JP2000345175A - 一酸化炭素の選択除去方法 - Google Patents
一酸化炭素の選択除去方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｈ2及びＣＯを含むガスからＣＯを選択的に
除去する際、広範囲な温度域で高い一酸化炭素除去率が
得られる一酸化炭素の選択除去方法を提供することを目
的とする。 【解決手段】 一酸化炭素選択酸化性を有する触媒とし
て適用温度が異なる２種以上を用意し、適用温度が高い
方から順番に配列して触媒群を形成し、前記触媒群にＨ
2、Ｏ2及びＣＯを含むガスを適用温度が高い方側から導
入することにより前記ガス中のＣＯを前記Ｏ2により選
択酸化して除去することを特徴とする。
除去する際、広範囲な温度域で高い一酸化炭素除去率が
得られる一酸化炭素の選択除去方法を提供することを目
的とする。 【解決手段】 一酸化炭素選択酸化性を有する触媒とし
て適用温度が異なる２種以上を用意し、適用温度が高い
方から順番に配列して触媒群を形成し、前記触媒群にＨ
2、Ｏ2及びＣＯを含むガスを適用温度が高い方側から導
入することにより前記ガス中のＣＯを前記Ｏ2により選
択酸化して除去することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一酸化炭素の選択
除去方法に関するものである。
除去方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】固体高分子型燃料電池は低公害で、さら
に熱効率が高いため、低温作動型燃料電池として自動車
用電源や分散電源等の幅広い分野での適用が期待されて
いる。この固体高分子型燃料電池の電極には主に白金触
媒が用いられる。白金触媒は、一酸化炭素（＝ＣＯ）に
よって被毒されやすいので、水素を主成分とする燃料ガ
ス中からＣＯを極力除去する必要がある。燃料ガスは、
例えば、メタノール等の燃料に水蒸気改質反応や部分酸
化反応などによりリフォーマを行って水素を生成させ、
副生するＣＯをＣＯシフト反応（反応式：ＣＯ＋Ｈ2Ｏ
→ＣＯ2＋Ｈ2）等により除去することにより製造され
る。
に熱効率が高いため、低温作動型燃料電池として自動車
用電源や分散電源等の幅広い分野での適用が期待されて
いる。この固体高分子型燃料電池の電極には主に白金触
媒が用いられる。白金触媒は、一酸化炭素（＝ＣＯ）に
よって被毒されやすいので、水素を主成分とする燃料ガ
ス中からＣＯを極力除去する必要がある。燃料ガスは、
例えば、メタノール等の燃料に水蒸気改質反応や部分酸
化反応などによりリフォーマを行って水素を生成させ、
副生するＣＯをＣＯシフト反応（反応式：ＣＯ＋Ｈ2Ｏ
→ＣＯ2＋Ｈ2）等により除去することにより製造され
る。
【０００３】ところが、ＣＯシフト反応のみでは化学平
衡上の制約からＣＯの削減に限度がある。例えば、メタ
ノールを燃料とする場合のＣＯシフト反応後のガスの成
分の一例を挙げると、Ｈ2が４０〜６０％、ＣＯ2が約１
０％、Ｈ2Ｏが約２０％及びＣＯが約０．５％となる。
このため、ＣＯシフト反応に加え、ＣＯ濃度を固体高分
子型燃料電池が被毒しない１００ｐｐｍ以下にまで低減
するための方法を採用する必要がある。この方法とし
て、ＣＯシフト反応後のガス中にＯ2を添加した後、一
酸化炭素選択酸化性を有する触媒にこのガスを導入し、
ガス中のＣＯをＯ 2により選択酸化してＣＯを除去する
方法が検討されている。
衡上の制約からＣＯの削減に限度がある。例えば、メタ
ノールを燃料とする場合のＣＯシフト反応後のガスの成
分の一例を挙げると、Ｈ2が４０〜６０％、ＣＯ2が約１
０％、Ｈ2Ｏが約２０％及びＣＯが約０．５％となる。
このため、ＣＯシフト反応に加え、ＣＯ濃度を固体高分
子型燃料電池が被毒しない１００ｐｐｍ以下にまで低減
するための方法を採用する必要がある。この方法とし
て、ＣＯシフト反応後のガス中にＯ2を添加した後、一
酸化炭素選択酸化性を有する触媒にこのガスを導入し、
ガス中のＣＯをＯ 2により選択酸化してＣＯを除去する
方法が検討されている。
【０００４】しかしながら、一酸化炭素選択酸化性を有
する触媒の適用温度に制限があるため、ガス中のＣＯを
触媒により選択酸化すると、ガスの温度により一酸化炭
素除去率が変動するという問題点があった。
する触媒の適用温度に制限があるため、ガス中のＣＯを
触媒により選択酸化すると、ガスの温度により一酸化炭
素除去率が変動するという問題点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Ｈ2
及びＣＯを含むガスからＣＯを選択的に除去する際、広
範囲な温度域で高い一酸化炭素除去率が得られる一酸化
炭素の選択除去方法を提供することである。
及びＣＯを含むガスからＣＯを選択的に除去する際、広
範囲な温度域で高い一酸化炭素除去率が得られる一酸化
炭素の選択除去方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る一酸化炭素
の選択除去方法は、一酸化炭素選択酸化性を有する触媒
として適用温度が異なる２種以上を用意し、適用温度が
高い方から順番に配列して触媒群を形成し、前記触媒群
にＨ2、Ｏ2及びＣＯを含むガスを適用温度が高い方側か
ら導入することにより前記ガス中のＣＯを前記Ｏ2によ
り選択酸化して除去することを特徴とするものである。
の選択除去方法は、一酸化炭素選択酸化性を有する触媒
として適用温度が異なる２種以上を用意し、適用温度が
高い方から順番に配列して触媒群を形成し、前記触媒群
にＨ2、Ｏ2及びＣＯを含むガスを適用温度が高い方側か
ら導入することにより前記ガス中のＣＯを前記Ｏ2によ
り選択酸化して除去することを特徴とするものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る一酸化炭素の
選択除去方法について説明する。
選択除去方法について説明する。
【０００８】この方法は、一酸化炭素選択酸化性を有す
る触媒として適用温度が異なる２種以上を用意し、適用
温度が高い方から順番に配列して触媒群を形成し、前記
触媒群にＨ2、Ｏ2及びＣＯを含むガスを適用温度が高い
方側から導入することにより前記ガス中のＣＯを前記Ｏ
2により選択酸化して除去することを特徴とする。
る触媒として適用温度が異なる２種以上を用意し、適用
温度が高い方から順番に配列して触媒群を形成し、前記
触媒群にＨ2、Ｏ2及びＣＯを含むガスを適用温度が高い
方側から導入することにより前記ガス中のＣＯを前記Ｏ
2により選択酸化して除去することを特徴とする。
【０００９】前記ガス中のＯ2は、ＣＯを酸化させるた
めのものであるため、最初からＨ2及びＣＯと共に存在
している必要はない。本発明に係る方法は、Ｈ2及びＣ
