JP2000311846A - Method and apparatus for resist development - Google Patents
Method and apparatus for resist developmentInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、レジスト現像方
法およびレジスト現像装置に関し、特に、半導体製造プ
ロセスにおけるレジストの現像に適用して好適なもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist developing method and a resist developing apparatus, and more particularly, to a method suitable for developing a resist in a semiconductor manufacturing process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造プロセスにおいて、欠
陥の低減、そして歩留まりの向上は最重要課題として認
識されている。そのため、製造歩留まりをより一層の向
上させるためには、各製造プロセスにおける欠陥の早期
発見および欠陥の低減は必要不可欠である。2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, reduction of defects and improvement of yield are recognized as the most important issues. Therefore, in order to further improve the manufacturing yield, early detection of defects and reduction of defects in each manufacturing process are indispensable.
【０００３】このような欠陥の原因となるものは、現像
プロセスにおいて発生することが少なくない。そのた
め、欠陥の低減を図るために現像プロセスに関する見直
しは、歩留まりの向上のために非常に重要な要素であ
る。[0003] Such defects are often caused in the development process. Therefore, reviewing the development process to reduce defects is a very important factor for improving the yield.
【０００４】さて、従来の現像方法においては、まず、
露光装置による露光が終了した後、現像装置において、
レジストが形成された半導体ウエハー上に現像液を塗布
して、所定の時間、現像処理を行い、その後に純水を用
いて半導体ウエハーの洗浄処理を行う。Now, in the conventional developing method, first,
After the exposure by the exposure device is completed, in the developing device,
A developing solution is applied to the semiconductor wafer on which the resist is formed, a developing process is performed for a predetermined time, and a cleaning process of the semiconductor wafer is performed using pure water.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな現像処理によって半導体ウエハー上のレジストの現
像を行ったとしても、現像が十分に行われず、現像残り
（微小残渣）が発生する場合がある。そして、この微小
残渣が微細パターンの密集している部分に詰まってしま
うと、上述のようにして純水を用いて半導体ウエハーの
洗浄を行ったとしても、微小残渣を十分に洗い流すこと
は非常に困難である。However, even if the resist on the semiconductor wafer is developed by such a development process, the development is not sufficiently performed, and the development residue (minute residue) may be generated. Then, if the minute residue is clogged in the dense portion of the fine pattern, even if the semiconductor wafer is cleaned using pure water as described above, it is very difficult to sufficiently wash the minute residue. Have difficulty.
【０００６】また、このような微小残渣は欠陥発生の原
因ともなり、この微小残渣が、特にエッチング工程の際
にパターン形成に悪影響を及ぼし、短絡などの不正パタ
ーンの形成を招くことは十分に考えられる。これによ
り、この不正パターンの形成に起因した製造歩留まりの
著しい低下を招くことは必至である。そのため、レジス
トの現像の際に生じる微小残渣を低減する技術の開発が
強く求められている。[0006] Further, it is sufficiently considered that such a minute residue causes a defect, and this minute residue has an adverse effect on pattern formation, particularly during an etching step, and causes formation of an incorrect pattern such as a short circuit. Can be As a result, it is inevitable that the production yield will be significantly reduced due to the formation of the incorrect pattern. Therefore, there is a strong demand for the development of a technique for reducing minute residues generated during the development of a resist.
【０００７】したがって、この発明の目的は、レジスト
の現像において、基板に残される微小残渣を低減し、不
正パターンの形成を防止することによって、基板上に形
成される半導体装置の製造歩留まりを向上させることが
できるレジスト現像方法およびレジスト現像装置を提供
することにある。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to improve the production yield of a semiconductor device formed on a substrate by reducing minute residues left on the substrate during development of a resist and preventing formation of an incorrect pattern. It is an object of the present invention to provide a resist developing method and a resist developing apparatus that can be used.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の発明は、レジストが形成された基
板上に現像液を吐出することによりレジストの現像を行
うようにした第１の現像処理と、現像処理が行われた基
板上に洗浄用液を吐出することにより基板の洗浄を行う
ようにした洗浄処理とを有するレジストの現像方法にお
いて、第１の現像処理後、洗浄処理前に、現像液を基板
に吐出することによりレジストの現像を行うようにした
第２の現像処理を有することを特徴とするものである。To achieve the above object, a first aspect of the present invention is to develop a resist by discharging a developing solution onto a substrate on which the resist is formed. In a method for developing a resist, the method comprises the steps of: developing a substrate and cleaning the substrate by discharging a cleaning liquid onto the substrate on which the development has been performed; Before the treatment, a second developing treatment is carried out in which the resist is developed by discharging a developing solution onto the substrate.
【０００９】この第１の発明において、微小残渣をより
低減させるために、典型的には、現像液を基板に吐出す
るとともに、基板を毎分１００回転以上１００００回転
以下の回転数、好適には、毎分１００回転以上２０００
回転以下の回転数、より好適には、毎分３００回転以上
１０００回転以下の回転数で回転させて、第２の現像処
理を行う。In the first aspect of the invention, in order to further reduce the minute residue, the developer is typically discharged onto the substrate, and the substrate is rotated at a speed of 100 to 10,000 revolutions per minute, preferably , Over 100 revolutions per minute 2000
The second development process is performed at a rotation speed of not more than rotation, more preferably at a rotation speed of not less than 300 rotations per minute and not more than 1000 rotations per minute.
【００１０】この第１の発明において、典型的には、洗
浄処理における洗浄用液は純水であり、この純水の温度
を、典型的には２０℃以上９０℃以下、好適には２０℃
以上６０℃以下として、基板の洗浄処理を行う。[0010] In the first invention, typically, the cleaning liquid in the cleaning treatment is pure water, and the temperature of the pure water is typically 20 ° C or more and 90 ° C or less, preferably 20 ° C or less.
The substrate is cleaned at a temperature of 60 ° C. or lower.
【００１１】この発明の第２の発明は、レジストが形成
された基板上に現像液を吐出することによりレジストの
現像を行うようにした第１の現像処理を有するレジスト
の現像方法において、第１の現像処理後、基板を反転さ
せることにより基板のレジストが形成された面を下方に
向け、レジストが形成された面に洗浄用液を供給するこ
とにより基板の洗浄を行うようにした第１の洗浄処理を
有することを特徴とするものである。According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for developing a resist having a first developing process for developing the resist by discharging a developing solution onto a substrate having the resist formed thereon. After the development processing, the substrate is turned upside down by turning the substrate upside down, and the substrate is cleaned by supplying a cleaning liquid to the surface on which the resist is formed. It has a cleaning process.
【００１２】この第２の発明において、典型的には、第
１の現像処理後、基板を反転させる前に、基板上に洗浄
用液を吐出することにより基板の洗浄を行うようにした
第２の洗浄処理をさらに有する。In the second aspect of the invention, typically, after the first development process, before the substrate is turned over, the substrate is washed by discharging a cleaning liquid onto the substrate. And a cleaning process.
【００１３】この第２の発明において、好適には、第１
の現像処理後、基板を反転させる前に、基板上に現像液
を吐出することによりレジストの現像を行うようにした
第２の現像処理をさらに有する。そして、この第２の現
像処理は、現像液を基板に吐出するとともに、基板を、
典型的には毎分１００回転以上１００００回転以下、好
適には毎分１００回転以上２０００回転以下、より好適
には毎分３００回転以上１０００回転以下の回転数で回
転させることにより行う。In the second invention, preferably, the first
After the developing process, before the substrate is turned over, a second developing process for developing the resist by discharging a developing solution onto the substrate is further provided. In the second developing process, the developing solution is discharged onto the substrate, and the substrate is
Typically, the rotation is performed at 100 to 10,000 rotations per minute, preferably 100 to 2,000 rotations per minute, more preferably 300 to 1,000 rotations per minute.
【００１４】この第２の発明において、典型的には、第
１の洗浄処理における洗浄用液は純水であり、この純水
の温度は、典型的には２０℃以上９０℃以下、好適には
２０℃以上６０℃以下である。また、この第２の発明に
おいて、典型的には、第２の洗浄処理における洗浄用液
は純水であり、この純水の温度は、典型的には２０℃以
上９０℃以下、好適には２０℃以上６０℃以下、より好
適には、２０℃以上４０℃以下である。In the second invention, typically, the cleaning liquid in the first cleaning treatment is pure water, and the temperature of the pure water is typically 20 ° C. or more and 90 ° C. or less. Is not less than 20 ° C. and not more than 60 ° C. In the second invention, typically, the cleaning liquid in the second cleaning treatment is pure water, and the temperature of the pure water is typically 20 ° C. or more and 90 ° C. or less, preferably The temperature is from 20 ° C to 60 ° C, more preferably from 20 ° C to 40 ° C.
【００１５】この発明の第３の発明は、レジストが形成
された基板を保持可能に構成された基板保持手段と、基
板上に現像液を吐出可能に構成された現像液吐出手段と
を有するレジスト現像装置において、基板保持手段によ
り保持される基板を反転可能に構成された基板反転手段
と、基板反転手段により反転された基板のレジストが形
成された面に向けて、洗浄用液を吐出可能に構成された
洗浄用液吐出手段を有することを特徴とするものであ
る。According to a third aspect of the present invention, there is provided a resist having a substrate holding means configured to hold a substrate on which a resist is formed, and a developer discharging means configured to discharge a developer onto the substrate. In the developing device, a substrate reversing unit configured to be capable of reversing the substrate held by the substrate holding unit, and a cleaning liquid can be ejected toward a surface of the substrate that has been inverted by the substrate reversing unit, on which a resist is formed. It is characterized by having a configured cleaning liquid discharging means.
【００１６】この第３の発明において、好適には、洗浄
用液吐出手段は、洗浄用液を上方に吐出可能に構成され
ている。そして、より好適には、洗浄用液吐出手段は複
数の洗浄用液吐出口を有し、この複数の洗浄用液吐出口
を通じて、洗浄用液を基板に向けて吐出可能に構成され
ている。In the third aspect of the invention, preferably, the cleaning liquid discharging means is configured to discharge the cleaning liquid upward. More preferably, the cleaning liquid discharge means has a plurality of cleaning liquid discharge ports, and is configured to discharge the cleaning liquid toward the substrate through the plurality of cleaning liquid discharge ports.
【００１７】この第３の発明において、微小残渣を基板
上から効率よく除去するために、好適には、基板反転手
段により基板のレジストが形成された面を下方に向ける
ことができるように構成されている。In the third aspect of the present invention, in order to efficiently remove minute residues from the substrate, preferably, the surface of the substrate on which the resist is formed can be turned downward by the substrate inverting means. ing.
【００１８】この第３の発明において、基板上のレジス
トの現像を効率よく行うために、典型的には、基板を、
基板の面に垂直な方向の軸を回転軸として回転可能に構
成された基板回転手段をさらに有する。In the third aspect, in order to efficiently develop the resist on the substrate, the substrate is typically
The apparatus further includes a substrate rotating unit configured to be rotatable about an axis in a direction perpendicular to a surface of the substrate as a rotation axis.
【００１９】上述のように構成されたこの発明の第１の
発明によるレジスト現像方法によれば、レジストが形成
された基板上に現像液を吐出することにより第１の現像
処理を行った後、基板に洗浄用液を吐出する前に、基板
上に再度現像液を吐出して第２の現像処理を行うように
していることにより、第１の現像処理において使用され
た現像液を、第２の現像処理において使用される新しい
現像液で置換することができる。According to the resist developing method according to the first aspect of the present invention, the first developing process is performed by discharging a developing solution onto the substrate on which the resist is formed. Before the cleaning liquid is discharged onto the substrate, the developing liquid is discharged again onto the substrate to perform the second developing processing, so that the developing liquid used in the first developing processing is removed from the second developing processing. Can be replaced with a new developing solution used in the developing process.
【００２０】また、この発明の第２の発明によるレジス
ト現像方法によれば、レジストの現像が行われた基板を
反転させて、基板のレジストが形成された面を下方に向
け、この面に向けて洗浄用液を吐出して基板の洗浄処理
を行うようにしていることにより、微小残渣を重力によ
り落下させることができ、基板上を移動し広がるのを防
止することができる。Further, according to the resist developing method according to the second aspect of the present invention, the substrate on which the resist has been developed is inverted so that the surface of the substrate on which the resist is formed faces downward, and By discharging the cleaning liquid to clean the substrate, minute residues can be dropped by gravity, and it can be prevented from moving and spreading on the substrate.
【００２１】また、この発明の第３の発明によるレジス
ト現像装置によれば、基板を反転させる基板反転手段
と、この反転された基板に向けて洗浄用液を吐出する洗
浄用液吐出手段とを有していることにより、レジストが
形成された基板の洗浄を行う際にこの基板を反転させ、
この反転された基板に対して洗浄用液吐出手段から洗浄
用液を吐出して基板の洗浄処理を行うことができるの
で、微小残渣が基板上を移動し広がるのを防止すること
ができる。Further, according to the resist developing apparatus of the third aspect of the present invention, the substrate inverting means for inverting the substrate and the cleaning liquid discharging means for discharging the cleaning liquid toward the inverted substrate are provided. By having, when cleaning the substrate on which the resist is formed, this substrate is inverted,
Since the cleaning liquid can be discharged from the reversed substrate by the cleaning liquid discharging means to perform the substrate cleaning process, the fine residue can be prevented from moving and spreading on the substrate.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態
の全図においては、同一または対応する部分には同一の
符号を付す。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In all the drawings of the following embodiments, the same or corresponding portions are denoted by the same reference numerals.
【００２３】まず、この発明の第１の実施形態によるレ
ジスト現像装置およびレジスト現像方法について説明す
る。図１にこの第１の実施形態によるレジスト現像装置
を示す。First, a resist developing apparatus and a resist developing method according to a first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 shows a resist developing apparatus according to the first embodiment.
【００２４】図１に示すように、この第１の実施形態に
よるレジスト現像装置においては、露光済みのレジスト
（図示せず）が形成された半導体ウエハー１を保持する
真空チャック２が現像カップ３内に設けられている。こ
の真空チャック２は、モーター４により、その中心軸の
周りに回転可能になっている。モーター４の回転数およ
び回転角度は、このモーター４の回転軸４ａの中心に設
けられた回転センサー５により検出することができるよ
うになっている。この回転センサー５の出力は制御部６
に入力され、この入力に応じて制御部６によりモーター
４の回転を制御することができるようになっている。As shown in FIG. 1, in the resist developing apparatus according to the first embodiment, a vacuum chuck 2 for holding a semiconductor wafer 1 on which an exposed resist (not shown) is formed is provided inside a developing cup 3. It is provided in. The vacuum chuck 2 is rotatable around its central axis by a motor 4. The rotation speed and rotation angle of the motor 4 can be detected by a rotation sensor 5 provided at the center of the rotation shaft 4a of the motor 4. The output of the rotation sensor 5 is supplied to the control unit 6
The rotation of the motor 4 can be controlled by the control unit 6 in accordance with the input.
【００２５】真空チャック２の上方には、現像ノズルア
ーム７が設けられている。この現像ノズルアーム７の先
端には、現像液を供給するための現像ノズル８が設けら
れている。この現像ノズルは、例えば、先端に現像液吐
出用の穴（図示せず）が設けられている。Above the vacuum chuck 2, a developing nozzle arm 7 is provided. At the end of the developing nozzle arm 7, a developing nozzle 8 for supplying a developing solution is provided. The developing nozzle has, for example, a hole (not shown) for discharging a developing solution at the end.
【００２６】現像ノズルアーム７は、装置本体に取り付
けられた駆動装置９により、真空チャック２に保持され
た半導体ウエハー１に平行な面内でその一端の回転軸を
中心として回転可能になっている。駆動装置９は制御部
６と接続され、この制御部６により駆動装置９を制御す
ることによって現像ノズルアーム７の動作を制御するこ
とができるようになっている。これによって、現像ノズ
ルアーム７の先端に取り付けられた現像ノズル８を、現
像ノズルアーム７の回転により、この現像ノズルアーム
７の回転軸を中心として円弧状に移動させることができ
るようになっている。The developing nozzle arm 7 is rotatable about a rotation axis at one end thereof in a plane parallel to the semiconductor wafer 1 held by the vacuum chuck 2 by a driving device 9 attached to the apparatus main body. . The drive unit 9 is connected to the control unit 6, and the operation of the developing nozzle arm 7 can be controlled by controlling the drive unit 9 with the control unit 6. Thus, the rotation of the developing nozzle arm 7 allows the developing nozzle 8 attached to the tip of the developing nozzle arm 7 to move in an arc around the rotation axis of the developing nozzle arm 7. .
【００２７】駆動装置９には現像ノズル高さコントロー
ラ１０が取り付けられ、この現像ノズル高さコントロー
ラ１０により現像ノズルアーム７を上下させることによ
って現像ノズル８の高さを制御することができるように
なっている。また、現像ノズルアーム７には流量コント
ローラ１１が取り付けられており、この流量コントロー
ラ１１により、現像ノズル８からの現像液の吐出量を制
御することができるようになっている。A developing nozzle height controller 10 is attached to the driving device 9 and the height of the developing nozzle 8 can be controlled by moving the developing nozzle arm 7 up and down by the developing nozzle height controller 10. ing. Further, a flow rate controller 11 is attached to the developing nozzle arm 7, and the flow rate controller 11 can control the discharge amount of the developing solution from the developing nozzle 8.
【００２８】また、現像ノズル８とは別に、リンス用純
水供給用ノズル（以下、リンスノズル）１２が設けられ
ている。In addition to the developing nozzle 8, a rinsing pure water supply nozzle (hereinafter, a rinsing nozzle) 12 is provided.
【００２９】次に、この発明の第１の実施形態によるレ
ジストの現像方法について説明する。この第１の実施形
態によるレジストの現像方法においては、図１に示すレ
ジスト現像装置を用いて、次のようにしてレジストの現
像を行う。Next, a method for developing a resist according to the first embodiment of the present invention will be described. In the resist developing method according to the first embodiment, the resist is developed using the resist developing apparatus shown in FIG. 1 as follows.
【００３０】すなわち、まず、所定の露光装置において
露光を行う。そして現像を行うべき露光済みのレジスト
（図示せず）が形成された半導体ウエハー１を真空チャ
ック２に保持する。That is, first, exposure is performed in a predetermined exposure apparatus. Then, the semiconductor wafer 1 on which an exposed resist (not shown) to be developed is formed is held on a vacuum chuck 2.
【００３１】次に、駆動装置９により現像ノズルアーム
７を回転させることによって、その先端の現像ノズル８
を半導体ウエハー１の中心付近に移動させるとともに、
モーター４により真空チャック２を、５００〜１０００
ｒｐｍの範囲から選ばれる回転数、例えば５００ｒｐｍ
の回転数で回転させ、半導体ウエハー１を同様の回転数
で回転させる。Next, the developing nozzle arm 7 is rotated by the driving device 9 so that the developing nozzle 8 at the tip thereof is rotated.
To the vicinity of the center of the semiconductor wafer 1 and
The vacuum chuck 2 is moved by the motor 4 to 500 to 1000
rpm selected from the range of rpm, for example, 500 rpm
And the semiconductor wafer 1 is rotated at the same rotation speed.
【００３２】次に、現像ノズル８から半導体ウエハー１
上に現像液（図示せず）を例えば１０ｃｃ／秒の速度で
吐出する。これによって、半導体ウエハー１上に塗布さ
れた現像液は遠心力により半導体ウエハー１の全面に広
がり、現像が行われる。Next, the semiconductor wafer 1 is passed through the developing nozzle 8.
A developer (not shown) is discharged on the top at a speed of, for example, 10 cc / sec. As a result, the developer applied on the semiconductor wafer 1 spreads over the entire surface of the semiconductor wafer 1 due to centrifugal force, and development is performed.
【００３３】以上のようにして半導体ウエハー１の全面
に現像液を供給した後、現像ノズル８からの現像液の吐
出を停止するとともに、半導体ウエハー１の回転を停止
する。After the developing solution is supplied to the entire surface of the semiconductor wafer 1 as described above, the discharge of the developing solution from the developing nozzle 8 is stopped, and the rotation of the semiconductor wafer 1 is stopped.
【００３４】任意の時間経過後、例えば６０秒経過後、
モーター４により真空チャック２を、１００〜１０００
０ｒｐｍ、好適には１００〜２０００ｒｐｍ、より好適
には、３００〜１０００ｒｐｍの回転数の範囲から選択
される回転数、例えば５００ｒｐｍの回転数で回転させ
て、半導体ウエハー１を同様の回転数で回転させるとと
もに、現像ノズル８から半導体ウエハー１に向けて現像
液を吐出する。ここで、現像液の吐出時間は例えば５秒
間である。この半導体ウエハー１の回転により、最初に
塗布された現像液が回転の遠心力により振るい落とされ
つつ、２回目に塗布された現像液が半導体ウエハー１の
表面に広がる。これによって、最初に吐出し半導体ウエ
ハー１上に塗布された現像液が、２回目に吐出し塗布さ
れた現像液によって置換される。After a lapse of an arbitrary time, for example, after a lapse of 60 seconds,
The vacuum chuck 2 is moved by the motor 4 to 100 to 1000
The semiconductor wafer 1 is rotated at a similar rotational speed by rotating the semiconductor wafer 1 at a rotational speed selected from the range of 0 rpm, preferably 100 to 2000 rpm, more preferably 300 to 1000 rpm, for example, 500 rpm. At the same time, a developing solution is discharged from the developing nozzle 8 toward the semiconductor wafer 1. Here, the discharge time of the developer is, for example, 5 seconds. Due to the rotation of the semiconductor wafer 1, the developer applied first time is shaken off by the centrifugal force of rotation, and the developer applied second time spreads on the surface of the semiconductor wafer 1. As a result, the developer discharged first and applied on the semiconductor wafer 1 is replaced by the developer discharged and applied second.
【００３５】その後、現像ノズルアーム７により現像ノ
ズル８を半導体ウエハー１から外れた位置に移動させ、
代わりに半導体ウエハー１上に純水を供給するととも
に、半導体ウエハー１を例えば１０００ｒｐｍの回転数
で回転させる。このとき、純水の温度は、２０〜９０℃
の範囲、好適には２０〜６０℃の範囲から選ばれ、この
第１の実施形態においては、例えば３０℃に選ばれる。
この純水の供給によって、半導体ウエハー１から現像液
が洗い流され、現像が停止する。Thereafter, the developing nozzle 8 is moved to a position off the semiconductor wafer 1 by the developing nozzle arm 7,
Instead, pure water is supplied onto the semiconductor wafer 1 and the semiconductor wafer 1 is rotated at a rotation speed of, for example, 1000 rpm. At this time, the temperature of pure water is 20 to 90 ° C.
, Preferably in the range of 20 to 60 ° C, and in the first embodiment, for example, 30 ° C.
By the supply of the pure water, the developer is washed away from the semiconductor wafer 1, and the development is stopped.
【００３６】次に、リンスノズル１２からの純水の供給
を停止するとともに、半導体ウエハー１の回転数を例え
ば４０００ｒｐｍに上げて半導体ウエハー１上の純水を
振り切る。その後、半導体ウエハー１の回転を停止す
る。Next, the supply of the pure water from the rinsing nozzle 12 is stopped, and the rotation speed of the semiconductor wafer 1 is increased to, for example, 4000 rpm, and the pure water on the semiconductor wafer 1 is shaken off. After that, the rotation of the semiconductor wafer 1 is stopped.
【００３７】以上により、レジストの現像工程が終了す
る。Thus, the resist developing step is completed.
【００３８】以上のようにしてレジストの現像を行った
半導体ウエハー１当たりの欠陥の個数を、欠陥検査装置
を用いて測定した結果を図２に示す。図２より、従来１
００個程度であった欠陥が純水の温度を上昇させるに従
って減少し、特に、純水の温度を５０℃としたときに８
個になり、６０℃としたときに５個になることが分か
る。すなわち、半導体ウエハー１当たりの欠陥は、従来
１００個程度であったものが５個にまで減少したことが
確認された。FIG. 2 shows the result of measuring the number of defects per semiconductor wafer on which the resist was developed as described above using a defect inspection apparatus. As shown in FIG.
The number of defects, which was about 00, decreased as the temperature of pure water was increased.
It can be seen that when the temperature is 60 ° C., the number becomes five. That is, it was confirmed that the number of defects per semiconductor wafer was reduced from about 100 in the past to five.
【００３９】以上説明したように、この第１の実施形態
によるレジスト現像方法およびレジスト現像装置によれ
ば、露光済みのレジストが形成された半導体ウエハー１
表面に現像ノズル８から現像液を吐出して現像を行った
後、純水を吐出することによる洗浄処理を行う直前に、
半導体ウエハー１を１００〜１００００ｒｐｍの回転数
で回転させつつ、新たな現像液を吐出して再度現像を行
っていることにより、最初の現像の際に使用された現像
液を、洗浄処理を行う直前の、２回目の現像において使
用される新しい現像液で置換することができるので、最
初の現像において現像しきれなかった残渣を現像するこ
とができ、残渣の低減を図ることができる。また、純水
による洗浄処理の際に、純水の温度を２０〜９０℃に設
定していることにより、半導体ウエハー１上のほとんど
の微小残渣を除去することができる。したがって、この
半導体ウエハー１を用いて製造される半導体装置、例え
ばＬＳＩの製造歩留まりを大幅に向上させることができ
る。As described above, according to the resist developing method and the resist developing apparatus according to the first embodiment, the semiconductor wafer 1 on which the exposed resist is formed
After developing by discharging a developing solution from the developing nozzle 8 to the surface, immediately before performing a cleaning process by discharging pure water,
While the semiconductor wafer 1 is rotated at a rotation speed of 100 to 10000 rpm, a new developing solution is discharged and the developing is performed again, so that the developing solution used at the time of the first developing is cleaned immediately before performing the cleaning process. However, since it can be replaced with a new developer used in the second development, the residue that cannot be completely developed in the first development can be developed, and the residue can be reduced. Further, by setting the temperature of the pure water to 20 to 90 ° C. during the cleaning treatment with the pure water, most of the minute residues on the semiconductor wafer 1 can be removed. Therefore, the manufacturing yield of semiconductor devices manufactured using the semiconductor wafer 1, for example, LSIs, can be greatly improved.
【００４０】次に、この発明の第２の実施形態によるレ
ジスト現像装置およびレジスト現像方法について説明す
る。図３にこの第２の実施形態によるレジスト現像装置
を示す。Next, a resist developing apparatus and a resist developing method according to a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 shows a resist developing apparatus according to the second embodiment.
【００４１】図３に示すように、この第２の実施形態に
よるレジスト現像装置においては、現像を行うべき露光
済みのレジスト（図示せず）が形成された半導体ウエハ
ー２１を保持する真空チャック２２が真空チャックアー
ム２３に接続されて設けられている。この真空チャック
２２はモーター（図示せず）により、その中心軸の周り
に回転可能になっている。また、真空チャックアーム２
３は、装置本体に取り付けられたアーム制御部２４によ
り、真空チャック２２に保持された半導体ウエハー２１
の現像時の状態と平行な面内で、その一端を回転軸の中
心として回転可能になっている。これにより、真空チャ
ックアーム２３の先端の真空チャック２２に保持された
半導体ウエハー２１を、真空チャックアーム２３の回転
により、この真空チャックアーム２３の回転軸を中心と
して円弧状に移動させることができるようになってい
る。As shown in FIG. 3, in the resist developing apparatus according to the second embodiment, a vacuum chuck 22 for holding a semiconductor wafer 21 on which an exposed resist (not shown) to be developed is formed. It is provided connected to the vacuum chuck arm 23. The vacuum chuck 22 is rotatable around its central axis by a motor (not shown). In addition, vacuum chuck arm 2
3 denotes a semiconductor wafer 21 held on a vacuum chuck 22 by an arm control unit 24 attached to the apparatus main body.
Is rotatable about one end thereof in the plane parallel to the state during development. Thereby, the semiconductor wafer 21 held by the vacuum chuck 22 at the tip of the vacuum chuck arm 23 can be moved in an arc around the rotation axis of the vacuum chuck arm 23 by the rotation of the vacuum chuck arm 23. It has become.
【００４２】また、真空チャックアーム２３の真空チャ
ック２２とアーム制御部２４との間の水平の部分には、
真空チャックアーム２３の真空チャック２２側の部分２
３ａとアーム制御部２４側の部分２３ｂとをつなぐよう
にして回転駆動部２５が設けられている。そして、この
回転駆動部２５によって、真空チャックアーム２３の真
空チャック側の部分２３ａを反転させ、真空チャック２
２に保持された半導体ウエハー２１を反転させることが
できるようになっている。The horizontal portion of the vacuum chuck arm 23 between the vacuum chuck 22 and the arm control unit 24 includes:
Portion 2 of vacuum chuck arm 23 on vacuum chuck 22 side
A rotation drive unit 25 is provided so as to connect 3a to a portion 23b on the arm control unit 24 side. Then, the portion 23a on the vacuum chuck side of the vacuum chuck arm 23 is inverted by the rotation drive unit 25, and the vacuum chuck 2
The semiconductor wafer 21 held at 2 can be inverted.
【００４３】また、現像ノズルアーム２６は、装置本体
に取り付けられた駆動装置２７により、現像時における
半導体ウエハー２１に平行な面内でその一端の回転軸を
中心として、回転可能になっている。駆動装置２７はコ
ンピュータ（図示せず）と接続されて、このコンピュー
タにより駆動装置２７を制御することができるようにな
っている。これによって、現像ノズルアーム２６の先端
に取り付けられた現像ノズル２７を、現像ノズルアーム
２６の回転によりこの現像ノズルアーム２６の回転軸を
中心として円弧状に移動させることができるようになっ
ている。The developing nozzle arm 26 is rotatable about a rotation axis at one end thereof in a plane parallel to the semiconductor wafer 21 during development by a driving device 27 attached to the apparatus main body. The driving device 27 is connected to a computer (not shown) so that the driving device 27 can be controlled by the computer. Accordingly, the developing nozzle 27 attached to the tip of the developing nozzle arm 26 can be moved in an arc around the rotation axis of the developing nozzle arm 26 by the rotation of the developing nozzle arm 26.
【００４４】また、駆動装置２７には現像ノズル高さコ
ントローラ（図示せず）が設けられており、この現像ノ
ズル高さコントローラにより現像ノズルアーム２６を上
下させることによって現像ノズル２８の高さを制御する
ことができるようになっている。The driving device 27 is provided with a developing nozzle height controller (not shown), and the height of the developing nozzle 28 is controlled by moving the developing nozzle arm 26 up and down by the developing nozzle height controller. You can do it.
【００４５】また、現像ノズルアーム２６には流量コン
トローラ（図示せず）が取り付けられており、この流量
コントローラにより、現像ノズル２７からの現像液の吐
出量を制御することができるようになっている。Further, a flow rate controller (not shown) is attached to the developing nozzle arm 26, and the discharge amount of the developing solution from the developing nozzle 27 can be controlled by the flow rate controller. .
【００４６】また、真空チャック２２より高い高さから
半導体ウエハー２１上に純水を供給することにより半導
体ウエハー２１の洗浄を行うリンスノズル２９が純水供
給管３０に接続されて設けられている。Further, a rinse nozzle 29 for cleaning the semiconductor wafer 21 by supplying pure water onto the semiconductor wafer 21 from a height higher than the vacuum chuck 22 is connected to the pure water supply pipe 30.
【００４７】また、真空チャック２２より低い高さから
後述する反転された半導体ウエハー２１のレジストが形
成された面に純水を供給するための、洗浄処理部３１が
設けられている。Further, a cleaning section 31 is provided for supplying pure water to a surface of the semiconductor wafer 21, which will be described later, on which a resist is formed from a height lower than the vacuum chuck 22.
【００４８】図４にこの純水処理部３１の詳細を示す。
図４に示すように、この洗浄処理部３１は、下方に盛り
上がったドーム状の部分と円筒状の部分とから構成され
るカップ３２を有している。このカップ３２のドーム状
の部分における円のほぼ中心、かつもっとも低い位置に
は、排液口３３が設けられており、この排液口３３に接
続されてドレイン管３４が設けられている。これらの排
液口３３およびドレイン管３４は、現像後の排液や洗浄
後の排液を外部に排出するためのものである。FIG. 4 shows the details of the pure water treatment section 31.
As shown in FIG. 4, the cleaning section 31 has a cup 32 composed of a dome-shaped portion that is raised downward and a cylindrical portion. A drain port 33 is provided substantially at the center of the dome-shaped portion of the cup 32 and at the lowest position, and a drain pipe 34 is provided connected to the drain port 33. The drain port 33 and the drain tube 34 are for discharging the drainage liquid after the development and the drainage liquid after the washing to the outside.
【００４９】また、排液口３３の高さより高い位置に、
純水を上方に向けて噴射させるための純水噴射口３５
ａ、３５ｂ、３５ｃ、３５ｄ、３５ｅ、３５ｆが設けら
れている。これらの純水噴射口３５ａ〜３５ｆのうち
の、純水噴射口３５ａ〜３５ｃは、カップ３２のドーム
状の部分における円の内側で、排液口３３の中心をその
中心とした円周上に配置されている。また、純水噴射口
３５ｄ〜３５ｆは、純水噴射口３５ａ〜３５ｃが配置さ
れている円周よりさらに内側で、排液口３３の中心をそ
の中心とした円周上に配置されている。Also, at a position higher than the height of the drain port 33,
Pure water injection port 35 for injecting pure water upward
a, 35b, 35c, 35d, 35e, and 35f are provided. Of these pure water injection ports 35a to 35f, the pure water injection ports 35a to 35c are located inside the circle of the dome-shaped portion of the cup 32 and on the circumference centered on the center of the drain port 33. Are located. Further, the pure water injection ports 35d to 35f are arranged further inside than the circumference where the pure water injection ports 35a to 35c are arranged, and on the circumference centered on the center of the drain port 33.
【００５０】また、これらの純水噴射口３５ａ〜３５ｆ
にはそれぞれ純水供給管３６（一部図示せず）が接続さ
れて設けられている。そして、所定の圧力が加えられた
純水を、純水供給管３６を通じてそれぞれの純水噴射口
３５ａ〜３５ｆに供給することにより、純水を上方に向
けて噴射させることができるようになっている。Further, these pure water injection ports 35a to 35f
Are connected to a pure water supply pipe 36 (not shown). Then, pure water to which a predetermined pressure has been applied is supplied to each of the pure water injection ports 35a to 35f through the pure water supply pipe 36, whereby the pure water can be ejected upward. I have.
【００５１】以上のようにしてこの第２の実施形態によ
るレジスト現像装置が構成されている。As described above, the resist developing device according to the second embodiment is constituted.
【００５２】次に、この第２の実施形態によるレジスト
現像方法について説明する。この第２の実施形態による
レジスト現像装置においては、図３に示すレジスト現像
装置を用いて、次のようにしてレジストの現像を行う。Next, the resist developing method according to the second embodiment will be described. In the resist developing device according to the second embodiment, the resist is developed as follows using the resist developing device shown in FIG.
【００５３】すなわち、まず、現像を行うべき露光済み
のレジスト（図示せず）が形成された半導体ウエハー２
１を、レジストが形成された表面を上方に向けつつ真空
チャック２２に保持する。その後、真空チャックアーム
２３をアーム制御部２４の回転軸を中心に円弧状に回転
させることにより、半導体ウエハー２１をカップ３２の
上方に位置させる。次に、駆動装置２７の現像ノズル高
さコントローラにより現像ノズル２８の高さを調節した
後、駆動装置２７により現像ノズルアーム２６を回転さ
せることによってその先端の現像ノズル２８を半導体ウ
エハー２１の中心付近に移動させるとともに、真空チャ
ック２２に接続されたモーターにより真空チャック２２
を５００〜１０００ｒｐｍから選ばれる回転数、例えば
５００ｒｐｍの回転数で回転させ、半導体ウエハー２１
を同様の回転数で回転させる。That is, first, the semiconductor wafer 2 on which an exposed resist (not shown) to be developed is formed.
1 is held on the vacuum chuck 22 with the surface on which the resist is formed facing upward. Thereafter, the semiconductor wafer 21 is positioned above the cup 32 by rotating the vacuum chuck arm 23 in an arc around the rotation axis of the arm control unit 24. Next, after the height of the developing nozzle 28 is adjusted by the developing nozzle height controller of the driving device 27, the developing nozzle arm 26 is rotated by the driving device 27 so that the developing nozzle 28 at the end thereof is positioned near the center of the semiconductor wafer 21. To the vacuum chuck 22 by the motor connected to the vacuum chuck 22.
Is rotated at a rotation speed selected from 500 to 1000 rpm, for example, 500 rpm.
Are rotated at the same rotation speed.
【００５４】次に、現像ノズル２８から半導体ウエハー
２１上に現像液（図示せず）を例えば１０ｃｃ／秒の速
度で吐出する。これによって、半導体ウエハー２１上に
塗布された現像液は遠心力により半導体ウエハー２１の
全面に広がり、現像が行われる。Next, a developing solution (not shown) is discharged from the developing nozzle 28 onto the semiconductor wafer 21 at a speed of, for example, 10 cc / sec. As a result, the developer applied on the semiconductor wafer 21 spreads over the entire surface of the semiconductor wafer 21 due to centrifugal force, and development is performed.
【００５５】以上のようにして半導体ウエハー２１の全
面に現像液を供給した後、現像ノズル２８からの現像液
の吐出を停止するとともに、半導体ウエハー２１の回転
を停止する。After the developer is supplied to the entire surface of the semiconductor wafer 21 as described above, the discharge of the developer from the developing nozzle 28 is stopped, and the rotation of the semiconductor wafer 21 is stopped.
【００５６】任意の時間経過後、例えば６０秒経過後、
モーターにより真空チャック２２を、１００〜１０００
０ｒｐｍ、好適には１００〜２０００ｒｐｍ、より好適
には、３００〜１０００ｒｐｍの回転数の範囲から選択
される回転数、例えば５００ｒｐｍの回転数で回転させ
て、半導体ウエハー２１を同様の回転数で回転させると
ともに、現像ノズル２８から半導体ウエハー２１に向け
て新しい現像液を吐出する。ここで、この現像液の吐出
時間は例えば５秒間である。これにより、半導体ウエハ
ー２１の回転による遠心力によって、最初に塗布された
現像液が振るい落とされつつ、２回目に塗布された新し
い現像液が半導体ウエハー２１の表面に広がるので、最
初に塗布された現像液は２回目に塗布された現像液によ
って置換される。After elapse of an arbitrary time, for example, after elapse of 60 seconds,
The vacuum chuck 22 is moved by a motor to 100 to 1000
The semiconductor wafer 21 is rotated at a similar rotation speed by rotating the semiconductor wafer 21 at a rotation speed selected from a range of rotation speeds of 0 rpm, preferably 100 to 2000 rpm, more preferably 300 to 1000 rpm, for example, 500 rpm. At the same time, a new developing solution is discharged from the developing nozzle 28 toward the semiconductor wafer 21. Here, the discharge time of the developer is, for example, 5 seconds. As a result, the first applied developer spreads over the surface of the semiconductor wafer 21 while the first applied developer is shaken off by the centrifugal force caused by the rotation of the semiconductor wafer 21. The developer is replaced by the developer applied a second time.
【００５７】その後、駆動装置２７によって現像ノズル
アーム２６を回転させることにより、現像ノズル２８を
半導体ウエハー２１から外れた位置に移動させる。そし
て、純水を純水供給管３０を通じてリンスノズル２９か
ら半導体ウエハー２１上に供給するとともに、半導体ウ
エハー２１を例えば１０００ｒｐｍの回転数で回転させ
る。これによって、半導体ウエハー１から現像液が洗い
流され、現像が停止する。Thereafter, the developing nozzle 28 is moved to a position outside the semiconductor wafer 21 by rotating the developing nozzle arm 26 by the driving device 27. Then, the pure water is supplied onto the semiconductor wafer 21 from the rinse nozzle 29 through the pure water supply pipe 30, and the semiconductor wafer 21 is rotated at a rotation speed of, for example, 1000 rpm. As a result, the developer is washed away from the semiconductor wafer 1, and the development is stopped.
【００５８】次に、リンスノズル２９からの純水の供給
を停止するとともに、半導体ウエハー２１の回転数を例
えば４０００ｒｐｍに上げて半導体ウエハー２１上の純
水を振り切る。その後、半導体ウエハー２１の回転を停
止する。Next, the supply of the pure water from the rinsing nozzle 29 is stopped, and the rotation speed of the semiconductor wafer 21 is increased to, for example, 4000 rpm, and the pure water on the semiconductor wafer 21 is shaken off. After that, the rotation of the semiconductor wafer 21 is stopped.
【００５９】次に、回転駆動部２５により真空チャック
アーム２３の真空チャック側の部分２３ａを、この真空
チャックアーム２３の水平方向の部分に平行で、回転駆
動部２５の垂直な面に沿った断面の中心を回転軸として
回転させる。これによって、半導体ウエハー２１をその
表面が下方に向くようにして反転させる。その後、アー
ム制御部２４の真空チャック高さコントローラにより、
半導体ウエハー２１がカップ３２の円筒状の部分とドー
ム状の部分との接続部の高さになるまで真空チャック２
２を下降させる。Next, the rotation driving unit 25 cuts the vacuum chuck-side portion 23 a of the vacuum chuck arm 23 into a cross section parallel to the horizontal portion of the vacuum chuck arm 23 and along the vertical plane of the rotation driving unit 25. Is rotated around the center of rotation as a rotation axis. As a result, the semiconductor wafer 21 is turned over so that its surface faces downward. After that, by the vacuum chuck height controller of the arm control unit 24,
Vacuum chuck 2 until semiconductor wafer 21 reaches the height of the connection between the cylindrical portion and the dome-shaped portion of cup 32.
Lower 2
【００６０】次に、純水を、純水供給管３６と純水吐出
口３５ａ〜３５ｆとを順次通じて上方に向けて噴射し、
半導体ウエハー２１の表面に純水を供給する。これとと
もに、半導体ウエハー２１を例えば５００ｒｐｍの回転
数で回転させる。ここで、この純水の噴射における噴射
量は、１０〜５０ｃｃ／秒から選ばれ、この第２の実施
形態においては、例えば２５ｃｃ／秒に選ばれる。これ
により、半導体ウエハー２１上の最初の洗浄において表
面に残された現像液は純水とともに洗い流され、排液口
３３とドレイン管３４とを順次通じて排出される。そし
て、半導体ウエハー２１の洗浄が終了した後、半導体ウ
エハー２１の回転を停止する。Next, pure water is injected upward through the pure water supply pipe 36 and the pure water discharge ports 35a to 35f sequentially,
Pure water is supplied to the surface of the semiconductor wafer 21. At the same time, the semiconductor wafer 21 is rotated at a rotation speed of, for example, 500 rpm. Here, the injection amount in the injection of the pure water is selected from 10 to 50 cc / sec, and in the second embodiment, is selected, for example, to 25 cc / sec. As a result, the developing solution left on the surface of the semiconductor wafer 21 in the first cleaning is washed away together with the pure water, and is discharged through the drain port 33 and the drain tube 34 sequentially. After the cleaning of the semiconductor wafer 21 is completed, the rotation of the semiconductor wafer 21 is stopped.
【００６１】以上により、レジストの現像工程が終了す
る。Thus, the resist developing step is completed.
【００６２】以上説明したように、この第２の実施形態
によるレジスト現像装置およびレジスト現像方法によれ
ば、第１の実施形態と同様にしてレジストの現像を行
い、純水による洗浄を行った後、さらにこの半導体ウエ
ハー２１を反転させて、純水による洗浄を行っているこ
とにより、半導体ウエハー２１表面のレジストの微細パ
ターンに引っ掛かって洗い流すことができなかった微小
残渣を、半導体ウエハー２１のレジストが形成された面
から直接除去し、重力により落下させることができるの
で、半導体ウエハー２１表面のほとんどの微小残渣を除
去することができる。これにより、この微小残渣の存在
に起因したエッチングへの悪影響を防止することがで
き、短絡（ショート）などの不正パターンの形成を防止
することができるので、この半導体ウエハー２１を用い
て製造される半導体装置、例えばＬＳＩの製造歩留まり
を大幅に向上させることができる。As described above, according to the resist developing apparatus and the resist developing method according to the second embodiment, the resist is developed in the same manner as in the first embodiment, and the resist is washed with pure water. Further, since the semiconductor wafer 21 is turned over and the semiconductor wafer 21 is cleaned with pure water, the fine residue that cannot be washed away by being caught by the fine pattern of the resist on the surface of the semiconductor wafer 21 is removed by the resist of the semiconductor wafer 21. Since it can be directly removed from the formed surface and dropped by gravity, most of the minute residue on the surface of the semiconductor wafer 21 can be removed. As a result, it is possible to prevent adverse effects on etching due to the presence of the minute residue, and to prevent formation of an incorrect pattern such as a short circuit (short circuit). The manufacturing yield of a semiconductor device, for example, an LSI can be greatly improved.
【００６３】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。Although the embodiments of the present invention have been specifically described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications based on the technical concept of the present invention are possible.
【００６４】例えば、上述の実施形態において挙げた数
値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる
数値を用いてもよい。For example, the numerical values given in the above embodiment are merely examples, and different numerical values may be used as needed.
【００６５】[0065]
【発明の効果】以上説明したように、この発明の第１の
発明によれば、基板に現像液を吐出することにより第１
の現像処理を行った後、基板の洗浄処理を行う前に、基
板に現像液を吐出して第２の現像処理を行うようにして
いることにより、第１の現像処理における現像液を第２
の現像処理における現像液によって置換することがで
き、基板表面に残された現像残りや微小残渣を除去する
ことができるので、レジストパターンにおける不正パタ
ーンの形成を防止することができ、この基板を用いて半
導体装置を製造する場合には、その製造歩留まりを大幅
に向上させることができる。As described above, according to the first aspect of the present invention, the first aspect is achieved by discharging the developing solution onto the substrate.
After performing the developing process, before performing the cleaning process on the substrate, the developing solution is discharged to the substrate to perform the second developing process.
Can be replaced by a developing solution in the developing process, and the development residue and minute residue remaining on the substrate surface can be removed, so that formation of an incorrect pattern in the resist pattern can be prevented. When a semiconductor device is manufactured by using the method, the manufacturing yield can be significantly improved.
【００６６】また、この発明の第２の発明および第３の
発明によれば、基板保持手段により保持される基板を反
転可能に構成された基板反転手段と、基板反転手段によ
り反転された基板のレジストが形成された面に、洗浄用
液を吐出可能に構成された洗浄用液吐出手段とを有する
レジスト現像装置を用いて、現像後のレジストを有する
基板を反転させてから、この基板の洗浄処理を行うよう
にしていることにより、レジストが形成された基板表面
の微小残渣を低減することができるので、レジストパタ
ーンにおける不正パターンの形成を防止することがで
き、これにより、この基板を用いて半導体装置を製造す
る場合に、その製造歩留まりを大幅に向上させることが
できる。According to the second and third aspects of the present invention, a substrate reversing means configured to be capable of reversing the substrate held by the substrate holding means, and a substrate reversing means for reversing the substrate held by the substrate reversing means. Using a resist developing apparatus having a cleaning liquid discharging unit configured to discharge a cleaning liquid on the surface on which the resist is formed, the substrate having the developed resist is turned over, and then the substrate is cleaned. By performing the treatment, minute residues on the surface of the substrate on which the resist is formed can be reduced, so that formation of an incorrect pattern in the resist pattern can be prevented. When a semiconductor device is manufactured, the manufacturing yield can be significantly improved.
【図１】この発明の第１の実施形態において用いられる
レジスト現像装置を示す略線図である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a resist developing device used in a first embodiment of the present invention.
【図２】この発明の第１の実施形態によるレジスト現像
方法により現像した際の半導体ウエハー表面の欠陥の個
数の洗浄用の純水温度依存性を示す表である。FIG. 2 is a table showing the dependency of the number of defects on the surface of a semiconductor wafer upon the temperature of pure water for cleaning when developed by the resist developing method according to the first embodiment of the present invention.
【図３】この発明の第２の実施形態によるレジスト現像
装置を示す略線図である。FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a resist developing device according to a second embodiment of the present invention.
【図４】この発明の第２の実施形態によるレジスト現像
装置の洗浄処理部の詳細を示す略線図である。FIG. 4 is a schematic diagram illustrating details of a cleaning processing unit of a resist developing device according to a second embodiment of the present invention.
１、２１・・・半導体ウエハー、２、２２・・・真空チ
ャック、４・・・モーター、７、２６・・・現像ノズル
アーム、８、２８・・・現像ノズル、９、２７・・・駆
動装置、３３・・・排液口、３４・・・ドレイン管、３
５ａ、３５ｂ、３５ｃ、３５ｄ、３５ｅ、３５ｆ・・・
純水噴射口、３６・・・純水供給管1, 21, a semiconductor wafer, 2, 22, a vacuum chuck, 4, a motor, 7, 26, a developing nozzle arm, 8, 28, a developing nozzle, 9, 27, drive Device, 33 ... drain port, 34 ... drain tube, 3
5a, 35b, 35c, 35d, 35e, 35f ...
Pure water injection port, 36 ... pure water supply pipe
Claims (19)
吐出することにより上記レジストの現像を行うようにし
た第１の現像処理と、 上記現像処理が行われた上記基板上に洗浄用液を吐出す
ることにより上記基板の洗浄を行うようにした洗浄処理
とを有するレジストの現像方法において、 上記第１の現像処理後、上記洗浄処理前に、上記現像液
を上記基板に吐出することにより上記レジストの現像を
行うようにした第２の現像処理を有することを特徴とす
るレジスト現像方法。A first developing process for developing the resist by discharging a developing solution onto the substrate on which the resist has been formed; and a cleaning solution on the substrate on which the developing process has been performed. And a cleaning process for cleaning the substrate by discharging the substrate. After the first development process, before the cleaning process, the developing solution is discharged onto the substrate. A resist developing method comprising a second developing process for developing the resist.
に、上記基板を毎分１００回転以上１００００回転以下
の回転数で回転させることにより、上記第２の現像処理
を行うようにしたことを特徴とする請求項１記載のレジ
スト現像方法。2. The method according to claim 1, wherein the second developing process is performed by discharging the developing solution onto the substrate and rotating the substrate at a rotation speed of 100 to 10,000 rotations per minute. The resist developing method according to claim 1, wherein
に、上記基板を毎分１００回転以上２０００回転以下の
回転数で回転させることにより、上記第２の現像処理を
行うようにしたことを特徴とする請求項１記載のレジス
ト現像方法。3. The method according to claim 2, wherein the second developing process is performed by discharging the developing solution onto the substrate and rotating the substrate at a rotation speed of 100 to 2,000 rotations per minute. The resist developing method according to claim 1, wherein
に、上記基板を毎分３００回転以上１０００回転以下の
回転数で回転させることにより、上記第２の現像処理を
行うようにしたことを特徴とする請求項１記載のレジス
ト現像方法。4. The method according to claim 1, wherein the second developing process is performed by discharging the developing solution onto the substrate and rotating the substrate at a rotation speed of 300 to 1,000 rotations per minute. The resist developing method according to claim 1, wherein
水であり、上記純水の温度が２０℃以上９０℃以下であ
ることを特徴とする請求項１記載のレジスト現像方法。5. The resist developing method according to claim 1, wherein the cleaning liquid in the cleaning treatment is pure water, and the temperature of the pure water is 20 ° C. or more and 90 ° C. or less.
水であり、上記純水の温度が２０℃以上６０℃以下であ
ることを特徴とする請求項１記載のレジスト現像方法。6. The resist developing method according to claim 1, wherein the cleaning liquid in the cleaning treatment is pure water, and the temperature of the pure water is from 20 ° C. to 60 ° C.
吐出することにより上記レジストの現像を行うようにし
た第１の現像処理を有するレジストの現像方法におい
て、 上記第１の現像処理後、上記基板を反転させることによ
り上記基板の上記レジストが形成された面を下方に向
け、上記レジストが形成された面に洗浄用液を供給する
ことにより上記基板の洗浄を行うようにした第１の洗浄
処理を有することを特徴とするレジスト現像方法。7. A method for developing a resist having a first developing process in which a developing solution is discharged onto a substrate on which the resist has been formed, wherein the resist is developed. A first method in which the substrate on which the resist is formed faces downward by inverting the substrate, and the substrate is cleaned by supplying a cleaning liquid to the surface on which the resist is formed. A resist developing method comprising a cleaning treatment.
させる前に、上記基板上に上記洗浄用液を吐出すること
により上記基板の洗浄を行うようにした第２の洗浄処理
をさらに有することを特徴とする請求項７記載のレジス
ト現像方法。8. A second cleaning process in which the substrate is washed by discharging the cleaning liquid onto the substrate before the substrate is turned over after the first developing process. The resist developing method according to claim 7, further comprising:
吐出する前に、上記基板上に上記現像液を吐出すること
により上記レジストの現像を行うようにした第２の現像
処理をさらに有することを特徴とする請求項８記載のレ
ジスト現像方法。9. A method according to claim 1, wherein after the first developing process, before the cleaning liquid is discharged, a second developing process is performed by discharging the developing solution onto the substrate to develop the resist. The resist developing method according to claim 8, further comprising:
もに、上記基板を毎分１００回転以上１００００回転以
下の回転数で回転させることにより、上記第２の現像処
理を行うようにしたことを特徴とする請求項９記載のレ
ジスト現像方法。10. The method according to claim 1, wherein the second developing process is performed by discharging the developing solution onto the substrate and rotating the substrate at a rotation speed of 100 to 10,000 rotations per minute. The resist developing method according to claim 9, wherein
もに、上記基板を毎分１００回転以上２０００回転以下
の回転数で回転させることにより、上記第２の現像処理
を行うようにしたことを特徴とする請求項９記載のレジ
スト現像方法。11. The second developing process is performed by discharging the developing solution onto the substrate and rotating the substrate at a rotation speed of 100 to 2,000 rotations per minute. The resist developing method according to claim 9, wherein
もに、上記基板を毎分３００回転以上１０００回転以下
の回転数で回転させることにより、上記第２の現像処理
を行うようにしたことを特徴とする請求項９記載のレジ
スト現像方法。12. The method according to claim 1, wherein the second developing process is performed by discharging the developing solution onto the substrate and rotating the substrate at a rotation speed of 300 to 1,000 rotations per minute. The resist developing method according to claim 9, wherein
の温度が２０℃以上９０℃以下であることを特徴とする
請求項７記載のレジスト現像方法。13. The resist developing method according to claim 7, wherein the cleaning liquid is pure water, and the temperature of the pure water is 20 ° C. or more and 90 ° C. or less.
の温度が２０℃以上６０℃以下であることを特徴とする
請求項７記載のレジスト現像方法。14. The resist developing method according to claim 7, wherein the cleaning liquid is pure water, and the temperature of the pure water is from 20 ° C. to 60 ° C.
に構成された基板保持手段と、 上記基板上に現像液を吐出可能に構成された現像液吐出
手段とを有するレジスト現像装置において、 上記基板保持手段により保持される上記基板を反転可能
に構成された基板反転手段と、 上記基板反転手段により反転された上記基板の上記レジ
ストが形成された面に向けて、上記洗浄用液を吐出可能
に構成された洗浄用液吐出手段を有することを特徴とす
るレジスト現像装置。15. A resist developing apparatus comprising: substrate holding means configured to hold a substrate on which a resist is formed; and developer discharging means configured to discharge a developing solution onto the substrate. A substrate reversing unit configured to be capable of reversing the substrate held by the holding unit, and discharging the cleaning liquid toward a surface of the substrate on which the resist is formed, which is reversed by the substrate reversing unit. A resist developing apparatus, comprising: a cleaning liquid discharging unit configured as described above.
液を上方に吐出可能に構成されていることを特徴とする
請求項１５記載のレジスト現像装置。16. The resist developing apparatus according to claim 15, wherein said cleaning liquid discharging means is configured to discharge said cleaning liquid upward.
液吐出口を有し、上記複数の洗浄用液吐出口を通じて、
上記洗浄用液を上記基板に向けて吐出可能に構成されて
いることを特徴とする請求項１５記載のレジスト現像装
置。17. The cleaning liquid discharge means has a plurality of cleaning liquid discharge ports, and through the plurality of cleaning liquid discharge ports.
16. The resist developing apparatus according to claim 15, wherein the cleaning liquid is configured to be able to be discharged toward the substrate.
記レジストが形成された面を下方に向けることができる
ように構成されていることを特徴とする請求項１５記載
のレジスト現像装置。18. A resist developing apparatus according to claim 15, wherein said substrate reversing means is capable of directing a surface of said substrate on which said resist is formed downward.
を回転軸として回転可能に構成された基板回転手段をさ
らに有することを特徴とする請求項１５記載のレジスト
現像装置。19. The resist developing apparatus according to claim 15, further comprising a substrate rotating unit configured to be able to rotate the substrate about a direction perpendicular to a surface of the substrate as a rotation axis.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12009999A JP2000311846A (en) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | Method and apparatus for resist development |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12009999A JP2000311846A (en) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | Method and apparatus for resist development |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000311846A true JP2000311846A (en) | 2000-11-07 |
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ID=14777901
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP12009999A Pending JP2000311846A (en) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | Method and apparatus for resist development |
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|---|---|
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1999
- 1999-04-27 JP JP12009999A patent/JP2000311846A/en active Pending
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