JP2000286183A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置Info
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- JP2000286183A JP2000286183A JP9037999A JP9037999A JP2000286183A JP 2000286183 A JP2000286183 A JP 2000286183A JP 9037999 A JP9037999 A JP 9037999A JP 9037999 A JP9037999 A JP 9037999A JP 2000286183 A JP2000286183 A JP 2000286183A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スループットの低下を招かずに、効率良く基
板処理ができる基板処理装置を提供する。 【解決手段】 基板ＷがクーリングプレートＣＰに搬入
され、基板ＷがクーリングプレートＣＰの冷却プレート
２４０上面に支持載置され、カバー２３０、エアガイド
カバー２２０が下降し、冷却プレート２４０上にほぼ閉
じた空間ＤＳを形成した後、基板Ｗの冷却工程が開始さ
れる。給気管１２０ａから純水成分を含んだ霧状のエア
の噴霧が行なうことで基板Ｗ表面を水滴で覆う親水化処
理工程が開始される。所定の時間の後、基板Ｗは現像処
理部ＳＤへと搬出される。結果、一つのクーリングプレ
ート内で現像前処理が行なわれるので、スループットの
低下を招かずに、効率良く基板処理ができる。
板処理ができる基板処理装置を提供する。 【解決手段】 基板ＷがクーリングプレートＣＰに搬入
され、基板ＷがクーリングプレートＣＰの冷却プレート
２４０上面に支持載置され、カバー２３０、エアガイド
カバー２２０が下降し、冷却プレート２４０上にほぼ閉
じた空間ＤＳを形成した後、基板Ｗの冷却工程が開始さ
れる。給気管１２０ａから純水成分を含んだ霧状のエア
の噴霧が行なうことで基板Ｗ表面を水滴で覆う親水化処
理工程が開始される。所定の時間の後、基板Ｗは現像処
理部ＳＤへと搬出される。結果、一つのクーリングプレ
ート内で現像前処理が行なわれるので、スループットの
低下を招かずに、効率良く基板処理ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レジストが塗布された
半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示
装置用のガラス基板、光ディスク用の基板などの各種の
基板の処理方法および処理装置に係り、特に、基板の現
像処理に先立って基板表面を処理液で処理する技術に関
する。
半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示
装置用のガラス基板、光ディスク用の基板などの各種の
基板の処理方法および処理装置に係り、特に、基板の現
像処理に先立って基板表面を処理液で処理する技術に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の基板処理方法を半導体ウエハの製
造工程を例に採って説明する。
造工程を例に採って説明する。
【０００３】フォトレジストが塗布された半導体ウエハ
（以下、単に「基板」とする）は、露光工程において回
路パターンが露光される。露光された基板は現像工程に
送られる。現像工程においては、基板の現像処理を行な
う前にプリウェット処理と呼ばれる、基板上に塗布され
たレジスト膜表面の親水化処理が行なわれる。このプリ
ウェット処理は、フォトレジストが塗布された基板表面
に例えば純水を供給することにより行われる。基板表面
を親水性にすることにより、後の現像処理において、基
板表面と現像液のなじみを良くして、現像液の弾きを防
止するとともに、現像液中の微少な気泡が基板表面に付
着して現像欠陥が発生するのを防止している。
（以下、単に「基板」とする）は、露光工程において回
路パターンが露光される。露光された基板は現像工程に