Ｏを含むガスに空気もしくはＯ2を導入した後、前記触
媒群への導入を行うことを包含する。
めのものであるため、最初からＨ2及びＣＯと共に存在
している必要はない。本発明に係る方法は、Ｈ2及びＣ
Ｏを含むガスに空気もしくはＯ2を導入した後、前記触
媒群への導入を行うことを包含する。
【００１０】一酸化炭素選択酸化性を有する触媒は、担
体と、前記担体に担持される少なくとも１種類の金属と
から構成される。なお、一酸化炭素選択酸化性を有する
触媒は、粉末のまま使用しても良いが、多孔質基材に保
持させて使用しても良い。
体と、前記担体に担持される少なくとも１種類の金属と
から構成される。なお、一酸化炭素選択酸化性を有する
触媒は、粉末のまま使用しても良いが、多孔質基材に保
持させて使用しても良い。
【００１１】前記担体としては、例えば、Ｙ型ゼオライ
ト、モルデナイト、Ａ型ゼオライト、γ型Ａｌ2Ｏ3、ア
ナターゼ型ＴｉＯ2、または脱水された状態において下
記(1)式で表される組成を有し、かつＣｕＫα線を用い
る粉末Ｘ線回折において格子面間隔３．６５±０．１
Å、３．７５±０．１Å、３．８５±０．１Å、１０．
０±０．３Å及び１１．２±０．３Åに最強ピークから
第５位までのピークが現れる結晶性シリケート等を挙げ
ることができる。
ト、モルデナイト、Ａ型ゼオライト、γ型Ａｌ2Ｏ3、ア
ナターゼ型ＴｉＯ2、または脱水された状態において下
記(1)式で表される組成を有し、かつＣｕＫα線を用い
る粉末Ｘ線回折において格子面間隔３．６５±０．１
Å、３．７５±０．１Å、３．８５±０．１Å、１０．
０±０．３Å及び１１．２±０．３Åに最強ピークから
第５位までのピークが現れる結晶性シリケート等を挙げ
ることができる。
【００１２】(1±0.8)Ｒ2Ｏ・［ａＭ2Ｏ3・ｂＮＯ・ｃ
Ａｌ2Ｏ3 ］・ｙＳｉＯ2 (1)但し、Ｒはアルカリ金属
及びＨから選ばれる少なくとも１種類の元素、ＭはVIII
族元素、希土類元素、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｓｂ及び
Ｇａから選ばれる少なくとも一種の元素、ＮはＭｇ、Ｃ
ａ、Ｓｒ及びＢａから選ばれる少なくとも一種の元素、
モル比ａ，ｂ，ｃ及びｙは０≦ａ、０≦ｂ≦２０、ａ＋
ｃ＝１及び１１≦ｙ≦３０００を示す。
Ａｌ2Ｏ3 ］・ｙＳｉＯ2 (1)但し、Ｒはアルカリ金属
及びＨから選ばれる少なくとも１種類の元素、ＭはVIII
族元素、希土類元素、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｓｂ及び
Ｇａから選ばれる少なくとも一種の元素、ＮはＭｇ、Ｃ
ａ、Ｓｒ及びＢａから選ばれる少なくとも一種の元素、
モル比ａ，ｂ，ｃ及びｙは０≦ａ、０≦ｂ≦２０、ａ＋
ｃ＝１及び１１≦ｙ≦３０００を示す。
【００１３】前述した結晶性シリケートにおいて、Ｃｕ
Ｋα線を用いる粉末Ｘ線回折で前述した５つの格子面間
隔にピークを示さなかったり、あるいは示したとしても
最強ピークから第５位までのピークでなかったりする
と、ＣＯの選択酸化性が得られなくなる。前記結晶性シ
リケートは、ＣｕＫα線を用いる粉末Ｘ線回折において
前述した５つの格子面間隔に最強ピークから第５位まで
のピークを示すと共に、格子面間隔３．０±０．１Å、
３．３±０．１Å、４．２５±０．１Å、５．６±０．
２Å、６．０±０．２Å及び６．４±０．２Åに第６位
以降のピークを示すことが好ましい。さらに好ましいの
は、これらピークに併せて格子面間隔３．０５±０．１
Å、４．６±０．１Å、５．７±０．２Å及び６．７±
０．２Åにピークを示すものである。
Ｋα線を用いる粉末Ｘ線回折で前述した５つの格子面間
隔にピークを示さなかったり、あるいは示したとしても
最強ピークから第５位までのピークでなかったりする
と、ＣＯの選択酸化性が得られなくなる。前記結晶性シ
リケートは、ＣｕＫα線を用いる粉末Ｘ線回折において
前述した５つの格子面間隔に最強ピークから第５位まで
のピークを示すと共に、格子面間隔３．０±０．１Å、
３．３±０．１Å、４．２５±０．１Å、５．６±０．
２Å、６．０±０．２Å及び６．４±０．２Åに第６位
以降のピークを示すことが好ましい。さらに好ましいの
は、これらピークに併せて格子面間隔３．０５±０．１
Å、４．６±０．１Å、５．７±０．２Å及び６．７±
０．２Åにピークを示すものである。
【００１４】特に、前述した担体のうち、前記結晶性シ
リケートを用いることが望ましい。
リケートを用いることが望ましい。
【００１５】前記担体に担持される金属としては、例え
ば、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ及びＩｒから選ばれる少な
くとも１種類などを挙げることができる。
ば、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ及びＩｒから選ばれる少な
くとも１種類などを挙げることができる。
【００１６】前述した一酸化炭素選択酸化性を有する触
媒から適用温度が異なる２種以上を選択する際、担体に
担持させる金属がＰｔであるものと、担体に担持させる
金属がＰｄ，Ｒｕ，Ｒｈ及びＩｒから選ばれる少なくと
も１種類であるものとが含まれるように選択することが
好ましい。
媒から適用温度が異なる２種以上を選択する際、担体に
担持させる金属がＰｔであるものと、担体に担持させる
金属がＰｄ，Ｒｕ，Ｒｈ及びＩｒから選ばれる少なくと
も１種類であるものとが含まれるように選択することが
好ましい。
【００１７】Ｈ2、Ｏ2及びＣＯを含むガス中のＣＯ濃度
は、４％以下であることが好ましい。ＣＯ濃度が４％を
越えると、一酸化炭素の燃焼反応により生じる燃焼熱で
反応温度が大幅に上昇する恐れがあり、一酸化炭素選択
酸化性を有する触媒の選択性が低下する恐れがある。
は、４％以下であることが好ましい。ＣＯ濃度が４％を
越えると、一酸化炭素の燃焼反応により生じる燃焼熱で
反応温度が大幅に上昇する恐れがあり、一酸化炭素選択
酸化性を有する触媒の選択性が低下する恐れがある。
【００１８】Ｈ2、Ｏ2及びＣＯを含むガスの前記触媒群
に導入する際の温度は、５０〜２８０℃の範囲にするこ
とが好ましい。これは次のような理由によるものであ
る。導入時のガスの温度が５０℃より低いと、一酸化炭
素選択酸化性を有する触媒の選択性が著しく低下する恐
れがある。一方、導入時のガスの温度が２８０℃よりも
高いと、副反応（Ｈ2＋Ｏ2→Ｈ2Ｏ）の速度が増加する
ため、ＣＯの酸化反応が抑制されて高い除去率を得られ
なくなる恐れがある。
に導入する際の温度は、５０〜２８０℃の範囲にするこ
とが好ましい。これは次のような理由によるものであ
る。導入時のガスの温度が５０℃より低いと、一酸化炭
