JP2000277292A - Ｘ線発生用ターゲット - Google Patents
Ｘ線発生用ターゲットInfo
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- JP2000277292A JP2000277292A JP8430199A JP8430199A JP2000277292A JP 2000277292 A JP2000277292 A JP 2000277292A JP 8430199 A JP8430199 A JP 8430199A JP 8430199 A JP8430199 A JP 8430199A JP 2000277292 A JP2000277292 A JP 2000277292A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザ光からＸ線への変換効率を向上させ
る。 【解決手段】 レーザ光を照射するとプラズマおよびプ
ラズマからのＸ線を発生するターゲットの少なくともレ
ーザ光を照射する表面に、ナノメータサイズの径を有す
る、表面に垂直な細孔２２を多数設ける。
る。 【解決手段】 レーザ光を照射するとプラズマおよびプ
ラズマからのＸ線を発生するターゲットの少なくともレ
ーザ光を照射する表面に、ナノメータサイズの径を有す
る、表面に垂直な細孔２２を多数設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を物質に
照射して誘起されるプラズマからのＸ線を効率良く発生
させるＸ線発生用ターゲットに関するものである。
照射して誘起されるプラズマからのＸ線を効率良く発生
させるＸ線発生用ターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高出力のレーザ光を固体ターゲットに照
射すると、高イオン化レーザ誘起プラズマが生成され、
この高イオン化状態のプラズマの膨張・冷却過程におい
てＸ線が放射される［X-ray Science and Technology,e
d.by A.G.Michelle and C.J.Budely,IOP publishing,Lo
ndon,1993］。特にレーザ光として短パルスレーザ光を
用いることにより、発生するＸ線のパルス幅も短くなる
ことが報告されており、従来の他のＸ線光源では実現で
きない短パルスＸ線を軟Ｘ線から硬Ｘ線に及ぶ広いエネ
ルギー領域に渡り発生できる特徴を有している［M.Murn
ane et al.,"Generation and application of ultrafas
t X-ray sources",IEEE J.Quantum Electron.,25,2417
(1989)］。
射すると、高イオン化レーザ誘起プラズマが生成され、
この高イオン化状態のプラズマの膨張・冷却過程におい
てＸ線が放射される［X-ray Science and Technology,e
d.by A.G.Michelle and C.J.Budely,IOP publishing,Lo
ndon,1993］。特にレーザ光として短パルスレーザ光を
用いることにより、発生するＸ線のパルス幅も短くなる
ことが報告されており、従来の他のＸ線光源では実現で
きない短パルスＸ線を軟Ｘ線から硬Ｘ線に及ぶ広いエネ
ルギー領域に渡り発生できる特徴を有している［M.Murn
ane et al.,"Generation and application of ultrafas
t X-ray sources",IEEE J.Quantum Electron.,25,2417
(1989)］。
【０００３】しかしながら、入射したレーザ光の大部分
がターゲット表面に形成された高密度のプラズマによっ
て反射されてしまうという問題のために、従来はレーザ
光からＸ線へのエネルギーの変換効率が大きくできなか
った。この低変換効率の問題を克服するために、プラズ
マを誘起するレーザ光を単一パルスの代わりに二連パル
スにしてターゲットに照射することでＸ線への変換効率
