JP2000355761A - Ta TARGET FOR FILM-FORMING BARRIER MATERIAL AND ITS PRODUCTION - Google Patents
Ta TARGET FOR FILM-FORMING BARRIER MATERIAL AND ITS PRODUCTIONInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】半導体デバイスを製造する際
などに、絶縁基板と配線間の拡散を防止するための層を
形成する。この拡散防止層を、バリア材とよぶ。本発明
は、このバリア材をスパッタリングによって成膜して形
成する場合に必要となるＴａ系ターゲットとそのターゲ
ットの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION A layer for preventing diffusion between an insulating substrate and a wiring is formed when a semiconductor device is manufactured. This diffusion prevention layer is called a barrier material. The present invention relates to a Ta-based target required when the barrier material is formed by sputtering to form a film, and a method of manufacturing the target.
【０００２】[0002]
【従来の技術】これまでに、特開平６−２６４２３２号
にあるように、バリア材の一つとして、純Ｔａのターゲ
ットが提案されている。このターゲットは、電子ビーム
溶解などを用いた鋳造材に、塑性加工を加えたものであ
った。このようにして作製したターゲットを用いて、窒
素とアルゴンの混合ガス雰囲気中でスパッタリングを行
い、ＴａＮのバリア層を形成する。また、最近Cu配線用
半導体用配線材に、ＴａＮやＴａよりも、ＴａＮやＴａ
に更に添加元素を複合してバリア性を高める技術が提案
されている。2. Description of the Related Art As disclosed in JP-A-6-264232, a target of pure Ta has been proposed as one of barrier materials. This target was obtained by subjecting a cast material using electron beam melting or the like to plastic working. Using the target manufactured in this manner, sputtering is performed in a mixed gas atmosphere of nitrogen and argon to form a TaN barrier layer. Recently, TaN or Ta has been used as a wiring material for semiconductors for Cu wiring rather than TaN or Ta.
A technique has been proposed in which an additive element is further compounded to enhance the barrier properties.
【０００３】バリア性を高めるために，最近複合添加と
して種々の元素や化合物が検討され、バリア性向上の効
果があるとして着目されている元素として、Ｃ、Ｂ、Ｉ
ｒ、Ｗ、Ｇｅ、ＣｅＯ2、ＲｕＯ2がある。これらは、se
miconductor world 1998.2 p91−96、J.Appl.Phys.8
3(3) Feb.1998 p1333−1336、J.Vac.Sci.Technol.B16
(6) Nov/Dec.1998 p3059−3064等に記載されている。
これらの添加元素を含むＴａ系バリア材の成膜方法とし
ては、異なるターゲットを同時にスパッタリングするい
わゆるコスパッタ法が用いられている。[0003] In order to enhance the barrier properties, various elements and compounds have recently been studied as composite additives, and C, B, and I have been attracting attention as being effective in improving the barrier properties.
r, W, Ge, CeO 2 and RuO 2 . These are
miconductor world 1998.2 p91-96, J. Appl. Phys. 8
3 (3) Feb.1998 p1333-1336, J.Vac.Sci.Technol.B16
(6) Nov / Dec. 1998 p3059-3064.
As a method of forming a Ta-based barrier material containing these additional elements, a so-called co-sputtering method for simultaneously sputtering different targets is used.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述したＴａ系薄膜の
形成にコスパッタ法が適用される理由は、ＴａとＣ，
Ｂ，Ｉｒ，Ｇｅは、合金化すると化合物の生成などがあ
るので、塑性加工が困難となり、これによって偏析を低
減することができなくなる。また、ＴａにＷを添加して
も、化合物は生成しないが、非常に硬くなるために塑性
加工が困難となり、塑性加工によって偏析を低減するこ
とは困難である。さらに、酸化物は解離するために、溶
解で合金化することはできないという問題点があるため
である。詳しく説明すると、“溶解−鋳造”による製造
方法で合金化したターゲットを得ようとすると、Ｃ、
Ｂ、Ｉｒ、Ｗ、Ｇｅは、鋳造した際に、著しい偏析が生
ずる。そのため、同一の溶解で製造したターゲットであ
っても、ターゲット材中の組成バラツキが大きく、これ
に起因して安定した組成の薄膜を得ることができない。
また、鋼塊の上部から切り出したターゲットと、下部か
ら切り出したターゲットには、大きな組成差がある。こ
のために、量産規模で安定した膜組成をえるための合金
ターゲットを製造することが困難であった。The reason why the co-sputtering method is applied to the formation of the Ta-based thin film is that Ta, C,
Since B, Ir, and Ge cause formation of a compound when alloyed, plastic working becomes difficult, so that segregation cannot be reduced. Further, even if W is added to Ta, a compound is not formed, but it becomes very hard, so that plastic working becomes difficult, and it is difficult to reduce segregation by plastic working. Another problem is that the oxide cannot be alloyed by melting because it dissociates. More specifically, in order to obtain a target alloyed by a manufacturing method based on “melting-casting”, C,
B, Ir, W, and Ge undergo remarkable segregation when cast. Therefore, even if the targets are manufactured by the same dissolution, there is a large variation in the composition of the target material, and as a result, a thin film having a stable composition cannot be obtained.
