JP2000228573A - Module substrate structure - Google Patents
Module substrate structureInfo
- Publication number
- JP2000228573A JP2000228573A JP11028702A JP2870299A JP2000228573A JP 2000228573 A JP2000228573 A JP 2000228573A JP 11028702 A JP11028702 A JP 11028702A JP 2870299 A JP2870299 A JP 2870299A JP 2000228573 A JP2000228573 A JP 2000228573A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- window
- image pickup
- acp
- module
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、撮像装置などのモ
ジュールの基板構造に関し、特に、撮像素子の周辺回路
を一体化したモジュールの基板構造に係わるものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate structure of a module such as an image pickup device, and more particularly to a substrate structure of a module in which peripheral circuits of an image pickup device are integrated.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ビデオカメラ、デジタルカメラなどの小
型化、薄型化、更には、カラー化、高画質化の要求を満
足するために、現在、撮像装置の高微細化、小型化が進
められており、その実装形態も、シリコン配線基板上
に、撮像素子および周辺ＩＣを搭載するマルチチップ実
装が提唱されている。2. Description of the Related Art In order to satisfy demands for miniaturization and thinning of video cameras, digital cameras, and the like, as well as color and high image quality, at present, imaging devices have been miniaturized and miniaturized. As a mounting form, multi-chip mounting in which an image sensor and a peripheral IC are mounted on a silicon wiring board has been proposed.
【０００３】ここでは、撮像素子の画素サイズを微小化
し、撮像素子の感度を向上するために、マイクロレンズ
が、また、カラー化の点から、カラーフィルターが、撮
像装置の実装要素に加わる。しかし、マイクロレンズ、
カラーフィルターは、それ自体の耐熱性が低く、低温度
での実装が必要である。Here, in order to reduce the pixel size of the image pickup device and improve the sensitivity of the image pickup device, a micro lens is added, and in terms of colorization, a color filter is added to a mounting element of the image pickup device. But micro lenses,
The color filter itself has low heat resistance and needs to be mounted at a low temperature.
【０００４】そこで、撮像素子の周辺回路を一体化、薄
型化した撮像装置では、受光用窓と撮像素子接続用端子
を持つ配線基板に、接続用接着剤である異方性導電ペー
ストを用いて、フェイスダウン方式で、前記撮像素子を
実装することが検討された。Therefore, in an image pickup apparatus in which peripheral circuits of the image pickup element are integrated and thinned, an anisotropic conductive paste as a connection adhesive is used on a wiring board having a light receiving window and an image pickup element connection terminal. It has been studied to mount the image sensor in a face-down manner.
【０００５】これは、異方性導電接着剤の熱圧着温度
が、ＡＣＦ（異方性導電フィルム：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐ
ｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）で、約１９０
℃、ＡＣＰ（異方性導電ペースト：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐ
ｉｃ ＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＰａｓｔｅ）で、約１３０
℃程度であるからで、特に、低温実装の対象としては、
後者のＡＣＰを用いるのが好適である。[0005] This is because the thermocompression bonding temperature of the anisotropic conductive adhesive is ACF (anisotropic conductive film: Anisotrope).
ic Conductive Film), about 190
℃, ACP (anisotropic conductive paste: Anisotrope)
ic Conductive Paste), about 130
Because it is about ℃, especially for low-temperature mounting
It is preferred to use the latter ACP.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】このように、ＡＣＰ
は、撮像素子のバンプと配線基板の端子との電気的接続
を得るのに好適であるが、撮像素子と配線基板との接着
の信頼性を確保するためには、端子部への十分な量の塗
布が必要となる。しかしながら、ＡＣＰは液状であるか
ら、上述のように、撮像素子の小型化、微細化により、
接続端子部と受光用窓との隙間（間隔）が小さい状態で
は、ＡＣＰの、撮像素子部または窓へのはみ出しが問題
となる。As described above, the ACP
Is suitable for obtaining an electrical connection between the bumps of the image sensor and the terminals of the wiring board, but in order to ensure the reliability of the adhesion between the image sensor and the wiring board, a sufficient amount Must be applied. However, since the ACP is in a liquid state, as described above, due to the miniaturization and miniaturization of the imaging device,
In a state where the gap (interval) between the connection terminal portion and the light receiving window is small, the protrusion of the ACP into the image pickup device portion or the window becomes a problem.
【０００７】本発明は、上記事情に基づいてなされたも
ので、配線基板におけるＡＣＰの流動を抑止して、接着
時の、撮像素子部へのＡＰＣのはみ出しを回避した構造
のセンサモジュールの基板構造を提供しようとするもの
である。The present invention has been made on the basis of the above circumstances, and has a substrate structure of a sensor module having a structure in which the flow of ACP in a wiring board is suppressed to prevent the APC from protruding to an image pickup element during bonding. It is intended to provide.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】このため、本発明では、
受光用の窓、および、その窓縁近傍に設けた撮像素子接
続用端子を有する基板に対して、前記窓に対応する撮像
素子を重ねて、その撮像素子に設けた端子を、異方性導
電体を介して、前記撮像素子接続用端子に接続し、端子
間の電気的接続をとるフェイスダウン実装方式のモジュ
ールの基板構造において、前記窓の縁と撮像素子接続用
端子の間に位置して、前記基板に溝条あるいは突条を設
けたことを特徴とする。Therefore, in the present invention,
An image sensor corresponding to the window is superimposed on a substrate having a light receiving window and an image sensor connection terminal provided near the window edge, and the terminal provided on the image sensor is anisotropically conductive. Through the body, connected to the image sensor connection terminals, in the board structure of the module of the face-down mounting type to take the electrical connection between the terminals, located between the edge of the window and the image sensor connection terminals The substrate is provided with grooves or protrusions.
【０００９】この場合、上述のモジュールの基板構造と
しては、前記突条が、ドライフィルムまたはレジストな
どの有機材料で構成されていること、メタル層上の金属
突起の高さより低く構成されていることが好ましく、ま
た、前記溝条については、前記基板の表面に形成した酸
化シリコン膜をパターニングとエッチングにより除去
し、該酸化シリコン膜をマスクとして、シリコンをエッ
チングすることで、所要深さに形成されていることが、
その実施の形態として好ましい。In this case, as the substrate structure of the above-mentioned module, the ridges are made of an organic material such as a dry film or a resist, and are formed lower than the height of the metal projections on the metal layer. Preferably, the groove is formed to a required depth by removing the silicon oxide film formed on the surface of the substrate by patterning and etching, and etching silicon using the silicon oxide film as a mask. That
This is a preferred embodiment.
【００１０】従って、基板と撮像素子との接続信頼性を
確保するのに十分な量のＡＣＰを用いても、その塗布に
際して、撮像素子部へのＡＣＰのはみ出しを回避でき、
それが原因となる不良品の発生を抑えることができる。Therefore, even when an amount of ACP sufficient to secure the connection reliability between the substrate and the image pickup device is used, it is possible to prevent the ACP from protruding into the image pickup device portion at the time of coating.
The occurrence of defective products due to this can be suppressed.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照して具体的に説明する。ここでは、撮像装置の
センサモジュールの基板構造として、図１および図２の
（ａ）に示すように、基板上に突条を形成したＡＣＰの
ような、例えば、ペースト状の異方性導電体の流れ出し
防止構造体を備えるか、図２の（ｂ）に示すように、基
板上に溝条を形成したＡＣＰ流れ出し防止構造体を備え
たものが採用される。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings. Here, as the substrate structure of the sensor module of the imaging device, as shown in FIGS. 1 and 2A, for example, a paste-like anisotropic conductor such as an ACP having a ridge formed on the substrate Or an ACP outflow prevention structure having a groove formed on a substrate as shown in FIG. 2B is employed.
【００１２】（第１の実施の形態）まず、突条を備えた
センサモジュールの基板構造について説明する。図にお
いて、符号１は撮像素子、２はその端子上のメタル層お
よび該メタル層上の金属突起（バンプ）、３は撮像素子
接続用端子、４はＡＣＰ流れ出し防止構造体としての突
条、５は受光用貫通窓、６はシリコン配線基板、７は配
線、８はＡＣＰ、９はマイクロレンズである。(First Embodiment) First, a substrate structure of a sensor module having a ridge will be described. In the drawing, reference numeral 1 denotes an image sensor, 2 denotes a metal layer on its terminal and a metal protrusion (bump) on the metal layer, 3 denotes an image sensor connection terminal, 4 denotes a ridge as an ACP outflow prevention structure, 5 Is a through window for light reception, 6 is a silicon wiring board, 7 is a wiring, 8 is an ACP, and 9 is a microlens.