素選択酸化性を有する触媒の選択性が著しく低下する恐
れがある。一方、導入時のガスの温度が２８０℃よりも
高いと、副反応（Ｈ2＋Ｏ2→Ｈ2Ｏ）の速度が増加する
ため、ＣＯの酸化反応が抑制されて高い除去率を得られ
なくなる恐れがある。
【００１９】以上説明した本発明に係る一酸化炭素選択
除去方法によれば、一酸化炭素選択酸化性を有する触媒
として適用温度が異なる２種以上を用意し、適用温度が
高い方から順番に配列して触媒群を形成し、前記触媒群
にＨ2、Ｏ2及びＣＯを含むガスを適用温度が高い方側か
ら導入することによって、ガスの温度が低い場合には前
記触媒群の前段側の適用温度が高い触媒はほとんど作用
せず、後段側の適用温度が低い触媒にガスが導入される
と一酸化炭素の選択酸化反応が活発に生じる。一方、ガ
スの温度が高い場合には前記触媒群の前段側の適用温度
が高い触媒が作用し、一酸化炭素の選択酸化反応が活発
に生じる。従って、導入されるガスの温度に適した触媒
を作用させることができるため、広範囲な温度域で高い
一酸化炭素除去率を得ることができる。
除去方法によれば、一酸化炭素選択酸化性を有する触媒
として適用温度が異なる２種以上を用意し、適用温度が
高い方から順番に配列して触媒群を形成し、前記触媒群
にＨ2、Ｏ2及びＣＯを含むガスを適用温度が高い方側か
ら導入することによって、ガスの温度が低い場合には前
記触媒群の前段側の適用温度が高い触媒はほとんど作用
せず、後段側の適用温度が低い触媒にガスが導入される
と一酸化炭素の選択酸化反応が活発に生じる。一方、ガ
スの温度が高い場合には前記触媒群の前段側の適用温度
が高い触媒が作用し、一酸化炭素の選択酸化反応が活発
に生じる。従って、導入されるガスの温度に適した触媒
を作用させることができるため、広範囲な温度域で高い
一酸化炭素除去率を得ることができる。
【００２０】本発明に係る方法において、一酸化炭素選
択酸化性を有する触媒として、担体及び前記担体に担持
されるＰｔを含む第１の一酸化炭素選択酸化性触媒と、
担体及び前記担体に担持されるＰｄ，Ｒｕ，Ｒｈ及びＩ
ｒから選ばれる少なくとも１種類の金属を含む第２の一
酸化炭素選択酸化性触媒とを用いることによって、前記
第１の一酸化炭素選択酸化性触媒の適用温度が前記第２
の一酸化炭素選択酸化性触媒の適用温度に比べて低いた
め、高い除去率を得られる温度域を例えば５０〜２８０
℃と広くすることができる。
択酸化性を有する触媒として、担体及び前記担体に担持
されるＰｔを含む第１の一酸化炭素選択酸化性触媒と、
担体及び前記担体に担持されるＰｄ，Ｒｕ，Ｒｈ及びＩ
ｒから選ばれる少なくとも１種類の金属を含む第２の一
酸化炭素選択酸化性触媒とを用いることによって、前記
第１の一酸化炭素選択酸化性触媒の適用温度が前記第２
の一酸化炭素選択酸化性触媒の適用温度に比べて低いた
め、高い除去率を得られる温度域を例えば５０〜２８０
℃と広くすることができる。
【００２１】また、前記第１の一酸化炭素選択酸化性触
媒及び前記第２の一酸化炭素選択酸化性触媒のうち少な
くとも一方の担体として、脱水された状態において前述
した(1)式で表される組成を有し、かつＣｕＫα線を用
いる粉末Ｘ線回折において格子面間隔３．６５±０．１
Å、３．７５±０．１Å、３．８５±０．１Å、１０．
０±０．３Å及び１１．２±０．３Åに最強ピークから
第５位までのピークが現れる結晶性シリケートを用いる
ことによって、一酸化炭素除去率を向上することができ
る。これは、以下に説明するような作用によるものと推
測される。
媒及び前記第２の一酸化炭素選択酸化性触媒のうち少な
くとも一方の担体として、脱水された状態において前述
した(1)式で表される組成を有し、かつＣｕＫα線を用
いる粉末Ｘ線回折において格子面間隔３．６５±０．１
Å、３．７５±０．１Å、３．８５±０．１Å、１０．
０±０．３Å及び１１．２±０．３Åに最強ピークから
第５位までのピークが現れる結晶性シリケートを用いる
ことによって、一酸化炭素除去率を向上することができ
る。これは、以下に説明するような作用によるものと推
測される。
【００２２】すなわち、前記結晶性シリケートは、疎水
性を有するために共存水分の影響を受け難く、また強い
電荷密度分布を持ち、さらにＣＯの吸着に最適な径が約
６Åの細孔を有するため、極性物質のＣＯを選択吸着す
ることができる。また、前記結晶性シリケートに担持さ
れるＰｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ及びＩｒは、高い活性を有
するため、前記ガス中のＯ2を吸着することができる。
その結果、下記（ａ）〜（ｃ）式に示す副反応が多少生
じるものの、前記結晶性シリケートに吸着されたＣＯを
前記金属に吸着されたＯ2により以下に示す反応式
（Ａ）に従って優先的に酸化することができるため、触
媒の選択酸化性を高めることができ、一酸化炭素除去効
率を向上することができる。
性を有するために共存水分の影響を受け難く、また強い
電荷密度分布を持ち、さらにＣＯの吸着に最適な径が約
６Åの細孔を有するため、極性物質のＣＯを選択吸着す
ることができる。また、前記結晶性シリケートに担持さ
れるＰｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ及びＩｒは、高い活性を有
するため、前記ガス中のＯ2を吸着することができる。
その結果、下記（ａ）〜（ｃ）式に示す副反応が多少生
じるものの、前記結晶性シリケートに吸着されたＣＯを
前記金属に吸着されたＯ2により以下に示す反応式
（Ａ）に従って優先的に酸化することができるため、触
媒の選択酸化性を高めることができ、一酸化炭素除去効
率を向上することができる。
【００２３】２ＣＯ＋Ｏ2 → ２ＣＯ2 …（Ａ） ２Ｈ2＋Ｏ2 → ２Ｈ2Ｏ …（副反応ａ） ＣＯ2＋Ｈ2 → ＣＯ＋Ｈ2Ｏ…（副反応ｂ） ＣＯ＋３Ｈ2 → ＣＨ4＋Ｈ2Ｏ…（副反応ｃ） 本発明に係る方法は、例えば、固体高分子型燃料電池に
用いられる水素を主成分とする燃料ガスの精製に適用す
ることができる。
用いられる水素を主成分とする燃料ガスの精製に適用す
ることができる。
【００２４】すなわち、前記燃料ガスを得るには、まず
メタノール、ガソリンもしくはメタン等の炭化水素から
なる燃料からリフォーマ（例えば水蒸気改質反応や、部
分酸化反応等）により水素を製造する。リフォーマガス
中には副反応で生成したＣＯが含まれている。このＣＯ
の除去を二段階に分けて行う。まず、ＣＯシフト反応等
によってＣＯ濃度を所望の値に低下させる。次いで、本
発明に係る方法によりＣＯの除去を行う。すなわち、Ｃ
Ｏ濃度が所望の値に低下されたガスに空気もしくは酸素
ガスを供給する。また、一酸化炭素選択酸化性を有する
触媒として適用温度が異なる２種以上を用意し、適用温