Further, there is a large composition difference between a target cut out from the upper portion of the steel ingot and a target cut out from the lower portion. For this reason, it has been difficult to manufacture an alloy target for obtaining a stable film composition on a mass production scale.
【０００５】塑性加工が困難になる理由を説明する。
Ｃ、Ｂ、Ｉｒ、Ｇｅなどの元素を添加すると、ＴａＣな
どのＴａ系金属間化合物が生じる。これらの金属間化合
物に延性がないために、金属間化合物相とＴａ相の界面
にき裂が生じるためと考えられる。また、ＷはＴａに固
溶され固溶強化がおこる。このために、塑性加工が困難
となり、塑性加工によって偏析を低減することは困難で
ある。一方、“溶解−鋳造”によって、ＣｅＯ2やＲｕ
Ｏ2を添加したターゲットを製造することは出来なかっ
た。この理由は、Ｔａが高融点金属であるために、Ｔａ
を溶解するためには、電子ビーム溶解やプラズマ溶解法
が必要となる。しかし、これらの溶解を行うと、溶解原
料に添加したＣｅＯ2やＲｕＯ2は、ほとんどが還元され
てしまうためである。よって、これまでに提案されてい
るＴａ薄膜は、合金化しないターゲットを組み合わせた
コスパッタ法が用いられていたのである。しかし、コス
パッタ法は、別々のターゲットを使用するため、均一な
組成の薄膜を量産で得ようとするとスパッタ装置制御が
難しいという問題がある。そこで、本発明は、安定した
薄膜の製造を行うことができるＴａ系ターゲットおよび
その製造方法を提案することを目的とする。The reason why plastic working becomes difficult will be described.
When elements such as C, B, Ir, and Ge are added, Ta-based intermetallic compounds such as TaC are generated. It is considered that these intermetallic compounds do not have ductility, so that cracks occur at the interface between the intermetallic compound phase and the Ta phase. Further, W is solid-dissolved in Ta and solid solution strengthening occurs. For this reason, plastic working becomes difficult, and it is difficult to reduce segregation by plastic working. On the other hand, CeO 2 and Ru
A target to which O 2 was added could not be produced. This is because Ta is a high melting point metal,
In order to dissolve these, electron beam melting or plasma melting is required. However, when these are dissolved, most of CeO 2 and RuO 2 added to the dissolved raw materials are reduced. Therefore, the Ta thin film proposed so far has used a co-sputtering method in which a target that is not alloyed is combined. However, in the co-sputtering method, since separate targets are used, there is a problem that it is difficult to control a sputtering apparatus when mass-producing a thin film having a uniform composition. Therefore, an object of the present invention is to propose a Ta-based target capable of stably producing a thin film and a method for producing the same.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明者は、化合物の発
生もしくは酸化物の存在によってコスパッタしなければ
成らなかったＴａ系薄膜の製造を改善するために、ター
ゲットの改良を行った。そして、化合物の偏析に起因す
る薄膜の組成バラツキを抑制できる粉末焼結法の適用に
よって、偏析を抑制したターゲットが得られ、新しいＴ
ａ系ターゲットを提供することが可能となったものであ
る。Means for Solving the Problems The present inventor has improved a target in order to improve the production of a Ta-based thin film which had to be co-sputtered due to the generation of a compound or the presence of an oxide. Then, by applying the powder sintering method capable of suppressing the composition variation of the thin film due to the segregation of the compound, a target in which segregation is suppressed is obtained, and a new T
It has become possible to provide an a-type target.
