JP2000156565A - 多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板 - Google Patents
多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板Info
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- JP2000156565A JP2000156565A JP33120098A JP33120098A JP2000156565A JP 2000156565 A JP2000156565 A JP 2000156565A JP 33120098 A JP33120098 A JP 33120098A JP 33120098 A JP33120098 A JP 33120098A JP 2000156565 A JP2000156565 A JP 2000156565A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波特性に優れた多層プリント配線板及び
該多層プリント配線板の製造方法を提案する。 【解決手段】 両面銅張積層板３０の銅箔３１をエッチ
ングにより薄くしてから、めっき膜３３を析出させ導体
回路３４を形成する。該導体回路３４の上に、層間樹脂
絶縁層５０と導体層５８とを積層するが、当該導体回路
３４を形成する銅箔３１とめっき膜３３とを加えた厚み
ｔ１が薄く、層間樹脂絶縁層５０の導体層５８の厚さｔ
２と大きく異ならないため、該導体回路３４と導体層５
８とのインピーダンスを整合させることができ、多層プ
リント配線板の高周波における性能を向上させることが
可能となる。
該多層プリント配線板の製造方法を提案する。 【解決手段】 両面銅張積層板３０の銅箔３１をエッチ
ングにより薄くしてから、めっき膜３３を析出させ導体
回路３４を形成する。該導体回路３４の上に、層間樹脂
絶縁層５０と導体層５８とを積層するが、当該導体回路
３４を形成する銅箔３１とめっき膜３３とを加えた厚み
ｔ１が薄く、層間樹脂絶縁層５０の導体層５８の厚さｔ
２と大きく異ならないため、該導体回路３４と導体層５
８とのインピーダンスを整合させることができ、多層プ
リント配線板の高周波における性能を向上させることが
可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、層間樹脂絶縁層と
導体層とが交互に積層され、各導体層間がバイアホール
にて接続されたビルドアップ配線層が、コア基板の導体
回路上に形成されてなる多層プリント配線板及び該多層
プリント配線板の製造方法に関するものである。
導体層とが交互に積層され、各導体層間がバイアホール
にて接続されたビルドアップ配線層が、コア基板の導体
回路上に形成されてなる多層プリント配線板及び該多層
プリント配線板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度多層化の要求により、ビル
ドアップ多層プリント配線板が注目されている。この多
層プリント配線板は、コア基板上に導体回路を形成し、
該導体回路の上に層間樹脂層と導体回路とを交互に積層
した多層配線板である。
ドアップ多層プリント配線板が注目されている。この多
層プリント配線板は、コア基板上に導体回路を形成し、
該導体回路の上に層間樹脂層と導体回路とを交互に積層
した多層配線板である。
【０００３】ここで、該多層プリント配線板を構成する
コア基板の導体回路の形成方法について図１１を参照し
て説明する。樹脂基板の３３０の両面に銅箔３３１の付
着された銅張積層板３３０Ａを用いる（図１１の工程
（Ａ））。まず、ドリルにより通孔３３２を穿設する
（工程（Ｂ））。そして、めっき膜３３３を均一に析出
させることで、通孔３３２にスルーホール３３６を形成
する（工程（Ｃ））。その後、めっき膜３３３の形成さ
れた銅箔３３１に対してパターンエッチングを施すこと
で、導体回路３３４を形成する（工程（Ｄ））。更に、
該導体回路１３４上に層間樹脂絶縁層３５０を形成して
から、めっきにより導体回路３５８を配置する（工程
（Ｅ））。
コア基板の導体回路の形成方法について図１１を参照し
て説明する。樹脂基板の３３０の両面に銅箔３３１の付
着された銅張積層板３３０Ａを用いる（図１１の工程
（Ａ））。まず、ドリルにより通孔３３２を穿設する
（工程（Ｂ））。そして、めっき膜３３３を均一に析出
させることで、通孔３３２にスルーホール３３６を形成
する（工程（Ｃ））。その後、めっき膜３３３の形成さ
れた銅箔３３１に対してパターンエッチングを施すこと
で、導体回路３３４を形成する（工程（Ｄ））。更に、
該導体回路１３４上に層間樹脂絶縁層３５０を形成して
から、めっきにより導体回路３５８を配置する（工程
（Ｅ））。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た多層プリント配線板の製造方法では、コア基板３３０
上に微細径の導体回路３３４を形成することができなか
った。即ち、銅箔３３１の厚みが薄いものでも１８μｍ
あり、この上に形成するめっき膜３３３の厚みが１５μ
ｍあるため、合わせて３３μｍとなり、エッチングを施
した際に、図１１の工程（Ｄ）に示すように導体回路３
３４の側部にアンダーカットができ、剥離し易くなるた
め、導体回路を微細に形成することができなかった。
た多層プリント配線板の製造方法では、コア基板３３０
上に微細径の導体回路３３４を形成することができなか
った。即ち、銅箔３３１の厚みが薄いものでも１８μｍ
あり、この上に形成するめっき膜３３３の厚みが１５μ
ｍあるため、合わせて３３μｍとなり、エッチングを施
した際に、図１１の工程（Ｄ）に示すように導体回路３
３４の側部にアンダーカットができ、剥離し易くなるた
め、導体回路を微細に形成することができなかった。
【０００５】更に、工程（Ｅ）に示す層間樹脂絶縁層３
５０上の導体回路３５８は、１５μｍ程度の厚さに形成
されている。これに対して、コア基板３３０上の導体回
路３３４は、３３μｍに形成されているため、該層間樹
脂絶縁層１５０上の導体回路３５８とコア基板３３０上
の導体回路３３４とで、インピーダンスが大きく異な
り、インピーダンス整合を取ることが困難となって、高
周波特性を高めることができなかった。
５０上の導体回路３５８は、１５μｍ程度の厚さに形成
されている。これに対して、コア基板３３０上の導体回
路３３４は、３３μｍに形成されているため、該層間樹
脂絶縁層１５０上の導体回路３５８とコア基板３３０上
の導体回路３３４とで、インピーダンスが大きく異な
り、インピーダンス整合を取ることが困難となって、高
周波特性を高めることができなかった。
【０００６】本発明は、上述したビルドアップ多層配線
板特有の課題を解決するためになされたものであり、そ
の目的とするところは、高周波特性に優れた多層プリン
ト配線板及び該多層プリント配線板の製造方法を提案す
ることにある。
板特有の課題を解決するためになされたものであり、そ
の目的とするところは、高周波特性に優れた多層プリン
ト配線板及び該多層プリント配線板の製造方法を提案す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】以下、本発明について詳
述する。なお、特にことわりの無いかぎり、銅箔、導体
層、導体回路の厚さは、平均の厚さであり、断面の光学
顕微鏡写真、電子顕微鏡写真から厚さを測定する。上述
した課題を解決すべく、請求項１の多層プリント配線板
の製造方法は、以下の（１）〜（５）の工程を少なくと
も含むことを特徴とする。 （１）銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くする工
程、（２）前記銅張積層板に通孔を穿設する工程、
（３）前記銅張積層板にめっき膜を形成することで、該
通孔内にスルーホールを形成する工程、（４）前記銅張
積層板表面の銅箔およびめっき膜をパターンエッチング
して導体回路を形成する工程、（５）該導体回路上面に
層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層する工程。
述する。なお、特にことわりの無いかぎり、銅箔、導体
層、導体回路の厚さは、平均の厚さであり、断面の光学
顕微鏡写真、電子顕微鏡写真から厚さを測定する。上述
した課題を解決すべく、請求項１の多層プリント配線板
の製造方法は、以下の（１）〜（５）の工程を少なくと
も含むことを特徴とする。 （１）銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くする工
程、（２）前記銅張積層板に通孔を穿設する工程、
（３）前記銅張積層板にめっき膜を形成することで、該
通孔内にスルーホールを形成する工程、（４）前記銅張
積層板表面の銅箔およびめっき膜をパターンエッチング
して導体回路を形成する工程、（５）該導体回路上面に
層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層する工程。
【０００８】上述した課題を解決すべく、請求項２の多
層プリント配線板の製造方法は、以下の（１）〜（７）
の工程を少なくとも含むことを特徴とする。 （１）銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くする工
程、（２）前記銅張積層板に通孔を穿設する工程、
（３）前記銅張積層板に導体膜を形成する工程、（４）
導体回路及びスルーホール非形成部にレジストを形成す
る工程、（５）前記レジスト非形成部にめっき膜を形成
して導体回路及びスルーホールを形成する工程、（６）
該レジストを剥離すると共に、レジスト下の導体膜及び
銅箔をエッチングにより除去する工程、（７）該導体回
路上面に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層する工
程。
層プリント配線板の製造方法は、以下の（１）〜（７）
の工程を少なくとも含むことを特徴とする。 （１）銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くする工
程、（２）前記銅張積層板に通孔を穿設する工程、
（３）前記銅張積層板に導体膜を形成する工程、（４）
導体回路及びスルーホール非形成部にレジストを形成す
る工程、（５）前記レジスト非形成部にめっき膜を形成
して導体回路及びスルーホールを形成する工程、（６）
該レジストを剥離すると共に、レジスト下の導体膜及び
銅箔をエッチングにより除去する工程、（７）該導体回
路上面に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層する工
程。
【０００９】また、請求項３では、請求項１又は２にお
いて、前記銅張積層板に通孔を穿設する工程において、
レーザを用いることを技術的特徴とする。
いて、前記銅張積層板に通孔を穿設する工程において、
レーザを用いることを技術的特徴とする。
【００１０】更に、請求項４では、請求項１又は２にお
いて、前記銅張積層板に通孔を穿設する工程において、
ドリルを用いることを技術的特徴とする。
いて、前記銅張積層板に通孔を穿設する工程において、
ドリルを用いることを技術的特徴とする。
【００１１】請求項５では、請求項１〜３において、前
記銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くする工程に
おいて、銅箔を１〜１０μｍ望ましくは２〜７μｍにす
ることを技術的特徴とする。
記銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くする工程に
おいて、銅箔を１〜１０μｍ望ましくは２〜７μｍにす
ることを技術的特徴とする。
【００１２】請求項６の多層プリント配線板では、層間
樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、各導体層間が