度が高い方から順番に配列して触媒群を形成する。前記
触媒群に前記ガスを適用温度が高い方側から導入するこ
とによって、導入したガスの温度に適した触媒が作用す
るため、広い温度域で水素を主成分とし、ＣＯが目的と
する濃度まで除去された（例えば１００ｐｐｍ以下）固
体高分子型燃料電池用燃料ガスを得ることができる。
メタノール、ガソリンもしくはメタン等の炭化水素から
なる燃料からリフォーマ（例えば水蒸気改質反応や、部
分酸化反応等）により水素を製造する。リフォーマガス
中には副反応で生成したＣＯが含まれている。このＣＯ
の除去を二段階に分けて行う。まず、ＣＯシフト反応等
によってＣＯ濃度を所望の値に低下させる。次いで、本
発明に係る方法によりＣＯの除去を行う。すなわち、Ｃ
Ｏ濃度が所望の値に低下されたガスに空気もしくは酸素
ガスを供給する。また、一酸化炭素選択酸化性を有する
触媒として適用温度が異なる２種以上を用意し、適用温
度が高い方から順番に配列して触媒群を形成する。前記
触媒群に前記ガスを適用温度が高い方側から導入するこ
とによって、導入したガスの温度に適した触媒が作用す
るため、広い温度域で水素を主成分とし、ＣＯが目的と
する濃度まで除去された（例えば１００ｐｐｍ以下）固
体高分子型燃料電池用燃料ガスを得ることができる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明に係る実施例を詳細に説明す
る。
る。
【００２６】まず、実施例で使用するハニカム触媒１〜
２４を以下に説明する方法で作製した。
２４を以下に説明する方法で作製した。
【００２７】（ハニカム触媒１）水ガラス１号（ＳｉＯ
2：３０％）５６１６ｇを水５４２９ｇに溶解し、この
溶液を溶液Ａとした。一方、水４１７５ｇに硫酸アルミ
ニウム７１８．９ｇ、塩化第二鉄１１０ｇ、酢酸カルシ
ウム４７．２ｇ、塩化ナトリウム２６２ｇ、濃塩酸２０
２０ｇを溶解し、この溶液を溶液Ｂとした。溶液Ａと溶
液Ｂを一定割合で供給し、沈殿を生成させ、十分撹拌し
てＰＨ−８のスラリーを得た。このスラリーを２０リッ
トルのオートクレーブに仕込み、さらにテトラプロピル
アンモニウムブロマイドを５００ｇ添加し、１６０℃に
て７２時間水熱合成し、合成後水洗し乾燥した後、さら
に５００℃、３時間焼成することにより、脱水された状
態において下記表１に示す組成を有する化合物１を得
た。
2：３０％）５６１６ｇを水５４２９ｇに溶解し、この
溶液を溶液Ａとした。一方、水４１７５ｇに硫酸アルミ
ニウム７１８．９ｇ、塩化第二鉄１１０ｇ、酢酸カルシ
ウム４７．２ｇ、塩化ナトリウム２６２ｇ、濃塩酸２０
２０ｇを溶解し、この溶液を溶液Ｂとした。溶液Ａと溶
液Ｂを一定割合で供給し、沈殿を生成させ、十分撹拌し
てＰＨ−８のスラリーを得た。このスラリーを２０リッ
トルのオートクレーブに仕込み、さらにテトラプロピル
アンモニウムブロマイドを５００ｇ添加し、１６０℃に
て７２時間水熱合成し、合成後水洗し乾燥した後、さら
に５００℃、３時間焼成することにより、脱水された状
態において下記表１に示す組成を有する化合物１を得
た。
【００２８】前記化合物１を４０℃で、４ＮのＮＨ4Ｃ
ｌ水溶液に浸漬し、３時間撹拌してＮＨ4イオン交換を
実施した。イオン交換後洗浄して１００℃、２４時間乾
燥させた後、４００℃、３時間焼成することにより結晶
性シリケート１を得た。なお、結晶性シリケート１は、
前述した表１の組成式におけるＮａがＨで置換された組
成（Ｈ2Ｏ・［０．２Ｆｅ2Ｏ3・０．８Ａｌ2Ｏ3 ・０．
２ＣａＯ］・２５ＳｉＯ2）を脱水された状態において
有するものであった。
ｌ水溶液に浸漬し、３時間撹拌してＮＨ4イオン交換を
実施した。イオン交換後洗浄して１００℃、２４時間乾
燥させた後、４００℃、３時間焼成することにより結晶
性シリケート１を得た。なお、結晶性シリケート１は、
前述した表１の組成式におけるＮａがＨで置換された組
成（Ｈ2Ｏ・［０．２Ｆｅ2Ｏ3・０．８Ａｌ2Ｏ3 ・０．
２ＣａＯ］・２５ＳｉＯ2）を脱水された状態において
有するものであった。
【００２９】得られた結晶性シリケート１についてＣｕ
Ｋα線を用いる粉末Ｘ線回折測定を行い、最強線から第
１５位までのピークの格子面間隔（ｄ値）及び相対強度
を下記表２に示す。
Ｋα線を用いる粉末Ｘ線回折測定を行い、最強線から第
１５位までのピークの格子面間隔（ｄ値）及び相対強度
を下記表２に示す。
【００３０】下記表２から明らかなように、結晶性シリ
ケート１は、ＣｕＫα線を用いる粉末Ｘ線回折において
格子面間隔３．６５±０．１Å、３．７５±０．１Å、
３．８５±０．１Å、１０．０±０．３Å及び１１．２
±０．３Åに最強ピークから第５位までのピークを示
し、格子面間隔３．０±０．１Å、３．３±０．１Å、
４．２５±０．１Å、５．６±０．２Å、６．０±０．
２Å及び６．４±０．２Åに第６位〜第１１位までのピ
ークを示し、かつ３．０５±０．１Å、４．６±０．１
Å、５．７±０．２Å及び６．７±０．２Åに第１２位
〜第１５位までのピークを示した。
ケート１は、ＣｕＫα線を用いる粉末Ｘ線回折において
格子面間隔３．６５±０．１Å、３．７５±０．１Å、
３．８５±０．１Å、１０．０±０．３Å及び１１．２
±０．３Åに最強ピークから第５位までのピークを示
し、格子面間隔３．０±０．１Å、３．３±０．１Å、
４．２５±０．１Å、５．６±０．２Å、６．０±０．
２Å及び６．４±０．２Åに第６位〜第１１位までのピ
ークを示し、かつ３．０５±０．１Å、４．６±０．１
Å、５．７±０．２Å及び６．７±０．２Åに第１２位
〜第１５位までのピークを示した。
【００３１】前記結晶性シリケート１・１００部からな
る担体に塩化白金酸（Ｈ2ＰｔＣｌ6）水溶液を含浸させ
ることによりＰｔを０．４重量部担持させた後、蒸発乾
固し、５００℃で５時間焼成することにより粉末触媒を
得た。
る担体に塩化白金酸（Ｈ2ＰｔＣｌ6）水溶液を含浸させ
ることによりＰｔを０．４重量部担持させた後、蒸発乾
固し、５００℃で５時間焼成することにより粉末触媒を
得た。
【００３２】この粉末触媒に、バインダーとしてアルミ
ナゾル（Ａｌ2Ｏ3：１０％）３部及びシリカゾル（Ｓｉ
Ｏ2：２０部）５５部を添加すると共に、水２００部を
加え、十分撹拌することによりウォッシュコート用スラ
リーを調製した。次いで、コージェライト製モノリス基
材（４００セル格子目）を前記スラリーに浸漬し、取り
出した後、スラリーを吹き払い２００℃で乾燥させた。
コート量はモノリス基材１リットルあたり１５０ｇと
し、このコート物をハニカム触媒とする。
ナゾル（Ａｌ2Ｏ3：１０％）３部及びシリカゾル（Ｓｉ
Ｏ2：２０部）５５部を添加すると共に、水２００部を
加え、十分撹拌することによりウォッシュコート用スラ
リーを調製した。次いで、コージェライト製モノリス基
