JP2000349336A - Iii族窒化物半導体発光素子 - Google Patents
Iii族窒化物半導体発光素子Info
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Abstract
I族窒化物半導体結晶から成る積層構造を形成し、特性
に優れるIII族窒化物半導体発光素子を提供する。 【解決手段】n形の導電性を有するSi単結晶基板と、
該基板上に形成された緩衝層と、該緩衝層上に形成され
たIII族窒化物半導体結晶からなる積層構造とを具備
するIII族窒化物半導体発光素子において、前記緩衝
層を、Si単結晶基板に接して形成された、ガリウム
(Ga)の酸化物を50重量%より多く含む、n形の導
電性を有する酸化物緩衝層を有するものとする。
Description
晶基板上にIII族窒化物半導体結晶からなる積層構造
を形成して作製したIII族窒化物半導体発光素子に係
わり、特に、前記基板上に好適な緩衝層を介して形成し
た結晶性の良いIII族窒化物半導体結晶からなる積層
構造を用いて作製したIII族窒化物半導体発光素子に
関する。
化物半導体結晶からなる積層構造は、短波長可視光発光
用の発光ダイオード(LED)やレーザーダイオード
(LD)などの発光素子に用いられている。従来、上記
の発光素子に用いられるIII族窒化物半導体結晶から
なる積層構造は、もっぱら、六方晶(hexagona
l)系のサファイア(Al2O3単結晶)や炭化珪素(S
iC)単結晶からなる基板上に、積層構造の構成層を順
次積層させて形成していた。
成したIII族窒化物半導体結晶からなる積層構造を用
いて、短波長可視光発光用の発光素子を作製した例があ
る。Si単結晶を基板に用いるのは、ダイヤモンド(d
iamond)構造の結晶構造を有するSi単結晶を基
板とすれば、(1)[011]結晶方向への劈開を利用
して個別素子(チップ)に簡易に裁断できる、(2)レ
ーザーダイオードでは、劈開により簡便に光共振面を形
成できる等の利点があるためである。また、Si単結晶
基板は導電性を有するため、オーミック(Ohmic)
電極を基板の裏面に形成できる利点もある。
物半導体のひとつであるウルツ鉱(wurtzite)
型の六方晶窒化ガリウム(GaN)との格子定数の差異
(格子ミスマッチ度)は約17%の大きさに達する。こ
のため、Si単結晶基板上に直接GaNのようなIII
族窒化物半導体結晶からなる積層構造を形成した場合、
結晶性に優れかつ平坦な積層構造を得ることは困難であ
った。
してIII族窒化物半導体結晶からなる積層構造を形成
する方法も、従来から用いられていた。この場合、緩衝
層に窒化アルミニウム(AlN)からなる層が用いられ
ていた例がある(特開平10−242586)。この従
来技術では、AlN緩衝層は840℃で形成されてい
る。しかし、この従来技術のようにSi単結晶基板上に
単層のAlN緩衝層を敷設したところで、該緩衝層上に
積層したIII族窒化物半導体結晶層の表面の平坦性
が、必ずしも充分に確保されるに至っていないのが現状
であった。
の(111)表面に砒化アルミニウム(AlAs)層と
砒化ガリウム(GaAs)層とを重ねて積層し、さらに
該AlAs層とGaAs層を酸化して、AlOx層とそ
の上のα結晶型の三酸化ガリウム(α−Ga2O3)層と
を形成すれば、その上に表面を平坦とするα結晶型のG
aN(α−GaN)層が堆積できるという報告がある
(Appl.Phys.Lett.,73(11)(1
998)、1553〜1555頁)。しかし、表面が平
坦なGaN層をもたらすこの従来技術では、Si単結晶
基板表面上に予めAlAs層とGaAs層とを重ねて積
層し、さらに該AlAs層とGaAs層に酸化を及ぼし
て、AlOx層とその上のα結晶型の三酸化ガリウム
(α−Ga2O3)層とからなる緩衝層を形成するといっ
た煩雑な工程が必要があった。
法により表面が平坦なIII族窒化物半導体結晶層をS
i単結晶基板上に形成するためには、砒素(As)を含
むIII−V族化合物半導体層を一旦Si単結晶基板上
に堆積し、更にそれを酸化してSi単結晶基板上に酸化
