JP2000231090A - アクティブマトリクス型液晶表示装置、その製造方法及びその駆動方法 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置、その製造方法及びその駆動方法Info
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Abstract
性を向上させるようにする。 【解決手段】 液晶が封入された一対の基板の一方に薄
膜のトランジスタTFTQをn行×m列のマトリクス状
に配列し、薄膜KトランジスタTFTQのソース電極に
一対一に表示画素電極を接続し、マトリクス状の薄膜の
トランジスタTFTQのドレイン電極にs対1にm/s
本のドレインバスラインLD1〜LDmを接続し、各行
の薄膜のトランジスタTFTQのゲート電極にs×n本
のゲートバスラインLG10〜LGkeを一対一に接続
し、コントローラ303によって、(s×t(tは任意
の正の整数)+1)番目のフレームから(s×t+s)
番目のs枚のフレームの各フレームで、n本ずつゲート
バスライLG10〜LGkeンを選択し、s枚のフレー
ムで1画面の表示を行わせるようにする。
Description
クス型の液晶表示装置に適したアクティブマトリクス型
液晶表示装置、その製造方法及びその駆動方法に関す
る。
液晶表示装置の液晶表示パネルは、図14に示す等価回
路で表される。すなわち、ゲートバスラインG1〜G4
と、ドレインバスラインD1〜D4とが互いに直交して
配線され、その交点にトランジスタ及び表示画素が接続
されている。
画素配列dij(i,j=1,2,3・・・)の表示を
行うために、図16に示す駆動信号で行っている。すな
わち、ゲートバスラインG1〜G4の1本を高レベルに
してトランジスタをONさせ、ドレインバスラインD1
〜D4のデータを表示画素に書き込む。この動作をゲー
トバスラインG1〜G4に対して順次行うことにより、
液晶表示パネルの表示画素の表示が行われる。
トリクス型液晶表示装置では、マトリクス状に配線され
たゲートバスラインG1〜G4とドレインバスラインD
1〜D4との交点1つに対し、ドレインバスライン駆動
用ドライバが1つ必要となる。
は、映像信号等の広い周波数領域を扱い、高速のデータ
レートで動作するため、高価なものとなっている。この
ため、表示画素数が多くなると、高価なドレインバスラ
イン駆動用ドライバを数多く使用しなければならず、液
晶表示装置として高価なものとなる欠点がある。
ば特開平3−38689号公報、特開平6−14868
0号公報及び特開平4−269791には、次のような
技術が開示されている。
の概要を、図17〜図19を用いて説明する。図17
は、液晶パネルの等価回路図、図18は、表示データ構
成を示す図、図19は、図18のデータ構成を表示する
ためのタイミング図である。
ンD1又はD2に対し、表示画素が2列に接続され、各
トランジスタにゲートバスラインG1〜G8が接続され
ている。
スラインG1、G3、G5、G7のゲート電位を高レベ
ルとし、続けてゲートバスラインG2、G4、G6、G
8のゲート電位を高レベルとすることで、バスライン上
に並ぶトランジスタがONされる。そして、そのタイミ
ングのドレインバスラインD1,D2のデータが表示画
素に書き込まれる。
バスラインD1においては、表示画素1列目のd11、
d21、d31、d41にデータが書き込まれ、続いて
表示画素2列目のd12、d22、d32、d42にデ
ータが書き込まれる。他のドレインバスラインD2も同
様にデータの書き込みが行われる。
インD1又はD2で表示画素2列を駆動できる。その結
果、ドレインバスラインD1,D2のドライバを半減す
ることができ、製品のコスト削減が可能となる。
技術もゲートバスラインを増し、高価なドレインバスラ
インを減らすことで製品のコスト削減を狙っている。
された技術の概要を、図20の液晶パネルの等価回路図
を用いて説明する。
は、各列毎にトランスファーゲートQTと、駆動用のト
ランスファーゲートQと、ラインメモリとなるコンデン
サCLとを備えている。表示信号端子VD1〜VD40
は、それぞれ複数のトランスファーゲートQTのソース
電極/ドレインバスラインの一方に接続されている。選
択信号Φ1〜Φ48は、それぞれ複数のトランスファー
ゲートQTのゲート電極に接続されている。
VG1〜VG180の任意のものが選択され、1本のゲ
ートバスラインが選択されているものとする。
