JP2000233366A - 研磨用ワーク保持盤およびワークの研磨装置ならびにワークの研磨方法 - Google Patents
研磨用ワーク保持盤およびワークの研磨装置ならびにワークの研磨方法Info
- Publication number
- JP2000233366A JP2000233366A JP3376299A JP3376299A JP2000233366A JP 2000233366 A JP2000233366 A JP 2000233366A JP 3376299 A JP3376299 A JP 3376299A JP 3376299 A JP3376299 A JP 3376299A JP 2000233366 A JP2000233366 A JP 2000233366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- work
- holding plate
- workpiece
- holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
盤の保持盤裏板の材質を改良し、保持盤本体との密閉性
を高めて、研磨剤スラリが侵入し固化しても、保持盤本
体の変形がワーク表面に転写することのない保持盤裏板
を開発して、高精度のワーク保持面を有する研磨用ワー
ク保持盤、ワークの研磨装置およびワークの研磨方法を
提供する。 【解決手段】 ワークWを真空吸着保持する多数の貫通
孔3を有するワーク保持盤本体2および該保持盤本体の
背面に密着し、真空用溝5を有する保持盤裏板4からな
る研磨用ワーク保持盤1において、該保持盤裏板4の材
質が合成樹脂であり、かつアスカーC硬度が70以上9
8未満である研磨用ワーク保持盤、およびこれを用いた
ワークの研磨装置ならびにワークの研磨方法。
Description
のワークの表面を精密研磨する際に使用する研磨用ワー
ク保持盤およびワークの研磨装置ならびにワークの研磨
方法に関する。
性材料であるガラス、金属、セラミックス等の板をワー
ク保持盤とし、その表面にワックス等の接着剤でワーク
を貼り付けたり、通気性のある多孔質材料や表面に多数
の吸着貫通孔を設けたワーク保持盤表面に真空吸着等で
ワークを保持して、定盤に貼り付けられた研磨布に研磨
剤を流しながらワークを押し付け、ワークおよび定盤を
回転させて研磨を行う。図3に示したように、ワークW
をワーク保持盤1に真空吸着させる場合、ワーク保持盤
本体2の背面に、ワーク保持盤本体2との密閉性を保
ち、かつ真空路を確保するために真空用溝5の加工を施
した保持盤裏板4を設け、各吸着貫通孔3が保持盤裏板
4の溝5を経由してバキューム路7に続く構造として、
ワークWをワーク保持面8に真空吸着させている。従
来、この保持盤裏板4の材質には、金属または硬質の合
成樹脂が使用されており、ワーク保持盤本体2の背面と
保持盤裏板4との密閉性を高めるためOリング6等も使
用されている。
研磨中に、真空吸着されたワークとワーク保持盤本体の
ワーク保持面との僅かな隙間から研磨剤スラリの吸い込
みが発生し、吸い込まれた研磨剤スラリは、保持盤本体
背面と保持盤裏板との間で蒸発乾固してしまう。その結
果、保持盤裏板と保持盤本体背面との間で固化した研磨
剤が真空吸着時の圧力で保持盤裏板で加圧され、保持盤
本体を僅かに変形させ、その変形が研磨中のワーク表面
に転写されてしまい、研磨されたワークの表面品質に悪
影響を及ぼすことになる。また、保持盤裏板の溝型自体
も保持盤本体を介して研磨中のワークに形状転写される
場合もある。さらに、保持盤本体背面と保持盤裏板との
間の密閉性を高めるために使用しているOリングにも偏
荷重が発生し易く、ワーク研磨における面内取り代分布
にバラツキが生じ、ワークの平坦性に悪影響を及ぼす恐
れがある。
されたもので、ワークを真空吸着保持する研磨用ワーク
保持盤の保持盤裏板の材質を改良し、保持盤本体との密
閉性を高めて、たとえ研磨剤スラリが侵入して固化して
も、保持盤本体の変形がワーク表面に転写することのな
い保持盤裏板を開発して、高精度のワーク保持面を有す
る研磨用ワーク保持盤とワークの研磨装置、およびそれ
を使用したワークの研磨方法を提供することを主たる目
的とする。
本発明の請求項1に記載した発明は、ワークを真空吸着
保持する多数の貫通孔を有するワーク保持盤本体および
該保持盤本体の背面に密着し、真空用溝を有する保持盤
裏板からなる研磨用ワーク保持盤において、該保持盤裏
板の材質が合成樹脂であり、かつアスカーC硬度が70
以上98未満であることを特徴とする研磨用ワーク保持
盤である。
ワーク保持盤本体のワーク保持面との僅かな隙間から研
磨剤スラリの吸い込みが発生し、この吸い込まれた研磨
剤スラリは、保持盤本体背面と保持盤裏板との間で蒸発
乾固してしまう。その結果、この固化した研磨剤のパタ
ーンが真空吸着時の圧力で保持盤裏板で加圧されるが、
このように、保持盤裏板の材質を、アスカーC硬度が7
0以上98未満の合成樹脂とすれば、保持盤裏板を軟質
樹脂で形成したためこの圧力は吸収されてしまい、保持
盤本体を変形させることなく、その変形が研磨中のワー
ク表面に転写されることもなくなった。また、保持盤裏
板の真空用溝型自体が、保持盤本体を介して研磨中のワ
ークに形状転写されることもなくなった。従って、本発
