JP2000228573A - モジュールの基板構造 - Google Patents
モジュールの基板構造Info
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- JP2000228573A JP2000228573A JP11028702A JP2870299A JP2000228573A JP 2000228573 A JP2000228573 A JP 2000228573A JP 11028702 A JP11028702 A JP 11028702A JP 2870299 A JP2870299 A JP 2870299A JP 2000228573 A JP2000228573 A JP 2000228573A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線基板におけるＡＣＰの流動を抑止して、
接着時の、撮像素子部へのＡＰＣのはみ出しを回避した
構造のセンサモジュールの基板構造を提供する。 【解決手段】 受光用の窓、および、その窓縁近傍に設
けた撮像素子接続用端子を有する基板に対して、前記窓
に対応する撮像素子を重ねて、その撮像素子に設けた端
子を、異方性導電体を介して、前記撮像素子接続用端子
に接続し、端子間の電気的接続をとるフェイスダウン実
装方式のモジュールの基板構造において、前記窓の縁と
撮像素子接続用端子の間に位置して、前記基板に溝条あ
るいは突条を設けたことを特徴とする。
接着時の、撮像素子部へのＡＰＣのはみ出しを回避した
構造のセンサモジュールの基板構造を提供する。 【解決手段】 受光用の窓、および、その窓縁近傍に設
けた撮像素子接続用端子を有する基板に対して、前記窓
に対応する撮像素子を重ねて、その撮像素子に設けた端
子を、異方性導電体を介して、前記撮像素子接続用端子
に接続し、端子間の電気的接続をとるフェイスダウン実
装方式のモジュールの基板構造において、前記窓の縁と
撮像素子接続用端子の間に位置して、前記基板に溝条あ
るいは突条を設けたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、撮像装置などのモ
ジュールの基板構造に関し、特に、撮像素子の周辺回路
を一体化したモジュールの基板構造に係わるものであ
る。
ジュールの基板構造に関し、特に、撮像素子の周辺回路
を一体化したモジュールの基板構造に係わるものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ビデオカメラ、デジタルカメラなどの小
型化、薄型化、更には、カラー化、高画質化の要求を満
足するために、現在、撮像装置の高微細化、小型化が進
められており、その実装形態も、シリコン配線基板上
に、撮像素子および周辺ＩＣを搭載するマルチチップ実
装が提唱されている。
型化、薄型化、更には、カラー化、高画質化の要求を満
足するために、現在、撮像装置の高微細化、小型化が進
められており、その実装形態も、シリコン配線基板上
に、撮像素子および周辺ＩＣを搭載するマルチチップ実
装が提唱されている。
【０００３】ここでは、撮像素子の画素サイズを微小化
し、撮像素子の感度を向上するために、マイクロレンズ
が、また、カラー化の点から、カラーフィルターが、撮
像装置の実装要素に加わる。しかし、マイクロレンズ、
カラーフィルターは、それ自体の耐熱性が低く、低温度
での実装が必要である。
し、撮像素子の感度を向上するために、マイクロレンズ
が、また、カラー化の点から、カラーフィルターが、撮
像装置の実装要素に加わる。しかし、マイクロレンズ、
カラーフィルターは、それ自体の耐熱性が低く、低温度
での実装が必要である。
【０００４】そこで、撮像素子の周辺回路を一体化、薄
型化した撮像装置では、受光用窓と撮像素子接続用端子
を持つ配線基板に、接続用接着剤である異方性導電ペー
ストを用いて、フェイスダウン方式で、前記撮像素子を
実装することが検討された。
型化した撮像装置では、受光用窓と撮像素子接続用端子
を持つ配線基板に、接続用接着剤である異方性導電ペー
ストを用いて、フェイスダウン方式で、前記撮像素子を
実装することが検討された。
【０００５】これは、異方性導電接着剤の熱圧着温度
が、ＡＣＦ（異方性導電フィルム：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐ
ｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）で、約１９０
℃、ＡＣＰ（異方性導電ペースト：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐ
ｉｃ ＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＰａｓｔｅ）で、約１３０
℃程度であるからで、特に、低温実装の対象としては、
後者のＡＣＰを用いるのが好適である。
が、ＡＣＦ（異方性導電フィルム：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐ
ｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）で、約１９０
℃、ＡＣＰ（異方性導電ペースト：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐ
ｉｃ ＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＰａｓｔｅ）で、約１３０
℃程度であるからで、特に、低温実装の対象としては、
後者のＡＣＰを用いるのが好適である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、ＡＣＰ
は、撮像素子のバンプと配線基板の端子との電気的接続
を得るのに好適であるが、撮像素子と配線基板との接着
の信頼性を確保するためには、端子部への十分な量の塗
布が必要となる。しかしながら、ＡＣＰは液状であるか
ら、上述のように、撮像素子の小型化、微細化により、
接続端子部と受光用窓との隙間（間隔）が小さい状態で
は、ＡＣＰの、撮像素子部または窓へのはみ出しが問題
となる。
は、撮像素子のバンプと配線基板の端子との電気的接続
を得るのに好適であるが、撮像素子と配線基板との接着
の信頼性を確保するためには、端子部への十分な量の塗
布が必要となる。しかしながら、ＡＣＰは液状であるか
ら、上述のように、撮像素子の小型化、微細化により、
接続端子部と受光用窓との隙間（間隔）が小さい状態で
は、ＡＣＰの、撮像素子部または窓へのはみ出しが問題
となる。
【０００７】本発明は、上記事情に基づいてなされたも
ので、配線基板におけるＡＣＰの流動を抑止して、接着
時の、撮像素子部へのＡＰＣのはみ出しを回避した構造
のセンサモジュールの基板構造を提供しようとするもの
である。
ので、配線基板におけるＡＣＰの流動を抑止して、接着
時の、撮像素子部へのＡＰＣのはみ出しを回避した構造
のセンサモジュールの基板構造を提供しようとするもの
である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このため、本発明では、
受光用の窓、および、その窓縁近傍に設けた撮像素子接
続用端子を有する基板に対して、前記窓に対応する撮像
素子を重ねて、その撮像素子に設けた端子を、異方性導
電体を介して、前記撮像素子接続用端子に接続し、端子
間の電気的接続をとるフェイスダウン実装方式のモジュ
ールの基板構造において、前記窓の縁と撮像素子接続用
端子の間に位置して、前記基板に溝条あるいは突条を設
けたことを特徴とする。
受光用の窓、および、その窓縁近傍に設けた撮像素子接
続用端子を有する基板に対して、前記窓に対応する撮像
素子を重ねて、その撮像素子に設けた端子を、異方性導
電体を介して、前記撮像素子接続用端子に接続し、端子
間の電気的接続をとるフェイスダウン実装方式のモジュ
ールの基板構造において、前記窓の縁と撮像素子接続用
端子の間に位置して、前記基板に溝条あるいは突条を設
けたことを特徴とする。
【０００９】この場合、上述のモジュールの基板構造と
しては、前記突条が、ドライフィルムまたはレジストな
どの有機材料で構成されていること、メタル層上の金属
突起の高さより低く構成されていることが好ましく、ま
た、前記溝条については、前記基板の表面に形成した酸
化シリコン膜をパターニングとエッチングにより除去
し、該酸化シリコン膜をマスクとして、シリコンをエッ
チングすることで、所要深さに形成されていることが、
その実施の形態として好ましい。
しては、前記突条が、ドライフィルムまたはレジストな
どの有機材料で構成されていること、メタル層上の金属
突起の高さより低く構成されていることが好ましく、ま
た、前記溝条については、前記基板の表面に形成した酸
化シリコン膜をパターニングとエッチングにより除去
し、該酸化シリコン膜をマスクとして、シリコンをエッ
チングすることで、所要深さに形成されていることが、
その実施の形態として好ましい。
【００１０】従って、基板と撮像素子との接続信頼性を
確保するのに十分な量のＡＣＰを用いても、その塗布に
際して、撮像素子部へのＡＣＰのはみ出しを回避でき、
それが原因となる不良品の発生を抑えることができる。
確保するのに十分な量のＡＣＰを用いても、その塗布に
際して、撮像素子部へのＡＣＰのはみ出しを回避でき、
それが原因となる不良品の発生を抑えることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照して具体的に説明する。ここでは、撮像装置の
センサモジュールの基板構造として、図１および図２の
（ａ）に示すように、基板上に突条を形成したＡＣＰの
ような、例えば、ペースト状の異方性導電体の流れ出し
防止構造体を備えるか、図２の（ｂ）に示すように、基
板上に溝条を形成したＡＣＰ流れ出し防止構造体を備え
たものが採用される。
面を参照して具体的に説明する。ここでは、撮像装置の
センサモジュールの基板構造として、図１および図２の
（ａ）に示すように、基板上に突条を形成したＡＣＰの
ような、例えば、ペースト状の異方性導電体の流れ出し
防止構造体を備えるか、図２の（ｂ）に示すように、基
板上に溝条を形成したＡＣＰ流れ出し防止構造体を備え
たものが採用される。
【００１２】（第１の実施の形態）まず、突条を備えた
センサモジュールの基板構造について説明する。図にお
いて、符号１は撮像素子、２はその端子上のメタル層お
よび該メタル層上の金属突起（バンプ）、３は撮像素子
接続用端子、４はＡＣＰ流れ出し防止構造体としての突
条、５は受光用貫通窓、６はシリコン配線基板、７は配
線、８はＡＣＰ、９はマイクロレンズである。
センサモジュールの基板構造について説明する。図にお
いて、符号１は撮像素子、２はその端子上のメタル層お
よび該メタル層上の金属突起（バンプ）、３は撮像素子
接続用端子、４はＡＣＰ流れ出し防止構造体としての突
条、５は受光用貫通窓、６はシリコン配線基板、７は配
線、８はＡＣＰ、９はマイクロレンズである。
【００１３】ここでは、配線基板６に対して、受光用貫
通窓５、および、その窓縁近傍に設けた撮像素子接続用
端子３が備えられていて、貫通窓５に対応して撮像素子
１を重ねて、その撮像素子１に設けた端子、換言すれ
ば、金属突起２を、ＡＣＰ８を介して、撮像素子接続用
端子３に接続し、端子間の電気的接続をとるフェイスダ
ウン実装方式が採用される。
通窓５、および、その窓縁近傍に設けた撮像素子接続用
端子３が備えられていて、貫通窓５に対応して撮像素子
１を重ねて、その撮像素子１に設けた端子、換言すれ
ば、金属突起２を、ＡＣＰ８を介して、撮像素子接続用
端子３に接続し、端子間の電気的接続をとるフェイスダ
ウン実装方式が採用される。
【００１４】この際、貫通窓５の縁と撮像素子接続用端
子３の間に位置して、配線基板６には突条４が設けられ
ている。従って、配線基板６と撮像素子１との接続信頼
性を確保するのに十分な量のＡＣＰ８を用いても、その
塗布に際して、突条４が撮像素子部へのＡＣＰの流れを
抑えるから、撮像素子部へのＡＣＰ８のはみ出しを回避
でき、それが原因となる不良品の発生を抑えることがで
きる。
子３の間に位置して、配線基板６には突条４が設けられ
ている。従って、配線基板６と撮像素子１との接続信頼
性を確保するのに十分な量のＡＣＰ８を用いても、その
塗布に際して、突条４が撮像素子部へのＡＣＰの流れを
抑えるから、撮像素子部へのＡＣＰ８のはみ出しを回避
でき、それが原因となる不良品の発生を抑えることがで
きる。
【００１５】なお、この実施の形態では、突条４は、ド
ライフィルムまたはレジストなどの有機材料で構成さ
れ、また、前記メタル層上の金属突起の高さより低く構
成されている。
ライフィルムまたはレジストなどの有機材料で構成さ
れ、また、前記メタル層上の金属突起の高さより低く構
成されている。
【００１６】（第２の実施の形態）ここでの実施の形態
の特徴は、第１の実施の形態における突条４に代えて、
溝条４を採用したことであり、その他は、第１の実施例
の構成と同様なので、その説明は省略する。なお、この
実施の形態で、溝条４は、例えば、基板６の表面に形成
した酸化シリコン膜をパターニングとエッチングにより
除去し、該酸化シリコン膜をマスクとして、シリコンを
エッチングすることで、所要深さに形成されている。
の特徴は、第１の実施の形態における突条４に代えて、
溝条４を採用したことであり、その他は、第１の実施例
の構成と同様なので、その説明は省略する。なお、この
実施の形態で、溝条４は、例えば、基板６の表面に形成
した酸化シリコン膜をパターニングとエッチングにより
除去し、該酸化シリコン膜をマスクとして、シリコンを
エッチングすることで、所要深さに形成されている。
【００１７】従って、配線基板６と撮像素子１との接続
信頼性を確保するのに十分な量のＡＣＰ８を用いても、
その塗布に際して、溝条４が、その中へ撮像素子部への
ＡＣＰの余剰の流れを誘導するから、撮像素子部へのＡ
ＣＰ８のはみ出しを回避でき、それが原因となる不良品
の発生を抑えることができる。
信頼性を確保するのに十分な量のＡＣＰ８を用いても、
その塗布に際して、溝条４が、その中へ撮像素子部への
ＡＣＰの余剰の流れを誘導するから、撮像素子部へのＡ
ＣＰ８のはみ出しを回避でき、それが原因となる不良品
の発生を抑えることができる。
【００１８】なお、以上の実施の形態においては、窓部
を貫通した状態のままとしたが、そこに透明部材を介装
させてもよい。
を貫通した状態のままとしたが、そこに透明部材を介装
させてもよい。
【００１９】
【実施例】次に、配線基板６へのＡＣＰ流れ出し防止用
構造体の作成方法および実装例について、具体的に説明
する。結晶方位１１０のシリコン基板６のシリコン上
に、熱酸化を用いて、酸化シリコン膜を形成する。次
に、配線層（撮像素子接続用端子３および配線７に相
当）を、スパッタまたはメッキにより、形成し、更に、
保護膜として、酸化シリコン膜１１をスパッタにて形成
する。
構造体の作成方法および実装例について、具体的に説明
する。結晶方位１１０のシリコン基板６のシリコン上
に、熱酸化を用いて、酸化シリコン膜を形成する。次
に、配線層（撮像素子接続用端子３および配線７に相
当）を、スパッタまたはメッキにより、形成し、更に、
保護膜として、酸化シリコン膜１１をスパッタにて形成
する。
【００２０】次に、酸化シリコン膜１１に端子３のため
の開口部をエッチングにより形成する。また、受光用貫
通窓５を作成するために、その個所をパターニングし
て、エッチングにより酸化シリコン膜１１を除去する。
更に、酸化シリコン膜１１をマスクとして、貫通窓５の
個所のシリコンをエッチングにより除去する。この際の
シリコン・エッチング液としては、ＴＭＡＨ（テトラメ
チルアンモニウムハドライド）水溶液を用いた。
の開口部をエッチングにより形成する。また、受光用貫
通窓５を作成するために、その個所をパターニングし
て、エッチングにより酸化シリコン膜１１を除去する。
更に、酸化シリコン膜１１をマスクとして、貫通窓５の
個所のシリコンをエッチングにより除去する。この際の
シリコン・エッチング液としては、ＴＭＡＨ（テトラメ
チルアンモニウムハドライド）水溶液を用いた。
【００２１】そして、最後に、突条４を形成するため
に、ドライフィルムを配線基板６の上、即ち、残された
酸化シリコン膜１１の上に、熱圧着し、その後、パター
ニングを行って、現像処理し、加温・乾燥する。
に、ドライフィルムを配線基板６の上、即ち、残された
酸化シリコン膜１１の上に、熱圧着し、その後、パター
ニングを行って、現像処理し、加温・乾燥する。
【００２２】また、溝条４を形成する場合には、溝条４
の個所の酸化シリコン膜１１を、パターニングとエッチ
ングとによって除去し、残された酸化シリコン膜１１を
マスクとして、シリコンをエッチングにより除去する。
この際、溝の深さと幅は、接続端子の寸法および金属突
起（バンプ）２の高さから必要とされるＡＣＰ塗布量に
より決定し、終点は、エッチングレートより算出し、エ
ッチング時間を決定する。
の個所の酸化シリコン膜１１を、パターニングとエッチ
ングとによって除去し、残された酸化シリコン膜１１を
マスクとして、シリコンをエッチングにより除去する。
この際、溝の深さと幅は、接続端子の寸法および金属突
起（バンプ）２の高さから必要とされるＡＣＰ塗布量に
より決定し、終点は、エッチングレートより算出し、エ
ッチング時間を決定する。
【００２３】モジュール組立に際しては、突条、溝条の
何れの場合においても、ディスペンサによって、接続用
端子３上にＡＣＰを塗布し、事前にマイクロレンズなど
を形成した撮像素子１をアライメントし、その後、加熱
・圧着するのである。
何れの場合においても、ディスペンサによって、接続用
端子３上にＡＣＰを塗布し、事前にマイクロレンズなど
を形成した撮像素子１をアライメントし、その後、加熱
・圧着するのである。
【００２４】なお、図３は比較例によるモジュール基板
の断面を示している。図３では突条も溝条も設けられて
いないので、ＡＣＰ８が窓５内にまではみ出ている。
の断面を示している。図３では突条も溝条も設けられて
いないので、ＡＣＰ８が窓５内にまではみ出ている。
【００２５】
【発明の効果】本発明は、以上詳述したようになり、貫
通窓の縁と撮像素子接続用端子の間に位置して、前記基
板に溝条あるいは突条を設けたので、低温実装におい
て、基板と撮像素子との接続信頼性を確保するのに十分
な量のＡＣＰを用いても、その塗布に際して、撮像素子
部へのＡＣＰのはみ出しを回避でき、それが原因となる
不良品の発生を抑えることができ、歩留まりを向上でき
る。
通窓の縁と撮像素子接続用端子の間に位置して、前記基
板に溝条あるいは突条を設けたので、低温実装におい
て、基板と撮像素子との接続信頼性を確保するのに十分
な量のＡＣＰを用いても、その塗布に際して、撮像素子
部へのＡＣＰのはみ出しを回避でき、それが原因となる
不良品の発生を抑えることができ、歩留まりを向上でき
る。
【図１】本発明の実施の形態を示す外観斜視図である。
【図２】同じく、突条を設けた実施の形態を（ａ）で、
また、溝条を設けた実施の形態を（ｂ）で示す要部の拡
大断面図である。
