JP2000161214A - クライオポンプ - Google Patents
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- F04B37/00—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00
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- F04B37/085—Regeneration of cryo-pumps
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
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- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B39/00—Component parts, details, or accessories, of pumps or pumping systems specially adapted for elastic fluids, not otherwise provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B37/00
- F04B39/12—Casings; Cylinders; Cylinder heads; Fluid connections
- F04B39/121—Casings
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F05—INDEXING SCHEMES RELATING TO ENGINES OR PUMPS IN VARIOUS SUBCLASSES OF CLASSES F01-F04
- F05B—INDEXING SCHEME RELATING TO WIND, SPRING, WEIGHT, INERTIA OR LIKE MOTORS, TO MACHINES OR ENGINES FOR LIQUIDS COVERED BY SUBCLASSES F03B, F03D AND F03G
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- F05B2210/10—Kind or type
- F05B2210/12—Kind or type gaseous, i.e. compressible
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S417/00—Pumps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 クライオポンプの再生時における結露を防止
するための手段を提供すること。 【解決手段】 本発明によるクライオポンプ１０は、ケ
ーシング１２と、ケーシング内に設けられた、気体分子
を凝縮し吸着するパネル１４，１６，１８と、ケーシン
グ内に再生用ガスを導入し、パネルに吸着された気体分
子を気化して該再生用ガスと共にケーシングの外部に排
出する再生手段２２〜３２と、再生用ガスをケーシング
の外表面の所定部分に供給するガス供給手段４０とを備
えることを特徴としている。この構成において、排出さ
れた再生用ガスをケーシングに吹き付けると、その部分
はガスで被覆され大気から遮断される。また、ケーシン
グから排出された再生用ガスは十分にドライであり、温
度も比較的高いので、再生用ガスが吹き付けられた部分
は結露が防止又は抑制される。
するための手段を提供すること。 【解決手段】 本発明によるクライオポンプ１０は、ケ
ーシング１２と、ケーシング内に設けられた、気体分子
を凝縮し吸着するパネル１４，１６，１８と、ケーシン
グ内に再生用ガスを導入し、パネルに吸着された気体分
子を気化して該再生用ガスと共にケーシングの外部に排
出する再生手段２２〜３２と、再生用ガスをケーシング
の外表面の所定部分に供給するガス供給手段４０とを備
えることを特徴としている。この構成において、排出さ
れた再生用ガスをケーシングに吹き付けると、その部分
はガスで被覆され大気から遮断される。また、ケーシン
グから排出された再生用ガスは十分にドライであり、温
度も比較的高いので、再生用ガスが吹き付けられた部分
は結露が防止又は抑制される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置等
で用いられるクライオポンプに関し、特に、その外表面
に生ずる結露を防止するための手段に関する。
で用いられるクライオポンプに関し、特に、その外表面
に生ずる結露を防止するための手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置の処理チャンバ等を超高
