JP2000352636A - 光導波路素子の作製方法 - Google Patents
光導波路素子の作製方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光導波路パターンと電極パターンとの位置合
わせ作業に必要な、基板側位置合わせパターンとマスク
側位置合わせパターンとアライメントを正確に行うこと
ができる光導波路素子の作製方法を提供すること。 【解決手段】 基板側位置合わせパターン２１Ｂを、エ
ッチング異方性を有するドライエッチング法で形成する
ことにより、位置合わせパターン２１Ｂのエッジを明確
に現し、これによりマスク側位置合わせパターン１５Ａ
とのアライメントを容易かつ正確に行うことを可能とす
る。
わせ作業に必要な、基板側位置合わせパターンとマスク
側位置合わせパターンとアライメントを正確に行うこと
ができる光導波路素子の作製方法を提供すること。 【解決手段】 基板側位置合わせパターン２１Ｂを、エ
ッチング異方性を有するドライエッチング法で形成する
ことにより、位置合わせパターン２１Ｂのエッジを明確
に現し、これによりマスク側位置合わせパターン１５Ａ
とのアライメントを容易かつ正確に行うことを可能とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光変調器等に用い
られる光導波路素子の作製方法に関する。
られる光導波路素子の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光変調器等に用いられる光導波路素子
は、例えばＬｉＮｂＯ３（ニオブ酸リチウム）基板上に
Ｔｉ（チタン）薄膜による光導波路のパターンを形成し
た後、熱拡散処理を行って光導波路を形成し、この光導
波路の近傍に当該光導波路を挟むように一対の電極薄膜
を形成することにより構成され、これら電極間に印加さ
れる電界で基板材料が圧電効果により変位することによ
り屈折率変化を生じさせ、これによって光導波路を通過
する光を変調する。このようなＴｉ拡散法による光導波
路は、フォトリソグラフィー工程、成膜工程、熱拡散工
程を行い、加工工程、組み立て工程の後、完成する。
は、例えばＬｉＮｂＯ３（ニオブ酸リチウム）基板上に
Ｔｉ（チタン）薄膜による光導波路のパターンを形成し
た後、熱拡散処理を行って光導波路を形成し、この光導
波路の近傍に当該光導波路を挟むように一対の電極薄膜
を形成することにより構成され、これら電極間に印加さ
れる電界で基板材料が圧電効果により変位することによ
り屈折率変化を生じさせ、これによって光導波路を通過
する光を変調する。このようなＴｉ拡散法による光導波
路は、フォトリソグラフィー工程、成膜工程、熱拡散工
程を行い、加工工程、組み立て工程の後、完成する。
【０００３】図１３及び図１４を参照してＴｉ拡散法に
よる光導波路の作製工程を簡単に説明する。まず、基板
１の上面にフォトレジスト２による光導波路のレジスト
パターンを形成し（図１３Ａ）、その上からＴｉを成膜
する（図１３Ｂ）。その後、レジスト２をリフトオフし
て基板１上の不要Ｔｉ膜を除去し（図１３Ｃ）、基板１
を所定温度で数時間加熱してＴｉを基板１中に拡散さ
せ、光導波路４を形成する（図１４Ａ）。電極薄膜５
は、光導波路４の近傍に配置され、光導波路４を間に挟
むように一対、形成される（図１４Ｂ）。
よる光導波路の作製工程を簡単に説明する。まず、基板
１の上面にフォトレジスト２による光導波路のレジスト
パターンを形成し（図１３Ａ）、その上からＴｉを成膜
する（図１３Ｂ）。その後、レジスト２をリフトオフし
て基板１上の不要Ｔｉ膜を除去し（図１３Ｃ）、基板１
を所定温度で数時間加熱してＴｉを基板１中に拡散さ
せ、光導波路４を形成する（図１４Ａ）。電極薄膜５
は、光導波路４の近傍に配置され、光導波路４を間に挟
むように一対、形成される（図１４Ｂ）。
【０００４】一般に、光導波路のパターン幅は通常数μ
ｍ（使用波長、マルチモード又はシングルモード等に依
存する）程度で、電極間のギャップは仕様により変わる
が、おおよそ１０μｍ程度である。また、変調指数ｍｐ
は、ｍｐ＝ζ・ｋ・ｌ・ｎ・ｒ・Ｖｍ／ｇの式で表され
る。ここで、ζは変調効率、ｋはレーザ光の波数、ｌは
電極長、ｎは屈折率、ｒは電気光学定数、Ｖｍは変調電
圧、ｇは電極間のギャップである。変調指数は光導波路
をデバイスとして使用する際重要な指数であるが、変調
効率ζが何らかの理由で変化すると、上式により変調指
数ｍｐが変化する。
ｍ（使用波長、マルチモード又はシングルモード等に依
存する）程度で、電極間のギャップは仕様により変わる
が、おおよそ１０μｍ程度である。また、変調指数ｍｐ
は、ｍｐ＝ζ・ｋ・ｌ・ｎ・ｒ・Ｖｍ／ｇの式で表され
る。ここで、ζは変調効率、ｋはレーザ光の波数、ｌは
電極長、ｎは屈折率、ｒは電気光学定数、Ｖｍは変調電
圧、ｇは電極間のギャップである。変調指数は光導波路
をデバイスとして使用する際重要な指数であるが、変調
効率ζが何らかの理由で変化すると、上式により変調指
数ｍｐが変化する。
【０００５】光導波路パターンと電極パターンとの位置
合わせは、光導波路パターンの形成と同時に基板上に形
成されるＴｉ拡散路で成る位置合わせパターン（基板側
位置合わせパターン）と、電極パターンマスクに配置さ
れる位置合わせパターン（マスク側位置合わせパター
ン）とを、光学顕微鏡にて観察しながらアライメント、
すなわち重ね合わせて整列させることにより行ってい
る。
合わせは、光導波路パターンの形成と同時に基板上に形
成されるＴｉ拡散路で成る位置合わせパターン（基板側
位置合わせパターン）と、電極パターンマスクに配置さ
れる位置合わせパターン（マスク側位置合わせパター
ン）とを、光学顕微鏡にて観察しながらアライメント、
すなわち重ね合わせて整列させることにより行ってい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
基板側位置合わせパターンは、光導波路と同様に熱拡散
により形成したＴｉのパターンであるため、図１５に示
すようにパターン断面形状４Ａは、基板１から約３０
盛り上がっており、しかも角がだれた形状となる。この
ため、光学顕微鏡で観察すると図１６に示すようにエッ
ジ（パターン部分とそれ以外の部分との境界）がぼけて
見える。その結果、基板側位置合わせパターンとマスク
側位置合わせパターンとを正確にアライメントするのが
非常に困難となる。
基板側位置合わせパターンは、光導波路と同様に熱拡散
により形成したＴｉのパターンであるため、図１５に示
すようにパターン断面形状４Ａは、基板１から約３０
盛り上がっており、しかも角がだれた形状となる。この
ため、光学顕微鏡で観察すると図１６に示すようにエッ
ジ（パターン部分とそれ以外の部分との境界）がぼけて
見える。その結果、基板側位置合わせパターンとマスク
側位置合わせパターンとを正確にアライメントするのが
非常に困難となる。
【０００７】したがって図１７Ａに示すように、例えば
１０μｍ程度の電極５、５間に、６μｍから７μｍ程度
の光導波路４のパターンを正確に配置することが難しく
なり、図１７Ｂに示すようにアライメントずれが生じ、
光導波路４を伝搬する導波路光の電極５による伝搬損
失、変調効率変化による変調指数のバラツキ等の問題が
発生し、デバイス性能に悪影響を及ぼす。
１０μｍ程度の電極５、５間に、６μｍから７μｍ程度
の光導波路４のパターンを正確に配置することが難しく
なり、図１７Ｂに示すようにアライメントずれが生じ、
光導波路４を伝搬する導波路光の電極５による伝搬損
失、変調効率変化による変調指数のバラツキ等の問題が
発生し、デバイス性能に悪影響を及ぼす。
【０００８】本発明は上述の問題に鑑みてなされ、基板
側位置合わせパターンとマスク側位置合わせパターンと
を正確にアライメントすることができる光導波路素子の
作製方法を提供することを課題とする。
側位置合わせパターンとマスク側位置合わせパターンと
を正確にアライメントすることができる光導波路素子の
作製方法を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するに