バイアホールにて接続されたビルドアップ配線層が、コ
ア基板の導体回路上に形成されてなる多層プリント配線
板において、前記コア基板上の導体回路の厚みを、前記
層間樹脂絶縁層上の導体層の厚みよりも１０μｍを越え
て、望ましくは７μｍを越えて厚くしないことを技術的
特徴とする。
樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、各導体層間が
バイアホールにて接続されたビルドアップ配線層が、コ
ア基板の導体回路上に形成されてなる多層プリント配線
板において、前記コア基板上の導体回路の厚みを、前記
層間樹脂絶縁層上の導体層の厚みよりも１０μｍを越え
て、望ましくは７μｍを越えて厚くしないことを技術的
特徴とする。
【００１３】また、請求項７は、請求項６において、前
記コア基板が銅張積層板からなり、コア基板の導体回路
が、該銅張積層板の銅箔とめっき膜とからなることを技
術的特徴とする。
記コア基板が銅張積層板からなり、コア基板の導体回路
が、該銅張積層板の銅箔とめっき膜とからなることを技
術的特徴とする。
【００１４】請求項８は、銅張積層板の銅箱をエッチン
グにより薄くした後、その銅張積層板の銅箔をパターン
エッチングして導体回路を形成し、ついで該導体回路上
面に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層する多層プ
リント配線板の製造方法であって、前記コア基板上の導
体回路の厚みを前記層間樹脂絶縁層上の厚みよりも１０
μｍを越えない範囲に調製することを特徴とする多層プ
リント配線板の製造方法、である。
グにより薄くした後、その銅張積層板の銅箔をパターン
エッチングして導体回路を形成し、ついで該導体回路上
面に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層する多層プ
リント配線板の製造方法であって、前記コア基板上の導
体回路の厚みを前記層間樹脂絶縁層上の厚みよりも１０
μｍを越えない範囲に調製することを特徴とする多層プ
リント配線板の製造方法、である。
【００１５】請求項１の多層プリント配線板の製造方法
では、銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くする。
その後、めっきを施しスルーホールを形成する。この際
に、銅箔上にめっき膜が形成される。そして、該めっき
膜の形成された銅箔をパターンエッチングして導体回路
を作り出すが、予め銅箔を薄くしてあるため、導体回路
を形成する銅箔とめっき膜とを加えた厚みが薄くなり、
パターンエッチングにより微細な回路を形成することが
可能となる。更に、該導体回路を形成した銅張積層板
に、層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層するが、上
記導体回路を形成する銅箔とめっき膜とを加えた厚みが
薄くなり、層間樹脂絶縁層の導体層に対して厚さが大き
く異ならないため、該コア基板上の導体回路と層間樹脂
絶縁層上の導体層とのインピーダンスを整合させること
ができ、多層プリント配線板の高周波特性を向上させる
ことが可能となる。
では、銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くする。
その後、めっきを施しスルーホールを形成する。この際
に、銅箔上にめっき膜が形成される。そして、該めっき
膜の形成された銅箔をパターンエッチングして導体回路
を作り出すが、予め銅箔を薄くしてあるため、導体回路
を形成する銅箔とめっき膜とを加えた厚みが薄くなり、
パターンエッチングにより微細な回路を形成することが
可能となる。更に、該導体回路を形成した銅張積層板
に、層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層するが、上
記導体回路を形成する銅箔とめっき膜とを加えた厚みが
薄くなり、層間樹脂絶縁層の導体層に対して厚さが大き
く異ならないため、該コア基板上の導体回路と層間樹脂
絶縁層上の導体層とのインピーダンスを整合させること
ができ、多層プリント配線板の高周波特性を向上させる
ことが可能となる。
【００１６】請求項２の多層プリント配線板の製造方法
では、銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くする。
均一に導体膜を形成した後、レジスト非形成部にめっき
を施して導体回路を作り出してから、レジストを剥離す
ると共に、レジスト下の導体膜及び銅箔をエッチングに
より除去する。このエッチングの際に、予め銅箔を薄く
してあるため、導体膜と銅箔を加えた厚みが薄くなり、
微細な回路を形成することが可能となる。更に、該導体
回路を形成した銅張積層板に、層間樹脂絶縁層と導体層
とを交互に積層するが、上記導体回路を形成する銅箔と
めっき膜とを加えた厚みが薄くなり、層間樹脂絶縁層の
導体層に対して厚さが大きく異ならないため、該コア基
板上の導体回路と層間樹脂絶縁層上の導体層とのインピ
ーダンスを整合させることができ、多層プリント配線板
の高周波特性を向上させることが可能となる。
では、銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くする。
均一に導体膜を形成した後、レジスト非形成部にめっき
を施して導体回路を作り出してから、レジストを剥離す
ると共に、レジスト下の導体膜及び銅箔をエッチングに
より除去する。このエッチングの際に、予め銅箔を薄く
してあるため、導体膜と銅箔を加えた厚みが薄くなり、
微細な回路を形成することが可能となる。更に、該導体
回路を形成した銅張積層板に、層間樹脂絶縁層と導体層
とを交互に積層するが、上記導体回路を形成する銅箔と
めっき膜とを加えた厚みが薄くなり、層間樹脂絶縁層の
導体層に対して厚さが大きく異ならないため、該コア基
板上の導体回路と層間樹脂絶縁層上の導体層とのインピ
ーダンスを整合させることができ、多層プリント配線板
の高周波特性を向上させることが可能となる。
【００１７】請求項３では、前記銅張積層板に通孔を穿
設する工程において、レーザにより該通孔を穿設する。
ここで、予めエッチングにより銅箔を薄くしてあるた
め、レーザ光のエネルギーが熱となって銅箔を伝搬する
ことを抑制し、レーザ光により容易に通孔を穿設でき
る。
設する工程において、レーザにより該通孔を穿設する。
ここで、予めエッチングにより銅箔を薄くしてあるた
め、レーザ光のエネルギーが熱となって銅箔を伝搬する
ことを抑制し、レーザ光により容易に通孔を穿設でき
る。
【００１８】請求項４では、ドリルにより通孔を穿設す
るため、容易に銅張積層板に通孔を形成することができ
る。
るため、容易に銅張積層板に通孔を形成することができ
る。
【００１９】請求項５では、前記銅張積層板の銅箔をエ
ッチングにより薄くする工程において、銅箔を１〜１０
μｍにするため、導体回路を形成する銅箔とめっき膜と
を加えた厚みが薄くなり、パターンエッチングにより微
細な回路を形成することができる。また、コア基板上の
導体回路と層間樹脂絶縁層上の導体層との厚みの差を小
さくできるため、両者のインピーダンスを整合させるこ
とができる。
ッチングにより薄くする工程において、銅箔を１〜１０
μｍにするため、導体回路を形成する銅箔とめっき膜と
を加えた厚みが薄くなり、パターンエッチングにより微
細な回路を形成することができる。また、コア基板上の
導体回路と層間樹脂絶縁層上の導体層との厚みの差を小
さくできるため、両者のインピーダンスを整合させるこ
とができる。
【００２０】銅箔は、２〜７μｍが最適である。一般
に、コア基板の表面に形成された導体回路間には樹脂充
填剤を埋めて平坦化した後、層間樹脂絶縁層を形成する
が、このような平坦化をしなくとも、層間樹脂絶縁層の
レベング性能のみで層間樹脂絶縁層表面を平坦化できる
からである。また、コア基板にはスルーホールが設けら
れていてもよい。本発明においては、スルーホール導体
厚みと層間樹脂絶縁層の導体回路の厚みの差が小さくな
るので、両者のインピーダンス整合を図りやすい。
に、コア基板の表面に形成された導体回路間には樹脂充
填剤を埋めて平坦化した後、層間樹脂絶縁層を形成する
が、このような平坦化をしなくとも、層間樹脂絶縁層の
レベング性能のみで層間樹脂絶縁層表面を平坦化できる
からである。また、コア基板にはスルーホールが設けら
れていてもよい。本発明においては、スルーホール導体
厚みと層間樹脂絶縁層の導体回路の厚みの差が小さくな
るので、両者のインピーダンス整合を図りやすい。
【００２１】請求項６又は７の多層プリント配線板で
は、コア基板上の導体回路の厚みを、層間樹脂絶縁層上
の導体層の厚みよりも１０μｍを越えて厚くしない。即
ち、層間樹脂絶縁層の導体層に対して厚みが大きく異な
らないため、該コア基板上の導体回路と層間樹脂絶縁層
上の導体層とのインピーダンスを整合させることがで
き、多層プリント配線板の高周波特性を向上させること
が可能になる。
は、コア基板上の導体回路の厚みを、層間樹脂絶縁層上
の導体層の厚みよりも１０μｍを越えて厚くしない。即
ち、層間樹脂絶縁層の導体層に対して厚みが大きく異な
らないため、該コア基板上の導体回路と層間樹脂絶縁層
上の導体層とのインピーダンスを整合させることがで
き、多層プリント配線板の高周波特性を向上させること
が可能になる。
【００２２】なお、前記コア基板上の導体回路の厚みを
前記層間樹脂絶縁層上の厚みよりも７μｍを越えないよ
うにすることが望ましい。コア基板上の導体回路の厚み
と前記層間樹脂絶縁層上の厚みが大きく異なる場合、ヒ
ートサイクルにより応力が発生して、層間樹脂絶縁層の
クラックの原因となる。
前記層間樹脂絶縁層上の厚みよりも７μｍを越えないよ
うにすることが望ましい。コア基板上の導体回路の厚み
と前記層間樹脂絶縁層上の厚みが大きく異なる場合、ヒ
ートサイクルにより応力が発生して、層間樹脂絶縁層の
クラックの原因となる。
【００２３】請求項８の多層プリント配線板の製造方法
は、銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くした後、
その銅張積層板の銅箔をパターンエッチングして導体回
路を形成し、ついで該導体回路上面に層間樹脂絶縁層と
導体層とを交互に積層する多層プリント配線板の製造方
法であって、前記コア基板上の導体回路の厚みを前記層
間樹脂絶縁層上の厚みよりも１０μｍを越えない範囲に
調製することを特徴とする。この製造方法では、微細パ
ターンの形成とインピーダンス整合を同時に達成でき
る。ところで、特開平２−２２８８７号公報では、銅箔
を２５〜９０％エッチングして簿銅箔張回路基板を製造
する方法が開示されているが、この公報では、ビルドア
ップ多層配線板を製造することは記載、示唆もされてお
らず、本発明のように、コア基板の導体回路と層間樹脂
絶縁層上の導体層のインピーダンス整合の問題は、全く
認識されておらず、本発明とは異なる発明である。
は、銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くした後、
その銅張積層板の銅箔をパターンエッチングして導体回
路を形成し、ついで該導体回路上面に層間樹脂絶縁層と
導体層とを交互に積層する多層プリント配線板の製造方
法であって、前記コア基板上の導体回路の厚みを前記層
間樹脂絶縁層上の厚みよりも１０μｍを越えない範囲に
調製することを特徴とする。この製造方法では、微細パ
ターンの形成とインピーダンス整合を同時に達成でき
る。ところで、特開平２−２２８８７号公報では、銅箔
を２５〜９０％エッチングして簿銅箔張回路基板を製造
する方法が開示されているが、この公報では、ビルドア
ップ多層配線板を製造することは記載、示唆もされてお
らず、本発明のように、コア基板の導体回路と層間樹脂
絶縁層上の導体層のインピーダンス整合の問題は、全く
認識されておらず、本発明とは異なる発明である。
