JP2000267287A - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents

ポジ型感光性樹脂組成物

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JP2000267287A JP18680999A JP18680999A JP2000267287A JP 2000267287 A JP2000267287 A JP 2000267287A JP 18680999 A JP18680999 A JP 18680999A JP 18680999 A JP18680999 A JP 18680999A JP 2000267287 A JP2000267287 A JP 2000267287A
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Kenichiro Sato
健一郎 佐藤
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  • Materials For Photolithography (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 250nm以下、特に220nm以下の露光
光源の使用に好適であり、250nm以下、特に220
nm以下の露光光源の使用時に、良好な感度、解像度、
密着性及びレジストパターンを与え、更に十分な耐ドラ
イエッチング性を示す現像欠陥の少ないポジ型感光性組
成物を提供することである。 【解決手段】 活性光線又は放射線の照射により酸を発
生する化合物、及び特定の脂環式基と酸の作用により分
解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基とを
有する樹脂を含有するポジ型感光性組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、IC等の半導体製
造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、更
にその他のフォトファブリケーション工程に使用される
ポジ型感光性組成物に関するものである。更に詳しくは
250nm以下の遠紫外線を露光光源とする場合に好適
なポジ型感光性組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ポジ型フォトレジスト組成物としては、
一般にアルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノ
ンジアジド化合物とを含む組成物が用いられている。例
えば、「ノボラック型フェノール樹脂/ナフトキノンジ
アジド置換化合物」として米国特許第3,666,473号、米
国特許第4,115,128号及び米国特許第4,173,470号等に、
また最も典型的な組成物として「クレゾール−ホルムア
ルデヒドより成るノボラック樹脂/トリヒドロキシベン
ゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸
エステル」の例がトンプソン「イントロダクション・ト
ゥー・マイクロリソグラフィー」(L.F.Thompson「Intr
oduction to Microlithography」)(ACS出版、N
o.2,19号、p112〜121)に記載されてい
る。このような基本的にノボラック樹脂とキノンジアジ
ド化合物から成るポジ型フォトレジストは、ノボラック
樹脂がプラズマエッチングに対して高い耐性を与え、ナ
フトキノンジアジド化合物は溶解阻止剤として作用す
る。そして、ナフトキノンジアジドは光照射を受けると
カルボン酸を生じることにより溶解阻止能を失い、ノボ
ラック樹脂のアルカリ溶解度を高めるという特性を持
つ。
【0003】これまで、かかる観点からノボラック樹脂
とナフトキノンジアジド系感光物を含有する数多くのポ
ジ型フォトレジストが開発、実用化され、0.8μm〜
2μm程度までの線幅加工に於いては十分な成果をおさ
めてきた。しかし、集積回路はその集積度を益々高めて
おり、超LSIなどの半導体基板の製造に於いてはハー
フミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工が
必要とされるようになってきた。
【0004】パターンの微細化を図る手段の一つとし
て、レジストのパターン形成の際に使用される露光光源
の短波長化が知られている。このことは光学系の解像度
(線幅)Rを表すレイリーの式、 R=k・λ/NA (ここでλは露光光源の波長、NAはレンズの開口数、
kはプロセス定数)で説明することができる。この式か
らより高解像度を達成する、即ちRの値を小さくする為
には、露光光源の波長λを短くすれば良いことがわか
る。例えば64Mビットまでの集積度のDRAMの製造
には、現在まで高圧水銀灯のi線(365nm)が光源
として使用されてきた。256MビットDRAMの量産
プロセスには、i線に変わりKrFエキシマレーザー
(248nm)が露光光源としての採用が検討されてい
る。更に1Gビット以上の集積度を持つDRAMの製造
を目的として、より短波長の光源が検討されており、A
rFエキシマレーザー(193nm)、F2 エキシマレ
ーザー(157nm)、X線、電子ビーム等の利用が有
効であると考えられている(上野巧ら、「短波長フォト
レジスト材料−ULSIに向けた微細加工−」、ぶんし
ん出版、1988年)。
【0005】従来のノボラックとナフトキノンジアジド
化合物から成るレジストを遠紫外光やエキシマレーザー
光を用いたリソグラフィーのパターン形成に用いると、
ノボラック及びナフトキノンジアジドの遠紫外領域にお
ける吸収が強いために光がレジスト底部まで到達しにく
くなり、低感度でテーパーのついたパターンしか得られ
ない。このような問題を解決する手段の一つが、米国特
許第4,491,628号、欧州特許第249,139号等に記載されて
いる化学増幅系レジスト組成物である。化学増幅系ポジ
型レジスト組成物は、遠紫外光などの放射線の照射によ
り露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反応によ
って、活性放射線の照射部と非照射部の現像液に対する
溶解性を変化させ、パターンを基板上に形成させるパタ
ーン形成材料である。
【0006】このような例として、光分解により酸を発
生する化合物と、アセタールまたはO,N−アセタール
化合物との組合せ(特開昭48−89003号)、オル
トエステル又はアミドアセタール化合物との組合せ(特
開昭51−120714号)、主鎖にアセタール又はケ
タール基を有するポリマーとの組合せ(特開昭53−1
33429号)、エノールエーテル化合物との組合せ
(特開昭55−12995号)、N−アシルイミノ炭酸
化合物化合物との組合せ(特開昭55−126236
号)、主鎖にオルトエステル基を有するポリマーとの組
合せ(特開昭56−17345号)、第3級アルキルエ
ステル化合物との組合せ(特開昭60−3625号)、
シリルエステル化合物との組合せ(特開昭60−102
47号)、及びシリルエーテル化合物との組合せ(特開
昭60−37549号、特開昭60−121446号)
等を挙げることができる。これらは原理的に量子収率が
1を越えるため、高い感光性を示す。
【0007】同様に、酸存在下加熱することにより分解
し、アルカリ可溶化する系として、例えば、特開昭59
−45439号、特開昭60−3625号、特開昭62
−229242号、特開昭63−27829号、特開昭
63−36240号、特開昭63−250642号、特
開平5−181279号、Polym.Eng.Sce.,23巻、1012
頁(1983);ACS.Sym.242巻、11頁(1984);Semicondu
ctor World 1987年、11月号、91頁;Macromolecules,21
巻、1475頁(1988);SPIE,920巻、42頁(1988)等に記
載されている露光により酸を発生する化合物と、第3級
又は2級炭素(例えばt-ブチル、2-シクロヘキセニル)
のエステル又は炭酸エステル化合物との組合せ系、特開
平4−219757号、同5−249682号、同6−
65332号等に記載されているアセタール化合物との
組み合わせ系、特開平4−211258号、同6−65
333号等に記載されているt−ブチルエーテル化合物
との組み合わせ系等が挙げられる。
【0008】これらの系は、主として248nm領域で
の吸収の小さい、ポリ(ヒドロキシスチレン)を基本骨
格とする樹脂を主成分に使用する為、KrFエキシマレ
ーザーを露光光源とする場合には、高感度、高解像度
で、且つ良好なパターンを形成し、従来のナフトキノン
ジアジド/ノボラック樹脂系に比べて良好な系となり得
る。しかしながら、更なる短波長の光源、例えばArF
エキシマレーザー(193nm)を露光光源として使用
する場合は、芳香族基を有する化合物が本質的に193
nm領域に大きな吸収を示す為、上記化学増幅系でも十
分ではなかった。また、193nm波長領域に吸収の小
さいポリマーとして、ポリ(メタ)アクリレートの利用
がJ. Vac. Sci. Technol., B9, 3357 (1991). に記載さ
れているが、このポリマーは一般に半導体製造工程で行
われるドライエッチングに対する耐性が、芳香族基を有
する従来のフェノール樹脂に比べ低いという問題があっ
た。
【0009】これに対し、脂環式基を有するポリマー
が、芳香族基と同様の耐ドライエッチング性を示し、且
つ193nm領域の吸収が小さいことがProc. of SPIE,
1672,66 (1992). で報告され、近年同ポリマーの利用
が精力的に検討されるに至った。具体的には、特開平4
−39665号、同5−80515号、同5−2652
12号、同5−297591号、同5−346668
号、同6−289615号、同6−324494号、同
7−49568号、同7−185046号、同7−19
1463号、同7−199467号、同7−23451
1号、同7−252324号、同8−259626号等
の明細書に記載されているポリマーが挙げられる。但し
これらのポリマーは耐ドライエッチング性が必ずしも十
分とは言えず、また合成も多ステップを要するものもあ
った。
【0010】また、耐ドライエッチング性付与のために
脂環式基を導入すると基板との密着性が低下し、現像後
のパターンにおいて膜はがれが発生するという問題もあ
った。これを解決する方法としてEP0856773に
γ−ブチロラクトン構造を有する構造単位を含有する樹
脂が記載されている。これを用いれば密着性については
改良されるものの2級カルボン酸エステルを用いている
ため酸分解性が低く、そのため感度が低くなり、また解
像力としても十分とはいえなかった。また、脂環式基の
導入によりレジスト膜の疎水性が大きくなりそのために
現像欠陥が多くなるという問題もあった。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の
使用に好適なポジ型感光性組成物を提供することであ
り、具体的には250nm以下、特に220nm以下の
露光光源の使用時に、良好な感度、解像度、密着性及び
レジストパターンを与え、更に十分な耐ドライエッチン
グ性を示すポジ型感光性組成物を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的が以下の特
定の脂環式基を有する樹脂を使用することで見事に達成
されることを見出し、本発明に到達した。即ち、本発明
は、下記構成である。 (1) (A)活性光線又は放射線の照射により酸を発
生する化合物、及び(B)酸の作用により分解してアル
カリ現像液中での溶解性を増大させる基を有する樹脂を
含有し、前記樹脂が下記一般式(I)、(II)又は(II
I)で表される構造の少なくとも1つを含有することを
特徴とするポジ型感光性組成物。
【0013】
【化4】
【0014】式(I)〜(III)中、R1 、R2 は、同一
または異なって、水素原子、置換基を有していてもよ
い、直鎖、分岐、環状アルキル基を表し、R1 とR2
結合して単環または多環を形成してもよい。また、その
環の中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ケトン、エス
テル、イミド、アミドを連結基として有してもよい。R
3 〜R5 は、同一または異なって、水素原子、置換基を
有していてもよい、直鎖、分岐、環状アルキル基または
アルコキシ基を表し、R3 〜R5 のうちの二つ又は全て
が結合して酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ケトン、エ
ステルを連結基として有してもよい単環あるいは多環を
形成してもよい。Xは単結合または2価の結合基を表
し、XとR1 、R2 のいずれか、又は両方が結合して単
環あるいは多環を形成してもよい。Yは酸素原子、硫黄
原子、−NH−、−N(OH)−又は−N(アルキル)
−を表す。nは1〜3の整数を表す。
【0015】(2) (A)活性光線または放射線の照
