-12 2004-10-26 Hyperion Catalysis International, Inc. Method of using carbide and/or oxycarbide containing compositions
US6265466B1 (en) * 1999-02-12 2001-07-24 Eikos, Inc. Electromagnetic shielding composite comprising nanotubes
US6280697B1 (en) * 1999-03-01 2001-08-28 The University Of North Carolina-Chapel Hill Nanotube-based high energy material and method
ATE337606T1 (de) * 1999-04-09 2006-09-15 St Microelectronics Nv Schichtförmige kondensatorvorrichtung
US7199997B1 (en) * 2000-06-09 2007-04-03 U.S. Nanocorp, Inc. Asymmetric electrochemical supercapacitor and method of manufacture thereof
US8107223B2 (en) * 1999-06-11 2012-01-31 U.S. Nanocorp, Inc. Asymmetric electrochemical supercapacitor and method of manufacture thereof
US7576971B2 (en) * 1999-06-11 2009-08-18 U.S. Nanocorp, Inc. Asymmetric electrochemical supercapacitor and method of manufacture thereof
CA2379667C (en) 1999-07-21 2008-12-09 Hyperion Catalysis International, Inc. Methods of oxidizing multiwalled carbon nanotubes
US6297293B1 (en) 1999-09-15 2001-10-02 Tda Research, Inc. Mesoporous carbons and polymers
US6399202B1 (en) 1999-10-12 2002-06-04 Cabot Corporation Modified carbon products useful in gas diffusion electrodes
US6280871B1 (en) 1999-10-12 2001-08-28 Cabot Corporation Gas diffusion electrodes containing modified carbon products
GB0009319D0 (en) * 2000-04-17 2000-05-31 Technical Fibre Products Limit Conductive sheet material
EP1311839B1 (en) * 2000-06-21 2006-03-01 Bioarray Solutions Ltd Multianalyte molecular analysis using application-specific random particle arrays
US7615356B2 (en) * 2000-07-10 2009-11-10 Vertex Pharmaceuticals (San Diego) Llc Ion channel assay methods
US6686193B2 (en) 2000-07-10 2004-02-03 Vertex Pharmaceuticals, Inc. High throughput method and system for screening candidate compounds for activity against target ion channels
WO2002021576A2 (en) * 2000-09-07 2002-03-14 Ramot University Authority For Applied Research & Industrial Development Ltd. Organic nanoelectric conductors
US6858349B1 (en) 2000-09-07 2005-02-22 The Gillette Company Battery cathode
US6682677B2 (en) 2000-11-03 2004-01-27 Honeywell International Inc. Spinning, processing, and applications of carbon nanotube filaments, ribbons, and yarns
US6783746B1 (en) 2000-12-12 2004-08-31 Ashland, Inc. Preparation of stable nanotube dispersions in liquids
JP2002353075A (ja) * 2001-03-21 2002-12-06 Morinobu Endo 電気二重層コンデンサの電極材料およびこれを用いた電気二重層コンデンサ
US7265174B2 (en) 2001-03-22 2007-09-04 Clemson University Halogen containing-polymer nanocomposite compositions, methods, and products employing such compositions
EP1385481A4 (en) * 2001-03-26 2006-06-07 Eikos Inc CARBON NANOTUBES IN STRUCTURES AND REPAIR COMPOSITIONS
CN1543399B (zh) * 2001-03-26 2011-02-23 艾考斯公司 含碳纳米管的涂层
US20020172867A1 (en) * 2001-04-10 2002-11-21 Anglin David L. Battery cathode
US6709560B2 (en) * 2001-04-18 2004-03-23 Biosource, Inc. Charge barrier flow-through capacitor
US6760215B2 (en) * 2001-05-25 2004-07-06 Daniel F. Devoe Capacitor with high voltage breakdown threshold
JP4294246B2 (ja) * 2001-05-31 2009-07-08 新日本石油精製株式会社 電気二重層キャパシタ電極用炭素材料及びその製造方法並びに電気二重層キャパシタ及びその製造方法
CA2450014A1 (en) * 2001-06-08 2002-12-19 Eikos, Inc. Nanocomposite dielectrics
US7341498B2 (en) * 2001-06-14 2008-03-11 Hyperion Catalysis International, Inc. Method of irradiating field emission cathode having nanotubes
US6878361B2 (en) * 2001-07-10 2005-04-12 Battelle Memorial Institute Production of stable aqueous dispersions of carbon nanotubes
US6896864B2 (en) * 2001-07-10 2005-05-24 Battelle Memorial Institute Spatial localization of dispersed single walled carbon nanotubes into useful structures
US6783702B2 (en) * 2001-07-11 2004-08-31 Hyperion Catalysis International, Inc. Polyvinylidene fluoride composites and methods for preparing same
US6924538B2 (en) * 2001-07-25 2005-08-02 Nantero, Inc. Devices having vertically-disposed nanofabric articles and methods of making the same
US6643165B2 (en) 2001-07-25 2003-11-04 Nantero, Inc. Electromechanical memory having cell selection circuitry constructed with nanotube technology
US7566478B2 (en) * 2001-07-25 2009-07-28 Nantero, Inc. Methods of making carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles
US6706402B2 (en) 2001-07-25 2004-03-16 Nantero, Inc. Nanotube films and articles
US6835591B2 (en) * 2001-07-25 2004-12-28 Nantero, Inc. Methods of nanotube films and articles
US7259410B2 (en) * 2001-07-25 2007-08-21 Nantero, Inc. Devices having horizontally-disposed nanofabric articles and methods of making the same
US6574130B2 (en) * 2001-07-25 2003-06-03 Nantero, Inc. Hybrid circuit having nanotube electromechanical memory
US6919592B2 (en) * 2001-07-25 2005-07-19 Nantero, Inc. Electromechanical memory array using nanotube ribbons and method for making same
US6599808B2 (en) * 2001-09-12 2003-07-29 Intel Corporation Method and device for on-chip decoupling capacitor using nanostructures as bottom electrode
CA2465032A1 (en) * 2001-10-29 2003-05-08 Hyperion Catalysis International, Inc. Polymer containing functionalized carbon nanotubes
US7176505B2 (en) * 2001-12-28 2007-02-13 Nantero, Inc. Electromechanical three-trace junction devices
