JP4730787B2 - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing method and substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP4730787B2
JP4730787B2 JP2006231566A JP2006231566A JP4730787B2 JP 4730787 B2 JP4730787 B2 JP 4730787B2 JP 2006231566 A JP2006231566 A JP 2006231566A JP 2006231566 A JP2006231566 A JP 2006231566A JP 4730787 B2 JP4730787 B2 JP 4730787B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
discharge nozzle
nozzle
discharge port
center
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006231566A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2008060104A (en
Inventor
友宏 後藤
雅和 真田
和士 茂森
修 玉田
周一 安田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd, Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2006231566A priority Critical patent/JP4730787B2/en
Priority to KR1020070082662A priority patent/KR100940136B1/en
Priority to TW096131426A priority patent/TWI377608B/en
Priority to CN 200710148563 priority patent/CN100536068C/en
Priority to US11/846,890 priority patent/US9059221B2/en
Publication of JP2008060104A publication Critical patent/JP2008060104A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4730787B2 publication Critical patent/JP4730787B2/en
Priority to US14/687,649 priority patent/US9687886B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Description

この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板を水平面内で鉛直軸回りに回転させ、基板の表面へ純水等の洗浄液を供給しつつ基板を乾燥処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。   The present invention rotates a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, and an optical disk substrate around a vertical axis in a horizontal plane, and supplies a cleaning liquid such as pure water to the surface of the substrate. The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus for drying a substrate.

半導体装置の製造プロセスにおいては、リソグラフィ技術を利用して、例えばシリコン基板上にフォトレジストを塗布し、露光機を使用して基板上のレジスト膜に回路パターンを焼き付け、露光後のレジスト膜を現像液で現像する、といった各工程を行うことにより、基板上のレジスト膜に回路パターンを形成している。このうち現像処理においては、例えばスリットノズルにより、基板の表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を供給し、その後に、基板を水平面内で鉛直軸回りに回転させながらストレートノズルの吐出口から基板の中心へ純水等の洗浄液（リンス液）を吐出する。基板の中心に供給された洗浄液は、遠心力により基板の周縁方向へ拡散して基板全体に行き渡り、基板表面のレジスト膜上から現像液を洗い流す。この洗浄処理（リンス処理）が終了すると、ノズルから基板上への洗浄液の供給を停止し、その後に、基板の回転数をさらに増大させて、基板表面のレジスト膜上の洗浄液を遠心力によって振り切ることにより、基板を乾燥（スピン乾燥）させている。   In the manufacturing process of semiconductor devices, using a lithography technique, for example, a photoresist is applied on a silicon substrate, a circuit pattern is printed on the resist film on the substrate using an exposure machine, and the exposed resist film is developed. A circuit pattern is formed on the resist film on the substrate by performing each process such as development with a liquid. Among these, in the development process, for example, a slit nozzle is used to supply a developer onto the resist film after exposure formed on the surface of the substrate, and then the substrate is rotated by a straight nozzle while rotating the substrate around a vertical axis in a horizontal plane. A cleaning liquid (rinsing liquid) such as pure water is discharged from the discharge port to the center of the substrate. The cleaning liquid supplied to the center of the substrate is diffused in the peripheral direction of the substrate by centrifugal force and spreads over the entire substrate, and the developer is washed away from the resist film on the substrate surface. When this cleaning process (rinsing process) is completed, the supply of the cleaning liquid from the nozzle to the substrate is stopped, and then the number of rotations of the substrate is further increased to shake off the cleaning liquid on the resist film on the substrate surface by centrifugal force. Thus, the substrate is dried (spin drying).

ところが、上記したように基板をスピン乾燥させると、基板上において洗浄液の液滴が斑に残留する、といったことが起こる。これは、現像処理後の基板においてはレジスト膜の表面に親水性部分と疎水性部分とが混在していることにより、基板上において洗浄液の保持力にばらつきを生じてしまうためである。このように基板の表面に形成されたレジストパターン上に斑に残留した洗浄液の液滴は、現像欠陥を生じる要因となることが分かっている。   However, when the substrate is spin-dried as described above, a droplet of the cleaning liquid may remain on the substrate. This is because, in the substrate after the development processing, the hydrophilic portion and the hydrophobic portion are mixed on the surface of the resist film, thereby causing variation in the retention of the cleaning liquid on the substrate. Thus, it has been found that the droplets of the cleaning liquid remaining on the spots on the resist pattern formed on the surface of the substrate cause development defects.

上記した問題点を解決するために、基板をスピン乾燥させるときに、洗浄液吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出しながら、その吐出ノズルの吐出口を基板の中心部から周辺部に向かって走査する、といった方法（スキャンリンス法）が提案されている。この方法によると、基板の中心から周縁に至るまで洗浄液の液膜が形成され保持された状態のままで乾燥が進行するため、親水性部分と疎水性部分とが混在するレジスト膜表面であっても、基板上に洗浄液の液滴が残留しにくくなる。また、洗浄液吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出させつつ吐出ノズルを走査する際に、エアー噴出ノズルからガスを噴出させながら、エアー噴出ノズルを洗浄液吐出ノズルと一体でもしくは同期して基板の中心部から周辺部に向かって移動させる、といった方法も提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特許第３６９４６４１号公報（第７−９頁、図３、図４および図６−図８） In order to solve the above-described problems, when the substrate is spin-dried, the discharge port of the discharge nozzle is scanned from the central portion of the substrate toward the peripheral portion while discharging the cleaning solution from the discharge port of the cleaning liquid discharge nozzle. (Scan rinse method) has been proposed. According to this method, since the drying proceeds while the liquid film of the cleaning liquid is formed and held from the center to the periphery of the substrate, the surface of the resist film is a mixture of hydrophilic and hydrophobic parts. However, it becomes difficult for droplets of the cleaning liquid to remain on the substrate. Further, when the discharge nozzle is scanned while discharging the cleaning liquid from the discharge port of the cleaning liquid discharge nozzle, the air ejection nozzle is integrated with or synchronized with the cleaning liquid discharge nozzle while the gas is ejected from the air ejection nozzle. A method is also proposed in which the head is moved toward the periphery (see, for example, Patent Document 1).
Japanese Patent No. 3694641 (page 7-9, FIG. 3, FIG. 4 and FIG. 6 to FIG. 8)

上記したスキャンリンスでは、従来のスピン乾燥に比べて現像欠陥を大幅に低減させることができる。しかしながら、撥水性の高い（例えば水の接触角が６０°以上である）レジスト膜表面を有する基板に対してスキャンリンス法を適用した場合には、以下のような現象により現像欠陥が発生することが分かった。   In the above-described scan rinse, development defects can be greatly reduced as compared with conventional spin drying. However, when the scan rinse method is applied to a substrate having a resist film surface with high water repellency (for example, the contact angle of water is 60 ° or more), development defects occur due to the following phenomenon. I understood.

