JP2001128072A - Image pickup element, image pickup device, camera module and camera system - Google Patents
Image pickup element, image pickup device, camera module and camera systemInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、撮像素子とこれを
用いた撮像装置、さらには撮像素子を備えるカメラモジ
ュールとこれを用いたカメラシステムに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image pickup device, an image pickup apparatus using the same, a camera module having the image pickup device, and a camera system using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、撮像素子を用いたカメラモジュー
ルは、信号処理系統を含むカメラシステムとして、パー
ソナルコンピュータや携帯型テレビ電話などの小型情報
端末に搭載される用途が求められ、これに伴ってカメラ
モジュールの小型化要求が強まっている。2. Description of the Related Art In recent years, a camera module using an image sensor has been required to be mounted on a small information terminal such as a personal computer or a portable videophone as a camera system including a signal processing system. There is an increasing demand for smaller camera modules.
【０００３】従来、ＣＣＤ撮像素子やＣＭＯＳ撮像素子
などの撮像素子を用いたカメラモジュールとしては、チ
ップ状の撮像素子を中空のパッケージ内に気密封止して
なるＱＦＰ(Quad Flat Package) タイプの撮像装置を機
能デバイスとして用いたものが知られている。このよう
なカメラモジュールには、上記撮像装置をプリント配線
基板等の実装基板に実装するとともに、撮像装置の上部
に結像用のレンズユニットを搭載したものが公知となっ
ている。Conventionally, as a camera module using an image pickup device such as a CCD image pickup device or a CMOS image pickup device, a QFP (Quad Flat Package) type image pickup device in which a chip-like image pickup device is hermetically sealed in a hollow package. A device using an apparatus as a functional device is known. As such a camera module, a camera module in which the above-described imaging device is mounted on a mounting board such as a printed wiring board and a lens unit for imaging is mounted on an upper portion of the imaging device is known.
【０００４】ところで、上記構成のカメラモジュールの
場合は、モジュール全体の厚み寸法が、これを構成する
撮像装置、実装基板及びレンズユニットの各厚み寸法を
足し合わせたものとなる。そのため、カメラモジュール
を薄型化するには、各構成部品の厚み寸法を小さくする
必要がある。In the case of the camera module having the above-described configuration, the thickness of the entire module is the sum of the thicknesses of the image pickup device, the mounting board, and the lens unit constituting the module. Therefore, in order to reduce the thickness of the camera module, it is necessary to reduce the thickness of each component.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら現状で
は、撮像装置、実装基板及びレンズユニットの各厚み寸
法を小さくするにも限界のレベルに達しつつある。した
がって、カメラモジュールの更なる薄型化を図ることは
極めて困難な状況になっている。However, at present, the limit of reducing the thickness of each of the imaging device, the mounting substrate, and the lens unit is reaching a limit. Therefore, it is extremely difficult to further reduce the thickness of the camera module.
【０００６】これに対して、本出願人は、例えば先に出
願した特願平１１−２４９４７３号明細書において、フ
リップチップ実装方式（ベアチップ実装方式）による新
規なモジュール構造を提案し、これによって超薄型のカ
メラモジュールを実現している。On the other hand, the present applicant has proposed a novel module structure using a flip-chip mounting method (bare chip mounting method) in, for example, Japanese Patent Application No. 11-249473 filed earlier, and has A thin camera module has been realized.
【０００７】ところが、先に提案したモジュール構造で
は、実際に撮像して得られた画像上にゴースト像が現れ
るという動作上の難点が生じた。However, in the module structure proposed above, there is a problem in operation that a ghost image appears on an image actually obtained by imaging.
【０００８】そこで本発明者は、ゴースト像の発生要因
について検討を重ねた結果、次のような結論を得るに至
った。通常、撮像素子は受光部やレンズが存在する素子
表面から光を検知して光電変換し、これによって得られ
た画像信号を信号処理回路等に与えてディスプレイ等の
画面上に画像を表示させる。先述した従来のカメラモジ
ュールでは、撮像装置の構成として、中空のパッケージ
底部に受光部を上向きにして（フェースアップの状態
で）撮像素子を搭載している。これに対して、先に提案
したモジュール構造では、透光用の貫通穴が設けられた
基板に対し、該貫通穴から受光部を露出させた状態で撮
像素子をフリップチップ実装（ベアチップ実装）してい
る。そのため、前者の場合は撮像素子の裏面がパッケー
ジにより外部から遮蔽された状態になっているのに対
し、後者の場合は撮像素子の裏面が外部に露出した状態
となっている。The present inventor has repeatedly studied the causes of the ghost image, and has reached the following conclusion. Normally, an imaging element detects light from the element surface where a light receiving section and a lens are present, performs photoelectric conversion, and supplies an image signal obtained by the detection to a signal processing circuit or the like to display an image on a screen such as a display. In the above-described conventional camera module, as an image pickup device, an image pickup element is mounted on the bottom of the hollow package with the light receiving unit facing upward (in a face-up state). On the other hand, in the module structure proposed above, an image pickup device is flip-chip mounted (bare chip mounted) on a substrate provided with a through-hole for light transmission while exposing a light-receiving portion from the through-hole. ing. Therefore, in the former case, the back surface of the imaging device is shielded from the outside by the package, whereas in the latter case, the back surface of the imaging device is exposed to the outside.
【０００９】こうした構造上の違いにより、前者の場合
は、図１０（ａ）に示すように撮像素子３０の裏面３１
側から入射する光がパッケージ３２で遮られるものの、
後者の場合は、図１０（ｂ）に示すように撮像素子３０
の裏面３１に直に光が入射されることになる。そのよう
な状況において、撮像素子３０のベース基板として多用
されるシリコン基板（シリコンウエハ等）は、光学的に
長波長（赤外領域から可視光領域の長波長帯）の光を透
過する性質をもっている。そのため、後者の場合は撮像
素子３０の受光部側（表面側）からの入射光だけでな
く、素子裏面３１から入射した光が素子内部を透過し、
この透過光が受光部に到達して感知されることにより、
ゴースト像を引き起こしてしまうことが判明した。Due to such a structural difference, in the former case, as shown in FIG.
Although light incident from the side is blocked by the package 32,
In the latter case, as shown in FIG.
