JP2000328264A - エッチング部品の製造方法 - Google Patents
エッチング部品の製造方法Info
- Publication number
- JP2000328264A JP2000328264A JP13287799A JP13287799A JP2000328264A JP 2000328264 A JP2000328264 A JP 2000328264A JP 13287799 A JP13287799 A JP 13287799A JP 13287799 A JP13287799 A JP 13287799A JP 2000328264 A JP2000328264 A JP 2000328264A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal plating
- layer
- plating layer
- etched
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ハーフエッチ領域に金属めっき層が形成されな
いエッチング部品（シールキャップ等）の製造方法を提
供することを目的とする。 【解決手段】金属基材１１の両面に無電解ニッケルめっ
きにて膜厚０.５から２.０μｍの金属めっき層１２及び
金属めっき層１３を形成し、フォトレジストを塗布し、
金属めっき層１２及び金属めっき層１３上に感光層１４
及び感光層１５を形成する。次に、一方の面の感光層１
４をパターニング処理してレジストパターン１４ａを形
成し、レジストパターン１４ａをマスクにして金属めっ
き層１２及び金属基材１１の一部をエッチング加工して
金属めっきパターン層１２ａ及び開口部１６を形成す
る。次に、レジストパターン１４ａ及び感光層１５を剥
離処理して、開口部１６の所定位置を打ち抜き加工し
て、金属基材１１の両端に金属めっき層の無いハーフエ
ッチ領域を有するエッチング部品１０を得る。
いエッチング部品（シールキャップ等）の製造方法を提
供することを目的とする。 【解決手段】金属基材１１の両面に無電解ニッケルめっ
きにて膜厚０.５から２.０μｍの金属めっき層１２及び
金属めっき層１３を形成し、フォトレジストを塗布し、
金属めっき層１２及び金属めっき層１３上に感光層１４
及び感光層１５を形成する。次に、一方の面の感光層１
４をパターニング処理してレジストパターン１４ａを形
成し、レジストパターン１４ａをマスクにして金属めっ
き層１２及び金属基材１１の一部をエッチング加工して
金属めっきパターン層１２ａ及び開口部１６を形成す
る。次に、レジストパターン１４ａ及び感光層１５を剥
離処理して、開口部１６の所定位置を打ち抜き加工し
て、金属基材１１の両端に金属めっき層の無いハーフエ
ッチ領域を有するエッチング部品１０を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＰＧＡ（ピン・グリ
ッド・アレイ）パッケージに用いられるシールキャップ
或いは２層リードフレームに用いられる放熱板等のエッ
チング部品に関する。
ッド・アレイ）パッケージに用いられるシールキャップ
或いは２層リードフレームに用いられる放熱板等のエッ
チング部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の高速化、高密度化が
より一層要求されるのに伴い、半導体素子のパッケージ
も高密度、小型化が一層加速されている。ＰＧＡ（ピン
・グリッド・アレイ）パッケージのシールキャップ及び
２層リードフレームの放熱板としてエッチング、めっき
等で形成したエッチング部品が使用されている。
より一層要求されるのに伴い、半導体素子のパッケージ
も高密度、小型化が一層加速されている。ＰＧＡ（ピン
・グリッド・アレイ）パッケージのシールキャップ及び
２層リードフレームの放熱板としてエッチング、めっき
等で形成したエッチング部品が使用されている。
【０００３】図２にＩＣチップが実装されたセラミック
基板にシールキャップをシールしたＰＧＡ（ピン・グリ
ッド・アレイ）の一例を模式断面図で示す。配線層及び
ピングリッドが形成されたセラミック基板にＩＣチップ
を実装し、キャップの周辺とセラミック基板とを低融点
ガラスを用いてガラスシールしてＰＧＡパッケージを得
る。
基板にシールキャップをシールしたＰＧＡ（ピン・グリ
ッド・アレイ）の一例を模式断面図で示す。配線層及び
ピングリッドが形成されたセラミック基板にＩＣチップ
を実装し、キャップの周辺とセラミック基板とを低融点
ガラスを用いてガラスシールしてＰＧＡパッケージを得
る。
【０００４】図３（ａ）〜（ｆ）に従来の加工法で作製
されたエッチング部品の製造方法を示す。以下従来のエ
ッチング部品の製造方法について図面を用いて説明す
る。まず、金属基材６１上にフォトレジストを塗布し感
光層６２を形成する（図３（ａ）参照）。次に、感光層
６２をパターニング処理して金属基材６１上にレジスト
パターン６２ａを形成する（図３（ｂ）参照）。次に、
レジストパターン６２ａをマスクにして金属基材６１を
所定の深さエッチングして開口部６３を形成する（図３
（ｃ）参照）。次に、レジストパターン６２ａを剥離処
理して、金属基材６１の両面に所定厚の金属めっきを行
い、金属めっき層６４を形成する（図３（ｄ）、（ｅ）
参照）。次に、開口部６３の所定位置で打ち抜き加工し
て、金属基材６１の両端がハーフエッチング加工され、
金属めっき層が形成されたたエッチング部品６０が得ら
れる（図３（ｆ）参照）。
されたエッチング部品の製造方法を示す。以下従来のエ
ッチング部品の製造方法について図面を用いて説明す
る。まず、金属基材６１上にフォトレジストを塗布し感
光層６２を形成する（図３（ａ）参照）。次に、感光層
６２をパターニング処理して金属基材６１上にレジスト
パターン６２ａを形成する（図３（ｂ）参照）。次に、
レジストパターン６２ａをマスクにして金属基材６１を
所定の深さエッチングして開口部６３を形成する（図３
（ｃ）参照）。次に、レジストパターン６２ａを剥離処
理して、金属基材６１の両面に所定厚の金属めっきを行
い、金属めっき層６４を形成する（図３（ｄ）、（ｅ）
参照）。次に、開口部６３の所定位置で打ち抜き加工し
て、金属基材６１の両端がハーフエッチング加工され、
金属めっき層が形成されたたエッチング部品６０が得ら
れる（図３（ｆ）参照）。
【０００５】上記エッチング部品６０を図２に示すよう
なシールキャップとして使用した場合シールキャップの
ハーフエッチ領域のシール部に金属めっき層が介在する
ため、セラミック基板とガラスシールした場合金属基材
６１と金属めっき層６４との間で層間剥離等が起こりシ
ール強度が低下する等の問題を有する。
なシールキャップとして使用した場合シールキャップの
ハーフエッチ領域のシール部に金属めっき層が介在する
ため、セラミック基板とガラスシールした場合金属基材
６１と金属めっき層６４との間で層間剥離等が起こりシ
ール強度が低下する等の問題を有する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記問題点
に鑑みなされたものであり、ハーフエッチ領域に金属め
っき層が形成されないエッチング部品（シールキャップ
等）の製造方法を提供することを目的とする。
に鑑みなされたものであり、ハーフエッチ領域に金属め
っき層が形成されないエッチング部品（シールキャップ
等）の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を解決するために、以下の工程を少なくとも備えること
を特徴とするエッチング部品の製造方法としたものであ
る。 （ａ）金属基材の両面に所定の金属めっき層を形成する
工程。 （ｂ）前記金属めっき層上にレジスト層を形成する工
程。 （ｃ）一方の面側の前記レジスト層をパターニング処理
してレジストパターンを形成する工程。 （ｄ）前記レジストパターンをレジストにして前記金属
めっき層及び前記金属基材をエッチングして開口部を形
成する工程。 （ｅ）前記レジストパターン及び前記レジスト層を剥離
処理して、打ち抜き加工等により不要部を除去して所定
形状のエッチング部品を形成する工程。
を解決するために、以下の工程を少なくとも備えること
を特徴とするエッチング部品の製造方法としたものであ
る。 （ａ）金属基材の両面に所定の金属めっき層を形成する
工程。 （ｂ）前記金属めっき層上にレジスト層を形成する工
程。 （ｃ）一方の面側の前記レジスト層をパターニング処理
してレジストパターンを形成する工程。 （ｄ）前記レジストパターンをレジストにして前記金属
めっき層及び前記金属基材をエッチングして開口部を形
成する工程。 （ｅ）前記レジストパターン及び前記レジスト層を剥離
処理して、打ち抜き加工等により不要部を除去して所定
形状のエッチング部品を形成する工程。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明のエッチング部品の製
造方法について説明する。図１（ａ）〜（ｆ）はエッチ
ング部品の製造工程を工程順に示す本発明のエッチング
部品の製造方法の一実施例を示す部品断面図を、図２は
本発明のエッチング部品の製造方法にて作製したエッチ
ング部品１０をＰＧＡパッケージに適用した一例を示す
断面図をそれぞれ示す。
造方法について説明する。図１（ａ）〜（ｆ）はエッチ
ング部品の製造工程を工程順に示す本発明のエッチング
部品の製造方法の一実施例を示す部品断面図を、図２は
本発明のエッチング部品の製造方法にて作製したエッチ
ング部品１０をＰＧＡパッケージに適用した一例を示す
断面図をそれぞれ示す。
【０００９】まず、金属基材１１の両面に無電解ニッケ
ルめっきにて膜厚０.５から２.０μｍの金属めっき層１
２及び金属めっき層１３を形成する（図１（ａ）参
照）。次に、フォトレジストを塗布し、金属めっき層１
２及び金属めっき層１３上に感光層１４及び感光層１５
を形成する（図１（ｂ）参照）。次に、一方の面の感光
層１４をパターニング処理してレジストパターン１４ａ
を形成する（図１（ｃ）参照）。次に、レジストパター
ン１４ａをマスクにして金属めっき層１２及び金属基材
１１の一部をエッチング加工して金属めっきパターン層
１２ａ及び開口部１６を形成する（図１（ｄ）参照）。
次に、レジストパターン１４ａ及び感光層１５を剥離処
理して、開口部の所定位置を打ち抜き加工して、金属基
材１１の両端に金属めっき層の無いハーフエッチ領域を
有するエッチング部品１０を得る（図１（ｅ）、（ｆ）
参照）。
ルめっきにて膜厚０.５から２.０μｍの金属めっき層１
２及び金属めっき層１３を形成する（図１（ａ）参
照）。次に、フォトレジストを塗布し、金属めっき層１
２及び金属めっき層１３上に感光層１４及び感光層１５
を形成する（図１（ｂ）参照）。次に、一方の面の感光
層１４をパターニング処理してレジストパターン１４ａ
を形成する（図１（ｃ）参照）。次に、レジストパター
ン１４ａをマスクにして金属めっき層１２及び金属基材
１１の一部をエッチング加工して金属めっきパターン層
１２ａ及び開口部１６を形成する（図１（ｄ）参照）。
次に、レジストパターン１４ａ及び感光層１５を剥離処
理して、開口部の所定位置を打ち抜き加工して、金属基
材１１の両端に金属めっき層の無いハーフエッチ領域を
有するエッチング部品１０を得る（図１（ｅ）、（ｆ）
参照）。
【００１０】さらに、エッチング部品１０を図２に示す
ようなピングリッド２２を有するセラミック基板２１に
ＩＣチップ３１がワイヤ４１にてワイヤボンディングさ
れたＰＧＡセラミック基板のシールキャップとして用
い、ハーフエッチ領域とセラミックをガラスシールした
結果シール強度に優れたＰＧＡパッケージが得られた
（図２参照）。
ようなピングリッド２２を有するセラミック基板２１に
ＩＣチップ３１がワイヤ４１にてワイヤボンディングさ
れたＰＧＡセラミック基板のシールキャップとして用
い、ハーフエッチ領域とセラミックをガラスシールした
結果シール強度に優れたＰＧＡパッケージが得られた
（図２参照）。
【００１１】
【発明の効果】上記したように、本発明の製造方法で得
られたエッチング部品はハーフエッチ領域に金属めっき
層が形成されないため、ＰＧＡパッケージ等のシールキ
ャップ及び放熱板として使用した場合シール強度に優れ
たエッチング部品を得ることができる。
られたエッチング部品はハーフエッチ領域に金属めっき
層が形成されないため、ＰＧＡパッケージ等のシールキ
ャップ及び放熱板として使用した場合シール強度に優れ
たエッチング部品を得ることができる。
【図１】（ａ）〜（ｆ）は、本発明のエッチング部品の
製造方法の一実施例の製造工程を示す部品断面図であ
る。
製造方法の一実施例の製造工程を示す部品断面図であ
る。
【図２】本発明のエッチング部品の製造方法にて作製し
たエッチング部品をＰＧＡパッケージに適用した一例を
示す断面図である。
たエッチング部品をＰＧＡパッケージに適用した一例を
示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、従来のエッチング部品の製
造工程の一例の製造工程を示す部品断面図である。
造工程の一例の製造工程を示す部品断面図である。
１０……エッチング部品 １１……金属基材 １２、１３……金属めっき層 １２ａ……金属めっきパターン層 １４、１５……感光層 １６……開口部 ２１……ＰＧＡ用セラミック基板 ２２……ピングリッド ３１……ＩＣチップ ４１……ワイヤ ５１……シール部 ６０……エッチング部品 ６１……金属基材 ６２……感光層 ６２ａ……レジストパターン ６３……開口部 ６４、６５……金属めっき層 ５１……リード ５１ａ……インナーリード ５１ｂ……アウターリード ５３……アイランド ５４……吊りリード ５５……固定用テープ
Claims (1)
- 【請求項１】以下の工程を少なくとも備えることを特徴
とするエッチング部品の製造方法。 （ａ）金属基材の両面に所定の金属めっき層を形成する
工程。 （ｂ）前記金属めっき層上にレジスト層を形成する工
程。 （ｃ）一方の面側の前記レジスト層をパターニング処理
してレジストパターンを形成する工程。 （ｄ）前記レジストパターンをレジストにして前記金属
めっき層及び前記金属基材をエッチングして開口部を形
成する工程。 （ｅ）前記レジストパターン及び前記レジスト層を剥離
処理して、打ち抜き加工等により不要部を除去して所定
形状のエッチング部品を形成する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13287799A JP2000328264A (ja) | 1999-05-13 | 1999-05-13 | エッチング部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13287799A JP2000328264A (ja) | 1999-05-13 | 1999-05-13 | エッチング部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000328264A true JP2000328264A (ja) | 2000-11-28 |
Family
ID=15091657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13287799A Pending JP2000328264A (ja) | 1999-05-13 | 1999-05-13 | エッチング部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000328264A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103400776A (zh) * | 2013-08-06 | 2013-11-20 | 江苏长电科技股份有限公司 | 先蚀后封三维***级芯片倒装封装结构及工艺方法 |
| CN103400778A (zh) * | 2013-08-06 | 2013-11-20 | 江苏长电科技股份有限公司 | 先蚀后封无源器件三维***级金属线路板结构及工艺方法 |
| CN103400777A (zh) * | 2013-08-06 | 2013-11-20 | 江苏长电科技股份有限公司 | 先蚀后封芯片正装凸点三维***级金属线路板及工艺方法 |
| CN103456645A (zh) * | 2013-08-06 | 2013-12-18 | 江苏长电科技股份有限公司 | 先蚀后封三维***级芯片正装堆叠封装结构及工艺方法 |
-
1999
- 1999-05-13 JP JP13287799A patent/JP2000328264A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103400776A (zh) * | 2013-08-06 | 2013-11-20 | 江苏长电科技股份有限公司 | 先蚀后封三维***级芯片倒装封装结构及工艺方法 |