【０００７】即ち本発明は、４９原子％以下の（Ｃ、
Ｂ、Ｉｒ、Ｗ、Ｇｅ、ＣｅＯ2、ＲｕＯ2）の１種または
２種以上の粉末と、５１原子％以上のＴａ粉末とが焼結
してなるバリア材成膜用Ｔａ系ターゲットである。That is, according to the present invention, (C,
B, Ir, W, Ge, CeO 2 , RuO 2 ) is a Ta-based target for forming a barrier material formed by sintering one or more kinds of powders and 51 atomic% or more of Ta powder.
【０００８】本発明のターゲットは、たとえば、４９原
子％以下の（Ｃ、Ｂ、Ｉｒ、Ｗ、Ｇｅ、ＣｅＯ2、Ｒｕ
Ｏ2）の１種または２種以上の粉末と、５１原子％以上
のＴａ粉末とを７００℃以上、かつ５０ＭＰａ以上で加
圧焼結を行うことにより得ることができる。[0008] The target of the present invention is, for example, 49 atomic% or less (C, B, Ir, W, Ge, CeO 2 , Ru).
One or more powders of O 2 ) and 51 atomic% or more of Ta powder can be obtained by pressure sintering at 700 ° C. or more and 50 MPa or more.
【０００９】本発明において、（Ｃ、Ｂ、Ｉｒ、Ｗ、Ｇ
ｅ、ＣｅＯ2、ＲｕＯ2）は、バリア性を改善する元素と
いう共通の効果を有する。これらの添加元素（化合物）
の好ましい範囲は、５〜４０原子％である。また、好ま
しい加圧焼結法としては、熱間静水圧プレスである。ま
た、好ましい加圧焼結の温度は、添加元素Ｃ、Ｉｒ、
Ｂ、Ｗ、ＣｅＯ2とＲｕＯ2での１種または２種以上を含
有する場合は、１０００〜１６００℃である。また、Ｇ
ｅを含有する場合は、蒸気圧の関係から７００〜９００
℃とする必要がある。In the present invention, (C, B, Ir, W, G
e, CeO 2 , and RuO 2 ) have a common effect of an element that improves barrier properties. These additional elements (compounds)
Is preferably 5 to 40 atomic%. A preferred pressure sintering method is a hot isostatic press. Further, the preferable pressure sintering temperature is the additive element C, Ir,
When it contains one or more of B, W, CeO 2 and RuO 2 , the temperature is 1000 to 1600 ° C. G
When e is contained, it is 700 to 900 from the relation of vapor pressure.
° C.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】化学組成を、Ｔａ系合金におい
て、Ｃ、Ｂ、Ｉｒ、Ｗ、Ｇｅ、ＣｅＯ2、ＲｕＯ2の１種
または２種とした。上述したように、これらの添加元素
（添加化合物）は、バリア性を高める添加元素として共
通の効果を有するものである。さらに、個々の作用とし
ては、３種に分類できる作用を有する。１つ目の分類
は、Ｂ、Ｇｅを添加したＴａ系ターゲットである。これ
らは、窒素とアルゴンの混合ガス雰囲気中でスパッタを
行い、薄膜を形成する。これで得られるＴａＢＮやＴａ
ＧｅＮの薄膜は、アモルファスかアモルファスに近い微
細粒となる。このようになると、高速拡散通路としての
粒界をなくして、バリア性の向上がはかれると考えられ
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The chemical composition is one or two of C, B, Ir, W, Ge, CeO 2 and RuO 2 in a Ta-based alloy. As described above, these additive elements (additive compounds) have a common effect as additive elements for improving barrier properties. Furthermore, the individual actions have actions that can be classified into three types. The first category is a Ta-based target to which B and Ge are added. These are sputtered in a mixed gas atmosphere of nitrogen and argon to form a thin film. TaBN and Ta obtained by this
The GeN thin film becomes amorphous or fine particles close to amorphous. In this case, it is considered that the grain boundary as a high-speed diffusion path is eliminated and the barrier property is improved.
【００１１】２つ目の分類は、Ｃ、Ｉｒ、Ｗを添加した
Ｔａ系ターゲットである。これらは、アルゴン雰囲気中
でスパッタされ、ＴａＣやＩｒＴａやＴａＷといった薄
膜が得られる。これらの薄膜も、アモルファスかアモル
ファスに近い微細粒となる。このようになると、Ｃｕな
どの拡散経路が長くなり、バリア性の向上がはかれると
考えられる。The second category is a Ta-based target to which C, Ir, and W are added. These are sputtered in an argon atmosphere to obtain thin films such as TaC, IrTa and TaW. These thin films also become amorphous or fine particles close to amorphous. In such a case, it is considered that the diffusion path of Cu or the like becomes longer, and the barrier property is improved.