【００２４】本発明で使用される銅張積層板は、ガラス
布エポキシ樹脂、ガラス布ビスマレイミド−トリアジン
樹脂、ガラス布フッ素樹脂などの樹脂プリプレグに銅箔
を貼付した積層板を使用することができる。銅張積層板
は両面銅張積層板、片面銅張積層板を使用でき、特に両
面銅張積層板が最適である。
布エポキシ樹脂、ガラス布ビスマレイミド−トリアジン
樹脂、ガラス布フッ素樹脂などの樹脂プリプレグに銅箔
を貼付した積層板を使用することができる。銅張積層板
は両面銅張積層板、片面銅張積層板を使用でき、特に両
面銅張積層板が最適である。
【００２５】銅箔の厚さの調整は、エッチングにより行
う。具体的には、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アン
モニウム、塩化第二銅、塩化第二鉄の水溶液を用いた化
学エッチング、イオンビームエッチングなどの物理エッ
チングで行う。本発明においては、エッチング速度は、
０．０１〜０．３μｍが望ましい。エッチング速度が速
すぎると、厚さの調製が困難な上、厚みのばらつきが大
きくなり、遅すぎると実用的ではないからである。エッ
チング温度は、２０〜８０℃が望ましい。また、エッチ
ングは、スプレー、浸漬、いずれの方法でもよい。エッ
チングにより薄くなった銅箔の厚さバラツキは、±１．
０μｍ以下が最適である。銅張積層板の厚さは、０．５
〜１．０ｍｍが望ましい。厚すぎると穿孔できず、薄す
ぎると反りなどが発生しやすいからである。本発明で通
孔形成に使用されるレーザは、２０〜４０mJ、１０-4〜
１０-8秒の短パルスレーザの炭酸ガスレーザであること
が望ましい。ショット数は、５〜１００ショットであ
る。
う。具体的には、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アン
モニウム、塩化第二銅、塩化第二鉄の水溶液を用いた化
学エッチング、イオンビームエッチングなどの物理エッ
チングで行う。本発明においては、エッチング速度は、
０．０１〜０．３μｍが望ましい。エッチング速度が速
すぎると、厚さの調製が困難な上、厚みのばらつきが大
きくなり、遅すぎると実用的ではないからである。エッ
チング温度は、２０〜８０℃が望ましい。また、エッチ
ングは、スプレー、浸漬、いずれの方法でもよい。エッ
チングにより薄くなった銅箔の厚さバラツキは、±１．
０μｍ以下が最適である。銅張積層板の厚さは、０．５
〜１．０ｍｍが望ましい。厚すぎると穿孔できず、薄す
ぎると反りなどが発生しやすいからである。本発明で通
孔形成に使用されるレーザは、２０〜４０mJ、１０-4〜
１０-8秒の短パルスレーザの炭酸ガスレーザであること
が望ましい。ショット数は、５〜１００ショットであ
る。
【００２６】電気めっき、無電解めっき、スパッタ、蒸
着などにより、通孔の内壁面を金属化することによりス
ルーホールを形成した場合にも、このスルーホールに充
填剤を充填することができる。
着などにより、通孔の内壁面を金属化することによりス
ルーホールを形成した場合にも、このスルーホールに充
填剤を充填することができる。
【００２７】また、金属化されたスルーホール内壁は、
粗化されていてもよい。スルーホール内壁を金属化する
場合は、銅箔および金属化層（たとえば無電解めっき
層）の厚さは、１０〜３０μｍであることが望ましい。
充填剤としては、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂およ
びシリカ、アルミナ等の無機粒子からなるもの、また、
金属粒子および樹脂からなるものなど各種のものを使用
できる。
粗化されていてもよい。スルーホール内壁を金属化する
場合は、銅箔および金属化層（たとえば無電解めっき
層）の厚さは、１０〜３０μｍであることが望ましい。
充填剤としては、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂およ
びシリカ、アルミナ等の無機粒子からなるもの、また、
金属粒子および樹脂からなるものなど各種のものを使用
できる。
【００２８】このようにして形成されたスルーホール形
成基板に導体回路を設ける。導体回路はエッチング処理
により形成する。導体回路表面は、密着性改善のため粗
化処理することが望ましい。ついで絶縁樹脂からなる層
間樹脂絶縁層を設ける。
成基板に導体回路を設ける。導体回路はエッチング処理
により形成する。導体回路表面は、密着性改善のため粗
化処理することが望ましい。ついで絶縁樹脂からなる層
間樹脂絶縁層を設ける。
【００２９】前記層間樹脂絶縁層を形成する絶縁樹脂
は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、あるいはこれらの複
合樹脂が用いられる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等が用いられ
る。また熱可塑性樹脂としては、熱可塑性樹脂として
は、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォ
ン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、
ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニ
ルエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）、
フッ素樹脂などを使用できる。
は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、あるいはこれらの複
合樹脂が用いられる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等が用いられ
る。また熱可塑性樹脂としては、熱可塑性樹脂として
は、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォ
ン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、
ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニ
ルエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）、
フッ素樹脂などを使用できる。
【００３０】本発明では、層間樹脂絶縁層は、無電解め
っき用接着剤でもよい。例えば、酸や酸化剤に難溶性の
耐熱性樹脂中に酸、酸化剤によって溶解する粒子を含ま
せておき、この粒子を酸や酸化剤で溶解することで、絶
縁樹脂層の表面を粗化することができる。かかる耐熱性
樹脂粒子としては、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹
脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂（ビスフェノー
ル型エポキシ樹脂をアミン系硬化剤で硬化させたものが
最適）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等からなる耐
熱性樹脂粒子を用いることができる。
っき用接着剤でもよい。例えば、酸や酸化剤に難溶性の
耐熱性樹脂中に酸、酸化剤によって溶解する粒子を含ま
せておき、この粒子を酸や酸化剤で溶解することで、絶
縁樹脂層の表面を粗化することができる。かかる耐熱性
樹脂粒子としては、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹
脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂（ビスフェノー
ル型エポキシ樹脂をアミン系硬化剤で硬化させたものが
最適）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等からなる耐
熱性樹脂粒子を用いることができる。
【００３１】また、かかる無電解めっき用接着剤には、
特に、硬化処理された耐熱性樹脂粒子、無機粒子や繊維
質フィラー等を、必要により含ませることができる。か
かる耐熱性樹脂粒子には、(1) 平均粒径が10μｍ以下の
耐熱性樹脂粉末、(2) 平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹
脂粉末を凝集させた凝集粒子、(3) 平均粒径が２〜10μ
ｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が２μｍ未満の耐熱性樹
脂粉末との混合物、(4) 平均粒径が２〜10μｍの耐熱性
樹脂粉末の表面に、平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂
粉末及び無機粉末の少なくとも１種を付着させた疑似粒
子、(5) 平均粒子径が0.8 を超え2.0 μｍ未満の耐熱性
樹脂粉末と平均粒子径が0.1 〜0.8 μｍの耐熱性樹脂粉
末との混合物、及び(6) 平均粒径が0.1 〜1.0 μｍの耐
熱性樹脂粉末からなる群より選ばれる少なくとも１種の
粒子を用いるのが望ましい。これらの粒子は、より複雑
な粗化面を形成するからである。
特に、硬化処理された耐熱性樹脂粒子、無機粒子や繊維
質フィラー等を、必要により含ませることができる。か
かる耐熱性樹脂粒子には、(1) 平均粒径が10μｍ以下の
耐熱性樹脂粉末、(2) 平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹
脂粉末を凝集させた凝集粒子、(3) 平均粒径が２〜10μ
ｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が２μｍ未満の耐熱性樹
脂粉末との混合物、(4) 平均粒径が２〜10μｍの耐熱性
樹脂粉末の表面に、平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂
粉末及び無機粉末の少なくとも１種を付着させた疑似粒
子、(5) 平均粒子径が0.8 を超え2.0 μｍ未満の耐熱性
樹脂粉末と平均粒子径が0.1 〜0.8 μｍの耐熱性樹脂粉
末との混合物、及び(6) 平均粒径が0.1 〜1.0 μｍの耐
熱性樹脂粉末からなる群より選ばれる少なくとも１種の
粒子を用いるのが望ましい。これらの粒子は、より複雑
な粗化面を形成するからである。
【００３２】このような層間樹脂絶縁層は、レーザ光や
露光、現像処理で開口を設けることができる。
露光、現像処理で開口を設けることができる。
【００３３】次いで、Ｐｄ触媒などの無電解めっき用の
触媒を付与し、バイアホール用開口内をめっきしてバイ
アホールを設け、また、絶縁樹脂層表面に導体回路を設
ける。無電解めっき膜を開口内壁、絶縁樹脂層表面全体
に形成し、めっきレジストを設けた後、電気めっきし
て、めっきレジストを除去し、エッチングにより導体回
路を形成する。
触媒を付与し、バイアホール用開口内をめっきしてバイ
アホールを設け、また、絶縁樹脂層表面に導体回路を設
ける。無電解めっき膜を開口内壁、絶縁樹脂層表面全体
に形成し、めっきレジストを設けた後、電気めっきし
て、めっきレジストを除去し、エッチングにより導体回
路を形成する。
【００３４】
【実施例】以下、実施例に基づき、本発明を説明する。
先ず、本発明の実施例に係る多層プリント配線板１０の
構成について、図７を参照して説明する。多層プリント
配線板１０では、コア基板３０の表面及び裏面に導体回
路３４、３４が形成され、更に、該導体回路３４、３４
の上にビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂが形成されて
いる。該ビルトアップ層８０Ａ、８０Ｂは、バイアホー
ル６０及び導体回路５８の形成された層間樹脂絶縁層５
０と、バイアホール１６０及び導体回路１５８の形成さ
れた層間樹脂絶縁層１５０とからなる。