【００１３】ここでは、配線基板６に対して、受光用貫
通窓５、および、その窓縁近傍に設けた撮像素子接続用
端子３が備えられていて、貫通窓５に対応して撮像素子
１を重ねて、その撮像素子１に設けた端子、換言すれ
ば、金属突起２を、ＡＣＰ８を介して、撮像素子接続用
端子３に接続し、端子間の電気的接続をとるフェイスダ
ウン実装方式が採用される。In this embodiment, the wiring board 6 is provided with a through-light receiving window 5 and an image sensor connection terminal 3 provided near the edge of the window. And a terminal provided on the image sensor 1, in other words, the metal projection 2 is connected to the image sensor connection terminal 3 via the ACP 8, and a face-down mounting method is used to make an electrical connection between the terminals. Adopted.
【００１４】この際、貫通窓５の縁と撮像素子接続用端
子３の間に位置して、配線基板６には突条４が設けられ
ている。従って、配線基板６と撮像素子１との接続信頼
性を確保するのに十分な量のＡＣＰ８を用いても、その
塗布に際して、突条４が撮像素子部へのＡＣＰの流れを
抑えるから、撮像素子部へのＡＣＰ８のはみ出しを回避
でき、それが原因となる不良品の発生を抑えることがで
きる。At this time, a ridge 4 is provided on the wiring board 6 between the edge of the through window 5 and the image sensor connection terminal 3. Therefore, even if the ACP 8 is used in an amount sufficient to secure the connection reliability between the wiring board 6 and the image pickup device 1, the ridge 4 suppresses the flow of the ACP to the image pickup device portion at the time of application, so that the image pickup is performed. It is possible to prevent the ACP 8 from protruding into the element portion, and it is possible to suppress the occurrence of defective products caused by the protrusion.
【００１５】なお、この実施の形態では、突条４は、ド
ライフィルムまたはレジストなどの有機材料で構成さ
れ、また、前記メタル層上の金属突起の高さより低く構
成されている。In this embodiment, the ridge 4 is made of an organic material such as a dry film or a resist, and is formed lower than the height of the metal projection on the metal layer.
【００１６】（第２の実施の形態）ここでの実施の形態
の特徴は、第１の実施の形態における突条４に代えて、
溝条４を採用したことであり、その他は、第１の実施例
の構成と同様なので、その説明は省略する。なお、この
実施の形態で、溝条４は、例えば、基板６の表面に形成
した酸化シリコン膜をパターニングとエッチングにより
除去し、該酸化シリコン膜をマスクとして、シリコンを
エッチングすることで、所要深さに形成されている。(Second Embodiment) The feature of this embodiment is that, instead of the ridge 4 in the first embodiment,
The configuration is the same as that of the first embodiment except that the groove 4 is employed, and the description thereof is omitted. In this embodiment, the groove 4 is formed, for example, by removing the silicon oxide film formed on the surface of the substrate 6 by patterning and etching, and etching the silicon using the silicon oxide film as a mask, thereby forming the groove 4 at a required depth. Is formed.
【００１７】従って、配線基板６と撮像素子１との接続
信頼性を確保するのに十分な量のＡＣＰ８を用いても、
その塗布に際して、溝条４が、その中へ撮像素子部への
ＡＣＰの余剰の流れを誘導するから、撮像素子部へのＡ
ＣＰ８のはみ出しを回避でき、それが原因となる不良品
の発生を抑えることができる。Therefore, even if an amount of ACP 8 sufficient to ensure the connection reliability between the wiring board 6 and the image sensor 1 is used,
At the time of the application, the groove 4 induces an excessive flow of the ACP to the image sensor unit therein, so that A
The protrusion of the CP 8 can be avoided, and the occurrence of defective products caused by the protrusion can be suppressed.
【００１８】なお、以上の実施の形態においては、窓部
を貫通した状態のままとしたが、そこに透明部材を介装
させてもよい。In the above embodiment, the window portion is left penetrating, but a transparent member may be interposed there.
