JPH0727941A - 導波路の製造方法 - Google Patents
導波路の製造方法Info
- Publication number
- JPH0727941A JPH0727941A JP5195165A JP19516593A JPH0727941A JP H0727941 A JPH0727941 A JP H0727941A JP 5195165 A JP5195165 A JP 5195165A JP 19516593 A JP19516593 A JP 19516593A JP H0727941 A JPH0727941 A JP H0727941A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- film
- mask
- transition metal
- ridge structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 導波部となる部分のみの屈折率を高め、光閉
じ込めの良好な導波路を得るための製造方法を提供す
る。 【構成】 ＬｉＮｂＯ3 基板１表面にＴｉ膜２を成膜し
た後、パターニングされたフォトレジスト３ａをマスク
としてこのＴｉ膜２をエッチングあるいはダイシング加
工し、成形されたＴｉパターン２ａをマスクとしてＬｉ
ＮｂＯ3 １表面をエッチングあるいはダイシング加工す
ることによりリッジ構造を作り込み、さらにマスクとし
て残したＴｉパターン２ａを熱拡散させることにより、
リッジ構造の導波部１ａを有するＴｉ拡散ＬｉＮｂＯ3
導波路を製造する。
じ込めの良好な導波路を得るための製造方法を提供す
る。 【構成】 ＬｉＮｂＯ3 基板１表面にＴｉ膜２を成膜し
た後、パターニングされたフォトレジスト３ａをマスク
としてこのＴｉ膜２をエッチングあるいはダイシング加
工し、成形されたＴｉパターン２ａをマスクとしてＬｉ
ＮｂＯ3 １表面をエッチングあるいはダイシング加工す
ることによりリッジ構造を作り込み、さらにマスクとし
て残したＴｉパターン２ａを熱拡散させることにより、
リッジ構造の導波部１ａを有するＴｉ拡散ＬｉＮｂＯ3
導波路を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、通信情報処理分野に
おける光部品に関し、特に、誘電体光学材料からなる基
板表面に屈折率の高いリッジ構造の導波部を有するリッ
ジ型高速光変調器に応用可能な導波路の製造方法に関す
るものである。
おける光部品に関し、特に、誘電体光学材料からなる基
板表面に屈折率の高いリッジ構造の導波部を有するリッ
ジ型高速光変調器に応用可能な導波路の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電気光学効果による導波光制御で
は、ＬｉＮｂＯ3 に代表されるような強誘電体結晶を用
いた光変調器への応用が行われている。
は、ＬｉＮｂＯ3 に代表されるような強誘電体結晶を用
いた光変調器への応用が行われている。
【０００３】例えば、９１年秋、応用物理学会予稿集
（１０ａ−ＺＮ−１）等には、ＬｉＮｂＯ3 を基板とし
て、この基板表面に形成されたＴｉが添加（熱拡散によ
る）されたリッジ構造の導波部を有する光変調器（Ｔｉ
拡散ＬｉＮｂＯ3 導波路）が示されている。
（１０ａ−ＺＮ−１）等には、ＬｉＮｂＯ3 を基板とし
て、この基板表面に形成されたＴｉが添加（熱拡散によ
る）されたリッジ構造の導波部を有する光変調器（Ｔｉ
拡散ＬｉＮｂＯ3 導波路）が示されている。
【０００４】特に、この従来技術に示されたＴｉ拡散Ｌ
ｉＮｂＯ3 導波路の製造方法は、まずＬｉＮｂＯ3 基板
表面をドライエッチングして導波部となるリッジ構造部
を作り込み、続いてこのリッジ構造部の上部表面のみに
拡散させるべきＴｉ膜を選択的に成膜し、所定温度で所
定時間（例えば１０５０℃で５時間程度）だけ熱拡散さ
せることにより、リッジ構造の導波部内にＴｉを拡散
（屈折率を高くする）させて製造していた。
ｉＮｂＯ3 導波路の製造方法は、まずＬｉＮｂＯ3 基板
表面をドライエッチングして導波部となるリッジ構造部
を作り込み、続いてこのリッジ構造部の上部表面のみに
拡散させるべきＴｉ膜を選択的に成膜し、所定温度で所
定時間（例えば１０５０℃で５時間程度）だけ熱拡散さ
せることにより、リッジ構造の導波部内にＴｉを拡散
（屈折率を高くする）させて製造していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の導波路、特にＴ
ｉ拡散ＬｉＮｂＯ3 導波路の製造方法は以上のように、
予めＬｉＮｂＯ3 表面に導波部とすべく形成したリッジ
構造部の上部表面に、他の基板領域の屈折率変化と異な
