JP2000292480A - 恒温槽 - Google Patents
恒温槽Info
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- JP2000292480A JP2000292480A JP11094078A JP9407899A JP2000292480A JP 2000292480 A JP2000292480 A JP 2000292480A JP 11094078 A JP11094078 A JP 11094078A JP 9407899 A JP9407899 A JP 9407899A JP 2000292480 A JP2000292480 A JP 2000292480A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部の温度の影響を受けることなく、空間部
を正確に予め設定された温度にすることのできる恒温槽
を提供する。 【解決手段】 外壁１７に包囲された空間部２３を有す
る恒温槽１であって、前記外壁１７は、その内部に断熱
機能を有し、前記空間部２３を恒温に保つための真空層
１５が設けられていることを特徴とする恒温槽１。
を正確に予め設定された温度にすることのできる恒温槽
を提供する。 【解決手段】 外壁１７に包囲された空間部２３を有す
る恒温槽１であって、前記外壁１７は、その内部に断熱
機能を有し、前記空間部２３を恒温に保つための真空層
１５が設けられていることを特徴とする恒温槽１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＩＣデバイ
ス（半導体回路素子）を所定の温度に設定して電気的な
検査を行うための検査装置に設けられた恒温槽に関する
ものである。
ス（半導体回路素子）を所定の温度に設定して電気的な
検査を行うための検査装置に設けられた恒温槽に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣデバイスは、情報産業等の発
達により様々な電子機器に組み込まれている。ＩＣデバ
イスは、例えばＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃ
ｕｉｔ）を有する電子部品である。ＩＣデバイスは、電
子機器の複雑な機能を実現するために、性能が向上する
ようにその集積度が向上している。ＩＣデバイスは、通
常、電子機器等に組み込まれた状態で、常温で使用され
ることが多い。しかし、電子機器の設定状態等によって
は、様々な環境で使用されることが考えられる。このた
め、ＩＣデバイスを製造した段階で行われる試験や測定
等の検査では、例えば−５５℃程度の低温から１６０℃
程度の高温までＩＣデバイスの温度を振って、ＩＣデバ
イスの動作を検査している。
達により様々な電子機器に組み込まれている。ＩＣデバ
イスは、例えばＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃ
ｕｉｔ）を有する電子部品である。ＩＣデバイスは、電
子機器の複雑な機能を実現するために、性能が向上する
ようにその集積度が向上している。ＩＣデバイスは、通
常、電子機器等に組み込まれた状態で、常温で使用され
ることが多い。しかし、電子機器の設定状態等によって
は、様々な環境で使用されることが考えられる。このた
め、ＩＣデバイスを製造した段階で行われる試験や測定
等の検査では、例えば−５５℃程度の低温から１６０℃
程度の高温までＩＣデバイスの温度を振って、ＩＣデバ
イスの動作を検査している。
【０００３】このような検査装置においては、ＩＣデバ
イスの温度を正確に設定した上で検査を行う必要があ
る。検査装置においてＩＣデバイスを所望の設定温度
（以下、「恒温」ともいう）に設定し検査するために
は、それぞれの温度でＩＣデバイスを恒温に保つための
恒温槽が必要である。恒温槽には、その空間部を恒温と
するための恒温装置が設けられている。この恒温装置
は、主に加熱手段及び冷却手段を有する。恒温槽は、恒
温に設定された空間部と外部との間で断熱性を有するこ
とが必要である。恒温槽には、恒温に設定された空間部
の温度により温度が保たれた状態で検査するためのＩＣ
デバイスのインターフェース部が設けられている。この
ような構成により、検査装置は、恒温槽のインターフェ
ース部を介してＩＣデバイスを恒温に設定した状態で電
気的な検査を行う。
イスの温度を正確に設定した上で検査を行う必要があ
る。検査装置においてＩＣデバイスを所望の設定温度
（以下、「恒温」ともいう）に設定し検査するために
は、それぞれの温度でＩＣデバイスを恒温に保つための
恒温槽が必要である。恒温槽には、その空間部を恒温と
するための恒温装置が設けられている。この恒温装置
は、主に加熱手段及び冷却手段を有する。恒温槽は、恒
温に設定された空間部と外部との間で断熱性を有するこ
とが必要である。恒温槽には、恒温に設定された空間部
の温度により温度が保たれた状態で検査するためのＩＣ
デバイスのインターフェース部が設けられている。この
ような構成により、検査装置は、恒温槽のインターフェ
ース部を介してＩＣデバイスを恒温に設定した状態で電
気的な検査を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この恒温槽
の断熱性能を確保するためには、恒温槽の外壁として例
えばガラスウールやロックウールといった断熱材を使用
していた。この恒温槽における外壁の断熱性能はこの断
熱材の厚みに比例しており、検査装置は、恒温槽の断熱
材をある程度厚くすれば恒温槽の空間部を恒温とするこ
とができるものの、装置全体が大きくなっていた。
の断熱性能を確保するためには、恒温槽の外壁として例
えばガラスウールやロックウールといった断熱材を使用
していた。この恒温槽における外壁の断熱性能はこの断
熱材の厚みに比例しており、検査装置は、恒温槽の断熱
材をある程度厚くすれば恒温槽の空間部を恒温とするこ
とができるものの、装置全体が大きくなっていた。
【０００５】また、この恒温槽は、図１１のようにテス
トヘッド１０７近傍におけるチャンバ１０１（恒温槽）
のインターフェース１２１近傍の厚さＷ０を厚くするこ
とで、インターフェース部１２１の断熱性能を確保して
いた。検査装置１１３は、このような構成を取ることに
よって、チャンバ１０１及びテストヘッド１０７との距
離が大きくなり、この間の配線が長くなっていた。検査
装置１１３は、この配線が長くなると、例えば高周波領
域で正確にＩＣデバイスを検査することが困難であっ
た。
トヘッド１０７近傍におけるチャンバ１０１（恒温槽）
のインターフェース１２１近傍の厚さＷ０を厚くするこ
とで、インターフェース部１２１の断熱性能を確保して
いた。検査装置１１３は、このような構成を取ることに
よって、チャンバ１０１及びテストヘッド１０７との距
離が大きくなり、この間の配線が長くなっていた。検査
装置１１３は、この配線が長くなると、例えば高周波領
域で正確にＩＣデバイスを検査することが困難であっ
た。
【０００６】このように、検査装置１１３は、チャンバ
１０１のインターフェース部１２１においてチャンバ１
０１の空間部１２３と外部とで熱交換や熱移動が容易に
行われてしまい、チャンバ１０１の断熱性能が不足する
問題が生じていた。
１０１のインターフェース部１２１においてチャンバ１
０１の空間部１２３と外部とで熱交換や熱移動が容易に
行われてしまい、チャンバ１０１の断熱性能が不足する
問題が生じていた。
【０００７】さらに、検査装置１１３は、インターフェ
ース部１２１において、チャンバ１０１の空間部及び外
部の温度差から生ずる結露が生ずるのを防止するため
に、例えば加熱した乾燥空気を送風していた。このよう