先ず、本発明の実施例に係る多層プリント配線板１０の
構成について、図７を参照して説明する。多層プリント
配線板１０では、コア基板３０の表面及び裏面に導体回
路３４、３４が形成され、更に、該導体回路３４、３４
の上にビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂが形成されて
いる。該ビルトアップ層８０Ａ、８０Ｂは、バイアホー
ル６０及び導体回路５８の形成された層間樹脂絶縁層５
０と、バイアホール１６０及び導体回路１５８の形成さ
れた層間樹脂絶縁層１５０とからなる。
【００３５】多層プリント配線板１０の上面側には、Ｉ
Ｃチップのランド（図示せず）へ接続するための半田バ
ンプ７６Ｕが配設されている。半田バンプ７６Ｕはバイ
アホール１６０及びバイアホール６０を介してスルーホ
ール３６へ接続されている。一方、下面側には、ドータ
ーボードのランド（図示せず）に接続するための半田バ
ンプ７６Ｄが配設されている。該半田バンプ７６Ｄは、
バイアホール１６０及びバイアホール６０を介してスル
ーホール３６へ接続されている。
Ｃチップのランド（図示せず）へ接続するための半田バ
ンプ７６Ｕが配設されている。半田バンプ７６Ｕはバイ
アホール１６０及びバイアホール６０を介してスルーホ
ール３６へ接続されている。一方、下面側には、ドータ
ーボードのランド（図示せず）に接続するための半田バ
ンプ７６Ｄが配設されている。該半田バンプ７６Ｄは、
バイアホール１６０及びバイアホール６０を介してスル
ーホール３６へ接続されている。
【００３６】第１実施例の多層プリント配線板１０で
は、コア基板３０上の導体回路３４が厚さ（ｔ１）１８
μｍに形成され、また、層間樹脂絶縁層５０及び１５０
上の導体層５８及び１５８（ｔ２）が１８μｍに形成さ
れており、導体回路３４が導体層５８及び１５８に対し
て厚さが大きく異ならないため、該コア基板３０上の導
体回路３４と層間樹脂絶縁層上の導体層５８、１５８の
インピーダンスを整合させることができており、良好な
高周波特性を達成している。
は、コア基板３０上の導体回路３４が厚さ（ｔ１）１８
μｍに形成され、また、層間樹脂絶縁層５０及び１５０
上の導体層５８及び１５８（ｔ２）が１８μｍに形成さ
れており、導体回路３４が導体層５８及び１５８に対し
て厚さが大きく異ならないため、該コア基板３０上の導
体回路３４と層間樹脂絶縁層上の導体層５８、１５８の
インピーダンスを整合させることができており、良好な
高周波特性を達成している。
【００３７】引き続き、多層プリント配線板１０の製造
方法について説明する。ここでは、先ず、第１実施例の
多層プリント配線板の製造方法に用いるＡ．無電解めっ
き用接着剤、Ｂ．層間樹脂絶縁剤、Ｃ．樹脂充填剤、
Ｄ．ソルダーレジスト組成物の組成について説明する。
方法について説明する。ここでは、先ず、第１実施例の
多層プリント配線板の製造方法に用いるＡ．無電解めっ
き用接着剤、Ｂ．層間樹脂絶縁剤、Ｃ．樹脂充填剤、
Ｄ．ソルダーレジスト組成物の組成について説明する。
【００３８】Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組
成物（上層用接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt
％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15
重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、
ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
成物（上層用接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt
％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15
重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、
ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
【００３９】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、
ポリマーポール）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2重量
部、平均粒径 0.5μｍのものを3.09重量部、を混合した
後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌
混合して得た。
（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、
ポリマーポール）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2重量
部、平均粒径 0.5μｍのものを3.09重量部、を混合した
後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌
混合して得た。
【００４０】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガ
イギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感
剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量
部を攪拌混合して得た。
（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガ
イギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感
剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量
部を攪拌混合して得た。
【００４１】Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物
（下層用接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt
％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重
量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、Ｎ
ＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
（下層用接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt
％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重
量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、Ｎ
ＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
【００４２】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、
ポリマーポール）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重
量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、
ビーズミルで攪拌混合して得た。
（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、
ポリマーポール）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重
量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、
ビーズミルで攪拌混合して得た。
【００４３】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガ
イギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感
剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量
部を攪拌混合して得た。
（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガ
イギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感
剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量
部を攪拌混合して得た。
【００４４】Ｃ．樹脂充填剤の調整 (1) ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル
製：分子量310 、商品名YL983U ） 100重量部と平均粒
径 1.6μｍで表面にシランカップリング剤がコーティン
グされたＳｉＯ2 球状粒子〔アドマテック製：CRS 1101
−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パタ
ーンの厚み（15μｍ）以下とする。〕 170重量部、レベ
リング剤（サンノプコ製：商品名ペレノールS4）1.5 重
量部を３本ロールにて混練し、その混合物の粘度を23±
１℃で45,000〜49,000cps に調整した。
製：分子量310 、商品名YL983U ） 100重量部と平均粒
径 1.6μｍで表面にシランカップリング剤がコーティン
グされたＳｉＯ2 球状粒子〔アドマテック製：CRS 1101
−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パタ
ーンの厚み（15μｍ）以下とする。〕 170重量部、レベ
リング剤（サンノプコ製：商品名ペレノールS4）1.5 重
量部を３本ロールにて混練し、その混合物の粘度を23±
１℃で45,000〜49,000cps に調整した。
【００４５】(2) イミダゾール硬化剤（四国化成製、商
品名：2E4MZ-CN）6.5 重量部。 (3) 混合物(1) と(2) とを混合して、樹脂充填剤を調製
した。
品名：2E4MZ-CN）6.5 重量部。 (3) 混合物(1) と(2) とを混合して、樹脂充填剤を調製
した。
【００４６】Ｄ．ソルダーレジストの調整 ＤＭＤＧに溶解させた60重量％のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基50％をアク
リル化した感光性付与のオリゴマー（分子量4000）を 4
6.67ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた80重量％のビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコ
ート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、
2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アク
リルモノマー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系
消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さ
らにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノ
ン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケ
トン（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で2.0P
a・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基50％をアク
リル化した感光性付与のオリゴマー（分子量4000）を 4
6.67ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた80重量％のビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコ
ート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、
2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アク
リルモノマー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系
消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さ
らにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノ
ン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケ
トン（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で2.0P
a・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
【００４７】プリント配線板の製造 （１）厚さ０．８mmのガラスエポキシ樹脂からなる基板
３０の両面に１２μｍの銅箔３１がラミネートされてい
る銅張積層板３０Ａ（三菱瓦斯化学ＨＬ８３０）を出発
材料とした（図１の工程（Ａ））。両面の銅箔３１をエ
ッチング液（三菱瓦斯化学ＳＥ−０７）を用いて厚さを
３μｍに調整した（工程（Ｂ））。
３０の両面に１２μｍの銅箔３１がラミネートされてい
る銅張積層板３０Ａ（三菱瓦斯化学ＨＬ８３０）を出発
材料とした（図１の工程（Ａ））。両面の銅箔３１をエ
ッチング液（三菱瓦斯化学ＳＥ−０７）を用いて厚さを
３μｍに調整した（工程（Ｂ））。
【００４８】（２）この基板３０に対して、φ０．３mm
のドリルを用いて通孔３２を穿設した（工程（Ｃ））。
その後、過マンガン酸カリウムにて、通孔３２の壁面を
デスミア処理した。
のドリルを用いて通孔３２を穿設した（工程（Ｃ））。
その後、過マンガン酸カリウムにて、通孔３２の壁面を
デスミア処理した。
【００４９】（３）基板３０の全面に触媒処理をした
後、無電解めっき膜３５を０．１μｍ形成してから、該
無電解めっき膜３５を介して電流を流し、電解銅めっき
を１Ａ／ｄm2で行い、１５μｍのめっき膜３３を形成し
た（工程（Ｄ））。これにより、通孔３２にスルーホー
ル３６を形成した。
後、無電解めっき膜３５を０．１μｍ形成してから、該
無電解めっき膜３５を介して電流を流し、電解銅めっき
を１Ａ／ｄm2で行い、１５μｍのめっき膜３３を形成し
た（工程（Ｄ））。これにより、通孔３２にスルーホー
ル３６を形成した。
【００５０】（４）該めっき膜３３の形成された銅箔３
１の表面に、ドライフィルムレジスト（旭化学ＡＱ４０
５９：図示せず）を付着させ、Ｌ／Ｓ＝５０／５０μｍ
でパターンを形成し、塩化第２銅にてエッチングしてか
ら、２％のＮａＯＨにてレジストを剥離することで、導
体回路３４を形成する（工程（Ｅ））。
１の表面に、ドライフィルムレジスト（旭化学ＡＱ４０
５９：図示せず）を付着させ、Ｌ／Ｓ＝５０／５０μｍ
でパターンを形成し、塩化第２銅にてエッチングしてか
ら、２％のＮａＯＨにてレジストを剥離することで、導
体回路３４を形成する（工程（Ｅ））。
【００５１】本実施例では、予め銅箔３１をエッチング
により薄くしてあるため、導体回路３４を形成する銅箔
３１とめっき膜３３とを加えた厚みが薄くなり、上述し
たパターンエッチングにより微細に導体回路３４を形成
することが可能となる。
により薄くしてあるため、導体回路３４を形成する銅箔
３１とめっき膜３３とを加えた厚みが薄くなり、上述し
たパターンエッチングにより微細に導体回路３４を形成
することが可能となる。
【００５２】次に、導体回路（内層銅パターン）３４の
表面と、スルーホール３６のランド３６ａ表面と内壁と
に、それぞれ、粗化面３８を設けた（図２（Ｆ））。粗
化面３８は、前述の基板３０を水洗し、乾燥した後、エ
ッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、導体
回路３４の表面とスルーホール３６のランド３６ａ表面
と内壁とをエッチングすることによって形成した。エッ
チング液には、イミダゾール銅（II）錯体１０重量部、
グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部、イオン
交換水７８重量部を混合したものを用いた。
表面と、スルーホール３６のランド３６ａ表面と内壁と
に、それぞれ、粗化面３８を設けた（図２（Ｆ））。粗
化面３８は、前述の基板３０を水洗し、乾燥した後、エ
ッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、導体
回路３４の表面とスルーホール３６のランド３６ａ表面
と内壁とをエッチングすることによって形成した。エッ
チング液には、イミダゾール銅（II）錯体１０重量部、
グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部、イオン
交換水７８重量部を混合したものを用いた。
【００５３】（５）次いで、樹脂層４０を配線基板の導
体回路３４間とスルーホール３６内とに設けた（工程
（Ｇ））。樹脂層４０は、予め調製した上記Ｃの樹脂充
填剤を、ロールコータにより配線基板の両面に塗布し、
導体回路の間とスルーホール内に充填し、 100℃で１時
間、120 ℃で３時間、 150℃で１時間、 180℃で７時
間、それぞれ加熱処理することにより硬化させて形成し
た。
体回路３４間とスルーホール３６内とに設けた（工程
（Ｇ））。樹脂層４０は、予め調製した上記Ｃの樹脂充
填剤を、ロールコータにより配線基板の両面に塗布し、
導体回路の間とスルーホール内に充填し、 100℃で１時
間、120 ℃で３時間、 150℃で１時間、 180℃で７時
間、それぞれ加熱処理することにより硬化させて形成し
た。
【００５４】（６）（５）の処理で得た基板３０の片面
を、ベルトサンダー研磨した。この研磨で、＃600 のベ
ルト研磨紙（三共理化学製）を用い、導体回路３４の粗
化面３８やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂
充填剤４０が残らないようにした（工程（Ｈ））。次
に、このベルトサンダー研磨による傷を取り除くため
に、バフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の
他方の面についても同様に行った。
を、ベルトサンダー研磨した。この研磨で、＃600 のベ
ルト研磨紙（三共理化学製）を用い、導体回路３４の粗
化面３８やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂
充填剤４０が残らないようにした（工程（Ｈ））。次
に、このベルトサンダー研磨による傷を取り除くため
に、バフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の
他方の面についても同様に行った。
【００５５】得られた配線基板３０は、導体回路３４間
に樹脂層４０が設けられ、スルーホール３６内に樹脂層
４０が設けられている。導体回路３４の粗化面３８とス
ルーホール３６のランド３６ａ表面の粗化面が除去され
ており、基板両面が樹脂充填剤により平滑化されてい
る。樹脂層４０は導体回路３４側面の粗化面３８又はス
ルーホール３６のランド部３６ａ側面の粗化面３８と密
着し、また、樹脂層はスルーホールの内壁の粗化面と密
着している。
に樹脂層４０が設けられ、スルーホール３６内に樹脂層
４０が設けられている。導体回路３４の粗化面３８とス
ルーホール３６のランド３６ａ表面の粗化面が除去され
ており、基板両面が樹脂充填剤により平滑化されてい
る。樹脂層４０は導体回路３４側面の粗化面３８又はス
ルーホール３６のランド部３６ａ側面の粗化面３８と密
着し、また、樹脂層はスルーホールの内壁の粗化面と密
着している。
【００５６】（７）更に、露出した導体回路３４とスル
ーホール３６のランド３６ａ上面を(エッチング処理で
粗化して、深さ３μｍの粗化面４２を形成した（工程
（Ｉ））。
ーホール３６のランド３６ａ上面を(エッチング処理で
粗化して、深さ３μｍの粗化面４２を形成した（工程
（Ｉ））。
【００５７】この粗化面４２をスズ置換めっきして、0.
3 μｍの厚さのＳｎ層（図示せず）を設けた。置換めっ
きは、ホウフッ化スズ0.1 モル／Ｌ、チオ尿素1.0 モル
／Ｌ、温度50℃、pH＝1.2 の条件で、粗化面をＣｕ−Ｓ
ｎ置換反応させた。
3 μｍの厚さのＳｎ層（図示せず）を設けた。置換めっ
きは、ホウフッ化スズ0.1 モル／Ｌ、チオ尿素1.0 モル
／Ｌ、温度50℃、pH＝1.2 の条件で、粗化面をＣｕ−Ｓ
ｎ置換反応させた。
【００５８】（８）得られた配線基板３０の両面に、前
記Ｂで得られた粘度 1.5Pa・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層
用）４４を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、
水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プ
リベーク）を行い、次いで、前記Ａで得られた粘度７Pa
・ｓの感光性の接着剤溶液（上層用）４６を調製後24時
間以内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃
で30分の乾燥（プリベーク）を行い、厚さ35μｍの接着
剤層５０αを形成した（図３工程（Ｊ））。
記Ｂで得られた粘度 1.5Pa・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層
用）４４を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、
水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プ
リベーク）を行い、次いで、前記Ａで得られた粘度７Pa
・ｓの感光性の接着剤溶液（上層用）４６を調製後24時
間以内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃
で30分の乾燥（プリベーク）を行い、厚さ35μｍの接着
剤層５０αを形成した（図３工程（Ｊ））。
【００５９】（９）前記(8) で接着剤層を形成した基板
３０の両面に、図示しない85μｍφの黒円が印刷された
フォトマスクフィルム（図示せず）を密着させ、超高圧
水銀灯により 500mJ／cm2 で露光した。これをＤＭＴＧ
溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板３０を超高圧
水銀灯により3000mJ／cm2 で露光し、100 ℃で１時間、
120 ℃で１時間、その後 150℃で３時間の加熱処理（ポ
ストベーク）をすることにより、フォトマスクフィルム
に相当する寸法精度に優れた85μｍφの開口（バイアホ
ール形成用開口）４８を有する厚さ35μｍの層間樹脂絶
縁層（２層構造）５０を形成した（工程（Ｋ））。な
お、バイアホールとなる開口４８には、スズめっき層
（図示せず）を部分的に露出させた。
３０の両面に、図示しない85μｍφの黒円が印刷された
フォトマスクフィルム（図示せず）を密着させ、超高圧
水銀灯により 500mJ／cm2 で露光した。これをＤＭＴＧ
溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板３０を超高圧
水銀灯により3000mJ／cm2 で露光し、100 ℃で１時間、
120 ℃で１時間、その後 150℃で３時間の加熱処理（ポ
ストベーク）をすることにより、フォトマスクフィルム
に相当する寸法精度に優れた85μｍφの開口（バイアホ
ール形成用開口）４８を有する厚さ35μｍの層間樹脂絶
縁層（２層構造）５０を形成した（工程（Ｋ））。な
お、バイアホールとなる開口４８には、スズめっき層
（図示せず）を部分的に露出させた。
【００６０】(１０) 得られた基板３０をクロム酸に１
分間浸漬し、接着剤層５０の表面に存在するエポキシ樹
脂粒子を溶解除去した。この処理によって、粗化面を、
接着剤層５０の表面に形成した。その後、得られた基板
３０を中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗し
た（工程（Ｌ））。
分間浸漬し、接着剤層５０の表面に存在するエポキシ樹
脂粒子を溶解除去した。この処理によって、粗化面を、
接着剤層５０の表面に形成した。その後、得られた基板
３０を中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗し
た（工程（Ｌ））。
【００６１】更に、配線基板３０の表面に、パラジウム
触媒（アトテック製）を付与することにより、無電解め
っき膜４４表面およびバイアホール用開口４８の粗化面
に触媒核を付けた。
触媒（アトテック製）を付与することにより、無電解め
っき膜４４表面およびバイアホール用開口４８の粗化面
に触媒核を付けた。
【００６２】（１１）得られた基板３０を以下の条件の
無電解銅めっき浴中に浸漬し、厚さ1.6 μｍの無電解銅
めっき膜５２を基板３０の全体に形成した（工程
（Ｍ））。 無電解めっき液； ＥＤＴＡ ： １５０ ｇ／Ｌ 硫酸銅 ： ２０ ｇ／Ｌ ＨＣＨＯ ： ３０ ｍＬ／Ｌ ＮａＯＨ ： ４０ ｇ／Ｌ α、α’−ビピリジル ： ８０ ｍｇ／Ｌ ＰＥＧ ： ０．１ ｇ／Ｌ 無電解めっき条件；７０℃の液温度で３０分
無電解銅めっき浴中に浸漬し、厚さ1.6 μｍの無電解銅
めっき膜５２を基板３０の全体に形成した（工程
（Ｍ））。 無電解めっき液； ＥＤＴＡ ： １５０ ｇ／Ｌ 硫酸銅 ： ２０ ｇ／Ｌ ＨＣＨＯ ： ３０ ｍＬ／Ｌ ＮａＯＨ ： ４０ ｇ／Ｌ α、α’−ビピリジル ： ８０ ｍｇ／Ｌ ＰＥＧ ： ０．１ ｇ／Ｌ 無電解めっき条件；７０℃の液温度で３０分
【００６３】（１２）次に、市販の感光性ドライフィル
ム（図示せず）を無電解銅めっき膜５２に張り付け、パ
ターンが印刷されたマスクフィルム（図示せず）を載置
した。この基板３０を、100mJ/cm2 で露光し、その後
０．８％炭酸ナトリウムで現像処理して、厚さ15μｍの
めっきレジスト５４を設けた（図４の工程（Ｎ））。
ム（図示せず）を無電解銅めっき膜５２に張り付け、パ
ターンが印刷されたマスクフィルム（図示せず）を載置
した。この基板３０を、100mJ/cm2 で露光し、その後
０．８％炭酸ナトリウムで現像処理して、厚さ15μｍの
めっきレジスト５４を設けた（図４の工程（Ｎ））。
【００６４】（１３） 次いで、得られた基板に以下の
条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅めっき
膜５６を形成した（工程（Ｏ））。 電解めっき液； 硫酸 ： １８０ ｇ／Ｌ 硫酸銅 ： ８０ ｇ／Ｌ 添加剤 ： １ｍＬ／Ｌ （添加剤はアトテックジャパン製：商品名カパラシドＧＬ） 電解めっき条件； 電流密度 ： １Ａ／ｄｍ2 時間 ： ３０分 温度 ： 室温
条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅めっき
膜５６を形成した（工程（Ｏ））。 電解めっき液； 硫酸 ： １８０ ｇ／Ｌ 硫酸銅 ： ８０ ｇ／Ｌ 添加剤 ： １ｍＬ／Ｌ （添加剤はアトテックジャパン製：商品名カパラシドＧＬ） 電解めっき条件； 電流密度 ： １Ａ／ｄｍ2 時間 ： ３０分 温度 ： 室温
【００６５】（１４）めっきレジスト５４を５％KOH で
剥離除去した後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチング
し、めっきレジスト下の無電解めっき膜５２を溶解除去
し、無電解めっき５２及び電解銅めっき膜５６からなる
厚さ１８μｍ（１０〜３０μｍ）の導体回路５８及びバ
イアホール６０を得た（工程（Ｐ））。
剥離除去した後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチング
し、めっきレジスト下の無電解めっき膜５２を溶解除去
し、無電解めっき５２及び電解銅めっき膜５６からなる
厚さ１８μｍ（１０〜３０μｍ）の導体回路５８及びバ
イアホール６０を得た（工程（Ｐ））。
【００６６】更に、70℃で80ｇ／Ｌのクロム酸に３分間
浸漬して、導体回路５８間の無電解めっき用接着剤層５
０の表面を１μｍエッチング処理し、表面のパラジウム
触媒を除去した。
浸漬して、導体回路５８間の無電解めっき用接着剤層５
０の表面を１μｍエッチング処理し、表面のパラジウム
触媒を除去した。
【００６７】（１５）（７） と同様の処理を行い、導
体回路５８及びバイアホール６０の表面にCu-Ni-P から
なる粗化面６２を形成し、さらにその表面にSn置換を行
った（図５の工程（Ｑ））。
体回路５８及びバイアホール６０の表面にCu-Ni-P から
なる粗化面６２を形成し、さらにその表面にSn置換を行
った（図５の工程（Ｑ））。
【００６８】（１６）(８) 〜(１４)の工程を繰り返す
ことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１６０とバイ
アホール１６０及び導体回路１５８を形成する。さら
に、バイアホール１６０及び該導体回路１５８の表面に
粗化層１６２を形成し、多層プリント配線板を完成する
（工程（Ｒ））。なお、この上層の導体回路を形成する
工程においては、Ｓｎ置換は行わなかった。
ことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１６０とバイ
アホール１６０及び導体回路１５８を形成する。さら
に、バイアホール１６０及び該導体回路１５８の表面に
粗化層１６２を形成し、多層プリント配線板を完成する
（工程（Ｒ））。なお、この上層の導体回路を形成する
工程においては、Ｓｎ置換は行わなかった。
【００６９】（１７）そして、上述した多層プリント配
線板にはんだバンプを形成する。前記(１６)で得られた
基板３０両面に、上記Ｄ．にて説明したソルダーレジス
ト組成物を４５μｍの厚さで塗布する。次いで、70℃で
20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、円パター
ン（マスクパターン）が描画された厚さ５mmのフォトマ
スクフィルム（図示せず）を密着させて載置し、1000mJ
／cm2 の紫外線で露光し、DMTG現像処理する。そしてさ
らに、80℃で１時間、 100℃で１時間、 120℃で１時
間、 150℃で３時間の条件で加熱処理し、はんだパッド
部分（バイアホールとそのランド部分を含む）に開口
（開口径 200μｍ）７１を有するソルダーレジスト層
（厚み20μｍ）７０を形成する（工程（Ｓ））。
線板にはんだバンプを形成する。前記(１６)で得られた
基板３０両面に、上記Ｄ．にて説明したソルダーレジス
ト組成物を４５μｍの厚さで塗布する。次いで、70℃で
20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、円パター
ン（マスクパターン）が描画された厚さ５mmのフォトマ
スクフィルム（図示せず）を密着させて載置し、1000mJ
／cm2 の紫外線で露光し、DMTG現像処理する。そしてさ
らに、80℃で１時間、 100℃で１時間、 120℃で１時
間、 150℃で３時間の条件で加熱処理し、はんだパッド
部分（バイアホールとそのランド部分を含む）に開口
（開口径 200μｍ）７１を有するソルダーレジスト層
（厚み20μｍ）７０を形成する（工程（Ｓ））。
【００７０】（１８）次に、塩化ニッケル2.31×10-1ｍ
ｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム2.8×10-1ｍｏｌ／
ｌ、クエン酸ナトリウム1.85×10-1ｍｏｌ／ｌ、からな
るｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に該基板３０
を２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケ
ルめっき層７２を形成した。さらに、その基板を、シア
ン化金カリウム4.1 ×10-2ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニウ
ム1.87×10-1ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.16×10
-1ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10-1ｍｏｌ
／ｌからなる無電解金めっき液に80℃の条件で７分２０
秒間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ0.03μｍ
の金めっき層７４を形成することで、バイアホール１６
０及び導体回路１５８に半田パッド７５を形成する（図
６の工程（Ｔ））。
ｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム2.8×10-1ｍｏｌ／
ｌ、クエン酸ナトリウム1.85×10-1ｍｏｌ／ｌ、からな
るｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に該基板３０
を２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケ
ルめっき層７２を形成した。さらに、その基板を、シア
ン化金カリウム4.1 ×10-2ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニウ
ム1.87×10-1ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.16×10
-1ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10-1ｍｏｌ
／ｌからなる無電解金めっき液に80℃の条件で７分２０
秒間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ0.03μｍ
の金めっき層７４を形成することで、バイアホール１６
０及び導体回路１５８に半田パッド７５を形成する（図
６の工程（Ｔ））。
【００７１】（１９）そして、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１に、半田ペーストを印刷して 200℃でリフ
ローすることにより、半田バンプ（半田体）７６Ｕ、７
６Ｄを形成し、多層プリント配線板１０を形成した（工
程（Ｕ）参照）。
の開口部７１に、半田ペーストを印刷して 200℃でリフ
ローすることにより、半田バンプ（半田体）７６Ｕ、７
６Ｄを形成し、多層プリント配線板１０を形成した（工
程（Ｕ）参照）。
【００７２】第２実施例の多層プリント配線板の製造方
法 引き続き、本発明の第２実施例に係る多層プリント配線
板の製造方法について図８を参照して説明する。 （１）この第２実施例では、両面銅張積層板３０Ａとし
てＦＲ−５基板（松下電工Ｒ５７１５Ｓ）を用いる（図
８の工程（Ａ））。先ず、両面の銅箔３１をエッチング
液（三菱瓦斯化学ＳＥ−０７）を用いて厚さを３μｍに
調整した（工程（Ｂ））。
法 引き続き、本発明の第２実施例に係る多層プリント配線
板の製造方法について図８を参照して説明する。 （１）この第２実施例では、両面銅張積層板３０Ａとし
てＦＲ−５基板（松下電工Ｒ５７１５Ｓ）を用いる（図
８の工程（Ａ））。先ず、両面の銅箔３１をエッチング
液（三菱瓦斯化学ＳＥ−０７）を用いて厚さを３μｍに
調整した（工程（Ｂ））。
【００７３】（２）この基板３０に対して、φ０．３mm
のドリルを用いて通孔３２を穿設した（工程（Ｃ））。
その後、過マンガン酸カリウムにて、通孔３２の壁面を
デスミア処理した。
のドリルを用いて通孔３２を穿設した（工程（Ｃ））。
その後、過マンガン酸カリウムにて、通孔３２の壁面を
デスミア処理した。
【００７４】（３）基板３０の全面に触媒処理をした
後、無電解めっき膜３５を０．１μｍ形成してから、日
合モートン製ドライフィルムレジスト（ＮＩＴ２２５）
にて、Ｌ／Ｓ＝３０／３０μｍのチャンネルパターン
（めっきレジスト）９２を形成する（工程（Ｄ））
後、無電解めっき膜３５を０．１μｍ形成してから、日
合モートン製ドライフィルムレジスト（ＮＩＴ２２５）
にて、Ｌ／Ｓ＝３０／３０μｍのチャンネルパターン
（めっきレジスト）９２を形成する（工程（Ｄ））
【００７５】（４）上記無電解めっき膜３５を給電部と
してレジスト非形成部に１５μｍの電解めっき膜３３及
び３μｍの半田めっき膜９４を形成する（工程
（Ｅ））。
してレジスト非形成部に１５μｍの電解めっき膜３３及
び３μｍの半田めっき膜９４を形成する（工程
（Ｅ））。
【００７６】（５）２％のＮａＯＨにてレジスト９２を
剥離した後、塩化第２銅液にてレジスト９２下の無電解
めっき膜３５及び銅箔３１をエッチングし、導体回路３
４を形成してから、半田剥離液によって半田めっき膜９
４を除去する（工程（Ｆ））。以下の工程は、図２〜図
６を参照して上述した第１実施例と同様であるため、説
明を省略する。
剥離した後、塩化第２銅液にてレジスト９２下の無電解
めっき膜３５及び銅箔３１をエッチングし、導体回路３
４を形成してから、半田剥離液によって半田めっき膜９
４を除去する（工程（Ｆ））。以下の工程は、図２〜図
６を参照して上述した第１実施例と同様であるため、説
明を省略する。
【００７７】第２実施例では、両面銅張積層板の銅箔３
１をエッチングにより予め薄くする。このため、レジス
ト９２下の導体膜（無電解めっき膜）３５及び銅箔３１
をエッチングにより除去する際に、予め銅箔３１を薄く
してあるため、該導体膜３５と銅箔３１とを加えた厚み
が薄くなり、微細な回路を形成することが可能となる。
１をエッチングにより予め薄くする。このため、レジス
ト９２下の導体膜（無電解めっき膜）３５及び銅箔３１
をエッチングにより除去する際に、予め銅箔３１を薄く
してあるため、該導体膜３５と銅箔３１とを加えた厚み
が薄くなり、微細な回路を形成することが可能となる。
【００７８】第３実施例の多層プリント配線板の製造方
法 引き続き、第３実施例の多層プリント配線板の製造工程
について、図９を参照して説明する。 （１）厚さ０．８mmのガラスエポキシ樹脂からなる基板
３０の両面に１２μｍの銅箔３１がラミネートされてい
るＦＲ−５の銅張積層板３０Ａ（日立化成工業ＥＡ６９
７）を出発材料とした（図９の工程（Ａ））。両面の銅
箔３１をエッチング液（三菱瓦斯化学ＳＥ−０７）を用
いて厚さを３μｍに調整した（工程（Ｂ））。
法 引き続き、第３実施例の多層プリント配線板の製造工程
について、図９を参照して説明する。 （１）厚さ０．８mmのガラスエポキシ樹脂からなる基板
３０の両面に１２μｍの銅箔３１がラミネートされてい
るＦＲ−５の銅張積層板３０Ａ（日立化成工業ＥＡ６９
７）を出発材料とした（図９の工程（Ａ））。両面の銅
箔３１をエッチング液（三菱瓦斯化学ＳＥ−０７）を用
いて厚さを３μｍに調整した（工程（Ｂ））。
【００７９】（２）この基板３０に対して、この銅張積
層板３０Ａに、炭酸ガスレーザ（三菱電機 ＭＬ６０５
ＧＴＬ）を用いて、３０ｍＪ、５２×１０-6秒のパルス
条件で１５ショットの条件でレーザを照射して、直径１
００μｍの通孔３２を設けた（工程（Ｃ））。その後、
過マンガン酸カリウムにて、通孔３２の壁面をデスミア
処理した。
層板３０Ａに、炭酸ガスレーザ（三菱電機 ＭＬ６０５
ＧＴＬ）を用いて、３０ｍＪ、５２×１０-6秒のパルス
条件で１５ショットの条件でレーザを照射して、直径１
００μｍの通孔３２を設けた（工程（Ｃ））。その後、
過マンガン酸カリウムにて、通孔３２の壁面をデスミア
処理した。
【００８０】（３）基板３０の全面に触媒処理をした
後、無電解めっきを０．１μｍ形成してから、該無電解
めっきを介して電流を流し、電解銅めっきを１Ａ／ｄm2
で行い、１５μｍのめっき膜３３を形成した（工程
（Ｄ））。これにより、通孔３２にスルーホール３６を
形成した。
後、無電解めっきを０．１μｍ形成してから、該無電解
めっきを介して電流を流し、電解銅めっきを１Ａ／ｄm2
で行い、１５μｍのめっき膜３３を形成した（工程
（Ｄ））。これにより、通孔３２にスルーホール３６を
形成した。
【００８１】（４）該めっき膜３３の形成された銅箔３
１の表面に、ドライフィルムレジスト（旭化学ＡＱ４０
５９）図示せずを付着させ、Ｌ／Ｓ＝５０／５０μｍで
パターンを形成し、塩化第２銅にてエッチングしてか
ら、２％のＮａＯＨにてレジストを剥離することで、導
体回路３４を形成した（工程（Ｅ））。以下の工程は、
図２〜図６を参照して上述した第１実施例と同様である
ため、説明を省略する。
１の表面に、ドライフィルムレジスト（旭化学ＡＱ４０
５９）図示せずを付着させ、Ｌ／Ｓ＝５０／５０μｍで
パターンを形成し、塩化第２銅にてエッチングしてか
ら、２％のＮａＯＨにてレジストを剥離することで、導
体回路３４を形成した（工程（Ｅ））。以下の工程は、
図２〜図６を参照して上述した第１実施例と同様である
ため、説明を省略する。
【００８２】第３実施例では、予め銅箔３１をエッチン
グにより薄くしてあるため、導体回路３４を形成する銅
箔３１とめっき膜３３とを加えた厚みが薄く、上述した
パターンエッチングにより微細な導体回路３４を形成す
ることが可能となる。
グにより薄くしてあるため、導体回路３４を形成する銅
箔３１とめっき膜３３とを加えた厚みが薄く、上述した
パターンエッチングにより微細な導体回路３４を形成す
ることが可能となる。
【００８３】なお、第１、第２実施例においては、ドリ
ルで通孔を穿設したが、第３実施例のようにレーザによ
り通孔を穿設することの可能である。また、上述した実
施例では、コア基板３０上の導体回路３４を形成後、樹
脂４０を塗布して基板表面を平滑化したが、本実施例で
は、導体回路３４の厚みを薄くしてあるため、係る平滑
化処理を行うことなくフラットな多層プリント配線板を
形成することができる。
ルで通孔を穿設したが、第３実施例のようにレーザによ
り通孔を穿設することの可能である。また、上述した実
施例では、コア基板３０上の導体回路３４を形成後、樹
脂４０を塗布して基板表面を平滑化したが、本実施例で
は、導体回路３４の厚みを薄くしてあるため、係る平滑
化処理を行うことなくフラットな多層プリント配線板を
形成することができる。
【００８４】第４実施例の多層プリント配線板の製造方
法 本実施例における多層プリント配線板の製造工程につい
て、図１０を参照して説明する。基本的には、実施例１
と同様であるが、（Ａ）に示すように、導体回路３４、
スルーホール３６を形成した後、（Ｂ）に示すように、
スルーホール３６にのみ樹脂充填剤４０を充填した。ス
ルーホール３６への充填は、スルーホール相当部位に開
口が設けられた印刷マスク（図示せず）を使用すること
により行った。次に（Ｃ）に示すように表面を研磨し、
さらに（Ｄ）に示すように導体回路表面にＣｕ−Ｎｉ−
Ｐからなる粗化層４２を形成する。
法 本実施例における多層プリント配線板の製造工程につい
て、図１０を参照して説明する。基本的には、実施例１
と同様であるが、（Ａ）に示すように、導体回路３４、
スルーホール３６を形成した後、（Ｂ）に示すように、
スルーホール３６にのみ樹脂充填剤４０を充填した。ス
ルーホール３６への充填は、スルーホール相当部位に開
口が設けられた印刷マスク（図示せず）を使用すること
により行った。次に（Ｃ）に示すように表面を研磨し、
さらに（Ｄ）に示すように導体回路表面にＣｕ−Ｎｉ−
Ｐからなる粗化層４２を形成する。
【００８５】その粗化層の形成方法は以下のようであ
る。即ち、基板をアルカリ脱脂してソフトエッチング
し、次いで、塩化パラジウムと有機酸からなる触媒溶液
で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した
後、硫酸銅３．２×１０-2ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル
２．４×１０-9ｍｏｌ／ｌ、クエン酸５．２×１０-2ｍ
ｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２．７×１０-1ｍｏｌ
／ｌ、ホウ酸５．０×１０-1ｍｏｌ／ｌ、界面活性剤
（日信化学工業製、サーフィノール４６５）１．０ｇ／
ｌの水溶液からなるｐＨ＝９の無電銅めっき浴に基板を
浸漬し、浸漬２分後から１秒に１回の割合で縦方向に振
動させて、銅導体回路４およびスルーホール９のランド
の表面のニッケル層上にＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合
金からなる厚さ５μｍ粗化層を設けた。さらに、実施例
１と同様にＳｎ置換を行った。
る。即ち、基板をアルカリ脱脂してソフトエッチング
し、次いで、塩化パラジウムと有機酸からなる触媒溶液
で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した
後、硫酸銅３．２×１０-2ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル
２．４×１０-9ｍｏｌ／ｌ、クエン酸５．２×１０-2ｍ
ｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２．７×１０-1ｍｏｌ
／ｌ、ホウ酸５．０×１０-1ｍｏｌ／ｌ、界面活性剤
（日信化学工業製、サーフィノール４６５）１．０ｇ／
ｌの水溶液からなるｐＨ＝９の無電銅めっき浴に基板を
浸漬し、浸漬２分後から１秒に１回の割合で縦方向に振
動させて、銅導体回路４およびスルーホール９のランド
の表面のニッケル層上にＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合
金からなる厚さ５μｍ粗化層を設けた。さらに、実施例
１と同様にＳｎ置換を行った。
【００８６】その後、（Ｅ）に示すように、層間樹脂絶
縁層４４、４６を設ける。コア基板の導体回路３４が薄
いので、導体回路間に樹脂を埋めなくとも層間樹脂絶縁
層表面を平坦化することが可能である。
縁層４４、４６を設ける。コア基板の導体回路３４が薄
いので、導体回路間に樹脂を埋めなくとも層間樹脂絶縁
層表面を平坦化することが可能である。
【００８７】
【発明の効果】以上説明のように、本発明では、予め銅
箔を薄くしてあるため、微細な回路を形成することが可
能となる。更に、コア基板上の導体回路が、層間樹脂絶
縁層上の導体層に対して厚さが大きく異ならないため、
該コア基板上の導体回路と層間樹脂絶縁層上の導体層の
インピーダンスとを整合させることができ、多層プリン
ト配線板の高周波特性を向上させることが可能となる。
また、導体回路間に樹脂を埋めなくとも層間樹脂絶縁層
表面を平坦化できる。
箔を薄くしてあるため、微細な回路を形成することが可
能となる。更に、コア基板上の導体回路が、層間樹脂絶