る屈折率変化をもたらすために部分的に拡散させるＴｉ
膜を選択的に成膜するようにしていたので、実際にはア
ライメントが十分な精度で行われなかった場合や、基板
の振動等の不確定要因により、不必要な部分にもＴｉ膜
を成膜してしまうことがあり、そのため導波部だけにＴ
ｉ拡散させることが難しいという課題があった。
ｉ拡散ＬｉＮｂＯ3 導波路の製造方法は以上のように、
予めＬｉＮｂＯ3 表面に導波部とすべく形成したリッジ
構造部の上部表面に、他の基板領域の屈折率変化と異な
る屈折率変化をもたらすために部分的に拡散させるＴｉ
膜を選択的に成膜するようにしていたので、実際にはア
ライメントが十分な精度で行われなかった場合や、基板
の振動等の不確定要因により、不必要な部分にもＴｉ膜
を成膜してしまうことがあり、そのため導波部だけにＴ
ｉ拡散させることが難しいという課題があった。
【０００６】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、リッジ構造部のみにＴｉを拡散す
ることを可能にし、光閉じ込めの良好なＴｉ拡散ＬｉＮ
ｂＯ3 導波路を得るための製造方法を提供することを目
的とする。
めになされたもので、リッジ構造部のみにＴｉを拡散す
ることを可能にし、光閉じ込めの良好なＴｉ拡散ＬｉＮ
ｂＯ3 導波路を得るための製造方法を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る導波路の
製造方法は、第１の工程において、誘電体光学材料から
なる基板表面に遷移金属膜を成膜した後、パターニング
されたフォトレジストをマスクとしてこの遷移金属膜を
導波路形状にエッチングあるいはダイシング加工し、第
２の工程において、パターニングされた遷移金属膜をマ
スクとして誘電体光学材料表面をエッチングあるいはダ
イシング加工することにより、この表面にリッジ構造部
（高屈折率の導波部となる部分）を作り込み、さらに第
３の工程において、マスクとして残した遷移金属膜を熱
拡散させることにより、リッジ構造の導波路を製造する
ことを特徴としている。
製造方法は、第１の工程において、誘電体光学材料から
なる基板表面に遷移金属膜を成膜した後、パターニング
されたフォトレジストをマスクとしてこの遷移金属膜を
導波路形状にエッチングあるいはダイシング加工し、第
２の工程において、パターニングされた遷移金属膜をマ
スクとして誘電体光学材料表面をエッチングあるいはダ
イシング加工することにより、この表面にリッジ構造部
（高屈折率の導波部となる部分）を作り込み、さらに第
３の工程において、マスクとして残した遷移金属膜を熱
拡散させることにより、リッジ構造の導波路を製造する
ことを特徴としている。
【０００８】上記誘電体光学材料としては、ＬｉＮｂＯ
3 、ＬｉＴａＯ3 等の電気光学結晶があるが、大きな電
気光学効果を示し、音響光学材料としても比較的大きな
良度指数と電気機械結合係数を持ち、かつ低損失の薄膜
導波路が容易に作成できるということで、ＬｉＮｂＯ3
単結晶が導波路形機能デバイス（例えば光変調器）の基
板材料として広く用いられてきた。
3 、ＬｉＴａＯ3 等の電気光学結晶があるが、大きな電
気光学効果を示し、音響光学材料としても比較的大きな
良度指数と電気機械結合係数を持ち、かつ低損失の薄膜
導波路が容易に作成できるということで、ＬｉＮｂＯ3
単結晶が導波路形機能デバイス（例えば光変調器）の基
板材料として広く用いられてきた。
【０００９】また、最終的に基板となる誘電体光学材料
中に拡散させる遷移金属としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ等があるが、すでに報告されている実験例からみて、
Ｔｉを拡散させた導波路が最も良好な伝搬特性を示し、
またＴｉ拡散による顕著な結晶性の低下や電気光学効果
の低減は報告されていない。
中に拡散させる遷移金属としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ等があるが、すでに報告されている実験例からみて、
Ｔｉを拡散させた導波路が最も良好な伝搬特性を示し、
またＴｉ拡散による顕著な結晶性の低下や電気光学効果
の低減は報告されていない。
【００１０】以上のことから、発明者らはリッジ構造部
のみにＴｉを拡散することを可能にし、光閉じ込めの良
好な導波路として、特にＴｉ拡散ＬｉＮｂＯ3 導波路を
得るための生産技術を志向しており、具体的には上記誘
電体光学材料としてＬｉＮｂＯ3 を用いるとともに、上
記遷移金属膜として金属Ｔｉ膜あるいはＴｉＯ2 膜を用
いる。
のみにＴｉを拡散することを可能にし、光閉じ込めの良
好な導波路として、特にＴｉ拡散ＬｉＮｂＯ3 導波路を
得るための生産技術を志向しており、具体的には上記誘