を高める試みが行われた［D.Kuhlke,U.Herpers,D.von d
er Linde,Appl. Phys. Lett.,50,1785(1987)］が、この
方法では単一パルス照射時に比べて発生するＸ線のパル
ス幅が数十倍にも広がってしまい、短パルスレーザ誘起
プラズマＸ線発生装置の特徴であるＸ線の短パルス性が
損なわれてしまうという問題があった。
がターゲット表面に形成された高密度のプラズマによっ
て反射されてしまうという問題のために、従来はレーザ
光からＸ線へのエネルギーの変換効率が大きくできなか
った。この低変換効率の問題を克服するために、プラズ
マを誘起するレーザ光を単一パルスの代わりに二連パル
スにしてターゲットに照射することでＸ線への変換効率
を高める試みが行われた［D.Kuhlke,U.Herpers,D.von d
er Linde,Appl. Phys. Lett.,50,1785(1987)］が、この
方法では単一パルス照射時に比べて発生するＸ線のパル
ス幅が数十倍にも広がってしまい、短パルスレーザ誘起
プラズマＸ線発生装置の特徴であるＸ線の短パルス性が
損なわれてしまうという問題があった。
【０００４】そこで、発生するＸ線の短パルス性を保つ
ために、単一レーザパルス照射の条件は維持し、通常の
個体ターゲットの代わりに希ガス中で金属を蒸着させて
表面にクラスター形状の金属を低密度で堆積させたター
ゲット［M.Murnane,H.C.Kapteyn,S.P.Gordon,R.W.Falco
ne,Appl. Phys. B58,261(1994)］を用いたり、表面に蜘
蛛の巣状の多孔質層を形成したポーラスシリコンターゲ
ット［T.Nishikawa etal.,Appl. Phys. Lett.,70,1653
(1997)］を用いることにより、レーザ光で誘起されるプ
ラズマの密度を下げて変換効率を高める試みが行われ
た。しかしながら、これらの方法では、１ＫｅＶ以上の
Ｘ線領域では高い増強効果が得られたが、１ＫｅＶ未満
の軟Ｘ線領域では、大きな効果は得られなかった［C.Wu
lker et al.,Appl. Phys. Lett.,68,1338(1996); R.V.V
olkov et al.,Quantum Electronics28,1(1998)］。
ために、単一レーザパルス照射の条件は維持し、通常の
個体ターゲットの代わりに希ガス中で金属を蒸着させて
表面にクラスター形状の金属を低密度で堆積させたター
ゲット［M.Murnane,H.C.Kapteyn,S.P.Gordon,R.W.Falco
ne,Appl. Phys. B58,261(1994)］を用いたり、表面に蜘
蛛の巣状の多孔質層を形成したポーラスシリコンターゲ
ット［T.Nishikawa etal.,Appl. Phys. Lett.,70,1653
(1997)］を用いることにより、レーザ光で誘起されるプ
ラズマの密度を下げて変換効率を高める試みが行われ
た。しかしながら、これらの方法では、１ＫｅＶ以上の
Ｘ線領域では高い増強効果が得られたが、１ＫｅＶ未満
の軟Ｘ線領域では、大きな効果は得られなかった［C.Wu
lker et al.,Appl. Phys. Lett.,68,1338(1996); R.V.V
olkov et al.,Quantum Electronics28,1(1998)］。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
短パルスレーザ誘起プラズマＸ線発生装置では、レーザ
光から短パルスＸ線への変換効率が高くできないという
問題があった。また、発生するＸ線の短パルス性を保っ
たまま、この問題を解決するための、固体ターゲットの
代わりに蒸着により表面に金属クラスターを低密度で堆
積させたターゲットや、ターゲット表面に蜘蛛の巣状の
多孔質層を形成したポーラスシリコンターゲットを用い
る方法では、１ＫｅＶ未満の軟Ｘ線領域では、変換効率
の大きな向上が得られないという問題があった。本発明
は、上記課題を解決するためになされたもので、レーザ
光を固体材料に照射してＸ線を発生させるレーザ誘起プ