US6784028B2 (en) * 2001-12-28 2004-08-31 Nantero, Inc. Methods of making electromechanical three-trace junction devices
US7307112B2 (en) * 2002-01-31 2007-12-11 Xerox Corporation Electrical component with fillers having semi-resistive properties and composite systems comprising the same
US6515325B1 (en) * 2002-03-06 2003-02-04 Micron Technology, Inc. Nanotube semiconductor devices and methods for making the same
JP2005521779A (ja) * 2002-04-01 2005-07-21 カーボン ナノテクノロジーズ インコーポレーテッド 単層カーボンナノチューブと芳香族ポリアミドの複合材料並びにその作製方法
US7335395B2 (en) * 2002-04-23 2008-02-26 Nantero, Inc. Methods of using pre-formed nanotubes to make carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles
KR101037592B1 (ko) * 2002-06-14 2011-05-27 하이페리온 커탤리시스 인터내셔널 인코포레이티드 전기전도성 탄소 원섬유계 잉크 및 코팅
US6626684B1 (en) * 2002-06-24 2003-09-30 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanotube socket system and method
US7061749B2 (en) * 2002-07-01 2006-06-13 Georgia Tech Research Corporation Supercapacitor having electrode material comprising single-wall carbon nanotubes and process for making the same
US7459137B2 (en) * 2002-07-16 2008-12-02 William Marsh Rice University Process for functionalizing carbon nanotubes under solvent-free conditions
EP1534421B1 (en) * 2002-08-15 2006-09-27 Velocys, Inc. Tethered catalyst processes in microchannel reactors and systems containing a tethered catalyst or tethered chiral auxiliary
US7494326B2 (en) * 2003-12-31 2009-02-24 Honeywell International Inc. Micro ion pump
US20040240152A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-02 Schott Joachim Hossick Capacitor and method for producing a capacitor
US7079377B2 (en) 2002-09-30 2006-07-18 Joachim Hossick Schott Capacitor and method for producing a capacitor
US7596415B2 (en) * 2002-12-06 2009-09-29 Medtronic, Inc. Medical devices incorporating carbon nanotube material and methods of fabricating same
US7844347B2 (en) * 2002-12-06 2010-11-30 Medtronic, Inc. Medical devices incorporating carbon nanotube material and methods of fabricating same
US7560136B2 (en) * 2003-01-13 2009-07-14 Nantero, Inc. Methods of using thin metal layers to make carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles
US6762073B1 (en) 2003-02-24 2004-07-13 Donald P. Cullen Method of fabricating electronic interconnect devices using direct imaging of dielectric composite material
EP1622971A2 (en) * 2003-05-13 2006-02-08 Showa Denko K.K. Porous body, production method thereof and composite material using the porous body
US7256982B2 (en) * 2003-05-30 2007-08-14 Philip Michael Lessner Electrolytic capacitor
US6842328B2 (en) * 2003-05-30 2005-01-11 Joachim Hossick Schott Capacitor and method for producing a capacitor
US7342770B2 (en) * 2003-07-09 2008-03-11 Maxwell Technologies, Inc. Recyclable dry particle based adhesive electrode and methods of making same
AU2004261558B2 (en) * 2003-07-09 2010-04-22 Hyperion Catalysis International, Inc. Field emission devices made with laser and/or plasma treated carbon nanotube mats, films or inks
US7352558B2 (en) 2003-07-09 2008-04-01 Maxwell Technologies, Inc. Dry particle based capacitor and methods of making same
US7508651B2 (en) * 2003-07-09 2009-03-24 Maxwell Technologies, Inc. Dry particle based adhesive and dry film and methods of making same
US7791860B2 (en) 2003-07-09 2010-09-07 Maxwell Technologies, Inc. Particle based electrodes and methods of making same
US20050266298A1 (en) * 2003-07-09 2005-12-01 Maxwell Technologies, Inc. Dry particle based electro-chemical device and methods of making same
US20060147712A1 (en) * 2003-07-09 2006-07-06 Maxwell Technologies, Inc. Dry particle based adhesive electrode and methods of making same
US7295423B1 (en) 2003-07-09 2007-11-13 Maxwell Technologies, Inc. Dry particle based adhesive electrode and methods of making same
JP2005045188A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Fuji Xerox Co Ltd 電子素子、集積回路およびその製造方法
JP2005050669A (ja) * 2003-07-28 2005-02-24 Tdk Corp 電極、及び、それを用いた電気化学素子
US7091120B2 (en) * 2003-08-04 2006-08-15 Nanosys, Inc. System and process for producing nanowire composites and electronic substrates therefrom
JP4553344B2 (ja) * 2003-09-04 2010-09-29 キヤノン株式会社 記録装置
US7920371B2 (en) 2003-09-12 2011-04-05 Maxwell Technologies, Inc. Electrical energy storage devices with separator between electrodes and methods for fabricating the devices
JP2005116762A (ja) 2003-10-07 2005-04-28 Fujitsu Ltd 半導体装置の保護方法及び半導体装置用カバー及び半導体装置ユニット及び半導体装置の梱包構造
US7495349B2 (en) 2003-10-20 2009-02-24 Maxwell Technologies, Inc. Self aligning electrode
KR101001547B1 (ko) * 2004-01-28 2010-12-17 삼성에스디아이 주식회사 섬유상 태양 전지 및 이의 제조 방법
JP4277103B2 (ja) * 2004-02-03 2009-06-10 国立大学法人信州大学 カーボンナノファイバーを用いる高分子アクチュエータ
US7090946B2 (en) * 2004-02-19 2006-08-15 Maxwell Technologies, Inc. Composite electrode and method for fabricating same
US7384433B2 (en) * 2004-02-19 2008-06-10 Maxwell Technologies, Inc. Densification of compressible layers during electrode lamination
US7429371B2 (en) * 2004-03-02 2008-09-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Reversible oxidation of carbon nanotubes