【００１９】[0019]
【実施例】次に、配線基板６へのＡＣＰ流れ出し防止用
構造体の作成方法および実装例について、具体的に説明
する。結晶方位１１０のシリコン基板６のシリコン上
に、熱酸化を用いて、酸化シリコン膜を形成する。次
に、配線層（撮像素子接続用端子３および配線７に相
当）を、スパッタまたはメッキにより、形成し、更に、
保護膜として、酸化シリコン膜１１をスパッタにて形成
する。Next, a method of preparing a structure for preventing ACP from flowing out to the wiring board 6 and a mounting example thereof will be specifically described. A silicon oxide film is formed on silicon of the silicon substrate 6 having the crystal orientation 110 by using thermal oxidation. Next, a wiring layer (corresponding to the imaging device connection terminal 3 and the wiring 7) is formed by sputtering or plating.
As a protective film, a silicon oxide film 11 is formed by sputtering.
【００２０】次に、酸化シリコン膜１１に端子３のため
の開口部をエッチングにより形成する。また、受光用貫
通窓５を作成するために、その個所をパターニングし
て、エッチングにより酸化シリコン膜１１を除去する。
更に、酸化シリコン膜１１をマスクとして、貫通窓５の
個所のシリコンをエッチングにより除去する。この際の
シリコン・エッチング液としては、ＴＭＡＨ（テトラメ
チルアンモニウムハドライド）水溶液を用いた。Next, an opening for the terminal 3 is formed in the silicon oxide film 11 by etching. Further, in order to form the light receiving through window 5, the portion is patterned and the silicon oxide film 11 is removed by etching.
Further, using the silicon oxide film 11 as a mask, silicon at the location of the through window 5 is removed by etching. At this time, a TMAH (tetramethylammonium hydride) aqueous solution was used as a silicon etching solution.
【００２１】そして、最後に、突条４を形成するため
に、ドライフィルムを配線基板６の上、即ち、残された
酸化シリコン膜１１の上に、熱圧着し、その後、パター
ニングを行って、現像処理し、加温・乾燥する。Finally, in order to form the ridge 4, the dry film is thermocompression-bonded on the wiring substrate 6, ie, on the remaining silicon oxide film 11, and then patterned. Develop, heat and dry.
【００２２】また、溝条４を形成する場合には、溝条４
の個所の酸化シリコン膜１１を、パターニングとエッチ
ングとによって除去し、残された酸化シリコン膜１１を
マスクとして、シリコンをエッチングにより除去する。
この際、溝の深さと幅は、接続端子の寸法および金属突
起（バンプ）２の高さから必要とされるＡＣＰ塗布量に
より決定し、終点は、エッチングレートより算出し、エ
ッチング時間を決定する。When the groove 4 is formed, the groove 4
Is removed by patterning and etching, and silicon is removed by etching using the remaining silicon oxide film 11 as a mask.
At this time, the depth and width of the groove are determined by the required amount of ACP applied from the dimensions of the connection terminal and the height of the metal projection (bump) 2, and the end point is calculated from the etching rate to determine the etching time. .
【００２３】モジュール組立に際しては、突条、溝条の
何れの場合においても、ディスペンサによって、接続用
端子３上にＡＣＰを塗布し、事前にマイクロレンズなど
を形成した撮像素子１をアライメントし、その後、加熱
・圧着するのである。At the time of assembling the module, regardless of whether it is a ridge or a groove, the dispenser is used to apply ACP on the connection terminal 3 to align the imaging element 1 on which a microlens or the like is formed in advance, and thereafter, Heating and crimping.
【００２４】なお、図３は比較例によるモジュール基板
の断面を示している。図３では突条も溝条も設けられて
いないので、ＡＣＰ８が窓５内にまではみ出ている。FIG. 3 shows a cross section of a module substrate according to a comparative example. In FIG. 3, since neither the ridge nor the groove is provided, the ACP 8 protrudes into the window 5.