電体光学材料としてＬｉＮｂＯ3 を用いるとともに、上
記遷移金属膜として金属Ｔｉ膜あるいはＴｉＯ2 膜を用
いる。
【００１１】
【作用】この発明における導波路の製造方法は、基板と
なる誘電体光学材料表面に遷移金属膜を成膜し、この遷
移金属膜を予め成形して上記誘電体光学材料表面にリッ
ジ構造部（高屈折率の導波路となる部分）を作り込むた
めのマスクとして利用するように構成したので、アライ
メントの必要がまったくない。
なる誘電体光学材料表面に遷移金属膜を成膜し、この遷
移金属膜を予め成形して上記誘電体光学材料表面にリッ
ジ構造部（高屈折率の導波路となる部分）を作り込むた
めのマスクとして利用するように構成したので、アライ
メントの必要がまったくない。
【００１２】また、パターニングされた遷移金属膜を誘
電体光学材料表面にリッジ構造部を作り込むためのマス
クとしたので、所望のリッジ構造部が作り込まれた時点
で、すでに拡散用の遷移金属はリッジ構造部の上部表面
に選択的に成膜させたのと同じ状態になっている。
電体光学材料表面にリッジ構造部を作り込むためのマス
クとしたので、所望のリッジ構造部が作り込まれた時点
で、すでに拡散用の遷移金属はリッジ構造部の上部表面
に選択的に成膜させたのと同じ状態になっている。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図１乃至図５を
用いて説明する。なお、図中同一部分には同一符号を付
して説明を省略する。
用いて説明する。なお、図中同一部分には同一符号を付
して説明を省略する。
【００１４】図１乃至図３は、この発明に係る導波路の
製造方法を説明するための各工程図であり、以下３つの
工程に分けて説明する。
製造方法を説明するための各工程図であり、以下３つの
工程に分けて説明する。
【００１５】まず、第１の工程を図１を用いて説明す
る。この第１の工程では図１（ａ）に示すように、Ｌｉ
ＮｂＯ3 基板１上の全面にスパッタあるいは電子ビーム
蒸着法によりＴｉ膜２（あるいはＴｉＯ2 膜）を約７０
ｎｍ堆積させる（ちなみに金属Ｔｉ膜の融点は極めて高
い）。
る。この第１の工程では図１（ａ）に示すように、Ｌｉ
ＮｂＯ3 基板１上の全面にスパッタあるいは電子ビーム
蒸着法によりＴｉ膜２（あるいはＴｉＯ2 膜）を約７０
ｎｍ堆積させる（ちなみに金属Ｔｉ膜の融点は極めて高
い）。
【００１６】続いて、図１（ｂ）に示すように上記Ｔｉ
膜２上にフォトレジスト３を１〜２μｍスピンコートし
た後、このフォトレジスト３に導波路マスクパターン４
をフォトリソグラフィにより転写することで、フォトレ
ジスト３を所定形状（導波路形状）のフォトレジストパ
ターン３ａにパターニングする（図１（ｃ））。
膜２上にフォトレジスト３を１〜２μｍスピンコートし
た後、このフォトレジスト３に導波路マスクパターン４
をフォトリソグラフィにより転写することで、フォトレ
ジスト３を所定形状（導波路形状）のフォトレジストパ
ターン３ａにパターニングする（図１（ｃ））。
【００１７】そして、このフォトレジストパターン３ａ
をマスクとして上記ＬｉＮｂＯ3 基板１の全面に堆積さ
せたＴｉ膜２を反応性ガスであるＣＦ4 ガスによりドラ
イエッチング（反応性イオンエッチング：Reactive Ion
Etching、以下、ＲＩＥで示す）することで、Ｔｉ膜２
を導波路形状（以下、Ｔｉパターン２ａという）にパタ
ーニングする（図１（ｄ））。
をマスクとして上記ＬｉＮｂＯ3 基板１の全面に堆積さ
せたＴｉ膜２を反応性ガスであるＣＦ4 ガスによりドラ
イエッチング（反応性イオンエッチング：Reactive Ion
Etching、以下、ＲＩＥで示す）することで、Ｔｉ膜２
を導波路形状（以下、Ｔｉパターン２ａという）にパタ
ーニングする（図１（ｄ））。
【００１８】次に、第２の工程について図２を用いて説
明する。この第２の工程では図２に示すように、すでに
上述した第１の工程において導波路形状にパターニング
されたフォトレジストパターン３ａ及びＴｉパターン２
ａをマスクとしてＬｉＮｂＯ 3 基板１の表面を反応性ガ
スであるＣ2 Ｆ6 にＣＣｌ4 ガスを添加した混合ガスに
よりドライエッチング（ＲＩＥ）し、ＬｉＮｂＯ3 基板
１表面に導波部１ｂとなるリッジ構造部１ａを形成す
る。
明する。この第２の工程では図２に示すように、すでに
上述した第１の工程において導波路形状にパターニング
されたフォトレジストパターン３ａ及びＴｉパターン２
ａをマスクとしてＬｉＮｂＯ 3 基板１の表面を反応性ガ
スであるＣ2 Ｆ6 にＣＣｌ4 ガスを添加した混合ガスに
よりドライエッチング（ＲＩＥ）し、ＬｉＮｂＯ3 基板
１表面に導波部１ｂとなるリッジ構造部１ａを形成す
る。
【００１９】次に、第３の工程を図３を用いて説明す
