JPS63158506A - 光素子の製造方法 - Google Patents
光素子の製造方法Info
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- JPS63158506A JPS63158506A JP61306957A JP30695786A JPS63158506A JP S63158506 A JPS63158506 A JP S63158506A JP 61306957 A JP61306957 A JP 61306957A JP 30695786 A JP30695786 A JP 30695786A JP S63158506 A JPS63158506 A JP S63158506A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 5
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 3
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 2
- 241000282421 Canidae Species 0.000 description 1
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002362 mulch Substances 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はコヒーレント光を利用する光情報処理分野、あ
るいは光応用計測制御分野に使用する光導波路およびマ
イクロレンズの製造に用いる光素子の製造方法に関する
ものである。
るいは光応用計測制御分野に使用する光導波路およびマ
イクロレンズの製造に用いる光素子の製造方法に関する
ものである。
従来の技術
従来、強誘電体基板であるLiNbO3基板にOrまた
はムlなどを蒸着し、フォトプロセスおよびエツチング
により幅数μmのスリットを開けたものを安息香酸中で
熱処理を行い高屈折率層(基板との屈折率差Δne=0
.13程度)を形成していた(J、L、Jackal、
C,IC,、Rice、and J、J。
はムlなどを蒸着し、フォトプロセスおよびエツチング
により幅数μmのスリットを開けたものを安息香酸中で
熱処理を行い高屈折率層(基板との屈折率差Δne=0
.13程度)を形成していた(J、L、Jackal、
C,IC,、Rice、and J、J。
Veselka 、 ”Proton exchang
e for high −1ndey wauegu
les in LiNbO3”アプライド フイジ
ンクスレター(Appl、Phys、Latt、)。
e for high −1ndey wauegu
les in LiNbO3”アプライド フイジ
ンクスレター(Appl、Phys、Latt、)。
Vol 41 、N117 、PP697−608(1
9B2))参照〕。
9B2))参照〕。
以下光素子として光導波路を例にとりその作製方法につ
いて説明する。第3図に従来の溶液中でのプロトン交換
方法を用いた埋め込み型光導波路の製造方法の具体的構
成図を示す。保護マスク3およびスリット3′が形成さ
れたLi−NbO5基板1を安息香酸4.230°C中
で12分程度熱処理を行うことでスリット3′直下に高
屈折率層2が形成され、このストライプ状の高屈折率層
2が厚み0.5μm程度の埋込み型光導波路となる。
いて説明する。第3図に従来の溶液中でのプロトン交換
方法を用いた埋め込み型光導波路の製造方法の具体的構
成図を示す。保護マスク3およびスリット3′が形成さ
れたLi−NbO5基板1を安息香酸4.230°C中
で12分程度熱処理を行うことでスリット3′直下に高
屈折率層2が形成され、このストライプ状の高屈折率層
2が厚み0.5μm程度の埋込み型光導波路となる。
上記埋込み型光導波路は横方向の閉じ込めが悪くリッジ
型にすることが望まれる。第4図に従来のリッジ型光導
波路の製造工程図を示す。第4図aでLiNbO3基板
1上にTiによる保護マスクパターン3を形成し、同図
すで反応性イオンビームエツチングによシエッチングを
行う。最後に同図Cでプロトン交換を行い高屈折率層2
が形成される。高屈折率層2のリッジ部2′に光導波路
が作製される。
型にすることが望まれる。第4図に従来のリッジ型光導
波路の製造工程図を示す。第4図aでLiNbO3基板
1上にTiによる保護マスクパターン3を形成し、同図
すで反応性イオンビームエツチングによシエッチングを
行う。最後に同図Cでプロトン交換を行い高屈折率層2
が形成される。高屈折率層2のリッジ部2′に光導波路
が作製される。
発明が解決しようとする問題点
上記のような光素子の製造方法ではLi Wb O3基
板1のエツチングレートが遅くマスクに対する選択比を
大きくできないため保護マスクの厚みを増す必要があり
、1μm〜2μmの線幅での微細加工が困難であること
お↓び選択比が悪く側面が垂直にならない(制御性が悪
い)といった問題点があった0 問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解消するもので、光素子の製造方
法に新たな工夫を加えることにより制御性、量産性を大
幅に向上させるものである。すなわち、本発明の光素子
の製造方法はLiNbzTa(+−X) Os (0≦
X≦1)基板を酸中で熱処理を行い高屈折率を形成する
工程を行った後、上記基板上に保護マスクを用いて上記
基板をエツチングする工程を行うという手段を用いるも
のである。
板1のエツチングレートが遅くマスクに対する選択比を
大きくできないため保護マスクの厚みを増す必要があり
、1μm〜2μmの線幅での微細加工が困難であること
お↓び選択比が悪く側面が垂直にならない(制御性が悪
い)といった問題点があった0 問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解消するもので、光素子の製造方
法に新たな工夫を加えることにより制御性、量産性を大
幅に向上させるものである。すなわち、本発明の光素子
の製造方法はLiNbzTa(+−X) Os (0≦
X≦1)基板を酸中で熱処理を行い高屈折率を形成する
工程を行った後、上記基板上に保護マスクを用いて上記
基板をエツチングする工程を行うという手段を用いるも
のである。
作用
本発明は上記手段によりL i N b O5基板にプ
ロトン交換処理を施し増殖エツチングを行い、保護マス
クとの選択比およびエツチング時間の大幅な短縮が図れ
る。
ロトン交換処理を施し増殖エツチングを行い、保護マス
クとの選択比およびエツチング時間の大幅な短縮が図れ
る。
実施例
本発明の光素子の製造方法の第1の実施例の工程図を第
1図に示す。この実施例では光素子の製造方法としてL
iNbO3基板1にリッジ型光導波路を作製する場合に
ついて説明する。第1図aで1は+2板(Z軸と垂直に
切シ出された基板の+側)のLiNbO3基板C”Nb
x T’(1−x) i o≦X≦1〕、2は燐酸中で
のプロトン交換処理により形成された厚み0.5μmの
高屈折率層である。次に同図すで上記高屈折率層2上に
通常のフォトプロセスおよび蒸着によりTiをパターン
化し保護マスク3とした。最後に同図CでOF4による
ドライエツチングにより100W、3X10 Tor
r、10分間エツチングを行った。
1図に示す。この実施例では光素子の製造方法としてL
iNbO3基板1にリッジ型光導波路を作製する場合に
ついて説明する。第1図aで1は+2板(Z軸と垂直に
切シ出された基板の+側)のLiNbO3基板C”Nb
x T’(1−x) i o≦X≦1〕、2は燐酸中で
のプロトン交換処理により形成された厚み0.5μmの
高屈折率層である。次に同図すで上記高屈折率層2上に
通常のフォトプロセスおよび蒸着によりTiをパターン
化し保護マスク3とした。最後に同図CでOF4による
ドライエツチングにより100W、3X10 Tor
r、10分間エツチングを行った。
上記のような工程によ、9リツジ型光導波路が製造され
た。この光導波路は横方向にも閉じ込められているため
曲がりなどにも強い。またエツチング時の選択比はLi
NbO3基板1に対するで1が3であったのに対して6
倍の選択比2oを得た。またエツジの角度は制御性良く
垂直となっている。
た。この光導波路は横方向にも閉じ込められているため
曲がりなどにも強い。またエツチング時の選択比はLi
NbO3基板1に対するで1が3であったのに対して6
倍の選択比2oを得た。またエツジの角度は制御性良く
垂直となっている。
第2図にOF4ガス100W 、 3,5x 1O−2
Torrでのエツチングレートを示す。
Torrでのエツチングレートを示す。
なおフッ素系のガスとしてCF4を用いたがCHF3.
C,F8などでも良い。またプロトン交換用の酸として
燐酸を用いたが燐酸系の酸(ピロ燐酸)などが簡単に制
御性良く光導波路を形成できるので良い。
C,F8などでも良い。またプロトン交換用の酸として
燐酸を用いたが燐酸系の酸(ピロ燐酸)などが簡単に制
御性良く光導波路を形成できるので良い。
また実施例ではフッ素系のガスを用いたが、フッ酸など
のフッ素系酸の溶液中でのウェットエツチングを用いる
とさらに選択比を向上させることが可能である。
のフッ素系酸の溶液中でのウェットエツチングを用いる
とさらに選択比を向上させることが可能である。
発明の効果
本発明の光素子の製造方法によれば、プロトン交換処理
を行うことで大幅にエツチングレートを向上させ保護マ
スクとの選択比を増し制御性、量産性の向上が図れる。
を行うことで大幅にエツチングレートを向上させ保護マ
スクとの選択比を増し制御性、量産性の向上が図れる。
工程図、第2図はLiNbO3およびプロトン交換層の
エツチング量の時間依存性のグラフ、第3図aは同従来
の方法の工程図である。
エツチング量の時間依存性のグラフ、第3図aは同従来
の方法の工程図である。
1・・・・・・LiNbO3基板、2・・・・・・高屈
折率層、3・・・・・・保護マスク。
折率層、3・・・・・・保護マスク。
代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 エッナンデ肯r:IHを今ノ 第3図 第4図
図 第2図 エッナンデ肯r:IHを今ノ 第3図 第4図
Claims (3)
- (1)LiNb_xTa_1_−_xO_3(0≦x≦
1)基板を酸中で熱処理を行い高屈折率層を形成する工
程の後、上記基板上に保護マスクを形成する工程と、上
記保護マスクを用いて上記基板をエッチングする工程を
行う光素子の製造方法。 - (2)フッ素系ガスまたはフッ素系溶液を用いてエッチ
ングを行う特許請求の範囲第1項記載の光素子の製造方
法。 - (3)燐酸を主成分とする酸を用いた特許請求の範囲第
1項記載の光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61306957A JPH0797170B2 (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61306957A JPH0797170B2 (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63158506A true JPS63158506A (ja) | 1988-07-01 |
JPH0797170B2 JPH0797170B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=17963306
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61306957A Expired - Fee Related JPH0797170B2 (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0797170B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0802447A2 (en) * | 1996-04-15 | 1997-10-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for producing periodic domain-inverted structure and optical element with the same |
EP1744190A3 (en) * | 1998-02-17 | 2007-03-28 | Ngk Insulators, Ltd. | A method of processing a substrate made of a ferroelectric single crystalline material |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58154820A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-09-14 | Fujitsu Ltd | 光スイツチ用導波路の形成法 |
JPS607403A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-16 | Canon Inc | 薄膜光導波路の作成方法 |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP61306957A patent/JPH0797170B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58154820A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-09-14 | Fujitsu Ltd | 光スイツチ用導波路の形成法 |
JPS607403A (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-16 | Canon Inc | 薄膜光導波路の作成方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0802447A2 (en) * | 1996-04-15 | 1997-10-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for producing periodic domain-inverted structure and optical element with the same |
EP0802447A3 (en) * | 1996-04-15 | 1998-08-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for producing periodic domain-inverted structure and optical element with the same |
US5943465A (en) * | 1996-04-15 | 1999-08-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide element, optical element, method for producing optical waveguide element and method for producing periodic domain-inverted structure |
EP1744190A3 (en) * | 1998-02-17 | 2007-03-28 | Ngk Insulators, Ltd. | A method of processing a substrate made of a ferroelectric single crystalline material |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0797170B2 (ja) | 1995-10-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |