JP2000256896A

JP2000256896A - めっき装置

Info

Publication number: JP2000256896A
Application number: JP11064987A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Sendai; 敏千代; Akihisa Hongo; 明久本郷; Koji Mishima; 浩二三島
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 1999-03-11
Filing date: 1999-03-11
Publication date: 2000-09-19

Abstract

(57)【要約】【課題】被めっき基板のめっき面に平行にめっき液を
流すことにより、めっき槽の深さ寸法を小さくでき、且
つ被めっき基板とめっき液との相対速度を均一にし、め
っき抑制剤や促進剤としての添加剤の吸着状態を被めっ
き基板全面に一様にすることができ、被めっき基板の微
細な孔や溝への金属めっきの埋め込み性がよく、均一な
膜厚の金属めっきができるめっき装置を提供すること。【解決手段】めっき槽を具備し、該めっき槽で被めっ
き基板のめっき面にめっき液を接触させて金属めっきを
施すめっき装置において、めっき槽１０は、被めっき基
板１３のめっき面を下向きにして配置し、被めっき基板
１３のめっき面の下方に偏平なめっき液室２０を設ける
と共に、めっき液室２０にめっき液Ｑを流入させるめっ
き液流入口２２と該めっき液流れ領域からめっき液Ｑを
流出させるめっき液流出口２３を被めっき基板１３の外
径より外側に該被めっき基板１３を挟んで対向して配置
し、めっき液室２０を流れるめっき液Ｑが被めっき基板
１３のめっき面に接触しながら平行に流れるように構成
されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ等の被
めっき基板に銅めっき等の金属めっきを施すめっき装置
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体ウエハ等の表面に配線用の
微細な溝や穴等が形成された基板の該溝や穴等を埋める
のに、銅めっき等の金属めっき装置を用い、金属めっき
で該溝や穴を埋める手法が採用されている。従来この種
のめっき装置としてフェースダウン方式のめっき装置が
ある。該めっき装置は図１に示すように、めっき槽１０
０の上部に半導体ウエハ等の被めっき基板１０２をその
めっき面を下向きに配置し、めっきタンク１０３内のめ
っき液Ｑをポンプ１０４によりめっき液供給パイプ１０
５を通して、めっき槽本体１０１の底部から噴出させ、
被めっき基板１０２のめっき面に垂直にめっき液Ｑの噴
流を当てている。

【０００３】めっき槽本体１０１をオーバーフローした
めっき液Ｑはめっき槽本体１０１の外側に配置された捕
集槽１０６により回収される。陽極電極１０７と陰極電
極１０８の間に所定の電圧を印加することにより、該陽
極電極１０７と被めっき基板１０２の間にめっき電流が
流れ、被めっき基板１０２のめっき面に銅めっき等の金
属めっき膜が形成される。

【０００４】上記構成の従来のフェースダウン方式のめ
っき装置では、めっき液Ｑの噴流を被めっき基板１０２
に垂直に当てるために、被めっき基板に円周方向に等分
配された流れを作る必要があり、流れを層流とし、助走
距離をとる必要があるためめっき槽１００の深さ方向の
寸法が大きくなる。そのため、めっき槽１００を重ねて
配置することができず、後に詳述するように、めっき装
置の平面配置構成が大きくなり、省スペース化が図れな
いという問題があった。

【０００５】また、硫酸銅めっき液中のめっき抑制剤や
促進剤としての添加剤は種類によっては液の撹拌の速度
（被めっき基板１０２とめっき液Ｑとの相対速度）によ
って吸着量が変わり、被めっき基板１０２のめっき面の
微細な孔や溝への銅めっきの埋め込み性や、めっき膜の
膜厚の均一性を悪化させるという問題があった。

【０００６】また、陽極電極１０７を不溶解性の電極と
した場合、めっき液中の添加剤が酸化分解し異常に消耗
したり、発生する酸素により被めっき基板の表面や該表
面に形成された微細な孔や溝中にめっき欠陥が発生する
という問題があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の点に鑑
みてなされたもので、被めっき基板のめっき面に平行に
めっき液を流すことにより、めっき槽の深さ寸法を小さ
くでき、且つ被めっき基板とめっき液との相対速度を均
一にし、めっき抑制剤や促進剤としての添加剤の吸着状
態を被めっき基板全面に一様にすることができ、被めっ
き基板の微細な孔や溝への金属めっきの埋め込み性が良
く、均一な膜厚の金属めっきができるめっき装置を提供
することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は、めっき槽を具備し、該めっき
槽で被めっき基板のめっき面にめっき液を接触させて金
属めっきを施すめっき装置において、めっき槽は、被め
っき基板のめっき面を下向きにして配置し、該被めっき
基板のめっき面の下方に偏平なめっき液室を設けると共
に、該めっき液室にめっき液を流入させるめっき液流入
口と該めっき液室からめっき液を流出させるめっき液流
出口を前記被めっき基板の外径より外側に該被めっき基
板を挟んで対向して配置し、該めっき液室を流れるめっ
き液が被めっき基板のめっき面に接触しながら平行に流
れるように構成されていることを特徴とする。