射により酸を発生する化合物、(B)酸の作用により分
解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有
する樹脂、および(C)酸の作用により分解し、アルカ
リ現像液中での溶解度を増大させる基を有する分子量3
000以下の低分子化合物を含有し、前記樹脂(B)及
び/又は低分子化合物(C)が上記(1)記載の一般式
(I)、(II)又は(III)で表される構造の少なくとも
1つを含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。 (3) (D)酸の作用により分解し、アルカリ現像液
中での溶解度を増大させる基を有する樹脂が一般式
(I)、(II)又は(III)の構造を有する繰り返し構造
単位のうち少なくとも一つと、単環または多環の脂環式
炭化水素部分を有する繰り返し単位を含有する樹脂であ
ることを特徴とする上記(1)または(2)に記載のポ
ジ型感光性組成物。
【0016】(4) 単環または多環の脂環式炭化水素
部分が置換していてもよいアダマンタン残基であること
を特徴とする上記(1)〜(3)のいずれかに記載のポ
ジ型感光性組成物。 (5) (B)酸の作用により分解してアルカリ現像液
中での溶解性を増大させる基を有する樹脂が一般式
(a)で表される構造を含有することを特徴とする上記
(1)〜(4)のいずれかに記載のポジ型感光性組成
物。
【0017】
【化5】
【0018】(式中、R1 〜R5 、nは一般式(I)と
同義であり、R15は水素原子、ハロゲン原子、シアノ
基、アルキル基またはハロアルキル基を表す。)
【0019】(6) (B)酸の作用により分解してア
ルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有する樹脂
が一般式(b)で表される構造を含有することを特徴と
する上記(1)〜(5)のいずれかに記載のポジ型感光
性組成物。
【0020】
【化6】
【0021】(式中、R1 〜R5 、nは一般式(I)と
同義であり、R15は水素原子、ハロゲン原子、シアノ
基、アルキル基またはハロアルキル基を表す。) なお、一般式(a)、(b)のR15の詳細は、後記一般
式(IV)におけるR 15の説明と同義である。
【0022】(7) (A)活性光線または放射線の照
射により酸を発生する化合物、(C)酸の作用により分
解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有
する分子量3000以下の低分子化合物、および(E)
水に不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂を含有し、前記
低分子化合物(C)が(1)に記載の一般式(I)、
(II)又は(III)で表される構造の少なくとも1つを含
有することを特徴とするポジ型感光性組成物。 (8) 一般式(I)、(II)又は(III)の構造を有す
る繰り返し構造単位におけるR1 、R2 が水素原子以外
の置換基であることを特徴とする(1)〜(7)のいず
れかに記載のポジ型感光性組成物。
【0023】(9) (F)フッ素系及び/又はシリコ
ン系界面活性剤を含有することを特徴とする(1)〜
(7)のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。 (10) 露光光源として、250nm以下の遠紫外光
を使用することを特徴とする(1)〜(7)のいずれか
に記載のポジ型感光性組成物。 (11) 露光光源として、220nm以下の遠紫外光
を使用することを特徴とする(1)〜(7)のいずれか
に記載のポジ型感光性組成物。
【0024】
【発明の実施の形態】(B)上記一般式(I)〜一般式
(III)で表される構造と酸の作用により分解してアルカ
リ現像液中での溶解性を増大させる基(酸分解性基とも
いう)とを有する樹脂:本発明において、上記一般式
(I)〜(III)で表される基は、母体樹脂中のいずれの
場所にも結合させることができる。即ち、上記一般式
(I)〜(III)で表される基と酸分解性基が、母体樹脂
中の異なる繰り返し単位に結合してもよいし、同一の繰
り返し単位に結合してもよいし、更にその両方の場合が
樹脂中に併存している場合も含まれる。また、更に上記
一般式(I)〜(III)で表される構造中に酸分解性基を
含有する場合も含まれる。
【0025】前記一般式(I)、(II)又は(III)にお
けるR1 、R2 及びR3 〜R5 のアルキル基は、置換基
を有していてもよい、直鎖、分岐、環状の、好ましくは
炭素数1〜12のアルキル基であり、例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブ
チル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル
基、シクロプロピル基、シクロペンチル基等が挙げられ
る。R1 とR2 が結合して単環あるいは多環を形成して
もよく、その環の中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子、
ケトン、エステル、イミド、アミドを連結基として有し
てもよい。環構造としては、5〜8員環を形成するもの
あるいは5〜8員環を2つ以上有する多環構造であり、
具体的には例えば、シクロヘキサン環、シクロペンタン
環、テトラヒドロピラン環、ピペリジン環、テトラヒド
ロピロール環、シクロヘキサノン環、ブチロラクトン環
等が挙げられる。R3 〜R5 のアルコキシ基は、好まし
くは炭素数1〜8の、例えば、メトキシ基、エトキシ
基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、プロポキシ
基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられ
る。R3 〜R5 のうち2つあるいは全てが結合して単環
あるいは多環を形成してもよく、その環の中に酸素原
子、硫黄原子、窒素原子、ケトン、エステルを連結基と
して有してもよい。環構造としては、上記R1 、R2
述べたと同様の環構造が挙げられる。R1 〜R5 は置換
基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、
アルケニル基、アルコキシル基、アシロキシ基、ハロゲ
ン等が挙げられる。
【0026】Xは単結合または2価の連結基を表す。2
価の連結基としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、−
NH−、2価の有機基等を表す。2価の有機基として
は、例えば、置換してもよい直鎖、分岐、環状アルキレ
ン基、アルケニレン基、−COO−基、−CO−基、−
SO2−基、−SO2NH−基、−CONH−基、−CO
NHSO2−基、−N(アルキル基)−基(アルキル基
は好ましくは炭素数1〜8の、例えば、メチル、エチ
ル、プロピル、ブチル、オクチルを表す。)、−COS
−基又はこれらのうち二以上を含む連結基等が挙げられ
る。Xにおいて、アルキレン基としては、好ましくは置
換基を有していてもよい、メチレン基、エチレン基、プ
ロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基
等の炭素数1〜8個のものが挙げられる。環状アルキレ
ン基としては、好ましくは置換基を有していてもよい、
シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等の炭素数5
〜8個のものが挙げられる。アルケニレン基としては、
好ましくは置換基を有していてもよい、エテニレン基、
プロペニレン基、ブテニレン基等の炭素数2〜6個のも
のが挙げられる。
【0027】Yは酸素原子、硫黄原子、−N(OH)
−、−N(アルキル)−(アルキル基は好ましくは炭素
数1〜8の、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、オクチルを表す。)を表し、中でも、酸素原子、硫
黄原子が好ましい。nは1〜3の整数を表す。
【0028】本発明に係る樹脂における一般式(I)〜
一般式(III)で表される基を有する繰り返し構造単位と
しては、一般式(I)〜一般式(III)で表される基を有
するものであればいずれのものでも用いることができる
が、好ましくは、下記一般式(IV)〜(IV)で表される
繰り返し構造単位である。中でも、一般式(IV)で表さ
れる繰り返し構造単位が好ましい。
【0029】
【化7】
【0030】式(IV)〜(VI)中、R15、R16、R18
20は、同一または異なって、水素原子、ハロゲン原
子、シアノ基、アルキル基またはハロアルキル基を表
す。R17は、シアノ基、−CO−OR27または−CO−
NR2829を表す。X1 〜X3 は、同一または異なっ
て、単結合であるか、置換基を有していてもよい、2価
のアルキレン基、アルケニレン基もしくはシクロアルキ
レン基、−CO−、−SO2 −、−O−CO−R30−、
−CO−O−R31−、又は−CO−NR32−R33−を表
す。R27は、水素原子、置換基を有していてもよい、ア
ルキル基、シクロアルキル基もしくはアルケニル基、ま
たは酸の作用により分解してアルカリ現像液中で溶解性
を増大させる基を表す。R28、R29、R32は、同一また
は異なって、水素原子、置換基を有していてもよい、ア
ルキル基、シクロアルキル基もしくはアルケニル基を表
す。またR28とR29が結合して環を形成してもよい。R
30〜R31、R33は、同一または異なって、単結合もしく
は2価のアルキレン基、アルケニレン基またはシクロア
ルキレン基を表し、さらにこれらの基は、エーテル基、
エステル基、アミド基、ウレタン基あるいはウレイド基
とともに2価の基を形成してもよい。Yは、上記一般式
(I)〜(III)で表される構造を表す。
【0031】R27〜R29、R32のアルキル基としては、
好ましくは置換基を有していてもよい、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、
ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基のよう
な炭素数1〜8個のものが挙げられる。シクロアルキル
基としては、好ましくは置換基を有していてもよい、シ
クロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基
のような炭素数3〜8個のものが挙げられる。アルケニ
ル基としては、好ましくは置換基を有していてもよい、
ビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペン
テニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基の様な炭
素数2〜6個のものが挙げられる。
【0032】一般式(I)、(II)又は(III)で表され
る構造中の連結基Xと環構造の結合手の位置は、それら
環構造中のいずれの位置でもよい。
【0033】R15、R16、R18〜R20のアルキル基とし
ては、好ましくは置換基を有していてもよい、メチル
基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、sec−ブ
チル基のような炭素数1〜4個のものが挙げられる。ハ
ロアルキル基としては、好ましくはフッ素原子、塩素原
子、臭素原子が置換した炭素数1〜4個のアルキル基、
例えばフルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチ
ル基、フルオロエチル基、クロロエチル基、ブロモエチ
ル基等が挙げられる。
【0034】X1 〜X3 のアルキレン基としては、好ま
しくは置換基を有していてもよい、メチレン基、エチレ
ン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オク
チレン基等の炭素数1〜8個のものが挙げられる。アル
ケニレン基としては、好ましくは置換基を有していても
よい、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基等
の炭素数2〜6個のものが挙げられる。シクロアルキレ
ン基としては、好ましくは置換基を有していてもよい、
シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等の炭素数5
〜8個のものが挙げられる。
【0035】またR30〜R31、R33のアルキレン基、ア
ルケニレン基、シクロアルキレン基は、上記で示した基
と同様のものが挙げられ、更にそれら基と、エーテル
基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基の
少なくとも1つの基とが一緒になって2価の基を形成し
たものも挙げられる。また、R28とR29とが結合して窒
素原子とともに形成する環としては、5〜8員環を形成
するものが好ましく、具体的にはピロリジン、ピペリジ
ン、ピペラジン等が挙げられる。
【0036】R27は、酸の作用により分解してアルカリ
現像液中での溶解性を増大させる基(酸分解性基)を表