材（４００セル格子目）を前記スラリーに浸漬し、取り
出した後、スラリーを吹き払い２００℃で乾燥させた。
コート量はモノリス基材１リットルあたり１５０ｇと
し、このコート物をハニカム触媒とする。
【００３３】（ハニカム触媒２〜１２）塩化第二鉄の代
わりに塩化コバルト、塩化ルテニウム、塩化ロジウム、
塩化ランタン、塩化セリウム、塩化チタン、塩化バナジ
ウム、塩化クロム、塩化アンチモン、塩化ガリウム及び
塩化ニオブを各々酸化物換算でＦｅ2Ｏ3と同じモル数だ
け添加すること以外は、前述したハニカム触媒１で説明
したのと同様にし、脱水された状態で下記表１に示す組
成を有する化合物２〜１２を得た。
わりに塩化コバルト、塩化ルテニウム、塩化ロジウム、
塩化ランタン、塩化セリウム、塩化チタン、塩化バナジ
ウム、塩化クロム、塩化アンチモン、塩化ガリウム及び
塩化ニオブを各々酸化物換算でＦｅ2Ｏ3と同じモル数だ
け添加すること以外は、前述したハニカム触媒１で説明
したのと同様にし、脱水された状態で下記表１に示す組
成を有する化合物２〜１２を得た。
【００３４】各化合物２〜１２から前述したハニカム触
媒１で説明したのと同様にして結晶性シリケートを得
た。各結晶性シリケート２〜１２は、前述した表１の組
成式におけるＮａがＨで置換された組成を脱水された状
態において有するものであった。また、各結晶性シリケ
ート２〜１２について、ＣｕＫα線を用いる粉末Ｘ線回
折測定を行ったところ、最強線から第１５位までのピー
クの格子面間隔及び相対強度は前述した表２で説明した
のと同様なものであった。
媒１で説明したのと同様にして結晶性シリケートを得
た。各結晶性シリケート２〜１２は、前述した表１の組
成式におけるＮａがＨで置換された組成を脱水された状
態において有するものであった。また、各結晶性シリケ
ート２〜１２について、ＣｕＫα線を用いる粉末Ｘ線回
折測定を行ったところ、最強線から第１５位までのピー
クの格子面間隔及び相対強度は前述した表２で説明した
のと同様なものであった。
【００３５】各結晶性シリケート２〜１２から前述した
ハニカム触媒１で説明したのと同様にしてハニカム触媒
を調製した。
ハニカム触媒１で説明したのと同様にしてハニカム触媒
を調製した。
【００３６】（ハニカム触媒１３〜１５）酢酸カルシウ
ムの代わりに酢酸マグネシウム、酢酸ストロンチウム、
酢酸バリウムを各々酸化物換算でＣａＯと同じモル数だ
け添加すること以外は、前述したハニカム触媒１で説明
したのと同様にし、脱水された状態で下記表１に示す組
成を有する化合物１３〜１５を得た。
ムの代わりに酢酸マグネシウム、酢酸ストロンチウム、
酢酸バリウムを各々酸化物換算でＣａＯと同じモル数だ
け添加すること以外は、前述したハニカム触媒１で説明
したのと同様にし、脱水された状態で下記表１に示す組
成を有する化合物１３〜１５を得た。
【００３７】各化合物１３〜１５から前述したハニカム
触媒１で説明したのと同様にして結晶性シリケート１３
〜１５を得た。各結晶性シリケート１３〜１５は、前述
した表１の組成式におけるＮａがＨで置換された組成を
脱水された状態において有するものであった。また、各
結晶性シリケート１３〜１５について、ＣｕＫα線を用
いる粉末Ｘ線回折測定を行ったところ、最強線から第１
５位までのピークの格子面間隔及び相対強度は前述した
表２で説明したのと同様なものであった。
触媒１で説明したのと同様にして結晶性シリケート１３
〜１５を得た。各結晶性シリケート１３〜１５は、前述
した表１の組成式におけるＮａがＨで置換された組成を
脱水された状態において有するものであった。また、各
結晶性シリケート１３〜１５について、ＣｕＫα線を用
いる粉末Ｘ線回折測定を行ったところ、最強線から第１
５位までのピークの格子面間隔及び相対強度は前述した
表２で説明したのと同様なものであった。
【００３８】各結晶性シリケート１３〜１５から前述し
たハニカム触媒１で説明したのと同様にしてハニカム触
媒を調製した。
たハニカム触媒１で説明したのと同様にしてハニカム触
媒を調製した。
【００３９】（ハニカム触媒１６）前述したハニカム触
媒１で説明したのと同様な結晶性シリケート１・１００
部からなる担体に塩化パラジウム水溶液を含浸させるこ
とによりＰｄを０．４重量部担持させた後、蒸発乾固
し、５００℃で５時間焼成することにより粉末触媒を得
た。この粉末触媒からハニカム触媒１で説明したのと同
様な方法でハニカム触媒を調製した。
媒１で説明したのと同様な結晶性シリケート１・１００
部からなる担体に塩化パラジウム水溶液を含浸させるこ
とによりＰｄを０．４重量部担持させた後、蒸発乾固
し、５００℃で５時間焼成することにより粉末触媒を得
た。この粉末触媒からハニカム触媒１で説明したのと同
様な方法でハニカム触媒を調製した。
【００４０】（ハニカム触媒１７）前述したハニカム触
媒１で説明したのと同様な結晶性シリケート１・１００
部からなる担体に塩化ロジウム水溶液を含浸させること
によりＲｈを０．４重量部担持させた後、蒸発乾固し、
５００℃で５時間焼成することにより粉末触媒を得た。
この粉末触媒からハニカム触媒１で説明したのと同様な
方法でハニカム触媒を調製した。
媒１で説明したのと同様な結晶性シリケート１・１００
部からなる担体に塩化ロジウム水溶液を含浸させること
によりＲｈを０．４重量部担持させた後、蒸発乾固し、
５００℃で５時間焼成することにより粉末触媒を得た。
この粉末触媒からハニカム触媒１で説明したのと同様な
方法でハニカム触媒を調製した。
【００４１】（ハニカム触媒１８）前述したハニカム触
媒１で説明したのと同様な結晶性シリケート１・１００
部からなる担体に塩化ルテニウム水溶液を含浸させるこ
とによりＲｕを０．４重量部担持させた後、蒸発乾固
し、５００℃で５時間焼成することにより粉末触媒を得
た。この粉末触媒からハニカム触媒１で説明したのと同
様な方法でハニカム触媒を調製した。
媒１で説明したのと同様な結晶性シリケート１・１００
部からなる担体に塩化ルテニウム水溶液を含浸させるこ
とによりＲｕを０．４重量部担持させた後、蒸発乾固
し、５００℃で５時間焼成することにより粉末触媒を得
た。この粉末触媒からハニカム触媒１で説明したのと同
様な方法でハニカム触媒を調製した。
【００４２】（ハニカム触媒１９）前述したハニカム触
媒１で説明したのと同様な結晶性シリケート１・１００
部からなる担体に塩化イリジウム水溶液を含浸させるこ
とによりＩｒを０．４重量部担持させた後、蒸発乾固
し、５００℃で５時間焼成することにより粉末触媒を得
た。この粉末触媒からハニカム触媒１で説明したのと同
様な方法でハニカム触媒を調製した。
媒１で説明したのと同様な結晶性シリケート１・１００
部からなる担体に塩化イリジウム水溶液を含浸させるこ