【０００９】上記のように、被めっき基板のめっき面の
下方に偏平なめっき液室を設けると共に、該めっき液室
にめっき液を流入させるめっき液流入口と該めっき液室
からめっき液を流出させるめっき液流出口を被めっき基
板の外径より外側に該被めっき基板を挟んで対向して配
置することにより、該めっき液室を流れるめっき液は被
めっき基板のめっき面に接触しながら平行に流れるの
で、被めっき基板のめっき面の全面に亘ってめっき面と
めっき液との相対速度が均一となり、めっき液中の添加
剤が一様に吸着され、被めっき基板の微細な孔や溝への
めっきの埋め込み性が改善されると共に、均一な膜厚の
めっきができる。

【００１０】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載のめっき装置において、めっき槽は、めっき液室
の下方にイオン交換膜又は多孔性中性隔膜を介して偏平
な陽極室を設けると共に、該陽極室の底部に被めっき基
板と対向する陽極電極を配置し、該陽極室にめっき液又
は別の導電性液を流すように構成されていることを特徴
とする。

【００１１】上記のようにめっき液導入室の下方にイオ
ン交換膜又は多孔性中性隔膜を介して陽極室を設け、該
陽極室にめっき液又は別の導電性液を流すことにより、
陽極電極表面でのめっき液中の添加剤の酸化分解が防止
されめっき液中の添加剤の異常消耗を防ぐと共に、発生
した酸素ガスはイオン交換膜又は多孔性中性隔膜で阻止
され被めっき基板に達することがないから、被めっき基
板の表面の微細な孔や溝にめっき欠陥ができることを防
止できる。

【００１２】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
又は２に記載のめっき装置において、めっき槽は、被め
っき基板を該めっき槽内でめっき面を下向きにした状態
で回転させる被めっき基板回転機構を具備することを特
徴とする。

【００１３】上記のようにめっき液を被めっき基板のめ
っき面に平行に流すことにより、めっき液流れの上流側
と下流側ではめっき膜の膜厚に差が生じるが、上記のよ
うに被めっき基板回転機構を設け、めっき中に被めっき
基板をそのめっき面を下向きにした状態で回転させるこ
とにより、めっき面は均一に上流側と下流側の間を移動
することになり、均一な膜厚のめっき膜を形成できる。
また、めっき終了後、被めっき基板をめっき液面から引
き上げ、高速回転させることにより、めっき槽内で付着
しためっき液を振り切ることができ、めっき液でめっき
槽の外部が汚染されることが少なくなる。

【００１４】また、請求項４に記載の発明は、請求項２
又は３に記載のめっき装置において、めっき中、被めっ
き基板を１〜１０ｒｐｍの回転速度で回転させることを
特徴とする。

【００１５】上記のように被めっき基板の回転速度を１
〜１０ｒｐｍにすることにより、めっき液室を流れるめ
っき液の流れに悪影響を与えることなく（めっき面とめ
っき液の均一な相対速度を乱すことなく）、且つ均一な
膜厚のめっき膜を形成することができる。

【００１６】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
乃至４のいずれか１項に記載のめっき装置において、め
っき槽を複数台重ねて配置しためっきステージを具備す
ることを特徴とする。

【００１７】上記のようにめっきステージに複数台のめ
っき槽を重ねて配置することにより、めっき装置全体の
平面配置構成を小さくでき、設置スペースの省スペース
化を図ることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。図２は本発明に係るめっき装置
のめっき槽の構成例を示す図である。図示するように、
本めっき槽１０はめっき槽本体１１内に半導体ウエハ等
の被めっき基板１３を保持するための基板保持体１２が
収容されている。該基板保持体１２は基板保持部１２−
１とシャフト部１２−２からなり、該シャフト部１２−
２は円筒状のガイド部材１４の内壁に軸受１５、１５を
介して回転自在に支持されている。そして該ガイド部材
１４と基板保持体１２はめっき槽本体１１の頂部に設け
られたシリンダ１６により上下に所定ストロークで昇降
できるようになっている。