送られる。現像工程においては、基板の現像処理を行な
う前にプリウェット処理と呼ばれる、基板上に塗布され
たレジスト膜表面の親水化処理が行なわれる。このプリ
ウェット処理は、フォトレジストが塗布された基板表面
に例えば純水を供給することにより行われる。基板表面
を親水性にすることにより、後の現像処理において、基
板表面と現像液のなじみを良くして、現像液の弾きを防
止するとともに、現像液中の微少な気泡が基板表面に付
着して現像欠陥が発生するのを防止している。
【０００４】一般的な基板現像装置には、基板を水平姿
勢に保持して回転させるスピンチャックの近傍に、純水
を供給する純水供給ノズルと、現像液を供給する現像液
供給ノズルとが備えられている。スピンチャック上に基
板が移載されるとスピンチャックが回転し、回転してい
る基板の表面に純水供給ノズルから純水が供給されると
ともに、スピンチャックの回転に伴って基板Ｗ上の余剰
の純水が振り切られる。このプリウェット処理に続い
て、現像液供給ノズルから基板表面の現像液が供給され
て現像処理が行われる。現像処理後、純水供給ノズルか
ら基板表面に純水が供給されて洗浄処理を行った後、基
板を高速回転させて基板を乾燥させる。
勢に保持して回転させるスピンチャックの近傍に、純水
を供給する純水供給ノズルと、現像液を供給する現像液
供給ノズルとが備えられている。スピンチャック上に基
板が移載されるとスピンチャックが回転し、回転してい
る基板の表面に純水供給ノズルから純水が供給されると
ともに、スピンチャックの回転に伴って基板Ｗ上の余剰
の純水が振り切られる。このプリウェット処理に続い
て、現像液供給ノズルから基板表面の現像液が供給され
て現像処理が行われる。現像処理後、純水供給ノズルか
ら基板表面に純水が供給されて洗浄処理を行った後、基
板を高速回転させて基板を乾燥させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし従来の技術で
は、上記現像処理前の純水の供給後、その余剰純水の振
り切られる工程の時間が浪費され、処理全体の効率を下
げる傾向にある。つまり、純水の供給、その後の余剰純
水の振り切りだけでなく、それに付随して行われる純水
ノズルの待機位置から供給位置、供給位置から待機位置
への移動時間、さらに純水の飛散防止ために相対的に昇
降するカップとスピンチャックの昇降時間がどうしても
必要であり、結果スループットの低下を招いていた。
は、上記現像処理前の純水の供給後、その余剰純水の振
り切られる工程の時間が浪費され、処理全体の効率を下
げる傾向にある。つまり、純水の供給、その後の余剰純
水の振り切りだけでなく、それに付随して行われる純水
ノズルの待機位置から供給位置、供給位置から待機位置
への移動時間、さらに純水の飛散防止ために相対的に昇
降するカップとスピンチャックの昇降時間がどうしても
必要であり、結果スループットの低下を招いていた。
【０００６】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、スループットの低下を招かずに、効率良く基板
処理ができる基板処理装置を提供することを目的とす
る。
であり、スループットの低下を招かずに、効率良く基板
処理ができる基板処理装置を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決する為
に、請求項１に係る発明は、基板処理方法であって、基
板を冷却する冷却工程と、基板表面を親水化処理する親
水化処理工程を一つの筐体内で行なうようにした方法で
ある。
に、請求項１に係る発明は、基板処理方法であって、基
板を冷却する冷却工程と、基板表面を親水化処理する親
水化処理工程を一つの筐体内で行なうようにした方法で
ある。
【０００８】また請求項２に係る発明は、請求項１に記
載された基板処理方法において、冷却工程と、親水化処
理工程は現像処理工程前に行なうものである。
載された基板処理方法において、冷却工程と、親水化処
理工程は現像処理工程前に行なうものである。
【０００９】更に請求項３に係る発明は、基板処理方法
であって、基板を冷却する冷却工程と、基板表面を親水
化処理する親水化処理工程を略同時に行なうものであ