明のような硬さをもつ樹脂製の保持盤裏板を使用すれ
ば、所望の高い平坦度とうねりのない高精度なワーク研
磨加工が可能となる。
っているので、保持盤本体背面との密着性に優れ、この
密着面における外気のリークは殆ど起こらない。従って
従来この密着性を高めるために使用されていたOリング
を使用する必要はなくなり、Oリングにかかる偏荷重が
原因で生じるワーク研磨における面内取り代分布のバラ
ツキやワークの平坦性に悪影響を及ぼす恐れは殆どなく
なると共に、魔鏡でもワーク表面にうねりが見られず、
高精度な加工が達成された。
記合成樹脂を、ウレタン樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリア
ミド樹脂から選択される1種とすることができる。合成
樹脂の材質を上記の中から選択すれば、本発明で要求さ
れるアスカーC硬度の範囲を十分満足することができ
る。
は、研磨布を貼着した回転テーブルと研磨布表面に研磨
剤を供給する手段と、ワークを研磨布表面に強制的に圧
接させる研磨用ワーク保持盤を具備した研磨装置におい
て、該研磨用ワーク保持盤が、前記請求項1または請求
項2に記載したものであることを特徴とするワークの研
磨装置である。このように本発明の硬度の樹脂製保持盤
裏板とワーク保持盤本体とからなる研磨用ワーク保持盤
を具備した研磨装置とすれば、所望の高平坦度と魔鏡に
おけるワーク表面にうねりのない高精度のワークに研磨
仕上げすることができる。特にワークが半導体ウエーハ
の場合には、高集積デバイス工程での高集積デバイスの
歩留りと生産性の向上を図ることができる。
は、前記請求項1または請求項2に記載した研磨用ワー
ク保持盤の表面をワーク保持面としてワークの裏面を真
空吸着保持し、次いで該ワークを研磨布に接触させてワ
ークの表面を研磨することを特徴とするワークの研磨方
法である。本発明の方法によれば、保持盤裏板の材質を
特定硬度範囲の合成樹脂としたことにより、保持盤本体
に対して適度なクッション性が与えられるので、ワーク
と保持盤本体保持面との間から侵入し、保持盤本体背面
と保持盤裏板との隙間で固化する研磨剤による保持盤本
体の変形が吸収され、この変形に伴うワークへの転写を
阻止することができるようになった。また、保持盤裏板
の真空用溝形状自体も保持盤本体を介して研磨中のワー
クに形状転写されることもなくなった。従って、本発明
の方法によれば、所望の高い平坦度と魔鏡においてもワ
ーク表面にうねりのない高精度なワーク研磨加工が可能
となる。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。前
述のようにワークの研磨に際し、保持盤本体の保持面と
真空吸着されたワークとの僅かな隙間から研磨剤スラリ
を吸い込み、研磨剤スラリは保持盤本体背面と保持盤裏
板の隙間で乾燥固着してしまう。その結果、従来の研磨
用ワーク保持盤、特にその保持盤裏板の材質が金属また
は硬質合成樹脂の場合には、研磨剤の汚れ、パターンが
研磨中のワークに転写されてしまいワークの表面品質に
悪影響を及ぼす。また保持盤裏板の溝形状自体も保持盤
本体を介して研磨中のワークに形状転写される場合もあ
るという問題があった。
解決するために、保持盤裏板の材質、構造等を調査、検
討した結果、保持盤裏板の材質を特定範囲の硬度を有す
る合成樹脂で形成すれば、例え、保持盤本体背面に研磨
剤スラリが侵入して固化し、研磨剤の固着による汚れパ
ターンが生じることによって、保持盤本体に背圧が掛か
ったとしても、樹脂が適度に軟質なため吸収されてしま
い、ワークへの転写は防止でき、高い平坦度とうねりの
ない高精度なワークが得られることを見出し、諸条件を
見極めて本発明を完成させた。
する研磨装置を図面に基づいて説明する。ここで図1は
本発明の一例として研磨用ワーク保持盤の構成概要を説
明するための概略説明図である。また、図2は(a)が
研磨用ワーク保持盤を装着した研磨ヘッド、(b)が研
磨ヘッドを具備したワークの研磨装置の構成概要を説明
するための説明図である。
ウェーハの片面を研磨する装置として構成され、図2
(b)に示すように、研磨装置20は、回転する定盤
(回転テーブル)21と研磨ヘッド10に装着した研磨
用ワーク保持盤1と研磨剤供給ノズル23から成ってい
る。定盤21の上面には研磨布22が貼付してある。定
盤21は回転軸により所定の回転速度で回転される。
着等によりそのワーク保持面8にワーク(ウエーハ)W
を保持し、回転軸をもつ研磨ヘッド10に装着され、研
磨ヘッド10により回転されると同時に所定の荷重で研
磨布22にワークWを押しつける。研磨剤24の供給は
ノズル23から所定の流量で研磨布22上に供給し、こ
の研磨剤24がワークWと研磨布22の間に供給される
ことによりワークWが研磨される。
したように、本発明の研磨用ワーク保持盤1は、ワーク
保持面8と多数の吸着貫通孔3をもつワーク保持盤本体
2および保持盤裏板4とから構成され、吸着貫通孔3は
保持盤裏板4に設けた真空用溝5を経てバキューム路7
から不図示の真空装置につながり、真空の発生によって
ワーク保持面8にワークWを吸着保持するようになって
いる。
スカーC硬度が70以上98未満の合成樹脂製とした。
ここで、アスカーC硬度を説明しておく。これは、JI
S K 6301にあるようなスプリング式硬さ試験機
を用いて測定する方法で、試験片表面、ここでは保持盤
裏板に加工された合成樹脂面に試験機の加圧面を接触さ
せた時、加圧面の中心の穴からバネ圧力で突き出ている
押針が試験片表面によって押し戻される距離を硬さとし
て表している。具体的には、アスカーC硬度計(日本ゴ
ム協会規格、高分子計器社製)を用いて測定した値であ
る。
ば、保持盤裏板としての作用効果は十分確保され、研磨
中の真空による保持盤裏板と保持盤本体背面との気密性
が向上し、従来のようにOリングを設ける必要が無くな
った。この結果、Oリングに偏荷重が掛かるという問題
もなくなり、より安定した品質が得られるようになっ
た。また、この接触面に研磨剤スラリが侵入して固化す
ることによって、研磨剤の固着による汚れパターンによ
り保持盤本体に背圧が掛かったとしても樹脂が適度に軟
質なため吸収されてしまい、保持盤本体の変形がなくな
るため、ワークへ転写されることは阻止され、高い平坦
度と魔鏡におけるうねりのない高精度な表面を有するワ
ークを得ることができる。
としては、ウレタン樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリアミド
樹脂から選択される1種とすればよく、上記アスカーC
硬度範囲を有する材料の入手も容易であり、所望の保持
盤裏板の形状に成形することができる。また、該保持盤
裏板4の真空用溝5の配列については特に限定されるも
のではないが、例えば、図1の(b)、(c)に示した
ように、裏板の中心でバキューム路7につながる複数の
同心円状および放射線状の溝に加工したものとすれば、
本発明のような硬度の樹脂製であっても真空圧力によっ
て変形することはなく、保持盤本体背面との密着性は十
分確保することができる。
11の内部に加圧空間部13を設け、弾性体リング12
を介して研磨用ワーク保持盤1を気密に保持している。
加圧空間部13は加圧路14を経て空気圧縮機(不図
示)につながっている。そしてワークWをワーク保持面
8上に真空吸着保持しているワーク保持盤1に回転ある
いは揺動を与えると同時にワーク保持盤1の背面を空気
により加圧して、ワーク保持盤1を研磨布22に押し付
けるようになっている。
1を研磨ヘッド10に装着し、これを研磨装置20にセ
ットし、ワーク保持盤本体2のワーク保持面8上にワー
クWを真空吸着保持して、回転する研磨布22上に圧接
し、研磨剤24を滴下して研磨加工すれば、本発明の硬
さの樹脂製保持盤裏板と保持盤本体背面との高い密着性
と保持盤裏板の真空圧吸収性により、吸い込まれ固化し
た研磨剤の汚れパターンのワークへの転写が阻止され、
高い平坦度とうねりのないワークに研磨加工することが
できる。
的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。 (実施例1) (1)研磨用ワーク保持盤および保持盤裏板は図1
(a)、(b)、(c)に示した構造のものを使用し
た。これらは、ウエーハ直径より若干大きめな径であ
り、保持盤本体の厚さは30mm、保持盤裏板の厚さは
12mmである。保持盤裏板には、深さ5mm、幅10
mmの溝が形成されている。 (2)研磨ヘッドは図2(a)に、ワークの研磨装置は
図2(b)に示した構造のものを使用した。 (3)ワーク:単結晶シリコンウエーハ;直径 200
mm;厚さ 735μm、P型、結晶方位;<100
>、エッチングウエーハ。 (4)保持盤裏板材質:ウレタン樹脂;アスカーC硬度
70または90。この硬度は、アスカーC硬度計を用
い、上記保持盤裏板の凸部(肉厚の部分)を溝が形成さ
れていない側より測定した値である。 (5)ワーク研磨条件:研磨荷重 250g/cm2 ;
研磨相対速度 50m/min;研磨加工代 12μ
m;研磨布 不織布系研磨布(アスカーC硬度 8
0);研磨剤 コロイダルシリカ(pH 10.5)。 (6)複数回の使用によりワーク保持盤本体背面と保持
盤裏板との間に研磨剤スラリを固着させた状態にてワー
クを真空吸着し片面研磨を行う。
スカーC硬度で70または90のウレタン樹脂の場合、
いずれの場合もワーク研磨後の魔鏡像に特定のパターン
は発生せず、うねりのない高平坦度のウエーハが得られ
た。この場合、保持盤本体背面と保持盤裏板の溝の凸部
との間に入り込んだ研磨剤固形物のパターンが存在する
はずであるが、材質が適度に柔らかい保持盤裏板に吸収
され、汚れパターンのワーク表面への転写が抑制された
ものと思われる。
裏板材質を、アスカーC硬度98の塩化ビニル樹脂とし
た以外は、実施例1と同条件で研磨を行った。この条件
下では、ワーク研磨後の魔鏡像に異常部が見られワーク
品質に影響している。このパターンは、保持盤本体背面
と保持盤裏板の溝の凸部との間に入り込んだ研磨剤固形
物のパターンと一致し、保持盤本体への応力の強さが変
化し、結果的に固形物のパターンがワーク表面に転写さ
れてしまったためと考えられる。
ク研磨後のワーク品質に影響を及ぼした保持盤本体に、
実施例1で使用したアスカーC硬度が70または90の
ウレタン樹脂製保持盤裏板を再度組み合わせ、同条件で
研磨テストを行った。その結果、ワーク研磨後における
魔鏡像は良好であった。このことは、研磨剤固形物によ
る汚れやパターンが発生してワーク品質に影響を及ぼし
た保持盤本体であっても、それに組み合わせる保持盤裏