ラズマＸ線発生装置において、その短パルス性の特徴を
損なうことがないような単一レーザパルス照射時にも、
軟Ｘ線領域において変換効率の大幅な向上を可能とした
Ｘ線発生用ターゲットを提供することを目的とする。
短パルスレーザ誘起プラズマＸ線発生装置では、レーザ
光から短パルスＸ線への変換効率が高くできないという
問題があった。また、発生するＸ線の短パルス性を保っ
たまま、この問題を解決するための、固体ターゲットの
代わりに蒸着により表面に金属クラスターを低密度で堆
積させたターゲットや、ターゲット表面に蜘蛛の巣状の
多孔質層を形成したポーラスシリコンターゲットを用い
る方法では、１ＫｅＶ未満の軟Ｘ線領域では、変換効率
の大きな向上が得られないという問題があった。本発明
は、上記課題を解決するためになされたもので、レーザ
光を固体材料に照射してＸ線を発生させるレーザ誘起プ
ラズマＸ線発生装置において、その短パルス性の特徴を
損なうことがないような単一レーザパルス照射時にも、
軟Ｘ線領域において変換効率の大幅な向上を可能とした
Ｘ線発生用ターゲットを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明によれば、レーザ光を照射するとプラズ
マおよびプラズマからのＸ線を発生する、少なくともレ
ーザ光を照射する表面に、ナノメータサイズの径を有す
る、表面に垂直な細孔が多数設けられた固体からなるＸ
線発生用ターゲットが提供される。この場合、細孔の一
構成例は、陽極酸化法により形成されたナノメータサイ
ズの径を有する。また、上述したターゲットの一構成例
は、面心立方最密構造を有する金属が用いられる。この
場合、面心立方最密構造を有する金属の一構成例は、ア
ルミニウムもしくはその合金が用いられる。
ために、本発明によれば、レーザ光を照射するとプラズ
マおよびプラズマからのＸ線を発生する、少なくともレ
ーザ光を照射する表面に、ナノメータサイズの径を有す
る、表面に垂直な細孔が多数設けられた固体からなるＸ
線発生用ターゲットが提供される。この場合、細孔の一
構成例は、陽極酸化法により形成されたナノメータサイ
ズの径を有する。また、上述したターゲットの一構成例
は、面心立方最密構造を有する金属が用いられる。この
場合、面心立方最密構造を有する金属の一構成例は、ア
ルミニウムもしくはその合金が用いられる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下に図を用いてこの発明の実施
の形態を説明する。図１は、この発明の実施の形態であ
るレーザ誘起プラズマＸ線発生装置の構成を示す説明図
である。このレーザ誘起プラズマＸ線発生装置では、高
出力短パルスレーザ装置１から出射した単一レーザパル
ス光２を集光レンズ３、レーザ光入射用透明窓８を通し
てＸ発生用ターゲット５に照射し、Ｘ線パルス６を発生
させる。このＸ線発生用ターゲット５は真空容器４内に
設置されているが、これは軟Ｘ線の空気による減衰を防
ぐためであり、硬Ｘ線を発生させる場合には、真空容器
４は必ずしも必要としない。
の形態を説明する。図１は、この発明の実施の形態であ
るレーザ誘起プラズマＸ線発生装置の構成を示す説明図
である。このレーザ誘起プラズマＸ線発生装置では、高
出力短パルスレーザ装置１から出射した単一レーザパル
ス光２を集光レンズ３、レーザ光入射用透明窓８を通し
てＸ発生用ターゲット５に照射し、Ｘ線パルス６を発生
させる。このＸ線発生用ターゲット５は真空容器４内に
設置されているが、これは軟Ｘ線の空気による減衰を防
ぐためであり、硬Ｘ線を発生させる場合には、真空容器
４は必ずしも必要としない。
【０００８】ターゲット駆動装置装置７は、Ｘ線発生用
ターゲット５を把持する機構、並びにＸ線発生用ターゲ
ット５をレーザーパルスの照射ごとに移動して照射場所
を変更できる微動・回転機構を有している。そして、本
実施の形態では、Ｘ線発生用ターゲット５として、その
表面にナノメータサイズの径を有する垂直な細孔が多数
設けられた固体材料を使用している。
ターゲット５を把持する機構、並びにＸ線発生用ターゲ