FR2867600B1 (fr) * 2004-03-09 2006-06-23 Arkema Procede de fabrication d'electrode, electrode ainsi obtenue et supercondensateur la comprenant
US7541312B2 (en) * 2004-03-18 2009-06-02 Tda Research, Inc. Porous carbons from carbohydrates
US7057881B2 (en) * 2004-03-18 2006-06-06 Nanosys, Inc Nanofiber surface based capacitors
US7227737B2 (en) 2004-04-02 2007-06-05 Maxwell Technologies, Inc. Electrode design
US7425232B2 (en) * 2004-04-05 2008-09-16 Naturalnano Research, Inc. Hydrogen storage apparatus comprised of halloysite
JP2006008454A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Fuji Xerox Co Ltd 炭素微粒子構造体とその製造方法、およびこれを製造するための炭素微粒子転写体と炭素微粒子構造体製造用溶液、並びに炭素微粒子構造体を用いた炭素微粒子構造体電子素子とその製造方法、そして集積回路
US8048940B2 (en) * 2004-07-09 2011-11-01 Vanderbilt University Reactive graphitic carbon nanofiber reinforced polymeric composites showing enhanced flexural strength
US7245478B2 (en) 2004-08-16 2007-07-17 Maxwell Technologies, Inc. Enhanced breakdown voltage electrode
CN101084260A (zh) * 2004-08-31 2007-12-05 海珀里昂催化国际有限公司 通过挤出制备的导电热固性材料
US7365395B2 (en) * 2004-09-16 2008-04-29 Nanosys, Inc. Artificial dielectrics using nanostructures
US8089152B2 (en) * 2004-09-16 2012-01-03 Nanosys, Inc. Continuously variable graded artificial dielectrics using nanostructures
US8558311B2 (en) 2004-09-16 2013-10-15 Nanosys, Inc. Dielectrics using substantially longitudinally oriented insulated conductive wires
US20060093915A1 (en) * 2004-11-04 2006-05-04 Lundquist Eric G Carbons useful in energy storage devices
CN101098991B (zh) * 2004-11-16 2012-10-10 海珀里昂催化国际有限公司 用于由载有金属的碳纳米管制备负载型催化剂的方法
US7923403B2 (en) * 2004-11-16 2011-04-12 Hyperion Catalysis International, Inc. Method for preparing catalysts supported on carbon nanotubes networks
CA2588134A1 (en) * 2004-11-17 2006-06-22 Hyperion Catalysis International, Inc. Method for preparing catalyst supports and supported catalysts from single walled carbon nanotubes
US7400490B2 (en) 2005-01-25 2008-07-15 Naturalnano Research, Inc. Ultracapacitors comprised of mineral microtubules
US7440258B2 (en) 2005-03-14 2008-10-21 Maxwell Technologies, Inc. Thermal interconnects for coupling energy storage devices
US8644003B2 (en) * 2005-06-09 2014-02-04 National University Corporation, Tokyo University Of Agriculture And Technology Electrolytic capacitor element and process for producing the same
US7439731B2 (en) 2005-06-24 2008-10-21 Crafts Douglas E Temporary planar electrical contact device and method using vertically-compressible nanotube contact structures
WO2007001199A1 (en) * 2005-06-24 2007-01-04 Universal Supercapacitors Llc Heterogeneous electrochemical supercapacitor and method of manufacture
ES2414930T3 (es) * 2005-06-24 2013-07-23 Universal Supercapacitors Llc. Electrodo y colector de corriente para condensador electroquímico que tiene doble capa eléctrica y condensador electroquímico de doble capa eléctrica formado con los mismos
WO2007001201A1 (en) * 2005-06-24 2007-01-04 Universal Supercapacitors Llc Current collector for double electric layer electrochemical capacitors and method of manufacture thereof
US20100308279A1 (en) * 2005-09-16 2010-12-09 Chaohui Zhou Conductive Silicone and Methods for Preparing Same
US7466539B2 (en) * 2005-09-30 2008-12-16 Wisconsin Alumni Research Foundation Electrochemical double-layer capacitor using organosilicon electrolytes
US7428138B2 (en) * 2005-10-06 2008-09-23 Intel Corporation Forming carbon nanotube capacitors
US7435476B2 (en) * 2005-10-13 2008-10-14 Honda Motor Co., Ltd. Functionalized nanotube material for supercapacitor electrodes
EP1957406A4 (en) * 2005-11-16 2012-11-07 Hyperion Catalysis Int MIXED STRUCTURES OF SINGLE-WALL AND MULTI-WALL CARBON CANNONS
KR100997941B1 (ko) * 2005-11-22 2010-12-02 맥스웰 테크놀러지스 인코포레이티드 초고용량 축전기 압력 제어 시스템
US20070171596A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Chacko Antony P Electrode compositions containing carbon nanotubes for solid electrolyte capacitors
GB0607957D0 (en) * 2006-04-21 2006-05-31 Imp Innovations Ltd Energy storage device
US20070258192A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Joel Schindall Engineered structure for charge storage and method of making
US7393699B2 (en) 2006-06-12 2008-07-01 Tran Bao Q NANO-electronics
US7623340B1 (en) 2006-08-07 2009-11-24 Nanotek Instruments, Inc. Nano-scaled graphene plate nanocomposites for supercapacitor electrodes
US8518573B2 (en) * 2006-09-29 2013-08-27 Maxwell Technologies, Inc. Low-inductive impedance, thermally decoupled, radii-modulated electrode core
US8424177B2 (en) * 2006-10-04 2013-04-23 Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas MIM capacitor with enhanced capacitance
EP2074168A2 (en) * 2006-10-11 2009-07-01 University of Florida Research Foundation, Incorporated Electroactive polymers containing pendant pi-interacting/binding substituents, their carbon nanotube composites, and processes to form the same
US8130007B2 (en) * 2006-10-16 2012-03-06 Formfactor, Inc. Probe card assembly with carbon nanotube probes having a spring mechanism therein
RU2483383C2 (ru) 2006-11-27 2013-05-27 ЮНИВЕРСАЛ СУПЕРКАПАСИТОРЗ ЭлЭлСи Электрод для использования в электрохимическом конденсаторе с двойным электрическим слоем (варианты)