る。この第３の工程では図３（ａ）に示すように、まず
第２の工程においてマスクに用いたレジストパターン３
ａをＯ2 アッシャーにより除去し、続いてＬｉＮｂＯ3
基板１表面に形成されたリッジ構造部１ａの上部表面に
存在するＴｉパターン２ａ（試料）を１０５０℃で５時
間熱拡散させることにより、図３（ｂ）に示すようにリ
ッジ構造の導波部１ｂを形成する。
る。この第３の工程では図３（ａ）に示すように、まず
第２の工程においてマスクに用いたレジストパターン３
ａをＯ2 アッシャーにより除去し、続いてＬｉＮｂＯ3
基板１表面に形成されたリッジ構造部１ａの上部表面に
存在するＴｉパターン２ａ（試料）を１０５０℃で５時
間熱拡散させることにより、図３（ｂ）に示すようにリ
ッジ構造の導波部１ｂを形成する。
【００２０】なお、この実施例では説明の都合上、リッ
ジ構造部１ａと導波部１ｂとを区別して説明したが、こ
れらの違いは遷移金属であるＴｉがその内部に拡散して
いるか否かだけである。また、上記Ｔｉ膜２及びＬｉＮ
ｂＯ3 基板１表面は、ドライエッチングによりパターニ
ングしたが、特にこの方法に限定するものではなく、ダ
イシング加工によってパターニングするようにしても同
様の効果を奏する。
ジ構造部１ａと導波部１ｂとを区別して説明したが、こ
れらの違いは遷移金属であるＴｉがその内部に拡散して
いるか否かだけである。また、上記Ｔｉ膜２及びＬｉＮ
ｂＯ3 基板１表面は、ドライエッチングによりパターニ
ングしたが、特にこの方法に限定するものではなく、ダ
イシング加工によってパターニングするようにしても同
様の効果を奏する。
【００２１】また、上記第２の工程ではＴｉパターン２
ａはＬｉＮｂＯ3 基板１表面をエッチングするためのマ
スクとなるので、当然のことながらアライメントするこ
となく正確にリッジ構造部の上部表面（図３（ａ）参
照）に位置することとなる。
ａはＬｉＮｂＯ3 基板１表面をエッチングするためのマ
スクとなるので、当然のことながらアライメントするこ
となく正確にリッジ構造部の上部表面（図３（ａ）参
照）に位置することとなる。
【００２２】以上の工程を経て得られたＴｉ拡散ＬｉＮ
ｂＯ3 導波路断面のＳＥＭ写真を図４に示す。また、発
明者らは図４に示したＴｉ拡散ＬｉＮｂＯ3 導波路につ
いて、導波部１ｂのみにＴｉが拡散され、光閉じ込めも
良好であることを確認した。
ｂＯ3 導波路断面のＳＥＭ写真を図４に示す。また、発
明者らは図４に示したＴｉ拡散ＬｉＮｂＯ3 導波路につ
いて、導波部１ｂのみにＴｉが拡散され、光閉じ込めも
良好であることを確認した。
【００２３】すなわち、図５はこの発明に係る導波路の
製造方法により製造されたＴｉ拡散ＬｉＮｂＯ3 導波路
の近視野像（同図（ａ））及びその光強度分布（同図
（ｂ））を示す図（写真により確認したものを模式図化
したもの）であり、波長８２０ｎｍの光を導波させた時
の近視野像を拡大して示している。この図からＴｉが拡
散している導波部１ｂにおいて、光閉じ込めが良好に行
われていることが確認できる。なお、図５（ａ）中の線
Ａ−Ａ´は基板１表面を示す線である。
製造方法により製造されたＴｉ拡散ＬｉＮｂＯ3 導波路
の近視野像（同図（ａ））及びその光強度分布（同図
（ｂ））を示す図（写真により確認したものを模式図化
したもの）であり、波長８２０ｎｍの光を導波させた時
の近視野像を拡大して示している。この図からＴｉが拡
散している導波部１ｂにおいて、光閉じ込めが良好に行
われていることが確認できる。なお、図５（ａ）中の線
Ａ−Ａ´は基板１表面を示す線である。
【００２４】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、予め成
膜した例えばＴｉ等の遷移金属膜をマスクとして誘電体
光学材料表面にリッジ構造部を形成し、マスクとなった
遷移金属をリッジ構造部内に熱拡散させる試料としてそ
のまま利用するようにしたので、従来のようにリッジ構
造部の上部表面に選択的に遷移金属を成膜するために行
われるアライメントがまったく必要ないという効果があ
る。
膜した例えばＴｉ等の遷移金属膜をマスクとして誘電体
光学材料表面にリッジ構造部を形成し、マスクとなった
遷移金属をリッジ構造部内に熱拡散させる試料としてそ
のまま利用するようにしたので、従来のようにリッジ構
造部の上部表面に選択的に遷移金属を成膜するために行
われるアライメントがまったく必要ないという効果があ
る。
【００２５】また、パターニングされた遷移金属膜を誘
電体光学材料表面にリッジ構造部を作り込むためのマス
クとしたので、このリッジ構造部が作り込まれた時点
で、すでに拡散用の遷移金属をリッジ構造部の上部表面
に成膜させたのと同じ状態を実現することができ、した
がって、確実に誘電体光学材料表面のリッジ構造部のみ
にＴｉを拡散させることができるという効果がある。
電体光学材料表面にリッジ構造部を作り込むためのマス
クとしたので、このリッジ構造部が作り込まれた時点
で、すでに拡散用の遷移金属をリッジ構造部の上部表面
に成膜させたのと同じ状態を実現することができ、した
がって、確実に誘電体光学材料表面のリッジ構造部のみ
にＴｉを拡散させることができるという効果がある。
【図１】この発明に係る導波路の製造方法における第１
の工程を説明するための工程図である。
の工程を説明するための工程図である。
【図２】この発明に係る導波路の製造方法における第２
の工程を説明するための工程図である。
の工程を説明するための工程図である。
【図３】この発明に係る導波路の製造方法における第３
の工程を説明するための工程図である。
の工程を説明するための工程図である。
【図４】この発明に係る導波路の製造方法により製造さ
れたＴｉ拡散ＬｉＮｂＯ3 導波路であって、ＬｉＮｂＯ
3 導波路基板上に形成された微細なパターンを表してい
るＳＥＭ写真である。
れたＴｉ拡散ＬｉＮｂＯ3 導波路であって、ＬｉＮｂＯ
3 導波路基板上に形成された微細なパターンを表してい
るＳＥＭ写真である。
【図５】この発明に係る導波路の製造方法により製造さ
れたＴｉ拡散ＬｉＮｂＯ3 導波路の近視野像及びその光
強度分布を示す図である。
れたＴｉ拡散ＬｉＮｂＯ3 導波路の近視野像及びその光
強度分布を示す図である。
【符号の説明】 １…ＬｉＮｂＯ3 基板、１ａ…リッジ構造部、１ｂ…導
波部、２、２ａ…Ｔｉ膜（Ｔｉパターン）、３、３ａ…
フォトレジスト、４…導波路マスクパターン。
波部、２、２ａ…Ｔｉ膜（Ｔｉパターン）、３、３ａ…
フォトレジスト、４…導波路マスクパターン。
Claims (3)
- 【請求項１】 誘電体光学材料からなる基板表面に遷移
金属膜を成膜した後、パターニングされたフォトレジス
トをマスクとして該遷移金属膜を導波路形状にエッチン
グあるいはダイシング加工する第１の工程と、 前記パターニングされた遷移金属膜をマスクとして前記
誘電体光学材料表面をエッチングあるいはダイシング加
工することにより、該誘電体光学材料の表面に導波部と
なるリッジ構造部を形成する第２の工程と、 前記導波部となるリッジ構造部の上部表面にマスクとし
て残した遷移金属膜を熱拡散させることにより、該誘電
体光学材料の表面に屈折率の高いリッジ構造の導波部を
形成する第３の工程を備えた導波路の製造方法。 - 【請求項２】前記誘電体光学材料は、ＬｉＮｂＯ3 であ
ることを特徴とする請求項１記載の導波路の製造方法。 - 【請求項３】 前記遷移金属膜は、Ｔｉ膜あるいはＴｉ
Ｏ2 膜であることを特徴とする請求項１又は２記載の導
波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5195165A JPH0727941A (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5195165A JPH0727941A (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0727941A true JPH0727941A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=16336517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5195165A Pending JPH0727941A (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727941A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0969297A1 (en) * | 1998-06-04 | 2000-01-05 | PIRELLI CAVI E SISTEMI S.p.A. | Method of manufacturing indiffused optical waveguide structures in a substrate |
| US6718110B2 (en) * | 1998-06-04 | 2004-04-06 | Corning Incorporated | Indiffused optical waveguide structures in a substrate |
| CN103529514A (zh) * | 2013-10-30 | 2014-01-22 | 上海美维科技有限公司 | 一种隐埋光波导印制线路板的制造方法 |