る。
であって、基板を冷却する冷却工程と、基板表面を親水
化処理する親水化処理工程を略同時に行なうものであ
る。
【００１０】また請求項４に係る発明は、基板処理装置
であって、基板に冷却処理を施す冷却手段と、基板表面
に親水化処理を施す親水化処理手段を一つの筐体内に備
えたものである。
であって、基板に冷却処理を施す冷却手段と、基板表面
に親水化処理を施す親水化処理手段を一つの筐体内に備
えたものである。
【００１１】請求項５に係る発明では、請求項４記載の
装置であって、親水化処理手段が液噴霧処理手段である
ものである。
装置であって、親水化処理手段が液噴霧処理手段である
ものである。
【００１２】加えて請求項６に係る発明では、請求項４
又５記載の装置であって、さらに排気手段を備えたもの
である。
又５記載の装置であって、さらに排気手段を備えたもの
である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
実施の形態について詳細に説明する。
【００１４】図1は、本発明に係る基板処理装置の概略
構成を示す平面図である。この基板処理装置は搬入され
たレジスト塗布済みの基板を露光装置ＳＴＰに渡して露
光処理を行わせ、露光処理済みの基板に対して現像処理
を行う装置である。本実施形態の基板処理装置は、イン
デクサＩＤ、処理ユニットＰＵ、インターフェースＩＦ
から構成されている。なお、図１および以降の各図に
は、その方向関係を明確にするため適宜ＸＹＺ直交座標
系を付している。ここでは、床面に平行な水平面をＸＹ
面とし、鉛直方向をＺ軸方向としている。
構成を示す平面図である。この基板処理装置は搬入され
たレジスト塗布済みの基板を露光装置ＳＴＰに渡して露
光処理を行わせ、露光処理済みの基板に対して現像処理
を行う装置である。本実施形態の基板処理装置は、イン
デクサＩＤ、処理ユニットＰＵ、インターフェースＩＦ
から構成されている。なお、図１および以降の各図に
は、その方向関係を明確にするため適宜ＸＹＺ直交座標
系を付している。ここでは、床面に平行な水平面をＸＹ
面とし、鉛直方向をＺ軸方向としている。
【００１５】インデクサＩＤは、複数の基板を収容して
搬送するために用いられる搬送用カセットから処理ユニ
ットＰＵに被処理基板を払い出すとともに、処理ユニッ
トＰＵから処理済み基板を受け取って搬送用カセットに
収納する機能を有している。また、インデクサＩＤに
は、搬送用カセットを載置するカセット載置部３０を４
つ備えるとともに、移載ロボットＴＦ１を設けている。
搬送するために用いられる搬送用カセットから処理ユニ
ットＰＵに被処理基板を払い出すとともに、処理ユニッ
トＰＵから処理済み基板を受け取って搬送用カセットに
収納する機能を有している。また、インデクサＩＤに
は、搬送用カセットを載置するカセット載置部３０を４
つ備えるとともに、移載ロボットＴＦ１を設けている。
【００１６】移載ロボットＴＦ１は、鉛直方向（Ｚ軸方
向）に昇降することと、鉛直方向を軸として回動するこ
とと、Ｙ軸方向に移動することが可能に構成されてい
る。また、移載ロボットＴＦ１に設けられたアーム３１
は、移載ロボットＴＦ１に対して前進／後退することが
可能である。
向）に昇降することと、鉛直方向を軸として回動するこ
とと、Ｙ軸方向に移動することが可能に構成されてい
る。また、移載ロボットＴＦ１に設けられたアーム３１
は、移載ロボットＴＦ１に対して前進／後退することが
可能である。
【００１７】処理ユニットＰＵは、複数の処理部が配置
されており、露光処理済みの基板に現像処理およびそれ
に付随する熱処理を行う処理ユニットである。処理ユニ
ットＰＵの４隅には、基板に処理液による処理を施す液
処理部として、基板に現像液を供給して現像処理を行う
現像処理部ＳＤ１〜４（スピンデベロッパ）が配置され
ている。さらに、これら現像処理部ＳＤ１〜４の上方に
は、基板に熱処理を施す多段熱処理部２０が装置の前部
及び後部に配置されている。
されており、露光処理済みの基板に現像処理およびそれ
に付随する熱処理を行う処理ユニットである。処理ユニ
ットＰＵの４隅には、基板に処理液による処理を施す液