Is directly incident on the back surface 31 of the light emitting element. In such a situation, a silicon substrate (such as a silicon wafer) frequently used as a base substrate of the image sensor 30 has a property of optically transmitting light of a long wavelength (a long wavelength band from an infrared region to a visible light region). I have. Therefore, in the latter case, not only the incident light from the light receiving unit side (front surface side) of the imaging element 30 but also the light incident from the element back surface 31 passes through the inside of the element,
When this transmitted light reaches the light receiving unit and is sensed,
It was found to cause ghost images.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】そこで本発明において
は、上記課題解決のための手段として、一方の面に受光
部を有する撮像素子の構成として、受光部と反対側の素
子裏面に遮光膜を設けた構成を採用している。また、本
発明に係る撮像装置においては、基板と、一方の面に受
光部を有するとともに、前記基板に対して前記一方の面
を対向させた状態でフリップチップ実装され、かつ前記
受光部と反対側の素子裏面に遮光膜を有する撮像素子と
を備えた構成を採用している。Therefore, in the present invention, as a means for solving the above-mentioned problems, a light-shielding film is formed on the back surface of the element opposite to the light-receiving portion by forming an image pickup device having a light-receiving portion on one surface. The configuration provided is adopted. Further, in the imaging device according to the present invention, the substrate has a light receiving portion on one surface, and is flip-chip mounted with the one surface facing the substrate, and is opposite to the light receiving portion. And an imaging element having a light-shielding film on the back surface of the side element.
【００１１】上記構成からなる撮像素子及び撮像装置に
おいては、撮像素子の素子裏面に遮光膜を設けたことに
より、この撮像素子をベアチップの状態で基板にフリッ
プチップ実装した場合に、素子裏面に入射する光が遮光
膜で遮断されるようになる。これにより、素子裏面から
の入射光が素子内部を透過して受光部に感知されること
がなくなる。そのため、かかる撮像素子を用いて構成さ
れたカメラモジュールにおいては、素子裏面からの入射
光に起因するゴースト像の発生を防止することが可能と
なる。In the image pickup device and the image pickup device having the above-mentioned configuration, the light-shielding film is provided on the back surface of the image pickup device. Light is blocked by the light shielding film. Thus, incident light from the back surface of the element does not pass through the inside of the element and is not sensed by the light receiving unit. Therefore, in a camera module configured using such an imaging device, it is possible to prevent the occurrence of a ghost image due to incident light from the back surface of the device.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しつつ詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１３】図１は本発明に係るカメラシステムの構成
を示す側面概略図である。図示したカメラシステム１
は、カメラモジュール２とシステムモジュール３によっ
て構成されている。カメラモジュール２とシステムモジ
ュール３とはフレキシブル配線基板４によって繋がれて
いる。フレキシブル配線基板４は、カメラモジュール２
側から引き出されたもので、その引き出し端の配線パタ
ーン部がコネクタ５を介してシステムモジュール３の配
線パターンに電気的に接続されている。FIG. 1 is a schematic side view showing the configuration of a camera system according to the present invention. Illustrated camera system 1
Is composed of a camera module 2 and a system module 3. The camera module 2 and the system module 3 are connected by a flexible wiring board 4. The flexible wiring board 4 is a camera module 2
The wiring pattern portion of the drawing end is electrically connected to the wiring pattern of the system module 3 via the connector 5.
【００１４】システムモジュール３の配線基板６には、
上記コネクタ５とともに各種の電子部品７Ａ〜７Ｄ及び
システムＩＣ８Ａ〜８Ｃが両面実装されている。システ
ムＩＣ８Ａ〜８Ｃは、カメラモジュール２を駆動するた
めの駆動回路や、カメラモジュール２によって得られる
画像信号に種々の画像処理（例えば、画像圧縮処理等）
を施す画像処理回路などを構成するものである。また、
配線基板６には、システムモジュール３を含めたカメラ
システム１をパーソナルコンピュータ等の情報端末に接
続するためのＵＳＢ（Universal-Serial-Bus）コネクタ
９が実装されている。The wiring board 6 of the system module 3 includes
Various electronic components 7A to 7D and system ICs 8A to 8C are mounted on both sides together with the connector 5. The system ICs 8A to 8C include a driving circuit for driving the camera module 2 and various image processing (for example, image compression processing or the like) on an image signal obtained by the camera module 2.
And an image processing circuit for performing the above. Also,
A USB (Universal-Serial-Bus) connector 9 for connecting the camera system 1 including the system module 3 to an information terminal such as a personal computer is mounted on the wiring board 6.
【００１５】図２は本発明の実施形態に係るカメラモジ
ュールの構造を説明するもので、（ａ）はその概略平面
図、（ｂ）はその側断面図である。図示したカメラモジ
ュール２は、基板１０、撮像素子１１及びレンズユニッ
ト１２によって構成されている。2A and 2B illustrate the structure of a camera module according to an embodiment of the present invention. FIG. 2A is a schematic plan view, and FIG. 2B is a side sectional view. The illustrated camera module 2 includes a substrate 10, an image sensor 11, and a lens unit 12.
【００１６】基板１０は、図３にも示すように、メタル
プレート１３と先述したフレキシブル配線基板４とを接
着剤等（不図示）により貼り合わせたものである。メタ
ルプレート１３は、例えば板厚が０．５ｍｍ前後の薄い
ステンレス鋼板からなるもので、撮像素子１の外形寸法
よりも大きな正方形又は長方形をなしている。フレキシ
ブル配線基板４は、例えばポリエステルやポリイミドか
らなるベースフィルムに銅等の導体材料によって配線パ
ターン（不図示）を形成したもので、メタルプレート１
３とほぼ同一幅をもった長尺状の帯状構造をなしてい
る。そして、このフレキシブル配線基板４の端部にメタ
ルプレート１３が貼り付けられ、その貼り付け部分で基
板１０の強度（剛性）が十分に確保されている。As shown in FIG. 3, the substrate 10 is formed by bonding a metal plate 13 and the above-described flexible wiring substrate 4 with an adhesive or the like (not shown). The metal plate 13 is made of, for example, a thin stainless steel plate having a thickness of about 0.5 mm, and has a square or rectangular shape larger than the outer dimensions of the imaging device 1. The flexible wiring board 4 is formed by forming a wiring pattern (not shown) with a conductive material such as copper on a base film made of, for example, polyester or polyimide.