とによりＩｒを０．４重量部担持させた後、蒸発乾固
し、５００℃で５時間焼成することにより粉末触媒を得
た。この粉末触媒からハニカム触媒１で説明したのと同
様な方法でハニカム触媒を調製した。
【００４３】（ハニカム触媒２０）Ｈ型のＹ型ゼオライ
ト粉末に塩化白金酸水溶液を含浸させることによりＰｔ
０．４重量部を担持させ、粉末触媒を調製した。この粉
末触媒からハニカム触媒１で説明したのと同様な方法で
ハニカム触媒を調製した。
ト粉末に塩化白金酸水溶液を含浸させることによりＰｔ
０．４重量部を担持させ、粉末触媒を調製した。この粉
末触媒からハニカム触媒１で説明したのと同様な方法で
ハニカム触媒を調製した。
【００４４】（ハニカム触媒２１）Ｈ型のモルデナイト
粉末に塩化白金酸水溶液を含浸させることによりＰｔ
０．４重量部を担持させ、粉末触媒を調製した。この粉
末触媒からハニカム触媒１で説明したのと同様な方法で
ハニカム触媒を調製した。
粉末に塩化白金酸水溶液を含浸させることによりＰｔ
０．４重量部を担持させ、粉末触媒を調製した。この粉
末触媒からハニカム触媒１で説明したのと同様な方法で
ハニカム触媒を調製した。
【００４５】（ハニカム触媒２２）Ｃａ型のＡ型ゼオラ
イト粉末に塩化白金酸水溶液を含浸させることによりＰ
ｔ０．４重量部を担持させ、粉末触媒を調製した。この
粉末触媒からハニカム触媒１で説明したのと同様な方法
でハニカム触媒を調製した。
イト粉末に塩化白金酸水溶液を含浸させることによりＰ
ｔ０．４重量部を担持させ、粉末触媒を調製した。この
粉末触媒からハニカム触媒１で説明したのと同様な方法
でハニカム触媒を調製した。
【００４６】（ハニカム触媒２３）γ型Ａｌ2Ｏ3粉末に
塩化白金酸水溶液を含浸させることによりＰｔ０．４重
量部を担持させ、粉末触媒を調製した。この粉末触媒か
らハニカム触媒１で説明したのと同様な方法でハニカム
触媒を調製した。
塩化白金酸水溶液を含浸させることによりＰｔ０．４重
量部を担持させ、粉末触媒を調製した。この粉末触媒か
らハニカム触媒１で説明したのと同様な方法でハニカム
触媒を調製した。
【００４７】（ハニカム触媒２４）アナターゼ型ＴｉＯ
2粉末に塩化白金酸水溶液を含浸させることによりＰｔ
０．４重量部を担持させ、粉末触媒を調製した。この粉
末触媒からハニカム触媒１で説明したのと同様な方法で
ハニカム触媒を調製した。
2粉末に塩化白金酸水溶液を含浸させることによりＰｔ
０．４重量部を担持させ、粉末触媒を調製した。この粉
末触媒からハニカム触媒１で説明したのと同様な方法で
ハニカム触媒を調製した。
【００４８】得られたハニカム触媒１〜２４のイオン交
換前の化合物組成及び担体に担持される金属の種類を下
記表１に示す。
換前の化合物組成及び担体に担持される金属の種類を下
記表１に示す。
【００４９】
【表１】
【００５０】
【表２】
【００５１】（実施例１〜２３）得られたハニカム触媒
１〜２４から適用温度が異なる２種類を選択し（適用温
度が５０〜１５０℃の範囲内にあるものと、適用温度が
１５０〜２７０℃の範囲内にあるものとの２種類）、図
１に示すように、高温用ＣＯ選択酸化触媒１及び低温用
ＣＯ選択酸化触媒２を直列に配置し、２３種類の触媒群
３を形成した。各触媒群を構成するハニカム触媒の種類
を下記表３〜表４に示す。なお、各触媒群の触媒量は、
高温用及び低温用それぞれについて１５ｃｃずつとし
た。
１〜２４から適用温度が異なる２種類を選択し（適用温
度が５０〜１５０℃の範囲内にあるものと、適用温度が
１５０〜２７０℃の範囲内にあるものとの２種類）、図
１に示すように、高温用ＣＯ選択酸化触媒１及び低温用
ＣＯ選択酸化触媒２を直列に配置し、２３種類の触媒群
３を形成した。各触媒群を構成するハニカム触媒の種類
を下記表３〜表４に示す。なお、各触媒群の触媒量は、
高温用及び低温用それぞれについて１５ｃｃずつとし
た。
【００５２】０．６％のＣＯ、２４％のＣＯ2、２０％
のＨ2Ｏ、０．６％のＯ2及び５４．８％のＨ2からなる
７０℃の試料ガスを各触媒群に高温用側からＧＨＳＶ
（gas hourly space velocity）を１０，０００ｈ
-1（ガス量が３００Ｎｌ／ｈ）にして導入し、一酸化炭
素の除去を行い、除去試験中、触媒群出口のＣＯ濃度を
ＮＤ−ＩＲ方式のＣＯ系で連続モニターし、安定となっ
たＣＯ濃度を計測し、その濃度を下記表３〜４に示す。
このようなＣＯ除去試験を試料ガスの温度を１００℃、
１３０℃、１６０℃、１９０℃、２２０℃、２７０℃に
変更して行い、得られた結果を表３〜表４に併記する。
のＨ2Ｏ、０．６％のＯ2及び５４．８％のＨ2からなる
７０℃の試料ガスを各触媒群に高温用側からＧＨＳＶ
（gas hourly space velocity）を１０，０００ｈ
-1（ガス量が３００Ｎｌ／ｈ）にして導入し、一酸化炭
素の除去を行い、除去試験中、触媒群出口のＣＯ濃度を
ＮＤ−ＩＲ方式のＣＯ系で連続モニターし、安定となっ
たＣＯ濃度を計測し、その濃度を下記表３〜４に示す。
このようなＣＯ除去試験を試料ガスの温度を１００℃、
１３０℃、１６０℃、１９０℃、２２０℃、２７０℃に
変更して行い、得られた結果を表３〜表４に併記する。
【００５３】（比較例１〜５）ハニカム触媒１〜２４か
ら下記表４に示す１種類を選択し、これを１５ｃｃずつ
２列に配置した。前述した実施例で説明したのと同様な
組成を有する７０℃の試料ガスを各触媒にＧＨＳＶ（ga
s hourly space velocity）を１０，０００ｈ- 1（ガス
量が３００Ｎｌ／ｈ）にして導入し、一酸化炭素の除去
を行い、除去試験中、触媒出口のＣＯ濃度をＮＤ−ＩＲ
方式のＣＯ系で連続モニターし、安定となったＣＯ濃度
を計測し、その濃度を表４に示す。このようなＣＯ除去
試験を試料ガスの温度を１００℃、１３０℃、１６０
℃、１９０℃、２２０℃、２７０℃に変更して行い、得
られた結果を表４に併記する。
ら下記表４に示す１種類を選択し、これを１５ｃｃずつ
２列に配置した。前述した実施例で説明したのと同様な
組成を有する７０℃の試料ガスを各触媒にＧＨＳＶ（ga
s hourly space velocity）を１０，０００ｈ- 1（ガス
量が３００Ｎｌ／ｈ）にして導入し、一酸化炭素の除去
を行い、除去試験中、触媒出口のＣＯ濃度をＮＤ−ＩＲ
方式のＣＯ系で連続モニターし、安定となったＣＯ濃度
を計測し、その濃度を表４に示す。このようなＣＯ除去
試験を試料ガスの温度を１００℃、１３０℃、１６０
℃、１９０℃、２２０℃、２７０℃に変更して行い、得
られた結果を表４に併記する。
【００５４】
【表３】
【００５５】
【表４】
【００５６】表３及び表４から明らかなように、適用温
度が異なる２種類の触媒を適用温度が高い順に配列して
触媒群を形成し、この触媒群にＨ2、Ｏ2及びＣＯを含む