す。ここで、本発明に係る樹脂において、酸分解性基
は、一般式(I)〜(III)で示される基の構造中に含ま
れてもよいし、一般式(I)〜(III)で示される基を有
する繰り返し構造単位中(R27として)に含まれてもよ
いし、更にその他の繰り返し構造単位中に含まれてもよ
いし、これら場所のうち複数の場所に含まれてもよい。
酸分解性基としては、例えば、酸の作用により加水分解
し酸を形成する基、更には酸の作用により炭素カチオン
が脱離し酸を形成する基が挙げられる。好ましくは下記
一般式(XIII)、(XIV)で表される基である。これによ
り、経時安定性が優れるようになる。
【0037】
【化8】
【0038】ここで、R47〜R49は、それぞれ同一でも
相異していてもよく、水素原子、又は置換基を有してい
てもよい、アルキル基、シクロアルキル基もしくはアル
ケニル基を表す。但し、式(XIII)のR47〜R49の内、
少なくとも1つは水素原子以外の基である。R50は置換
基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基
又はアルケニル基を表す。また式(XIII)のR47〜R49
の内の2つ、又は式(XIV)のR47〜R48、R50の内の2
つの基が結合して3〜8個の炭素原子、ヘテロ原子から
成る環構造を形成してもよい。このような環としては具
体的にはシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、シクロヘプチル基、1−シクロヘキセニル
基、2−テトラヒドロフラニル基、2−テトラヒドロピ
ラニル基等が挙げられる。Z1 〜Z2 は、同じでも異な
ってもよく、酸素原子又はイオウ原子を表す。ここでア
ルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基としては、
上記R27で示したものと同様のものが好ましい。
【0039】また上記詳述した各置換基における更なる
置換基としては、好ましくは水酸基、ハロゲン原子(フ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素)、ニトロ基、シアノ基、ア
ミド基、スルホンアミド基、R27のアルキル基、メトキ
シ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ
基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキ
シ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等
のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、
ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオ
キシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基が挙げられる。
【0040】本発明に係る樹脂中における上記一般式
(I)〜(III)で示される脂環式基を有する繰り返し構
造単位(好ましくは一般式(IV)〜(VI)で表される繰
り返し構造単位)の含有量は、耐ドライエッチング性、
アルカリ現像性等とのバランスにより調整されるが、全
繰り返し単位に対して20モル%以上含有することが好
ましく、より好ましくは30〜80モル%、更に好まし
くは40〜70モル%の範囲である。以下に一般式(I
V)〜(VI)で表される繰り返し構造単位の具体例(a
1)〜(a61)を示すが、本発明がこれに限定されるもの
ではない。
【0041】
【化9】
【0042】
【化10】
【0043】
【化11】
【0044】
【化12】
【0045】中でも、本発明の好ましい構造単位とし
て、3級エステル基で連結された下記構造をもつものが
酸分解性に優れ、特に感度の点から好ましい。
【0046】
【化13】
【0047】(式中、R1 〜R5 、Y、n、R15は、前
に説明されたものと同義である。)
【0048】さらに、エステル連結基がラクトンに結合
した上記一般式(a)の構造を有するものは隣接する酸
素原子の相乗効果により高い親水性を有し、感度、基板
密着性、現像欠陥低減の点で好ましい。また、エステル
連結基がラクトンのα位に結合した上記一般式(b)の
構造を有するものはアルカリ現像液によりラクトンが分
解し、カルボン酸を発生して露光部の溶解速度が増大す
るため、感度、基板密着性、現像欠陥低減、解像度の点
で特に好ましい。
【0049】(C)酸の作用により分解してアルカリ現
像液中での溶解性を増大させる基を有する分子量300
0以下の低分子化合物:本発明で使用される酸分解性溶
解阻止化合物(C)としては、アルカリ可溶性樹脂と組
み合わせる場合には、一般式(I)〜一般式(III)で表
される基を少なくとも一つ含有し、さらに酸分解性基を
含有してもよい分子量3,000以下の低分子化合物で
ある。本発明の樹脂と組み合わせる場合、酸分解性基を
含有していれば一般式(I)〜一般式(III)で表される
基を含有していても含有していなくともよい分子量3,
000以下の低分子化合物である。特に220nm以下
の透過性を低下させない為、Proceeding of SPIE, 272
4,355 (1996)に記載されているコール酸誘導体の様な脂
環族又は脂肪族化合物が好ましい。本発明において、酸
分解性溶解阻止化合物を使用する場合、その添加量は感
光性組成物の全組成物の固形分に対し、3〜50重量%
であり、好ましくは5〜40重量%、より好ましくは1
0〜35重量%の範囲である。以下に一般式(I)〜一
般式(III)で表される基と酸の作用により分解してアル
カリ現像液中での溶解性を増大させる基とを有する分子
量3000以下の低分子化合物の具体例を示すが本発明
はこれらに限定されるものではない。
【0050】
【化14】
【0051】(D)酸の作用により分解し、アルカリ現
像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂が上記一
般式(I)、(II)又は(III)の構造を有する繰り返し
構造単位のうち少なくとも一つと、単環または多環の脂
環式炭化水素部分を有する繰り返し単位を含有する樹
脂:また、本発明において、酸の作用により分解し、ア
ルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂
が、耐ドライエッチング性向上のため上記一般式
(I)、(II)又は(III)の構造を有する繰り返し構造
単位のうち少なくとも一つと単環または多環の脂環式炭
化水素部分を有する繰り返し単位を含有する樹脂であっ
ても本発明の目的を達成することができる。樹脂(D)
における単環または多環の脂環式基を有する構造単位
は、好ましくは一般式(VII) ,(VIII)又は(IX)で表され
る脂環式基を有する構造単位である。
【0052】
【化15】
【0053】式(VII) 〜(IX)中、R35、R36、R38〜R
40は、同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、
シアノ基、アルキル基またはハロアルキル基を表す。R
37は、シアノ基、−CO−OR47または−CO−NR48
49を表す。X4 〜X6 は、同一または異なって、単結
合であるか、置換基を有していてもよい、2価のアルキ
レン基、アルケニレン基もしくはシクロアルキレン基、
−OO、−SO2 −、−O−CO−R50−、−CO−O
−R51−、又は−CO−NR 52−R53−を表す。R
47は、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル
基、シクロアルキル基もしくはアルケニル基、または酸
の作用により分解してアルカリ現像液中で溶解性を増大
させる基を表す。R48、R49、R52は、同一または異な
って、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル
基、シクロアルキル基もしくはアルケニル基を表す。ま
たR48とR49が結合して環を形成してもよい。R50〜R
51、R53は、同一または異なって、単結合もしくは2価
のアルキレン基、アルケニレン基またはシクロアルキレ
ン基を表し、さらにこれらの基は、エーテル基、エステ
ル基、アミド基、ウレタン基あるいはウレイド基ととも
に2価の基を形成してもよい。Aは、単環または多環の
脂環式基を表す。
【0054】R35〜R40、R47〜R53、X4 〜X6 の置
換基の詳細は、前記一般式(IV)〜(VI)におけるR15
〜R20、R27〜R33、X1 〜X3 と同義であり、好まし
い基もまた同義である。
【0055】Aで示される単環型の脂環式基としては、
置換基を有していてもよい炭素数3以上のシクロプロパ
ン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等
の脂環式であり、好ましくは置換基を有していてもよい
炭素数3〜8の脂環式基を表す。Aで示される多環型の
脂環式基としては、好ましくは置換基を有していてもよ
い炭素数5個以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシク
ロ等の脂環式基であり、好ましくは置換基を有していて
もよい炭素数6〜30個、更に好ましくは置換基を有し
ていてもよい炭素数7〜25個の多環型の脂環式基を表
す。上記多環型の脂環式基の好ましい置換基としては、
水酸基、ハロゲン原子(フッ素、塩素、臭素、ヨウ
素)、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド
基、上記R47のところで記載したアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ
基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等炭素数1〜
8個のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシ
カルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル
基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキ
シ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ
基が挙げられる。
【0056】上記多環型または単環型の脂環式基のうち
の多環型または単環型脂環式部分の代表的な構造として
は、例えば下記に示すものが挙げられる。
【0057】
【化16】
【0058】
【化17】
【0059】本発明の樹脂中における上記脂環式基を有
する構造単位(好ましくは一般式(VII) 〜(IX)で表され
る繰り返し構造単位)の含有量は、耐ドライエッチング
性、アルカリ現像性等とのバランスにより調整される
が、全繰り返し構造単位に対して20モル%以上含有す
ることが好ましい。該含有量はより好ましくは30〜8
0モル%、更に好ましくは35〜70モル%、また更に
好ましくは40〜60モル%の範囲である。
【0060】また、樹脂(D)において、一般式
(I)、(II)又は(III)の構造を有する繰り返し構造
単位と単環または多環の脂環式炭化水素部分を有する繰
り返し単位の使用割合は、好ましくは80:20〜2
0:80であり、更に好ましくは70:30〜30:7
0である。また、一般式(I)、(II)又は(III)の構
造を有する繰り返し構造単位中に単環または多環の脂環
式炭化水素部分を有してもよい。
【0061】以下に一般式(VII) 〜(IX)で表される繰り
返し構造単位の具体例を示すが、本発明がこれに限定さ
れるものではない。
【0062】
【化18】
【0063】
【化19】
【0064】
【化20】
【0065】
【化21】
【0066】
【化22】
【0067】
【化23】
【0068】
【化24】
【0069】
【化25】
【0070】(E)水に不溶でアルカリ現像液に可溶な
樹脂:本発明のポジ型フォトレジスト組成物中に酸分解
性基を含有していない、水に不溶でアルカリ現像液に可
溶な樹脂(以下単にアルカリ可溶性樹脂という)を用い
ることができ、これにより感度が向上する。上記酸分解
性基を含有していないアルカリ可溶性樹脂は、カルボキ
シル基を有する繰り返し構造単位(好ましくは下記一般
式(XV)〜(XVII)で表される構造)を有する樹脂が好
ましい。アルカリ可溶性調整のためにこれらに後述の
(他の重合性モノマー)に記載するモノマーを共重合さ
せてもよい。また、耐ドライエッチング性向上のために
前記一般式(VII ),(VIII),(IX) で示される脂環
式基を有する構造単位を共重合させてもよい。あるいは
その両方を行ってもよい。本発明において、ノボラック
樹脂類、ポリヒドロキシスチレン誘導体も用いることが
できるが、これらは250nm以下の光に対して吸収が
大きいため、一部水素添加して用いるか、または全樹脂
量の30重量%以下の量で使用するのが好ましい。
【0071】本発明のポジ型フォトレジスト組成物中に
は、下記一般式(X) 、(XI)、(XII)で表される繰り返し
構造単位のうち少なくとも一つを有することもできる。
【0072】
【化26】
【0073】式(X) 〜(XII) 中、R55、R56、R58〜R
60は、同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、
シアノ基、アルキル基またはハロアルキル基を表す。R
57は、シアノ基、−CO−OR67または−CO−NR68
69を表す。X7 〜X9 は、同一または異なって、単結
合であるか、置換基を有していてもよい、2価のアルキ
レン基、アルケニレン基もしくはシクロアルキレン基、
−OO、−SO2 −、−O−CO−R70−、−CO−O
−R71−、又は−CO−NR 72−R73−を表す。R
67は、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル
基、シクロアルキル基もしくはアルケニル基、または酸
の作用により分解してアルカリ現像液中で溶解性を増大
させる基を表す。R68、R69、R72は、同一または異な
って、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル
基、シクロアルキル基もしくはアルケニル基を表す。ま
たR68とR69が結合して環を形成してもよい。R70〜R
71、R73は、同一または異なって、単結合もしくは2価
のアルキレン基、アルケニレン基またはシクロアルキレ
ン基を表し、さらにこれらの基は、エーテル基、エステ
ル基、アミド基、ウレタン基あるいはウレイド基ととも
に2価の基を形成してもよい。Bは、酸の作用により分
解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を表
し、その詳細は前記一般式(IV)〜(VI)におけるR27
の酸分解性基と同義である。
【0074】R55〜R60、R67〜R73、X7 〜X9 の置
換基の詳細は、前記一般式(IV)〜(VI)におけるR15
〜R20、R27〜R33、X1 〜X3 と同義であり、好まし
い基もまた同義である。
【0075】また本発明に係る樹脂中における一般式
(X) 〜(XII) で表される繰り返し構造単位の含有量は、
アルカリ現像性、基板密着性等の性能により調整される
が、全繰り返し単位に対して好ましくは0〜80モル
%、より好ましくは0〜70モル%、また更に好ましく
は0〜60モル%の範囲で使用される。以下に一般式
(X) 〜(XII) で表される繰り返し構造単位の具体例を示
すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0076】
【化27】
【0077】
【化28】
【0078】
【化29】
【0079】
【化30】
【0080】本発明に係る樹脂中には、更にカルボキシ
ル基を含ませることもできる。カルボキシル基は、上記
一般式(IV)〜(IX)の基を有する繰り返し構造単位中
に含まれてもよいし、酸分解性基を有する繰り返し構造
単位中及び低分子化合物(C)に含まれてもよいし、そ
れらとは別の繰り返し構造単位中に含まれてもよい。更
にこれらのカルボキシル基の置換場所のうち複数の場所
に含まれてもよい。カルボキシル基を有する繰り返し構
造単位としては、一般式(XV)〜(XVII)で表される繰り返
し構造単位が好ましい。
【0081】
【化31】
【0082】式(XV)〜(XVII)中、R75、R76、R78〜R
80は、同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、
シアノ基、アルキル基またはハロアルキル基を表す。R
77は、シアノ基、−CO−OR87または−CO−NR88
89を表す。X10〜X12は、同一または異なって、単結
合であるか、置換基を有していてもよい、2価のアルキ
レン基、アルケニレン基もしくはシクロアルキレン基、
−OO、−SO2 −、−O−CO−R90−、−CO−O
−R91−、又は−CO−NR 92−R93−を表す。R
87は、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル
基、シクロアルキル基もしくはアルケニル基、または酸
の作用により分解してアルカリ現像液中で溶解性を増大
させる基を表す。R88、R89、R92は、同一または異な
って、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル
基、シクロアルキル基もしくはアルケニル基を表す。ま
たR88とR89が結合して環を形成してもよい。R90〜R
91、R93は、同一または異なって、単結合もしくは2価
のアルキレン基、アルケニレン基またはシクロアルキレ
ン基を表し、さらにこれらの基は、エーテル基、エステ
ル基、アミド基、ウレタン基あるいはウレイド基ととも
に2価の基を形成してもよい。
【0083】R75〜R80、R87〜R93、X10〜X12の置
換基の詳細は、前記一般式(IV)〜(VI)におけるR15
〜R20、R27〜R33、X1 〜X3 と同義であり、好まし
い基もまた同義である。
【0084】本発明に係る樹脂中における上記カルボキ
シル基を有する繰り返し構造単位(好ましくは一般式(X
V)〜(XVII)表される繰り返し構造単位)の含有量は、ア
ルカリ現像性、基板密着性、更には感度等の性能により
調整されるが、全繰り返し単位に対して好ましくは0〜
60モル%、より好ましくは0〜40モル%、また更に
好ましくは0〜20モル%の範囲である。ここで、この
カルボキシル基含有繰り返し構造単位の含有量は、カル
ボキシル基を含有する上記一般式(IV)〜(IX)で示さ
れる基を有する繰り返し構造単位、低分子化合物
(C)、及びカルボキシル基を含有する酸分解性基含有
繰り返し構造単位も含めた、樹脂中の全てのカルボキシ
ル基含有繰り返し構造単位の量である。以下に一般式(X
V)〜(XVII)で表される繰り返し構造単位の具体例を示す
が、本発明がこれに限定されるものではない。
【0085】
【化32】
【0086】
【化33】
【0087】(他の重合性モノマー)本発明に係る樹脂
の性能を向上させる目的で、同樹脂の220nm以下の
透過性及び耐ドライエッチング性を著しく損なわない範
囲で、更に他の重合性モノマーを共重合させても良い。
使用することができる共重合モノマーとしては、以下に
示すものが含まれる。例えば、アクリル酸エステル類、
アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタクリ
ルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニル
エステル類、スチレン類、クロトン酸エステル類などか
ら選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物で
ある。
【0088】具体的には、例えばアクリル酸エステル
類、例えばアルキル(アルキル基の炭素原子数は1〜1
0のものが好ましい)アクリレート(例えば、アクリル
酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、ア
クリル酸t−ブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸シ
クロヘキシル、アクリル酸エチルヘキシル、アクリル酸
オクチル、アクリル酸−t−オクチル、クロルエチルア
クリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート2,2
−ジメチルヒドロキシプロピルアクリレート、5−ヒド
ロキシペンチルアクリレート、トリメチロールプロパン
モノアクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリレ
ート、グリシジルアクリレート、ベンジルアクリレー
ト、メトキシベンジルアクリレート、フルフリルアクリ
レート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、など)
アリールアクリレート(例えばフェニルアクリレート、
ヒドロキシフェニルアクリレートなど);
【0089】メタクリル酸エステル類、例えば、アルキ
ル(アルキル基の炭素原子数は1〜10のものが好まし
い)メタクリレート(例えば、メチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソ
プロピルメタクリレート、t−ブチルメタクリレート、
アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シク
ロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、
クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリレー
ト、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、4−ヒドロ
キシブチルメタクリレート、5−ヒドロキシペンチルメ
タクリレート、2,2−ジメチル−3−ヒドロキシプロ
ピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメタ
クリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレー
ト、グリシジルメタクリレート、フルフリルメタクリレ
ート、テトラヒドロフルフリルメタクリレートなど)、
アリールメタクリレート(例えば、フェニルメタクリレ
ート、ヒドロキシフェニルメタクリレート、クレジルメ
タクリレート、ナフチルメタクリレートなど);アクリ
ルアミド類、例えば、アクリルアミド、N−アルキルア
クリルアミド、(アルキル基としては、炭素原子数1〜
10のもの、例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、t−ブチル基、ヘプチル基、オクチル
基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ヒドロキシエチル
基、ベンジル基などがある。)、N−アリールアクリル
アミド(アリール基としては、例えばフェニル基、トリ
ル基、ニトロフェニル基、ナフチル基、シアノフェニル
基、ヒドロキシフェニル基、カルボキシフェニル基など
がある。)、N,N−ジアルキルアクリルアミド(アル
キル基としては、炭素原子数1〜10のもの、例えば、
メチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、エチル
ヘキシル基、シクロヘキシル基などがある。)、N,N
−アリールアクリルアミド(アリール基としては、例え
ばフェニル基などがある。)、N−メチル−N−フェニ
ルアクリルアミド、N−ヒドロキシエチル−N−メチル
アクリルアミド、N−2−アセトアミドエチル−N−ア
セチルアクリルアミドなど;メタクリルアミド類、例え
ば、メタクリルアミド、N−アルキルメタクリルアミド
(アルキル基としては、炭素原子数1〜10のもの、例
えば、メチル基、エチル基、t−ブチル基、エチルヘキ
シル基、ヒドロキシエチル基、シクロヘキシル基などが
ある。)、N−アリールメタクリルアミド(アリール基
としては、フェニル基、ヒドロキシフェニル基、カルボ
キシフェニル基などがある。)、N,N−ジアルキルメ
タクリルアミド(アルキル基としては、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基などがある。)、N,N−ジアリール
メタクリルアミド(アリール基としては、フェニル基な
どがある。)、N−ヒドロキシエチル−N−メチルメタ
クリルアミド、N−メチル−N−フェニルメタクリルア
ミド、N−エチル−N−フェニルメタクリルアミドな
ど;アリル化合物、例えば、アリルエステル類(例え
ば、酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリ
ル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリ
ン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸
アリルなど)、アリルオキシエタノールなど;
【0090】ビニルエーテル類、例えば、アルキルビニ
ルエーテル(例えば、ヘキシルビニルエーテル、オクチ
ルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキ
シルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、
エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエ
ーテル、1−メチル−2,2−ジメチルプロピルビニル
エーテル、2−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキ
シエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニル
エーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエ
チルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチル
ビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒド
ロフルフリルビニルエーテルなど)、ビニルアリールエ
ーテル(例えばビニルフェニルエーテル、ビニルトリル
エーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−
2,4−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエ
ーテル、ビニルアントラニルエーテルなど);ビニルエ
ステル類、例えば、ビニルブチレート、ビニルイソブチ
レート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチル
アセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビ
ニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビ
ニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、
ビニルフェニルアセテート、ビニルアセトアセテート、
ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、
ビニルシクロヘキシルカルボキシレート、安息香酸ビニ
ル、サルチル酸ビニル、クロル安息香酸ビニル、テトラ
クロル安息香酸ビニル、ナフトエ酸ビニルなど;
【0091】スチレン類、例えば、スチレン、アルキル
スチレン(例えば、メチルスチレン、ジメチルスチレ
ン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルス
チレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキ
シルスチレン、シクロヘキシルスチレン、デシルスチレ
ン、ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフ
ルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセ
トキシメチルスチレンなど)、アルコキシスチレン(例
えば、メトキシスチレン、4−メトキシ−3−メチルス
チレン、ジメトキシスチレンなど)、ハロゲンスチレン
(例えば、クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリク
ロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルス
チレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードス
チレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、2
−ブロム−4−トリフルオルメチルスチレン、4−フル
オル−3−トリフルオルメチルスチレンなど)、ヒドロ
キシスチレン(例えば、4−ヒドロキシスチレン、3−
ヒドロキシスチレン、2−ヒドロキシスチレン、4−ヒ
ドロキシ−3−メチルスチレン、4−ヒドロキシ−3,
5−ジメチルスチレン、4−ヒドロキシ−3−メトキシ
スチレン、4−ヒドロキシ−3−(2−ヒドロキシベン
ジル)スチレンなど)、カルボキシスチレン;クロトン
酸エステル類、例えば、クロトン酸アルキル(例えば、
クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシル、グリセリンモ
ノクロトネートなど);イタコン酸ジアルキル類(例え
ば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコ
ン酸ジブチルなど);マレイン酸あるいはフマール酸の
ジアルキルエステル類(例えば、ジメチルマレレート、
ジブチルフマレートなど)、無水マレイン酸、マレイミ
ド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、マレイロ
ニトリル等がある。その他、一般的には共重合可能であ
る付加重合性不飽和化合物であればよい。
【0092】この中で、カルボキシスチレン、N−(カ
ルボキシフェニル)アクリルアミド、N−(カルボキシ
フェニル)メタクリルアミド等のようなカルボキシル基
を有するモノマー、ヒドロキシスチレン、N−(ヒドロ
キシフェニル)アクリルアミド、N−(ヒドロキシフェ
ニル)メタクリルアミド、ヒドロキシフェニルアクリレ
ート、ヒドロキシフェニルメタクリレート等のフェノー
ル性水酸基を有するモノマー、マレイミド等、アルカリ
溶解性を向上させるモノマーが共重合成分として好まし
い。本発明における樹脂中の他の重合性モノマーの含有
量としては、全繰り返し単位に対して、50モル%以下
が好ましく、より好ましくは30モル%以下である。
【0093】一般式(I)〜(III)で示される基を有す
る繰り返し構造単位(好ましくは一般式(IV)〜(IX)
繰り返し構造単位)、必要に応じ酸分解性基を有する繰
り返し構造単位(好ましくは一般式(X)〜(XII) で表さ
れる繰り返し構造単位)、必要に応じカルボキシル基を
有する繰り返し構造単位(好ましくは一般式(XV)〜
(XVII) で表される繰り返し構造単位)あるいは他の重
合性モノマーを含有する本発明に係る樹脂は、各構造に
対応する不飽和モノマーのラジカル、カチオン、又はア
ニオン重合により合成される。更に詳しくは前記に示し
た好ましい組成に基づき各モノマーを配合し、適当な溶
媒中、約10〜40重量%のモノマー濃度にて重合触媒
を添加し、必要に応じ加温して重合される。
【0094】本発明に係る樹脂の分子量は、重量平均
(Mw:ポリスチレン標準)で2,000以上、好まし
くは3,000〜1,000,000、より好ましくは
3,000〜200,000、更に好ましくは4,00
0〜100,000の範囲であり、大きい程、耐熱性等
が向上する一方で、現像性等が低下し、これらのバラン
スにより好ましい範囲に調整される。また分散度(Mw
/Mn)は、好ましくは1.0〜5.0、より好ましく
は1.0〜3.0であり、小さい程、耐熱性、画像性能
(パターンプロファイル、デフォーカスラチチュード
等)が良好となる。本発明において、上記樹脂の感光性
組成物中の添加量としては、全固形分に対して50〜9
9.7重量%、好ましくは70〜99重量%である。
【0095】(F)フッ素系及び/又はシリコン系界面
活性剤:次に本発明のポジ型感光性樹脂組成物に含有さ
れる(F)フッ素系界面活性剤とシリコン系界面活性剤
について説明する。本発明の感光性樹脂組成物には、フ
ッ素系界面活性剤及びシリコン系界面活性剤のいずれ
か、あるいは両方を含有することができる。これらの
(F)界面活性剤として、例えば特開昭62-36663号、特
開昭61-226746号、特開昭61-226745号、特開昭62-17095
0号、特開昭63-34540号、特開平7-230165号、特開平8-6
2834号、特開平9-54432号、特開平9-5988号記載の界面
活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそ
のまま用いることもできる。使用できる市販の界面活性
剤として、例えばエフトップEF301、EF303、(新秋田化
成(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリーエム(株)
製)、メガファックF171、F173、F176、F189、R08(大日
本インキ(株)製)、サーフロンS−382、SC101、102、
103、104、105、106(旭硝子(株)製)等のフッ素系界
面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができ
る。またポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工
業(株)製)もシリコン系界面活性剤として用いること
ができる。界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中の
固形分100重量%当たり、通常0.01重量%〜2重
量%、好ましくは0.01重量%〜1重量%である。こ
れらの界面活性剤は1種単独であるいは2種以上を組み
合わせて用いることができる。
【0096】(A)活性光線又は放射線の照射により酸
を発生する化合物:本発明で用いられる光酸発生剤は、
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物で
ある。本発明で使用される活性光線または放射線の照射
により分解して酸を発生する化合物としては、光カチオ
ン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類
の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に
使用されている公知の光(400〜200nmの紫外
線、遠紫外線、特に好ましくは、g線、h線、i線、K
rFエキシマレーザー光)、ArFエキシマレーザー
光、電子線、X線、分子線又はイオンビームにより酸を
発生する化合物およびそれらの混合物を適宜に選択して
使用することができる。
【0097】また、その他の本発明に用いられる活性光
線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として
は、例えば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、ヨード
ニウム塩、スルホニウム塩、アルソニウム塩等のオニウ
ム塩、有機ハロゲン化合物、有機金属/有機ハロゲン化
物、o−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、
イミノスルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホ
ン酸を発生する化合物、ジスルホン化合物、ジアゾケト
スルホン、ジアゾジスルホン化合物等を挙げることがで
きる。
【0098】また、これらの光により酸を発生する基、
あるいは化合物をポリマーの主鎖または側鎖に導入した
化合物、例えば、米国特許第3,849,137号、独国特許第3
914407、特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開
昭62-69263号、特開昭63-146038 、特開昭63-163452
号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号等に記載の
化合物を用いることができる。
【0099】さらに米国特許第3,779,778号、欧州特許
第126,712号等に記載の光により酸を発生する化合物も
使用することができる。
【0100】上記活性光線または放射線の照射により分
解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられ
るものについて以下に説明する。 (1)トリハロメチル基が置換した下記一般式(PAG
1)で表されるオキサゾール誘導体または一般式(PA
G2)で表されるS−トリアジン誘導体。
【0101】
【化34】
【0102】式中、R201 は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、R202 は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−C(Y)3
をしめす。Yは塩素原子または臭素原子を示す。具体的
には以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定
されるものではない。
【0103】
【化35】
【0104】
【化36】
【0105】
【化37】
【0106】(2)下記の一般式(PAG3)で表され
るヨードニウム塩、または一般式(PAG4)で表され
るスルホニウム塩。
【0107】
【化38】
【0108】ここで式Ar1、Ar2は各々独立に置換も
しくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基とし
ては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカ
プト基およびハロゲン原子が挙げられる。
【0109】R203 、R204 、R205 は各々独立に、置
換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好
ましくは、炭素数6〜14のアリール基、炭素数1〜8
のアルキル基およびそれらの置換誘導体である。好まし
い置換基としては、アリール基に対しては炭素数1〜8
のアルコキシ基、炭素数1〜8のアルキル基、ニトロ
基、カルボキシル基、ヒロドキシ基およびハロゲン原子
であり、アルキル基に対しては炭素数1〜8のアルコキ
シ基、カルボキシル基、アルコシキカルボニル基であ
る。
【0110】Z-は対アニオンを示し、例えばBF4 -
AsF6 -、PF6 -、SbF6-、SiF6 2-、ClO4 -
CF3SO3 -等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニ
オン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、ナ
フタレン−1−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族
スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸 アニ
オン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるが
これらに限定されるものではない。
【0111】またR203 、R204 、R205 のうちの2つ
およびAr1、Ar2はそれぞれの単結合または置換基を
介して結合してもよい。
【0112】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
【0113】
【化39】
【0114】
【化40】
【0115】
【化41】
【0116】
【化42】
【0117】
【化43】
【0118】
【化44】
【0119】
【化45】
【0120】
【化46】
【0121】
【化47】
【0122】
【化48】
【0123】一般式(PAG3)、(PAG4)で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、例えば、米国特許第
2,807,648 号および同4,247,473号、特開昭53-101,331
号等に記載の方法により合成することができる。
【0124】(3)下記一般式(PAG5)で表される
ジスルホン誘導体または一般式(PAG6)で表される
イミノスルホネート誘導体。
【0125】
【化49】
【0126】式中、Ar3、Ar4は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。R 206 は置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基を示す。Aは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレ
ン基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
【0127】
【化50】
【0128】
【化51】
【0129】
【化52】
【0130】
【化53】
【0131】
【化54】
【0132】
【化55】
【0133】(4)下記一般式(PAG7)で表される
ジアゾジスルホン誘導体。
【0134】
【化56】
【0135】ここでRは、直鎖、分岐又は環状アルキル
基、あるいは置換していてもよいアリール基を表す。具
体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これら
に限定されるものではない。
【0136】
【化57】
【0137】これらの活性光線または放射線の照射によ
り分解して酸を発生する化合物の添加量は、組成物中の
固形分を基準として、通常0.001〜40重量%の範
囲で用いられ、好ましくは0.01〜20重量%、更に
好ましくは0.1〜5重量%の範囲で使用される。活性
光線または放射線の照射により分解して酸を発生する化
合物の添加量が、0.001重量%より少ないと感度が
低くなり、また添加量が40重量%より多いとレジスト
の光吸収が高くなりすぎ、プロファイルの悪化や、プロ
セス(特にベーク)マージンが狭くなり好ましくない。
【0138】(本発明に使用されるその他の成分)本発
明のポジ型感光性組成物には、必要に応じて更に酸分解
性溶解促進化合物、染料、可塑剤、界面活性剤、光増感
剤、有機塩基性化合物、及び現像液に対する溶解性を促
進させる化合物等を含有させることができる。本発明で
使用できる現像液に対する溶解促進性化合物としては、
フェノール性OH基を2個以上、又はカルボキシ基を1
個以上有する分子量1,000以下の低分子化合物であ
る。カルボキシ基をを有する場合は上記と同じ理由で脂
環族又は脂肪族化合物が好ましい。これら溶解促進性化
合物の好ましい添加量は、本発明の樹脂に対して2〜5
0重量%であり、更に好ましくは5〜30重量%であ
る。50重量%を越えた添加量では、現像残渣が悪化
し、また現像時にパターンが変形するという新たな欠点
が発生して好ましくない。
【0139】このような分子量1000以下のフェノー
ル化合物は、例えば、特開平4−122938、特開平
2−28531、米国特許第4916210、欧州特許
第219294等に記載の方法を参考にして、当業者に
於て容易に合成することができる。フェノール化合物の
具体例を以下に示すが、本発明で使用できる化合物はこ
れらに限定されるものではない。
【0140】レゾルシン、フロログルシン、2,3,4
−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3′,
4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、アセト
ン−ピロガロール縮合樹脂、フロログルコシド、2,
4,2′,4′−ビフェニルテトロール、4,4′−チ
オビス(1,3−ジヒドロキシ)ベンゼン、2,2′,
4,4′−テトラヒドロキシジフェニルエーテル、2,
2′,4,4′−テトラヒドロキシジフェニルスルフォ
キシド、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシジフェ
ニルスルフォン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メ
タン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロ
ヘキサン、4,4−(α−メチルベンジリデン)ビスフ
ェノール、α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、
α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−
1−エチル−4−イソプロピルベンゼン、1,2,2−
トリス(ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,2−
トリス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロパン、2,2,5,5−テトラキス(4−ヒドロキ
シフェニル)ヘキサン、1,2−テトラキス(4−ヒド
ロキシフェニル)エタン、1,1,3−トリス(ヒドロ
キシフェニル)ブタン、パラ〔α,α,α′,α′−テ
トラキス(4−ヒドロキシフェニル)〕−キシレン等を
挙げることができる。
【0141】本発明で用いることのできる好ましい有機
塩基性化合物とは、フェノールよりも塩基性の強い化合
物である。中でも含窒素塩基性化合物が好ましい。好ま
しい化学的環境として、下記式(A)〜(E)の構造を
挙げることができる。
【0142】
【化58】
【0143】更に好ましい化合物は、一分子中に異なる
化学的環境の窒素原子を2個以上有する含窒素塩基性化
合物であり、特に好ましくは、置換もしくは未置換のア
ミノ基と窒素原子を含む環構造の両方を含む化合物もし
くはアルキルアミノ基を有する化合物である。好ましい
具体例としては、置換もしくは未置換のグアニジン、置
換もしくは未置換のアミノピリジン、置換もしくは未置
換のアミノアルキルピリジン、置換もしくは未置換のア
ミノピロリジン、置換もしくは未置換のインダーゾル、
置換もしくは未置換のピラゾール、置換もしくは未置換
のピラジン、置換もしくは未置換のピリミジン、置換も
しくは未置換のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾ
リン、置換もしくは未置換のピラゾリン、置換もしくは
未置換のピペラジン、置換もしくは未置換のアミノモル
フォリン、置換もしくは未置換のアミノアルキルモルフ
ォリン等が挙げられる。好ましい置換基は、アミノ基、
アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール
基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、ア
シル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。特に好ましい
化合物として、グアニジン、1,1−ジメチルグアニジ
ン、1,1,3,3,−テトラメチルグアニジン、2−
アミノピリジン、3−アミノピリジン、4−アミノピリ
ジン、2−ジメチルアミノピリジン、4−ジメチルアミ
ノピリジン、2−ジエチルアミノピリジン、2−(アミ
ノメチル)ピリジン、2−アミノ−3−メチルピリジ
ン、2−アミノ−4−メチルピリジン、2−アミノ−5
−メチルピリジン、2−アミノ−6−メチルピリジン、
3−アミノエチルピリジン、4−アミノエチルピリジ
ン、3−アミノピロリジン、ピペラジン、N−(2−ア
ミノエチル)ピペラジン、N−(2−アミノエチル)ピ
ペリジン、4−アミノ−2,2,6,6−テトラメチル
ピペリジン、4−ピペリジノピペリジン、2−イミノピ
ペリジン、1−(2−アミノエチル)ピロリジン、ピラ
ゾール、3−アミノ−5−メチルピラゾール、5−アミ
ノ−3−メチル−1−p−トリルピラゾール、ピラジ
ン、2−(アミノメチル)−5−メチルピラジン、ピリ
ミジン、2,4−ジアミノピリミジン、4,6−ジヒド
ロキシピリミジン、2−ピラゾリン、3−ピラゾリン、
N−アミノモルフォリン、N−(2−アミノエチル)モ
ルフォリン、1,5−ジアザビシクロ〔4,3,0〕ノ
ナ−5−エン、1,8−ジアザビシクロ〔5,4,0〕
ウンデカ−7−エン、2,4,5−トリフェニルイミダ
ゾールなどが挙げられるがこれに限定されるものではな
い。
【0144】これらの含窒素塩基性化合物は、単独であ
るいは2種以上一緒に用いられる。含窒素塩基性化合物
の使用量は、感光性樹脂組成物の固形分を基準として、
通常0.001〜10重量%、好ましくは0.01〜5
重量%である。0.001重量%未満では上記含窒素塩
基性化合物の添加の効果が得られない。一方、10重量
%を超えると感度の低下や非露光部の現像性が悪化する
傾向がある。
【0145】好適な染料としては油性染料及び塩基性染
料がある。具体的にはオイルイエロー#101、オイル
イエロー#103、オイルピンク#312、オイルグリ
ーンBG、オイルブルーBOS,オイルブルー#60
3、オイルブラックBY、オイルブラックBS、オイル
ブラックT−505(以上オリエント化学工業株式会社
製)、クリスタルバイオレット(CI42555)、メ
チルバイオレット(CI42535)、ローダミンB
(CI45170B)、マラカイトグリーン(CI42
000)、メチレンブルー(CI52015)等を挙げ
ることができる。
【0146】露光による酸発生率を向上させる為、さら
に下記に挙げるような光増感剤を添加することができ
る。好適な光増感剤としては、具体的にはベンゾフェノ
ン、p,p’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、
p,p’−テトラエチルエチルアミノベンゾフェノン、
2−クロロチオキサントン、アントロン、9−エトキシ
アントラセン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェ
ノチアジン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフ
ラビン、セトフラビン−T、9,10−ジフェニルアン
トラセン、9−フルオレノン、アセトフェノン、フェナ
ントレン、2−ニトロフルオレン、5−ニトロアセナフ
テン、ベンゾキノン、2−クロロ−4−ニトロアニリ
ン、N−アセチル−p−ニトロアニリン、p−ニトロア
ニリン、、N−アセチル−4−ニトロ−1−ナフチルア
ミン、ピクラミド、アントラキノン、2−エチルアント
ラキノン、2−tert−ブチルアントラキノン1,2−ベ
ンズアンスラキノン、3−メチル−1,3−ジアザ−
1,9−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、1,
2−ナフトキノン、3,3’−カルボニル−ビス(5,
7−ジメトキシカルボニルクマリン)及びコロネン等で
あるがこれらに限定されるものではない。また、これら
の光増感剤は、光源の遠紫外光の吸光剤としても使用可
能である。この場合、吸光剤は基板からの反射光を低減
し、レジスト膜内の多重反射の影響を少なくさせること
で、定在波改良の効果を発現する。
【0147】本発明の感光性組成物は、上記各成分を溶
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチ
ロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳
酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、
エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロ
リドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶
媒を単独あるいは混合して使用する。
【0148】本発明においては、上記(F)フッ素系及
び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を
加えることもできる。具体的には、ポリオキシエチレン
ラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエー
テル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシ
エチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアル
キルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノー
ルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエー
テル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル
類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロッ
クコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタ
ンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソ
ルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、
ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エス
テル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレー
ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテ−ト、
ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリ
オキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシ
エチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエ
チレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面
活性剤等を挙げることができる。これらの界面活性剤の
配合量は、本発明の組成物中の固形分100重量%当た
り、通常、2重量%以下、好ましくは1重量%以下であ
る。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、ま
た、いくつかの組み合わせで添加することもできる。
【0149】上記感光性組成物を精密集積回路素子の製
造に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリ
コン被覆)上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法
により塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを
行い現像することにより良好なレジストパターンを得る
ことができる。ここで露光光としては、好ましくは25
0nm以下、より好ましくは220nm以下の波長の遠
紫外線である。具体的には、KrFエキシマレーザー
(248nm)、ArFエキシマレーザー(193n
m)、F2 エキシマレーザー(157nm)、X線、電
子ビーム等が挙げられる。
【0150】本発明の感光性組成物の現像液としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン
類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム
塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカ
リ性水溶液を使用することができる。更に、上記アルカ
リ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加し
て使用することもできる。
【0151】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。 [(合成例1)構造例(a1)の原料モノマーの合成)]
γ−クロトノラクトン25gをイソプロピルアルコール
500mlに溶解させ、この溶液を石英製光反応装置に
入れ低圧水銀ランプ(USHIO製6W)で80時間光
照射した。反応液をろ過し、ついでイソプロピルアルコ
ールを留去し、粗生成物を得た。これを減圧蒸留により
蒸留精製するとアルコール体が31g得られた。得られ
たアルコール体化合物9.3g(64.6mmol)を
THF100mlに溶解し、これにトリエチルアミン1
2.8g(129.2mmol)、ジメチルアミノピリ
ジン0.7gを加えた。この溶液に、氷冷下メタクリル
酸クロリド10.1g(96.9mmol)を30分か
けて滴下し、そのまま氷冷下2時間、室温で3時間攪拌
した。反応液に水を加えてしばらく攪拌した後、酢酸エ
チルを加え分液した。有機相を水、Brine で洗浄、乾
燥、濃縮すると粗生成物が得られた。これをカラムクロ
マトグラフィーで精製すると、目的物2.7gが得られ
た。
【0152】[合成例2(構造例(a2)の原料モノマー
の合成)]合成例1のメタクリル酸クロリドをアクリル
酸クロリドに変えた以外は合成例1と同様にして構造例
a2の原料モノマーを得た。
【0153】[合成例3(構造例(a3)の原料モノマー
の合成)]合成例1のイソプロパノールをシクロヘキサ
ノールに変えた以外は合成例1と同様にして構造例a3
の原料モノマーを得た。同様にして、α,β−不飽和カ
ルボニル化合物と2級アルコールを光反応させることに
よって3級アルコール体を得た。これを対応するカルボ
ン酸クロリド、カルボン酸無水物、イソシアネートと反
応することにより構造例a4〜a36の原料モノマーを
得た。
【0154】[合成例4(構造例(a39) の原料モノマー
の合成)]α−ブロモ−γ−ブチロラクトン19.8
g、2−ヒドロキシイソ酪酸25gをメチルイソブチル
ケトン80mlに溶解させ、これにトリエチルアミン3
6gを加えた。室温で10時間反応させ、析出した粉体
をろ過した。ろ液を5%炭酸水素ナトリウム水溶液、次
いで蒸留水、飽和食塩水で洗浄、乾燥、濃縮すると粗生
成物が11.7g得られた。これをテトラヒドロフラン
100mlに溶解させ、これにトリエチルアミン12.
7g、N,N−ジメチルアミノピリジン0.1gを加え
た。この溶液にメタクリル酸クロリド9.8gを30分
かけて滴下し、室温で20時間反応させた。反応液に蒸
留水100mlを加えて30分攪拌し、これを酢酸エチ
ルで抽出、有機相を水洗、乾燥、濃縮すると粗生成物が
得られた。これをカラムクロマトグラフィーで精製する
と目的物7.2gが得られた。
【0155】[合成例5(構造例(a41) の原料モノマー
の合成)]氷冷下、水素化ホウ素ナトリウム9gをメタ
ノール80mlに溶解させ、これにα−アセチル−γ−
ブチロラクトン15gを30分かけて滴下した。室温で
5時間反応させた後、水素化ホウ素ナトリウム4.5g
を追加し、さらに5時間反応させた。これに水100m
lを加え、塩酸を溶液が弱酸性になるまで添加した。こ
の溶液を濃縮し、これに酢酸エチルを加えた。不溶分を
ろ過で除き、濃縮すると粗生成物が得られた。これをカ
ラムクロマトグラフィーで精製するとアルコール体1
0.5gが得られた。アルコール体3gをテトラヒドロ
フラン50mlに溶解させ、これにトリエチルアミン
2.3g、N,N−ジメチルアミノピリジン0.05g
を加えた。この溶液にメタクリル酸クロリド2.4gを
30分かけて滴下し、室温で2時間反応させた。反応液
に蒸留水100mlを加えて30分攪拌し、これを酢酸
エチルで抽出、有機相を水洗、乾燥、濃縮すると粗生成
物が得られた。これをカラムクロマトグラフィーで精製
すると目的物3.9gが得られた。
【0156】[合成例6(メチル−2−アダマンチルメ
タクリレート(b1)の合成)]2−メチル−2−アダ
マンタノール30g、トリエチルアミン36g、N,N
−ジメチルアミノピリジン4gをテトラヒドロフラン3
00mlに溶解させ、この溶液にメタクリル酸クロリド
29gを氷冷下30分かけて滴下した。室温まで昇温
し、そのまま一晩反応させた。反応液に氷冷下蒸留水5
00ml加え、これを酢酸エチルで抽出、有機相を乾
燥、濃縮すると粗生成物が得られた。これをカラムクロ
マトグラフィーで精製すると、目的物17gが得られ
た。
【0157】[合成例7(セドロールアクリレート(b
5)の合成)](+)−Cedrol(LANCASTER製) 25gを
THF200mlに溶解させ、これにトリエチルアミン
22.8g、N,N−ジメチルアミノピリジン1gを加
えた。この溶液に氷冷下アクリル酸クロリド15.2g
を30分かけて滴下し、室温で2日攪拌した。この溶液
に氷冷下蒸留水100mlを加え、30分攪拌した後、
酢酸エチルを300ml加えた。分液して水相を除いた
後、有機相を水洗、乾燥、濃縮すると粗生成物が得られ
た。これをカラムクロマトグラフィーで精製すると目的
物(構造例b5の原料モノマー)が18.2g得られ
た。
【0158】[合成例8(本発明ポリマー(P1)の合
成)]構造例a3の原料モノマー10gおよび重合開始
剤2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリ
ル)(和光純薬製;V−65)0.50g,メルカプト
酢酸0.15gをN,N−ジメチルアセトアミド30m
lに溶解させ、これを窒素気流下60℃で加熱してN,
N−ジメチルアセトアミド10mlに4時間かけて滴下
した。滴下終了2時間後にV−65を0.50g追加
し、さらに2時間加熱反応した。反応液を放冷後、イオ
ン交換水1Lに投入し、析出した粉体をろ取した。この
粉体をTHF100mlに溶解させ、これをヘキサン1
Lに投入、析出した粉体をろ取すると構造例a3のホモ
ポリマー(P1)が得られた。(重量平均分子量730
0、分散度2.8)
【0159】[合成例9(本発明ポリマー(P2)の合
成)]構造例a1の原料モノマー1.2gおよび構造例
b1の原料モノマー1.36g、2,2’−アゾビス
(2,4−ジメチルバレロニトリル)0.16g、メル
カプト酢酸0.043gをN,N−ジメチルアセトアミ
ド8.2gに溶解させ、これにTHF1.4gを加え
た。この溶液を窒素気流下60℃で加熱してN,N−ジ
メチルアセトアミド2gに4時間かけて滴下した。滴下
終了2時間後に2,2’−アゾビス(2,4−ジメチル
バレロニトリル)0.16g追加し、さらに2時間加熱
反応した。反応液を放冷後、イオン交換水1Lに投入
し、析出した粉体をろ取した。この粉体をTHF100
mlに溶解させ、これをヘキサン1Lに投入、析出した
粉体をろ取すると本発明の樹脂(P2)が得られた。
(重量平均分子量6500、分散度2.0)
【0160】以下、合成例8、9と同様にして表1に示
す繰り返し構造単位の原料モノマーを用い、本発明の樹
脂P3〜P25を合成した。使用した構造単位、その原
料モノマー仕込みモル比、および生成した樹脂の重量平
均分子量を合わせて表1に示す。
【0161】
【表1】
【0162】実施例1(光学濃度の測定) 上記合成例で得られた本発明の樹脂1.0gとトリフェ
ニルスルホニウムのトリフレート塩0.03gをプロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート4.5g
に溶解し、0.2μmのテフロンフィルターにより濾過
した。スピンコーターにて石英ガラス基板上に均一に塗
布し、100℃で90秒間ホットプレート上で加熱乾燥
を行い、1μmのレジスト膜を形成させた。得られた膜
の光学吸収を紫外線分光光度計にて測定したところ、1
93nmの光学濃度は表2に示す通りであった。
【0163】
【表2】
【0164】表2の結果から、本発明の樹脂の光学濃度
測定値は比較例のポリ(ヒドロキシスチレン)の値より
小さく、193nm光に対し十分な透過性を有すること
が判る。
【0165】実施例2(耐ドライエッチング性の測定) 上記合成例で得られた本発明の樹脂1.0gをプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート4.5gに
溶解し、0.2μmのテフロンフィルターにより濾過し
た。スピンコーターにてシリコン基板上に均一に塗布
し、100℃で90秒間ホットプレート上で加熱乾燥を
行い、0.7μmのレジスト膜を形成させた。得られた
膜をULVAC製リアクティブイオンエッチング装置
(CSE−1110)を用いて、CF4 /O2 (8/
2)のガスに対するエッチング速度を測定したところ、
表3に示す通りであった(エッチング条件:Power
=500W、Pressure=4.6Pa、Gas
Flow Rate=10sccm)。
【0166】
【表3】
【0167】ポリマー(1):トリシクロデカニルメタ
クリレート/テトラヒドロピラニルメタクリレート/メ
タクリル酸=50/30/20(モル比)の共重合体
(重量平均分子量32500、分散度2.7) ポリマー(2):2−メチルアダマンチルメタクリレー
ト/メタクリル酸(±)−メバロニックラクトンエステ
ル(特開平9−90637号公報に記載の方法で合成) 表3の結果から、本発明の樹脂のエッチング速度は比較
例のポリ(メチルメタクリレート)及びポリマー(1)
の値より十分小さく、十分な耐ドライエッチング性を有
することが判る。
【0168】実施例3(画像評価) 上記合成例で得られた本発明の樹脂1.0g、トリフェ
ニルスルホニウムのトリフレート塩0.03gと1,5
−ジアザビシクロ〔4,3,0〕ノナ−5−エン0.0
04gをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート4.5gに溶解し、0.2μmのテフロンフィル
ターにより濾過した。スピンコーターにてヘキサメチル
ジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布
し、100℃で90秒間ホットプレート上で加熱乾燥を
行い、0.4μmのレジスト膜を形成させた。このレジ
スト膜に対し、KrFエキシマーレーザーステッパー
(NA=0.42;248nm)を使用してパターン露
光し、露光後直ぐに110℃で60秒間ホットプレート
上で加熱した。更に2.38%テトラメチルアンモニウ
ムヒドロオキサイド水溶液で23℃下60秒間浸漬現像
し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥した。ここ
で、パターン形状は、得られたパターンを走査型電子顕
微鏡にて観察し、矩形なものを良好とした。ここで、感
度は、0.35μmのマスクパターンを再現する露光量
をもって定義した。解像度は、0.35μmのマスクパ
ターンを再現する露光量での限界解像力をもって定義し
た。この結果、表4に示した感度、解像度にて、レジス
ト膜の露光部のみが溶解除去された良好なポジ型のパタ
ーンを形成した。
【0169】
【表4】
【0170】表4の結果から、本発明の樹脂を使用した
レジストは、高感度で解像度が良好である。またパター
ン形状が良好であることが判る。
【0171】実施例4(画像評価) 実施例3で得られた0.4μmのレジスト膜上に、石英
板上にクロムでパターンを描いたマスクを密着させ、A
rFエキシマーレーザー光(193nm)を照射した。
露光後直ぐに110℃で60秒間ホットプレート上で加
熱した。更に2.38%テトラメチルアンモニウムヒド
ロオキサイド水溶液で23℃下60秒間浸漬現像し、3
0秒間純水にてリンスした後、乾燥した。この結果、表
5に示した感度、解像度にて、レジスト膜の露光部のみ
が溶解除去された良好なポジ型のパターンを形成した。
また、実施例3で調製された感光性樹脂組成物をスピン
コーターによりヘキサメチルジシラザン処理を施したシ
リコン基板上に均一に塗布し、120℃で90秒間ホッ
トプレート上で加熱、乾燥を行い、0.50μmのレジ
スト膜を形成した。このレジスト膜を、マスクを通して
ArFエキシマレーザー光で露光し、露光後直ぐに11
0℃で90秒間ホットプレート上で加熱した。更に2.
38重量%濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液で23℃で60秒間現像し、30秒間純水にて
リンスした後、乾燥した。このようにして得られたコン
タクトホールパターンの形成されたサンプルを、KLA
2112機(KLAテンコール(株)製)により表5に
示した現像欠陥数(現像欠陥数−I)を測定した(Thres
hold12、Pixcel Size=0.39)。
【0172】
【表5】
【0173】ポリマー(3):2−メチル−2−アダマ
ンチルメタクリレート/α−メタクリロキシ−γ−ブチ
ロラクトン共重合体(EP0856773A記載の方法
により合成) (表5の全てのポリマーにおいて微細パターン解像時に
も膜はがれは発生しなかった。) 表5の結果から、本発明の樹脂を使用したレジストは、
ArFエキシマーレーザー光に対しても良好な感度、解
像度を示し、現像欠陥の少ないポジ型の良好なパターン
を形成することが判る。
【0174】実施例5(画像評価) 実施例3で調製された感光性樹脂組成物に、表6に示す
界面活性剤0.005gを加え、実施例4の現像欠陥数
−Iにおいて、露光しない以外は、同様の加熱、現像、
リンス、乾燥を行ったサンプルについて現像欠陥数を測
定した(現像欠陥数−II)。評価結果を表6に示した。
【0175】
【表6】
【0176】W−1:メガファックF176(大日本イ
ンキ(株)製)(フッ素系) W−2:メガファックR08(大日本インキ(株)製)
(フッ素およびシリコーン系) W−3:ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化
学工業(株)製)(シリコーン系)
【0177】表6の結果から、フッ素系及び/又はシリ
コン系界面活性剤を使用した本発明の樹脂の現像欠陥が
少ないことが判る。
【0178】
【発明の効果】以上に示したことから明らかな様に、本
発明の樹脂を用いたポジ型感光性組成物は、特に220
nm以下の遠紫外光に対し高い透過性を有し、且つ耐ド
ライエッチング性、密着性が良好であり、現像欠陥が少
ない。また250nm以下、更には220nm以下の遠
紫外光(特にArFエキシマーレーザー光)を露光光源
とする場合、高感度、高解像度、且つ良好なパターンプ
ロファイルを示し、半導体素子製造に必要な微細パター
ンの形成に有効に用いることが可能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青合 利明 静岡県榛原郡吉田町川尻4000番地 富士写 真フイルム株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA01 AA02 AA09 AA14 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BE10 CB06 CB14 CB15 CB21 CB41 CB52 CB55 CC04 FA17 4J100 AJ02P AJ09P AL08P AL39P AL41P AM21P AP01P BA02P BA03P BA05P BA06P BA11P BA15P BA16P BA38P BA51P BA53P BB01P BC03P BC04P BC07P BC09P BC12P BC26P BC53P BC83P CA01 JA37

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)活性光線又は放射線の照射により
    酸を発生する化合物、及び(B)酸の作用により分解し
    てアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有する
    樹脂を含有し、前記樹脂が下記一般式(I)、(II)又
    は(III)で表される構造の少なくとも1つを含有するこ
    とを特徴とするポジ型感光性組成物。 【化1】 式(I)〜(III)中、R1 、R2 は、同一または異なっ
    て、水素原子、置換基を有していてもよい、直鎖、分
    岐、環状アルキル基を表し、R1 とR2 が結合して単環
    または多環を形成してもよい。また、その環の中に酸素
    原子、硫黄原子、窒素原子、ケトン、エステル、イミ
    ド、アミドを連結基として有してもよい。R3 〜R
    5 は、同一または異なって、水素原子、置換基を有して
    いてもよい、直鎖、分岐、環状アルキル基またはアルコ
    キシ基を表し、R3 〜R5 のうちの二つ又は全てが結合
    して酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ケトン、エステル
    を連結基として有してもよい単環あるいは多環を形成し
    てもよい。Xは単結合または2価の結合基を表し、Xと
    1 、R2 のいずれか、又は両方が結合して単環あるい
    は多環を形成してもよい。Yは酸素原子、硫黄原子、−
    NH−、−N(OH)−又は−N(アルキル)−を表
    す。nは1〜3の整数を表す。
  2. 【請求項2】 (A)活性光線または放射線の照射によ
    り酸を発生する化合物、(B)酸の作用により分解して
    アルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有する樹
    脂、および(C)酸の作用により分解し、アルカリ現像
    液中での溶解度を増大させる基を有する分子量3000
    以下の低分子化合物を含有し、前記樹脂(B)及び/又
    は低分子化合物(C)が請求項1に記載の一般式
    (I)、(II)又は(III)で表される構造の少なくとも
    1つを含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。
  3. 【請求項3】 (D)酸の作用により分解し、アルカリ
    現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂が一般
    式(I)、(II)又は(III)の構造を有する繰り返し構
    造単位のうち少なくとも一つと、単環または多環の脂環
    式炭化水素部分を有する繰り返し単位を含有する樹脂で
    あることを特徴とする請求項1又は2に記載のポジ型感
    光性組成物。
  4. 【請求項4】 単環または多環の脂環式炭化水素部分が
    置換していてもよいアダマンタン残基であることを特徴
    とする請求項1〜3のいずれかに記載のポジ型感光性組
    成物。
  5. 【請求項5】 (B)酸の作用により分解してアルカリ
    現像液中での溶解性を増大させる基を有する樹脂が一般
    式(a)で表される構造を含有することを特徴とする請
    求項1〜4のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。 【化2】 (式中、R1 〜R5 、nは一般式(I)と同義であり、
    15は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基
    またはハロアルキル基を表す。)
  6. 【請求項6】 (B)酸の作用により分解してアルカリ
    現像液中での溶解性を増大させる基を有する樹脂が一般
    式(b)で表される構造を含有することを特徴とする請
    求項1〜5のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。 【化3】 (式中、R1 〜R5 、nは一般式(I)と同義であり、
    15は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基
    またはハロアルキル基を表す。)
  7. 【請求項7】 (A)活性光線または放射線の照射によ
    り酸を発生する化合物、(C)酸の作用により分解し、
    アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する分
    子量3000以下の低分子化合物、および(E)水に不
    溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂を含有し、 前記低分子化合物(C)が請求項1に記載の一般式
    (I)、(II)又は(III)で表される構造の少なくとも
    1つを含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。
  8. 【請求項8】 一般式(I)、(II)又は(III)の構造
    を有する繰り返し構造単位におけるR1 、R2 が水素原
    子以外の置換基であることを特徴とする請求項1〜7の
    いずれかに記載のポジ型感光性組成物。
  9. 【請求項9】 (F)フッ素系及び/又はシリコン系界
    面活性剤を含有することを特徴とする請求項1〜7のい
    ずれかに記載のポジ型感光性組成物。
  10. 【請求項10】 露光光源として、250nm以下の遠
    紫外光を使用することを特徴とする請求項1〜7のいず
    れかに記載のポジ型感光性組成物。
  11. 【請求項11】 露光光源として、220nm以下の遠
    紫外光を使用することを特徴とする請求項1〜7のいず
    れかに記載のポジ型感光性組成物。
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