物からなる緩衝層を形成し、その緩衝層を介して例えば
GaN層のようなIII族窒化物半導体結晶層を積層さ
せるという煩雑な工程が必要であった。
されたもので、Si単結晶結晶基板上に表面の平坦な結
晶性の良いIII族窒化物半導体結晶からなる積層構造
を形成するために、簡単に形成することが出来る新規な
構造の緩衝層を提供するものである。すなわち本発明
は、簡単に形成できる新規な構造の緩衝層を介して、S
i単結晶基板上に平坦で結晶性の優れたIII族窒化物
半導体結晶から成る積層構造を形成し、Si単結晶を基
板とすることにより得られる多くの素子作製上の特点を
活用して、特性に優れるIII族窒化物半導体発光素子
を提供することを目的とする。
の導電性を有する珪素(Si)単結晶基板と、該基板上
に形成された緩衝層と、該緩衝層上に形成されたIII
族窒化物半導体結晶からなる積層構造とを具備するII
I族窒化物半導体発光素子において、前記緩衝層が、前
記Si単結晶基板に接して形成された、ガリウム(G
a)の酸化物を50重量%より多く含む、n形の導電性
を有する酸化物緩衝層を有することを特徴とする。
物緩衝層上に形成されたIII族窒化物半導体からなる
第2の緩衝層を有することを特徴とする。
ベータ(β)結晶型の三酸化ガリウム(β−Ga2O3)
を50重量%より多く含むことを特徴とする。
成された緩衝層が、Si単結晶基板に接して形成され
た、ガリウム(Ga)の酸化物を50重量%より多く含
む、n形の導電性を有する酸化物緩衝層を有することを
特徴とする。Gaの酸化物には、一般にGa2O(ga
llium suboxide)、GaO(galli
um oxide)やGa2O3(gallium se
squioxide)がある(L.A. SHEKA他
著、”THE CHEMISTRY OF GALLI
UM”(ELSEVIER Pub.Co.,196
6)、29〜36頁参照)。また、同じGa2O3でも、
結晶形態からα型(α−Ga2O3)、β型(β−Ga2
O3)、γ型(γ−Ga2O3)、δ型(δ−Ga
2O3)、及びε型(ε−Ga2O3)等がある。本発明の
緩衝層を構成するガリウムの酸化物が、GaOかGa2
Oかであるかは、酸化ガリウムの種類によって結晶の格
子定数(lattice constant)が異なる
ため、X線回折分析法(X−ray diffract
ionanalysis)などにより結晶の格子面間隔
から同定できる。
a)の酸化物を50重量%より多く含むものとする。す
なわち本発明の酸化物緩衝層は、例えば、Ga2O3を5
0重量%を越えて含む、Ga2O3と酸化インジウム(I
n2O3)との混合物から構成できる。また、Gaの酸化
物を50重量%より多く含むGa2O3と酸化カルシウム
(CaO)との混合体からも構成できる。上記のGaの
酸化物を50重量%より多く含む酸化物緩衝層は、例え
ば、トリメトキシガリウム(tri−methoxy
gallium:(H3CO)3Ga)を原料とする化学
的気相堆積(CVD)法などで形成できる。また、酸化
ガリウム粉体をプレス加工したターゲット(targe
t)としたスパッタリング法などの物理的堆積法によっ
ても形成できる。
電性を有する酸化物層から構成する。酸化物緩衝層は、
p形の導電性を有するものとすることもできるが、酸化
物層の比抵抗の安定的な制御性を考慮すれば、酸化物緩
衝層はn形の導電性を有する層とするのが有利である。
また、酸化物緩衝層をn形とするのに対応させて、本発
明のSi単結晶基板には、n形の導電性を有するSi単
結晶を使用する。n形のSi単結晶基板には、アンチモ
ン(Sb)或いはリン(P)などのn形不純物が添加さ
れたSbドープ或いはPドープのSi単結晶などが使用
できる。Si単結晶基板の面方位は、(001)方向や
(111)方向あるいは上記方向からオフ角を有するも
のを用いることができる。Si単結晶基板の面方位が何
れであっても、本発明の作用あるいは効果は得られる。
ら数μmの範囲とするのが好ましい。酸化物緩衝層の厚
さが1nm以下であると、酸化物緩衝層は連続性を欠く
ものとなり、Si単結晶基板の表面を十分に被覆するこ
とができない。逆に、酸化物緩衝層の厚さが10μm以
上であると、酸化物緩衝層の表面に凹凸が発生し、平坦
性を欠くものとなる。特に本発明では、酸化物緩衝層の
層厚は、10nm以上1μm以下の厚さとするのが好ま
しい。従来の技術のように、Si単結晶基板上に窒化ア
ルミニウム(AlN)からなる緩衝層を構成した場合に
は、緩衝層上に形成したGaN層の表面は平坦性が損な
われたものとなった(特開平10−242586)。し
かし、上記の本発明の緩衝層上には、表面が平坦で結晶
性に優れるIII族窒化物半導体結晶からなる積層構造
が成長できる。即ち、本発明の緩衝層は、平坦性に優れ
かつ結晶性の良い積層構造をもたらす作用を有する。
層の上に形成されたIII族窒化物半導体からなる第2
の緩衝層を有していることが好ましい。第2の緩衝層
は、一般式AlXGaYIn1-X-YN(0≦X≦1、0≦
Y≦1、0≦X+Y≦1)で表されるIII族窒化物半
導体から構成できる。第2の緩衝層は、多結晶と非晶質
とからなる構造を有するものとする。第2の緩衝層の介
在により、その上に形成するIII族窒化物半導体結晶
からなる積層構造は、連続性並びに平坦性に優れたもの
となる。
からなる第2の緩衝層を形成した構成の緩衝層として
は、例えば、Si単結晶基板に直接接するα−Ga2O3
からなる酸化物緩衝層の上に、GaNからなる第2の緩
衝層を形成したものが挙げられる。また、γ−Ga2O3
を50重量%より多く含む酸化物緩衝層をSi単結晶基
板上に接して形成し、該酸化物緩衝層上に窒化アルミニ
ウム(AlN)から第2の緩衝層を形成する例もある。
酸化物緩衝層と第2の緩衝層とは、共通のIII族元素
を含んでいる必要はない。
導体は、有機金属化学気相成長(MOCVD)法や分子
線エピタキシャル(MBE)法、気相成長(VPE)法
で成長できる。上記のMOCVD法、MBE法、VPE
法を総称して、本明細書では気相成長法と呼ぶ。第2の
緩衝層を成長するためには、上記の気相成長法に共通し
て、成長温度を350℃〜550℃とするのが好まし
い。成長温度を350℃〜550℃とすることにより、
第2の緩衝層を多結晶と非晶質とからなる構造とするこ
とができる。また第2の緩衝層の層厚としては、2nm
から200nmの範囲とするのが好適である。第2の緩
衝層は、アンドープ層或いはn形不純物ドープ層の何れ
からも構成でき、ドーピングするn形不純物としては、
珪素(Si)、錫(Sn)等の第IV族元素、若しくは
硫黄(S)やセレン(Se)などの第VI族元素から選
択できる。第2の緩衝層は、n形の導電性を有するもの
とするのが好ましい。
ベータ(β)結晶型の三酸化ガリウム(β−Ga2O3)
を50重量%より多く含むことが好ましい。これはβ−
Ga2O3が、GaOやGa2Oあるいはα−Ga2O3等
のβ−Ga2O3以外のGa2O3に比べて、高温での安定
性に優れるからである。III族窒化物半導体結晶から
なる積層構造の成長温度は、一般に1000℃或いはそ
れを越える高温である。β−Ga2O3はこの様な高温に
も充分に耐える安定性を有している。一方、Ga2Oは
約700℃で分解し、またα−Ga2O3は約300℃〜
約600℃でβ−Ga2O3に変態するなど、β−Ga2
O3以外のGaの酸化物は、高温での形態の安定性に欠
ける傾向がある。従って、β−Ga2O3を50重量%よ
り多く含む酸化物緩衝層を構成すれば、III族窒化物
半導体結晶からなる積層構造の成長の際に、酸化物緩衝
層の熱的解離或いは昇華による緩衝層の損失、損壊を防
止することができる。
化物緩衝層をSi単結晶基板上に形成するためには、酸
化物緩衝層の形成温度を600℃以上に設定する必要が
ある。例えば、メトキシ(methoxy)基を有する
有機Ga化合物を原料とするCVD法で酸化物緩衝層を
形成する場合、500℃以下の形成温度では、Si単結
晶基板上にはα−Ga2O3が主に生成する。また、40
0℃〜500℃近傍の温度では、γ−Ga2O3が主に形
成される。アズグローン(as−grown)状態の酸
化物緩衝層が、β−Ga2O3ではなく例えばα−Ga2