すなわち、洗浄液吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出しながら、吐出ノズルを基板の中心部から周辺部に向かって走査したときに、図６の（ａ）に基板の平面図を示すように、最初は基板Ｗの全面が洗浄液の液膜２で覆われ、続いて基板Ｗの中心部分の液膜２が薄くなって乾燥直前の状態となる。そして、二点鎖線で示す乾燥直前の状態にある部分（以下、「乾燥直前部分」という）３が、図６の（ｂ）に示すように、外側に向かって次第に拡がっていくとともに、乾燥直前部分３内に乾燥コア４ａが発生する。この乾燥コア４ａが拡大して乾燥領域５ａが形成され、その乾燥領域５ａが基板Ｗの全面に拡がって基板Ｗの乾燥が行われる。ところが、従来は、吐出ノズルを基板Ｗの中心部から周辺部に向かって単に移動させるだけであるので、図６の（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心付近に比較的広い乾燥直前部分３が形成される。このため、基板Ｗの中心付近において、乾燥直前部分３内に２つ目の乾燥コア４ｂが発生し、場合によってはさらに新たな乾燥コアが発生する。なお、乾燥コアは、基板Ｗの中心付近以外には発生しない。そして、図６の（ｃ）に示すように、最初に形成された乾燥領域５ａが拡大していくとともに、２つ目の乾燥コア４ｂが拡大して２つ目の乾燥領域５ｂが形成され、その乾燥領域５ｂも拡がっていく。   That is, when the discharge nozzle is scanned from the central portion of the substrate toward the peripheral portion while discharging the cleaning liquid from the discharge port of the cleaning liquid discharge nozzle, as shown in the plan view of the substrate in FIG. The entire surface of the substrate W is covered with the liquid film 2 of the cleaning liquid, and then the liquid film 2 in the central portion of the substrate W becomes thin and is in a state immediately before drying. And the part (henceforth "the part just before drying") 3 in the state just before drying shown with a dashed-two dotted line spreads toward the outer side gradually as shown in (b) of FIG. A dry core 4 a is generated in the portion 3. The dry core 4a expands to form a dry region 5a, and the dry region 5a extends over the entire surface of the substrate W to dry the substrate W. However, conventionally, the discharge nozzle is simply moved from the central portion of the substrate W toward the peripheral portion. Therefore, as shown in FIG. 3 is formed. For this reason, in the vicinity of the center of the substrate W, the second dry core 4b is generated in the portion 3 immediately before drying, and a new dry core is further generated in some cases. The dry core does not occur except near the center of the substrate W. Then, as shown in FIG. 6 (c), the first dry region 5a is enlarged and the second dry core 4b is enlarged to form the second dry region 5b. The drying area 5b also expands.

上記したように２つの乾燥領域５ａ、５ｂがそれぞれ拡大していき、図６の（ｄ）に示すように、２つの乾燥領域５ａ、５ｂ同士が衝突して接合し、図６の（ｅ）に示すように、やがて１つの乾燥領域５ｃとなる。このとき、２つの乾燥領域５ａ、５ｂの境界部分には、洗浄液の液滴６を生じる。続いて、図６の（ｆ）に示すように、１つになった乾燥領域５ｃは外側に拡大していくが、洗浄液の液滴６は、そのまま最後まで残存する。そして、図６の（ｇ）に示すように、最終的に基板Ｗの全面が乾燥することになるが、残存していた洗浄液の液滴６はそのまま乾燥してしまい、洗浄液の乾燥痕（ウォーターマークのようなシミ）６’が、基板Ｗ上にそのまま残ってしまう。この結果、現像欠陥が発生することとなる。なお、以上のような現象は、現像処理後の基板をスキャンリンスによって乾燥処理する場合に限らず、撥水性の高い表面を有する基板について一般的にみられるものであることが分かった。   As described above, the two dry regions 5a and 5b are enlarged, and as shown in FIG. 6D, the two dry regions 5a and 5b collide and join to each other, and FIG. As shown in FIG. 4, it eventually becomes one dry region 5c. At this time, cleaning liquid droplets 6 are formed at the boundary between the two drying regions 5a and 5b. Subsequently, as shown in FIG. 6F, the united drying region 5c expands outward, but the cleaning liquid droplet 6 remains as it is. Then, as shown in FIG. 6G, the entire surface of the substrate W is finally dried, but the remaining cleaning liquid droplets 6 are dried as they are, and the cleaning liquid drying trace (water 6 'remains on the substrate W as it is. As a result, a development defect occurs. It has been found that the above phenomenon is not limited to the case where the substrate after development processing is dried by scan rinsing, but is generally observed for a substrate having a surface with high water repellency.

この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、基板の表面へ吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出させつつその吐出口を基板の中心部から周縁部まで走査して基板をスピン乾燥させるときに、基板に乾燥領域が形成されるときの始点となる乾燥コアが基板の中心付近に２つ以上発生することを防止して、現像欠陥等の発生を無くすことができる基板処理方法を提供すること、ならびに、その方法を好適に実施することができる基板処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the circumstances as described above. While discharging the cleaning liquid from the discharge port of the discharge nozzle onto the surface of the substrate, the discharge port is scanned from the center to the peripheral portion of the substrate. Substrate processing that prevents the occurrence of development defects and the like by preventing the generation of two or more dry cores near the center of the substrate when a dry region is formed on the substrate during spin drying It is an object of the present invention to provide a method and a substrate processing apparatus capable of suitably performing the method.

請求項１に係る発明は、基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させるとともに、吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ、前記吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査して、基板を乾燥させる基板処理方法において、前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始した後、基板の中心部分の乾燥が開始する前に、前記吐出ノズルの吐出口を一旦停止させ、基板の中心位置を中心とし前記吐出ノズルの吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周内方の小領域において乾燥が開始した後に、前記吐出ノズルの吐出口を再び基板の周縁に向かって移動させることを特徴とする。   According to the first aspect of the present invention, the substrate is held in a horizontal posture and rotated around the vertical axis, and the discharge port of the discharge nozzle is set to the center of the substrate while discharging the cleaning liquid from the discharge port of the discharge nozzle to the surface of the substrate. In the substrate processing method for drying the substrate by scanning from the position facing the substrate to the position facing the periphery of the substrate, the discharge port of the discharge nozzle starts moving from the position facing the center of the substrate toward the periphery of the substrate. Then, before the drying of the central portion of the substrate starts, the discharge port of the discharge nozzle is temporarily stopped, and the distance from the center position of the substrate to the position on the substrate surface that faces the discharge port of the discharge nozzle After drying has started in a small area inside the circumference having a radius of, the discharge port of the discharge nozzle is moved again toward the periphery of the substrate.

請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理方法において、前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始した後に、気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面へ乾燥用気体を噴出させることを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the first aspect, after the discharge port of the discharge nozzle starts to move from the position facing the center of the substrate toward the peripheral edge of the substrate, the gas discharge nozzle A drying gas is ejected from the ejection port to the center surface of the substrate.

請求項３に係る発明は、基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、この基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって回転させられる基板の表面へ吐出口から洗浄液を吐出する吐出ノズルと、この吐出ノズルへ洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記吐出ノズルの吐出口を、その吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査するノズル移動手段とを備えた基板処理装置において、前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始した後、基板の中心部分の乾燥が開始する前に、前記吐出ノズルの吐出口を一旦停止させ、基板の中心位置を中心とし前記吐出ノズルの吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周内方の小領域において乾燥が開始した後に、前記吐出ノズルの吐出口を再び基板の周縁に向かって移動させるように、前記ノズル移動手段を制御する制御手段をさらに備えたことを特徴とする。   The invention according to claim 3 is a substrate holding means for holding the substrate in a horizontal position, a substrate rotating means for rotating the substrate held by the substrate holding means about a vertical axis, and the substrate held by the substrate holding means. A discharge nozzle that discharges the cleaning liquid from the discharge port to the surface of the substrate rotated by the rotating unit, a cleaning liquid supply unit that supplies the cleaning liquid to the discharge nozzle, and a discharge port of the discharge nozzle from the discharge port to the surface of the substrate In a substrate processing apparatus comprising a nozzle moving unit that scans from a position facing the center of the substrate to a position facing the periphery of the substrate while discharging the cleaning liquid, from a position where the discharge port of the discharge nozzle faces the center of the substrate After starting to move toward the periphery of the substrate, before the central portion of the substrate starts to dry, the discharge port of the discharge nozzle is temporarily stopped to After drying starts in a small area inside the circumference with the radius from the position to the position on the substrate surface facing the discharge port of the discharge nozzle as a center, the discharge port of the discharge nozzle is again connected to the periphery of the substrate The apparatus further includes a control unit that controls the nozzle moving unit so as to move the nozzle.

請求項４に係る発明は、請求項３に記載の基板処理装置において、前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって回転させられる基板の中心部表面へ噴出口から乾燥用気体を噴出する気体噴出ノズルと、この気体噴出ノズルへ乾燥用気体を供給する気体供給手段とをさらに備えたことを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the third aspect, wherein the gas for ejecting the drying gas from the ejection port to the center surface of the substrate held by the substrate holding means and rotated by the substrate rotating means. The apparatus further includes an ejection nozzle and a gas supply means for supplying a drying gas to the gas ejection nozzle.

請求項１に係る発明の基板処理方法によると、吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始した後に、吐出ノズルの吐出口が一旦停止させられる。この動作により、基板の中心付近における乾燥直前部分の面積を制御して、乾燥コアが基板の中心付近に２つ以上発生することを防止することができる。そして、基板の中心付近に１つの乾燥コアが発生し、その乾燥コアが拡大して、基板の中心位置を中心とし吐出ノズルの吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周内方の小領域において乾燥が開始した後に、吐出ノズルの吐出口が再び基板の周縁に向かって移動させられる。これにより、１つの乾燥領域が外側に向かって拡がっていき、基板全面の乾燥が行われる。このように、基板の中心付近に乾燥コアが１つだけ発生して、その乾燥コアを始点とする１つの乾燥領域が基板の全面に拡がって基板の乾燥が行われるので、洗浄液の乾燥痕が基板上に残るといったことが起こらない。これらの動作について、基板の平面図を示す図５によりさらに詳しく説明する。   According to the substrate processing method of the first aspect of the invention, after the discharge port of the discharge nozzle starts moving from the position facing the center of the substrate toward the peripheral edge of the substrate, the discharge port of the discharge nozzle is temporarily stopped. By this operation, the area of the portion immediately before drying near the center of the substrate can be controlled to prevent two or more dry cores from being generated near the center of the substrate. Then, one dry core is generated near the center of the substrate, the dry core expands, and the distance from the center position of the substrate to the position on the substrate surface facing the discharge port of the discharge nozzle is set as the radius. After drying starts in a small area inside the circumference, the discharge port of the discharge nozzle is moved again toward the periphery of the substrate. As a result, one drying area expands outward, and the entire substrate is dried. In this way, only one drying core is generated near the center of the substrate, and one drying region starting from the drying core spreads over the entire surface of the substrate to dry the substrate. It does not happen that it remains on the substrate. These operations will be described in more detail with reference to FIG. 5 showing a plan view of the substrate.

符号１で示す洗浄液吐出ノズルの吐出口から洗浄液を吐出しながら、吐出ノズル１を基板Ｗの中心部から周辺部に向かって移動させ、吐出ノズル１が所定位置まで移動したときに、吐出口からの洗浄液の吐出を継続しながら吐出ノズル１を一旦停止させる。このとき、図５の（ａ）に示すように、最初は基板Ｗの全面が洗浄液の液膜２で覆われているが、基板Ｗの中心位置を中心とし吐出ノズル１の吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周内方の小領域における液膜２が薄くなって乾燥直前の状態となる。続いて、二点鎖線で示す乾燥直前部分３内に１つの乾燥コア４が発生し、図５の（ｂ）に示すように、乾燥コア４が拡大して乾燥領域５が形成される。このとき、前記円周の外方は、吐出ノズル１の吐出口から洗浄液が吐出し続けられているために液膜２が維持されたままの状態である。そして、吐出ノズル１の停止位置によって前記円周内方の乾燥直前部分３の面積が制御されることにより、乾燥コアが基板Ｗの中心付近に２つ以上発生することが防止される。   The discharge nozzle 1 is moved from the central portion of the substrate W toward the peripheral portion while discharging the cleaning liquid from the discharge port of the cleaning liquid discharge nozzle denoted by reference numeral 1. When the discharge nozzle 1 moves to a predetermined position, the discharge nozzle 1 The discharge nozzle 1 is temporarily stopped while continuing the discharge of the cleaning liquid. At this time, as shown in FIG. 5A, the entire surface of the substrate W is initially covered with the liquid film 2 of the cleaning liquid, but faces the discharge port of the discharge nozzle 1 with the center position of the substrate W as the center. The liquid film 2 in the small area inside the circumference with the distance to the position on the substrate surface as the radius becomes thin and is in a state just before drying. Subsequently, one dry core 4 is generated in the portion 3 immediately before drying indicated by a two-dot chain line, and the dry core 4 is expanded to form a dry region 5 as shown in FIG. At this time, the outside of the circumference is in a state where the liquid film 2 is maintained because the cleaning liquid is continuously discharged from the discharge port of the discharge nozzle 1. Then, the area of the portion 3 immediately before drying in the circumference is controlled by the stop position of the discharge nozzle 1, thereby preventing two or more dry cores from being generated near the center of the substrate W.

上記した円周内方の小領域において基板Ｗの乾燥が開始すると、吐出ノズル１を再び基板Ｗの周縁に向かって移動させる。これにより、図５の（ｃ）および（ｄ）に示すように、１つの乾燥領域５が外側に向かって拡がっていき、図５の（ｅ）に示すように、乾燥領域５が基板Ｗの全面に拡がって基板Ｗの乾燥が行われる。   When the drying of the substrate W is started in the small area inside the circumference, the discharge nozzle 1 is moved again toward the periphery of the substrate W. As a result, as shown in FIGS. 5C and 5D, one dry region 5 expands outward, and as shown in FIG. 5E, the dry region 5 is formed on the substrate W. The substrate W is dried over the entire surface.

この基板処理方法では、基板の中心付近に２つ以上の乾燥コアが発生して２つ以上の乾燥領域同士が衝突して接合する、といったことは起こらないので、基板上に洗浄液の乾燥痕が残ることはない。したがって、請求項１に係る発明の基板処理方法によると、現像欠陥等の発生を無くすことができる。   In this substrate processing method, two or more dry cores are generated near the center of the substrate, and two or more dry regions do not collide and join with each other. It will not remain. Therefore, according to the substrate processing method of the first aspect of the present invention, the occurrence of development defects and the like can be eliminated.

請求項２に係る発明の基板処理方法では、吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始した後に、気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面へ乾燥用気体が噴出することにより、基板の中心位置を中心とし一旦停止の吐出ノズルの吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周内方の小領域における乾燥が速やかに開始するので、吐出ノズルを一旦停止させておく時間を短くすることができる。このため、スループットを向上させることができる。   In the substrate processing method of the invention according to claim 2, after the discharge port of the discharge nozzle starts moving from the position facing the center of the substrate toward the peripheral edge of the substrate, the surface of the central portion of the substrate from the discharge port of the gas discharge nozzle When the drying gas is ejected to the substrate, drying in a small area inside the circumference with the radius from the center position of the substrate to the position on the substrate surface facing the discharge port of the temporarily stopped discharge nozzle is performed. Since it starts quickly, the time for which the discharge nozzle is temporarily stopped can be shortened. For this reason, throughput can be improved.

請求項３に係る発明の基板処理装置においては、制御手段によりノズル移動手段が制御されて、吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始した後に、吐出ノズルの吐出口が一旦停止させられる。この動作により、基板の中心付近における乾燥直前部分の面積を制御して、乾燥コアが基板の中心付近に２つ以上発生することを防止することができる。そして、基板の中心付近に１つの乾燥コアが発生し、その乾燥コアが拡大して、基板の中心位置を中心とし吐出ノズルの吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周内方の小領域において乾燥が開始した後に、制御手段によりノズル移動手段が制御されて、吐出ノズルの吐出口が再び基板の周縁に向かって移動させられる。これにより、１つの乾燥領域が外側に向かって拡がっていき、基板全面の乾燥が行われる。このように、基板の中心付近に乾燥コアが１つだけ発生して、その乾燥コアを始点とする１つの乾燥領域が基板の全面に拡がって基板の乾燥が行われるので、洗浄液の乾燥痕が基板上に残るといったことが起こらない。
したがって、請求項３に係る発明の基板処理装置を使用すると、請求項１に係る発明の基板処理方法を好適に実施して、上記効果を奏することができる。 In the substrate processing apparatus of the invention according to claim 3, after the nozzle moving means is controlled by the control means, the discharge port of the discharge nozzle starts moving from the position facing the center of the substrate toward the peripheral edge of the substrate, The discharge port of the discharge nozzle is temporarily stopped. By this operation, the area of the portion immediately before drying near the center of the substrate can be controlled to prevent two or more dry cores from being generated near the center of the substrate. Then, one dry core is generated near the center of the substrate, the dry core expands, and the distance from the center position of the substrate to the position on the substrate surface facing the discharge port of the discharge nozzle is set as the radius. After drying starts in a small area inside the circumference, the nozzle moving means is controlled by the control means, and the discharge port of the discharge nozzle is moved again toward the peripheral edge of the substrate. As a result, one drying area expands outward, and the entire substrate is dried. In this way, only one drying core is generated near the center of the substrate, and one drying region starting from the drying core spreads over the entire surface of the substrate to dry the substrate. It does not happen that it remains on the substrate.
Therefore, when the substrate processing apparatus according to the third aspect of the invention is used, the substrate processing method of the first aspect of the invention can be suitably implemented to achieve the above-described effects.

請求項４に係る発明の基板処理装置では、吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始した後に、気体供給手段により気体噴出ノズルへ乾燥用気体が供給されて、気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面へ乾燥用気体が噴出することにより、基板の中心位置を中心とし一旦停止の吐出ノズルの吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周内方の小領域における乾燥が速やかに開始する。したがって、請求項４に係る発明の基板処理装置を使用すると、請求項２に係る発明の基板処理方法を好適に実施して、上記効果を奏することができる。   In the substrate processing apparatus according to the fourth aspect of the present invention, after the discharge port of the discharge nozzle starts moving from the position facing the center of the substrate toward the peripheral edge of the substrate, the gas supply means supplies the drying gas to the gas discharge nozzle. When the drying gas is ejected from the ejection port of the gas ejection nozzle to the surface of the central portion of the substrate, the center position of the substrate is the center and the position on the substrate surface facing the ejection port of the temporarily stopped ejection nozzle is reached. Drying in a small area inside the circumference having a radius of 1 starts immediately. Therefore, when the substrate processing apparatus of the invention according to claim 4 is used, the substrate processing method of the invention according to claim 2 is suitably implemented, and the above-described effects can be achieved.

以下、この発明の最良の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図１および図２は、この発明に係る基板処理方法を実施するために使用される基板処理装置の構成の１例を示し、図１は、基板処理装置の概略平面図であり、図２は、その概略断面図である。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the best embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
1 and 2 show an example of the configuration of a substrate processing apparatus used for carrying out the substrate processing method according to the present invention, FIG. 1 is a schematic plan view of the substrate processing apparatus, and FIG. FIG.

この基板処理装置は、表面に露光後のレジスト膜が形成された基板を現像処理した後に洗浄処理（リンス処理）するものであり、基板Ｗを水平姿勢に保持するスピンチャック１０、上端部にスピンチャック１０が固着され鉛直方向に支持された回転支軸１２、および、回転支軸１２に回転軸が連結されスピンチャック１０および回転支軸１２を鉛直軸回りに回転させる回転モータ１４を備えている。スピンチャック１０の周囲には、スピンチャック１０上の基板Ｗを取り囲むようにカップ１６が配設されている。カップ１６は、図示しない支持機構により上下方向へ往復移動自在に支持されており、カップ１６の底部には排液管１８が連通接続されている。また、図１および図２には図示を省略しているが、基板Ｗ上に現像液を供給する機構、例えば、下端面にスリット状吐出口が形設された現像液吐出ノズルを有し、そのスリット状吐出口から現像液を吐出させつつ、現像液吐出ノズルを、そのスリット状吐出口と直交する水平方向へ直線的に移動させて、基板Ｗ上に現像液を供給し液盛りする現像液供給機構、あるいは、ストレートノズルからなる現像液吐出ノズルを有し、その現像液吐出ノズルを、先端の吐出口が基板Ｗの中心部直上に配置される吐出位置と待機位置との間で往復移動するように支持し、現像液吐出ノズルの先端吐出口から現像液を基板Ｗの中心部上へ吐出する現像液供給機構が設けられている。   In this substrate processing apparatus, a substrate having an exposed resist film formed on the surface is developed and then subjected to a cleaning process (rinse process). A spin chuck 10 that holds the substrate W in a horizontal position and a spin at an upper end are provided. A rotation support shaft 12 to which the chuck 10 is fixed and supported in the vertical direction, and a rotation motor 14 that is connected to the rotation support shaft 12 and rotates the spin chuck 10 and the rotation support shaft 12 about the vertical axis are provided. . A cup 16 is disposed around the spin chuck 10 so as to surround the substrate W on the spin chuck 10. The cup 16 is supported by a support mechanism (not shown) so as to be reciprocally movable in the vertical direction. A drainage pipe 18 is connected to the bottom of the cup 16. Although not shown in FIGS. 1 and 2, a mechanism for supplying a developer onto the substrate W, for example, a developer discharge nozzle having a slit-like discharge port formed at the lower end surface, Development in which the developer discharge nozzle is linearly moved in the horizontal direction orthogonal to the slit discharge port while supplying the developer onto the substrate W while discharging the developer from the slit discharge port. It has a developer supply nozzle composed of a liquid supply mechanism or a straight nozzle, and the developer discharge nozzle is reciprocated between a discharge position where the discharge port at the front end is located immediately above the center of the substrate W and a standby position. A developer supply mechanism is provided that supports the substrate so as to move, and discharges the developer onto the central portion of the substrate W from the tip discharge port of the developer discharge nozzle.

また、カップ１６の側方側近傍には、先端の吐出口から洗浄液（リンス液）、例えば純水を基板Ｗ上へ吐出する純水吐出ノズル２０が配設されている。純水吐出ノズル２０は、純水供給管２２を通して純水供給源に流路接続されており、純水供給管２２にポンプ２４、フィルタ２６および開閉制御弁２８が介挿されている。純水吐出ノズル２０は、水平面内で回動可能にノズル保持部３０に保持されており、回転駆動機構３２によって水平面内で回動させられる。そして、純水吐出ノズル２０は、先端の吐出口から基板Ｗの表面へ純水を吐出させつつ、図１中に矢印ａで示すように吐出口が基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁に対向する位置まで走査され、また、二点鎖線で示すようにカップ１６から外側へ外れた待機位置と吐出口が基板Ｗの中心部直上に配置される位置との間で往復移動するような構成となっている。   Further, near the side of the cup 16, a pure water discharge nozzle 20 that discharges a cleaning liquid (rinsing liquid), for example, pure water, onto the substrate W from a discharge port at the tip is disposed. The pure water discharge nozzle 20 is connected to a pure water supply source through a pure water supply pipe 22, and a pump 24, a filter 26 and an opening / closing control valve 28 are inserted in the pure water supply pipe 22. The pure water discharge nozzle 20 is held by the nozzle holder 30 so as to be rotatable in a horizontal plane, and is rotated in the horizontal plane by a rotation drive mechanism 32. The pure water discharge nozzle 20 discharges pure water from the discharge port at the tip to the surface of the substrate W, and the substrate W from a position where the discharge port faces the center of the substrate W as shown by an arrow a in FIG. Is scanned to a position opposite to the peripheral edge of the substrate W, and as indicated by a two-dot chain line, it reciprocates between a standby position outside the cup 16 and a position where the discharge port is disposed immediately above the center of the substrate W. It has a configuration like this.

さらに、この基板処理装置は、回転駆動機構３２を制御して純水吐出ノズル２０の移動・停止の動作を制御する制御装置３４を備えている。この制御装置３４により、矢印ａで示すように純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁に対向する位置まで走査される過程で、純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心に対向する位置（図１中に二点鎖線で示す位置）から移動を開始した後、純水吐出ノズル２０の吐出口が所定位置（図１中に実線で示す位置）まで移動した時点で純水吐出ノズル２０を一旦停止させ、その後に再び純水吐出ノズル２０の吐出口を基板Ｗの周縁に向かって移動させるように、回転駆動機構３２が制御される。   Further, the substrate processing apparatus includes a control device 34 that controls the rotational drive mechanism 32 to control the movement / stop operation of the pure water discharge nozzle 20. In the process where the controller 34 scans the discharge port of the pure water discharge nozzle 20 from the position facing the center of the substrate W to the position facing the periphery of the substrate W as indicated by an arrow a, the pure water discharge nozzle 20 1 starts to move from a position facing the center of the substrate W (a position indicated by a two-dot chain line in FIG. 1), and then the discharge outlet of the pure water discharge nozzle 20 is a predetermined position (indicated by a solid line in FIG. 1). The rotary drive mechanism 32 is controlled so that the pure water discharge nozzle 20 is temporarily stopped at the time of movement to (position) and then the discharge port of the pure water discharge nozzle 20 is moved again toward the periphery of the substrate W.

図１および図２に示した基板処理装置を使用し、基板Ｗの表面に形成された露光後のレジスト膜上へ現像液を供給してレジスト膜を現像処理した後に、基板Ｗを比較的低速で回転させながら基板Ｗ上へ純水を供給して洗浄処理し、基板Ｗ表面のレジスト膜上から現像液を洗い流して除去し、この後に、基板Ｗを比較的高速で回転させてスピン乾燥（スキャンリンス）処理する。スキャンリンスする際は、スピンチャック１０上に保持された基板Ｗを回転モータ１４によって比較的高速で回転させるとともに、純水吐出ノズル２０の吐出口から純水を基板Ｗ上へ吐出させつつ、純水吐出ノズル２０を次のように走査する。   The substrate processing apparatus shown in FIGS. 1 and 2 is used to supply the developing solution onto the exposed resist film formed on the surface of the substrate W to develop the resist film, and then the substrate W is relatively slow. Then, pure water is supplied onto the substrate W while rotating the substrate W to perform cleaning treatment, and the developer is washed away from the resist film on the surface of the substrate W. Thereafter, the substrate W is rotated at a relatively high speed and spin-dried ( Scan rinse). When performing the scan rinse, the substrate W held on the spin chuck 10 is rotated at a relatively high speed by the rotation motor 14 and pure water is discharged from the discharge port of the pure water discharge nozzle 20 onto the substrate W. The water discharge nozzle 20 is scanned as follows.

数値の１例を示しながら具体的に説明すると、直径が２００ｍｍ〜３００ｍｍである基板Ｗを１８００ｒｐｍ〜２１００ｒｐｍの回転速度で回転させ、純水吐出ノズル２０を、その吐出口が基板Ｗの中心に対向する位置へ移動させて、純水吐出ノズル２０の吐出口から基板Ｗ上へ純水を０．４ｌ／ｍｉｎ〜０．６ｌ／ｍｉｎの流量で吐出しながら、純水吐出ノズル２０を基板Ｗの周辺部に向かって６ｍｍ〜１０ｍｍのスキャン速度で移動させる。そして、純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心から２０ｍｍ〜２５ｍｍの距離の位置まで移動した時に、純水吐出ノズル２０を一旦停止させる。この純水吐出ノズル２０の一旦停止は、純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心に対向する位置から移動を開始した後、基板Ｗの中心部分の乾燥が開始する前のタイミングで行われる。また、純水吐出ノズル２０の一旦停止位置は、基板Ｗの中心位置を中心とし一旦停止の純水吐出ノズル２０の吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周を想定して、その円周内方の小領域において乾燥の始点となる乾燥コアが１つしか発生しないような条件で設定される。この純水吐出ノズル２０を一旦停止させるタイミングおよび位置は、基板Ｗの種類や大きさ、表面状態等、基板Ｗの回転速度、純水吐出ノズル２０の吐出口からの純水の吐出流量、純水吐出ノズル２０のスキャン速度などの諸々の条件において実験を行い、基板Ｗの中心付近において２つ目の乾燥コアが発生しないかどうかを観察して、前もって決定しておくようにする。   More specifically, an example of numerical values will be described. A substrate W having a diameter of 200 mm to 300 mm is rotated at a rotational speed of 1800 rpm to 2100 rpm, and the pure water discharge nozzle 20 is opposed to the center of the substrate W. The pure water discharge nozzle 20 is moved from the discharge port of the pure water discharge nozzle 20 onto the substrate W at a flow rate of 0.4 l / min to 0.6 l / min. Move toward the periphery at a scanning speed of 6 mm to 10 mm. Then, when the discharge port of the pure water discharge nozzle 20 moves to a position 20 mm to 25 mm from the center of the substrate W, the pure water discharge nozzle 20 is temporarily stopped. The temporary stop of the pure water discharge nozzle 20 is performed at a timing before the central portion of the substrate W starts to dry after the discharge port of the pure water discharge nozzle 20 starts moving from a position facing the center of the substrate W. Is called. In addition, the temporary stop position of the pure water discharge nozzle 20 is a circle whose radius is the distance from the center position of the substrate W to the position on the substrate surface that faces the discharge port of the pure water discharge nozzle 20 that is temporarily stopped. Assuming that only one dry core is generated as a starting point for drying in a small area inside the circumference. The timing and position at which the pure water discharge nozzle 20 is temporarily stopped include the type and size of the substrate W, the surface state, the rotational speed of the substrate W, the discharge flow rate of pure water from the discharge port of the pure water discharge nozzle 20, the pure water Experiments are performed under various conditions such as the scanning speed of the water discharge nozzle 20, and whether or not a second dry core is generated near the center of the substrate W is determined in advance.

純水吐出ノズル２０を一旦停止させてから所定時間、例えば１０秒前後の時間が経過した後、純水吐出ノズル２０を再び基板Ｗの周辺部に向かって移動させる。純水吐出ノズル２０の移動を再開するタイミングは、基板Ｗの中心位置を中心とし一旦停止の純水吐出ノズル２０の吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周内方の小領域において乾燥が開始した以後とする。そして、純水吐出ノズル２０の吐出口を基板Ｗの周縁に対向する位置まで走査し、純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの周縁に対向する位置に到達すると、純水供給管２２に介挿された開閉制御弁２８を閉じて純水吐出ノズル２０への純水の供給を停止して、純水吐出ノズル２０からの純水の吐出を止め、純水吐出ノズル２０を待機位置まで移動させる。そして、基板Ｗの乾燥処理が終了すると、基板Ｗの回転を停止させる。   After the pure water discharge nozzle 20 is temporarily stopped, after a predetermined time, for example, about 10 seconds has elapsed, the pure water discharge nozzle 20 is moved again toward the periphery of the substrate W. The timing for resuming the movement of the pure water discharge nozzle 20 is within the circumference with the radius from the center position of the substrate W to the position on the substrate surface facing the discharge port of the pure water discharge nozzle 20 once stopped. After the start of drying in the smaller area. Then, the discharge port of the pure water discharge nozzle 20 is scanned to a position facing the peripheral edge of the substrate W. When the discharge port of the pure water discharge nozzle 20 reaches a position facing the peripheral edge of the substrate W, the pure water supply pipe 22 The inserted open / close control valve 28 is closed to stop the supply of pure water to the pure water discharge nozzle 20, stop the discharge of pure water from the pure water discharge nozzle 20, and bring the pure water discharge nozzle 20 to the standby position. Move. Then, when the drying process of the substrate W is completed, the rotation of the substrate W is stopped.

純水吐出ノズル２０を一旦停止させたり再び移動を開始させたりするタイミングは、動作プログラムに基づいてマイコンで制御するようにすればよい。あるいは、エンコーダによって純水吐出ノズル２０の位置を検出し、その検出信号により純水吐出ノズル２０を一旦停止させたり移動を再開させたりするようにしてもよいし、タイマーを使用して、純水吐出ノズル２０の走査開始時点から所定時間が経過した時点で純水吐出ノズル２０を一旦停止させ、その停止時点から所定時間が経過した時点で純水吐出ノズル２０を再び基板Ｗの周辺部に向かって移動させるようにしてもよい。   The timing at which the pure water discharge nozzle 20 is temporarily stopped or moved again may be controlled by a microcomputer based on the operation program. Alternatively, the position of the pure water discharge nozzle 20 may be detected by an encoder, and the pure water discharge nozzle 20 may be temporarily stopped or restarted by the detection signal. The pure water discharge nozzle 20 is temporarily stopped when a predetermined time elapses from the scanning start time of the discharge nozzle 20, and the pure water discharge nozzle 20 is moved again toward the peripheral portion of the substrate W when the predetermined time elapses from the stop time. You may make it move.

なお、純水吐出ノズル２０の移動を再開して純水吐出ノズル２０の吐出口を基板Ｗの周縁に対向する位置まで走査する過程で、基板Ｗの回転速度を低下させるようにしてもよい。具体的には、純水吐出ノズル２０の吐出口が所定距離だけ移動した時点、例えば基板Ｗの中心から６０ｍｍの半径位置に到達した時点で基板Ｗの回転速度を低下、例えば１８００ｒｐｍ〜２１００ｒｐｍの回転数から１０００ｒｐｍ〜１２００ｒｐｍの回転数に減速させるように、制御装置（図示せず）により制御するようにする。基板Ｗの回転速度を変更する回数は１回に限らず、基板Ｗの回転速度を段階的に低下させるようにしてもよい。あるいは、純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの周縁に対向する位置に近付くのに従って基板Ｗの回転速度を漸次低下、例えば直線的に減速させるように制御してもよい。   Note that the rotational speed of the substrate W may be reduced in the process of resuming the movement of the pure water discharge nozzle 20 and scanning the discharge port of the pure water discharge nozzle 20 to a position facing the periphery of the substrate W. Specifically, when the discharge port of the pure water discharge nozzle 20 moves by a predetermined distance, for example, when reaching the radial position of 60 mm from the center of the substrate W, the rotation speed of the substrate W is reduced, for example, 1800 rpm to 2100 rpm. Control is performed by a control device (not shown) so as to decelerate from 1000 rpm to 1200 rpm. The number of times of changing the rotation speed of the substrate W is not limited to one, and the rotation speed of the substrate W may be decreased stepwise. Alternatively, the rotation speed of the substrate W may be controlled to gradually decrease, for example, linearly decrease as the discharge port of the pure water discharge nozzle 20 approaches the position facing the periphery of the substrate W.

上記したような方法でスキャンリンスしたときは、純水吐出ノズル２０を一旦停止させる位置を適切に設定することにより、基板Ｗの中心付近において乾燥直前の状態にある部分の面積を制御して、乾燥コアが基板Ｗの中心付近に２つ以上発生することを防止することができる。そして、基板Ｗの中心付近に１つだけ発生した乾燥コアを始点とする１つの乾燥領域が基板Ｗの全面に拡がって基板Ｗの乾燥が行われるので、純水の乾燥痕が基板Ｗ上に残るといったことが起こらない。したがって、上記した方法によると、現像欠陥等の発生を無くすことができる。   When performing the scan rinse by the method as described above, by appropriately setting the position where the pure water discharge nozzle 20 is temporarily stopped, the area of the portion in the state immediately before drying is controlled near the center of the substrate W, It is possible to prevent two or more dry cores from being generated near the center of the substrate W. Then, since one dry region starting from a dry core generated only in the vicinity of the center of the substrate W extends over the entire surface of the substrate W, the substrate W is dried. It does n’t happen. Therefore, according to the method described above, development defects and the like can be eliminated.

図３および図４は、この発明に係る基板処理方法を実施するために使用される基板処理装置の別の構成例を示し、図３は、基板処理装置の概略平面図であり、図４は、その概略断面図である。図３および図４において、図１および図２で使用した符号と同一の符号を付した各部材は、図１および図２に関して説明した上記各部材と同一の機能、作用を有するものであり、それらについての説明を省略する。   3 and 4 show another configuration example of the substrate processing apparatus used for carrying out the substrate processing method according to the present invention, FIG. 3 is a schematic plan view of the substrate processing apparatus, and FIG. FIG. 3 and FIG. 4, members having the same reference numerals as those used in FIG. 1 and FIG. 2 have the same functions and operations as the above-described members described with reference to FIGS. 1 and 2. The description about them is omitted.

この基板処理装置は、カップ１６の側方側近傍に、カップ１６を挟んで純水吐出ノズル２０の反対側に、先端の噴出口から乾燥用気体、例えば窒素ガスを基板Ｗ上へ噴出するガス噴出ノズル３６が配設されている。ガス噴出ノズル３６は、ガス供給管３８を通して窒素ガス供給源に流路接続されており、ガス供給管３８に開閉制御弁４０が介挿されている。ガス噴出ノズル３６は、水平面内で回動可能にノズル保持部４２に保持されており、回転駆動機構４４によって水平面内で回動させられる。そして、ガス噴出ノズル３６は、図３中に二点鎖線で示すようにカップ１６から外側へ外れた待機位置と実線で示すように噴出口が基板Ｗの中心部直上に配置される位置との間で往復移動するような構成となっている。   In this substrate processing apparatus, a gas for drying a drying gas, for example, nitrogen gas, is ejected onto a substrate W from a jet outlet at the tip on the opposite side of the pure water discharge nozzle 20 across the cup 16 in the vicinity of the side of the cup 16. A jet nozzle 36 is provided. The gas ejection nozzle 36 is connected to a nitrogen gas supply source through a gas supply pipe 38, and an open / close control valve 40 is inserted in the gas supply pipe 38. The gas ejection nozzle 36 is held by the nozzle holding portion 42 so as to be rotatable in a horizontal plane, and is rotated in the horizontal plane by a rotation drive mechanism 44. The gas ejection nozzle 36 has a standby position deviated from the cup 16 as indicated by a two-dot chain line in FIG. 3 and a position where the ejection port is disposed immediately above the center of the substrate W as indicated by a solid line. It is the structure which reciprocates between.

図３および図４に示した基板処理装置を使用してスキャンリンスするときには、上記したように純水吐出ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁に向かって移動を開始した後に、図３中に実線で示すように噴出口が基板Ｗの中心部直上に配置されたガス噴出ノズル３６へ窒素供給源からガス供給管３８を通して窒素ガスを供給し、ガス噴出ノズル３６の噴出口から基板Ｗの中心部表面へ窒素ガスを噴出させる。これにより、基板Ｗの中心位置を中心とし一旦停止の純水吐出ノズル２０の吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周内方の小領域における乾燥が速やかに開始することとなる。したがって、純水吐出ノズル２０を一旦停止させておく時間を短くすることができ、スループットが向上する。ガス噴出ノズル３６の噴出口からの窒素ガスの噴出は、基板Ｗの中心部分の乾燥が開始すると直ぐに停止させればよいが、暫くの間、ガス噴出ノズル３６の噴出口から窒素ガスを噴出させておいても差し支えない。   When performing the scan rinse using the substrate processing apparatus shown in FIGS. 3 and 4, the discharge port of the pure water discharge nozzle 20 moves from the position facing the center of the substrate W toward the periphery of the substrate W as described above. 3, nitrogen gas is supplied from a nitrogen supply source through a gas supply pipe 38 to a gas ejection nozzle 36 whose ejection port is disposed immediately above the center of the substrate W as indicated by a solid line in FIG. Nitrogen gas is spouted from the 36 spouts onto the center surface of the substrate W. As a result, drying in a small area inside the circumference with a radius of the distance from the center position of the substrate W to the position on the substrate surface facing the discharge port of the once stopped pure water discharge nozzle 20 starts quickly. Will be. Therefore, it is possible to shorten the time for which the pure water discharge nozzle 20 is temporarily stopped, and the throughput is improved. The ejection of nitrogen gas from the ejection port of the gas ejection nozzle 36 may be stopped as soon as drying of the central portion of the substrate W is started, but nitrogen gas is ejected from the ejection port of the gas ejection nozzle 36 for a while. There is no problem.

なお、上記した実施形態では、基板上に形成された露光後のレジスト膜を現像処理した後に基板をスキャンリンスする処理にこの発明を適用した場合について説明したが、この発明は、現像処理後の基板をスキャンリンスによって乾燥処理する場合に限らず、撥水性の高い表面を有する基板をスキャンリンス処理する場合、例えば基板の表面を洗浄液で洗浄処理（スクラバ処理）する場合や液浸露光後の基板を洗浄・乾燥処理する場合など、広く一般に適用し得るものである。   In the above-described embodiment, the case where the present invention is applied to the process of performing the scan rinse after the development of the resist film after the exposure formed on the substrate has been described. Not only when the substrate is dried by scan rinsing, but also when a substrate having a surface with high water repellency is subjected to a scan rinse treatment, for example, when the surface of the substrate is washed with a cleaning liquid (scrubber treatment) or after immersion exposure Can be widely applied to general cases such as washing and drying.

この発明に係る基板処理方法を実施するために使用される基板処理装置の構成の１例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of a structure of the substrate processing apparatus used in order to implement the substrate processing method concerning this invention. 図１に示した基板処理装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the substrate processing apparatus shown in FIG. この発明に係る基板処理方法を実施するために使用される基板処理装置の別の構成例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows another structural example of the substrate processing apparatus used in order to implement the substrate processing method which concerns on this invention. 図３に示した基板処理装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the substrate processing apparatus shown in FIG. この発明に係る基板処理方法における動作を説明するための図であって基板を示す平面図である。It is a figure for demonstrating the operation | movement in the substrate processing method which concerns on this invention, Comprising: It is a top view which shows a board | substrate. 従来のスキャンリンス法における問題点を説明するための図であって基板を示す平面図である。It is a figure for demonstrating the problem in the conventional scan rinse method, Comprising: It is a top view which shows a board | substrate.

符号の説明Explanation of symbols

１０ スピンチャック
１２ 回転支軸
１４ 回転モータ
１６ カップ
２０ 純水吐出ノズル
２２ 純水供給管
２４ ポンプ
２８、４０ 開閉制御弁
３０ 純水吐出ノズルのノズル保持部
３２ 純水吐出ノズルの回転駆動機構
３４ 制御装置
３６ ガス噴出ノズル
３８ ガス供給管
４２ ガス噴出ノズルのノズル保持部
４４ ガス噴出ノズルの回転駆動機構
Ｗ 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Spin chuck 12 Rotating spindle 14 Rotating motor 16 Cup 20 Pure water discharge nozzle 22 Pure water supply pipe 24 Pump 28, 40 Open / close control valve 30 Nozzle holding part of pure water discharge nozzle 32 Rotation drive mechanism of pure water discharge nozzle 34 Control Device 36 Gas ejection nozzle 38 Gas supply pipe 42 Nozzle holding part of gas ejection nozzle 44 Rotation drive mechanism of gas ejection nozzle W substrate

Claims (4)