ット５をレーザーパルスの照射ごとに移動して照射場所
を変更できる微動・回転機構を有している。そして、本
実施の形態では、Ｘ線発生用ターゲット５として、その
表面にナノメータサイズの径を有する垂直な細孔が多数
設けられた固体材料を使用している。
【０００９】このような固体材料は、面心立方最密構造
を有する金属である、アルミニウムに陽極酸化を行っ
て、その表面にアルミナ膜を形成して作製することがで
きる。図２は、この発明の実施の形態であるレーザ誘起
プラズマＸ線発生装置に用いるＸ線発生用ターゲットの
表面構造を示す説明図である。このＸ線発生用ターゲッ
トには、アルミニウム板２１の表面にナノメータサイズ
の径を有する垂直な細孔２２を多数有する平均密度の低
いアルミナ膜２３が形成されている。本実施の形態にお
けるＸ線発生用ターゲットでは、細孔径３０ｎｍ、深さ
３０μｍ、細孔間距離１００ｎｍである。
を有する金属である、アルミニウムに陽極酸化を行っ
て、その表面にアルミナ膜を形成して作製することがで
きる。図２は、この発明の実施の形態であるレーザ誘起
プラズマＸ線発生装置に用いるＸ線発生用ターゲットの
表面構造を示す説明図である。このＸ線発生用ターゲッ
トには、アルミニウム板２１の表面にナノメータサイズ
の径を有する垂直な細孔２２を多数有する平均密度の低
いアルミナ膜２３が形成されている。本実施の形態にお
けるＸ線発生用ターゲットでは、細孔径３０ｎｍ、深さ
３０μｍ、細孔間距離１００ｎｍである。
【００１０】このような表面にナノメータサイズの径を
有する垂直な細孔が多数設けられたアルミニウム板の作
製方法の一例を以下に説明する。図３は、この発明のレ
ーザ誘起プラズマＸ線発生用ターゲットを陽極酸化する
方法を示す説明図である。０．５ｗｔ％シュウ酸溶液３
３を満たした電解槽３５に、ターゲットとなる平板状の
アルミニウム板３１と、陰極として用いる円筒状のアル
ミニウム筒３２を、アルミニウム板３１がアルミニウム
筒３２内の中心に配置されるようにして入れ、アルミニ
ウム板３１を定電圧直流電源３４のプラス側に、アルミ
ニウム筒３２をマイナス側にそれぞれ接続する。次に、
液温を２０℃とし、定電圧直流電源３４を用いて４０Ｖ
で２時間、陽極酸化を行う。次に、アルミニウム板３１
をリン酸に１時間浸し、細孔径を広げる。これにより、
細孔間距離１００ｎｍ、細孔径３０ｎｍで、深さ３０μ
ｍの細孔を有するアルミナ膜を形成することができる。
また、陽極酸化後にアルミニウム板３１をリン酸に浸す
代わりに、そのまま放置しても、リン酸に比べて時間が
かかるが、細孔径を拡大することができる。なお、電解
液として硫酸水溶液を用いても同様に陽極酸化や細孔径
の拡大が可能である。
有する垂直な細孔が多数設けられたアルミニウム板の作
製方法の一例を以下に説明する。図３は、この発明のレ
ーザ誘起プラズマＸ線発生用ターゲットを陽極酸化する
方法を示す説明図である。０．５ｗｔ％シュウ酸溶液３
３を満たした電解槽３５に、ターゲットとなる平板状の
アルミニウム板３１と、陰極として用いる円筒状のアル
ミニウム筒３２を、アルミニウム板３１がアルミニウム
筒３２内の中心に配置されるようにして入れ、アルミニ
ウム板３１を定電圧直流電源３４のプラス側に、アルミ
ニウム筒３２をマイナス側にそれぞれ接続する。次に、
液温を２０℃とし、定電圧直流電源３４を用いて４０Ｖ
で２時間、陽極酸化を行う。次に、アルミニウム板３１
をリン酸に１時間浸し、細孔径を広げる。これにより、
細孔間距離１００ｎｍ、細孔径３０ｎｍで、深さ３０μ
ｍの細孔を有するアルミナ膜を形成することができる。
また、陽極酸化後にアルミニウム板３１をリン酸に浸す
代わりに、そのまま放置しても、リン酸に比べて時間が
かかるが、細孔径を拡大することができる。なお、電解
液として硫酸水溶液を用いても同様に陽極酸化や細孔径
の拡大が可能である。
【００１１】図４に図１のレーザ誘起プラズマＸ線発生
装置によって発生した軟Ｘ線のスペクトル強度（ＩＡｌ
Ｏ）を示す。ここでは、Ｘ線発生用ターゲット５とし
て、細孔間距離１００ｎｍ、細孔径３０ｎｍ前後で、深
さ３０μｍの表面に垂直な細孔を多数有するアルミナ膜
が形成されたアルミニウム板を用いている。また、高出
力短パルスレーザ装置１としては、励起用レーザ光の波
長が７９０ｎｍ、レーザ光のパルス幅が１００ｆｓであ
るＴｉ：Ａｌ2Ｏ3レーザを用いた。レーザパルスの繰り
返しは１０Ｈｚであり、レーザ光の強度は１．５×１０
16Ｗ／ｃｍ2 である。このようなレーザ光をＸ線発生用
ターゲット５に照射することにより発生する軟Ｘ線を、
Ｘ線出射用真空ポート９に取り付けられた図示しない斜
入射分光器によって分光して、マルチチャンネルＸ線検
出器によってそのスペクトルを測定した。ここで、１Ｋ
ｅＶは波長１．２４ｎｍに相当する。なお、波長６ｎｍ
より短い領域でＸ線強度が０となっているのは、この領
域では使用したＸ線検出器の感度がないためであり、こ
の領域で本発明のＸ線発生用ターゲットの効果がないこ
とを意味するものではない。
装置によって発生した軟Ｘ線のスペクトル強度（ＩＡｌ
Ｏ）を示す。ここでは、Ｘ線発生用ターゲット５とし
て、細孔間距離１００ｎｍ、細孔径３０ｎｍ前後で、深
さ３０μｍの表面に垂直な細孔を多数有するアルミナ膜
が形成されたアルミニウム板を用いている。また、高出
力短パルスレーザ装置１としては、励起用レーザ光の波
長が７９０ｎｍ、レーザ光のパルス幅が１００ｆｓであ
るＴｉ：Ａｌ2Ｏ3レーザを用いた。レーザパルスの繰り
返しは１０Ｈｚであり、レーザ光の強度は１．５×１０
16Ｗ／ｃｍ2 である。このようなレーザ光をＸ線発生用
ターゲット５に照射することにより発生する軟Ｘ線を、
Ｘ線出射用真空ポート９に取り付けられた図示しない斜
入射分光器によって分光して、マルチチャンネルＸ線検
出器によってそのスペクトルを測定した。ここで、１Ｋ
ｅＶは波長１．２４ｎｍに相当する。なお、波長６ｎｍ
より短い領域でＸ線強度が０となっているのは、この領
域では使用したＸ線検出器の感度がないためであり、こ
の領域で本発明のＸ線発生用ターゲットの効果がないこ
とを意味するものではない。
【００１２】なお、比較のために、陽極酸化処理を施す
前の通常のアルミニウム板からなるＸ線発生用ターゲッ
トに上記と同一条件のレーザ光を照射したときの軟Ｘ線
スペクトル強度（ＩＡｌ）も併せて示す。図４から明ら
かなように、Ｘ線発生用ターゲットとして、アルミニウ
ム板に陽極酸化処理を行い、表面にナノメータサイズの
径を有する垂直な細孔が多数形成されたターゲットを用
いることにより、通常のアルミニウム板からなるターゲ
ットに対してレーザ誘起プラズマからのＸ線発生量を４
〜10倍に高めることができた。
前の通常のアルミニウム板からなるＸ線発生用ターゲッ
トに上記と同一条件のレーザ光を照射したときの軟Ｘ線
スペクトル強度（ＩＡｌ）も併せて示す。図４から明ら
かなように、Ｘ線発生用ターゲットとして、アルミニウ
ム板に陽極酸化処理を行い、表面にナノメータサイズの
径を有する垂直な細孔が多数形成されたターゲットを用
いることにより、通常のアルミニウム板からなるターゲ
ットに対してレーザ誘起プラズマからのＸ線発生量を４
〜10倍に高めることができた。
【００１３】すなわち、上述したターゲットを用いるこ
とにより、発生するＸ線の短パルス性が保てる単一レー
ザパルス照射の条件下でも、ターゲット表面に垂直な細
孔に沿って、レーザ光がターゲット内部まで深く進入で
きるため、相互作用領域が増大し、レーザ誘起プラズマ
の発生量を増加でき、レーザ光からＸ線への変換効率を
飛躍的に高めることができる。また、レーザ光が照射さ
れるターゲットの平均密度が、細孔分減少するため、タ
ーゲット表面に誘起されるプラズマ密度が減少し、レー
ザ光のプラズマによる反射が抑制され、レーザ光からＸ
線への変換効率がより向上する。
とにより、発生するＸ線の短パルス性が保てる単一レー
ザパルス照射の条件下でも、ターゲット表面に垂直な細
孔に沿って、レーザ光がターゲット内部まで深く進入で
きるため、相互作用領域が増大し、レーザ誘起プラズマ
の発生量を増加でき、レーザ光からＸ線への変換効率を
飛躍的に高めることができる。また、レーザ光が照射さ
れるターゲットの平均密度が、細孔分減少するため、タ
ーゲット表面に誘起されるプラズマ密度が減少し、レー
ザ光のプラズマによる反射が抑制され、レーザ光からＸ
線への変換効率がより向上する。
【００１４】なお、本実施の形態では、アルミニウム板
を陽極酸化することでＸ線発生用ターゲットを作製した
が、陽極酸化により同じように表面にナノメータサイズ
の径を有する垂直な細孔を多数形成可能なアルミニウム
合金をはじめ、面心立方最密構造を有する金属を用いて
も、同様なＸ線発生用ターゲットが得られることは言う
までもない。
を陽極酸化することでＸ線発生用ターゲットを作製した
が、陽極酸化により同じように表面にナノメータサイズ
の径を有する垂直な細孔を多数形成可能なアルミニウム
合金をはじめ、面心立方最密構造を有する金属を用いて
も、同様なＸ線発生用ターゲットが得られることは言う
までもない。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レーザ誘起プラズマを用いたＸ線発生装置のＸ線発生用
ターゲットとして、表面にナノメータサイズの径を有す
る垂直な細孔が多数設けられた固体材料を用いることに
より、発生するＸ線の短パルス性の特徴を損なわない単
一レーザパルス照射条件においても、軟Ｘ線領域の変換
効率を大幅に向上することができる。
レーザ誘起プラズマを用いたＸ線発生装置のＸ線発生用
ターゲットとして、表面にナノメータサイズの径を有す
る垂直な細孔が多数設けられた固体材料を用いることに
より、発生するＸ線の短パルス性の特徴を損なわない単
一レーザパルス照射条件においても、軟Ｘ線領域の変換
効率を大幅に向上することができる。
【００１６】また、本発明によるＸ線発生用ターゲット
は、アルミニウム板を陽極酸化することによって容易に
作製できるため、安価に軟Ｘ線領域の変換効率を向上で
きるという効果が得られる。
は、アルミニウム板を陽極酸化することによって容易に
作製できるため、安価に軟Ｘ線領域の変換効率を向上で
きるという効果が得られる。
【図１】 この発明の実施の形態であるレーザ誘起プラ
ズマＸ線発生装置の構成を示す説明図である。
ズマＸ線発生装置の構成を示す説明図である。
【図２】 この発明の実施の形態であるレーザ誘起プラ
ズマＸ線発生装置に用いるＸ線発生用ターゲットの表面
構造を示す説明図である。
ズマＸ線発生装置に用いるＸ線発生用ターゲットの表面
構造を示す説明図である。
【図３】 この発明のレーザ誘起プラズマＸ線発生用タ
ーゲットを陽極酸化する方法を示す説明図である。
ーゲットを陽極酸化する方法を示す説明図である。
【図４】 図１のレーザ誘起プラズマＸ線発生装置によ
って発生した軟Ｘ線のスペクトル強度を示す図である。
って発生した軟Ｘ線のスペクトル強度を示す図である。
１…高出力短パルスレーザ装置、２…単一レーザパルス
光、３…集光レンズ、４…真空容器、５…Ｘ線発生用タ
ーゲット、６…Ｘ線パルス、７…ターゲット駆動装置、
８…レーザ光入射用透明窓、９…Ｘ線出射用真空ポー
ト、２１，３１…アルミニウム板、２２…細孔、２３…
アルミナ膜、３２…アルミニウム筒、３３…シュウ酸溶
液、３４…定電圧直流電源、３５…電解槽。
光、３…集光レンズ、４…真空容器、５…Ｘ線発生用タ
ーゲット、６…Ｘ線パルス、７…ターゲット駆動装置、
８…レーザ光入射用透明窓、９…Ｘ線出射用真空ポー
ト、２１，３１…アルミニウム板、２２…細孔、２３…
アルミナ膜、３２…アルミニウム筒、３３…シュウ酸溶
液、３４…定電圧直流電源、３５…電解槽。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上杉 直 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 中尾 正史 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 Ｆターム(参考） 4C092 AA06 AA17 AB21 BD19
Claims (4)
- 【請求項１】 レーザ光を照射するとプラズマおよび前
記プラズマからのＸ線を発生するターゲットにおいて、 このターゲットは、少なくともレーザ光を照射する表面
に、ナノメータサイズの径を有する前記表面に垂直な細
孔が多数設けられた固体であることを特徴とするＸ線発
生用ターゲット。 - 【請求項２】 前記細孔は、 陽極酸化法により形成されたナノメータサイズの径を有
する細孔であることを特徴とする請求項１記載のＸ線発
生用ターゲット。 - 【請求項３】 前記ターゲットは、 面心立方最密構造を有する金属であることを特徴とする
請求項２記載のＸ線発生用ターゲット。 - 【請求項４】 前記面心立方最密構造を有する金属は、 アルミニウムもしくはその合金であることを特徴とする
請求項３記載のＸ線発生用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8430199A JP3480695B2 (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | Ｘ線発生用ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8430199A JP3480695B2 (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | Ｘ線発生用ターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277292A true JP2000277292A (ja) | 2000-10-06 |
| JP3480695B2 JP3480695B2 (ja) | 2003-12-22 |
Family
ID=13826666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8430199A Expired - Fee Related JP3480695B2 (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | Ｘ線発生用ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3480695B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004037364A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Kansai Tlo Kk | 極短波長の光を発生させるターゲット、そのターゲットを用いた光発生方法及びそのための装置 |
| JP2004301821A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線及び高エネルギー粒子発生装置とその発生方法 |
| KR101223811B1 (ko) | 2010-12-31 | 2013-01-17 | 부산대학교 산학협력단 | 급격하게 세기가 증가하는 레이저 펄스를 이용한 고출력 극초단 엑스선 펄스의 발생 방법 |
-
1999
- 1999-03-26 JP JP8430199A patent/JP3480695B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004037364A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Kansai Tlo Kk | 極短波長の光を発生させるターゲット、そのターゲットを用いた光発生方法及びそのための装置 |
| JP2004301821A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線及び高エネルギー粒子発生装置とその発生方法 |
| KR101223811B1 (ko) | 2010-12-31 | 2013-01-17 | 부산대학교 산학협력단 | 급격하게 세기가 증가하는 레이저 펄스를 이용한 고출력 극초단 엑스선 펄스의 발생 방법 |
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