O3を主体としている場合、該酸化物緩衝層を少なくと
も600℃以上、好ましくは1000℃以上に加熱する
ことにより、β−Ga2O3を50重量%より多く含む酸
化物緩衝層に変換することができる。
よりも高温でIII族窒化物半導体結晶からなる積層構
造を形成する。本発明の緩衝層の内部の結晶構造は、非
晶質や多結晶や単結晶若しくはそれらの混合物であって
も差し支えないが、その上に形成するIII族窒化物半
導体結晶からなる積層構造は、発光素子の機能層の役割
を果たすため、結晶性に優れる単結晶から構成する必要
がある。このため、積層構造の成長温度を緩衝層よりも
高温とし、単結晶のIII族窒化物半導体からなる積層
構造を形成する必要がある。
aYIn1-X-YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦X+Y
≦1)で表される。また、窒素以外の砒素やリンを含む
III族窒化物半導体、すなわち一般式AlXGaYIn
1-X-YNaM1-a(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦X+Y
≦1、Mは窒素以外の第V族元素を表し、0<a≦1)
で表されるIII族窒化物半導体も、積層構造に用いる
ことが出来る。例えば、Si単結晶基板上に接してGa
の酸化物を50重量%より多く含む、n形の導電性を有
する酸化物緩衝層を形成し、その上にn形GaN層を下
部クラッド層、n形窒化ガリウム・インジウム(GaY
In1-YN:0≦Y≦1)層を発光層、p形AlXGa
1-XN(0<X≦1)層を上部クラッド層として順次積
層して積層構造を形成すれば、短波長の可視光乃至近紫
外光を発光する発光素子用の積層構造が形成できる。さ
らに、Si単結晶基板の裏面及び積層構造の表面にオー
ミック(Ohmic)電極を設ければLEDやLD等の
III族窒化物半導体発光素子が構成できる。
を作製する場合を例にして具体的に説明する。図1は、
本実施例1に係わるLEDの構造を示す断面模式図であ
る。
01上に緩衝層102を介して積層構造106を形成し
たエピタキシャルウェハを用いて作製した。該エピタキ
シャルウェハは、(001)面を有するアンチモン(S
b)をドープしたn形のSi単結晶基板101の上に酸
化物緩衝層102を形成し、その上にIII族窒化物半
導体結晶からなる積層構造106の構成層103、10
4、105を積層して形成したものである。上記のエピ
タキシャルウェハは以下のようにして作製した。
よる薄膜の成長に用いる一般的なMOCVD反応炉内に
載置した後、95体積%のアルゴン(Ar)と5体積%
の酸素(O2)との混合ガスからなる雰囲気中で650
℃に加熱した。その後、8×10-5mol/分に相当す
る量のトリメトキシガリウム((H3CO)3Ga)の蒸
気を随伴する水素ガスを反応炉内に導入して、層厚を約
10nmとするα型三酸化ガリウム(α−Ga2O3)か
らなる酸化物緩衝層102をSi単結晶基板101上に
接して堆積した。このエピタキシャルウェハの作製とは
別に、(H3CO)3Gaの供給量を同一に設定し、上記
と同一の条件で高抵抗のSi基板上に約0.8μmと厚
く形成したα−Ga2O3からなる酸化物層は、通常のホ
ール(Hall)効果測定法に依ればn形の導電性を有
し、そのキャリア濃度は約1017〜1018cm-3であっ
た。また、X線回折分析に依れば、上記の方法で形成し
た酸化物層は、α−Ga2O3を75重量%以上含むもの
であった。
を上記のアルゴンと酸素の混合ガスとし、直ちに基板1
01の温度を1050℃に昇温した。昇温速度は約80
℃/分に設定した。昇温後、トリメチルガリウムをGa
原料とし、アンモニア(NH3)を窒素原料として、通
常の常圧MOCVD法により、Siをドープしたn形の
GaNからなる下部クラッド層103を成長した。下部
クラッド層103の層厚は約3μmとし、キャリア濃度
は約3×1018cm-3とした。酸化物緩衝層102上に
成長した下部クラッド層103の表面は平坦で連続性に
優れるものとなった。
1の温度を880℃に下げ、下部クラッド層103上に