処理部として、基板に現像液を供給して現像処理を行う
現像処理部ＳＤ１〜４（スピンデベロッパ）が配置され
ている。さらに、これら現像処理部ＳＤ１〜４の上方に
は、基板に熱処理を施す多段熱処理部２０が装置の前部
及び後部に配置されている。
【００１８】４つの現像処理部ＳＤ１〜４に囲まれた装
置中央部には、周囲の全処理部にアクセスしてこれらの
間で基板の受け渡しを行うための基板搬送手段として、
搬送ロボットＴＲ１が配置されている。この搬送ロボッ
トＴＲ１は、鉛直方向に移動可能であるとともに中心の
鉛直軸回りに回転可能となっている。また、搬送ロボッ
トＴＲ１は、インデクサＩＤの移載ロボットＴＦ１から
受け取ったレジスト塗布済み基板をインターフェースＩ
Ｆの移載ロボットＴＦ２に受け渡す手段でもある。
置中央部には、周囲の全処理部にアクセスしてこれらの
間で基板の受け渡しを行うための基板搬送手段として、
搬送ロボットＴＲ１が配置されている。この搬送ロボッ
トＴＲ１は、鉛直方向に移動可能であるとともに中心の
鉛直軸回りに回転可能となっている。また、搬送ロボッ
トＴＲ１は、インデクサＩＤの移載ロボットＴＦ１から
受け取ったレジスト塗布済み基板をインターフェースＩ
Ｆの移載ロボットＴＦ２に受け渡す手段でもある。
【００１９】図２は、図１の処理ユニットＰＵの構成を
説明する図で、現像処理部ＳＤ１〜４の上方には、多段
熱処理部２０として、４段構成の熱処理部が配置されて
いる。このうち、最下段より１段目、２段目の位置には
クーリングプレートＣＰ１〜８が設けられている。そし
て、３段目の位置には基板に対して露光後のベーキング
処理を行う露光後ベークプレートＰＥＢ１〜４が設けら
れ、４段目の位置には、基板の加熱処理を行うホットプ
レートＨＰ１〜４が設けられている。
説明する図で、現像処理部ＳＤ１〜４の上方には、多段
熱処理部２０として、４段構成の熱処理部が配置されて
いる。このうち、最下段より１段目、２段目の位置には
クーリングプレートＣＰ１〜８が設けられている。そし
て、３段目の位置には基板に対して露光後のベーキング
処理を行う露光後ベークプレートＰＥＢ１〜４が設けら
れ、４段目の位置には、基板の加熱処理を行うホットプ
レートＨＰ１〜４が設けられている。
【００２０】そして、上記の液処理部や熱処理部間を処
理ユニットＰＵの中央部に設けられた搬送ロボットＴＲ
１が順次に搬送することによって基板に対して現像処理
を施すことができる。
理ユニットＰＵの中央部に設けられた搬送ロボットＴＲ
１が順次に搬送することによって基板に対して現像処理
を施すことができる。
【００２１】図１に戻り、インターフェースＩＦは、基
板処理装置と当該装置外部の露光装置ＳＴＰとの間で基
板の受け渡しを行う役割を果たしている。インターフェ
ースＩＦは、２つの移載ロボットＴＦ２、ＴＦ３とバッ
ファカセットＢＣとを備えている。移載ロボットＴＦ
２、ＴＦ３は、鉛直方向（Ｚ軸方向）に昇降すること
と、鉛直方向を軸として回動することと、ＸＹ平面内に
おいて若干移動することが可能に構成されている。ま
た、移載ロボットＴＦ２、ＴＦ３にそれぞれ設けられた
アーム４１、４２は、移載ロボットＴＦ２、ＴＦ３に対
して前進／後退することが可能である。
板処理装置と当該装置外部の露光装置ＳＴＰとの間で基
板の受け渡しを行う役割を果たしている。インターフェ
ースＩＦは、２つの移載ロボットＴＦ２、ＴＦ３とバッ
ファカセットＢＣとを備えている。移載ロボットＴＦ
２、ＴＦ３は、鉛直方向（Ｚ軸方向）に昇降すること
と、鉛直方向を軸として回動することと、ＸＹ平面内に
おいて若干移動することが可能に構成されている。ま
た、移載ロボットＴＦ２、ＴＦ３にそれぞれ設けられた
アーム４１、４２は、移載ロボットＴＦ２、ＴＦ３に対
して前進／後退することが可能である。
【００２２】図３は、実施の形態の現像前処理用のクー
リングプレートの断面図である。以下、図３を用いて現
像前処理用のクーリングプレートＣＰの機構的構成につ
いてより詳細に説明していく。
リングプレートの断面図である。以下、図３を用いて現
像前処理用のクーリングプレートＣＰの機構的構成につ
いてより詳細に説明していく。
【００２３】現像前処理用のクーリングプレートＣＰは