FR2909483B1 (fr) * 2006-11-30 2009-02-27 Centre Nat Rech Scient Un condensateur electrochimique avec deux electrodes en carbone de nature differente en milieu aqueux
US8277967B2 (en) * 2007-01-26 2012-10-02 Panasonic Corporation Energy device, method for manufacturing the same, and apparatus including the same
US20080199737A1 (en) * 2007-02-16 2008-08-21 Universal Supercapacitors Llc Electrochemical supercapacitor/lead-acid battery hybrid electrical energy storage device
EP2113124A1 (en) 2007-02-19 2009-11-04 Universal Supercapacitors Llc. Negative electrode current collector for heterogeneous electrochemical capacitor and method of manufacture thereof
US20080204973A1 (en) * 2007-02-28 2008-08-28 Maxwell Technologies, Inc. Ultracapacitor electrode with controlled iron content
US20080201925A1 (en) 2007-02-28 2008-08-28 Maxwell Technologies, Inc. Ultracapacitor electrode with controlled sulfur content
US7948739B2 (en) * 2007-08-27 2011-05-24 Nanotek Instruments, Inc. Graphite-carbon composite electrode for supercapacitors
US8497225B2 (en) * 2007-08-27 2013-07-30 Nanotek Instruments, Inc. Method of producing graphite-carbon composite electrodes for supercapacitors
CA2697846A1 (en) * 2007-09-07 2009-03-12 Inorganic Specialists, Inc. Silicon modified nanofiber paper as an anode material for a lithium secondary battery
US8427811B2 (en) * 2007-09-28 2013-04-23 Nippon Chemi-Con Corporation Electrode for electric double layer capacitor and method for producing the same
US7875219B2 (en) * 2007-10-04 2011-01-25 Nanotek Instruments, Inc. Process for producing nano-scaled graphene platelet nanocomposite electrodes for supercapacitors
JP4985609B2 (ja) * 2007-12-26 2012-07-25 Jnc株式会社 液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子
CN101226830B (zh) * 2007-12-28 2011-03-30 上海奥威科技开发有限公司 一种电化学电容器电极及其制造方法
EP2240277A1 (en) * 2008-01-25 2010-10-20 Hyperion Catalysis International, Inc. Processes for the recovery of catalytic metal and carbon nanotubes
FR2927727B1 (fr) * 2008-02-19 2017-11-17 Batscap Sa Ensemble de stockage d'energie electrique multibobines.
US9190667B2 (en) 2008-07-28 2015-11-17 Nanotek Instruments, Inc. Graphene nanocomposites for electrochemical cell electrodes
KR20110051249A (ko) * 2008-08-15 2011-05-17 메사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지 탄소 기반 나노구조체의 층상 조립체 및 에너지 저장 및 생산 소자에서의 그의 용도
US8931114B2 (en) 2008-09-22 2015-01-13 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Elastomeric composites with tether-containing, conducting polymers for nanoscale diffusion control
WO2010033966A1 (en) * 2008-09-22 2010-03-25 The Government of the United State of America, as represented by the Secretary of the Navy Tether-containing conducting polymers
US8351220B2 (en) * 2009-01-28 2013-01-08 Florida State University Research Foundation Electromagnetic interference shielding structure including carbon nanotube or nanofiber films and methods
CN102471105B (zh) 2009-07-06 2015-05-27 泽普托公司 碳纳米管复合结构体及其制备方法
JP2013512554A (ja) * 2009-11-30 2013-04-11 オーツェー エリコン バルザーズ アーゲー 電子電池に応用されるコア−シェルナノ粒子
WO2011063539A2 (en) * 2009-11-30 2011-06-03 Oc Oerlikon Balzers Ag Electronic battery with nano-composite
US8315039B2 (en) * 2009-12-28 2012-11-20 Nanotek Instruments, Inc. Spacer-modified nano graphene electrodes for supercapacitors
GB201002038D0 (en) * 2010-02-09 2010-03-24 Bae Systems Plc Electrostatic capacitors
WO2011109485A1 (en) 2010-03-02 2011-09-09 Applied Nanostructured Solutions,Llc Electrical devices containing carbon nanotube-infused fibers and methods for production thereof
US9053870B2 (en) * 2010-08-02 2015-06-09 Nanotek Instruments, Inc. Supercapacitor with a meso-porous nano graphene electrode
US8872176B2 (en) 2010-10-06 2014-10-28 Formfactor, Inc. Elastic encapsulated carbon nanotube based electrical contacts
US9214709B2 (en) 2010-12-21 2015-12-15 CastCAP Systems Corporation Battery-capacitor hybrid energy storage system for high temperature applications
US8760851B2 (en) 2010-12-21 2014-06-24 Fastcap Systems Corporation Electrochemical double-layer capacitor for high temperature applications
US9001495B2 (en) 2011-02-23 2015-04-07 Fastcap Systems Corporation High power and high energy electrodes using carbon nanotubes
US9670066B2 (en) * 2011-03-15 2017-06-06 University Of Kentucky Research Foundation Carbon particles
CA2838558C (en) 2011-05-24 2022-08-30 Fastcap Systems Corporation Power system for high temperature applications with rechargeable energy storage
WO2012170749A2 (en) * 2011-06-07 2012-12-13 Fastcap Systems Corporation Energy storage media for ultracapacitors
US9558894B2 (en) 2011-07-08 2017-01-31 Fastcap Systems Corporation Advanced electrolyte systems and their use in energy storage devices
WO2013009720A2 (en) 2011-07-08 2013-01-17 Fastcap Systems Corporation High temperature energy storage device
US9017634B2 (en) 2011-08-19 2015-04-28 Fastcap Systems Corporation In-line manufacture of carbon nanotubes
CN102507387B (zh) * 2011-10-18 2015-11-25 东莞新能源科技有限公司 一种测试装置
EP3783192A1 (en) 2011-11-03 2021-02-24 FastCAP SYSTEMS Corporation Production logging instrument