当たり、本発明は、基板上に形成される基板側位置合わ
せパターンを、エッチング異方性が得られるドライエッ
チング法で形成することにより、位置合わせパターンの
エッジを明確に現し、これによりマスク側位置合わせパ
ターンとのアライメント（重ね合わせ）を正確、かつ容
易に行うことを可能とする。
当たり、本発明は、基板上に形成される基板側位置合わ
せパターンを、エッチング異方性が得られるドライエッ
チング法で形成することにより、位置合わせパターンの
エッジを明確に現し、これによりマスク側位置合わせパ
ターンとのアライメント（重ね合わせ）を正確、かつ容
易に行うことを可能とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１１】本実施の形態では、Ｘカットニオブ酸リチ
ウム基板を使用し、図１に示すようにＴｉ熱拡散法に
て、例えば図１１に示すようなＹ分岐型導波路の光導波
路変調素子を作製する場合のプロセスに従って説明す
る。
ウム基板を使用し、図１に示すようにＴｉ熱拡散法に
て、例えば図１１に示すようなＹ分岐型導波路の光導波
路変調素子を作製する場合のプロセスに従って説明す
る。
【００１２】まず、ニオブ酸リチウム基板を洗浄後、フ
ォトレジストを基板にコートする。その後、図２に示す
ように光導波路パターンマスクを用いて基板１上にレジ
ストによる光導波路パターン２Ａを形成すると同時に、
十文字形状の基板側位置合わせパターン２Ｂを４箇所形
成する（ステップＳ１）。次いで、光導波路パターン２
Ａがドライエッチングされるのを防ぐ目的で、図３に示
すように基板側位置合わせパターン２Ｂ以外をマスク６
により覆い、基板側位置合わせパターン２Ｂのみを例え
ばイオンミリング装置によりドライエッチングを行う
（ステップＳ２）。数分間ドライエッチングを行った後
の基板側位置合わせパターン２１Ｂを図８に示す。な
お、マスク６としては、例えばアルミニウムやステンレ
ス、チタンなどの金属材料が用いられる。
ォトレジストを基板にコートする。その後、図２に示す
ように光導波路パターンマスクを用いて基板１上にレジ
ストによる光導波路パターン２Ａを形成すると同時に、
十文字形状の基板側位置合わせパターン２Ｂを４箇所形
成する（ステップＳ１）。次いで、光導波路パターン２
Ａがドライエッチングされるのを防ぐ目的で、図３に示
すように基板側位置合わせパターン２Ｂ以外をマスク６
により覆い、基板側位置合わせパターン２Ｂのみを例え
ばイオンミリング装置によりドライエッチングを行う
（ステップＳ２）。数分間ドライエッチングを行った後
の基板側位置合わせパターン２１Ｂを図８に示す。な
お、マスク６としては、例えばアルミニウムやステンレ
ス、チタンなどの金属材料が用いられる。
【００１３】図４及び図５に、基板１を複数枚同時に処
理する一形態を示す。４枚の基板１をエッチング治具７
上のゴム製シート８の上に並べ、各基板１上の位置合わ
せパターン２Ｂに対応する部分に開口９ａを有するマス
ク９を基板押えも兼ねてエッチング治具７に複数のネジ
１０を介して固定する。そして、エッチング治具７を図
６に示すイオンミリング装置１１の内部に配置し、イオ
ン源１２から照射されるイオンビーム１３によって基板
側位置合わせパターン２Ｂをドライエッチングする。こ
のときのエッチング条件の一例を以下に挙げる。 イオン電流 ６００ｍＡ イオン加速電圧 ７００Ｖ 基板の面の法線方向に対するビーム入射角 ０度 エッチング時間 ３分３０秒 導入ガス アルゴン（Ａｒ） ２×１０−４Ｔｏｒｒ
理する一形態を示す。４枚の基板１をエッチング治具７
上のゴム製シート８の上に並べ、各基板１上の位置合わ
せパターン２Ｂに対応する部分に開口９ａを有するマス
ク９を基板押えも兼ねてエッチング治具７に複数のネジ
１０を介して固定する。そして、エッチング治具７を図
６に示すイオンミリング装置１１の内部に配置し、イオ
ン源１２から照射されるイオンビーム１３によって基板
側位置合わせパターン２Ｂをドライエッチングする。こ