いる間、選択信号端子Φ1〜Φ48に順次選択信号が与
えられる。1つの選択信号端子Φi(i=1,2,3・
・・)が選択されている間に、40列分の表示信号が表
示信号端子VD1〜VD40に与えられ、メモリとなる
コンデンサCi(i=1,2,3・・・)にデータが書
き込まれる。
を介して各液晶LCが駆動される。そして、この動作が
48回にわたって行われたとき、1ライン分の表示部で
ある液晶LCの全てに表示データが書き込まれる。
される技術では、ゲートバスラインのドライバ数を増や
さずに、ドレインバスラインのドライバを減少させるこ
とで、コスト削減を実現している。
開平3−38689号公報及び特開平6−148680
号公報では、ドレインバスドライバの数は削減されるも
のの、ゲートドライバの数が増すため、液晶表示装置の
コスト削減を図る上で改良の余地がある。
は、1枚の液晶パネル内でのトランスファーゲートQ,
QTのオン抵抗やメモリとなるコンデンサCLの容量の
工程ばらつきにより、映像信号電圧にばらつきが生じる
ことから、輝度むらを発生してしまう。さらに、各選択
信号端子に接続されているメモリとなるコンデンサCL
の保持する時間が各々異なり、輝度むらの原因となり得
る。
たものであり、装置のコストアップを招くことなく輝度
均一性を向上させることができるアクティブマトリクス
型液晶表示装置、その製造方法及びその駆動方法を提供
することができるようにするものである。
ィブマトリクス型液晶表示装置は、液晶が封入された一
対の基板と、基板の一方にn行×m列のマトリクス状に
配列された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタのソ
ース電極に一対一に接続された表示画素電極と、マトリ
クス状の薄膜トランジスタのドレイン電極にs対1に接
続されたm/s(s,mはm/sが自然数となる自然
数)本のドレインバスラインと、各行の薄膜トランジス
タのゲート電極に一対一に接続されたs×n本のゲート
バスラインと、(s×t(tは任意の正の整数)+1)
番目のフレームから(s×t+s)番目のs枚のフレー
ムの各フレームで、n本ずつゲートバスラインを選択
し、s枚のフレームで1画面の表示を行わせるコントロ
ーラとを備えることを特徴とする。また、各ゲートバス
ライン毎のドレイン電極にゲート端子が接続され、ソー
ス電極にゲートバスラインが接続され、ゲート電極にs
毎のフレームのうち1フレームでオン電圧となるゲート
スイッチラインが接続されたゲート選択用TFTが設け
られているようにすることができる。また、ゲート選択
用TFTは、表示画素電極に接続された薄膜トランジス
タと同時に同一プロセスで形成されたものであるように
することができる。また、ゲート選択用TFTを形成す
る半導体膜は、非晶質シリコンであり、ゲート選択用T
FTのチャンネル長及びチャンネル幅の比が3000/
4以上であるようにすることができる。また、ゲート選
択用TFTのゲートオン電圧は、30V以上であり、ゲ
ートオフ電圧は−10V以下であるようにすることがで
きる。また、ゲート選択用TFTを形成する半導体膜
は、多結晶シリコンであるようにすることができる。ま
た、ゲート選択用TFTのゲート電極のスイッチング
は、帰線時間内で行われるようにすることができる。ま
た、1フレームの描画時間が1/(50×n)〜1/
(75×n)秒であるようにすることができる。請求項
9に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造
方法は、液晶が封入された一対の基板の一方にn行×m
列のマトリクス状に配列された薄膜トランジスタを形成
する第1の工程と、薄膜トランジスタのソース電極に一
対一に接続された表示画素電極を形成する第2の工程
と、マトリクス状の薄膜トランジスタのドレイン電極に
s対1に接続されたm/s(s,mはm/sが自然数と
なる自然数)本のドレインバスラインを形成する第3の
工程と、各行の薄膜トランジスタのゲート電極に一対一
に接続されたs×n本のゲートバスラインを形成する第
4の工程とを備えることを特徴とする。また、第4の工
程には、各ゲートバスライン毎のドレイン電極にゲート
端子を接続する第5の工程と、ソース電極にゲートバス
ラインを接続する第6の工程と、ゲート電極にs毎のフ
レームのうち1フレームでオン電圧となるゲートスイッ
チラインを接続する第7の工程とが含まれるようにする
ことができる。また、第5〜第7の工程は、表示画素電
極に接続された薄膜トランジスタと同時に同一プロセス
とされるようにすることができる。また、第5〜第7の
工程には、半導体膜を非晶質シリコンとし、チャンネル
長及びチャンネル幅の比が3000/4以上となるよう
に形成する工程が含まれるようにすることができる。ま
た、第5〜第7の工程には、半導体膜を多結晶シリコン
とする工程が含まれるようにすることができる。請求項
14に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の駆
動方法は、ゲート選択用TFTのゲートオン電圧を、3
0V以上とし、ゲートオフ電圧を−10V以下として駆
動することを特徴とする。また、ゲート選択用TFTの
ゲート電極のスイッチングを、帰線時間内とする駆動を
行うようにすることができる。また、1フレームの描画
時間を1/(50×n)〜1/(75×n)秒として駆
動するようにすることができる。本発明に係るアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置、その製造方法及びその駆
動方法においては、液晶が封入された一対の基板の一方
に薄膜トランジスタをn行×m列のマトリクス状に配列
し、薄膜トランジスタのソース電極に一対一に表示画素
電極を接続し、マトリクス状の薄膜トランジスタのドレ
イン電極にs対1にm/s(s,mはm/sが自然数と
なる自然数)本のドレインバスラインを接続し、各行の
薄膜トランジスタのゲート電極にs×n本のゲートバス
ラインを一対一に接続し、コントローラによって、(s
×t(tは任意の正の整数)+1)番目のフレームから
(s×t+s)番目のs枚のフレームの各フレームで、
n本ずつゲートバスラインを選択し、s枚のフレームで
1画面の表示を行わせるようにする。
て説明する。
クティブマトリクス型液晶表示装置の第1の実施の形態
を示す等価回路図、図2は、図1のゲート選択用TFT
のゲート選択端子を示す平面図、図3は、図2のa−
a’線断面図、図4〜図10は、図1のアクティブマト
リクス型液晶表示装置の動作を説明するための図であ
る。
晶表示装置(以下、単に表示装置という)は、液晶表示
パネル300、Vドライバ301、Hドライバ302、
コントローラ303を備えている。
Qo,VQe及びゲート電圧端子VG1,VG2・・・
VGkは、ゲート電圧波形を発生させるVドライバ30
1に接続されている。
電圧波形を発生させるHドライバ302に接続されてい
る。Hドライバ302には、外部より映像信号が入力さ
れる。
ラ303には、Vドライバ301及びHドライバ302
が接続されている。コントローラ303には、表示装置
内部の図示しない発振器により発生するクロックCLK
と、表示装置外部からの水平同期信号Hsyncと、垂
直同期信号Vsyncとが入力される。
はゲート選択用TFTである。
れぞれ2本のパリティバスラインLPko〜LPke
(LP10〜LP2eを含む)が引き出されている。ド
レイン電圧端子VD1〜VDmからは、ドレインバスラ
インLD1〜LDmが引き出されている。
は、ゲート選択用TFTQo,Qeのドレイン電極に接
続されている。ゲート選択用TFTQo,Qeのソース
電極からは、ゲートバスラインLGko,LGke(L
G10〜LG2eを含む)が引き出されている。
ート選択スイッチラインLo,Leが引き出されてい
る。これらドレインバスラインLD1〜LDm、ゲート
バスラインLGko,LGkeの交点には、画素駆動用
のトランジスタTFTQが接続されている。トランジス
タTFTQには、表示画素CLCが接続されている。
接続されていない側の電位は共通電極電位Vcomに保
たれている。
図2及び図3に示す。
ル幅である。ゲート選択用TFTQo,Qeのサイズ
は、W/Lである。また、102は非結晶シリコン膜、
103はドレイン電極、104はソース電極をそれぞれ
示している。
は、図3に示すようにして製造される。すなわち、ガラ
ス基板100上にCrに代表される金属が成膜され、フ
ォトリソグラフィの技術によりゲート選択スイッチライ
ンLe又はLoがパターンニングされる。
コン膜102が順次形成され、その上にドレイン電極1
03、ソース電極104が形成される。その後、パッシ
ベーション膜115が形成され、ゲート選択用TFTQ
o又はQeが完成する。
は、パリティバスラインLPko又はLPkeに接続さ
れている。ソース電極104は、ゲートバスラインLG
ko又はLGkeに接続されている。
は、画素駆動用トランジスタTFTQと同時に形成され
るため、工程数の増加が避けられる。また、上記の電極
であるドレイン電極103やソース電極104は、Cr
以外の金属や透明電極であってもよい。
シリコンは、多結晶シリコンであってもよい。さらに、
上記のゲート選択用TFTQo,Qeの構成は逆スタガ
ー構造となっているが、スタガー構造をとることもでき
る。
ト電圧端子VG1〜VGkの上側のゲートバスラインL
Gkoが奇数列の書き込みラインであり、下側のゲート
バスラインLGkeが偶数列の書き込みラインとなって
いるが、上側のゲートバスラインLGkoを偶数列の書
き込みラインとし、下側のゲートバスラインLGkeを
奇数列の書き込みラインとしても等価な効果が得られ
る。
クス型液晶表示装置の動作を、図4〜図10を用いて説
明する。
表示画素へ電圧を書き込む順及び電圧極性を示した図を
用いて説明する。なお、図5中、マル付き数字は、或る
フレームでの画素書き込みの順である。
ト選択端子VQoは、奇数フレームにおいて高電位とな
り、偶数フレームにおいて低電位となる。一方、偶数行
ゲート選択用のゲート選択端子VQeは、偶数フレーム
において高電位となり、奇数フレームにおいて低電位と
なる。
号及びドレインバスラインLD1〜LDmの信号VG
1,VG2は、従来技術と同一である。なお、各フレー
ム間には、帰線時間と呼ばれる何れかの行のゲートバス
ラインLGko,LGkeの電圧も低電位となっている
時間が存在する。
各画素には図5に示すような順及び極性で電圧が書き込
まれる。理解の容易性のため、画素電極が6×6のマト
リクスである場合を例にとり説明する。
ラインLGko,LGkeが順次選択され、奇数列の表
示画素に電圧が書き込まれる。偶数列には、前フレーム
に書き込まれた電圧が保持される。偶数フレームでは、
偶数行のゲートバスラインLGko,LGkeが順次選
択され、偶数列の表示画素に電圧が書き込まれる。奇数
列には、前フレームに書き込まれた電圧が保持される。
のデータシーケンスを、図6(b)に示す。従来技術の
方式を(a)に示す。第1の実施の形態では、従来技術
の1フレーム分のデータを一塊とし、奇数フレームでは
奇数列のデータ、偶数フレームでは偶数列のデータをド
レインバスラインLD1〜LDmに入力している。
2に入力されるシリアルデータである映像信号を、従来
技術の2倍周期のタイミングで取り込むことによって実
現される。2倍周期のタイミング信号は、コントローラ
303内のロジック回路で作成される。
ブマトリクス型液晶表示装置のフィジビリティについて
考察する。
項を、以下に定性的に述べる。電圧の書き込みに関して
は、ゲート選択用TFTQo,Qeが各行のゲートバス
ラインLGko,LGkeの入力側の抵抗として働く。
このため、ゲートバスラインLGko,LGkeの信号
遅延が無視できる程度までゲート選択用TFTQo,Q
eのサイズを大きくし、オン抵抗を十分低くする必要が
ある。
サイズが大きくなると、パリティゲートラインLQo,
LQeの配線時定数が増すため、パリティゲートライン
LQo,LQeに印加される信号に遅延が生じ、数行の
画素電極に十分に電圧が書き込めなくなるという問題が
生じる。
ームでは偶数行のゲート選択用TFTQeのドレイン電
極に、奇数行の電圧書き込み用の高電位信号が印加され
る。ところが、このゲート選択用TFTQeに印加され
るノイズ信号により、偶数行の画素電極に書き込まれた
電荷のリークの効果が大きい場合には表示に異常が生じ
る。
Gko,LGkeが近接するため、隣接するゲートバス
ラインLGko,LGkeとの寄生容量により、オフす
べき行のゲートがオンする行のゲートの影響を受け、保
持された画素電極の電荷のリークが大きい場合、表示に
異常が生じる。
現可能性を検討するため、回路シミュレーションを実行
した。
に示す。図7に示す等価回路では、回路定数及びトラン
ジスタTFTQのゲート電圧端子及びドレイン電圧端子
に印加される電圧パルスは、実際の2400×600画
素の液晶表示パネルに近い値を使用した。
o,LGkeの間隔は、電極パターンニングの際のプロ
セス能力から決まる最小値である5μmと見積った。計
算の実行結果例を図8に示す。
ト選択用TFTQo,Qeのチャンネル幅が1000,
2000,3000,4000μmの場合について回路
シミュレーションを行った。
ル長は4μm(一定)としている。図9(b)で定義さ
れた書き込み率を、各場合について計算し、その結果を