ガスを適用温度が高い方側から導入する実施例１〜２３
の方法によると、７０〜２７０℃という広範囲に亘って
試料ガスのＣＯ濃度を低くできることがわかる。これに
対し、担体に担持させる金属がＰｔである触媒を単独で
使用する比較例１〜３の方法によると、試料ガス温度が
１９０〜２７０℃である際のＣＯ濃度が試料ガス温度が
７０〜１６０℃である場合に比べて高いことがわかる。
一方、担体に担持させる金属がＩｒもしくはＲｕである
触媒を単独で使用する比較例４〜５の方法によると、試
料ガス温度が７０〜１６０℃である際のＣＯ濃度が試料
ガス温度が１９０〜２７０℃である場合に比べて高いこ
とがわかる。
度が異なる２種類の触媒を適用温度が高い順に配列して
触媒群を形成し、この触媒群にＨ2、Ｏ2及びＣＯを含む
ガスを適用温度が高い方側から導入する実施例１〜２３
の方法によると、７０〜２７０℃という広範囲に亘って
試料ガスのＣＯ濃度を低くできることがわかる。これに
対し、担体に担持させる金属がＰｔである触媒を単独で
使用する比較例１〜３の方法によると、試料ガス温度が
１９０〜２７０℃である際のＣＯ濃度が試料ガス温度が
７０〜１６０℃である場合に比べて高いことがわかる。
一方、担体に担持させる金属がＩｒもしくはＲｕである
触媒を単独で使用する比較例４〜５の方法によると、試
料ガス温度が７０〜１６０℃である際のＣＯ濃度が試料
ガス温度が１９０〜２７０℃である場合に比べて高いこ
とがわかる。
【００５７】（実施例２４〜２７）得られたハニカム触
媒１〜２４から適用温度が異なる３種類を選択し、適用
温度が高い方から順番に配列して４種類の触媒群を形成
した。各触媒群を構成するハニカム触媒の種類を下記表
５に示す。なお、各触媒群の触媒量は、高温用、中温用
及び低温用それぞれについて１５ｃｃずつとした。
媒１〜２４から適用温度が異なる３種類を選択し、適用
温度が高い方から順番に配列して４種類の触媒群を形成
した。各触媒群を構成するハニカム触媒の種類を下記表
５に示す。なお、各触媒群の触媒量は、高温用、中温用
及び低温用それぞれについて１５ｃｃずつとした。
【００５８】前述した実施例１で説明したのと同様な組
成を有する６０℃の試料ガスを各触媒群に高温用触媒側
からＧＨＳＶ（gas hourly space velocity）を１０，
０００ｈ-1（ガス量が４５０Ｎｌ／ｈ）にして導入し、
一酸化炭素の除去を行い、除去試験中、触媒群出口のＣ
Ｏ濃度をＮＤ−ＩＲ方式のＣＯ系で連続モニターし、安
定となったＣＯ濃度を計測し、その濃度を下記表５に示
す。このようなＣＯ除去試験を試料ガスの温度を１２０
℃、２００℃、２８０℃に変更して行い、得られた結果
を表５に併記する。
成を有する６０℃の試料ガスを各触媒群に高温用触媒側
からＧＨＳＶ（gas hourly space velocity）を１０，
０００ｈ-1（ガス量が４５０Ｎｌ／ｈ）にして導入し、
一酸化炭素の除去を行い、除去試験中、触媒群出口のＣ
Ｏ濃度をＮＤ−ＩＲ方式のＣＯ系で連続モニターし、安
定となったＣＯ濃度を計測し、その濃度を下記表５に示
す。このようなＣＯ除去試験を試料ガスの温度を１２０
℃、２００℃、２８０℃に変更して行い、得られた結果
を表５に併記する。
【００５９】
【表５】
【００６０】表５から明らかなように、適用温度が異な
る３種類の触媒を適用温度が高い順に配列して触媒群を
形成し、この触媒群にＨ2、Ｏ2及びＣＯを含むガスを適
用温度が高い方側から導入する実施例２４〜２７の方法
によると、高い除去率が得られる温度域を前述した実施
例１〜２３に比べて６０〜２８０℃と広くできることが
わかる。
る３種類の触媒を適用温度が高い順に配列して触媒群を
形成し、この触媒群にＨ2、Ｏ2及びＣＯを含むガスを適
用温度が高い方側から導入する実施例２４〜２７の方法
によると、高い除去率が得られる温度域を前述した実施
例１〜２３に比べて６０〜２８０℃と広くできることが
わかる。
【００６１】なお、前述した実施例では、一酸化炭素選
択酸化性を有する触媒の結晶性シリケートの脱水状態に
おける組成をＨ型にした例を説明したが、前述した式
（１）におけるＲがアルカリ金属であるか、もしくはア
ルカリ金属とプロトンからなる組成を脱水状態において
有する結晶性シリケートを含む一酸化炭素選択酸化性を
有する触媒についても同様な効果が得られることを確認
した。
択酸化性を有する触媒の結晶性シリケートの脱水状態に
おける組成をＨ型にした例を説明したが、前述した式
（１）におけるＲがアルカリ金属であるか、もしくはア
ルカリ金属とプロトンからなる組成を脱水状態において
有する結晶性シリケートを含む一酸化炭素選択酸化性を
有する触媒についても同様な効果が得られることを確認
した。
【００６２】また、前述した実施例では、一酸化炭素選
択酸化性を有する触媒の種類が２種及び３種の例を説明
したが、４種類以上に増やすと一酸化炭素除去率をさら
に向上させることができ、また高除去率が得られる温度
域をより拡大することが可能である。
択酸化性を有する触媒の種類が２種及び３種の例を説明
したが、４種類以上に増やすと一酸化炭素除去率をさら
に向上させることができ、また高除去率が得られる温度
域をより拡大することが可能である。
【００６３】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、Ｈ
2及びＣＯを含むガスからＣＯを選択的に除去する際、
広範囲の温度域で高い除去率が得られる一酸化炭素の選
択除去方法を提供することができる。
2及びＣＯを含むガスからＣＯを選択的に除去する際、
広範囲の温度域で高い除去率が得られる一酸化炭素の選
択除去方法を提供することができる。
【図１】実施例１〜２３において使用される触媒群を示
す模式図。
す模式図。
１…高温用ＣＯ選択酸化触媒、 ２…低温用ＣＯ選択酸化触媒、 ３…触媒群。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０１Ｊ 23/68 Ｂ０１Ｊ 23/89 ＺＡＢＭ 23/89 ＺＡＢ 29/12 Ｍ 29/12 29/22 Ｍ 29/22 35/02 Ｊ 35/02 Ｂ０１Ｄ 53/36 １０３Ｚ Ｆターム(参考） 4D048 AA13 AB01 BA02X BA03X BA06X BA07X BA11X BA14X BA15X BA17X BA18X BA19X BA23X BA24X BA25X BA30X BA32X BA33X BA36X BA37X BA39X BA41X BA42X BB02 CA01 CC32 CC38 CC48 DA03 DA06 DA08 4G069 AA03 BA01A BA01B BA04A BA04B BA07A BB02A BB02B BB04C BC01A BC09A BC09B BC10A BC10B BC12A BC12B BC13A BC13B BC16C BC17A BC17B BC26A BC26B BC38A BC42B BC43B BC50A BC50B BC54A BC54B BC55A BC55B BC58A BC58B BC65A BC66B BC67B BC69A BC70A BC71A BC71B BC72A BC72B BC74A BC74B BC75A BC75B BD01A BD01B BD05C CA01 CA07 CA14 CC32 EA19 EC22Y EE08 EE09 ZA02B ZA04B ZA06B ZA11A ZA33A ZA33B ZC02 ZC04 ZD01 ZF02B ZF05A ZF05B 4H060 AA01 BB11 CC15 FF02 GG02