縁層上の導体層に対して厚さが大きく異ならないため、
該コア基板上の導体回路と層間樹脂絶縁層上の導体層の
インピーダンスとを整合させることができ、多層プリン
ト配線板の高周波特性を向上させることが可能となる。
また、導体回路間に樹脂を埋めなくとも層間樹脂絶縁層
表面を平坦化できる。
【図１】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図２】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図３】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図４】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図５】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図６】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図７】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板
の断面図である。
の断面図である。
【図８】本発明の第２実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図９】本発明の第３実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図１０】本発明の第４実施例に係る多層プリント配線
板の製造工程図である。
板の製造工程図である。
【図１１】従来技術に係る多層プリント配線板の製造図
である。
である。
３０Ａ 両面銅張積層板 ３０ コア基板 ３１ 銅箔 ３２ 通孔 ３３ めっき膜 ３４ 導体回路 ３５ 無電解めっき膜（導体膜） ３６ スルーホール ５０ 層間樹脂絶縁層 ５８ 導体回路（導体層） ６０ バイアホール ８０Ａ、８０Ｂ ビルドアップ配線層 ９２ レジスト １５０ 層間樹脂絶縁層 １５８ 導体回路
Claims (8)
- 【請求項１】 以下の（１）〜（５）の工程を少なくと
も含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方
法。 （１）銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くする工
程、（２）前記銅張積層板に通孔を穿設する工程、
（３）前記銅張積層板にめっき膜を形成することで、該
通孔内にスルーホールを形成する工程、（４）前記銅張
積層板表面の銅箔およびめっき膜をパターンエッチング
して導体回路を形成する工程、（５）該導体回路上面に
層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層する工程。 - 【請求項２】 以下の（１）〜（７）の工程を少なくと
も含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方
法。 （１）銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くする工
程、（２）前記銅張積層板に通孔を穿設する工程、
（３）前記銅張積層板に導体膜を形成する工程、（４）
導体回路及びスルーホール非形成部にレジストを形成す
る工程、（５）前記レジスト非形成部にめっき膜を形成
して導体回路及びスルーホールを形成する工程、（６）
該レジストを剥離すると共に、レジスト下の導体膜及び
銅箔をエッチングにより除去する工程、（７）該導体回
路上面に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層する工
程。 - 【請求項３】 前記銅張積層板に通孔を穿設する工程に
おいて、レーザを用いることを特徴とする請求項１又は
２に記載の多層プリント配線板の製造方法。 - 【請求項４】 前記銅張積層板に通孔を穿設する工程に
おいて、ドリルを用いることを特徴とする請求項１又は
２に記載の多層プリント配線板の製造方法。 - 【請求項５】 前記銅張積層板の銅箔をエッチングによ
り薄くする工程において、銅箔を１〜１０μｍにするこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれか１に記載の多層
プリント配線板の製造方法。 - 【請求項６】 層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層
され、各導体層間がバイアホールにて接続されたビルド
アップ配線層が、コア基板の導体回路上に形成されてな
る多層プリント配線板において、 前記コア基板上の導体回路の厚みを、前記層間樹脂絶縁
層上の導体層の厚みよりも１０μｍを越えて厚くしない
ことを特徴とする多層プリント配線板。 - 【請求項７】 前記コア基板が銅張積層板からなり、コ
ア基板の導体回路が、該銅張積層板の銅箔とめっき膜と
からなることを特徴とする請求項６の多層プリント配線
板。 - 【請求項８】 銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄
くした後、その銅張積層板の銅箔をパターンエッチング
して導体回路を形成し、ついで該導体回路上面に層間樹
脂絶縁層と導体層とを交互に積層する多層プリント配線
板の製造方法であって、 前記コア基板上の導体回路の厚みを前記層間樹脂絶縁層
上の厚みよりも１０μｍを越えない範囲に調製すること
を特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
Priority Applications (23)
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|---|---|---|---|
| JP33120098A JP4117951B2 (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | 多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板 |
| MYPI20051107A MY144574A (en) | 1998-09-14 | 1999-09-10 | Printed circuit board and method for its production |
| MYPI20051113A MY144573A (en) | 1998-09-14 | 1999-09-10 | Printed circuit board and method for its production |
| MYPI20051108A MY144503A (en) | 1998-09-14 | 1999-09-10 | Printed circuit board and method for its production |
| TW88115635A TW517502B (en) | 1998-09-14 | 1999-09-10 | Printed circuit board and its manufacturing method |
| MYPI99003936A MY128333A (en) | 1998-09-14 | 1999-09-10 | Printed wiring board and its manufacturing method |
| EP08150255A EP1919266A3 (en) | 1998-09-14 | 1999-09-14 | Electroless plating solution, electroless plating process, and printed circuit board |
| KR1020017003288A KR100707818B1 (ko) | 1998-09-14 | 1999-09-14 | 프린트 배선판 및 그 제조방법 |
| US09/787,139 US7230188B1 (en) | 1998-09-14 | 1999-09-14 | Printed wiring board and its manufacturing method |
| EP08152453A EP1923488A3 (en) | 1998-09-14 | 1999-09-14 | A process for manufacturing a multilayer printed circuit board |
| EP08152454A EP1923489A3 (en) | 1998-09-14 | 1999-09-14 | A multilayer printed circuit board and a process for manufacturing the same |
| PCT/JP1999/005003 WO2000016597A1 (en) | 1998-09-14 | 1999-09-14 | Printed wiring board and its manufacturing method |
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| EP06003717A EP1667507B1 (en) | 1998-09-14 | 1999-09-14 | A multilayer printed circuit board |
| DE69931272T DE69931272T2 (de) | 1998-09-14 | 1999-09-14 | Gedruckte leiterplatte und verfahren zu deren herstellung |
| EP99943326A EP1117283B1 (en) | 1998-09-14 | 1999-09-14 | Printed wiring board and its manufacturing method |
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| EP06003716A EP1667506B1 (en) | 1998-09-14 | 1999-09-14 | Electroless plating process and printed circuit board |
| EP06003705A EP1667505A1 (en) | 1998-09-14 | 1999-09-14 | Electroplating process and process for producing a circuit board by electroplating |
| EP07109531A EP1835052A3 (en) | 1998-09-14 | 1999-09-14 | Process for manufacturing a multilayer printed circuit board, and multilayer printed circuit board |
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| US11/736,495 US7691189B2 (en) | 1998-09-14 | 2007-04-17 | Printed wiring board and its manufacturing method |
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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-
1998
- 1998-11-20 JP JP33120098A patent/JP4117951B2/ja not_active Expired - Fee Related
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