また、溝条を設けた実施の形態を（ｂ）で示す要部の拡
大断面図である。
【図３】比較例を示す要部の拡大断面図である。
１ 撮像素子 ２ 金属突起（バンプ） ３ 撮像素子接続用端子 ４ 突条（あるいは溝条） ５ 受光用貫通窓 ６ シリコン配線基板 ７ 配線 ８ ＡＣＰ ９ マイクロレンズ １１ 酸化シリコン膜
Claims (5)
- 【請求項１】 受光用の窓、および、その窓縁近傍に設
けた撮像素子接続用端子を有する基板に対して、前記窓
に対応する撮像素子を重ねて、その撮像素子に設けた端
子を、異方性導電体を介して、前記撮像素子接続用端子
に接続し、端子間の電気的接続をとるフェイスダウン実
装方式のモジュールの基板構造において、前記窓の縁と
撮像素子接続用端子の間に位置して、前記基板に溝条あ
るいは突条を設けたことを特徴とするモジュールの基板
構造。 - 【請求項２】 前記突条は、ドライフィルムまたはレジ
ストなどの有機材料で構成されていることを特徴とする
請求項１に記載のモジュールの基板構造。 - 【請求項３】 前記突条は、メタル層上の金属突起の高
さより低く構成されていることを特徴とする請求項１あ
るいは２に記載のモジュールの基板構造。 - 【請求項４】 前記溝条は、前記基板の表面に形成した
酸化シリコン膜をパターニングとエッチングにより除去
し、該酸化シリコン膜をマスクとして、シリコンをエッ
チングすることで、所要深さに形成されていることを特
徴とする請求項１に記載のモジュールの基板構造。 - 【請求項５】 前記突条あるいは溝条の幅、高さあるい
は深さは、前記異方性体の塗布量に対応して決定されて
いることを特徴とする請求項１に記載のモジュールの基
板構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11028702A JP2000228573A (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | モジュールの基板構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11028702A JP2000228573A (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | モジュールの基板構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000228573A true JP2000228573A (ja) | 2000-08-15 |
Family
ID=12255806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11028702A Pending JP2000228573A (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | モジュールの基板構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000228573A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002334999A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Aoi Electronics Co Ltd | 光半導体装置 |
| JP2003101002A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Fujitsu Ltd | カメラモジュール及びその製造方法 |
| WO2005031870A1 (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体装置 |
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| US7696595B2 (en) | 2003-09-25 | 2010-04-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2011086789A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Japan Radio Co Ltd | 電子部品の実装構造及び実装方法 |
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-
1999
- 1999-02-05 JP JP11028702A patent/JP2000228573A/ja active Pending
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