真空にするための装置として、クライオポンプが広く使
用されている。クライオポンプとは、極低温によって気
体分子を凝縮、吸着することで真空引きを行う冷凍溜込
み式の真空ポンプをいう。
真空にするための装置として、クライオポンプが広く使
用されている。クライオポンプとは、極低温によって気
体分子を凝縮、吸着することで真空引きを行う冷凍溜込
み式の真空ポンプをいう。
【０００３】図４に示すように、一般的なクライオポン
プ１は２段構成となっており、５０〜８０Ｋに冷却され
たファーストステージパネル２で主に水蒸気を捕らえ、
１０〜２０Ｋに冷却されたセカンドステージパネル３で
アルゴンガスや窒素ガス等を凝縮及び吸着するようにな
っている。なお、セカンドステージパネル３の表面に
は、水素、ヘリウム等の分子を効率よく捕捉する目的で
表面に活性炭が接着されていることが通例である。
プ１は２段構成となっており、５０〜８０Ｋに冷却され
たファーストステージパネル２で主に水蒸気を捕らえ、
１０〜２０Ｋに冷却されたセカンドステージパネル３で
アルゴンガスや窒素ガス等を凝縮及び吸着するようにな
っている。なお、セカンドステージパネル３の表面に
は、水素、ヘリウム等の分子を効率よく捕捉する目的で
表面に活性炭が接着されていることが通例である。
【０００４】このようにクライオポンプ１は気体分子を
溜め込む方式を採っているため、ある程度の期間使用す
ると、排気能力が低下する。かかる場合、常温又はそれ
以上の温度の再生用ガス、例えば窒素ガスのような不活
性ガスをポンプ内部に導入し、低温のパネル２，３を常
温付近まで昇温し、内部に溜まった気体分子を再生用ガ
スと共に外部に排出する作業、いわゆる再生を行う必要
がある。
溜め込む方式を採っているため、ある程度の期間使用す
ると、排気能力が低下する。かかる場合、常温又はそれ
以上の温度の再生用ガス、例えば窒素ガスのような不活
性ガスをポンプ内部に導入し、低温のパネル２，３を常
温付近まで昇温し、内部に溜まった気体分子を再生用ガ
スと共に外部に排出する作業、いわゆる再生を行う必要
がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、クライオポ
ンプ１は、通常稼働時は内部が超高真空となるため、内
部のパネル２，３が極低温となっても、真空断熱効果に
よりケーシング４の表面はさほど冷却されない。しかし
ながら、再生用ガスをケーシング４の内部に導入する
と、再生用ガスが熱伝達媒体となり、再生開始直後は、
依然として極低温となっているパネル２，３に熱が伝達
され、ケーシング４が急激に冷却される。この結果、ク
ライオポンプ１の外表面に結露が発生する。
ンプ１は、通常稼働時は内部が超高真空となるため、内
部のパネル２，３が極低温となっても、真空断熱効果に
よりケーシング４の表面はさほど冷却されない。しかし
ながら、再生用ガスをケーシング４の内部に導入する
と、再生用ガスが熱伝達媒体となり、再生開始直後は、
依然として極低温となっているパネル２，３に熱が伝達
され、ケーシング４が急激に冷却される。この結果、ク
ライオポンプ１の外表面に結露が発生する。
【０００６】通常、クライオポンプ１には制御用の電子
機器が付属しており、またクライオポンプ１が取り付け
られる半導体製造装置等にも各種電子機器が取り付けら
れている。従って、クライオポンプ１の表面に結露が生
ずると、その水分が電子機器等に付着し、正常な運転を
妨げるおそれがある。
機器が付属しており、またクライオポンプ１が取り付け
られる半導体製造装置等にも各種電子機器が取り付けら
れている。従って、クライオポンプ１の表面に結露が生
ずると、その水分が電子機器等に付着し、正常な運転を
妨げるおそれがある。
【０００７】また、一般に半導体製造装置には漏水検知
装置が取り付けられているため、結露による水分により
漏水検知装置が作動し、半導体製造装置を緊急停止して
しまう可能性がある。
装置が取り付けられているため、結露による水分により
漏水検知装置が作動し、半導体製造装置を緊急停止して
しまう可能性がある。
【０００８】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、クライオポンプの再生時における
結露を防止するための手段を提供することにある。
であり、その目的は、クライオポンプの再生時における
結露を防止するための手段を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によるクライオポンプは、ケーシングと、ケ
ーシング内に設けられた、気体分子を凝縮し吸着するパ
ネルと、ケーシング内に再生用ガスを導入し、パネルに
吸着された気体分子を気化して該再生用ガスと共にケー
シングの外部に排出する再生手段と、再生用ガスをケー
シングの外表面の所定部分に供給するガス供給手段とを
備えることを特徴としている。
に、本発明によるクライオポンプは、ケーシングと、ケ
ーシング内に設けられた、気体分子を凝縮し吸着するパ
ネルと、ケーシング内に再生用ガスを導入し、パネルに
吸着された気体分子を気化して該再生用ガスと共にケー
シングの外部に排出する再生手段と、再生用ガスをケー
シングの外表面の所定部分に供給するガス供給手段とを
備えることを特徴としている。
【００１０】ガス供給手段は、再生手段によりケーシン
グから排出された再生用ガスをケーシングの外表面の所
定部分に吹き付けるノズル等の手段が好適である。この
ように、排出された再生用ガスをケーシングに吹き付け
ると、その部分はガスで被覆され大気から遮断される。
また、ケーシングから排出された再生用ガスは十分にド
ライであり、温度も比較的高いので、再生用ガスが吹き
付けられた部分は結露が防止又は抑制される。
グから排出された再生用ガスをケーシングの外表面の所
定部分に吹き付けるノズル等の手段が好適である。この
ように、排出された再生用ガスをケーシングに吹き付け
ると、その部分はガスで被覆され大気から遮断される。
また、ケーシングから排出された再生用ガスは十分にド
ライであり、温度も比較的高いので、再生用ガスが吹き
付けられた部分は結露が防止又は抑制される。
【００１１】ガス供給手段としては、ケーシングを囲む
エンクロージャと、再生手段によりケーシングから排出
された再生用ガスをエンクロージャ及びケーシングの間
の空間に供給する手段とから成るものも考えられる。こ
の場合、ケーシング全体が大気から完全に遮断されるの
で、結露は完全に防止される。また、ケーシングから排
出される再生用ガスの温度は大気の露点よりも高くなっ
ていることが一般的であるので、エンクロージャの外表
面に結露が生ずることもない。
エンクロージャと、再生手段によりケーシングから排出
された再生用ガスをエンクロージャ及びケーシングの間
の空間に供給する手段とから成るものも考えられる。こ
の場合、ケーシング全体が大気から完全に遮断されるの
で、結露は完全に防止される。また、ケーシングから排
出される再生用ガスの温度は大気の露点よりも高くなっ
ていることが一般的であるので、エンクロージャの外表
面に結露が生ずることもない。
【００１２】また、ガス供給手段は、ケーシングを囲む
エンクロージャと、エンクロージャ及びケーシングとの
間の空間に再生用ガスを導入するためにエンクロージャ
に設けられたガス導入ポートとから成るものであっても
よい。この場合、再生用ガスは、ガス導入ポートからエ
ンクロージャとケーシングとの間の空間に導入された
後、前記ケーシング内に導入される。
エンクロージャと、エンクロージャ及びケーシングとの
間の空間に再生用ガスを導入するためにエンクロージャ
に設けられたガス導入ポートとから成るものであっても
よい。この場合、再生用ガスは、ガス導入ポートからエ
ンクロージャとケーシングとの間の空間に導入された
後、前記ケーシング内に導入される。
【００１３】更に、ガス供給手段により再生用ガスをケ
ーシングの外表面の所定部分に供給する前に、再生用ガ
スを加熱する加熱手段を備えてもよい。
ーシングの外表面の所定部分に供給する前に、再生用ガ
スを加熱する加熱手段を備えてもよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
適な実施形態について詳細に説明する。なお、図１〜図
３において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複
する説明は省略する。
適な実施形態について詳細に説明する。なお、図１〜図
３において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複
する説明は省略する。
【００１５】図１は、本発明によるクライオポンプの好
適な実施形態を示す概略図である。このクライオポンプ
１０は、一端が開放され他端が閉じられた円筒形状のケ
ーシング１２と、このケーシング１２の内部に配置され
たカップ状の輻射熱シールドパネル１４と、更にその内
側に配置されたセカンドステージパネル１６とを備えて
いる。輻射熱シールドパネル１４の開口部分にはバッフ
ル１８が取り付けられており、輻射熱シールドパネル１
４と共にファーストステージパネルを構成している。輻
射熱シールドパネル１４及びセカンドステージパネル１
６は、ケーシング１２の外部に設けられた冷凍機２０に
接続されており、前者は５０〜８０Ｋ、後者は１０〜２
０Ｋの極低温に冷却されるようになっている。
適な実施形態を示す概略図である。このクライオポンプ
１０は、一端が開放され他端が閉じられた円筒形状のケ
ーシング１２と、このケーシング１２の内部に配置され
たカップ状の輻射熱シールドパネル１４と、更にその内
側に配置されたセカンドステージパネル１６とを備えて
いる。輻射熱シールドパネル１４の開口部分にはバッフ
ル１８が取り付けられており、輻射熱シールドパネル１
４と共にファーストステージパネルを構成している。輻
射熱シールドパネル１４及びセカンドステージパネル１
６は、ケーシング１２の外部に設けられた冷凍機２０に
接続されており、前者は５０〜８０Ｋ、後者は１０〜２
０Ｋの極低温に冷却されるようになっている。
【００１６】また、クライオポンプ１０を再生するため
の再生手段として、ケーシング１２には不活性ガス等の
再生用ガスを内部にパージするためのパージポート２２
が形成されており、このパージポート２２には、再生用
ガス供給源（図示実施形態では窒素ガス供給源）２４か
ら延びる再生用ガスライン２６がバルブ２８を介して接
続されている。再生用ガスライン２６には再生用ガスを
加熱するための加熱手段３０が設けられている。また、
再生手段は、ケーシング１２に設けられた排気ポート３
２を備えている。この排気ポート３２にはバルブ３４を
介してロータリポンプ等の粗引きポンプ３６が接続され
ている。
の再生手段として、ケーシング１２には不活性ガス等の
再生用ガスを内部にパージするためのパージポート２２
が形成されており、このパージポート２２には、再生用
ガス供給源（図示実施形態では窒素ガス供給源）２４か
ら延びる再生用ガスライン２６がバルブ２８を介して接
続されている。再生用ガスライン２６には再生用ガスを
加熱するための加熱手段３０が設けられている。また、
再生手段は、ケーシング１２に設けられた排気ポート３
２を備えている。この排気ポート３２にはバルブ３４を
介してロータリポンプ等の粗引きポンプ３６が接続され
ている。
【００１７】排気ポート３２とバルブ３４との間からは
排気ライン３８が分岐して延び、その先端には、ケーシ
ング１２からのガスをケーシング１２の外表面に吹き付
けるためのノズル４０が取り付けられている。このノズ
ル４０は、少なくとも結露が生じやすい部分にガスを吹
き付けることができるよう取付位置が定められており、
図１では１つだけ示しているが、ケーシング１２の全体
に吹き付けることができるよう複数のノズルを設けても
よい。なお、符号４２は排気ライン３８の開閉を行うバ
ルブである。
排気ライン３８が分岐して延び、その先端には、ケーシ
ング１２からのガスをケーシング１２の外表面に吹き付
けるためのノズル４０が取り付けられている。このノズ
ル４０は、少なくとも結露が生じやすい部分にガスを吹
き付けることができるよう取付位置が定められており、
図１では１つだけ示しているが、ケーシング１２の全体
に吹き付けることができるよう複数のノズルを設けても
よい。なお、符号４２は排気ライン３８の開閉を行うバ
ルブである。
【００１８】上記構成のクライオポンプ１０は、例えば
半導体製造装置の処理チャンバ５０等にゲートバルブ５
２を介して接続されて用いられる。処理チャンバ５０内
の真空引きを行う場合、粗引きポンプ３６を作動させ
て、ある程度まで減圧した後、バルブ３４を閉じ、前述
したように、ファーストステージパネル１４，１８を５
０〜８０Ｋに冷却し、セカンドステージパネル１６を１
０〜２０Ｋに冷却する。これにより、ファーストステー
ジパネル１４，１８にて主に水蒸気が凝縮、吸着され、
セカンドステージパネル１６にて酸素、窒素、アルゴン
等が凝縮、吸着される。その結果、処理チャンバ５０内
の気体が希薄となり、最大で１０-10Ｔｏｒｒという超
高真空をも作り出すことが可能となる。
半導体製造装置の処理チャンバ５０等にゲートバルブ５
２を介して接続されて用いられる。処理チャンバ５０内
の真空引きを行う場合、粗引きポンプ３６を作動させ
て、ある程度まで減圧した後、バルブ３４を閉じ、前述
したように、ファーストステージパネル１４，１８を５
０〜８０Ｋに冷却し、セカンドステージパネル１６を１
０〜２０Ｋに冷却する。これにより、ファーストステー
ジパネル１４，１８にて主に水蒸気が凝縮、吸着され、
セカンドステージパネル１６にて酸素、窒素、アルゴン
等が凝縮、吸着される。その結果、処理チャンバ５０内
の気体が希薄となり、最大で１０-10Ｔｏｒｒという超
高真空をも作り出すことが可能となる。
【００１９】このようにして気体分子がパネル１４，１
６，１８に多量に吸着されると、やがて排気能力が所望
レベルを下回ることとなり、再生が必要となる。再生方
法は従来と同様であり、冷凍機２０を停止して、ゲート
バルブ５２及び粗引きライン３５のバルブ３４を閉じる
と共に、再生用ガスライン２６のバルブ２８及び排気ラ
イン３８のバルブ４２を開く。そして、窒素ガス（再生
用ガス）を窒素ガス供給源２４から供給し、加熱手段３
０により加熱した後、パージポート２２からケーシング
１２の内部にパージする。これにより、低温のパネル１
４，１６，１８に吸着された気体分子に窒素ガスの熱エ
ネルギが与えられ、気体分子がケーシング１２の内部に
放散される。この気体分子は、窒素ガスと共に、排気ポ
ート３２から排出される。
６，１８に多量に吸着されると、やがて排気能力が所望
レベルを下回ることとなり、再生が必要となる。再生方
法は従来と同様であり、冷凍機２０を停止して、ゲート
バルブ５２及び粗引きライン３５のバルブ３４を閉じる
と共に、再生用ガスライン２６のバルブ２８及び排気ラ
イン３８のバルブ４２を開く。そして、窒素ガス（再生
用ガス）を窒素ガス供給源２４から供給し、加熱手段３
０により加熱した後、パージポート２２からケーシング
１２の内部にパージする。これにより、低温のパネル１
４，１６，１８に吸着された気体分子に窒素ガスの熱エ
ネルギが与えられ、気体分子がケーシング１２の内部に
放散される。この気体分子は、窒素ガスと共に、排気ポ
ート３２から排出される。
【００２０】この再生中、特に初期段階ではファースト
ステージパネル１４，１８及びセカンドステージパネル
１６は依然として極低温にあるため、窒素ガスが熱伝達
媒体となって、ケーシング１２が低温となる。これによ
りケーシング１２の外表面に結露が生じる可能性があ
る。しかしながら、本実施形態では、ケーシング１２の
排気ポート３２から排出されたガスが排気ライン３８を
経てノズル４０から噴出されるため、結露の発生が防止
或いは抑制される。即ち、ノズル４０から噴出されたガ
スは、ケーシング１２の外表面にガスの被膜を形成し、
大気とケーシング１２との直接の接触を妨げる。しか
も、ケーシング１２から排出されたガスは水蒸気等を含
んだものとなっているが、その量は極めて微量であり非
常にドライなガスであるので、ケーシング１２の表面で
の結露が防止又は軽減される。更に、再生用ガスはケー
シング１２内の種々の部位を通り、排気ポート３２から
排出された時のガス温度は大気の露点以上となっている
ことが一般的であり、これによっても結露防止効果が発
揮される。なお、排気ガスの温度が低い場合には、排気
ライン３８中に適当な加熱手段４４を設けて排気ガスを
加熱することが好ましい。
ステージパネル１４，１８及びセカンドステージパネル
１６は依然として極低温にあるため、窒素ガスが熱伝達
媒体となって、ケーシング１２が低温となる。これによ
りケーシング１２の外表面に結露が生じる可能性があ
る。しかしながら、本実施形態では、ケーシング１２の
排気ポート３２から排出されたガスが排気ライン３８を
経てノズル４０から噴出されるため、結露の発生が防止
或いは抑制される。即ち、ノズル４０から噴出されたガ
スは、ケーシング１２の外表面にガスの被膜を形成し、
大気とケーシング１２との直接の接触を妨げる。しか
も、ケーシング１２から排出されたガスは水蒸気等を含
んだものとなっているが、その量は極めて微量であり非
常にドライなガスであるので、ケーシング１２の表面で
の結露が防止又は軽減される。更に、再生用ガスはケー
シング１２内の種々の部位を通り、排気ポート３２から
排出された時のガス温度は大気の露点以上となっている
ことが一般的であり、これによっても結露防止効果が発
揮される。なお、排気ガスの温度が低い場合には、排気
ライン３８中に適当な加熱手段４４を設けて排気ガスを
加熱することが好ましい。
【００２１】図２は本発明の別の実施形態を示してい
る。この実施形態では、密閉されたエンクロージャ６０
でケーシング１２を囲み、エンクロージャ６０のガス導
入ポート６２にケーシング１２からの排気ライン３８を
接続している。この構成においては、ケーシング１２が
エンクロージャ６０により大気から遮断されるので、結
露は完全に防止される。また、エンクロージャ６０とケ
ーシング１２との間の空間に導入される排気ガスは比較
的高温であるので（低温である場合には加熱手段４４に
より加熱される）、エンクロージャ６０の外表面の結露
も防止される。エンクロージャ６０内に導入された排気
ガスは、エンクロージャ６０の排気ポート６４から排気
ライン６６を経て大気中に放出される。この際、排気ガ
スの種類によっては、希釈装置や熱分解装置等の処理装
置（図示せず）に送り適宜処理する必要がある。
る。この実施形態では、密閉されたエンクロージャ６０
でケーシング１２を囲み、エンクロージャ６０のガス導
入ポート６２にケーシング１２からの排気ライン３８を
接続している。この構成においては、ケーシング１２が
エンクロージャ６０により大気から遮断されるので、結
露は完全に防止される。また、エンクロージャ６０とケ
ーシング１２との間の空間に導入される排気ガスは比較
的高温であるので（低温である場合には加熱手段４４に
より加熱される）、エンクロージャ６０の外表面の結露
も防止される。エンクロージャ６０内に導入された排気
ガスは、エンクロージャ６０の排気ポート６４から排気
ライン６６を経て大気中に放出される。この際、排気ガ
スの種類によっては、希釈装置や熱分解装置等の処理装
置（図示せず）に送り適宜処理する必要がある。
【００２２】また、図３に示すように、エンクロージャ
６０のガス導入ポート６２に再生用ガス供給源２４から
高温の再生用ガスを送り込んだ後、その再生用ガスをパ
ージポート２２からケーシング１２の内部にパージさせ
てもよい。この構成は、パージ前の再生用ガスが高温で
あることを利用したものである。なお、排気ポート３２
から排出されたガスは、従来構成と同様の排気（粗引
き）ライン３５に送られることになる。
６０のガス導入ポート６２に再生用ガス供給源２４から
高温の再生用ガスを送り込んだ後、その再生用ガスをパ
ージポート２２からケーシング１２の内部にパージさせ
てもよい。この構成は、パージ前の再生用ガスが高温で
あることを利用したものである。なお、排気ポート３２
から排出されたガスは、従来構成と同様の排気（粗引
き）ライン３５に送られることになる。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ク
ライオポンプの再生中に発生するおそれがある結露を防
止、或いは軽減することができる。これにより、結露か
ら生ずる水滴による周辺の精密機器、電子機器への悪影
響を防止し、また、漏水検知装置の誤作動を防止するこ
とが可能となる。
ライオポンプの再生中に発生するおそれがある結露を防
止、或いは軽減することができる。これにより、結露か
ら生ずる水滴による周辺の精密機器、電子機器への悪影
響を防止し、また、漏水検知装置の誤作動を防止するこ
とが可能となる。
【図１】本発明によるクライオポンプの好適な実施形態
を示す概略図である。
を示す概略図である。
【図２】本発明によるクライオポンプの他の実施形態を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図３】本発明によるクライオポンプの更に他の実施形
態を示す概略図である。
態を示す概略図である。
【図４】従来一般のクライオポンプを示す概略図であ
る。
る。
１０…クライオポンプ、１２…ケーシング、１４…輻射
熱シールドパネル（ファーストステージパネル）、１６
…セカンドステージパネル、１８…バッフル（ファース
トステージパネル）、２０…冷凍機、２２…パージポー
ト、２４…再生用ガス供給源、３０，４４…加熱手段、
３２…排気ポート、３８…排気ライン、４０…ノズル、
６０…エンクロージャ、６２…ガス導入ポート。
熱シールドパネル（ファーストステージパネル）、１６
…セカンドステージパネル、１８…バッフル（ファース
トステージパネル）、２０…冷凍機、２２…パージポー
ト、２４…再生用ガス供給源、３０，４４…加熱手段、
３２…排気ポート、３８…排気ライン、４０…ノズル、
６０…エンクロージャ、６２…ガス導入ポート。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後藤 英明 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 Ｆターム(参考） 3H076 AA26 BB50 CC41 CC46 CC95 CC97
Claims (5)
- 【請求項１】 ケーシングと、 前記ケーシング内に設けられた、気体分子を凝縮し吸着
するパネルと、 前記ケーシング内に再生用ガスを導入し、前記パネルに
吸着された気体分子を気化して該再生用ガスと共に前記
ケーシングの外部に排出する再生手段と、 再生用ガスを前記ケーシングの外表面の所定部分に供給
するガス供給手段とを備えるクライオポンプ。 - 【請求項２】 前記ガス供給手段は、前記再生手段によ
り前記ケーシングから排出された再生用ガスを前記ケー
シングの外表面の所定部分に吹き付ける手段である請求
項１に記載のクライオポンプ。 - 【請求項３】 前記ガス供給手段は、 前記ケーシングを囲むエンクロージャと、 前記再生手段により前記ケーシングから排出された再生
用ガスを前記エンクロージャと前記ケーシングとの間の
空間に供給する手段とを備える請求項１に記載のクライ
オポンプ。 - 【請求項４】 前記ガス供給手段は、 前記ケーシングを囲むエンクロージャと、 前記エンクロージャと前記ケーシングとの間の空間に再
生用ガスを導入するために前記エンクロージャに設けら
れたガス導入ポートとを備え、前記ガス導入ポートから
前記エンクロージャと前記ケーシングとの間の空間に導
入された再生用ガスが前記ケーシング内に導入されるよ
うになっている請求項１に記載のクライオポンプ。 - 【請求項５】 前記ガス供給手段により再生用ガスを前
記ケーシングの外表面の所定部分に供給する前に、前記
再生用ガスを加熱する加熱手段を備える請求項１〜４の
いずれか１項に記載のクライオポンプ。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP10333066A JP2000161214A (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | クライオポンプ |
| KR1019990051821A KR20000035605A (ko) | 1998-11-24 | 1999-11-22 | 크라이오 펌프 |
| TW088120378A TW472113B (en) | 1998-11-24 | 1999-11-22 | Cryopump |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10333066A JP2000161214A (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | クライオポンプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000161214A true JP2000161214A (ja) | 2000-06-13 |
Family
ID=18261894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10333066A Withdrawn JP2000161214A (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | クライオポンプ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000161214A (ja) |
| KR (1) | KR20000035605A (ja) |
| TW (1) | TW472113B (ja) |
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| KR101339978B1 (ko) | 2011-06-08 | 2013-12-10 | 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 | 크라이오펌프 및 극저온 냉동기 |
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| JP2019143537A (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 住友重機械工業株式会社 | クライオポンプ |
| CN110486937A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-11-22 | 东台宏仁气体有限公司 | 一种氮气加热装置 |
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| JP5679913B2 (ja) * | 2011-06-14 | 2015-03-04 | 住友重機械工業株式会社 | クライオポンプ制御装置、クライオポンプシステム、及びクライオポンプ監視方法 |
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-
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- 1998-11-24 JP JP10333066A patent/JP2000161214A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-11-22 TW TW088120378A patent/TW472113B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-11-22 KR KR1019990051821A patent/KR20000035605A/ko not_active Application Discontinuation
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| US10273949B2 (en) | 2013-02-18 | 2019-04-30 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Cryopump and method of operating the cryopump |
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| CN111712640A (zh) * | 2018-02-21 | 2020-09-25 | 住友重机械工业株式会社 | 低温泵 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW472113B (en) | 2002-01-11 |
| KR20000035605A (ko) | 2000-06-26 |
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