【００１２】３つ目の分類は、ＣｅＯ2とＲｕＯ2を添加
したＴａ系ターゲットである。このターゲットをアルゴ
ン雰囲気中などでスパッタを行い、薄膜を形成する。こ
の薄膜は、ＣｅＯ2やＲｕＯ2化合物が、Ｔａの結晶粒界
に存在するようになる。このようになると、Ｃｕの粒界
拡散を、ＣｅＯ2やＲｕＯ2化合物が抑制する効果があ
り、バリア性が向上すると考えられている。さらに、
Ｃ、Ｂ、Ｉｒ、Ｇｅ、ＣｅＯ2、ＲｕＯ2を複合添加する
ことによっても、バリア性を高められるので、２種以上
とした。The third category is a Ta-based target to which CeO 2 and RuO 2 are added. This target is sputtered in an argon atmosphere or the like to form a thin film. In this thin film, a CeO 2 or RuO 2 compound is present at the crystal grain boundary of Ta. In this case, it is considered that the CeO 2 or RuO 2 compound has an effect of suppressing the grain boundary diffusion of Cu, and the barrier property is improved. further,
Since the barrier property can be enhanced also by adding C, B, Ir, Ge, CeO 2 , and RuO 2 in combination, two or more kinds are used.
【００１３】添加元素や添加化合物の組成範囲は、４９
原子％以下とした。４９％を超えると、Ｔａ自体が持つ
バリア性が維持できなくなるためである。５〜４０原子
％の添加で、最もバリア性が向上する。本発明において
は、Ｔａと添加元素群である（Ｃ、Ｂ、Ｉｒ、Ｗ、Ｇ
ｅ、ＣｅＯ2、ＲｕＯ2）の各粉末を用いて、加圧焼結す
る。なお、添加元素群同士は、可能な場合は、単体粉末
はもちろん、添加元素同士の合金であっても良いし、２
種以上の粉末を混合しても良い。The composition range of the additive element or additive compound is 49
Atomic% or less. If the content exceeds 49%, the barrier property of Ta itself cannot be maintained. The addition of 5 to 40 atomic% improves the barrier properties most. In the present invention, Ta and an additive element group (C, B, Ir, W, G
e, CeO 2 , and RuO 2 ) and pressure sintering. When possible, the additive element group may be not only a single powder but also an alloy of the additive elements.
More than one kind of powder may be mixed.
【００１４】粉末の製造方法としては、電子ビーム溶解
した鋳塊を機械粉砕する方法や水素雰囲気で熱処理後粉
砕方法、アークメルト法、ガスアトマイズ法などが適用
できる。加圧焼結の条件としては、熱間静水圧プレスを
適用し、７００℃以上、かつ５×１０７Ｐａ以上が好ま
しい。これは、微細な加工が要求される薄膜を形成する
ために使用されるターゲットは、パーティクルと呼ばれ
る異物の発生が少ないことが、非常に強く求められる。
これまで、本発明者が半導体用ターゲットとパーティク
ルの相関について検討した結果、空孔などの欠陥や粗大
な組織を有するターゲットは、パーティクルが多発する
との結論を得ている。この理由は、ターゲット内の空孔
部分には、酸化物などの異物が集積しやすいために、こ
の粗大になった異物がスパッタされた際に、パーティク
ルが発生する。また、組織が粗大化すると、不純物の析
出物なども粗大になるためと推察される。As a method for producing the powder, a method of mechanically pulverizing an ingot melted with an electron beam, a method of pulverizing after heat treatment in a hydrogen atmosphere, an arc melt method, a gas atomizing method and the like can be applied. The pressure sintering is preferably performed at a temperature of 700 ° C. or higher and 5 × 10 7 Pa or higher using a hot isostatic press. It is very strongly required that a target used for forming a thin film requiring fine processing has a small generation of foreign substances called particles.
The inventors of the present invention have studied the correlation between a semiconductor target and particles, and have concluded that a target having defects such as vacancies and a coarse structure has a large number of particles. This is because particles such as oxides are likely to accumulate in the holes in the target, and particles are generated when the coarse particles are sputtered. It is also presumed that when the structure becomes coarse, precipitates of impurities and the like also become coarse.
【００１５】あるいは、空孔部分が、ターゲット表面に
現われた際の表面凹凸に、異常な放電が起こり、空孔付
近から粗大な粒子が発生するからである。そこで、本発
明品であるＴａ系ターゲットについて、パーティクルの
発生がない程度に、空孔がなくなり、組織が微細になる
条件を検討した。その結果、７００℃以上、かつ５×１
０７Ｐａ以上で加圧焼結を行うことを特徴とする方法に
よって、製造が可能であることを見出した。また、好ま
しい加圧焼結の温度を、添加元素Ｃ、Ｉｒ、Ｂ、ＣｅＯ
2とＲｕＯ2での１種または２種以上を含有する場合は、
１０００〜１６００℃であるとした理由について説明す
る。これらの元素、化合物またＴａは、融点が高いの
で、１０００℃以上で加圧焼結を行った方が、さらにパ
ーティクルの発生の少ないターゲットが得られる。一
方、上限を１６００℃としたのは、これ以上の温度であ
ると、加圧焼結の加熱装置の損傷が大きくなり、生産性
が低下するからである。さらに、好ましい加圧焼結方法
を熱間静水圧プレスとしたのは、ホットプレスなどと比
較して、高圧力が与えられるので低温の加熱によって高
密度のターゲットが得られるので、微細な組織も得られ
やすいからである。[0015] Alternatively, an abnormal discharge occurs in the surface irregularities when the pores appear on the target surface, and coarse particles are generated near the pores. Therefore, for the Ta-based target of the present invention, the conditions under which voids disappear and the structure becomes fine to the extent that no particles are generated were examined. As a result, 700 ° C. or more and 5 × 1
By a method which is characterized in that the pressure sintering at 0 7 Pa or more, and found that it is possible to manufacture. Further, the preferred pressure sintering temperature is determined by adjusting the additive elements C, Ir, B, and CeO.
2 and one or more of RuO 2 are contained,
The reason why the temperature is 1000 to 1600 ° C. will be described. Since these elements, compounds and Ta have a high melting point, a target with less generation of particles can be obtained by pressure sintering at 1000 ° C. or higher. On the other hand, the reason why the upper limit is set to 1600 ° C. is that if the temperature is higher than 1600 ° C., the heating device for pressure sintering is greatly damaged, and the productivity is reduced. Furthermore, the preferred pressure sintering method is hot isostatic pressing, as compared to hot pressing and the like, since high pressure is applied and a high-density target can be obtained by heating at low temperature, so that a fine structure is also obtained. This is because it is easy to obtain.
【００１６】一方、Ｇｅを含有する場合は、７００〜９
００℃とした理由について説明する。Ｇｅの融点は９４
０℃付近と低い。このために、９００℃を超えると、溶
解して、均一にＧｅが分布したターゲットが得られなく
なる場合がある。よって、好ましい温度範囲を、７００
〜９００℃とした。On the other hand, when Ge is contained, 700 to 9
The reason why the temperature is set to 00 ° C. will be described. The melting point of Ge is 94
Low at around 0 ° C. For this reason, if the temperature exceeds 900 ° C., the target may be dissolved and a target in which Ge is uniformly distributed may not be obtained. Therefore, the preferable temperature range is 700
~ 900 ° C.
【００１７】[0017]
【実施例】電子ビーム溶解法を用いた“溶解−鋳造”
と、市販されている各元素の粉末を２００ｍｅｓｈ以下
に分級して熱間静水圧プレスで焼結して、ターゲットを
製造した。これらのターゲットの偏析を、表１に示す。
この表での偏析は、２０枚のターゲットを製造して、品
位を決定した。組成は、２０枚のターゲットの化学分析
の平均値である。２０枚のターゲットについて、Ｘ線光
電子分光法（ＥＳＣＡ）にて、各ターゲットについて無
作為に１０個所、合計で２００個所分析した。各元素や
化合物について、この分析値の最大値−最小値の差を求
め、この差を化学分析の平均値で割り、偏析品位の評価
とした。この偏析品位の値で最も大きかった元素につい
て、２０％以上のものを悪いと評価して×と記載し、２
０％未満を良いと評価して○と記載した。また、この表
には熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）の条件も記載してい
る。表１からわかるように、熱間静水圧プレスで製造し
たターゲットの偏析品位は、全てが優れていた。一方、
“溶解−鋳造”で製造したターゲットは、偏析品位が悪
い。または、ＣｅＯ２やＲｕＯ２を含有させたターゲッ
トは、鋳造法では製造できなかった。このことから、Ｔ
ａに元素や化合物を添加したターゲットとしては、熱間
静水圧プレスを用いて製造することが良いことがわか
る。[Example] "Melting-casting" using the electron beam melting method
And a commercially available powder of each element was classified to 200 mesh or less and sintered by a hot isostatic press to produce a target. Table 1 shows the segregation of these targets.