板の材質が適度に軟質な合成樹脂でアスカーC硬度が9
8未満のものであればワーク品質に影響を及ぼすもので
ないことが判る。
裏板材質を、アスカーC硬度68のウレタン樹脂とした
以外は、実施例1と同条件で研磨を行った。ワークをワ
ーク保持盤本体のワーク保持面から離脱させる際に、ワ
ーク保持盤へ加圧空気を供給してワーク保持盤内部の真
空破壊を行っているが、上記の条件下では、加圧により
保持盤裏板自体が膨らんでワーク離脱のために高い供給
空気圧を要したり、離脱に時間がかかる等の問題が発生
した。このため保持盤裏板に用いる樹脂のアスカーC硬
度の下限値を70以上とした。
外す、すなわち研磨前にワーク保持盤本体背面と保持盤
裏板との間に研磨剤スラリを固着させておかないで、ワ
ークを真空吸着し研磨を行う以外は、実施例1と同条件
で研磨を行った。その結果、ワーク研磨後の魔鏡像に保
持盤裏板の溝型のパターンは発生しなかった。これは、
保持盤裏板が柔らかくなったため、保持盤本体背面と保
持盤裏板との間の密着性が著しく高くなり、同心円状の
溝型により保持盤本体への応力のバラツキが緩和された
ためと思われる。これによりワークの高平坦度が得ら
れ、魔鏡においてうねりが見られず、高精度な研磨加工
が達成された。
板の材質を、アスカーC硬度98の塩化ビニル樹脂とし
た以外は、実施例3と同一条件で研磨を行った。この条
件下では、ワーク研磨後の魔鏡像に、同心円状のパター
ンが発生し、このパターンは保持盤裏板の溝型と一致す
る。つまり保持盤裏板の溝型の有無により、保持盤本体
への応力の強さが変化するため微小な凹凸が保持盤本体
のワーク保持面に転写され、結果的にワーク表面にうね
りが発生したものと考えられる。
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
0mm(8インチ)のシリコンウエーハを研磨している
が、近年の250mm(10インチ)〜400mm(1
6インチ)あるいはそれ以上の大直径化にも十分対応す
ることができるし、研磨されるワークもシリコン以外の
精密基板等であっても良い。
研磨ヘッド部のワーク保持盤を構成する保持盤裏板の材
質を、特定範囲のアスカーC硬度を有する合成樹脂に変
更したことにより、安定的に優れた平坦度とうねりのな
い表面を持ったワークを作製することができる。また、
従来の保持盤裏板材質では保持盤本体背面と保持盤裏板
との密閉性を高めるため、Oリングを設けていたが、本
発明では、保持盤裏板自体の密閉性が優れているため、
Oリングは不要となった。これによりワーク研磨時にO
リングに偏荷重が掛かり、そのため発生する面内取り代
分布にバラツキが生じたり、ワークの平坦度に大きく影
響する恐れもなくなった。
る。 (a)縦断面図、(b)保持盤裏板の正面図、(c)保
持盤裏板の縦断面図。
ッドおよび研磨ヘッドを具備した研磨装置の概略説明図
である。 (a)研磨ヘッド、(b)ワークの研磨装置。
る。
吸着貫通孔、4…保持盤裏板、5…真空用溝、6…Oリ
ング、7…バキューム路、8…ワーク保持面、10…研
磨ヘッド、11…回転ホルダ、12…弾性体リング、1
3…加圧空間部、14…加圧路、20…研磨装置、21
…定盤、22…研磨布、23…研磨剤供給ノズル、24
…研磨剤。W…ワーク(ウェーハ)。
Claims (4)
- 【請求項1】 ワークを真空吸着保持する多数の貫通孔
を有するワーク保持盤本体および該保持盤本体の背面に
密着し、真空用溝を有する保持盤裏板からなる研磨用ワ
ーク保持盤において、該保持盤裏板の材質が合成樹脂で
あり、かつアスカーC硬度が70以上98未満であるこ
とを特徴とする研磨用ワーク保持盤。 - 【請求項2】 前記合成樹脂が、ウレタン樹脂、塩化ビ
ニル樹脂、ポリアミド樹脂から選択される1種であるこ
とを特徴とする請求項1に記載した研磨用ワーク保持
盤。 - 【請求項3】 研磨布を貼着した回転テーブルと研磨布
表面に研磨剤を供給する手段とワークを研磨布表面に強
制的に圧接させる研磨用ワーク保持盤を具備した研磨装
置において、該研磨用ワーク保持盤が、前記請求項1ま
たは請求項2に記載したものであることを特徴とするワ
ークの研磨装置。 - 【請求項4】 前記請求項1または請求項2に記載した
研磨用ワーク保持盤の表面をワーク保持面としてワーク
の裏面を真空吸着保持し、次いで該ワークを研磨布に接
触させてワークの表面を研磨することを特徴とするワー
クの研磨方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3376299A JP3623122B2 (ja) | 1999-02-12 | 1999-02-12 | 研磨用ワーク保持盤およびワークの研磨装置ならびにワークの研磨方法 |
KR1020007011295A KR100701340B1 (ko) | 1999-02-12 | 2000-02-04 | 광택용 작업물 홀더, 작업물 광택용 장치, 그리고 작업물광택방법 |
EP00902094A EP1125686B1 (en) | 1999-02-12 | 2000-02-04 | Work holding disc for polishing, work polishing apparatus, and work polishing method |