平均的なインジウム(In)組成比を0.17とするn
形Ga 0.83In0.17N層を発光層104として常圧MO
CVD法で積層した。発光層104はn形でキャリア濃
度は約7×1018cm-3に設定し、層厚を約9nmとし
た。発光層104は、特に、主体相(matrix p
hase)と主体相とはインジウム組成比を相違する従
属相(sub−phase)から成る多相構造の結晶層
から構成した。従属相は、主に、略球状の微結晶体から
成っており、主体相内に散在する従属相(微結晶体)の
中には、外周囲に歪層(歪領域)を有するものも認めら
れた。発光層104の成長後、基板101の温度を10
50℃に戻し、発光層104との接合界面104aでの
アルミニウム(Al)組成比(X)が0.20であり、
表面でのAl組成比が0である、層厚を100nmとす
るマグネシウム(Mg)ドープのp形AlXGa1-XN層
を、発光層104上にコンタクト層を兼ねる上部クラッ
ド層105として積層した。上記のようにして、上記の
n形下部クラッド層103、n形の多相構造の発光層1
04、及び上部クラッド層105よりなるpn接合型の
ダブルヘテロ(DH)接合構造の発光部を備えたLED
用のエピタキシャルウェハを作製した。
層103、104、105は、何れも表面状態に優れ且
つ平坦性のある結晶性の良いIII族窒化物半導体結晶
から作製することが出来た。特に、酸化物緩衝層102
と下部クラッド層103との間には、空隙などは認めら
れず、密着性に優れる積層構造106が作製できた。
タキシャルウェハのSi単結晶基板101の裏面とAl
組成の勾配を有するAlXGa1-XNからなる上部クラッ
ド層105の表面に、それぞれn形オーミック電極10
8およびp形オーミック電極107を形成し、その後素
子に分離して作製した。p形およびn形オーミック電極
107、108は、ともにAlから構成した。
よびn形オーミック電極107、108の間に順方向に
20mAの動作電流を流して、LEDを発光させた。L
EDからは、ピーク波長を約470nmとし、半値幅を
約15nmとするスペクトルを有する青緑色の発光が観
察された。一般的な積分球を利用して測定される発光の
強度は約15μWであった。このように、本実施例1で
は高輝度のIII族窒化物半導体発光素子が得られた。
層と該酸化物緩衝層上に形成されたIII族窒化物半導
体からなる第2の緩衝層とからなる緩衝層を具備したL
EDを作製する場合を例にして、本発明を具体的に説明
する。図2は本実施例2に係わるLEDの構造を示す断
面模式図である。
ャルウェハの作製は、以下のようにして行った。まず、
リン(P)をドープしたn形の(001)面を有するS
i単結晶基板101上に、480℃で主に多結晶から成
る酸化物緩衝層102を堆積した。酸化物緩衝層102
は、三酸化ガリウム(Ga2O3)の粉状混合物を蒸着源
とする一般的な真空蒸着法で形成した。X線回折分析の
結果に依れば、酸化物緩衝層102の主たる構成要素は
γ−Ga2O3であり、その構成比率は重量比率にして約
80%であった。酸化物緩衝層102内には、その他α
−Ga2O3やδ−Ga 2O3の存在が認められた。酸化物
緩衝層102の層厚は、約18nmとした。また、酸化
物緩衝層102はn形の導電性を示した。
℃で、トリメチルガリウム((CH3)3Ga)、トリメ
チルアルミニウム((CH3)3Al)及びアンモニア
(NH3)を原料とする一般的な常圧MOCVD法によ
り、アルミニウム組成比を0.1とする窒化アルミニウ
ム・ガリウム(Al0.1Ga0.9N)からなる第2の緩衝
層109を積層させた。第2の緩衝層109は、多結晶
と非晶質からなる構造を有し、層厚は約15nmであっ
た。
様の手順により、n形下部クラッド層103、n形の多
相構造の発光層104、及び上部クラッド層105から
なる積層構造106を形成した。このようにして、実施
例1と同じn形下部クラッド層103、n形の多相構造
の発光層104、及び上部クラッド層105からなる発
光部を有するLED用のエピタキシャルウェハが作製さ
れた。さらに、実施例1と同じ方法により、上記エピタ