のときのエッチング条件の一例を以下に挙げる。 イオン電流 ６００ｍＡ イオン加速電圧 ７００Ｖ 基板の面の法線方向に対するビーム入射角 ０度 エッチング時間 ３分３０秒 導入ガス アルゴン（Ａｒ） ２×１０−４Ｔｏｒｒ
【００１４】次に、電子ビーム蒸着法等により、Ｔｉ膜
を数１０ｎｍ成膜する（ステップＳ３）。このとき、ス
テップＳ２において形成した基板側位置合わせパターン
２１Ｂは、図９に示すようにマスク１４、１４により覆
われており、この位置合わせパターン２１ＢにＴｉ膜が
成膜されないようにする。
を数１０ｎｍ成膜する（ステップＳ３）。このとき、ス
テップＳ２において形成した基板側位置合わせパターン
２１Ｂは、図９に示すようにマスク１４、１４により覆
われており、この位置合わせパターン２１ＢにＴｉ膜が
成膜されないようにする。
【００１５】続いて、Ｔｉを成膜した基板１をアセトン
中に浸漬しながら超音波洗浄にかけてリフトオフを行
い、光導波路パターン２Ａ以外に付着している不要Ｔｉ
膜およびレジスト２を剥離、除去する（ステップＳ
４）。次いで、基板１を１０００℃程度で数時間加熱
し、Ｔｉを基板１中に拡散させる（ステップＳ５）。Ｔ
ｉが拡散した部分はニオブ酸リチウムの屈折率より〜×
１０−２程度高くなるため、この部分が光を閉じ込める
光導波路４となる。
中に浸漬しながら超音波洗浄にかけてリフトオフを行
い、光導波路パターン２Ａ以外に付着している不要Ｔｉ
膜およびレジスト２を剥離、除去する（ステップＳ
４）。次いで、基板１を１０００℃程度で数時間加熱
し、Ｔｉを基板１中に拡散させる（ステップＳ５）。Ｔ
ｉが拡散した部分はニオブ酸リチウムの屈折率より〜×
１０−２程度高くなるため、この部分が光を閉じ込める
光導波路４となる。
【００１６】次に、電極薄膜５（図１４参照）のパター
ニングを行う（ステップＳ６）。電極薄膜５のパターニ
ングは光導波路のパターニングと同様な方法で行われ、
図１０に示すように電極パターンマスク１５を用いて、
電極パターンを形成する。Ｘカットニオブ酸リチウム基
板の場合、電極パターンと導波路パターンは図１７Ａの
ように配置するので、その位置合わせが重要となる。
ニングを行う（ステップＳ６）。電極薄膜５のパターニ
ングは光導波路のパターニングと同様な方法で行われ、
図１０に示すように電極パターンマスク１５を用いて、
電極パターンを形成する。Ｘカットニオブ酸リチウム基
板の場合、電極パターンと導波路パターンは図１７Ａの
ように配置するので、その位置合わせが重要となる。
【００１７】つまり、従来の熱拡散パターン（図１６）
による基板側位置合わせパターンではパターンエッジが
シャープでないため、顕微鏡にて観察すると位置合わせ
パターンのエッジはぼやけてしまう。それゆえ、この基
板側位置合わせパターンと、同じく十文字形状に形成さ
れたマスク側位置合わせパターン１５Ａのアライメント
を正確に行うのは非常に難しい。
による基板側位置合わせパターンではパターンエッジが
シャープでないため、顕微鏡にて観察すると位置合わせ
パターンのエッジはぼやけてしまう。それゆえ、この基
板側位置合わせパターンと、同じく十文字形状に形成さ
れたマスク側位置合わせパターン１５Ａのアライメント
を正確に行うのは非常に難しい。
【００１８】これに対して本実施の形態によれば、図８
に示したようにドライエッチング法により形成した位置
合わせパターン２１Ｂのエッジは、エッチング異方性に
よりパターン断面形状が図７に示すように基板１の面に
対して垂直方向に形成されるので、図１６に示す従来の
位置合わせパターンに比べてシャープに観察することが
可能となり、これによりマスク側位置合わせパターン１
５Ａとのアライメントが正確かつ容易となり、アライメ
ント精度も向上する。また、アライメント精度が向上す
ることにより、素子の変調効率のバラツキが小さくな
る。
に示したようにドライエッチング法により形成した位置
合わせパターン２１Ｂのエッジは、エッチング異方性に
よりパターン断面形状が図７に示すように基板１の面に
対して垂直方向に形成されるので、図１６に示す従来の
位置合わせパターンに比べてシャープに観察することが
可能となり、これによりマスク側位置合わせパターン１
５Ａとのアライメントが正確かつ容易となり、アライメ
ント精度も向上する。また、アライメント精度が向上す
ることにより、素子の変調効率のバラツキが小さくな
る。
【００１９】また、アライメント精度が向上することに
より、アライメントずれによる光導波路４と電極薄膜５
との干渉により導波路光が電極により伝搬損失を受ける
ことがない。その結果、本実施の形態のようにＹ分岐型
の導波路デバイスの場合、電極５側の出射光量不足によ
る不良や、電極５側の出射光量と非電極側の出射光量の
アンバランス不良を低減できる。
より、アライメントずれによる光導波路４と電極薄膜５
との干渉により導波路光が電極により伝搬損失を受ける
ことがない。その結果、本実施の形態のようにＹ分岐型
の導波路デバイスの場合、電極５側の出射光量不足によ
る不良や、電極５側の出射光量と非電極側の出射光量の
アンバランス不良を低減できる。
【００２０】各位置合わせパターン２１Ｂ、１５Ａの十
文字形状の交点を基板上４箇所で合致させることによ
り、基板側位置合わせパターン２１Ｂとマスク側位置合
わせパターン１５Ａとのアライメントを完了させた後、
電極パターンマスク１５の開口１５ａを介して基板１上
に、電子ビーム蒸着法等により電極薄膜５を成膜する
（ステップＳ７）。本実施の形態では、電極薄膜５とし
て、Ｔｉ膜を下地としたＡｕ膜を用いた。その後、Ｔｉ
リフトオフと同様に電極パターン以外の不要電極膜を剥
離する（ステップＳ８）。
文字形状の交点を基板上４箇所で合致させることによ
り、基板側位置合わせパターン２１Ｂとマスク側位置合
わせパターン１５Ａとのアライメントを完了させた後、
電極パターンマスク１５の開口１５ａを介して基板１上
に、電子ビーム蒸着法等により電極薄膜５を成膜する
（ステップＳ７）。本実施の形態では、電極薄膜５とし
て、Ｔｉ膜を下地としたＡｕ膜を用いた。その後、Ｔｉ
リフトオフと同様に電極パターン以外の不要電極膜を剥
離する（ステップＳ８）。
【００２１】続いて、電極薄膜５等の保護のため、二酸
化珪素等の保護膜を蒸着等により形成し（ステップＳ
９）、電極引き出し用の窓のパターニングを光導波路の
パターニングと同様な方法で行う（ステップＳ１０）。
そして、保護膜窓部をケミカルエッチングにより形成す
る（ステップＳ１１）。次いで、ウェーハ状態の基板１
を切断し、光導波路４に光を結合させるために端面が鏡
面に研磨処理されて、図１１に示すような光導波路素子
１６が作製される（ステップＳ１２）。光導波路素子１
６は最終的に、ベースに接着固定され、図示しない筐体
（ホルダ）に収納され、更に上記保護膜の窓部を介して
電極薄膜５と外部電極とがワイヤボンディングされる
（Ｓ１３）。
化珪素等の保護膜を蒸着等により形成し（ステップＳ
９）、電極引き出し用の窓のパターニングを光導波路の
パターニングと同様な方法で行う（ステップＳ１０）。
そして、保護膜窓部をケミカルエッチングにより形成す
る（ステップＳ１１）。次いで、ウェーハ状態の基板１
を切断し、光導波路４に光を結合させるために端面が鏡
面に研磨処理されて、図１１に示すような光導波路素子
１６が作製される（ステップＳ１２）。光導波路素子１
６は最終的に、ベースに接着固定され、図示しない筐体
（ホルダ）に収納され、更に上記保護膜の窓部を介して
電極薄膜５と外部電極とがワイヤボンディングされる
（Ｓ１３）。
【００２２】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００２３】例えば以上の実施の形態では、光導波路素
子１６として、ＬｉＮｂＯ３を基板に用いた電気光学効
果による光変調素子を例にとり説明したが、これだけに
限らず、例えば、基板としてＬｉＴａＯ３などの他の圧
電材料を用いたり、あるいはＬｉＮｂＯ３を基板に用い
た音響光学効果による光偏光素子にも、本発明は適用可
能である。
子１６として、ＬｉＮｂＯ３を基板に用いた電気光学効
果による光変調素子を例にとり説明したが、これだけに
限らず、例えば、基板としてＬｉＴａＯ３などの他の圧