基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに回転させるとともに、吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ、前記吐出ノズルの吐出口を基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査して、基板を乾燥させる基板処理方法において、
前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始した後、基板の中心部分の乾燥が開始する前に、前記吐出ノズルの吐出口を一旦停止させ、基板の中心位置を中心とし前記吐出ノズルの吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周内方の小領域において乾燥が開始した後に、前記吐出ノズルの吐出口を再び基板の周縁に向かって移動させることを特徴とする基板処理方法。 While rotating the substrate around a vertical axis while holding the substrate in a horizontal position, while discharging the cleaning liquid from the discharge port of the discharge nozzle to the surface of the substrate, the peripheral edge of the substrate from the position where the discharge port of the discharge nozzle faces the center of the substrate In the substrate processing method of scanning to a position facing the substrate and drying the substrate,
After the discharge port of the discharge nozzle starts moving from the position facing the center of the substrate toward the periphery of the substrate, before the drying of the central portion of the substrate starts, the discharge port of the discharge nozzle is temporarily stopped, After drying has started in a small area inside the circumference centered on the center position of the substrate and having a radius from the position on the substrate surface facing the discharge port of the discharge nozzle, the discharge port of the discharge nozzle is again opened. A substrate processing method, wherein the substrate is moved toward the periphery of the substrate. 前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始した後に、気体噴出ノズルの噴出口から基板の中心部表面へ乾燥用気体を噴出させる請求項１に記載の基板処理方法。 The drying gas is ejected from the ejection port of the gas ejection nozzle to the center surface of the substrate after the ejection port of the ejection nozzle starts moving from the position facing the center of the substrate toward the periphery of the substrate. The substrate processing method as described. 基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、
この基板保持手段によって保持された基板を鉛直軸回りに回転させる基板回転手段と、
前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって回転させられる基板の表面へ吐出口から洗浄液を吐出する吐出ノズルと、
この吐出ノズルへ洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記吐出ノズルの吐出口を、その吐出口から基板の表面へ洗浄液を吐出させつつ基板の中心に対向する位置から基板の周縁に対向する位置まで走査するノズル移動手段と、
を備えた基板処理装置において、
前記吐出ノズルの吐出口が基板の中心に対向する位置から基板の周縁に向かって移動を開始した後、基板の中心部分の乾燥が開始する前に、前記吐出ノズルの吐出口を一旦停止させ、基板の中心位置を中心とし前記吐出ノズルの吐出口に対向する基板面上の位置までの距離を半径とする円周内方の小領域において乾燥が開始した後に、前記吐出ノズルの吐出口を再び基板の周縁に向かって移動させるように、前記ノズル移動手段を制御する制御手段をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。 Substrate holding means for holding the substrate in a horizontal position;
Substrate rotating means for rotating the substrate held by the substrate holding means around a vertical axis;
A discharge nozzle that discharges the cleaning liquid from a discharge port to the surface of the substrate held by the substrate holding unit and rotated by the substrate rotating unit;
Cleaning liquid supply means for supplying a cleaning liquid to the discharge nozzle;
A nozzle moving means for scanning the discharge port of the discharge nozzle from a position facing the center of the substrate to a position facing the peripheral edge of the substrate while discharging a cleaning liquid from the discharge port to the surface of the substrate;
In a substrate processing apparatus comprising:
After the discharge port of the discharge nozzle starts moving from the position facing the center of the substrate toward the periphery of the substrate, before the drying of the central portion of the substrate starts, the discharge port of the discharge nozzle is temporarily stopped, After drying has started in a small area inside the circumference centered on the center position of the substrate and having a radius from the position on the substrate surface facing the discharge port of the discharge nozzle, the discharge port of the discharge nozzle is again opened. A substrate processing apparatus, further comprising control means for controlling the nozzle moving means so as to move toward the periphery of the substrate. 前記基板保持手段によって保持され前記基板回転手段によって回転させられる基板の中心部表面へ噴出口から乾燥用気体を噴出する気体噴出ノズルと、
この気体噴出ノズルへ乾燥用気体を供給する気体供給手段と、
をさらに備えた請求項３に記載の基板処理装置。 A gas ejection nozzle that ejects a drying gas from an ejection port onto the center surface of the substrate held by the substrate holding unit and rotated by the substrate rotation unit;
Gas supply means for supplying a drying gas to the gas ejection nozzle;
The substrate processing apparatus according to claim 3, further comprising:
JP2006231566A 2006-08-29 2006-08-29 Substrate processing method and substrate processing apparatus Active JP4730787B2 (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006231566A JP4730787B2 (en) 2006-08-29 2006-08-29 Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR1020070082662A KR100940136B1 (en) 2006-08-29 2007-08-17 Substrate processing method and substrate processing apparatus
TW096131426A TWI377608B (en) 2006-08-29 2007-08-24 Substrate processing method and substrate processing apparatus
CN 200710148563 CN100536068C (en) 2006-08-29 2007-08-29 Substrate processing method and substrate processing apparatus
US11/846,890 US9059221B2 (en) 2006-08-29 2007-08-29 Substrate processing method and substrate processing apparatus
US14/687,649 US9687886B2 (en) 2006-08-29 2015-04-15 Substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006231566A JP4730787B2 (en) 2006-08-29 2006-08-29 Substrate processing method and substrate processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008060104A JP2008060104A (en) 2008-03-13
JP4730787B2 true JP4730787B2 (en) 2011-07-20

Family

ID=39160320

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006231566A Active JP4730787B2 (en) 2006-08-29 2006-08-29 Substrate processing method and substrate processing apparatus

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4730787B2 (en)
CN (1) CN100536068C (en)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5166802B2 (en) 2007-09-13 2013-03-21 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5192206B2 (en) 2007-09-13 2013-05-08 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ Substrate processing apparatus and substrate processing method
DE102009023155A1 (en) 2009-05-29 2010-12-02 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
CN104377153B (en) * 2014-11-18 2018-07-17 通富微电子股份有限公司 A kind of Wafer cleaning machine and its nozzle moving method, disk moving method
WO2016127423A1 (en) * 2015-02-15 2016-08-18 Acm Research (Shanghai) Inc. Method and apparatus for integrated substrate cleaning and drying
CN110639870A (en) * 2018-06-26 2020-01-03 联合汽车电子有限公司 Gas-liquid mixing flushing system
JP6979935B2 (en) * 2018-10-24 2021-12-15 三菱電機株式会社 Semiconductor manufacturing equipment and semiconductor manufacturing method
KR20210128061A (en) * 2020-04-16 2021-10-26 주식회사 제우스 Substrate processing device and method

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07135137A (en) * 1993-06-24 1995-05-23 Hitachi Ltd Development treatment equipment
JPH10335298A (en) * 1997-05-27 1998-12-18 Tokyo Electron Ltd Treatment device and method
JP3694641B2 (en) * 2000-08-09 2005-09-14 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus, development processing apparatus, and development processing method
JP4488497B2 (en) * 2004-05-24 2010-06-23 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4455228B2 (en) * 2004-08-26 2010-04-21 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP4324527B2 (en) * 2004-09-09 2009-09-02 東京エレクトロン株式会社 Substrate cleaning method and developing apparatus
JP2006086415A (en) * 2004-09-17 2006-03-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate washing device
JP4769790B2 (en) * 2005-02-07 2011-09-07 株式会社荏原製作所 Substrate processing method, substrate processing apparatus, and control program

Also Published As

Publication number Publication date
CN101136319A (en) 2008-03-05
CN100536068C (en) 2009-09-02
JP2008060104A (en) 2008-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4937678B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US9687886B2 (en) Substrate processing apparatus
JP4730787B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR100879415B1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR100879690B1 (en) Developing apparatus and developing method
TWI607294B (en) Developing method, developing apparatus, and recording medium
KR20080031618A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20080031617A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2009252855A (en) Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus and storage medium
JP2007318087A (en) Developing device, development processing method, development processing program, and computer-readable recording medium with program recorded thereon
JPWO2005050724A1 (en) Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus, and computer-readable recording medium
JP2010050226A (en) Substrate processing apparatus and method
KR101950047B1 (en) Substrate cleaning and drying method and substrate developing method
JP5317504B2 (en) Developing apparatus and developing method
JP2008016781A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP5323374B2 (en) Developing apparatus and developing method
TWI797159B (en) Substrate processing method, substrate processing device, and storage medium
JP2009231619A (en) Development apparatus and development method
JP5183562B2 (en) Coating film forming apparatus and coating film forming method
JP5683259B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4011040B2 (en) Developing apparatus and developing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090205

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110412

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110413

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4730787

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250