【００２５】[0025]
【発明の効果】本発明は、以上詳述したようになり、貫
通窓の縁と撮像素子接続用端子の間に位置して、前記基
板に溝条あるいは突条を設けたので、低温実装におい
て、基板と撮像素子との接続信頼性を確保するのに十分
な量のＡＣＰを用いても、その塗布に際して、撮像素子
部へのＡＣＰのはみ出しを回避でき、それが原因となる
不良品の発生を抑えることができ、歩留まりを向上でき
る。The present invention has been described in detail above. Since the groove or the protrusion is provided on the substrate between the edge of the through window and the terminal for connecting the image pickup device, the present invention is applicable to low-temperature mounting. Even if an ACP is used in an amount sufficient to ensure the reliability of the connection between the substrate and the image sensor, the ACP can be prevented from protruding into the image sensor during coating, thereby causing defective products. Can be suppressed, and the yield can be improved.
【図１】本発明の実施の形態を示す外観斜視図である。FIG. 1 is an external perspective view showing an embodiment of the present invention.
【図２】同じく、突条を設けた実施の形態を（ａ）で、
また、溝条を設けた実施の形態を（ｂ）で示す要部の拡
大断面図である。FIG. 2 shows an embodiment in which a ridge is provided in FIG.
It is an enlarged sectional view of an important section showing an embodiment provided with a groove in (b).
【図３】比較例を示す要部の拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged sectional view of a main part showing a comparative example.
１ 撮像素子 ２ 金属突起（バンプ） ３ 撮像素子接続用端子 ４ 突条（あるいは溝条） ５ 受光用貫通窓 ６ シリコン配線基板 ７ 配線 ８ ＡＣＰ ９ マイクロレンズ １１ 酸化シリコン膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Image sensor 2 Metal protrusion (bump) 3 Image sensor connection terminal 4 Ridge (or groove) 5 Light receiving through window 6 Silicon wiring board 7 Wiring 8 ACP 9 Micro lens 11 Silicon oxide film
Claims (5)
けた撮像素子接続用端子を有する基板に対して、前記窓
に対応する撮像素子を重ねて、その撮像素子に設けた端
子を、異方性導電体を介して、前記撮像素子接続用端子
に接続し、端子間の電気的接続をとるフェイスダウン実
装方式のモジュールの基板構造において、前記窓の縁と
撮像素子接続用端子の間に位置して、前記基板に溝条あ
るいは突条を設けたことを特徴とするモジュールの基板
構造。An image pickup device corresponding to the window is superimposed on a substrate having a light receiving window and an image pickup device connection terminal provided near the window edge, and a terminal provided on the image pickup device is provided. In a board structure of a face-down mounting type module connected to the image sensor connection terminals via an anisotropic conductor and making electrical connection between the terminals, the edge of the window and the image sensor connection terminals A substrate structure of a module, wherein a groove or a protrusion is provided between the substrates.
ストなどの有機材料で構成されていることを特徴とする
請求項１に記載のモジュールの基板構造。2. The module substrate structure according to claim 1, wherein said ridges are made of an organic material such as a dry film or a resist.
さより低く構成されていることを特徴とする請求項１あ
るいは２に記載のモジュールの基板構造。3. The module substrate structure according to claim 1, wherein the protrusions are formed to be lower than the height of the metal protrusions on the metal layer.
