JP4825812B2 - 温度を調整可能なチャック装置を用いた半導体ウエハ検査方法および装置 - Google Patents
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Description
1a…上方領域
1b…中央領域
1c…下方領域
AF…保持面
5…半導体ウエハ
R…後面
O…前面
CH…チップ領域
11a,11b,11c…冷却装置
7’,7’a…プローブカード
91,92…プローブ
TV…検査装置
TS1…第1の温度記録装置
120,121…赤外線温度計
TS5,TS6…第2および第3の温度記録装置(実施形態における第5および第6温度記録装置)
PW…加熱電力
HE…電気加熱装置
F…液体
Tin…入力温度
Tout…出力温度
PT…検査電力
PK…冷却能力
Claims (12)
- 温度調整されたクランプ装置によって半導体ウエハ(5)を検査する方法であって、
予め定義された検査電力(PT)より実質的に大きい予め定義された加熱電力(PW)を有する電気加熱装置(HE)および液体(F)が冷却のために通過することにより予め定義された冷却能力を有する冷却装置(11a,11b,11c)を用いて、クランプ装置(1)の温度を予め決められた測定温度に制御する工程と、
温度調整された前記クランプ装置(1)の保持面(AF)上に前記半導体ウエハ(5)の後面(R)を設置する工程と、
前記半導体ウエハ(5)の前面(O)上にプローブカード(7’,7’a)を配置する工程と、
前記プローブカード(7’,7’a)に配置されたプローブ(91,92)によって前記半導体ウエハ(5)の前面(O)のチップ領域(CH)に検査装置(TV)から検査電力(PT)を印加することにより、前記半導体ウエハ(5)を検査する工程と、
検査中における前記液体(F)の前記検査電力(PT)に応じた温度上昇を記録する工程と、
検査中に記録された前記液体(F)の温度上昇を考慮して、略一定の冷却能力(PK)のままで、検査中における前記加熱電力(PW)を減少させる工程とを含むことを特徴とする方法。 - 前記液体の前記温度上昇は、前記検査中の冷却のために前記冷却装置(11a,11b,11c)により前記クランプ装置(1)に供給される前記液体(F)の入力温度(Tin)および出力温度(Tout)を記録する第2および第3の温度記録装置(TS5,TS6)からの信号を考慮して記録されることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記加熱電力(PW)は、検査中、非接触で前記チップ領域(CH)の温度を記録する第1の温度記録装置(TS1)からの信号によって記録された前記チップ領域(CH)における温度上昇を考慮して減少されることを特徴とする請求項1または2記載の方法。
- 前記第1の温度記録装置(TS1)は、赤外線温度計(120,121)を備えていることを特徴とする請求項3記載の方法。
- 前記クランプ装置(1)は、上方領域(1a)、中央領域(1b)および下方領域(1c)を有し、前記上方領域(1a)は、前記半導体ウエハ(5)の後面(R)に接触する保持面(AF)を有し、前記中央領域(1b)は、前記加熱装置(HE)を有し、前記下方領域(1c)は、前記冷却装置(11a,11b,11c)を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- 前記検査電力(PT)は、100〜数百ワットオーダの大きさであり、前記加熱電力(PW)は、1〜数キロワットオーダの大きさであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
- 温度調整されたクランプ装置によって半導体ウエハ(5)を検査する装置であって、
予め定義された検査電力(PT)より実質的に大きい予め定義された加熱電力(PW)を有する電気加熱装置(HE)および液体(F)が冷却のために通過することにより予め定義された冷却能力を有する冷却装置(11a,11b,11c)を用いて、クランプ装置(1)の温度を予め決められた測定温度に制御する温度制御装置と、
前記プローブカード(7’,7’a)のプローブ(91,92)によって前記半導体ウエハ(5)の前面(O)のチップ領域(CH)に検査電力(PT)を印加することにより、前記半導体ウエハ(5)を検査する検査装置(TV)と、
検査中における前記液体(F)の前記検査電力(PT)に応じた温度上昇を記録する温度記録装置(TS5,TS6)とを具備し、
前記温度制御装置は、前記検査中において記録された前記液体(F)の温度上昇を考慮して、略一定の冷却能力(PK)のままで前記検査中における前記加熱電力(PW)が減少されるように構成されていることを特徴とする装置。 - 前記液体の前記温度上昇は、前記検査中の冷却のために前記冷却装置(11a,11b,11c)により前記クランプ装置(1)に供給される前記液体(F)の入力温度(Tin)および出力温度(Tout)を記録する第2および第3の温度記録装置(TS5,TS6)からの信号を考慮して、前記温度記録装置(TS5,TS6)によって記録可能とされることを特徴とする請求項7記載の装置。
- 前記加熱電力(PW)は、検査中、非接触で前記チップ領域(CH)の温度を記録する第1の温度記録装置(TS1)からの信号によって記録された前記チップ領域(CH)における温度上昇を考慮して、減少させ得ることを特徴とする請求項7または8記載の装置。
- 前記第1の温度記録装置(TS1)は、赤外線温度計(120,121)を備えていることを特徴とする請求項9記載の装置。
- 前記クランプ装置(1)は、上方領域(1a)、中央領域(1b)および下方領域(1c)を有し、前記上方領域(1a)は、前記半導体ウエハ(5)の後面(R)に接触する保持面(AF)を有し、前記中央領域(1b)は、前記加熱装置(HE)を有し、前記下方領域(1c)は、前記冷却装置(11a,11b,11c)を有することを特徴とする請求項7〜10のいずれかに記載の装置。
- 前記検査電力(PT)は、100〜数百ワットオーダの大きさであり、前記加熱電力(PW)は、1〜数キロワットオーダの大きさであることを特徴とする請求項7〜11のいずれかに記載の装置。
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