電材料を用いたり、あるいはＬｉＮｂＯ３を基板に用い
た音響光学効果による光偏光素子にも、本発明は適用可
能である。
【００２４】また、以上の実施の形態では、基板側位置
合わせパターン２１Ｂおよびマスク側位置合わせパター
ン１５Ａをともに同一形状で形成したが、例えば図１２
に示すように、マスク側位置合わせパターン１５Ａを基
板側位置合わせパターン２１Ｂの線幅とほぼ同一の間隔
をあけて形成される十文字形状で形成してもよく、マス
ク側位置合わせパターン１５Ａの内部に基板側位置合わ
せパターン２１Ｂを収容させることにより、基板１と電
極パターンマスク１５とをアライメントさせるようにし
てもよい。なお、これら位置合わせパターンは必ずしも
十文字形状で形成しなければならないというわけではな
く、他の形状で形成することも当然、可能である。
合わせパターン２１Ｂおよびマスク側位置合わせパター
ン１５Ａをともに同一形状で形成したが、例えば図１２
に示すように、マスク側位置合わせパターン１５Ａを基
板側位置合わせパターン２１Ｂの線幅とほぼ同一の間隔
をあけて形成される十文字形状で形成してもよく、マス
ク側位置合わせパターン１５Ａの内部に基板側位置合わ
せパターン２１Ｂを収容させることにより、基板１と電
極パターンマスク１５とをアライメントさせるようにし
てもよい。なお、これら位置合わせパターンは必ずしも
十文字形状で形成しなければならないというわけではな
く、他の形状で形成することも当然、可能である。
【００２５】さらに、以上の実施の形態では、基板側位
置合わせパターン２１Ｂを形成するのにイオンミリング
装置を用いたが、これに代えて、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉ
ｖｅＩｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法など、他のドライエッ
チング法を用いることも可能である。
置合わせパターン２１Ｂを形成するのにイオンミリング
装置を用いたが、これに代えて、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉ
ｖｅＩｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法など、他のドライエッ
チング法を用いることも可能である。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の光導波路素
子の作製方法によれば、基板側位置合わせパターンをド
ライエッチング法により形成したので、エッチング異方
性により位置合わせパターンのエッジを明確に観察する
ことが可能となり、これによりマスク側位置合わせパタ
ーンとのアライメントが正確かつ容易となるとともに、
アライメント精度も向上する。また、アライメント精度
が向上することにより、素子の変調効率のバラツキが小
さくなる。
子の作製方法によれば、基板側位置合わせパターンをド
ライエッチング法により形成したので、エッチング異方
性により位置合わせパターンのエッジを明確に観察する
ことが可能となり、これによりマスク側位置合わせパタ
ーンとのアライメントが正確かつ容易となるとともに、
アライメント精度も向上する。また、アライメント精度
が向上することにより、素子の変調効率のバラツキが小
さくなる。
【００２７】また、請求項２および請求項３によれば、
基板側位置合わせパターンの形成に伴う光導波路への影
響、および光導波路の形成に伴う基板側位置合わせパタ
ーンへの影響を回避できるとともに、請求項４の構成に
より、基板側位置合わせパターンとマスク側位置合わせ
パターンとの正確なアライメント作業に貢献する。
基板側位置合わせパターンの形成に伴う光導波路への影
響、および光導波路の形成に伴う基板側位置合わせパタ
ーンへの影響を回避できるとともに、請求項４の構成に
より、基板側位置合わせパターンとマスク側位置合わせ
パターンとの正確なアライメント作業に貢献する。
【図１】本発明の実施の形態による光導波路素子の作製