WO2013070989A1 (en) * 2011-11-10 2013-05-16 The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate Supercapacitor devices having composite electrodes formed by depositing metal oxide pseudocapacitor materials onto carbon substrates
TWI460238B (zh) 2011-12-15 2014-11-11 Ind Tech Res Inst 自組塗裝塗料、散熱板及其製造方法
TWI466153B (zh) * 2011-12-15 2014-12-21 Ind Tech Res Inst 電容器及其製造方法
US9325041B2 (en) * 2012-03-22 2016-04-26 The Boeing Company Redox polymer energy storage system
US10147558B2 (en) * 2012-04-18 2018-12-04 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Northern Arizona University Structural supercapacitor
CN103451931B (zh) * 2012-06-04 2015-10-21 金发科技股份有限公司 碳纤维表面改性剂、改性碳纤维、复合材料以及它们的制备方法
JP6249546B2 (ja) * 2012-07-25 2017-12-20 株式会社サンエイト 電気二重層キャパシタ
US9105406B2 (en) 2012-10-24 2015-08-11 Custom Electronics Inc. Graphene electrolytic capacitor
US10583037B2 (en) 2013-01-23 2020-03-10 Transqtronics, Llc. Heating device using exothermic chemical reaction
US9636521B2 (en) 2013-07-12 2017-05-02 Jonathan Isserow Heat and light treatment device using nanotechnology
US10010445B2 (en) 2013-01-23 2018-07-03 Jonathan Isserow Treatment device using nanotechnology
US9675817B2 (en) 2013-01-23 2017-06-13 Jonathan Isserow Heating device using exothermic chemical reaction
DE102013003559B4 (de) * 2013-03-01 2014-12-11 Compur Monitors Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Erzeugung von Blausäuregas in einer elektrochemischen Zelle
US20140299818A1 (en) * 2013-03-15 2014-10-09 InHwan Do Graphene / carbon compositions
KR102200992B1 (ko) 2013-03-15 2021-01-08 웰스태트 바이오커탤리시스, 엘엘씨 배터리용 나노섬유 전극을 제조하는 방법
US9620297B2 (en) * 2013-03-28 2017-04-11 Tohoku University Electricity storage device and electrode material therefor
US9478365B2 (en) 2013-05-03 2016-10-25 The Governors Of The University Of Alberta Carbon nanosheets
CN104282918B (zh) * 2013-07-02 2018-04-10 中国科学院上海硅酸盐研究所 锂空气电池用阴极、锂空气电池、以及制备锂空气电池用电极的方法
KR102097329B1 (ko) * 2013-09-12 2020-04-06 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터, 그 제조방법 및 적층 세라믹 커패시터 실장 기판
US10872737B2 (en) 2013-10-09 2020-12-22 Fastcap Systems Corporation Advanced electrolytes for high temperature energy storage device
EP3084481B8 (en) 2013-12-20 2024-01-03 Fastcap Systems Corporation Electromagnetic telemetry device
US11270850B2 (en) 2013-12-20 2022-03-08 Fastcap Systems Corporation Ultracapacitors with high frequency response
CN104752727A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 华为技术有限公司 一种醌类化合物-石墨烯复合材料及其制备方法和柔性锂二次电池
KR20240055878A (ko) 2014-10-09 2024-04-29 패스트캡 시스템즈 코포레이션 에너지 저장 디바이스를 위한 나노구조 전극
CN116092839A (zh) 2015-01-27 2023-05-09 快帽***公司 宽温度范围超级电容器
JP2020501367A (ja) 2016-12-02 2020-01-16 ファーストキャップ・システムズ・コーポレイションFastCAP SYSTEMS Corporation 複合電極
US10323331B2 (en) 2016-12-29 2019-06-18 Industrial Technology Research Institute Valuable metal selectively adsorbing electrode and method for selectively recovering valuable metals
CN110312680A (zh) 2017-01-11 2019-10-08 通用电气(Ge)贝克休斯有限责任公司 包括交联的碳纳米结构的薄膜衬底和相关方法
CN107026027B (zh) * 2017-04-10 2018-12-14 上海电力学院 一种超级电容器的电极材料的制备方法
JP7075737B2 (ja) * 2017-09-27 2022-05-26 株式会社日進製作所 発電性作動流体
US11555799B2 (en) 2018-01-04 2023-01-17 Lyten, Inc. Multi-part nontoxic printed batteries
EP3788666A4 (en) 2018-04-30 2022-01-19 Lyten, Inc. LITHIUM ION BATTERY AND BATTERY MATERIALS
US10660235B2 (en) 2018-10-17 2020-05-19 Arris Enterprises Llc Fan with pivotable blades, and corresponding electronics cooling system and methods
US11557765B2 (en) 2019-07-05 2023-01-17 Fastcap Systems Corporation Electrodes for energy storage devices
US11198611B2 (en) 2019-07-30 2021-12-14 Lyten, Inc. 3D self-assembled multi-modal carbon-based particle
US11335911B2 (en) 2019-08-23 2022-05-17 Lyten, Inc. Expansion-tolerant three-dimensional (3D) carbon-based structures incorporated into lithium sulfur (Li S) battery electrodes
CN110707284B (zh) * 2019-10-16 2021-03-02 珠海冠宇电池股份有限公司 一种锂离子电池负极及其制备方法
US11631893B2 (en) 2019-10-25 2023-04-18 Lyten, Inc. Artificial solid electrolyte interface cap layer for an anode in a Li S battery system
US11398622B2 (en) 2019-10-25 2022-07-26 Lyten, Inc. Protective layer including tin fluoride disposed on a lithium anode in a lithium-sulfur battery
US11539074B2 (en) 2019-10-25 2022-12-27 Lyten, Inc. Artificial solid electrolyte interface (A-SEI) cap layer including graphene layers with flexible wrinkle areas
US11342561B2 (en) 2019-10-25 2022-05-24 Lyten, Inc. Protective polymeric lattices for lithium anodes in lithium-sulfur batteries
US11133495B2 (en) 2019-10-25 2021-09-28 Lyten, Inc. Advanced lithium (LI) ion and lithium sulfur (LI S) batteries
US11127942B2 (en) 2019-10-25 2021-09-21 Lyten, Inc. Systems and methods of manufacture of carbon based structures incorporated into lithium ion and lithium sulfur (li s) battery electrodes
US11508966B2 (en) 2019-10-25 2022-11-22 Lyten, Inc. Protective carbon layer for lithium (Li) metal anodes
US11127941B2 (en) 2019-10-25 2021-09-21 Lyten, Inc. Carbon-based structures for incorporation into lithium (Li) ion battery electrodes
US11870063B1 (en) 2022-10-24 2024-01-09 Lyten, Inc. Dual layer gradient cathode electrode structure for reducing sulfide transfer