筐体２１０、エアーガイドカバー２２０、カバー２３
０、冷却プレート２４０を備えており基板Ｗに冷却処理
と現像前処理の親水化処理を施す。筐体２１０は側面に
基板搬出入口２１０ａ、排気口２１０ｂを備え、処理室
を形成する。なお、排気口２１０ｂからの排気（矢印Ａ
Ａ）は常時行われている。
筐体２１０、エアーガイドカバー２２０、カバー２３
０、冷却プレート２４０を備えており基板Ｗに冷却処理
と現像前処理の親水化処理を施す。筐体２１０は側面に
基板搬出入口２１０ａ、排気口２１０ｂを備え、処理室
を形成する。なお、排気口２１０ｂからの排気（矢印Ａ
Ａ）は常時行われている。
【００２４】エアガイドカバー２２０は給気管１２０ａ
に連結するとともに、後述するカバー２３０の上部に固
設されており、カバー２３０上方に給気管１２０ａによ
り供給された純水成分を含んだ霧状のエアを一時的に貯
めるためのほぼ閉じた空間ＵＳを形成する。
に連結するとともに、後述するカバー２３０の上部に固
設されており、カバー２３０上方に給気管１２０ａによ
り供給された純水成分を含んだ霧状のエアを一時的に貯
めるためのほぼ閉じた空間ＵＳを形成する。
【００２５】カバー２３０は後述する冷却プレート２４
０上方において図示しない支持、昇降駆動手段に連結さ
れており、エアガイドカバー２２０とともに冷却処理、
現像前処理中は図示の位置に下降して、冷却プレート２
４０上方にほぼ閉じた空間ＤＳを形成し、基板搬出入時
には上昇してその空間ＤＳを開放する。
０上方において図示しない支持、昇降駆動手段に連結さ
れており、エアガイドカバー２２０とともに冷却処理、
現像前処理中は図示の位置に下降して、冷却プレート２
４０上方にほぼ閉じた空間ＤＳを形成し、基板搬出入時
には上昇してその空間ＤＳを開放する。
【００２６】冷却プレート２４０は筐体２１０の内部底
面に設けられ、冷却プレート２４０の図示しない冷却機
構によりその上面に支持載置された基板Ｗを冷却する。
面に設けられ、冷却プレート２４０の図示しない冷却機
構によりその上面に支持載置された基板Ｗを冷却する。
【００２７】上記基板処理装置において基板処理を行な
うときは、まず、レジスト塗布済みの基板を複数収容し
た搬送用カセットがインデクサＩＤのカセット載置部３
０に搬入される。レジスト塗布済み基板は1枚ずつ搬送
用カセットから移動ロボットＴＦ１によって取り出さ
れ、搬送ロボットＴＲ１に渡され、さらに搬送ロボット
ＴＲ１からインターフェースＩＦの移載ロボットＴＦ2
に渡される。そして、その基板はバッファカセットＢ
Ｃ、移載ロボットＴＦ３を介して露光装置ＳＴＰに渡さ
れる。
うときは、まず、レジスト塗布済みの基板を複数収容し
た搬送用カセットがインデクサＩＤのカセット載置部３
０に搬入される。レジスト塗布済み基板は1枚ずつ搬送
用カセットから移動ロボットＴＦ１によって取り出さ
れ、搬送ロボットＴＲ１に渡され、さらに搬送ロボット
ＴＲ１からインターフェースＩＦの移載ロボットＴＦ2
に渡される。そして、その基板はバッファカセットＢ
Ｃ、移載ロボットＴＦ３を介して露光装置ＳＴＰに渡さ
れる。
【００２８】露光処理済みの基板は、移載ロボットＴＦ
３、バッファカセットＢＣ、搬送ロボットＴＦ２を介し
て再び搬送ロボットＴＲ１に渡される。搬送ロボットＴ
Ｒ１は、その基板を露光後ベークプレートＰＥＢ１〜４
のうちいずれかに搬入され、ベーキング処理される。加
熱処理が完了すると、露光後ベークプレートＰＥＢ１〜
４から基板は搬出され、クーリングプレートＣＰ1〜８
のいずれかへ搬送される。
３、バッファカセットＢＣ、搬送ロボットＴＦ２を介し
て再び搬送ロボットＴＲ１に渡される。搬送ロボットＴ
Ｒ１は、その基板を露光後ベークプレートＰＥＢ１〜４
のうちいずれかに搬入され、ベーキング処理される。加
熱処理が完了すると、露光後ベークプレートＰＥＢ１〜
４から基板は搬出され、クーリングプレートＣＰ1〜８
のいずれかへ搬送される。
【００２９】以下、クーリングプレートＣＰでの処理を
図4に基づいて、詳細に説明する。
図4に基づいて、詳細に説明する。
【００３０】まず、基板ＷがクーリングプレートＣＰに
搬入される（ＳＴ１）。基板ＷがクーリングプレートＣ