| CN103400778A (zh) * | 2013-08-06 | 2013-11-20 | 江苏长电科技股份有限公司 | 先蚀后封无源器件三维***级金属线路板结构及工艺方法 |
| CN103400777A (zh) * | 2013-08-06 | 2013-11-20 | 江苏长电科技股份有限公司 | 先蚀后封芯片正装凸点三维***级金属线路板及工艺方法 |
| CN103456645A (zh) * | 2013-08-06 | 2013-12-18 | 江苏长电科技股份有限公司 | 先蚀后封三维***级芯片正装堆叠封装结构及工艺方法 |
| CN103400776B (zh) * | 2013-08-06 | 2016-02-03 | 江苏长电科技股份有限公司 | 先蚀后封三维***级芯片倒装封装结构及工艺方法 |
| CN103400778B (zh) * | 2013-08-06 | 2016-03-30 | 江苏长电科技股份有限公司 | 先蚀后封无源器件三维***级金属线路板结构及工艺方法 |
| CN103400777B (zh) * | 2013-08-06 | 2016-04-27 | 江苏长电科技股份有限公司 | 先蚀后封芯片正装凸点三维***级金属线路板及工艺方法 |
| CN103456645B (zh) * | 2013-08-06 | 2016-06-01 | 江阴芯智联电子科技有限公司 | 先蚀后封三维***级芯片正装堆叠封装结构及工艺方法 |
| US9633985B2 (en) | 2013-08-06 | 2017-04-25 | Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd | First-etched and later-packaged three-dimensional system-in-package normal chip stack package structure and processing method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8857047B2 (en) | Thin foil semiconductor package | |
| US4711700A (en) | Method for densifying leadframe conductor spacing | |
| KR101668141B1 (ko) | Ｉｃ 패키지 및 이의 제조방법 | |
| US20090309201A1 (en) | Lead frame, semiconductor device, method for manufacturing lead frame and method for manufacturing semiconductor device | |
| US7102214B1 (en) | Pre-molded leadframe | |
| US8088650B2 (en) | Method of fabricating chip package | |
| KR960019684A (ko) | 리드프레임과 그 제조방법 | |
| JP2001110945A (ja) | 半導体素子および半導体素子の製造・パッケージング方法 | |
| US5929511A (en) | Lead frame for resin sealed semiconductor device | |
| US5436198A (en) | Method of manufacturing semiconductor device having straight wall bump | |
| KR0156622B1 (ko) | 반도체 패키지,리드프레임 및 제조방법 | |
| JP2000328264A (ja) | エッチング部品の製造方法 | |
| JPH05102364A (ja) | 電子部品用リードフレームの製造方法 | |
| JPH0738036A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20130061704A (ko) | 리드프레임 | |
| TWI831499B (zh) | 引線框結構的形成方法 | |
| JPH07335815A (ja) | リードフレーム及びこれを用いた半導体装置 | |
| KR0148110B1 (ko) | 리드프레임 및 그것을 사용한 반도체장치 | |
| US6635407B1 (en) | Two pass process for producing a fine pitch lead frame by etching | |
| JP2007109914A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR101198051B1 (ko) | 얇은 포일 반도체 패키지 | |
| KR20010097511A (ko) | 이층형 칩 스케일 반도체 팩키지 및, 그것의 제조 방법 | |
| JP2011086878A (ja) | 半導体装置の製造方法、リードフレームの製造方法、半導体装置、およびリードフレーム | |
| JPS58202555A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000156428A (ja) | Ｂｇａ用リードフレーム |