酸化シリコン膜をパターニングとエッチングにより除去
し、該酸化シリコン膜をマスクとして、シリコンをエッ
チングすることで、所要深さに形成されていることを特
徴とする請求項１に記載のモジュールの基板構造。4. The groove is formed to a required depth by removing a silicon oxide film formed on the surface of the substrate by patterning and etching, and etching silicon using the silicon oxide film as a mask. The substrate structure of the module according to claim 1, wherein:
は深さは、前記異方性体の塗布量に対応して決定されて
いることを特徴とする請求項１に記載のモジュールの基
板構造。5. The module according to claim 1, wherein the width, height, or depth of the ridge or groove is determined in accordance with the application amount of the anisotropic body. Substrate structure.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11028702A JP2000228573A (en) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | Module substrate structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11028702A JP2000228573A (en) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | Module substrate structure |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000228573A true JP2000228573A (en) | 2000-08-15 |
Family
ID=12255806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11028702A Pending JP2000228573A (en) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | Module substrate structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000228573A (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002334999A (en) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Aoi Electronics Co Ltd | Optical semiconductor device |
| JP2003101002A (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Fujitsu Ltd | Camera module and manufacturing method therefor |
| WO2005031870A1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-04-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device |
| WO2005031871A1 (en) | 2003-09-25 | 2005-04-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device |
| US7696595B2 (en) | 2003-09-25 | 2010-04-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2011086789A (en) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Japan Radio Co Ltd | Mounting structure and mounting method for electronic component |
| WO2014083746A1 (en) * | 2012-11-29 | 2014-06-05 | パナソニック株式会社 | Optical device and method for production of optical device |
| JP2014146648A (en) * | 2013-01-28 | 2014-08-14 | Fujikura Ltd | Optical element mounting board and method of manufacturing the same |
-
1999
- 1999-02-05 JP JP11028702A patent/JP2000228573A/en active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002334999A (en) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Aoi Electronics Co Ltd | Optical semiconductor device |
| JP2003101002A (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Fujitsu Ltd | Camera module and manufacturing method therefor |
| WO2005031870A1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-04-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device |
| WO2005031871A1 (en) | 2003-09-25 | 2005-04-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device |
| JP2005101326A (en) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Hamamatsu Photonics Kk | Semiconductor device |
| EP1672693A1 (en) * | 2003-09-25 | 2006-06-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device |
| EP1672694A1 (en) * | 2003-09-25 | 2006-06-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device |
| EP1672693A4 (en) * | 2003-09-25 | 2008-09-10 | Hamamatsu Photonics Kk | Semiconductor device |
| EP1672694A4 (en) * | 2003-09-25 | 2008-10-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Semiconductor device |
| CN100440521C (en) * | 2003-09-25 | 2008-12-03 | 浜松光子学株式会社 | Semiconductor device |
| CN100466271C (en) * | 2003-09-25 | 2009-03-04 | 浜松光子学株式会社 | Semiconductor device |
| US7605455B2 (en) | 2003-09-25 | 2009-10-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device |
| US7612442B2 (en) | 2003-09-25 | 2009-11-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device |
| US7696595B2 (en) | 2003-09-25 | 2010-04-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP4494746B2 (en) * | 2003-09-25 | 2010-06-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | Semiconductor device |
| JP2011086789A (en) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Japan Radio Co Ltd | Mounting structure and mounting method for electronic component |
| WO2014083746A1 (en) * | 2012-11-29 | 2014-06-05 | パナソニック株式会社 | Optical device and method for production of optical device |
| JP2014146648A (en) * | 2013-01-28 | 2014-08-14 | Fujikura Ltd | Optical element mounting board and method of manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102524686B1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
| US7414663B2 (en) | Imaging element, imaging device, camera module and camera system | |
| US9484385B2 (en) | Method for fabricating an image sensor package | |
| JP3540281B2 (en) | Imaging device | |
| KR100427993B1 (en) | Solid-state imaging device and manufacturing method thereof | |
| US7446384B2 (en) | CMOS image sensor module with wafers | |
| US20080217715A1 (en) | Wafer Level Package Using Silicon Via Contacts for Cmos Image Sensor and Method of Fabricating the Same | |
| US20060202334A1 (en) | Method of forming redistribution bump and semiconductor chip and mount structure fabricated using the same | |
| JP2010045463A (en) | Display element, electronic element module, manufacturing method thereof, and electronic information device | |
| US20060098244A1 (en) | Image sensor assembly and method for fabricating the same | |
| JP2001128072A (en) | Image pickup element, image pickup device, camera module and camera system | |
| US8053852B2 (en) | Light sensor receiving light from backside | |
| JP2000269472A (en) | Image pickup device | |
| JP2000228573A (en) | Module substrate structure | |
| KR100572487B1 (en) | Image sensor package and method for fabricating the same | |
| KR100741830B1 (en) | Camera module package using two-layered fpcb and manufacturing method thereof | |
| KR100682238B1 (en) | Method for fabricating module of semiconductor chip | |
| KR100715858B1 (en) | Fabrication method of patterned conductive adhesives wafer level packages and image sensor module ISM using these packages | |
| JP2003209332A (en) | Printed wiring board, manufacturing method thereof and mounting board | |
| JPH0917986A (en) | Solid state image pickup device and manufacturing method thereof | |
| JP2000277717A (en) | Solid-state image pickup element and method for mounting the same | |
| JP2003007990A (en) | Solid-state imaging device |