DE60007273T DE60007273T2 (de) | 1999-02-12 | 2000-02-04 | Werkstückhalterscheibe zum polieren, werkstückpoliervorrichtung und verfahren |
US09/647,505 US6422922B1 (en) | 1999-02-12 | 2000-02-04 | Workpiece holder for polishing, apparatus for polishing workpiece and method for polishing workpiece |
PCT/JP2000/000618 WO2000047368A1 (fr) | 1999-02-12 | 2000-02-04 | Disque de maintien de piece pour polissage, appareil de maintien de piece et procede de polissage de piece |
TW089102328A TW426585B (en) | 1999-02-12 | 2000-02-11 | Work holding disc for polishing, work polishing apparatus, and work polishing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3376299A JP3623122B2 (ja) | 1999-02-12 | 1999-02-12 | 研磨用ワーク保持盤およびワークの研磨装置ならびにワークの研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000233366A true JP2000233366A (ja) | 2000-08-29 |
JP3623122B2 JP3623122B2 (ja) | 2005-02-23 |
Family
ID=12395455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3376299A Expired - Fee Related JP3623122B2 (ja) | 1999-02-12 | 1999-02-12 | 研磨用ワーク保持盤およびワークの研磨装置ならびにワークの研磨方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6422922B1 (ja) |
EP (1) | EP1125686B1 (ja) |
JP (1) | JP3623122B2 (ja) |
KR (1) | KR100701340B1 (ja) |
DE (1) | DE60007273T2 (ja) |
TW (1) | TW426585B (ja) |
WO (1) | WO2000047368A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007216311A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Hoya Corp | 吸着支持具 |
KR100939404B1 (ko) | 2001-12-28 | 2010-01-28 | 후지코시 기카이 고교 가부시키가이샤 | 기판의 구리층 연마 방법 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3518804B2 (ja) * | 2000-08-30 | 2004-04-12 | 一郎 ▲吉▼村 | 薄層版の製作方法とこれに使用するチャック用薄層版支持体 |
US8268114B2 (en) * | 2001-09-28 | 2012-09-18 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Workpiece holder for polishing, workpiece polishing apparatus and polishing method |
US6617573B2 (en) * | 2001-10-25 | 2003-09-09 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Carrier device having a carrier surface with an opening for connecting with grooves |
US6752703B2 (en) * | 2001-12-21 | 2004-06-22 | Lam Research Corporation | Chemical mechanical polishing apparatus and methods with porous vacuum chuck and perforated carrier film |
KR100898793B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2009-05-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자용 기판 합착 장치 |