図9(a)に示す。ゲート選択用TFTQo,Qeのチ
ャンネル幅が3000μm以上あれば、画素電極への電
圧書き込みに関し問題ないことが分る。
合にパリティバスラインLPko,LPkeの配線時定
数計算をすると約40μ秒である。このため、この程度
であれば1m秒程度の帰線時間でゲート選択用TFTQ
o,Qeのスイッチングを行えば、パルス遅延により数
ラインが書き込み不足になることはない。
ル幅を3000μm、チャンネル長を4μmとし、ゲー
ト選択用TFTQo,Qeのゲート電位がオフのときの
電圧が−20V,−10V,0Vとする。そして、各場
合における中間調、すなわち表示装置の透過率が白表示
の50%となる電圧でのオフフレームにおける保持すべ
き画素の電位変動量のシミュレーション結果を図10に
示す。
eのオフ電圧は、−10Vより低く設定する必要がある
ことが分る。
o,Qeのサイズ、電圧設定を[表1]に示す値に設定
することで、第1の実施の形態による表示装置の好まし
い動作が可能になる。
トバスラインLGko,LGkeに設けられるドライバ
を増加させず、かつ高価なドレインバスラインLD1〜
LDmの駆動用ドライバをも減少させることができるた
め、安価な表示装置を製造することができる。
インバスラインLD1〜LDmに2つの画素電極駆動用
のトランジスタを接続するとともに、2本のパリティバ
スラインLPko,LPkeを用意し、2フレームで全
画面表示を行うインターレース駆動により動作させる場
合について説明した。これに限らず、一般的に1本のド
レインバスラインLD1〜LDmにn個の画素電極用の
トランジスタを接続し、n本のパリティバスラインLP
ko,LPkeを用意し、nフレームでn本のパリティ
バスラインLPko,LPkeを切替えオンにし、全画
面表示を行うインターレース駆動を行うようにしてもよ
く、この場合にはHドライバ302の数を1/nとする
ことも可能である。
アクティブマトリクス型液晶表示装置の第2の実施の形
態を示す等価回路図、図12及び図13は図11のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の動作を説明するため
の図である。なお、以下に説明する図において、図1と
共通する部分には同一符号を付すものとする。
は、何れの行に関しても、奇数列の画素電極にはパリテ
ィバスラインLPkoの信号により書き込まれ、偶数列
の画素電極にはパリティバスラインLPkeの信号によ
り書き込まれる配列となっている。
行の奇数列の画素電極はパリティバスラインLPkoの
信号により書き込まれ、偶数列の画素電極はパリティバ
スラインLPkeの信号により書き込まれる配列となっ
ている。また、偶数行の奇数列の画素電極はパリティバ
スラインLPkeの信号により書き込まれ、偶数列の画
素電極はパリティバスラインLPkoの信号により書き
込まれる配列となっている。
クス型液晶表示装置の動作を、図12及び図13を用い
て説明する。図12は、動作を説明するタイミングチャ
ート、図13は、表示画素へ電圧を書き込む順及び電圧
極性を示した図である。なお、図13中、マル付き数字
は、或るフレームでの画素への電圧書き込みの順であ
る。
込みを時間的な順で追うと、奇数列→偶数列→奇数列→
偶数列→・・・の順で画素に電圧が書き込まれる。同一
フレーム内のドレインバスラインLD1〜LDmに印加
される電圧の極性は同一である。
圧端子への入力データのシーケンスのように、第1の実
施の形態では、各フレーム毎に偶数列、奇数列のデータ
を選択し切替えていたが、第2の実施の形態では、各行
毎に偶数列、奇数列のデータを選択し切替えている。
2に入力されるシリアルデータである映像信号を、従来
技術の2倍周期とし、かつ1ライン毎の取り込みタイミ
ングをずらすことによって実現される。このデータを取
り込むタイミング信号は、コントローラ303内のロジ
ック回路で作成され、Hドライバ302に入力される。
の実施の形態での効果に加え、同一フレームでドレイン
バスラインLD1〜LDmの電圧が同極性となるため、
消費電力を低減することができ、画素電極への書き込み
特性も向上させることができる。
インバスラインLD1〜LDmに2つの画素電極駆動用
のトランジスタを接続するとともに、2本のパリティバ
スラインLPko,LPkeを用意し、2フレームで全
画面表示を行うインターレース駆動により動作させる場
合について説明した。これに限らず、一般的に1本のド