| JP2021015924A (ja) * | 2019-07-16 | 2021-02-12 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | プラズマエッチング方法および素子チップの製造方法 |
-
1993
- 1993-07-12 JP JP5195165A patent/JPH0727941A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0969297A1 (en) * | 1998-06-04 | 2000-01-05 | PIRELLI CAVI E SISTEMI S.p.A. | Method of manufacturing indiffused optical waveguide structures in a substrate |
| US6718110B2 (en) * | 1998-06-04 | 2004-04-06 | Corning Incorporated | Indiffused optical waveguide structures in a substrate |
| CN103529514A (zh) * | 2013-10-30 | 2014-01-22 | 上海美维科技有限公司 | 一种隐埋光波导印制线路板的制造方法 |
| JP2021015924A (ja) * | 2019-07-16 | 2021-02-12 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | プラズマエッチング方法および素子チップの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Chen et al. | Advances in lithium niobate photonics: development status and perspectives | |
| EP1560048B1 (en) | Optical isolator utilizing a micro-resonator | |
| DE69323958T2 (de) | Optische Wellenleiter-Anordnung und Herstellungsmethode | |
| JPH11194223A (ja) | 光導波路素子およびその製造方法 | |
| JP3025982B2 (ja) | 導波路型光方向性結合器 | |
| JPH0727941A (ja) | 導波路の製造方法 | |
| JP2589367B2 (ja) | 光分岐・合波回路 | |
| JPH0616121B2 (ja) | フレネルレンズおよびその製造方法 | |
| US5194117A (en) | Lithium niobate etchant | |
| DE3884383T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines eine zweite harmonische erzeugenden elementes. | |
| JP3963819B2 (ja) | 光変調器及びその製造方法 | |
| JPH11109159A (ja) | 半導体波長板型偏波回転素子の製造方法 | |
| JPH01172936A (ja) | 光波長変換素子の製造方法 | |
| DE69121046T2 (de) | Organischer nichtlinear-optischer kristall mit schichtstruktur und seine herstellung | |
| Chen et al. | Photonic structures based on thin films produced by ion beams | |
| JP2970675B2 (ja) | 非線形光学素子の製造方法 | |
| JP2570822B2 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPS62187310A (ja) | 回折格子型光結合装置の製造方法 | |
| JP2007279178A (ja) | 電気光学結晶表面への微細パターン形成方法 | |
| JPH06174908A (ja) | 導波路型回折格子の製造方法 | |
| JPH1114850A (ja) | 光学素子の製造方法 | |
| JPH06222403A (ja) | 方向性結合形光導波路 | |
| JPH1114849A (ja) | 光学素子の製造方法 | |
| JP2005202073A (ja) | 光分岐素子 | |
| JPS5924807A (ja) | 光集積回路及びその製造方法 |