に、この乾燥空気をインターフェース部１２１に送風す
ると、検査装置１１３のチャンバ１０１及びＩＣデバイ
スを恒温に保つことは、容易ではなかった。
ース部１２１において、チャンバ１０１の空間部及び外
部の温度差から生ずる結露が生ずるのを防止するため
に、例えば加熱した乾燥空気を送風していた。このよう
に、この乾燥空気をインターフェース部１２１に送風す
ると、検査装置１１３のチャンバ１０１及びＩＣデバイ
スを恒温に保つことは、容易ではなかった。
【０００８】本発明の目的は、上記課題を解消して、外
部の温度の影響を受けることなく、空間部を正確に予め
設定された温度にすることのできる恒温槽を提供するこ
とである。
部の温度の影響を受けることなく、空間部を正確に予め
設定された温度にすることのできる恒温槽を提供するこ
とである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、外壁
に包囲された空間部を有する恒温槽であって、前記外壁
は、その内部に断熱機能を有し、前記空間部を恒温に保
つための真空層が設けられていることを特徴とする恒温
槽である。
に包囲された空間部を有する恒温槽であって、前記外壁
は、その内部に断熱機能を有し、前記空間部を恒温に保
つための真空層が設けられていることを特徴とする恒温
槽である。
【００１０】この請求項１の構成によれば、恒温槽の空
間部は、外壁に設けられた真空槽の断熱機能によって外
部の温度の影響を受けることがないので、その空間部を
正確に恒温に保つことができる。よって、恒温槽は、外
壁に設けられた真空槽の断熱機能によって、外壁の厚さ
を従来より薄くすることができ、小型化を図ることがで
きる。
間部は、外壁に設けられた真空槽の断熱機能によって外
部の温度の影響を受けることがないので、その空間部を
正確に恒温に保つことができる。よって、恒温槽は、外
壁に設けられた真空槽の断熱機能によって、外壁の厚さ
を従来より薄くすることができ、小型化を図ることがで
きる。
【００１１】請求項２の発明は、外壁に包囲された空間
部を有する恒温槽であって、前記外壁に設けられてお
り、前記空間部の温度を伝えるためのインターフェース
部と、前記インターフェース部近傍に設けられており、
前記インターフェース部近傍を前記空間部の温度に調整
するための熱電変換素子とを有することを特徴とする。
この請求項２の構成によれば、恒温槽は、インターフェ
ース部近傍における温度を調整することができるので外
部の温度の影響を受けづらく、空間部を正確に所定の設
定温度に保つことができる。また、この恒温槽は、イン
ターフェース部近傍における温度調整を以下のように行
う。熱電変換素子は、吸熱及び／又は放熱を行うので、
例えば恒温槽の外装の表面に設けて所定の通電すること
によってその外装の表面に結露を生ずることを防止する
ことができる。従って、恒温槽は、インターフェース部
近傍に結露を生じることを防止することができる。
部を有する恒温槽であって、前記外壁に設けられてお
り、前記空間部の温度を伝えるためのインターフェース
部と、前記インターフェース部近傍に設けられており、
前記インターフェース部近傍を前記空間部の温度に調整
するための熱電変換素子とを有することを特徴とする。
この請求項２の構成によれば、恒温槽は、インターフェ
ース部近傍における温度を調整することができるので外
部の温度の影響を受けづらく、空間部を正確に所定の設
定温度に保つことができる。また、この恒温槽は、イン
ターフェース部近傍における温度調整を以下のように行
う。熱電変換素子は、吸熱及び／又は放熱を行うので、
例えば恒温槽の外装の表面に設けて所定の通電すること
によってその外装の表面に結露を生ずることを防止する
ことができる。従って、恒温槽は、インターフェース部
近傍に結露を生じることを防止することができる。
【００１２】請求項３の発明は、請求項２の構成におい
て、前記熱電変換素子は、金属箔によって電気的にシー
ルドされた構造になっていることを特徴とする。
て、前記熱電変換素子は、金属箔によって電気的にシー
ルドされた構造になっていることを特徴とする。
【００１３】この請求項３の構成によれば、熱電変換素
子は、その全体で均一に発熱したり、吸熱することがで
きる。従って、恒温槽の空間部は、熱電変換素子によっ
て正確に均一に予め設定された温度にされる。また、熱
電変換素子は、金属箔によって電気的にシールドされて
いることから、それ以外の部分例えば恒温槽が設けられ
た所定の検査装置に対するノイズ対策を図ることができ
る。
子は、その全体で均一に発熱したり、吸熱することがで
きる。従って、恒温槽の空間部は、熱電変換素子によっ
て正確に均一に予め設定された温度にされる。また、熱
電変換素子は、金属箔によって電気的にシールドされて
いることから、それ以外の部分例えば恒温槽が設けられ
た所定の検査装置に対するノイズ対策を図ることができ
る。
【００１４】請求項４の発明は、外壁に包囲された空間
部を有する恒温槽であって、前記外壁の表面の温度が結
露する温度となったことを検知するための露点検知手段
と、前記露点検知手段の検知結果に基づいて前記外壁の
表面の温度を調整するための温度調整手段とを有するこ
とを特徴とする恒温槽。
部を有する恒温槽であって、前記外壁の表面の温度が結
露する温度となったことを検知するための露点検知手段
と、前記露点検知手段の検知結果に基づいて前記外壁の
表面の温度を調整するための温度調整手段とを有するこ
とを特徴とする恒温槽。
【００１５】この請求項４の構成によれば、例えば恒温
槽の空間部を低温にする際に、その外壁の表面の温度が
結露を生ずる温度となったことを露点検知手段によって
検知する。そして、温度調整手段は、露点検知手段の検
知結果に基づいて温度調整手段によって外壁の表面の温
度を調整する。従って、恒温槽は、その外壁の表面及
び、例えば空間部の温度を伝えるためのインターフェー
ス部に結露が生じないようにすることができる。恒温槽
は、その外壁の表面及びインターフェース部に結露を生
じないため、空間部の温度を正確に設定することができ
る。
槽の空間部を低温にする際に、その外壁の表面の温度が
結露を生ずる温度となったことを露点検知手段によって
検知する。そして、温度調整手段は、露点検知手段の検
知結果に基づいて温度調整手段によって外壁の表面の温
度を調整する。従って、恒温槽は、その外壁の表面及
び、例えば空間部の温度を伝えるためのインターフェー
ス部に結露が生じないようにすることができる。恒温槽
は、その外壁の表面及びインターフェース部に結露を生
じないため、空間部の温度を正確に設定することができ
る。
【００１６】請求項５の発明は、請求項１から４のいず
れかの構成において、ＩＣデバイスの電気的な検査を行
うための検査装置に設けられていることを特徴とする。
れかの構成において、ＩＣデバイスの電気的な検査を行
うための検査装置に設けられていることを特徴とする。
【００１７】この請求項５の構成によれば、検査装置
は、ＩＣデバイスを予め設定された温度にしてＩＣデバ
イスの電気的な検査を正確に行うことができる。
は、ＩＣデバイスを予め設定された温度にしてＩＣデバ
イスの電気的な検査を正確に行うことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を図面に基づいて説明する。
を図面に基づいて説明する。
【００１９】〔実施形態１〕図１は、本発明の第１実施
形態としての恒温槽１が設けられた検査装置１３の構成
例を示す透過斜視図である。
形態としての恒温槽１が設けられた検査装置１３の構成
例を示す透過斜視図である。
【００２０】検査装置１３は、例えばＩＣ（Ｉｎｔｅｇ
ｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｄｅｖｉｃｅ）デバイス
５９（半導体回路素子）の電気的な検査を行うための検
査装置である。検査装置１３は、例えばテストヘッド
７、パフォーマンスボード９、ソケットボード１１及び
チャンバ１（恒温槽）を備える。
ｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｄｅｖｉｃｅ）デバイス
５９（半導体回路素子）の電気的な検査を行うための検
査装置である。検査装置１３は、例えばテストヘッド
７、パフォーマンスボード９、ソケットボード１１及び
チャンバ１（恒温槽）を備える。
【００２１】テストヘッド７は、パフォーマンスボード
９及び所定の検査計測器（図示せず）に電気的に接続さ
れており、ソケット１２に配置されたＩＣデバイスの電
気的な検査を行うための検査信号及び制御信号を、パフ
ォーマンスボード９に対して与える機能を有する。テス
トヘッド７は、上述の検査計測器によって制御されてい
る。
９及び所定の検査計測器（図示せず）に電気的に接続さ
れており、ソケット１２に配置されたＩＣデバイスの電
気的な検査を行うための検査信号及び制御信号を、パフ
ォーマンスボード９に対して与える機能を有する。テス
トヘッド７は、上述の検査計測器によって制御されてい
る。
【００２２】パフォーマンスボード９は、テストヘッド
７上に設けられた平板状の配線基板である。パフォーマ
ンスボード９は、テストヘッド７及び、ソケットボード
１１のソケット１２と電気的に接続されており、ソケッ
ト１２に対してテストヘッド７からの検査信号等を与え
る。
７上に設けられた平板状の配線基板である。パフォーマ
ンスボード９は、テストヘッド７及び、ソケットボード
１１のソケット１２と電気的に接続されており、ソケッ
ト１２に対してテストヘッド７からの検査信号等を与え
る。
【００２３】ソケットボード１１は、パフォーマンスボ
ード９上で、パフォーマンスボード９と電気的に接続さ
れるように設けられた例えば略長方形の平板状の部材で
ある。ソケットボード１１の平板面ほぼ中央には、ＩＣ
デバイス５９の端子と電気的に接続しつつ、ＩＣデバイ
ス５９を着脱可能に保持するためのソケット１２が設け
られている。ソケット１２には、検査するＩＣデバイス
５９のそれぞれの端子に電気的に接触するための接点が
設けられている。ソケット１２には、ＩＣデバイス５９
がソケット１２に配された状態でＩＣデバイス５９の端
子がソケットの接点に確実に接触するようにするための
所定の機構が設けられている。ソケット１２は、ＩＣデ
バイス５９を保持しつつ、ＩＣデバイス５９に電気的に
接触するようにその端子や形状が決定される。
ード９上で、パフォーマンスボード９と電気的に接続さ
れるように設けられた例えば略長方形の平板状の部材で
ある。ソケットボード１１の平板面ほぼ中央には、ＩＣ
デバイス５９の端子と電気的に接続しつつ、ＩＣデバイ
ス５９を着脱可能に保持するためのソケット１２が設け
られている。ソケット１２には、検査するＩＣデバイス
５９のそれぞれの端子に電気的に接触するための接点が
設けられている。ソケット１２には、ＩＣデバイス５９
がソケット１２に配された状態でＩＣデバイス５９の端
子がソケットの接点に確実に接触するようにするための
所定の機構が設けられている。ソケット１２は、ＩＣデ
バイス５９を保持しつつ、ＩＣデバイス５９に電気的に
接触するようにその端子や形状が決定される。
【００２４】チャンバ１は、ソケット１２に配置された
ＩＣデバイス５９を上部から包囲するように設けられた
略立方体形状の部材である。以下、チャンバ１について
詳述する。
ＩＣデバイス５９を上部から包囲するように設けられた
略立方体形状の部材である。以下、チャンバ１について
詳述する。
【００２５】図２は、図１の検査装置１３におけるチャ
ンバ１の断面の一例を示す部分断面図である。
ンバ１の断面の一例を示す部分断面図である。
【００２６】チャンバ１は、例えばガラスウールやロッ
クウールを材質とする断熱材でなる外壁１７及び、その
外壁１７によって包囲された空間部２３を有する。ま
た、チャンバ１は、ソケットボード１１に面した外壁１
７の中央部に、例えば空間部２３から外壁１７の外部に
貫通する穴形状のインターフェース部２１が設けられて
いる。チャンバ１の空間部２３には、空間部２３を予め
設定された温度の循環流３ｂを循環させ、空間部２３を
予め設定された温度にするための恒温装置３が設けられ
ている。
クウールを材質とする断熱材でなる外壁１７及び、その
外壁１７によって包囲された空間部２３を有する。ま
た、チャンバ１は、ソケットボード１１に面した外壁１
７の中央部に、例えば空間部２３から外壁１７の外部に
貫通する穴形状のインターフェース部２１が設けられて
いる。チャンバ１の空間部２３には、空間部２３を予め
設定された温度の循環流３ｂを循環させ、空間部２３を
予め設定された温度にするための恒温装置３が設けられ
ている。
【００２７】このチャンバ１において特徴的なことは、
外壁１７には、空間でなる断熱性を有する真空層１５が
設けられていることである。
外壁１７には、空間でなる断熱性を有する真空層１５が
設けられていることである。
【００２８】真空層１５は、外壁１７の少なくとも１面
に設けられていればよく、好ましくは図２のように外壁
１７においてインターフェース部２１が設けられていな
い外壁１７全てと、インターフェース部２１を包囲する
ようにインターフェース部２１が設けられた外壁１７に
設けられている。この真空層１５は、好ましくは上部２
５や側部２９のように外壁１７を覆うように設けても良
いし、下部２７のように外壁１７においてインターフェ
ース部２１を避けるように設けても良い。
に設けられていればよく、好ましくは図２のように外壁
１７においてインターフェース部２１が設けられていな
い外壁１７全てと、インターフェース部２１を包囲する
ようにインターフェース部２１が設けられた外壁１７に
設けられている。この真空層１５は、好ましくは上部２
５や側部２９のように外壁１７を覆うように設けても良
いし、下部２７のように外壁１７においてインターフェ
ース部２１を避けるように設けても良い。
【００２９】チャンバ１は、外壁１７に真空層１５を設
けることによって、外壁１７が有する断熱性に加えて真
空層１５の断熱性が付加され、外壁１７の断熱性が向上
する。ここで、チャンバ１において真空層１５の断熱性
は、外壁１７のみの断熱性よりも効果が大きいので、チ
ャンバ１は、真空層１５を外壁１７に設けることによっ
て、その外壁１７の厚さを従来より薄くすることができ
る。
けることによって、外壁１７が有する断熱性に加えて真
空層１５の断熱性が付加され、外壁１７の断熱性が向上
する。ここで、チャンバ１において真空層１５の断熱性
は、外壁１７のみの断熱性よりも効果が大きいので、チ
ャンバ１は、真空層１５を外壁１７に設けることによっ
て、その外壁１７の厚さを従来より薄くすることができ
る。
【００３０】チャンバ１は、このように真空槽１５を外
壁１７に設けることによって、外壁１７の厚さを薄くし
て空間部２３を恒温に保つことができる。また、検査装
置１３は、外壁１７を薄い構造とすることで検査時にソ
ケット１２をインターフェース部２１の奥まで挿入させ
る必要がなく、ソケット１２とテストヘッド７との距離
を短くすることができる。従って、検査装置１３は、ソ
ケット１２とテストヘッド７とを接続するための配線を
短くすることができ、従来困難であった例えば高周波領
域でも正確にＩＣデバイス５９の動作を検査することが
できるようになる。また、検査装置１３は、このような
構成によってチャンバ１の小型化を図ることで、全体の
小型化を図ることもできる。
壁１７に設けることによって、外壁１７の厚さを薄くし