レインバスラインLD1〜LDmにn個の画素電極用の
トランジスタを接続するとともに、n本のパリティバス
ラインLPko,LPkeを用意し、nフレームでn本
のパリティバスラインLPko,LPkeをオンするこ
とで、全画面表示を行うインターレース駆動を行うよう
にしてもよく、この場合には、Hドライバ302の数を
1/nにすることも可能である。
は、第1及び第2の実施の形態における図1又は図11
と同じ構成をとるものの、第1及び第2の実施の形態と
は後述するように動作が相違する。
2の実施の形態と同様に、1本のドレインバスラインL
D1〜LDmにn個の画素電極用のトランジスタを接続
するとともに、n本のパリティバスラインLPko,L
Pkeを用意することで、ドレイン電圧端子数を従来技
術の1/nとしている。
スラインLPko,LPkeをオンすることで、全画面
表示を行うインターレース駆動を行うのは第1及び第2
の実施の形態と同様である。
1フレーム描画時間を、従来の1/n倍としている。つ
まり、おおよそ1/(50×n)〜1/(75×n)秒
の時間で1フレームを描画させるようにしたものであ
る。
ーム反転周期をn倍としているため、従来技術と同一の
レベルまでフリッカの低減が可能となる。これにより、
ドライバ数を減少させることで、コストダウンが図れる
とともに、フリッカを低減することもできる。
リクス型液晶表示装置、その製造方法及びその駆動方法
によれば、液晶が封入された一対の基板の一方に薄膜ト
ランジスタをn行×m列のマトリクス状に配列し、薄膜
トランジスタのソース電極に一対一に表示画素電極を接
続し、マトリクス状の薄膜トランジスタのドレイン電極
にs対1にm/s(s,mはm/sが自然数となる自然
数)本のドレインバスラインを接続し、各行の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極にs×n本のゲートバスラインを
一対一に接続し、コントローラによって、(s×t(t
は任意の正の整数)+1)番目のフレームから(s×t
+s)番目のs枚のフレームの各フレームで、n本ずつ
ゲートバスラインを選択し、s枚のフレームで1画面の
表示を行わせるようにしたので、装置のコストアップを
招くことなく輝度均一性を向上させることができる。
の第1の実施の形態を示す等価回路図である。
示す平面図である。
動作を説明するための図である。
動作を説明するための図である。
動作を説明するための図である。
動作を説明するための図である。
動作を説明するための図である。
動作を説明するための図である。
の動作を説明するための図である。
置の第2の実施の形態を示す等価回路図である。
置の動作を説明するための図である。
置の動作を説明するための図である。
の一例を示す等価回路図である。
置の駆動構成を示す回路図である。
置の動作を説明するための図である。
の他の例を示す等価回路図である。
置の表示データ構成を示す回路図である。
ング図である。
の他の例を示す等価回路図である。
Claims (16)
- 【請求項1】 液晶が封入された一対の基板と、 前記基板の一方にn行×m列のマトリクス状に配列され
た薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタのソース電極に一対一に接続され
た表示画素電極と、 前記マトリクス状の薄膜トランジスタのドレイン電極に
s対1に接続されたm/s(s,mはm/sが自然数と
なる自然数)本のドレインバスラインと、 各行の前記薄膜トランジスタのゲート電極に一対一に接
続されたs×n本のゲートバスラインと、 (s×t(tは任意の正の整数)+1)番目のフレーム
から(s×t+s)番目のs枚のフレームの各フレーム
で、n本ずつ前記ゲートバスラインを選択し、s枚のフ
レームで1画面の表示を行わせるコントローラとを備え
ることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項2】 前記各ゲートバスライン毎のドレイン電
極にゲート端子が接続され、ソース電極にゲートバスラ
インが接続され、ゲート電極にs毎のフレームのうち1
フレームでオン電圧となるゲートスイッチラインが接続
されたゲート選択用TFTが設けられていることを特徴
とする請求項1に記載のアクティブマトリクス型液晶表
示装置。 - 【請求項3】 前記ゲート選択用TFTは、前記表示画
素電極に接続された薄膜トランジスタと同時に同一プロ
セスで形成されたものであることを特徴とする請求項2
に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項4】 前記ゲート選択用TFTを形成する半導
体膜は、非晶質シリコンであり、前記ゲート選択用TF
Tのチャンネル長及びチャンネル幅の比が3000/4
以上であることを特徴とする請求項2に記載のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項5】 前記ゲート選択用TFTのゲートオン電
圧は、30V以上であり、ゲートオフ電圧は−10V以
下であることを特徴とする請求項4に記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項6】 前記ゲート選択用TFTを形成する半導
体膜は、多結晶シリコンであることを特徴とする請求項
2に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項7】 前記ゲート選択用TFTのゲート電極の
スイッチングは、帰線時間内で行われることを特徴とす
る請求項2に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項8】 前記1フレームの描画時間が1/(50
×n)〜1/(75×n)秒であることを特徴とする請
求項1に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項9】 液晶が封入された一対の基板の一方にn
行×m列のマトリクス状に配列された薄膜トランジスタ
を形成する第1の工程と、 前記薄膜トランジスタのソース電極に一対一に接続され
た表示画素電極を形成する第2の工程と、 前記マトリクス状の薄膜トランジスタのドレイン電極に
s対1に接続されたm/s(s,mはm/sが自然数と
なる自然数)本のドレインバスラインを形成する第3の
工程と、 各行の前記薄膜トランジスタのゲート電極に一対一に接
続されたs×n本のゲートバスラインを形成する第4の
工程とを備えることを特徴とするアクティブマトリクス
型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項10】 前記第4の工程には、 各ゲートバスライン毎のドレイン電極にゲート端子を接
続する第5の工程と、 ソース電極にゲートバスラインを接続する第6の工程
と、 ゲート電極にs毎のフレームのうち1フレームでオン電
圧となるゲートスイッチラインを接続する第7の工程と
が含まれることを特徴とする請求項9に記載のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項11】 前記第5〜第7の工程は、前記表示画
素電極に接続された薄膜トランジスタと同時に同一プロ
セスとされることを特徴とする請求項10に記載のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項12】 前記第5〜第7の工程には、半導体膜
を非晶質シリコンとし、チャンネル長及びチャンネル幅
の比が3000/4以上となるように形成する工程が含
まれることを特徴とする請求項9に記載のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項13】 前記第5〜第7の工程には、半導体膜
を多結晶シリコンとする工程が含まれることを特徴とす
る請求項9に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項14】 前記ゲート選択用TFTのゲートオン
電圧を、30V以上とし、ゲートオフ電圧を−10V以
下として駆動することを特徴とするアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項15】 前記ゲート選択用TFTのゲート電極
のスイッチングを、帰線時間内とする駆動を行うことを
特徴とする請求項14に記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項16】 前記1フレームの描画時間を1/(5
0×n)〜1/(75×n)秒として駆動することを特
徴とする請求項14に記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の駆動方法。
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