方法のフロー図である。
方法のフロー図である。
【図２】基板上に形成される光導波路パターンと位置合
わせパターンとの関係を示す平面図である。
わせパターンとの関係を示す平面図である。
【図３】基板上の位置合わせパターンをドライエッチン
グするときの態様を説明する平面図である。
グするときの態様を説明する平面図である。
【図４】複数枚の基板を同時に処理する場合の基板とマ
スクとの関係を説明する平面図である。
スクとの関係を説明する平面図である。
【図５】図４の分解斜視図である。
【図６】基板を収容したドライエッチング装置の概略構
成図である。
成図である。
【図７】本実施の形態における位置合わせパターンの断
面形状を示す図である。
面形状を示す図である。
【図８】本実施の形態における基板上の位置合わせパタ
ーンの写真である。
ーンの写真である。
【図９】光導波路パターンへ金属膜を成膜するときの態
様を説明する平面図である。
様を説明する平面図である。
【図１０】電極パターンのパターニングを行うときの態
様を説明する平面図である。
様を説明する平面図である。
【図１１】作製した光導波路素子の平面図である。
【図１２】基板および電極パターンマスクに形成される
位置合わせパターンの他の態様を説明する図である。
位置合わせパターンの他の態様を説明する図である。
【図１３】光導波路素子の作製工程を示す模式図であ
り、Ａは光導波路のレジストパターンを、Ｂは成膜工程
を、そしてＣはリフトオフ後の光導波路パターンを示
す。
り、Ａは光導波路のレジストパターンを、Ｂは成膜工程
を、そしてＣはリフトオフ後の光導波路パターンを示
す。
【図１４】光導波路素子の作製工程を示す模式図であ
り、Ａは成膜した金属膜の基板中への熱拡散工程を示
し、Ｂは電極膜の形成工程を示す。
り、Ａは成膜した金属膜の基板中への熱拡散工程を示
し、Ｂは電極膜の形成工程を示す。
【図１５】従来の熱拡散による基板上の位置合わせパタ
ーンの断面形状を示す図である。
ーンの断面形状を示す図である。
【図１６】従来技術における基板上の位置合わせパター
ンの写真である。
ンの写真である。
【図１７】基板上の光導波路と電極との位置関係を示す
模式図であり、Ａは光導波路に対して電極が正規の位置
に配置されている状態を示し、Ｂは電極が正規の位置に
配置されていない状態を示す。
模式図であり、Ａは光導波路に対して電極が正規の位置
に配置されている状態を示し、Ｂは電極が正規の位置に
配置されていない状態を示す。
１…基板、２…フォトレジスト、２Ａ…光導波路パター
ン、２１Ｂ…基板側位置合わせパターン、４…光導波
路、５…電極薄膜、６、９、１４…マスク、１５…電極
パターンマスク、１５Ａ…マスク側位置合わせパター
ン。
ン、２１Ｂ…基板側位置合わせパターン、４…光導波
路、５…電極薄膜、６、９、１４…マスク、１５…電極
パターンマスク、１５Ａ…マスク側位置合わせパター
ン。
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に光導波路のパターンを形成した
後、前記光導波路の近傍に配置され前記光導波路素子を
挟むようにして形成される一対の電極薄膜を備えた光導
波路素子の作製方法であって、前記光導波路のパターン
と前記電極薄膜のパターンとの位置合わせを、前記基板
上に形成される基板側位置合わせパターンと前記電極薄
膜のパターンマスクに形成されるマスク側位置合わせパ
ターンとを相重ね合わせることによって行うようにした
光導波路素子の作製方法において、 前記基板側位置合わせパターンを、ドライエッチング法
で形成することを特徴とする光導波路素子の作製方法。 - 【請求項２】 前記基板側位置合わせパターンをドライ
エッチング法で形成する際、前記光導波路のパターンは
マスキングされることを特徴とする請求項１に記載の光
導波路素子の作製方法。 - 【請求項３】 前記光導波路は、この光導波路素子のパ
ターンに沿って成膜した金属膜を熱拡散させることによ
り形成され、 前記金属膜を成膜する際、前記基板側位置合わせパター
ンはマスキングされることを特徴とする請求項１に記載
の光導波路素子の作製方法。 - 【請求項４】 前記基板側位置合わせパターンおよび前
記マスク側位置合わせパターンはともに、十文字形状で
あることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか
に記載の光導波路素子の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20074599A JP2000352636A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 光導波路素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20074599A JP2000352636A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 光導波路素子の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000352636A true JP2000352636A (ja) | 2000-12-19 |
Family
ID=16429474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20074599A Pending JP2000352636A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 光導波路素子の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000352636A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100483619B1 (ko) * | 2002-12-06 | 2005-04-18 | 삼성전기주식회사 | 광 도파로의 정렬 위치 검사방법 |
| WO2011049087A1 (ja) * | 2009-10-21 | 2011-04-28 | 日立化成工業株式会社 | 位置決め構造体を有する光導波路基板およびその製造方法、並びに光電気混載基板の製造方法 |
-
1999
- 1999-06-11 JP JP20074599A patent/JP2000352636A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100483619B1 (ko) * | 2002-12-06 | 2005-04-18 | 삼성전기주식회사 | 광 도파로의 정렬 위치 검사방법 |
| WO2011049087A1 (ja) * | 2009-10-21 | 2011-04-28 | 日立化成工業株式会社 | 位置決め構造体を有する光導波路基板およびその製造方法、並びに光電気混載基板の製造方法 |
| CN102656495A (zh) * | 2009-10-21 | 2012-09-05 | 日立化成工业株式会社 | 具有定位结构体的光波导基板及其制造方法、以及光电混合基板的制造方法 |
| JP5218668B2 (ja) * | 2009-10-21 | 2013-06-26 | 日立化成株式会社 | 位置決め構造体を有する光導波路基板の製造方法、及び光電気混載基板の製造方法 |
| US8942520B2 (en) | 2009-10-21 | 2015-01-27 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical waveguide board having guided structure and method of manufacturing the same, and method of manufacturing optical-electrical hybrid board |
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