て空間部２３を恒温に保つことができる。また、検査装
置１３は、外壁１７を薄い構造とすることで検査時にソ
ケット１２をインターフェース部２１の奥まで挿入させ
る必要がなく、ソケット１２とテストヘッド７との距離
を短くすることができる。従って、検査装置１３は、ソ
ケット１２とテストヘッド７とを接続するための配線を
短くすることができ、従来困難であった例えば高周波領
域でも正確にＩＣデバイス５９の動作を検査することが
できるようになる。また、検査装置１３は、このような
構成によってチャンバ１の小型化を図ることで、全体の
小型化を図ることもできる。
【００３１】〔実施形態２〕図３は、本発明の第２実施
形態としての恒温槽１ａが設けられた検査装置１３ａの
断面の一例を示す部分断面図である。
形態としての恒温槽１ａが設けられた検査装置１３ａの
断面の一例を示す部分断面図である。
【００３２】検査装置１３ａでは、図１及び図２におけ
る検査装置１３と同一の符号を付した箇所は同じ構成で
あるから、異なる点についてのみ説明する。尚、図３に
おいては、チャンバ１ａ（恒温槽）の外壁１７に真空層
１５が設けられていないが、第１実施形態としてのチャ
ンバ１と同様に、図２のように外壁１７に真空層１５が
設けられていても良い。
る検査装置１３と同一の符号を付した箇所は同じ構成で
あるから、異なる点についてのみ説明する。尚、図３に
おいては、チャンバ１ａ（恒温槽）の外壁１７に真空層
１５が設けられていないが、第１実施形態としてのチャ
ンバ１と同様に、図２のように外壁１７に真空層１５が
設けられていても良い。
【００３３】チャンバ１ａにおいて特徴的なことは、外
壁１７におけるインターフェース部２１近傍に熱電変換
素子モジュール１９（熱電変換素子）が設けられている
ことである。この熱電変換素子モジュール１９は、例え
ば熱電変換素子であり、例えば図２のペルチエ素子１９
である。ペルチエ素子とは、例えば金属と半導体又は金
属同士が接合されてなり、これらに正方向又は逆方向に
電流を通ずるとこの接合部において熱の発生又は吸収が
生ずるペルチエ効果を利用した素子である。ペルチエ素
子１９は、このようなペルチエ素子の発熱及び吸熱特性
を利用して、インターフェース部２１近傍の温度調整を
行う。
壁１７におけるインターフェース部２１近傍に熱電変換
素子モジュール１９（熱電変換素子）が設けられている
ことである。この熱電変換素子モジュール１９は、例え
ば熱電変換素子であり、例えば図２のペルチエ素子１９
である。ペルチエ素子とは、例えば金属と半導体又は金
属同士が接合されてなり、これらに正方向又は逆方向に
電流を通ずるとこの接合部において熱の発生又は吸収が
生ずるペルチエ効果を利用した素子である。ペルチエ素
子１９は、このようなペルチエ素子の発熱及び吸熱特性
を利用して、インターフェース部２１近傍の温度調整を
行う。
【００３４】チャンバ１ａは、インターフェース部２１
近傍において、ペルチエ素子１９によって吸熱及び発熱
を急な温度勾配で行うことができるので、外壁１７の外
部の温度の影響を受けることがなく、外壁１７の厚さＷ
を薄くすることができる。チャンバ１ａは、その外壁１
７の厚さＷを例えばペルチエ素子１９の厚さとしてもよ
く、外壁１７の厚さＷを薄型化でき、チャンバ１ａは、
小型化することができる。
近傍において、ペルチエ素子１９によって吸熱及び発熱
を急な温度勾配で行うことができるので、外壁１７の外
部の温度の影響を受けることがなく、外壁１７の厚さＷ
を薄くすることができる。チャンバ１ａは、その外壁１
７の厚さＷを例えばペルチエ素子１９の厚さとしてもよ
く、外壁１７の厚さＷを薄型化でき、チャンバ１ａは、
小型化することができる。
【００３５】このペルチエ素子１９は、例えば図４のよ
うにＰ型半導体素子５１及びＮ型半導体素子５３が交互
に一定の間隔で配置されており、金属５５が、Ｐ型半導
体素子５１及びＮ型半導体素子５３を、それぞれの両端
が互いに交互に結合するように接合された状態で、その
金属５５に例えば絶縁シート６０（絶縁層）を介して例
えばアルミニウムやステンレススチール等を材質とする
金属箔４９が接合されている。従って、ペルチエ素子１
９は、例えば平板状の絶縁シート６０を介して２枚の金
属箔４９で挟み込まれているので、金属箔４９の一方の
面４９ａが発熱しつつ他方の面４９ｂが吸熱する。つま
り、ペルチエ素子１９は、例えば２枚の金属箔４９、４
９によって電気的にシールドされた構造となっている。
うにＰ型半導体素子５１及びＮ型半導体素子５３が交互
に一定の間隔で配置されており、金属５５が、Ｐ型半導
体素子５１及びＮ型半導体素子５３を、それぞれの両端
が互いに交互に結合するように接合された状態で、その
金属５５に例えば絶縁シート６０（絶縁層）を介して例
えばアルミニウムやステンレススチール等を材質とする
金属箔４９が接合されている。従って、ペルチエ素子１
９は、例えば平板状の絶縁シート６０を介して２枚の金
属箔４９で挟み込まれているので、金属箔４９の一方の
面４９ａが発熱しつつ他方の面４９ｂが吸熱する。つま
り、ペルチエ素子１９は、例えば２枚の金属箔４９、４
９によって電気的にシールドされた構造となっている。
【００３６】このように、ペルチエ素子１９が金属箔４
９、４９によってシールドされた構造となっていること
で、ペルチエ素子１９は、所定の通電によって一方の平
面４９ａにおいて均一に発熱しつつ他方の平面４９ｂに
おいて均一に吸熱したり、又はその逆にすることができ
る。
９、４９によってシールドされた構造となっていること
で、ペルチエ素子１９は、所定の通電によって一方の平
面４９ａにおいて均一に発熱しつつ他方の平面４９ｂに
おいて均一に吸熱したり、又はその逆にすることができ
る。
【００３７】ここで、図１の検査装置１３がＩＣデバイ
ス５９の電気的な検査を低温で行う場合には、図３のイ
ンターフェース部２１の内部側のペルチエ素子１９が吸
熱し、インターフェース部２１の内周面側のペルチエ素
子１９の面が発熱するように通電する。
ス５９の電気的な検査を低温で行う場合には、図３のイ
ンターフェース部２１の内部側のペルチエ素子１９が吸
熱し、インターフェース部２１の内周面側のペルチエ素
子１９の面が発熱するように通電する。
【００３８】一方、図１の検査装置１３がＩＣデバイス
５９の電気的な検査を高温で行う場合には、図３のイン
ターフェース部２１の内部側のペルチエ素子１９が発熱
し、インターフェース部２１の内周面側のペルチエ素子
１９の面が発熱するように通電する。
５９の電気的な検査を高温で行う場合には、図３のイン
ターフェース部２１の内部側のペルチエ素子１９が発熱
し、インターフェース部２１の内周面側のペルチエ素子
１９の面が発熱するように通電する。
【００３９】ペルチエ素子１９は、例えばテストヘッド
７の制御によって、恒温装置３が設定した空間部２３の
温度に合わせてインターフェース部２１周辺の温度を調
整することができる。ここで、インターフェース部２１
付近の温度調整が必要なのは、以下のような理由による
ものである。
７の制御によって、恒温装置３が設定した空間部２３の
温度に合わせてインターフェース部２１周辺の温度を調
整することができる。ここで、インターフェース部２１
付近の温度調整が必要なのは、以下のような理由による
ものである。
【００４０】図１のようにＩＣデバイス５９を検査装置
１３によって検査する場合には、上述のようにＩＣデバ
イス５９を所定の温度、例えば−５５℃〜１６０℃に振
ってそれぞれの温度において動作の検査を行う。このと
き、図３のインターフェース部２１は、恒温装置３によ
って空間部２３が恒温に設定されたチャンバ１ａによっ
て、恒温に設定されている。ＩＣデバイス５９は、ソケ
ット１２に配置されている状態で、検査時にチャンバ１