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3638086A (en) 1970-03-05 1972-01-25 Illinois Tool Works Wound film capacitor
US3754311A (en) 1970-03-05 1973-08-28 C Rayburn Wound film capacitor and method of winding same about its lead wires
US4423463A (en) 1981-12-07 1983-12-27 General Electric Company Combined capacitor and resistor
EP0112923B1 (en) * 1982-06-30 1990-09-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Double electric layer capacitor
JPS59119680A (ja) * 1982-12-27 1984-07-10 Toyobo Co Ltd 流通型電解槽用電極
JPH0666228B2 (ja) * 1984-06-12 1994-08-24 松下電器産業株式会社 エネルギ−貯蔵装置
US4835074A (en) * 1987-09-25 1989-05-30 The Electrosynthesis Company, Inc. Modified carbons and electrochemical cells containing the same
JP3012240B2 (ja) * 1987-09-25 2000-02-21 東洋紡績株式会社 分極性電極材の製造方法
US5260855A (en) * 1992-01-17 1993-11-09 Kaschmitter James L Supercapacitors based on carbon foams
CA2364075A1 (en) * 1992-05-22 1993-12-09 Hyperion Catalysis International, Inc. Improved methods and catalysts for the manufacture of carbon fibrils
US5646815A (en) * 1992-12-01 1997-07-08 Medtronic, Inc. Electrochemical capacitor with electrode and electrolyte layers having the same polymer and solvent
JP2944059B2 (ja) * 1993-01-14 1999-08-30 東邦レーヨン株式会社 活性炭素繊維を用いた成形素材、その成形物及びその製造方法
US5982609A (en) 1993-03-22 1999-11-09 Evans Capacitor Co., Inc. Capacitor
IL109497A (en) * 1993-05-05 1998-02-22 Hyperion Catalysis Int Three-dimensional macroscopic clusters of randomly arranged charcoal fibrils and products containing these
JPH0785860A (ja) * 1993-09-10 1995-03-31 Hyperion Catalysis Internatl Inc リチウム電池
JPH07302735A (ja) * 1994-03-09 1995-11-14 Tdk Corp 電気二重層キャパシタ
JPH0888149A (ja) * 1994-09-20 1996-04-02 Isuzu Motors Ltd 電気二重層コンデンサの電極およびその製造方法
US5621607A (en) * 1994-10-07 1997-04-15 Maxwell Laboratories, Inc. High performance double layer capacitors including aluminum carbon composite electrodes
JP3446339B2 (ja) * 1994-10-18 2003-09-16 三菱化学株式会社 活性炭の製造方法
US5626977A (en) * 1995-02-21 1997-05-06 Regents Of The University Of California Composite carbon foam electrode
US6031711A (en) * 1996-05-15 2000-02-29 Hyperion Catalysis International, Inc. Graphitic nanofibers in electrochemical capacitors
US5729427A (en) * 1997-01-08 1998-03-17 Motorola, Inc. Macrocyclic complex modified electrodes and capacitors made therefrom
US6205016B1 (en) * 1997-06-04 2001-03-20 Hyperion Catalysis International, Inc. Fibril composite electrode for electrochemical capacitors

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003522410A (ja) * 2000-02-01 2003-07-22 キャボット コーポレイション 改質炭素生成物を含むキャパシター及びスーパーキャパシター
WO2003028053A1 (en) * 2001-09-26 2003-04-03 Japan Science And Technology Corporation Polarizing electrode and its manufacturing method, and electric double-layer capacitor
US7209341B2 (en) 2001-09-26 2007-04-24 Japan Science And Technology Agency Polarizing electrode, manufacturing method thereof, and electric double-layer capacitor
JP2005040938A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Korea Advanced Inst Of Science & Technology 高密度カーボンナノチューブフィルムまたはパータンを用いたバイオチップの製造方法
JP2005235728A (ja) * 2003-12-01 2005-09-02 Fuji Xerox Co Ltd 電気部材及び電気装置、並びにこれらの製造方法
JP2006013153A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Fuji Xerox Co Ltd デカップリング素子およびその製造方法、並びにそれを用いたプリント基板回路
JP2008517863A (ja) * 2004-10-22 2008-05-29 ハイピリオン カタリシス インターナショナル インコーポレイテッド カーボンナノチューブの改善されたオゾン分解
JP2010517918A (ja) * 2007-02-16 2010-05-27 エスゲーエル カーボン ソシエタス ヨーロピア バイオポリマー炭化物とカーボンナノチューブとを含む複合材料

Also Published As

Publication number Publication date
AU721291C (en) 2003-02-27
AU721291B2 (en) 2000-06-29
AU3127297A (en) 1997-12-05
US6665169B2 (en) 2003-12-16
BR9710812A (pt) 1999-08-17
IL126976A0 (en) 1999-09-22
EP0972292A4 (en) 2006-03-08
CN1230283A (zh) 1999-09-29
EP0972292B1 (en) 2008-12-31
IL126976A (en) 2001-11-25
US6414836B1 (en) 2002-07-02
DE69739191D1 (de) 2009-02-12
WO1997043774A1 (en) 1997-11-20
CA2254911A1 (en) 1997-11-20
RU98120524A (ru) 2000-10-10
CA2254911C (en) 2006-07-25
ATE419635T1 (de) 2009-01-15
JP2008205487A (ja) 2008-09-04
EP0972292A1 (en) 2000-01-19
US20030030963A1 (en) 2003-02-13
US6031711A (en) 2000-02-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000510999A (ja) 電気化学キャパシターにおけるグラファイチックナノファイバー
US6491789B2 (en) Fibril composite electrode for electrochemical capacitors
US9979060B2 (en) Flexible asymmetric electrochemical cells using nano graphene platelet as an electrode material
US7070753B2 (en) Modification of nanotubes oxidation with peroxygen compounds
EP1118090B1 (en) Fibril composite electrode for electrochemical capacitors
EP0796403B1 (en) Functionalized nanotubes
EP0907773B1 (en) High surface area nanofibers
JP2003505332A (ja) 多層カーボンナノチューブの酸化方法
KR100524369B1 (ko) 전기화학캐패시터내사용용흑연나노섬유
AU765403B2 (en) Graphitic nanofibers in electrochemical capacitors
Breczko et al. Zero‐Dimensional Carbon Nanomaterials for Electrochemical Energy Storage

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040224

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070403

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20070703

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070820

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20070802

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070910

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20070903

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20071015

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071003

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20071120

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20080219

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080318

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20080508

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080826

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20081125

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20081128

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20081225

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090108

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090123

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090226

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090407

A045 Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment]

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045

Effective date: 20090825