キシャルウェハにp形およびn形オーミック電極10
7、108を形成し、素子に分離してLEDを作製し
た。上記のようにして作製したLEDに20mAの順方
向電流を流した際の発光のピーク波長は約470nmで
あった。また一般的な積分球を利用して測定されたLE
Dの発光強度は、約18μWであった。すなわち本実施
例2では、実施例1のLEDに比べてさらに発光強度の
高いIII族窒化物半導体発光素子が得られた。
O3を50重量%より多く含む酸化物緩衝層を含む緩衝
層上にIII族窒化物半導体結晶からなる積層構造を形
成してLEDを作製する場合を例にして本発明を具体的
に説明する。本実施例3に係わるLEDの構造は、図2
に示すLEDと同一とした。
で作製した。Sbをドープしたn形の(001)面を有
するSi単結晶基板101の表面上に、ガリウム酸化物
粉末を高圧プレス法で成型してなしたタ−ゲット材料を
使用して、一般的な高周波スパッタリング法により、4
00℃でα−Ga2O3を主体とする酸化物層を堆積し
た。該酸化物層の層厚は約100nmとした。
を、アルゴン(Ar)気流中で1100℃で20分間加
熱した。これより、酸化物層を構成するα−Ga2O3を
β−Ga 2O3に変換して、本発明に係わる酸化物緩衝層
102を形成した。酸化物緩衝層102中のβ−Ga2
O3の重量構成比率は約98%程度となった。その他
は、α−Ga2O3がほとんどであった。α−Ga2O3を
加熱してβ−Ga2O3に変態させて、β−Ga2O3を5
0重量%より多く含む酸化物緩衝層102を構成した
後、この酸化物緩衝層上に、実施例2と同様にしてAl
0.1Ga0.9Nからなる第2の緩衝層109を積層させ
た。
実施例1と同様にして、n形下部クラッド層103、n
形の多相構造の発光層104、及び上部クラッド層10
5からなる積層構造106を形成した。この積層構造1
06の構成層103、104、105は何れも表面の平
坦性に優れるものとなった。
ャルウェハを用いて、実施例1と同様の方法により、L
EDを作製した。本実施例3で作製したLEDに、20
mAの順方向電流を流した際の発光のピーク波長は約4
72nmとなった。また発光強度は、23μWとなっ
た。このように発光強度の強いLEDが得られたのは、
酸化物緩衝層がほぼβ−Ga 2O3の単体から構成されて
いること、及び酸化物緩衝層上にIII族窒化物半導体
からなる第2の緩衝層を積層したことにより、積層構造
を構成する各構成層の結晶性が優れたものとなったこと
によると考えられる。このように本実施例3では、発光
強度の強いIII族窒化物半導体発光素子が得られる結
果となった。
によれば、Si単結晶結晶基板上に表面の平坦な結晶性
の良いIII族窒化物半導体結晶からなる積層構造を形
成することができるため、発光強度の強いIII族窒化
物半導体発光素子を作製することが出来る。なお、上記
の実施例では、LEDを作製する場合について説明した
が、本発明はLDを作製する場合にも用いることができ
る。
図。
模式図。
Claims (3)
- 【請求項1】n形の導電性を有する珪素(Si)単結晶
基板と、該基板上に形成された緩衝層と、該緩衝層上に
形成されたIII族窒化物半導体結晶からなる積層構造
とを具備するIII族窒化物半導体発光素子において、
前記緩衝層が、前記Si単結晶基板に接して形成され
た、ガリウム(Ga)の酸化物を50重量%より多く含
む、n形の導電性を有する酸化物緩衝層を有することを
特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。 - 【請求項2】前記緩衝層が、前記酸化物緩衝層上に形成
されたIII族窒化物半導体からなる第2の緩衝層を有
することを特徴とする請求項1に記載のIII族窒化物
半導体発光素子。 - 【請求項3】前記酸化物緩衝層が、ベータ(β)結晶型
の三酸化ガリウム(β−Ga2O3)を50重量%より多
く含むことを特徴とする請求項1または2に記載のII
I族窒化物半導体発光素子。
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