ａのインターフェース部２１が近傍に配置される。これ
により、ＩＣデバイス５９の温度は、インターフェース
部２１の温度に設定される。従って、インターフェース
２１近傍の温度設定は、ＩＣデバイス５９の検査の正確
性に極めて重要である。
１３によって検査する場合には、上述のようにＩＣデバ
イス５９を所定の温度、例えば−５５℃〜１６０℃に振
ってそれぞれの温度において動作の検査を行う。このと
き、図３のインターフェース部２１は、恒温装置３によ
って空間部２３が恒温に設定されたチャンバ１ａによっ
て、恒温に設定されている。ＩＣデバイス５９は、ソケ
ット１２に配置されている状態で、検査時にチャンバ１
ａのインターフェース部２１が近傍に配置される。これ
により、ＩＣデバイス５９の温度は、インターフェース
部２１の温度に設定される。従って、インターフェース
２１近傍の温度設定は、ＩＣデバイス５９の検査の正確
性に極めて重要である。
【００４１】このチャンバ１ａでは、インターフェース
部２１近傍に温度調整用のペルチエ素子１９が設けられ
ており、インターフェース部２１付近がソケットボード
１１が設けられているパフォーマンスボード９やテスト
ヘッド７側の温度の影響を受けることがない。従って、
ＩＣデバイス５９は、インターフェース部２１によって
所定の温度に正確に設定される。
部２１近傍に温度調整用のペルチエ素子１９が設けられ
ており、インターフェース部２１付近がソケットボード
１１が設けられているパフォーマンスボード９やテスト
ヘッド７側の温度の影響を受けることがない。従って、
ＩＣデバイス５９は、インターフェース部２１によって
所定の温度に正確に設定される。
【００４２】また、チャンバ１ａでは、このようなチャ
ンバ１ａのインターフェース部２１におけるペルチエ素
子１９のペルチエ素子自体の内部で発生する温度差によ
って、インターフェース部２１における外壁１７の厚さ
Ｗを従来の厚さＷ０より薄くすることができる。
ンバ１ａのインターフェース部２１におけるペルチエ素
子１９のペルチエ素子自体の内部で発生する温度差によ
って、インターフェース部２１における外壁１７の厚さ
Ｗを従来の厚さＷ０より薄くすることができる。
【００４３】〔配置例〕図５（Ａ）〜８（Ａ）は、それ
ぞれ図３のソケットボード１１のソケット１２に対する
外壁１７のペルチエ素子１９の配置例をＤ方向から見た
場合の様子を示す平面図であり、図５（Ｂ）〜８（Ｂ）
は、それぞれ図５（Ａ）〜８（Ａ）を側面から見た場合
の断面図である。
ぞれ図３のソケットボード１１のソケット１２に対する
外壁１７のペルチエ素子１９の配置例をＤ方向から見た
場合の様子を示す平面図であり、図５（Ｂ）〜８（Ｂ）
は、それぞれ図５（Ａ）〜８（Ａ）を側面から見た場合
の断面図である。
【００４４】図５（Ｂ）〜８（Ｂ）においては、それぞ
れペルチエ素子１９とソケットボード１１とは、熱伝導
を起こさない程度の間隔が設けられているものとする。
ソケットボード１１のソケット１２に対するチャンバ１
ａのインターフェース部２１におけるペルチエ素子１９
の配置例としては、以下のようなものが考えられる。
れペルチエ素子１９とソケットボード１１とは、熱伝導
を起こさない程度の間隔が設けられているものとする。
ソケットボード１１のソケット１２に対するチャンバ１
ａのインターフェース部２１におけるペルチエ素子１９
の配置例としては、以下のようなものが考えられる。
【００４５】〔配置例１〕図３のチャンバ１ａのインタ
ーフェース部２１近傍におけるペルチエ素子１９の第１
の配置例としては、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）のように
ソケット１２を挟んで対角に２つのペルチエ素子１９を
配置するようにしても良い。
ーフェース部２１近傍におけるペルチエ素子１９の第１
の配置例としては、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）のように
ソケット１２を挟んで対角に２つのペルチエ素子１９を
配置するようにしても良い。
【００４６】チャンバ１ａは、このようにペルチエ素子
１９を配置することで、ソケット１２近傍の保温性を高
めることができる。
１９を配置することで、ソケット１２近傍の保温性を高
めることができる。
【００４７】〔配置例２〕図３のチャンバ１ａのインタ
ーフェース部２１近傍におけるペルチエ素子１９の第２
の配置例としては、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）のように
ソケット１２の四方を包囲するように４つのペルチエ素
子１９を配置するようにしても良い。
ーフェース部２１近傍におけるペルチエ素子１９の第２
の配置例としては、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）のように
ソケット１２の四方を包囲するように４つのペルチエ素
子１９を配置するようにしても良い。
【００４８】チャンバ１ａは、このようにペルチエ素子
１９を配置することで、ソケット１２を包囲するペルチ
エ素子１９同士の隙間を第１の配置例より小さくするこ
とができるので、配置例１と比較してソケット１２近傍
の保温性を更に高めることができる。
１９を配置することで、ソケット１２を包囲するペルチ
エ素子１９同士の隙間を第１の配置例より小さくするこ
とができるので、配置例１と比較してソケット１２近傍
の保温性を更に高めることができる。
【００４９】〔配置例３〕図３のチャンバ１ａのインタ
ーフェース部２１近傍におけるペルチエ素子１９の第３
の配置例としては、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）のように
ソケット１２の八方を包囲するように８つのペルチエ素
子１９を配置するようにしても良い。
ーフェース部２１近傍におけるペルチエ素子１９の第３
の配置例としては、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）のように
ソケット１２の八方を包囲するように８つのペルチエ素
子１９を配置するようにしても良い。
【００５０】チャンバ１ａは、このようにペルチエ素子
１９を配置することで、ソケット１２を包囲するペルチ
エ素子１９同士の隙間を第２の配置例より小さくするこ
とができるので、配置例２と比較してソケット１２近傍
の保温性を更に高めることができる。
１９を配置することで、ソケット１２を包囲するペルチ
エ素子１９同士の隙間を第２の配置例より小さくするこ
とができるので、配置例２と比較してソケット１２近傍
の保温性を更に高めることができる。
【００５１】〔配置例４〕図３のチャンバ１ａのインタ
ーフェース部２１近傍におけるペルチエ素子１９の第４
の配置例としては、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）のように
例えばつぶれた円筒形状のペルチエ素子１９の内周面で
ソケット１２を包囲するように配置するようにしても良
い。
ーフェース部２１近傍におけるペルチエ素子１９の第４
の配置例としては、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）のように
例えばつぶれた円筒形状のペルチエ素子１９の内周面で
ソケット１２を包囲するように配置するようにしても良
い。
【００５２】チャンバ１ａは、このようにペルチエ素子
１９を配置することで、ソケット１２を包囲するペルチ
エ素子１９同士の隙間がなくなるので、配置例３と比較
してソケット１２近傍の保温性を更に高めることができ
る。
１９を配置することで、ソケット１２を包囲するペルチ
エ素子１９同士の隙間がなくなるので、配置例３と比較
してソケット１２近傍の保温性を更に高めることができ
る。
【００５３】〔配置例５〕図３のチャンバ１ａのインタ
ーフェース部２１近傍におけるペルチエ素子１９の第５
の配置例としては、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）のように
例えばつぶれた角柱形状のペルチエ素子１９の内周面で
ソケット１２を包囲するように配置するようにしても良
い。
ーフェース部２１近傍におけるペルチエ素子１９の第５
の配置例としては、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）のように
例えばつぶれた角柱形状のペルチエ素子１９の内周面で
ソケット１２を包囲するように配置するようにしても良
い。
【００５４】チャンバ１ａは、このようにペルチエ素子
１９を配置することで、ソケット１２とペルチエ素子１
９との間を小さくすることができることで、配置例４と
比較してソケット１２近傍の保温性を更に高めることが
できる。
１９を配置することで、ソケット１２とペルチエ素子１
９との間を小さくすることができることで、配置例４と
比較してソケット１２近傍の保温性を更に高めることが
できる。
【００５５】〔実施形態３〕図１０は、本発明の第３実
施形態としての恒温槽１ｂが設けられた検査装置１３ｂ
の断面の一例を示す部分断面図である。
施形態としての恒温槽１ｂが設けられた検査装置１３ｂ
の断面の一例を示す部分断面図である。
【００５６】検査装置１３ｂでは、図１及び図２におい
て第１実施形態としての検査装置１３と同一の符号を付
した箇所は同じ構成であるから、異なる点についてのみ
説明する。尚、図１０においては、チャンバ１ｂ（恒温
槽）の外壁１７に真空層１５が設けられていないが、第
１実施形態としてのチャンバ１と同様に、図２のように
外壁１７に真空層１５が設けられていても良い。
て第１実施形態としての検査装置１３と同一の符号を付
した箇所は同じ構成であるから、異なる点についてのみ
説明する。尚、図１０においては、チャンバ１ｂ（恒温
槽）の外壁１７に真空層１５が設けられていないが、第
１実施形態としてのチャンバ１と同様に、図２のように
外壁１７に真空層１５が設けられていても良い。
【００５７】チャンバ１ｂは、図１０のように外壁１７
に露点温度検出センサ３１（露点検出手段）が設けられ
ている。露点温度検出センサ３１は、例えば外壁１７に
おけるインターフェース部２１近傍に設けてもよい。露
点温度検出センサ３１は、例えば温度センサ及び湿度セ
ンサを有し、例えばチャンバ１ｂの外装１７の表面の温
度及び湿度から結露する温度を検知する。
に露点温度検出センサ３１（露点検出手段）が設けられ
ている。露点温度検出センサ３１は、例えば外壁１７に
おけるインターフェース部２１近傍に設けてもよい。露
点温度検出センサ３１は、例えば温度センサ及び湿度セ
ンサを有し、例えばチャンバ１ｂの外装１７の表面の温
度及び湿度から結露する温度を検知する。
【００５８】露点温度検出センサ３１は、例えばＲＳ４
８５やＲＳ４２２ケーブル通信手段によって外壁表面加
熱部５８（外壁表面加熱手段）と接続されている。尚、
この露点温度検出センサ３１は、例えば外壁１７の表面
温度を計測するための温度センサでも良い。
８５やＲＳ４２２ケーブル通信手段によって外壁表面加
熱部５８（外壁表面加熱手段）と接続されている。尚、
この露点温度検出センサ３１は、例えば外壁１７の表面
温度を計測するための温度センサでも良い。
【００５９】外壁表面加熱部５８は、例えば外壁１７の
表面を少なくとも一部、好ましくは全体を覆うようなシ
ート状のヒータや後述するようなペルチエ素子等を有す
る熱電変換素子モジュールで構成しても良い。
表面を少なくとも一部、好ましくは全体を覆うようなシ
ート状のヒータや後述するようなペルチエ素子等を有す
る熱電変換素子モジュールで構成しても良い。
【００６０】検査装置１３によってＩＣデバイス５９を
例えば低温で検査している場合には、恒温装置３がチャ
ンバ１の内部２３を例えば低温になるように動作する。
チャンバ１ｂの空間部２３には、恒温装置３によって所
定の設定温度とされた循環流３ｂがその空間部２３に循
環され、インターフェース部２１を包含する空間部２３
全ての場所が均一に設定温度となるようにされている。
例えば低温で検査している場合には、恒温装置３がチャ
ンバ１の内部２３を例えば低温になるように動作する。
チャンバ１ｂの空間部２３には、恒温装置３によって所
定の設定温度とされた循環流３ｂがその空間部２３に循
環され、インターフェース部２１を包含する空間部２３
全ての場所が均一に設定温度となるようにされている。
【００６１】チャンバ１ｂの内部２３が恒温装置３によ
って冷却されると、外壁１７の表面は結露を生じそうに
なる。このとき、露点温度検出センサ３１等は、外壁１
７の表面の温度が結露する温度であることを検出する
と、外壁表面加熱部５８に対して所定の通電を行って外
壁１７の表面の温度を調整する。尚、この説明では、外
壁１７の表面に外壁表面加熱部５８が設けられている
が、その代わりに外装１７自体を例えばとして上述のペ
ルチエ素子１９と同様の構成でなるペルチエ素子等を有
する熱電変換素子モジュールで構成するようにしても良
い。
って冷却されると、外壁１７の表面は結露を生じそうに
なる。このとき、露点温度検出センサ３１等は、外壁１
７の表面の温度が結露する温度であることを検出する
と、外壁表面加熱部５８に対して所定の通電を行って外
壁１７の表面の温度を調整する。尚、この説明では、外
壁１７の表面に外壁表面加熱部５８が設けられている
が、その代わりに外装１７自体を例えばとして上述のペ
ルチエ素子１９と同様の構成でなるペルチエ素子等を有
する熱電変換素子モジュールで構成するようにしても良
い。
【００６２】従って、このチャンバ１ｂは、例えば外壁
１７の表面に結露を生じないようにすることができる。
チャンバ１ｂは、その外壁１７の表面に結露を生じなく
することができるため、空間部２３の温度を恒温装置３
によって正確に設定することができる。また、チャンバ
１ｂは、例えばインターフェース部２１及び空間部２３
並びに／又は、計測器側としてのソケットボード１１、
パフォーマンスボード９及びテストヘッド７側等にも結
露を生じないように制御することができる。
１７の表面に結露を生じないようにすることができる。
チャンバ１ｂは、その外壁１７の表面に結露を生じなく
することができるため、空間部２３の温度を恒温装置３
によって正確に設定することができる。また、チャンバ
１ｂは、例えばインターフェース部２１及び空間部２３
並びに／又は、計測器側としてのソケットボード１１、
パフォーマンスボード９及びテストヘッド７側等にも結
露を生じないように制御することができる。
【００６３】本発明は、上記実施の形態に限定されず、
特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の変更を行うこ
とができる。
特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の変更を行うこ
とができる。
【００６４】例えば、恒温槽は、第２実施形態としての
恒温槽（チャンバ１ａ）の構成及び第３実施形態として
の恒温槽（チャンバ１ｂ）の構成を組み合わせた形態で
も良い。
恒温槽（チャンバ１ａ）の構成及び第３実施形態として
の恒温槽（チャンバ１ｂ）の構成を組み合わせた形態で
も良い。
【００６５】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、恒温槽の空間
部は、外壁に設けられた真空槽の断熱機能によって外部
の温度の影響を受けることがないので、その空間部を正
確に恒温に保つことができる。よって、恒温槽は、外壁
に設けられた真空槽の断熱機能によって、外壁の厚さを
従来より薄くすることができ、小型化を図ることができ
る。
部は、外壁に設けられた真空槽の断熱機能によって外部
の温度の影響を受けることがないので、その空間部を正
確に恒温に保つことができる。よって、恒温槽は、外壁
に設けられた真空槽の断熱機能によって、外壁の厚さを
従来より薄くすることができ、小型化を図ることができ
る。
【００６６】請求項２の発明によれば、恒温槽は、イン
ターフェース部近傍における温度を調整することができ
るので外部の温度の影響を受けづらく、空間部を正確に
所定の設定温度に保つことができる。また、この恒温槽
は、インターフェース部近傍における温度調整を以下の
ように行う。熱電変換素子は、吸熱及び／又は放熱を行
うので、例えば恒温槽の外装の表面に設けて所定の通電
することによってその外装の表面に結露を生ずることを
防止することができる。従って、恒温槽は、インターフ
ェース部近傍に結露を生じることを防止することができ
る。
ターフェース部近傍における温度を調整することができ
るので外部の温度の影響を受けづらく、空間部を正確に
所定の設定温度に保つことができる。また、この恒温槽
は、インターフェース部近傍における温度調整を以下の
ように行う。熱電変換素子は、吸熱及び／又は放熱を行
うので、例えば恒温槽の外装の表面に設けて所定の通電
することによってその外装の表面に結露を生ずることを
防止することができる。従って、恒温槽は、インターフ
ェース部近傍に結露を生じることを防止することができ
る。
【００６７】請求項３の発明によれば、熱電変換素子
は、その全体で均一に発熱したり、吸熱することができ
る。従って、恒温槽の空間部は、熱電変換素子によって
正確に均一に予め設定された温度にされる。また、熱電
変換素子は、金属箔によって電気的にシールドされてい
ることから、それ以外の部分例えば恒温槽が設けられた
所定の検査装置に対するノイズ対策を図ることができ
る。
は、その全体で均一に発熱したり、吸熱することができ
る。従って、恒温槽の空間部は、熱電変換素子によって
正確に均一に予め設定された温度にされる。また、熱電
変換素子は、金属箔によって電気的にシールドされてい
ることから、それ以外の部分例えば恒温槽が設けられた
所定の検査装置に対するノイズ対策を図ることができ
る。
【００６８】請求項４の発明によれば、恒温槽は、その
外壁の表面に結露が生じないようにすることができる。
恒温槽は、その外壁の表面に結露を生じないため、空間
部の温度を正確に設定することができる。
外壁の表面に結露が生じないようにすることができる。
恒温槽は、その外壁の表面に結露を生じないため、空間
部の温度を正確に設定することができる。
【００６９】請求項５の発明によれば、検査装置は、Ｉ
Ｃデバイスを予め設定された温度にしてＩＣデバイスの
電気的な検査を正確に行うことができる。
Ｃデバイスを予め設定された温度にしてＩＣデバイスの
電気的な検査を正確に行うことができる。
【図１】本発明の第１実施形態としての恒温槽が設けら
れた検査装置の構成例を示す透過斜視図。
れた検査装置の構成例を示す透過斜視図。
【図２】図１の検査装置における恒温槽の断面の一例を
示す部分断面図。
示す部分断面図。
【図３】本発明の第２実施形態としての恒温槽が設けら
れた検査装置の断面の一例を示す部分断面図。
れた検査装置の断面の一例を示す部分断面図。
【図４】図３のペルチエ素子の構成例を示す断面図。
【図５】図３のソケットボードのソケットに対する外壁
のペルチエ素子の配置例をＤ方向から見た場合の様子を
示す平面図及び側面断面図。
のペルチエ素子の配置例をＤ方向から見た場合の様子を
示す平面図及び側面断面図。
【図６】図３のソケットボードのソケットに対する外壁
のペルチエ素子の配置例をＤ方向から見た場合の様子を
示す平面図及び側面断面図。
のペルチエ素子の配置例をＤ方向から見た場合の様子を
示す平面図及び側面断面図。
【図７】図３のソケットボードのソケットに対する外壁
のペルチエ素子の配置例をＤ方向から見た場合の様子を
示す平面図及び側面断面図。
のペルチエ素子の配置例をＤ方向から見た場合の様子を
示す平面図及び側面断面図。
【図８】図３のソケットボードのソケットに対する外壁
のペルチエ素子の配置例をＤ方向から見た場合の様子を
示す平面図及び側面断面図。
のペルチエ素子の配置例をＤ方向から見た場合の様子を
示す平面図及び側面断面図。
【図９】図３のソケットボードのソケットに対する外壁
のペルチエ素子の配置例をＤ方向から見た場合の様子を
示す平面図及び側面断面図。
のペルチエ素子の配置例をＤ方向から見た場合の様子を
示す平面図及び側面断面図。
【図１０】本発明の第３実施形態としての恒温槽が設け
られた検査装置の断面の一例を示す部分断面図。
られた検査装置の断面の一例を示す部分断面図。
【図１１】従来の恒温槽が設けられた検査装置の断面の
一例を示す部分断面図。
一例を示す部分断面図。
１ チャンバ（恒温槽） １ａ チャンバ（恒温槽） １ｂ チャンバ（恒温槽） ３ 恒温装置（温度調整手段） １３ 検査装置 １３ａ 検査装置 １３ｂ 検査装置 １５ 真空層 １７ 外壁 １９ ペルチエ素子（熱電変換素子） ２１ インターフェース部 ２３ 空間部 ３１ 露点温度検出センサ（露点検出手段） ３３ ペルチエ素子（温度調整手段） ５９ ＩＣデバイス
Claims (5)
- 【請求項１】 外壁に包囲された空間部を有する恒温槽
であって、 前記外壁は、その内部に断熱機能を有し、前記空間部を
恒温に保つための真空層が設けられていることを特徴と
する恒温槽。 - 【請求項２】 外壁に包囲された空間部を有する恒温槽
であって、 前記外壁に設けられており、前記空間部の温度を伝える
ためのインターフェース部と、 前記インターフェース部近傍に設けられており、前記イ
ンターフェース部近傍を前記空間部の温度に調整するた
めの熱電変換素子とを有することを特徴とする恒温槽。 - 【請求項３】 前記熱電変換素子は、金属箔によって電
気的にシールドされた構造になっている請求項２に記載
の恒温槽。 - 【請求項４】 外壁に包囲された空間部を有する恒温槽
であって、 前記外壁の表面の温度が結露する温度となったことを検
知するための露点検知手段と、 前記露点検知手段の検知結果に基づいて前記外壁の表面
の温度を調整するための温度調整手段とを有することを
特徴とする恒温槽。 - 【請求項５】 ＩＣデバイスの電気的な検査を行うため
の検査装置に設けられている請求項１から５のいずれか
に記載の恒温槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002096564A1 (en) * | 2001-05-22 | 2002-12-05 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Method and device for stabilizing length of engineering material using thermophysical characteristic of gallium |
| KR20040068685A (ko) * | 2003-01-27 | 2004-08-02 | 주식회사 디엠에스 | 액정 표시 소자용 기판 처리 장치 |
| CN102360045A (zh) * | 2011-06-21 | 2012-02-22 | 北京圣涛平北科检测技术有限公司 | 功率器件热真空试验方法 |
| KR101132772B1 (ko) | 2010-02-05 | 2012-04-06 | 한국표준과학연구원 | 열제어 모듈 및 이를 포함하는 항온조 모듈 |
| JP2014531041A (ja) * | 2011-10-28 | 2014-11-20 | シリコン・バイオシステムズ・ソシエタ・ペル・アチオニ | 粒子の光学分析を低温で行うための方法および装置 |
| CN106292786A (zh) * | 2015-06-02 | 2017-01-04 | 英属开曼群岛商精曜有限公司 | 降压方法及其降压设备 |
| US9581528B2 (en) | 2006-03-27 | 2017-02-28 | Menarini Silicon Biosystems S.P.A. | Method and apparatus for the processing and/or analysis and/or selection of particles, in particular, biological particles |
| US9719960B2 (en) | 2005-07-19 | 2017-08-01 | Menarini Silicon Biosystems S.P.A. | Method and apparatus for the manipulation and/or the detection of particles |
| US10234447B2 (en) | 2008-11-04 | 2019-03-19 | Menarini Silicon Biosystems S.P.A. | Method for identification, selection and analysis of tumour cells |
| US10376878B2 (en) | 2011-12-28 | 2019-08-13 | Menarini Silicon Biosystems S.P.A. | Devices, apparatus, kit and method for treating a biological sample |
| EP3588237A4 (en) * | 2017-12-08 | 2020-12-09 | Dongguan City Simplewell Technology Co., Ltd. | ANTI-CONDENSATION SYSTEM FOR ELECTRONIC COOLING AND ANTI-CONDENSATION PROCESS FOR IT |
| US10895575B2 (en) | 2008-11-04 | 2021-01-19 | Menarini Silicon Biosystems S.P.A. | Method for identification, selection and analysis of tumour cells |
-
1999
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Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002096564A1 (en) * | 2001-05-22 | 2002-12-05 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Method and device for stabilizing length of engineering material using thermophysical characteristic of gallium |
| KR20040068685A (ko) * | 2003-01-27 | 2004-08-02 | 주식회사 디엠에스 | 액정 표시 소자용 기판 처리 장치 |
| US9719960B2 (en) | 2005-07-19 | 2017-08-01 | Menarini Silicon Biosystems S.P.A. | Method and apparatus for the manipulation and/or the detection of particles |
| US9581528B2 (en) | 2006-03-27 | 2017-02-28 | Menarini Silicon Biosystems S.P.A. | Method and apparatus for the processing and/or analysis and/or selection of particles, in particular, biological particles |
| US10092904B2 (en) | 2006-03-27 | 2018-10-09 | Menarini Silicon Biosystems S.P.A. | Method and apparatus for the processing and/or analysis and/or selection of particles, in particular biological particles |
| US10234447B2 (en) | 2008-11-04 | 2019-03-19 | Menarini Silicon Biosystems S.P.A. | Method for identification, selection and analysis of tumour cells |
| US10895575B2 (en) | 2008-11-04 | 2021-01-19 | Menarini Silicon Biosystems S.P.A. | Method for identification, selection and analysis of tumour cells |
| KR101132772B1 (ko) | 2010-02-05 | 2012-04-06 | 한국표준과학연구원 | 열제어 모듈 및 이를 포함하는 항온조 모듈 |
| CN102360045A (zh) * | 2011-06-21 | 2012-02-22 | 北京圣涛平北科检测技术有限公司 | 功率器件热真空试验方法 |
| JP2014531041A (ja) * | 2011-10-28 | 2014-11-20 | シリコン・バイオシステムズ・ソシエタ・ペル・アチオニ | 粒子の光学分析を低温で行うための方法および装置 |
| US11921028B2 (en) | 2011-10-28 | 2024-03-05 | Menarini Silicon Biosystems S.P.A. | Method and device for optical analysis of particles at low temperatures |
| US10376878B2 (en) | 2011-12-28 | 2019-08-13 | Menarini Silicon Biosystems S.P.A. | Devices, apparatus, kit and method for treating a biological sample |
| CN106292786A (zh) * | 2015-06-02 | 2017-01-04 | 英属开曼群岛商精曜有限公司 | 降压方法及其降压设备 |
| EP3588237A4 (en) * | 2017-12-08 | 2020-12-09 | Dongguan City Simplewell Technology Co., Ltd. | ANTI-CONDENSATION SYSTEM FOR ELECTRONIC COOLING AND ANTI-CONDENSATION PROCESS FOR IT |
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