3 has an elongated band-like structure having substantially the same width as that of the third embodiment. Then, a metal plate 13 is attached to an end of the flexible wiring board 4, and the strength (rigidity) of the board 10 is sufficiently ensured at the attached portion.
【００１７】また、基板１０には透光用の貫通穴１４が
設けられている。この貫通穴１４は、フレキシブル配線
基板４とメタルプレート１３の貼り合わせ部分の略中央
部に設けられている。また、貫通穴１４は、後述する撮
像素子４の受光部とほぼ同じ大きさをもって四角形（矩
形状）に開けられている。これに対して、フレキシブル
配線基板４の配線パターンの端部は、上記貫通穴１４の
周辺部に撮像素子１１の電極位置に対応して配置されて
いる。The substrate 10 is provided with a through hole 14 for light transmission. The through hole 14 is provided at a substantially central portion of a portion where the flexible wiring board 4 and the metal plate 13 are bonded. The through hole 14 is formed in a quadrangular (rectangular) shape having substantially the same size as a light receiving portion of the image sensor 4 described later. On the other hand, the end of the wiring pattern of the flexible wiring board 4 is arranged around the through hole 14 corresponding to the electrode position of the image sensor 11.
【００１８】なお、メタルプレート１３は、後述するよ
うに撮像素子１１とレンズユニット１２を基板１０に実
装するにあたって、その実装部分を機械的に補強し且つ
光軸方向におけるレンズユニット２の位置合わせ精度を
確保するためのものである。そのため、フレキシブル配
線基板４の厚みを厚くして十分な強度（剛性）が得られ
る場合には、メタルプレート１３を設ける必要はない。
また、基板材料としては、基板１０の全部又は一部を、
ポリイミド系有機材料、ガラスエポキシ系有機材料、或
いはセラミック系材料で構成してもよい。ただし、いず
れの基板材料を採用する場合でも、撮像素子１１との電
気的な接続のための配線パターンを設ける必要がある。When mounting the image pickup device 11 and the lens unit 12 on the substrate 10 as will be described later, the metal plate 13 mechanically reinforces the mounting portion and adjusts the alignment accuracy of the lens unit 2 in the optical axis direction. Is to ensure. Therefore, when sufficient strength (rigidity) is obtained by increasing the thickness of the flexible wiring board 4, it is not necessary to provide the metal plate 13.
Further, as the substrate material, all or a part of the substrate 10 may be used.
It may be made of a polyimide organic material, a glass epoxy organic material, or a ceramic material. However, no matter which substrate material is used, it is necessary to provide a wiring pattern for electrical connection with the image sensor 11.
【００１９】撮像素子１１は、例えばＣＣＤ撮像素子、
ＣＭＯＳ撮像素子等からなるもので、その主面上に多数
の読取画素を２次元的に配列してなる受光部１５を有し
ている。また、撮像素子１１の周縁部には、上記受光部
１５を囲む状態で、例えばアルミニウムパッドからなる
複数の電極部（不図示）が形成されている。この撮像素
子１１は、ベアチップの状態で、バンプ１６を介して基
板１０の一方の面（フレキシブル配線基板４の下面）に
実装（フリップチップ実装）され、これによって撮像素
子１１の電極部（不図示）とフレキシブル配線基板４の
配線パターンとがバンプ１６を介して電気的に接続され
ている。また、この実装状態においては、撮像素子１１
の表面（主面）が基板１０に対向しかつ撮像素子１１の
受光部１５が基板１０の貫通穴１４から露出する状態に
配置されている。The image pickup device 11 is, for example, a CCD image pickup device,
It is composed of a CMOS image sensor or the like, and has a light receiving section 15 in which a large number of read pixels are two-dimensionally arranged on its main surface. A plurality of electrode portions (not shown) made of, for example, an aluminum pad are formed on the periphery of the image sensor 11 so as to surround the light receiving portion 15. The image sensor 11 is mounted (flip-chip mounted) on one surface (the lower surface of the flexible wiring board 4) of the substrate 10 via the bumps 16 in a bare chip state. ) And the wiring pattern of the flexible wiring board 4 are electrically connected via bumps 16. In this mounting state, the image sensor 11
Are arranged such that the light receiving portion 15 of the image sensor 11 is exposed from the through hole 14 of the substrate 10.
【００２０】一方、撮像素子１１の受光部１５が形成さ
れている側の面（主面）と反対側の面（以下、素子裏
面）には、遮光膜２２が設けられている。この遮光膜２
２は、例えばアルミニウムなどの金属膜からなるもの
で、撮像素子１１の裏面全域にわたって形成されてい
る。金属膜による遮光膜２２の形成手法としては、真空
蒸着法やスパッタリング法等（詳細は後述）を用いるこ
とができる。On the other hand, a light-shielding film 22 is provided on a surface (hereinafter, element back surface) opposite to the surface (main surface) of the image pickup device 11 on which the light receiving section 15 is formed. This light shielding film 2
Numeral 2 is made of a metal film such as aluminum, for example, and is formed over the entire back surface of the image sensor 11. As a method for forming the light-shielding film 22 using a metal film, a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like (details will be described later) can be used.
【００２１】さらに、撮像素子１１の周辺部にはその全
周にわたって封止用の樹脂１７が塗布されている。この
樹脂１７は、撮像素子１１と基板１０の電気的接続部
（バンプ接合部）の機械的な強度を高めることと、それ
らの隙間からの塵埃の進入を阻止する役目を果たす。封
止用の樹脂１７としては、その特性としてガスの発生が
極力少ない樹脂材料、例えばエポキシ樹脂等を用いるこ
とが望ましい。その理由は、封止樹脂１７から発生した
ガスが後述するレンズに付着すると、レンズ表面が曇っ
て撮像性能に悪影響を与えるためである。Further, a sealing resin 17 is applied to the entire periphery of the image pickup element 11. The resin 17 serves to increase the mechanical strength of the electrical connection portion (bump connection portion) between the image pickup device 11 and the substrate 10 and to prevent dust from entering through the gap. As the resin 17 for sealing, it is desirable to use a resin material that generates as little gas as possible, for example, an epoxy resin. The reason is that if gas generated from the sealing resin 17 adheres to a lens described later, the lens surface becomes fogged and adversely affects the imaging performance.
【００２２】レンズユニット１２は、ホルダ１８、鏡筒
１９、光学フィルタ２０及びレンズ２１によって構成さ
れている。ホルダ１８は、円筒構造をなすもので、その
内周側に鏡筒１９が嵌合されている。ホルダ１８の内周
面と鏡筒１９の外周面には必要に応じてネジ山が形成さ
れる。このネジ山を形成してホルダ１８と鏡筒１９を互
いに螺合すれば、両者を中心軸方向（光軸方向）に相対
移動させて焦点合わせを行うことができる。鏡筒１９の
先端部は中心軸側に略直角に曲げ成形され、これによっ
て入射光規制のための絞り部１９Ａが一体に形成されて
いる。The lens unit 12 includes a holder 18, a lens barrel 19, an optical filter 20, and a lens 21. The holder 18 has a cylindrical structure, and a lens barrel 19 is fitted on the inner peripheral side. Threads are formed on the inner peripheral surface of the holder 18 and the outer peripheral surface of the lens barrel 19 as necessary. If the screw thread is formed and the holder 18 and the lens barrel 19 are screwed to each other, the two can be relatively moved in the central axis direction (optical axis direction) to perform focusing. The distal end portion of the lens barrel 19 is bent at a substantially right angle to the center axis side, thereby integrally forming a diaphragm portion 19A for restricting incident light.
【００２３】光学フィルタ２０は、例えば上記絞り部１
９Ａを介して入射する入射光の中から赤外部をカットす
る機能を果たす、いわゆる赤外カットフィルタである。
この光学フィルタ２０は、上記絞り部１９Ａに近接して
鏡筒１９の先端寄りに嵌合固定されている。レンズ２１
は、上記絞り部１９Ａ及び光学フィルタ２０を介して入
射した光を、撮像素子１１の受光部１５で結像させるた
めのものである。このレンズ２１は、上記絞り部１９Ａ
を基準に位置出しを行った状態で、上記光学フィルタ２
０とともに鏡筒１９の内部に取り付けられている。The optical filter 20 is, for example,
This is a so-called infrared cut filter that performs a function of cutting an infrared portion from incident light incident through 9A.
The optical filter 20 is fitted and fixed near the distal end of the lens barrel 19 in the vicinity of the stop 19A. Lens 21
Is for forming an image of the light incident through the aperture section 19A and the optical filter 20 on the light receiving section 15 of the image sensor 11. This lens 21 is connected to the diaphragm 19A.
In the state where positioning is performed with reference to
It is attached to the inside of the lens barrel 19 together with 0.
【００２４】なお、光学フィルタ２０は、赤外カットフ
ィルタに限らず、撮像用途に応じて種々のフィルタ（例
えば、光学的なバンドパスフィルタなど）を用いること
ができる。また、レンズ２１の材料（硝材）に赤外カッ
ト機能をもつ材料を用いたり、そうした材料をレンズ２
１表面にコーティング、蒸着等によって付着させること
により、レンズ２１自体に赤外カット機能を持たせるこ
とも可能である。そうした場合は、光学フィルタ２０に
赤外カットフィルタを用いる必要はなくなる。さらに、
ホルダ１８無しでレンズユニット１２を構成することも
可能である。Note that the optical filter 20 is not limited to an infrared cut filter, and various filters (for example, an optical band-pass filter) can be used according to an imaging purpose. In addition, a material having an infrared cut function is used for the material (glass material) of the lens 21, or such a material is used for the lens 2.
By attaching the lens 21 to one surface by coating, vapor deposition, or the like, the lens 21 itself can have an infrared cut function. In such a case, there is no need to use an infrared cut filter as the optical filter 20. further,
The lens unit 12 can be configured without the holder 18.
【００２５】上記構成のレンズユニット１２は、基板１
０の他方の面（メタルプレート１３の上面）に実装され
ている。この実装状態では、基板１０（１３，４）を間
に挟んで、該基板１０の両面に撮像素子１１とレンズユ
ニット１２が実装されている。また、撮像素子１１の受
光部１５とレンズユニット１２のレンズ２１とは基板１
０の貫通穴１４を介して同じ軸上（光軸上）で対向し、
かつ撮像素子１１の受光部１５上の空間がレンズユニッ
ト１２で覆われた状態になっている。The lens unit 12 having the above-described structure
0 is mounted on the other surface (the upper surface of the metal plate 13). In this mounting state, the imaging element 11 and the lens unit 12 are mounted on both sides of the substrate 10 with the substrate 10 (13, 4) interposed therebetween. The light receiving unit 15 of the image sensor 11 and the lens 21 of the lens unit 12 are
0 on the same axis (on the optical axis) via the through-hole 14,
In addition, the space above the light receiving section 15 of the image sensor 11 is covered with the lens unit 12.
【００２６】かかるカメラモジュール２においては、撮
像素子１１の受光部１５が基板１０の貫通穴１４から露
出した状態となっているため、実際の撮像時には、レン
ズユニット１２の絞り部１９Ａから光学フィルタ２０を
通して入射した光が、レンズ２１の屈折作用により撮像
素子１１の受光部１５で結像することになる。また、撮
像素子１１の受光部１５で受光されかつそこでの光電変
換によって得られた画像信号は、基板１０（フレキシブ
ル配線基板４）の配線パターンを介してシステムモジュ
ール３（図１参照）に伝達される。In the camera module 2, the light receiving section 15 of the image sensor 11 is exposed from the through hole 14 of the substrate 10. Incident on the light receiving unit 15 of the image sensor 11 by the refraction of the lens 21. An image signal received by the light receiving unit 15 of the image sensor 11 and obtained by photoelectric conversion there is transmitted to the system module 3 (see FIG. 1) via a wiring pattern of the substrate 10 (flexible wiring substrate 4). You.
【００２７】続いて、本発明の実施形態に係るカメラモ
ジュールの製造方法について説明する。Next, a method of manufacturing the camera module according to the embodiment of the present invention will be described.
【００２８】先ず、撮像素子１１の製造工程において
は、図４（ａ）に示すように、シリコン基板等からなる
ウエハ２３上に、上記受光部１５を含む素子形成層２４
を形成した後、図４（ｂ）に示すように、ウエハ２３の
厚みが所定の寸法（例えば、厚さ４００μｍ）となるよ
うにウエハ２３の裏面を裏面研磨装置により研磨する。First, in the manufacturing process of the imaging device 11, as shown in FIG. 4A, an element forming layer 24 including the light receiving portion 15 is formed on a wafer 23 made of a silicon substrate or the like.
Then, as shown in FIG. 4B, the back surface of the wafer 23 is polished by a back surface polishing apparatus so that the thickness of the wafer 23 becomes a predetermined dimension (for example, a thickness of 400 μm).
【００２９】次いで、先ほど研磨したウエハ２３の裏面
に真空蒸着法によってアルミニウムを蒸着させ、これに
よってウエハ２３の裏面にアルミニウムによる金属膜２
５を形成する。このアルミニウムを蒸発材料（成膜材
料）とした真空蒸着は、例えば、真空度：１ｍＴｏｒ
ｒ、蒸発材料の加熱方式：るつぼ加熱、基板（ウエハ）
温度：１００℃、蒸発材料の成長膜厚：３μｍといった
条件で行われる。その後、ウエハ２３を所定のカッティ
ングラインに沿ってダイシングすることにより、素子裏
面に遮光膜２２（金属膜２５）を備えた複数の撮像素子
１１が得られる。Next, aluminum is vapor-deposited on the back surface of the wafer 23 polished earlier by a vacuum vapor deposition method.
5 is formed. The vacuum deposition using aluminum as an evaporation material (film forming material) is performed, for example, at a degree of vacuum of 1 mTorr.
r, heating method of evaporation material: crucible heating, substrate (wafer)
The temperature is set at 100 ° C., and the thickness of the evaporated material is 3 μm. Thereafter, by dicing the wafer 23 along a predetermined cutting line, a plurality of image sensors 11 having the light-shielding film 22 (metal film 25) on the back surface of the device are obtained.
【００３０】なお、ここでは金属膜（アルミニウム膜）
２５の形成方法として真空蒸着法を例に挙げたが、これ
以外にもスパッタリング法によって同様の金属膜２５を
形成してもよい。このスパッタリング法による金属膜２
５の形成条件としては、例えば、ターゲット材料：純ア
ルミニウム、ベース真空度：１．０-8Ｔｏｒｒ、スパッ
タリング時の真空度：５ｍＴｏｒｒ、導入ガス：アルゴ
ンガス、基板温度：１００℃、成長膜厚３μｍといった
条件を採用することができる。また、遮光膜２２を構成
する金属膜２５の材料としても、例えば金、銀、タング
ステン、モリブデンなどの他の金属を用いるようにして
もよい。Here, a metal film (aluminum film) is used here.
Although the vacuum deposition method has been described as an example of the method for forming the metal film 25, a similar metal film 25 may be formed by a sputtering method. Metal film 2 by this sputtering method
The conditions for forming 5 include, for example, target material: pure aluminum, base vacuum: 1.0 −8 Torr, vacuum during sputtering: 5 mTorr, introduced gas: argon gas, substrate temperature: 100 ° C., and grown film thickness: 3 μm Such a condition can be adopted. Further, as a material of the metal film 25 forming the light shielding film 22, another metal such as gold, silver, tungsten, and molybdenum may be used.
【００３１】一方、基板１０の製造工程においては、先
の図３に示すように、メタルプレート１３とフレキシブ
ル配線基板４を接着剤等を用いて貼り合わせた後、その
貼り合わせ部分の略中央部に例えばプレスによる打ち抜
き加工等によって貫通穴１４を明ける。なお、貫通穴１
４については、貼り合わせ前のメタルプレート１３とフ
レキシブル配線基板４の双方に予め形成しておいてもよ
い。On the other hand, in the manufacturing process of the substrate 10, as shown in FIG. 3, the metal plate 13 and the flexible wiring substrate 4 are bonded using an adhesive or the like, and then, approximately at the center of the bonded portion. Then, a through-hole 14 is formed by, for example, punching with a press. In addition, the through hole 1
4 may be formed on both the metal plate 13 and the flexible wiring board 4 before bonding.
【００３２】このようにして撮像素子１１と基板１０を
用意したら、続いて、図５（ａ）に示すように、撮像素
子１１の各々の電極部の上にバンプ１６を形成する。バ
ンプ１６については、例えば図６（ａ）に示すようにキ
ャピラリ２２の先端から引き出した金線２３の先端にボ
ールを形成してこれを撮像素子１１の電極部（アルミニ
ウムパッド）１１Ａに圧着した後、図６（ｂ）に示すよ
うにキャピラリ２２から金線２３を引き出さずに、ボー
ルの部分で金線２３を切断することにより形成すること
ができる。このバンプ形成方法は、ボールバンプ法（又
はスタッドバンプ法）と呼ばれるものであるが、これ以
外にも、例えば、無電界めっき法を用いたバンプ形成
や、転写バンプ法又はソルダリング技術を用いたバンプ
形成方法を採用してもよい。After the imaging device 11 and the substrate 10 are prepared in this way, subsequently, as shown in FIG. 5A, bumps 16 are formed on the respective electrode portions of the imaging device 11. As shown in FIG. 6A, for example, as shown in FIG. 6A, a ball is formed at the tip of a gold wire 23 drawn out from the tip of a capillary 22 and the ball is crimped to an electrode portion (aluminum pad) 11A of the image sensor 11. As shown in FIG. 6B, it can be formed by cutting the gold wire 23 at the ball portion without drawing the gold wire 23 from the capillary 22. This bump formation method is called a ball bump method (or a stud bump method). In addition to this, for example, a bump formation using an electroless plating method, a transfer bump method or a soldering technique is used. A bump forming method may be adopted.
【００３３】次に、図５（ｂ）に示すように、基板１０
の一方の面にバンプ１６を介して撮像素子１１を実装
（フリップチップ実装）する。かかる実装工程では、図
示せぬ受台に基板１０を載置する一方、図示せぬボンデ
ィングツールで撮像素子１１を保持する。そして、受台
上の基板１０とボンディングツールにて保持した撮像素
子１１を位置合わせした状態で、撮像素子１１の電極部
に形成したバンプ１６を超音波接合により基板１０（フ
レキシブル配線基板４）の配線パターンに電気的かつ機
械的に接続する。Next, as shown in FIG.
The image sensor 11 is mounted (flip-chip mounting) on one surface of the device via the bump 16. In this mounting process, the substrate 10 is placed on a receiving table (not shown), and the imaging element 11 is held by a bonding tool (not shown). Then, in a state where the substrate 10 on the receiving table and the image pickup device 11 held by the bonding tool are aligned, the bumps 16 formed on the electrode portions of the image pickup device 11 are bonded to the substrate 10 (flexible wiring board 4) by ultrasonic bonding. It is electrically and mechanically connected to the wiring pattern.
【００３４】基板１０と撮像素子１１の位置合わせは、
上記ボンディングツールによる加圧方向と直交する方向
（一般的には水平方向）において、基板１０の貫通穴１
４と撮像素子１１の受光部１５の位置、及び基板１０の
配線パターンとこれに対応する撮像素子１１の電極部の
位置が、それぞれ一致する条件で行われる。また、超音
波接合については、例えば、周波数：５０ＫＨｚ、ツー
ル温度：１００℃、受台温度：１００℃、接合時間：
０．５ｓ秒、ツール加圧力：バンプ一個当たり１００
ｇ、振幅２．５μｍの条件で行われる。The alignment between the substrate 10 and the image sensor 11 is performed as follows.
In a direction (generally, a horizontal direction) orthogonal to the pressing direction by the bonding tool, the through-hole 1
4 and the position of the light receiving unit 15 of the image sensor 11, and the wiring pattern of the substrate 10 and the corresponding position of the electrode unit of the image sensor 11 are matched with each other. For ultrasonic bonding, for example, frequency: 50 KHz, tool temperature: 100 ° C., pedestal temperature: 100 ° C., bonding time:
0.5 seconds, tool pressure: 100 per bump
g, amplitude 2.5 μm.
【００３５】ここで、超音波接合時の加熱温度として
は、撮像素子１１の主面（受光部１５）上にマイクロレ
ンズが形成されている場合にこのマイクロレンズが熱的
なダメージを受けないよう、１７０℃以下の条件に設定
することが望ましい。ちなみに、超音波接合方法では１
３０℃程度の温度で処理できるため、マイクロレンズに
熱的なダメージを与える虞れはない。ただし、基板１０
に撮像素子１１を実装する際の接合方法としては、上記
温度条件（１７０℃以下）を満たす低温接合を実現する
ものであれば、超音波接合以外の接合方法を採用しても
構わない。具体的には、銀ペーストを用いた接合やイン
ジウムを用いた接合、或いは異方性導電材料を用いた接
合方法などが考えられる。Here, the heating temperature at the time of ultrasonic bonding is such that when a microlens is formed on the main surface (light receiving portion 15) of the imaging element 11, the microlens is not thermally damaged. , 170 ° C. or less. By the way, in the ultrasonic bonding method, 1
Since the treatment can be performed at a temperature of about 30 ° C., there is no possibility of causing thermal damage to the microlenses. However, the substrate 10
As a bonding method for mounting the imaging element 11 on the substrate, a bonding method other than ultrasonic bonding may be adopted as long as low-temperature bonding that satisfies the above temperature condition (170 ° C. or less) is realized. Specifically, a bonding method using a silver paste, a bonding method using indium, a bonding method using an anisotropic conductive material, and the like can be considered.
【００３６】次いで、図５（ｃ）に示すように、撮像素
子１１の周辺部にディスペンサ等を用いて封止用の樹脂
（アンダーフィル材）１７を塗布する。このとき、適度
な粘性を有する樹脂１７を用いることにより、ディスペ
ンサ等で塗布した樹脂１７が撮像素子１１の受光部１５
にまで流れ込まないようにする。また、樹脂１７を塗布
した後は、これを自然乾燥或いは熱処理によって硬化さ
せておく。樹脂１７の材料としては、例えばフェノール
ノボラック型のエポキシ樹脂を用いる。また、上記熱処
理による硬化条件としては、１２０℃で２時間とする。Next, as shown in FIG. 5C, a sealing resin (underfill material) 17 is applied to the periphery of the image sensor 11 using a dispenser or the like. At this time, by using the resin 17 having an appropriate viscosity, the resin 17 applied by a dispenser or the like can be used as the light receiving unit 15 of the image sensor 11.
So that it does not flow into After the resin 17 is applied, it is cured by natural drying or heat treatment. As a material of the resin 17, for example, a phenol novolak type epoxy resin is used. The curing condition by the above heat treatment is 120 ° C. for 2 hours.
【００３７】続いて、図５（ｄ）に示すように、予め組
み立ての完了したレンズユニット１２を基板１０の他方
の面に実装する。かかる実装工程では、レンズユニット
１２のホルダ１８の端面又はレンズユニット１２の実装
位置に対応した基板１０の他方の面上に、例えばエポキ
シ系の接着剤（不図示）を塗布する。その後、レンズユ
ニット１２と撮像素子１１を位置合わせした状態で、基
板１０の他方の面にレンズユニット１２を押し付けるこ
とにより、上記接着剤を介してレンズユニット１２を基
板１０に固定する。以上で、先の図２に示したカメラモ
ジュール２が得られる。Subsequently, as shown in FIG. 5D, the lens unit 12 which has been assembled in advance is mounted on the other surface of the substrate 10. In this mounting step, for example, an epoxy-based adhesive (not shown) is applied to the end surface of the holder 18 of the lens unit 12 or the other surface of the substrate 10 corresponding to the mounting position of the lens unit 12. Thereafter, with the lens unit 12 and the image sensor 11 aligned, the lens unit 12 is pressed against the other surface of the substrate 10 to fix the lens unit 12 to the substrate 10 via the adhesive. Thus, the camera module 2 shown in FIG. 2 is obtained.
【００３８】ちなみに、撮像素子１１の裏面に金属膜に
よる遮光膜２２を形成するにあたっては、上述のように
撮像素子１１の製造工程で真空蒸着法等により形成する
以外にも、ウエハ２３をダイシングして得られた撮像素
子１１を基板１０に実装した後、或いは基板１０にレン
ズユニット１２を実装した後に、例えば撮像素子１１の
裏面に金属ペースト（銀ペースト等）を塗布することに
より、素子裏面に金属膜からなる遮光膜２２を形成する
ことも可能である。In forming the light-shielding film 22 made of a metal film on the back surface of the imaging device 11, the wafer 23 is diced in addition to the formation of the imaging device 11 by a vacuum deposition method or the like as described above. After mounting the obtained imaging device 11 on the substrate 10 or mounting the lens unit 12 on the substrate 10, for example, a metal paste (silver paste or the like) is applied to the back surface of the imaging device 11 so that It is also possible to form the light shielding film 22 made of a metal film.
【００３９】このようにして得られたカメラモジュール
２においては、貫通穴１４を有する基板１０の一方の面
にフリップチップ実装にて撮像素子１１を直に取り付
け、その反対側、即ち基板１０の他方の面にレンズユニ
ット１２を実装した構造を採用しているため、従来のモ
ジュール構造に比較して、撮像素子を気密封止するため
のパッケージ厚寸法分を削減できるとともに、モジュー
ル厚み方向において基板１０、撮像素子１１及びレンズ
ユニット１２をより密に配置することができる。これに
より、超薄型のカメラモジュール２を提供することが可
能となる。また、かかるカメラモジュール２を用いたカ
メラシステム１においては、カメラモジュール２の厚み
が薄くなることで、より小さな取付スペースを利用して
情報端末に組み込むことが可能となる。In the camera module 2 thus obtained, the imaging element 11 is directly mounted on one surface of the substrate 10 having the through hole 14 by flip-chip mounting, and the other side of the imaging device 11, that is, the other side of the substrate 10 Has a structure in which the lens unit 12 is mounted on the surface of the substrate, so that the thickness of the package for hermetically sealing the image sensor can be reduced as compared with the conventional module structure, and the substrate 10 in the module thickness direction can be reduced. , The image sensor 11 and the lens unit 12 can be arranged more densely. This makes it possible to provide an ultra-thin camera module 2. Further, in the camera system 1 using the camera module 2, the thickness of the camera module 2 is reduced, so that the camera module 2 can be incorporated into an information terminal using a smaller mounting space.
【００４０】さらに、撮像素子１１の裏面に遮光膜２２
が形成されているため、素子裏面が外部に露出する状態
で実装されていても、図７に示すように撮像素子１１の
裏面から入射する光を遮光膜２２によって遮断すること
ができる。これにより、素子裏面からの入射光（長波長
の光等）が撮像素子１１の内部を透過して受光部１５に
感知されることがなくなる。したがって、実際にカメラ
モジュール２で撮像した場合でも、素子裏面からの入射
光に起因したゴースト像やノイズの発生を防止して良好
な画像を得ることが可能となる。Further, a light shielding film 22 is provided on the back surface of the image pickup device 11.
7, light incident from the back surface of the image sensor 11 can be blocked by the light shielding film 22, as shown in FIG. Thereby, incident light (light of a long wavelength or the like) from the back surface of the element does not pass through the inside of the imaging element 11 and is not sensed by the light receiving unit 15. Therefore, even when an image is actually taken by the camera module 2, it is possible to prevent the occurrence of a ghost image or noise due to the incident light from the back surface of the element and obtain a good image.
【００４１】また、本実施形態においては、撮像素子１
１をフレキシブル配線基板４に接続しているため、その
フレキシブル配線基板４の可撓性を利用してカメラモジ
ュール２の向きを自由に変えることができる。これによ
り、カメラモジュール２を情報端末製品に組み込む際に
は、カメラモジュール２の取り付け角度を任意に調整可
能となるため、組み付け時の自由度が大幅に向上する。In this embodiment, the image pickup device 1
Since 1 is connected to the flexible wiring board 4, the direction of the camera module 2 can be freely changed by utilizing the flexibility of the flexible wiring board 4. Accordingly, when the camera module 2 is incorporated into an information terminal product, the mounting angle of the camera module 2 can be adjusted arbitrarily, so that the degree of freedom in assembling is greatly improved.
【００４２】さらに、かかるカメラモジュール２を製造
するにあたっては、撮像素子１１を気密封止するための
パーケージ工程が不要になることから、生産性の向上に
よって低コスト化を実現することが可能となる。Further, in manufacturing such a camera module 2, a packaging step for hermetically sealing the image pickup device 11 is not required, so that cost reduction can be realized by improving productivity. .
【００４３】なお、上記実施形態においては、基板１
０、撮像素子１１及びレンズユニット１２からなるカメ
ラモジュール２への適用例について説明したが、本発明
はこれに限らず、例えば図８（ａ）に示すように上記レ
ンズユニット１２に代えて基板１０の貫通穴１４をシー
ルガラスや光学フィルタ基板等の光透過性板状部材２６
で閉塞してなる撮像装置、或いは図８（ｂ）に示すよう
に透明なガラス基板（又は光学フィルタ基板等）２７に
対して撮像素子１１をベアチップの状態でフリップチッ
プ実装してなる撮像装置などにも同様に適用可能であ
る。In the above embodiment, the substrate 1
Although an example of application to the camera module 2 including the imaging element 11 and the lens unit 12 has been described, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. Through holes 14 of light-transmitting plate-like members 26 such as seal glass and optical filter substrates.
Or an imaging device in which the imaging device 11 is flip-chip mounted in a bare chip state on a transparent glass substrate (or an optical filter substrate or the like) 27 as shown in FIG. The same can be applied to.
【００４４】また、上記実施形態においては、撮像素子
１１の裏面に真空蒸着法等によって金属膜からなる遮光
膜２２を形成するようにしたが、これ以外にも、例えば
撮像素子１１の裏面に黒色の樹脂（エポキシ樹脂、シリ
コーン樹脂等）を塗布して黒色化したり、素子裏面に透
明な樹脂膜を形成した後に黒色インクを含有する塗装材
料で樹脂膜表面を塗装して黒色化することにより、素子
裏面に樹脂製の遮光膜２２を形成したものであってもよ
い。In the above-described embodiment, the light-shielding film 22 made of a metal film is formed on the back surface of the imaging device 11 by a vacuum deposition method or the like. By applying a resin (epoxy resin, silicone resin, etc.) to make it black, or by forming a transparent resin film on the back of the element and then painting the resin film surface with a coating material containing black ink to make it black, The light shielding film 22 made of resin may be formed on the back surface of the element.
【００４５】このように樹脂によって遮光膜２２を形成
する場合にあっては、撮像素子１１の製造工程で遮光膜
２２を形成しなくても、先の図５（ｃ）に示す処理工程
にて撮像素子１１の裏面と側面を覆う状態で黒色の樹脂
（封止用の樹脂）１７を塗布することにより、図９に示
すように該樹脂１７の一部（素子裏面に対応する部分）
１７Ａで遮光膜２２を形成し、かつ該樹脂１７の他部
（素子側面に対応する部分）１７Ｂで撮像素子１１と基
板１０の接合強度を高めて剥がれ等を防止することがで
きる。In the case where the light shielding film 22 is formed of resin as described above, even if the light shielding film 22 is not formed in the manufacturing process of the image sensor 11, the light shielding film 22 is formed in the processing step shown in FIG. By applying a black resin (resin for sealing) 17 in a state of covering the back surface and the side surface of the imaging element 11, a part of the resin 17 (portion corresponding to the back surface of the element) as shown in FIG.
The light-shielding film 22 is formed by 17A, and the other part (the part corresponding to the element side surface) 17B of the resin 17 can increase the bonding strength between the imaging element 11 and the substrate 10 to prevent peeling or the like.
【００４６】[0046]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、撮
像素子の構成として受光部と反対側の素子裏面に遮光膜
を設けるようにしたので、かかる撮像素子を用いて薄型
の撮像装置やカメラモジュールを実現する場合に、素子
裏面から入射する光を遮光膜で遮断し、該入射光に起因
するゴースト像等の発生を防止することができる。これ
により、非常に薄型でしかも高い撮像性能を有する撮像
装置やカメラモジュールを提供することが可能となる。As described above, according to the present invention, a light-shielding film is provided on the back surface of the element opposite to the light receiving portion as a structure of the image pickup element. In the case of realizing a camera module, light incident from the back surface of the element can be blocked by a light-shielding film, and generation of a ghost image or the like due to the incident light can be prevented. This makes it possible to provide an imaging apparatus and a camera module that are extremely thin and have high imaging performance.
【図１】本発明に係るカメラシステムの構成を示す側面
概略図である。FIG. 1 is a schematic side view showing a configuration of a camera system according to the present invention.
【図２】本発明の実施形態に係るカメラモジュールの構
造を説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a structure of a camera module according to the embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施形態に係るカメラモジュールの基
板構造を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view illustrating a substrate structure of the camera module according to the embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施形態に係る撮像素子の製造工程図
である。FIG. 4 is a manufacturing process diagram of the imaging element according to the embodiment of the present invention.
【図５】本発明の実施形態に係るカメラモジュールの製
造工程図である。FIG. 5 is a manufacturing process diagram of the camera module according to the embodiment of the present invention.
【図６】バンプ形成方法の一例を説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a bump forming method.
【図７】本発明の効果を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating the effect of the present invention.
【図８】本発明の他の適用例を説明する図である。FIG. 8 is a diagram illustrating another application example of the present invention.
【図９】本発明の他の実施形態を説明する図である。FIG. 9 is a diagram illustrating another embodiment of the present invention.
【図１０】課題を説明するための図である。FIG. 10 is a diagram for explaining a problem.
１…カメラシステム、２…カメラモジュール、１０…基
板、１１…撮像素子、１２…レンズユニット、１４…貫
通穴、１５…受光部、１６…バンプ、１７…樹脂、２２
…遮光膜DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Camera system, 2 ... Camera module, 10 ... Substrate, 11 ... Image sensor, 12 ... Lens unit, 14 ... Through hole, 15 ... Light receiving part, 16 ... Bump, 17 ... Resin, 22
… Light shielding film
Claims (6)
記受光部と反対側の素子裏面に遮光膜を有することを特
徴とする撮像素子。1. An image pickup device comprising: a light-receiving portion on one surface; and a light-shielding film on a back surface of the device opposite to the light-receiving portion.
前記一方の面を対向させた状態でフリップチップ実装さ
れ、かつ前記受光部と反対側の素子裏面に遮光膜を有す
る撮像素子とを備えることを特徴とする撮像装置。2. A substrate and a light receiving portion on one surface, flip-chip mounted with the one surface facing the substrate, and light blocking on a back surface of the element opposite to the light receiving portion. An imaging device comprising: an imaging element having a film.
貫通穴から露出させた状態で前記基板の一方の面にフリ
ップチップ実装され、かつ前記受光部と反対側の素子裏
面に遮光膜を有する撮像素子とを備えることを特徴とす
る撮像装置。3. A substrate having a through-hole for light transmission, a light-receiving portion on one surface, and a flip-chip on one surface of the substrate with the light-receiving portion exposed from the through-hole. An imaging device, comprising: an imaging device mounted and having a light-shielding film on the back surface of the device opposite to the light receiving unit.
と前記撮像素子の接続部を含む素子周辺部において、前
記撮像素子の側面と裏面を覆う状態で塗布された黒色の
樹脂を有し、この樹脂の一部で前記遮光膜を形成してな
ることを特徴とする請求項２記載の撮像装置。4. A black resin applied so as to cover a side surface and a back surface of the image sensor in an element peripheral portion including a connection portion between the substrate and the image sensor by the flip-chip mounting. The imaging device according to claim 2, wherein the light-shielding film is partially formed.
貫通穴から露出させた状態で前記基板の一方の面にフリ
ップチップ実装され、かつ前記受光部と反対側の素子裏
面に遮光膜を有する撮像素子と、 前記基板の他方の面に実装されたレンズユニットとを備
えることを特徴とするカメラモジュール。5. A substrate having a through hole for light transmission, a light receiving portion on one surface, and a flip chip mounted on one surface of the substrate with the light receiving portion exposed from the through hole. A camera module, comprising: an image pickup element mounted and having a light-shielding film on the back surface of the element opposite to the light receiving section; and a lens unit mounted on the other surface of the substrate.
貫通穴から露出させた状態で前記基板の一方の面にフリ
ップチップ実装され、かつ前記受光部と反対側の素子裏
面に遮光膜を有する撮像素子と、 前記基板の他方の面に実装されたレンズユニットとを備
えるカメラモジュールを用いたことを特徴とするカメラ
システム。6. A substrate having a through-hole for light transmission, a light-receiving portion on one surface, and a flip-chip on one surface of the substrate with the light-receiving portion exposed from the through-hole. A camera system comprising: a camera module including an imaging element mounted and having a light-shielding film on an element back surface opposite to the light receiving unit, and a lens unit mounted on the other surface of the substrate.
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
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