【００１９】また、基板保持体１２はガイド部材１４の
内部上方に設けられたモータ１８により、シャフト部１
２−２を介して矢印Ａ方向に回転できるようになってい
る。また、基板保持体１２の内部には基板押え部１７−
１及びシャフト部１７−２からなる基板押え部材１７を
収納する空間Ｃが設けられており、該基板押え部材１７
は基板保持体１２のシャフト部１２−２内の上部に設け
られたシリンダ１９により上下に所定ストロークで昇降
できるようになっている。

【００２０】基板保持体１２の基板保持部１２−１の下
方には空間Ｃに連通する開口１２−１ａが設けられ、該
開口１２−１ａの上部には、図４に示すように被めっき
基板１３の縁部が載置される段部１２−１ｂが形成され
ている。該段部１２−１ｂに被めっき基板１３の縁部を
載置し、被めっき基板１３の上面を基板押え部材１７の
基板押え部１７−１で押圧することにより、被めっき基
板１３の縁部は基板押え部１７−１と段部１２−１ｂの
間に挟持される。そして被めっき基板１３の下面（めっ
き面）は開口１２−１ａに露出する。なお、図４は図２
のＢ部分の拡大図である。

【００２１】めっき槽本体１１の基板保持部１２−１の
下方、即ち開口１２−１ａに露出する被めっき基板１３
のめっき面の下方にはめっき液Ｑが流れるめっき液室２
０が設けられている。また、めっき槽本体１１の１側部
にはめっき液供給ヘッダ２１が設けられ、該めっき液供
給ヘッダ２１には前記めっき液室２０に連通するめっき
液流入口２２が設けられいる。また、めっき槽本体１１
の上記めっき液供給ヘッダ２１の反対側にはめっき液Ｑ
が流出するめっき液流出口２３が設けられ、更に該めっ
き液流出口２３から流出する（めっき液室２０からオー
バーフローする）めっき液Ｑを捕集する捕集樋２４が設
けられている。

【００２２】捕集樋２４で回収されためっき液Ｑはめっ
き液タンク２５に戻るようになっている。めっき液タン
ク２５内のめっき液Ｑはポンプ２６によりめっき液供給
ヘッダ２１に送られ、該めっき液流入口２２からめっき
槽本体１１のめっき液室２０に流れ込み、該めっき液室
２０内を被めっき基板１３のめっき面に接触しながら該
めっき面と平行に流れ、めっき液流出口２３から捕集樋
２４に流れ込むようになっている。即ち、めっき液Ｑは
めっき槽本体１１のめっき液室２０とめっき液タンク２
５の間を循環するようになっている。

【００２３】めっき液室２０のめっき液面レベルＬ_Qは
被めっき基板１３のめっき面レベルＬ_Wより若干ΔＬだ
け高くなっており、被めっき基板１３のめっき面の全面
はめっき液Ｑに接触している。図５はめっき液室２０内
のめっき液Ｑの流れと被めっき基板１３の関係を示す図
である。めっき液流入口２２とめっき液流出口２３は被
めっき基板１３の外径より外側に、被めっき基板１３を
挟んで対向して配置され、めっき液室２０を流れるめっ
き液Ｑは被めっき基板１３のめっき面に接触しながら平
行に流れる。

【００２４】基板保持体１２の基板保持部１２−１の段
部１２−１ｂは被めっき基板１３の導電部と電気的に導
通する電気接点３０が設けられ（図４参照）、該電気接
点３０はブラシ２７を介して外部のめっき電源（図示せ
ず）の陰極に接続されるようになっている。また、めっ
き槽本体１１のめっき液室２０の底部には被めっき基板
１３と対向して陽極電極２８が設けられ、該陽極電極２
８はめっき電源の陽極に接続されるようになっている。
めっき槽本体１１の壁面の所定位置には例えばロボット
アーム等の基板搬出入治具で被めっき基板１３を出し入
れする搬出入スリット２９が設けられている。

【００２５】上記構成のめっき装置において、めっきを
行うに際しては、先ずシリンダ１６を作動させ、基板保
持体１２をガイド部材１４ごと所定量（基板保持部１２
−１に保持された被めっき基板１３が搬出入スリット２
９に対応する位置まで）上昇させるとともに、シリンダ
１９を作動させて基板押え部材１７を所定量（基板押え
部１７−１が搬出入スリット２９の上部に達する位置ま
で）上昇させる。この状態でロボットアーム等の基板搬
出入治具で被めっき基板１３を基板保持体１２の空間Ｃ
に搬入し、該被めっき基板１３をそのめっき面が下向き
になるように段部１２−１ｂに載置する。この状態でシ
リンダ１９を作動させて基板押え部１７−１の下面が被
めっき基板１３の上面に当接するまで下降させ、基板押
え部１７−１と段部１２−１ｂの間に被めっき基板１３
の縁部を挟持する。

【００２６】この状態でシリンダ１６を作動させ、基板
保持体１２をガイド部材１４ごと被めっき基板１３のめ
っき面がめっき液室２０を流れるめっき液に接触するま
で（めっき面レベルＬ_Qより上記ΔＬだけ低い位置ま
で）下降させる。この時、モータ１８を起動し、基板保
持体１２と被めっき基板１３を低速で回転させながら下
降させる。めっき液室２０には上記のようにめっき液タ
ンク２５からポンプ２６を介してめっき液Ｑが供給され
循環しており、この状態で陽極電極２８と上記電気接点
３０の間にめっき電源から所定の電圧を印加すると陽極
電極２８から被めっき基板１３へとめっき電流が流れ、
被めっき基板１３のめっき面にめっき膜が形成される。

【００２７】上記めっき中はモータ１８を運転し、基板
保持体１２と被めっき基板１３を低速（１〜１０ｒｐ
ｍ）で回転させる。被めっき基板１３をこの低速回転で
回転させることにより、めっき液室２０内を流れるめっ
き液Ｑの流れ（被めっき基板１３のめっき面に対する平
行な流れ）に悪影響を与えることなく（めっき面とめっ
き液との均一な相対速度を乱すことなく）、且つめっき
液流れの上流側と下流側とで発生するめっき膜厚さの差
を解消し、被めっき基板１３のめっき面に均一な膜厚の
めっき膜を形成することができる。

【００２８】めっきが終了するとシリンダ１６を作動さ
せ、基板保持体１２と被めっき基板１３を上昇させ、基
板保持部１２−１の下面がめっき液レベルＬ_Qより上に
なったら、モータ１８を高速で回転させ、遠心力で被め
っき基板のめっき面及び基板保持部１２−１の下面に付
着しためっき液を振り切る。めっき液を振り切ったら、
被めっき基板１３を搬出入スリット２９の位置まで上昇
させる。ここでシリンダ１９を作動させて、基板押え部
１７−１を上昇させると被めっき基板１３は解放され、
基板保持部１２−１の段部１２−１ｂに載置された状態
となる。この状態でロボットアーム等の基板搬出入治具
を搬出入スリット２９から、基板保持体１２の空間Ｃに
侵入させ、被めっき基板１３をピックアップして外部に
搬出する。

【００２９】図３は本発明に係るめっき装置のめっき槽
の他の構成例を示す図である。図３において、基板保持
体１２から上部は図２と同一であるのでその図示は省略
する。本めっき槽１０はめっき液流入口２２の下方にイ
オン交換膜又は多孔性中性隔膜３４を介してめっき液又
は導電性液体Ｑ’を導入する陽極室３１を設け、該陽極
室３１の底部に陽極電極２８を設けている。液タンク３
３内のめっき液又は導電性液体Ｑ’はポンプ３２によ
り、陽極室３１に導入され、陽極室３１内から流出する
めっき液又は導電性液体Ｑ’は液タンク３３に戻るよう
になっている。即ち、液タンク３３内のめっき液又は導
電性液体Ｑ’は陽極室３１と液タンク３３の間を循環す
るようになっている。

【００３０】めっき槽１０を上記のようにめっき液流入
口２２の下方にイオン交換膜又は多孔性中性隔膜３４を
介して陽極室３１を設け、めっき液又は導電性液体Ｑ’
を流すことにより、陽極電極２８に不溶解性電極を用い
ても陽極電極２８の表面で添加剤の酸化分解を防止する
ことができると共に、発生する酸素ガスはイオン交換膜
又は多孔性中性隔膜３４により阻止され被めっき基板１
３のめっき面に達しない。これによりめっき液Ｑ中の添
加剤の異常消耗を防ぎ、酸素ガスにより被めっき基板の
めっき面の微細な孔や溝及び表面にめっき欠陥が発生す
ることを防止できる。

【００３１】めっき装置を上記構成にすることにより、
めっき液室２０のめっき液Ｑの流れは被めっき基板１３
のめっき面に対して平行な流れとなるから、従来のめっ
き液噴流を被めっき基板に垂直に当てるフェースダウン
方式のめっき槽に比較して、めっき槽１０の深さ方向の
寸法を小さくできる。従って、めっき槽１０を複数台重
ねて配置することが可能となる。

【００３２】図６は本発明に係る上記構成のめっき槽１
０を用いためっき装置の全体構成例を示す図で、図６
（ａ）は平面構成を、図６（ｂ）は側面構成をそれぞれ
示す。図６に示すように、めっき装置４０はロード部４
１、アンロード部４２、洗浄乾燥槽４３、ロードステー
ジ４４、粗水洗槽４５、めっきステージ４６、前処理槽
４７、第１ロボット４８及び第２ロボット４９を具備す
る構成である。各めっきステージ４６には図２に示す構
成のめっき槽１０を２層重ねに配置している。即ち、め
っき装置全体として、計４台のめっき槽１０が配置され
ている。これはめっき槽１０が図１に示す従来のめっき
槽１００に比較して深さ寸法を小さくすることができる
から、実現可能となる。

【００３３】上記構成のめっき装置４０において、ロー
ド部４１に載置されたカセットに収納された被めっき基
板１３は第１ロボットで１枚ずつ取り出され、ロードス
テージ４４に移送される。ロードステージ４４に移送さ
れた被めっき基板１３は第２ロボット４９により、前処
理槽４７に移送され、該前処理槽４７で前処理を施され
る。前処理の施された被めっき基板１３は第２ロボット
４９でめっきステージ４６のめっき槽１０に移送され、
めっき処理が施される。めっき処理の終了した被めっき
基板１３は第２ロボット４９で粗水洗槽４５に移送さ
れ、粗水洗浄処理が施される。該粗水洗浄処理が終了し
た被めっき基板１３は更に第１ロボット４８で洗浄乾燥
槽４３に移送され、洗浄処理され乾燥された後、アンロ
ード部４２に移送される。

【００３４】上記のように、本発明に係るめっき槽１０
は被めっき基板１３のめっき面の下方にめっき液Ｑが該
めっき面に対して平行に流れるめっき液室２０を設ける
構成としたので、めっき槽１０の深さ寸法が小さくで
き、めっき槽１０を複数台（図では２台）重ねて配置し
ても、従来のめっき液噴流を被めっき基板に垂直に当て
るフェースダウン方式のめっき槽の１台分の深さ寸法に
することが可能であるから、めっき装置全体として設置
スペースが小さくなる。即ち、４台のめっき槽を配置す
るめっき装置では、従来のめっき槽を用いると図７に示
すように、各めっきステージ４６に１台のめっき槽しか
配置することができないから、めっきステージ４６の配
置面積が図６の場合の２倍となる。

【００３５】なお、上記実施形態例では電解めっきの例
を説明したが、本発明に係るめっき装置は電解めっきに
限定されるものではなく、無電解めっきでも良いことは
当然である。また、めっき液Ｑとしては、銅めっきを行
う硫酸銅めっき液の他、他の金属めっきを行うめっき液
も使用可能である。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように請求項１に記載の発
明によれば、被めっき基板のめっき面の下方に偏平なめ
っき液室を設けると共に、該めっき液室にめっき液を流
入させるめっき液流入口と該めっき液室からめっき液を
流出させるめっき液流出口を被めっき基板の外径より外
側に該被めっき基板を挟んで対向して配置することによ
り、該めっき液室を流れるめっき液は被めっき基板のめ
っき面に接触しながら平行に流れるので、被めっき基板
のめっき面の全面に亘ってめっき面とめっき液との相対
速度が均一となり、めっき液中の添加剤が一様に吸着さ
れ、被めっき基板の微細な孔や溝へのめっきの埋め込み
性が改善されると共に、均一な膜厚のめっきができる。

【００３７】また、めっき液の流れを被めっき基板の下
方にめっき面と平行な流れとするので、めっき槽の深さ
寸法を小さくできる。

【００３８】また、請求項２に記載の発明によれば、め
っき液導入室の下方にイオン交換膜又は多孔性中性隔膜
を介して陽極室を設け、該陽極室にめっき液又は別の導
電性液を流すことにより、陽極電極表面でのめっき液中
の添加剤の酸化分解が防止されめっき液中の添加剤の異
常消耗を防ぐと共に、発生した酸素ガスはイオン交換膜
又は多孔性中性隔膜で阻止され被めっき基板に達するこ
とがないから、被めっき基板の表面の微細な孔や溝にめ
っき欠陥ができることを防止できる。

【００３９】また、請求項３に記載の発明によれば、被
めっき基板回転機構を設けることにより、めっき中に被
めっき基板をそのめっき面を下向きにした状態で低速回
転させることができ、均一な膜厚のめっき膜を形成でき
る。また、めっき終了後、被めっき基板をめっき液面か
ら引き上げ、高速回転させることにより、めっき槽内で
付着しためっき液を振り切ることができ、めっき液でめ
っき槽の外部が汚染されることが少なくなる。

【００４０】また、請求項４に記載の発明によれば、被
めっき基板をめっき中、１〜１０ｒｐｍの低速回転で回
転させるので、めっき液室を流れるめっき液の流れに悪
影響を与えることなく、且つ均一な膜厚のめっき膜を形
成することができる。

【００４１】また、請求項５に記載の発明によれば、め
っきステージに複数台のめっき槽を重ねて配置すること
により、めっき装置全体の平面配置構成を小さくでき、
設置スペースの省スペース化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のフェースダウン方式のめっき槽の構成例
を示す図である。

【図２】本発明に係るめっき装置のめっき槽の構成例を
示す図である。

【図３】本発明に係るめっき装置のめっき槽の構成例を
示す図である。

【図４】図２のＢ部分の拡大図である。

【図５】本発明に係るめっき槽のめっき液室内のめっき
液の流れと被めっき基板の関係を示す図である。

【図６】本発明に係るめっき装置の全体構成を示す図
で、図５（ａ）はその平面図、図５（ｂ）はその側面図
である。

【図７】従来のめっき装置の全体の平面構成を示す図で
ある。

【符号の説明】

１０めっき槽１１めっき槽本体１２基板保持体１３被めっき基板１４ガイド部材１５軸受１６シリンダ１７基板押え部材１８モータ１９シリンダ２０めっき液室２１めっき液供給ヘッダ２２めっき液流入口２３めっき液流出口２４捕集樋２５めっき液タンク２６ポンプ２７ブラシ２８陽極電極２９搬出入スリット３０電気接点３１陽極室３２ポンプ３３液タンク３４イオン交換膜又は多孔性中性隔膜４０めっき装置４１ロード部４２アンロード部４３洗浄乾燥槽４４ロードステージ４５粗水洗槽４６めっきステージ４７前処理槽４８第１ロボット４９第２ロボット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者三島浩二東京都大田区羽田旭町11番１号株式会社荏原製作所内Ｆターム(参考） 4M104 DD52 HH13 HH20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】めっき槽を具備し、該めっき槽で被めっ
き基板のめっき面にめっき液を接触させて金属めっきを
施すめっき装置において、前記めっき槽は、前記被めっき基板のめっき面を下向き
にして配置し、該被めっき基板のめっき面の下方に偏平
なめっき液室を設けると共に、該めっき液室にめっき液
を流入させるめっき液流入口と該めっき液室からめっき
液を流出させるめっき液流出口を前記被めっき基板の外
径より外側に該被めっき基板を挟んで対向して配置し、
該めっき液室を流れるめっき液が前記被めっき基板のめ
っき面に接触しながら平行に流れるように構成されてい
ることを特徴とするめっき装置。
【請求項２】請求項１に記載のめっき装置において、前記めっき槽は、前記めっき液室の下方にイオン交換膜
又は多孔性中性隔膜を介して偏平な陽極室を設けると共
に、該陽極室の底部に前記被めっき基板と対向する陽極
電極を配置し、該陽極室に前記めっき液又は別の導電性
液を流すように構成されていることを特徴とするめっき
装置。
【請求項３】請求項１又は２に記載のめっき装置にお
いて、前記めっき槽は、前記被めっき基板を該めっき槽内で前
記めっき面を下向きにした状態で回転させる被めっき基
板回転機構を具備することを特徴とするめっき装置。
【請求項４】請求項２又は３に記載のめっき装置にお
いて、前記めっき中、被めっき基板を１〜１０ｒｐｍの回転速
度で回転させることを特徴とするめっき装置。
【請求項５】請求項１乃至４のいずれか１項に記載の
めっき装置において、前記めっき槽を複数台重ねて配置しためっきステージを
具備することを特徴とするめっき装置。