Segregation in this table determined the quality by manufacturing 20 targets. The composition is an average value of chemical analysis of 20 targets. Twenty targets were randomly analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (ESCA) at 10 locations for each target, for a total of 200 locations. For each element or compound, the difference between the maximum value and the minimum value of the analysis values was determined, and this difference was divided by the average value of the chemical analysis to evaluate the segregation quality. Regarding the element having the largest segregation quality value, the element having a segregation quality of 20% or more was evaluated as bad, and was described as x.
Less than 0% was evaluated as good and was described as "good". The table also shows the conditions for hot isostatic pressing (HIP). As can be seen from Table 1, the segregation grades of the targets manufactured by the hot isostatic pressing were all excellent. on the other hand,
Targets manufactured by "melt-casting" have poor segregation quality. Alternatively, a target containing CeO 2 or RuO 2 could not be manufactured by a casting method. From this, T
It can be seen that the target obtained by adding an element or a compound to a is preferably manufactured using a hot isostatic press.
【００１８】[0018]
【表１】 [Table 1]
【００１９】[0019]
【発明の効果】本発明のターゲットは、Ｃｕ配線を用い
た高性能な半導体を、生産性良く製造するために必要と
なる。このために、半導体の生産上、非常に有益であ
る。The target of the present invention is necessary for producing a high-performance semiconductor using Cu wiring with high productivity. For this reason, it is very useful in semiconductor production.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村田 英夫 島根県安来市安来町2107番地２ 日立金属 株式会社冶金研究所内 Ｆターム(参考） 4K029 BA21 BD00 CA05 DC04 DC08 DC09 4M104 BB17 BB38 BB39 DD40 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Hideo Murata, Inventor 2107-2, Yasugi-cho, Yasugi-shi, Shimane Prefecture F-term in the Metallurgical Research Laboratory, Hitachi Metals, Ltd. 4K029 BA21 BD00 CA05 DC04 DC08 DC09 4M104 BB17 BB38 BB39 DD40
Claims (2)
Ｇｅ、ＣｅＯ2、ＲｕＯ2）の１種または２種以上の粉末
と、５１原子％以上のＴａ粉末とが焼結してなることを
特徴とするバリア材成膜用Ｔａ系ターゲット。1. The method according to claim 1, wherein the content of (C, B, Ir, W,
A Ta-based target for forming a barrier material, wherein one or more powders of Ge, CeO 2 , and RuO 2 ) are sintered with 51 atomic% or more of a Ta powder.
Ｇｅ、ＣｅＯ2、ＲｕＯ2）の１種または２種以上の粉末
と、５１原子％以上のＴａ粉末とを７００℃以上、かつ
５０ＭＰａ以上で加圧焼結を行うことを特徴とするバリ
ア材成膜用Ｔａ系ターゲットの製造方法。2. The method according to claim 1, wherein the content of (C, B, Ir, W,
A barrier material characterized in that one or more powders of Ge, CeO 2 , and RuO 2 ) and a Ta powder of 51 atomic% or more are subjected to pressure sintering at 700 ° C. or more and 50 MPa or more. A method for producing a Ta-based target for a film.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11170647A JP2000355761A (en) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | Ta TARGET FOR FILM-FORMING BARRIER MATERIAL AND ITS PRODUCTION |
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|---|---|---|---|
| JP11170647A JP2000355761A (en) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | Ta TARGET FOR FILM-FORMING BARRIER MATERIAL AND ITS PRODUCTION |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000355761A true JP2000355761A (en) | 2000-12-26 |
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| JP11170647A Pending JP2000355761A (en) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | Ta TARGET FOR FILM-FORMING BARRIER MATERIAL AND ITS PRODUCTION |
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|---|---|
| JP (1) | JP2000355761A (en) |
Cited By (4)
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1999
- 1999-06-17 JP JP11170647A patent/JP2000355761A/en active Pending
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