Ｐの冷却プレート２４０上面に支持載置され、カバー２
３０、エアガイドカバー２２０が下降し、冷却プレート
２４０上にほぼ閉じた空間ＤＳを形成した後、基板Ｗの
冷却工程が開始される（ＳＴ２）。そして、少なくとも
冷却工程が終了する前に、給気管１２０ａから純水成分
を含んだ霧状のエアの噴霧が行なうことで基板Ｗ表面を
水滴で覆う親水化処理工程が開始される（ＳＴ３）。所
定の時間の後、両工程が略同時に終了し（ＳＴ４）、基
板Ｗは搬出される（ＳＴ５）。この間、排気口２１０ｂ
から常に排気されているために、過剰な霧状のエアは外
部に排出される構成となっているので、基板Ｗが搬出さ
れる際に搬送ロボットＴＲ１に、さらに、クーリングプ
レートＣＰに水滴が付着する、残存する等の不都合は生
じない構成となっている。
搬入される（ＳＴ１）。基板ＷがクーリングプレートＣ
Ｐの冷却プレート２４０上面に支持載置され、カバー２
３０、エアガイドカバー２２０が下降し、冷却プレート
２４０上にほぼ閉じた空間ＤＳを形成した後、基板Ｗの
冷却工程が開始される（ＳＴ２）。そして、少なくとも
冷却工程が終了する前に、給気管１２０ａから純水成分
を含んだ霧状のエアの噴霧が行なうことで基板Ｗ表面を
水滴で覆う親水化処理工程が開始される（ＳＴ３）。所
定の時間の後、両工程が略同時に終了し（ＳＴ４）、基
板Ｗは搬出される（ＳＴ５）。この間、排気口２１０ｂ
から常に排気されているために、過剰な霧状のエアは外
部に排出される構成となっているので、基板Ｗが搬出さ
れる際に搬送ロボットＴＲ１に、さらに、クーリングプ
レートＣＰに水滴が付着する、残存する等の不都合は生
じない構成となっている。
【００３１】クーリングプレートＣＰから搬出された基
板Ｗは現像処理部ＳＤ１〜４のうちいずれかに搬送され
現像処理が行われる。現像処理が終了した基板Ｗは、搬
送ロボットＴＲ１からインデクサＩＤの移載ロボットＴ
Ｆ１に渡され、搬送用カセットに収納される。その後、
搬送用カセットが装置外に搬出されることによって一連
の処理が完了する。
板Ｗは現像処理部ＳＤ１〜４のうちいずれかに搬送され
現像処理が行われる。現像処理が終了した基板Ｗは、搬
送ロボットＴＲ１からインデクサＩＤの移載ロボットＴ
Ｆ１に渡され、搬送用カセットに収納される。その後、
搬送用カセットが装置外に搬出されることによって一連
の処理が完了する。
【００３２】上記実施の形態では、親水化処理において
純水を噴霧したがでそれに限定されるわけではなく、Ｉ
ＰＡ等の基板表面を親水化しうるもので、かつ現像に影
響を及ぼさないものであれば何でもよい。
純水を噴霧したがでそれに限定されるわけではなく、Ｉ
ＰＡ等の基板表面を親水化しうるもので、かつ現像に影
響を及ぼさないものであれば何でもよい。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る発
明は、基板冷却工程と、基板表面の親水化処理工程を一
つの筐体内で行なうので、基板を移動する必要がなく、
基板処理のスループットが向上する。
明は、基板冷却工程と、基板表面の親水化処理工程を一
つの筐体内で行なうので、基板を移動する必要がなく、
基板処理のスループットが向上する。
【００３４】また請求項２に係る発明は、請求項１の発
明のさらに、現像前処理としての基板冷却工程と、基板
表面の親水化処理工程を一つの筐体内で行なうので、基
板を移動する必要がなく、基板処理のスループットが向
上する。
明のさらに、現像前処理としての基板冷却工程と、基板
表面の親水化処理工程を一つの筐体内で行なうので、基
板を移動する必要がなく、基板処理のスループットが向
上する。
【００３５】また請求項３に係る発明は、基板冷却工程
と、基板表面の親水化処理工程を略同時に行なうので、
基板処理のスループットがさらに向上する。
と、基板表面の親水化処理工程を略同時に行なうので、
基板処理のスループットがさらに向上する。
【００３６】また請求項４に係る発明は、親水化処理工
程中に排気を行なっているので、過剰な霧状のエアは外
部に排出されるので、基板と筐体内に霧状のエアが付
着、残存することはない。
程中に排気を行なっているので、過剰な霧状のエアは外
部に排出されるので、基板と筐体内に霧状のエアが付
着、残存することはない。
【００３７】請求項５に係る発明では、基板冷却手段
と、基板表面の親水化処理手段を一つの筐体内に備えて
いるので、基板を移動する必要がなく、基板処理のスル
ープットが向上する。
と、基板表面の親水化処理手段を一つの筐体内に備えて
いるので、基板を移動する必要がなく、基板処理のスル
ープットが向上する。
【００３８】また請求項６に係る発明では、親水化処理
手段が液噴霧手段なので、基板全面を均一に親水化処理
ができる。
手段が液噴霧手段なので、基板全面を均一に親水化処理
ができる。
【００３９】また請求項７に係る発明では、排気手段を
備えているので、基板と筐体内に霧状のエアが付着、残
存することはない。
備えているので、基板と筐体内に霧状のエアが付着、残
存することはない。
【図１】本発明の実施の形態の基板処理装置の概略構成
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】図1の処理ユニットの構成を説明する図であ
る。
る。
【図３】実施の形態の現像前処理のクーリングプレート
の断面図である。
の断面図である。
【図４】実施の形態に対応した基板処理の流れを示す図
である。
である。
１２０ａ 給気管 ２１０ 筐体 ２１０ｂ 排気口 ２４０ 冷却プレート ＣＰ クーリングプレート Ｗ 基板
Claims (7)
- 【請求項１】 基板処理方法であって、基板を冷却する
冷却工程と、基板表面を親水化処理する親水化処理工程
を一つの筐体内で行なう基板処理方法。 - 【請求項２】 基板を冷却する冷却工程と、基板表面を
親水化処理する親水化処理工程は現像処理工程前に行な
う請求項１項記載基板処理方法。 - 【請求項３】 基板処理方法であって、基板を冷却する
冷却工程と、基板表面を親水化処理する親水化処理工程
を略同時に行なう基板処理方法。 - 【請求項４】 冷却工程と、親水化処理工程の両工程の
うち少なくとも親水化処理工程中、排気を行なう請求項
１ないし３記載基板処理方法。 - 【請求項５】 基板処理装置であって、基板に冷却処理
を施す冷却手段と、基板表面に親水化処理を施す親水化
処理手段を一つの筐体内に備えた基板処理装置。 - 【請求項６】 親水化処理手段が液噴霧処理手段である
請求項５項記載の装置。 - 【請求項７】 さらに、排気手段を備えた請求項５又は
６項記載の装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9037999A JP2000286183A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9037999A JP2000286183A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000286183A true JP2000286183A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=13996946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9037999A Pending JP2000286183A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000286183A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010219168A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
-
1999
- 1999-03-31 JP JP9037999A patent/JP2000286183A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010219168A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
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