Claims (5)
- 【請求項１】 一酸化炭素選択酸化性を有する触媒とし
て適用温度が異なる２種以上を用意し、適用温度が高い
方から順番に配列して触媒群を形成し、前記触媒群にＨ
2、Ｏ2及びＣＯを含むガスを適用温度が高い方側から導
入することにより前記ガス中のＣＯを前記Ｏ2により選
択酸化して除去することを特徴とする一酸化炭素の選択
除去方法。 - 【請求項２】 前記一酸化炭素選択酸化性を有する触媒
として、担体及び前記担体に担持されるＰｔを含む第１
の一酸化炭素選択酸化性触媒と、担体及び前記担体に担
持されるＰｄ，Ｒｕ，Ｒｈ及びＩｒから選ばれる少なく
とも１種類の金属を含む第２の一酸化炭素選択酸化性触
媒とを用いることを特徴とする請求項１記載の一酸化炭
素の選択除去方法。 - 【請求項３】 前記第１の一酸化炭素選択酸化性触媒及
び前記第２の一酸化炭素選択酸化性触媒のうち少なくと
も一方の担体は、脱水された状態において下記(1)式で
表される組成を有し、かつＣｕＫα線を用いる粉末Ｘ線
回折において格子面間隔３．６５±０．１Å、３．７５
±０．１Å、３．８５±０．１Å、１０．０±０．３Å
及び１１．２±０．３Åに最強ピークから第５位までの
ピークが現れる結晶性シリケートであることを特徴とす
る請求項１ないし２いずれか１項記載の一酸化炭素の選
択除去方法。 (1±0.8)Ｒ2Ｏ・［ａＭ2Ｏ3・ｂＮＯ・ｃＡｌ2Ｏ3 ］・ｙＳｉＯ2 (1) 但し、Ｒはアルカリ金属及びＨから選ばれる少なくとも
１種類の元素、ＭはVIII族元素、希土類元素、Ｔｉ、
Ｖ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｓｂ及びＧａから選ばれる少なくとも
一種の元素、ＮはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａから選ばれ
る少なくとも一種の元素、モル比ａ，ｂ，ｃ及びｙは０
≦ａ、０≦ｂ≦２０、ａ＋ｃ＝１及び１１≦ｙ≦３００
０を示す。 - 【請求項４】 前記触媒群に導入する際の前記ガスの温
度を５０〜２８０℃にすることを特徴とする請求項１記
載の一酸化炭素の選択除去方法。 - 【請求項５】 前記ガスは、ＣＯ濃度が４％以下である
ことを特徴とする請求項１記載の一酸化炭素の選択除去
方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11160614A JP2000345175A (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 一酸化炭素の選択除去方法 |
| CA002311000A CA2311000C (en) | 1999-06-08 | 2000-06-07 | Selective removing method of carbon monoxide |
| DE60024356T DE60024356T2 (de) | 1999-06-08 | 2000-06-07 | Verfahren zur selektiven Entfernung von Kohlenmonoxid |
| US09/588,714 US6531106B1 (en) | 1999-06-08 | 2000-06-07 | Selective removing method of carbon monoxide |
| EP00111826A EP1059263B1 (en) | 1999-06-08 | 2000-06-07 | Selective removing method of carbon monoxide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11160614A JP2000345175A (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 一酸化炭素の選択除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000345175A true JP2000345175A (ja) | 2000-12-12 |
Family
ID=15718751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11160614A Withdrawn JP2000345175A (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 一酸化炭素の選択除去方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6531106B1 (ja) |
| EP (1) | EP1059263B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000345175A (ja) |
| CA (1) | CA2311000C (ja) |
| DE (1) | DE60024356T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005066542A1 (en) | 2004-01-08 | 2005-07-21 | Wysocki, Michal | System for treating organic materials to reduce them to inorganic components and methods for treating organic materials to reduce them to inorganic components |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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