JP5074719B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2012-11-14 | 東京応化工業株式会社 | ウエハを薄くする方法及びサポートプレート |
JP6815138B2 (ja) * | 2016-09-06 | 2021-01-20 | 株式会社ディスコ | 吸引保持システム |
US20180281151A1 (en) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | Applied Materials, Inc. | Adhesive-less carriers for chemical mechanical polishing |
JP7193969B2 (ja) * | 2018-10-03 | 2022-12-21 | 株式会社ディスコ | 矩形基板の研削方法 |
CN113927462A (zh) * | 2021-11-08 | 2022-01-14 | 广东海拓创新精密设备科技有限公司 | 一种半导体减震夹持卡盘装置及其*** |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60103651U (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-15 | シチズン時計株式会社 | 真空吸着台 |
JPS62165849U (ja) | 1986-04-08 | 1987-10-21 | ||
US5584746A (en) * | 1993-10-18 | 1996-12-17 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of polishing semiconductor wafers and apparatus therefor |
JPH09123059A (ja) | 1995-11-02 | 1997-05-13 | Fujitsu Ltd | 研磨方法 |
KR0151102B1 (ko) * | 1996-02-28 | 1998-10-15 | 김광호 | 화학기계적 연마 장치 및 이를 이용한 화학기계적 연마방법 |
US6074287A (en) * | 1996-04-12 | 2000-06-13 | Nikon Corporation | Semiconductor wafer polishing apparatus |
-
1999
- 1999-02-12 JP JP3376299A patent/JP3623122B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-02-04 KR KR1020007011295A patent/KR100701340B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-02-04 WO PCT/JP2000/000618 patent/WO2000047368A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2000-02-04 DE DE60007273T patent/DE60007273T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-02-04 EP EP00902094A patent/EP1125686B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-02-04 US US09/647,505 patent/US6422922B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-02-11 TW TW089102328A patent/TW426585B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100939404B1 (ko) | 2001-12-28 | 2010-01-28 | 후지코시 기카이 고교 가부시키가이샤 | 기판의 구리층 연마 방법 |
JP2007216311A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Hoya Corp | 吸着支持具 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1125686A4 (en) | 2002-04-24 |
KR100701340B1 (ko) | 2007-03-29 |
EP1125686A1 (en) | 2001-08-22 |
DE60007273D1 (de) | 2004-01-29 |
DE60007273T2 (de) | 2004-09-23 |
JP3623122B2 (ja) | 2005-02-23 |
US6422922B1 (en) | 2002-07-23 |
EP1125686B1 (en) | 2003-12-17 |
TW426585B (en) | 2001-03-21 |
KR20010042617A (ko) | 2001-05-25 |
WO2000047368A1 (fr) | 2000-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH09270401A (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
TWI746645B (zh) | 半導體裝置的製造方法和半導體製造裝置 | |
US6764392B2 (en) | Wafer polishing method and wafer polishing device | |
JPH0413568A (ja) | バッキングパッド、その精密平面加工方法およびそれを用いた半導体ウェーハの研磨方法 | |
JP2000233366A (ja) | 研磨用ワーク保持盤およびワークの研磨装置ならびにワークの研磨方法 | |
EP1120193A1 (en) | Unpolished work holding board and production method thereof and work polishing method and device | |
JP2001121413A (ja) | 平板状の被加工材の保持方法 | |
WO2001072471A1 (fr) | Plateau porte-piece pour polissage, et dispositif et procede de polissage associes | |
JPH06208980A (ja) | 研磨装置 | |
JP2007149884A (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
JPH09246218A (ja) | 研磨方法および装置 | |
JP2588060B2 (ja) | 半導体ウェーハの研磨用チャック | |
JPH11188618A (ja) | ウェーハの研磨方法と研磨用ウェーハホルダー | |
JPH10156710A (ja) | 薄板の研磨方法および研磨装置 | |
JP3907421B2 (ja) | 研磨用ワーク保持盤および研磨装置ならびに研磨方法 | |
JP3821944B2 (ja) | ウェーハの枚葉式研磨方法とその装置 | |
JP3615592B2 (ja) | 研磨装置 | |
JP2000308961A (ja) | 貼付プレートおよびその製法 | |
JPH03173129A (ja) | 研磨装置 | |
JPH10249687A (ja) | 薄板状工作物の両面研削・研磨装置 | |
JP4202703B2 (ja) | 研磨装置 | |
CN118366915A (zh) | 一种改善晶圆单面抛光后表面形貌及表面平整度的方法 | |
JPH05293747A (ja) | 半導体基板の研磨加工方法およびその装置 | |
JP2671857B2 (ja) | ウェーハ研磨装置 | |
JP2002036101A (ja) | ワーク保持盤の製造方法及びワーク保持盤並びにそれを用いたワークの研磨方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040727 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041026 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041122 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071203 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081203 Year of fee payment: 4 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081203 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081203 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091203 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091203 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101203 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101203 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111203 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111203 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121203 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121203 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |