JPH05166741A - 熱処理装置用基板支持具 - Google Patents
熱処理装置用基板支持具Info
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- JPH05166741A JPH05166741A JP3331076A JP33107691A JPH05166741A JP H05166741 A JPH05166741 A JP H05166741A JP 3331076 A JP3331076 A JP 3331076A JP 33107691 A JP33107691 A JP 33107691A JP H05166741 A JPH05166741 A JP H05166741A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
を向上させることができるとともに、製造が容易で被処
理基板の自動搬送等にも対応することのできる熱処理装
置用基板支持具を提供する。 【構成】 熱処理装置用基板支持具1の上部支持板2と
下部支持板3との間には、4 本の支柱4が設けられてい
る。これらの支柱4には、半導体ウエハ5を支持するた
めのウエハ支持溝6と、この半導体ウエハ5より大径に
形成された石英等からなる環状板7を支持するための環
状板支持溝8が交互に設けられている。
Description
具に関する。
体ウエハ等の被処理基板を、耐熱性の高い石英等から構
成されたウエハボート等と称される熱処理装置用基板支
持具に載置して、成膜等の処理を実施している。このよ
うな熱処理装置用基板支持具としては、例えば特開昭58
−108735号、特開昭61−201695号公報等に開示されたも
のがある。
ては、その形状等を変更することにより、被処理基板近
傍のガス流を制御して薄膜形成時の膜厚の面内均一性を
向上させるための改善等が行われており、本発明者等も
熱処理装置用基板支持具の形状を変更して膜厚の面内均
一性を向上させる方法を例えば特願平2-142973等で提案
している。
導体デバイスは高集積化される傾向にあり、その回路パ
ターンは益々微細化されつつある。このため、さらに成
膜における膜厚の面内均一性を向上させることが望まれ
ている。
内均一性向上のため、例えばウエハボートの形状は複雑
化する傾向にあるが、例えばウエハボートを構成する石
英等は加工が難しいため、その製造コスト等の点からウ
エハボート形状はできるだけ単純なものが好ましい。さ
らに、半導体ウエハの自動搬送等に対応できる形状であ
ることが望まれている。すなわち、例えば半導体ウエハ
より大径の環状板上に半導体ウエハを載置するウエハボ
ートでは、半導体ウエハの下部に自動搬送装置のウエハ
支持アーム等を挿入することができず、従来のウエハ搬
送装置は使用することができない。
されたもので、従来に較べて被処理基板の処理の面内均
一性を向上させることができるとともに、製造が容易で
製造コストが安く、さらに、被処理基板の自動搬送等に
も対応することのできる熱処理装置用基板支持具を提供
しようとするものである。
理装置は、複数本の支柱によって、複数枚の被処理基板
を基板面が互いにほぼ平行となるように支持する熱処理
装置用基板支持具において、前記支柱に、前記被処理基
板より大径の環状板を支持するためのと環状板支持溝
と、前記被処理基板を支持するためのと基板支持溝とを
交互に設け、前記環状板と前記被処理基板が交互に配列
される如く支持されるよう構成したことを特徴とする。
板より大径の環状板によって熱処理装置内の気体流を制
御し、従来に較べて被処理基板の処理の面内均一性を向
上させることができる。
り、この環状板および被処理基板を支持するので、例え
ば石英等からなる各構成部材形状が複雑化することがな
く、容易に製造することができる。
置する場合等と違い、支柱に設けられた溝で被処理基板
を支持するので、自動搬送装置の被処理基板支持アーム
等を被処理基板の下部に挿入することができ、被処理基
板の自動搬送等にも対応することができる。
明する。
用基板支持具(ウエハボート)1には、耐熱性材料例え
ば石英等から例えば円板状に構成された上部支持板2
と、下部支持板3が設けられており、これらの上部支持
板2と、下部支持板3との間には同じく石英等から構成
された4 本の支柱4が設けられている。
処理基板としての半導体ウエハ5を支持するためのウエ
ハ支持溝6と、この半導体ウエハ5より大径に形成され
た材質例えば石英等からなる環状板7を支持するための
環状板支持溝8が交互に設けられている。そして、これ
らのウエハ支持溝6と環状板支持溝8とによって、4本
の支柱4の間に、半導体ウエハ5と環状板7が交互に、
かつ、ほぼ平行となる如く複数、例えばそれぞれ数十枚
乃至百数十枚配列することができるよう構成されてい
る。
は、半導体ウエハ5のオリエンテーションフラット(オ
リフラ)9に対応して、オリフラ部10が設けられてい
る。さらに、この環状板7の周縁部には、位置決め用の
切り欠き11が一または複数(本実施例では一つ)設け
られており、図4にも示すように、この切り欠き11に
対応して一つの支柱例えば支柱4aには、環状板支持溝
8内に位置決め用の段差12が設けられている。なお、
環状板7の大きさは成膜条件等によって適宜選択する必
要があるが、例えば、外径Aは例えばウエハ径プラス10
〜20mm、幅Bは例えば5 〜20mm、厚さ例えば数mmであ
る。
でなく、この半導体ウエハ5よりも例えば10〜20mm直径
の大きい環状板7を支持することから、従来の一般的な
ウエハボートのように円柱状のものを用いると、径が太
くなり、ガス流に影響して半導体ウエハ5の処理の面内
均一性を悪化させる。また、重量も増大して取扱いが困
難になる。
面形状の石英棒等を用いることが好ましく、本実施例で
は図2に示す断面長手方向長さCが例えば22mm、幅Dが
例えば12mmの石英棒を用いている。なお、この支柱材料
として炭化珪素(SiC)を用いれば、支柱幅をさらに
細くすることも可能である。
持溝6および環状板支持溝8の寸法については、上記半
導体ウエハ5の寸法、環状板7の寸法、支柱4、4aの
寸法および強度等によって制限されるが、例えば図3に
示すウエハ支持溝6の半導体ウエハ5の載置部の幅E
と、環状板支持溝8の環状板7の載置部の幅Fは、例え
ば数mm程度は必要である。また、ウエハ支持溝6間のピ
ッチ(半導体ウエハ5のピッチ)G、およびウエハ支持
溝6と環状板支持溝8との間のピッチ(半導体ウエハ5
と環状板7間のピッチ)Hは、処理(成膜)条件等によ
って異なるが、例えば数mm乃至十数mm程度である。
型CVD装置にローディングした状態を示す。この図に
示すように、プロセスチューブ40は、耐熱性材料例え
ば石英から円筒状に構成されており、このプロセスチュ
ーブ40の下側にはマニホールド41が設けられてい
る。また、プロセスチューブ40の周囲には、少なくと
も3 ゾーン構成からなる円筒状の抵抗加熱ヒータ42が
設けられており、上記プロセスチューブ40内を所望の
温度例えば500 〜1000℃の範囲に適宜設定可能に構成さ
れている。また、上記マニホールド41には、排気管4
7およびガス導入管48が接続されており、プロセスチ
ューブ40内を所定の減圧雰囲気に設定できるように構
成されている。熱処理装置用基板支持具1は、載置台4
4の上に設置されており、この載置台44は蓋体46の
上に載置されている。これらは昇降機構49によって上
下動され、プロセスチューブ40の所定の位置に搬入搬
出できるように構成されている。
示しないウェハ搬送ロボットが設けられたウェハ移換え
部が配設されており、半導体ウエハ4を、ウエハカセッ
トと熱処理装置用基板支持具1との間で移載するよう構
成されている。
を生成する場合は、3 ゾーンヒータ42の各ゾーンに印
加する電力を適宜制御し、プロセスチューブ40内で複
数枚の半導体ウエハ4が収納される部分の温度が所定温
度、例えば中心部および下端部で800 ℃上端部で810 ℃
になるようにし、ガス導入管48から所定のガス例えば
亜酸化窒素(N2 O)1200SCCM,モノシラン(Si
H4 )30SCCMをプロセスチューブ40に流し、図示しな
い排気ポンプとコンダクタンスバルブを調整しプロセス
チューブ40内の圧力を0.7 Torrに設定し所定時間成膜
を行う。
基板支持具1において、環状板7の幅Bと半導体ウエハ
5の面内膜厚分布との関係を測定した結果を示すグラフ
である。このグラフにおいて、縦軸は膜厚、横軸は半導
体ウエハ5の面内位置を示しており、各曲線イ、ロ、
ハ、ニはそれぞれ環状板7の幅Bが3mm 、5mm 、15mm、
21.5mmの場合を示している。
幅Bを大きくしていくと、半導体ウエハ5の面内膜厚分
布は次第に均一化されるが、この環状板7の幅Bは、10
数mm乃至20数mm程度とすることが好ましい。
板7の表面を滑らかにすることにより向上し、環状板7
の石英ガラス表面をスリガラス状の粗い状態としておく
と、同一条件でプロセスを行ってもウェハ面内膜厚均一
性は悪く、またプロセスの再現性も取れないことが確か
められた。従って、環状板7の石英の表面は10μm以下
の鏡面研磨仕上げ、または表面を加熱して微少な凹凸を
滑らかにする、いわゆる焼仕上げを行うことが好まし
い。
導体ウエハ5より大径の環状板7によってプロセスチュ
ーブ40内の気体流を制御し、従来に較べて半導体ウエ
ハ5の処理の面内均一性を向上させることができる。
ハ支持溝6と環状板支持溝8によって、半導体ウエハ5
および環状板7を支持するので、例えば石英等からなる
各構成部材形状が複雑化することがなく、容易に製造す
ることができる。
5を載置するウエハボートでは、半導体ウエハ5の下部
に自動搬送装置のウエハ支持アーム等を挿入できず、自
動搬送が困難であるが、本実施例では、支柱に設けられ
たウエハ支持溝6と環状板支持溝8によって、半導体ウ
エハ5、環状板7をそれぞれ支持するので、自動搬送装
置のウエハ支持アーム等を半導体ウエハ5の下部に挿入
することができ、半導体ウエハ5の自動搬送等にもその
まま対応することができる。
コン膜、ボロン添加ガラス膜等を生成するCVDプロセ
ス等に用いても顕著な効果がある。また、気相成膜に限
らず酸化膜の形成、拡散処理、エッチング処理などガス
流を扱う処理であれば何れでもよい。
置用基板支持具によれば、従来に較べて被処理基板の処
理の面内均一性を向上させることができるとともに、製
造が容易で製造コストの増大を招くことがなく、さら
に、被処理基板の自動搬送等にも対応することができ
る。
構成を示す側面図である。
る。
る。
Claims (1)
- 【請求項1】 複数本の支柱によって、複数枚の被処理
基板を基板面が互いにほぼ平行となるように支持する熱
処理装置用基板支持具において、 前記支柱に、前記被処理基板より大径の環状板を支持す
るためのと環状板支持溝と、前記被処理基板を支持する
ためのと基板支持溝とを交互に設け、前記環状板と前記
被処理基板が交互に配列される如く支持されるよう構成
したことを特徴とする熱処理装置用基板支持具。
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---|---|---|---|
JP33107691A JP3234617B2 (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | 熱処理装置用基板支持具 |
US07/991,597 US5316472A (en) | 1991-12-16 | 1992-12-16 | Vertical boat used for heat treatment of semiconductor wafer and vertical heat treatment apparatus |
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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---|---|---|---|
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---|---|
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5902406A (en) * | 1996-03-15 | 1999-05-11 | Asahi Glass Company Ltd. | Low pressure CVD system |
US6576064B2 (en) | 1997-07-10 | 2003-06-10 | Sandia Corporation | Support apparatus for semiconductor wafer processing |
JP2009500850A (ja) * | 2005-07-08 | 2009-01-08 | インテグレイティッド マテリアルズ インク | 熱処理支持タワー用の着脱可能なエッジリング |
JP2010062446A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置及び基板支持具 |
JP2014033143A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Tokyo Electron Ltd | 化合物半導体膜の成膜方法および成膜装置 |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3245246B2 (ja) * | 1993-01-27 | 2002-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
US5458688A (en) * | 1993-03-09 | 1995-10-17 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treatment boat |
JP3348936B2 (ja) * | 1993-10-21 | 2002-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
JP3125199B2 (ja) * | 1993-03-18 | 2001-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
US5556275A (en) * | 1993-09-30 | 1996-09-17 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
JP3151118B2 (ja) * | 1995-03-01 | 2001-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
CA2218518C (en) * | 1995-05-05 | 2002-10-01 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Slip free vertical rack design |
US6193506B1 (en) * | 1995-05-24 | 2001-02-27 | Brooks Automation, Inc. | Apparatus and method for batch thermal conditioning of substrates |
JP3218164B2 (ja) * | 1995-05-31 | 2001-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の支持ボート、熱処理装置及び熱処理方法 |
US5609376A (en) * | 1995-09-08 | 1997-03-11 | Micron Technology, Inc. | Wafer carrier handle assembly |
KR0155930B1 (ko) * | 1995-11-28 | 1998-12-01 | 김광호 | 종형확산로의 보우트-바 |
TW325588B (en) * | 1996-02-28 | 1998-01-21 | Asahi Glass Co Ltd | Vertical wafer boat |
US5848889A (en) * | 1996-07-24 | 1998-12-15 | Applied Materials Inc. | Semiconductor wafer support with graded thermal mass |
US6156121A (en) * | 1996-12-19 | 2000-12-05 | Tokyo Electron Limited | Wafer boat and film formation method |
US6200388B1 (en) | 1998-02-11 | 2001-03-13 | Applied Materials, Inc. | Substrate support for a thermal processing chamber |
US5931666A (en) * | 1998-02-27 | 1999-08-03 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Slip free vertical rack design having rounded horizontal arms |
US6280183B1 (en) | 1998-04-01 | 2001-08-28 | Applied Materials, Inc. | Substrate support for a thermal processing chamber |
US6048403A (en) * | 1998-04-01 | 2000-04-11 | Applied Materials, Inc. | Multi-ledge substrate support for a thermal processing chamber |
JP3487497B2 (ja) * | 1998-06-24 | 2004-01-19 | 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 | 被処理体収容治具及びこれを用いた熱処理装置 |
JP2001230312A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
US6287112B1 (en) | 2000-03-30 | 2001-09-11 | Asm International, N.V. | Wafer boat |
KR100345304B1 (ko) * | 2000-10-12 | 2002-07-25 | 한국전자통신연구원 | 수직형 초고진공 화학증착장치 |
US6497403B2 (en) | 2000-12-28 | 2002-12-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Semiconductor wafer holder |
US6811040B2 (en) * | 2001-07-16 | 2004-11-02 | Rohm And Haas Company | Wafer holding apparatus |
US6835039B2 (en) * | 2002-03-15 | 2004-12-28 | Asm International N.V. | Method and apparatus for batch processing of wafers in a furnace |
US6582221B1 (en) | 2002-07-19 | 2003-06-24 | Asm International N.V. | Wafer boat and method for treatment of substrates |
US7256375B2 (en) * | 2002-08-30 | 2007-08-14 | Asm International N.V. | Susceptor plate for high temperature heat treatment |
US7033126B2 (en) * | 2003-04-02 | 2006-04-25 | Asm International N.V. | Method and apparatus for loading a batch of wafers into a wafer boat |
EP1670534B1 (en) * | 2003-07-02 | 2010-01-27 | Cook Incorporated | Coaxial Catheters |
US7181132B2 (en) | 2003-08-20 | 2007-02-20 | Asm International N.V. | Method and system for loading substrate supports into a substrate holder |
JP4312204B2 (ja) * | 2003-11-27 | 2009-08-12 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板保持具、及び半導体装置の製造方法 |
JP4358690B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2009-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及びその運用方法 |
US20060060145A1 (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Van Den Berg Jannes R | Susceptor with surface roughness for high temperature substrate processing |
US20060065634A1 (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Van Den Berg Jannes R | Low temperature susceptor cleaning |
US20060150906A1 (en) * | 2005-01-07 | 2006-07-13 | Selen Louis J M | Wafer boat for reduced shadow marks |
JP2007210875A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-08-23 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
JP5456287B2 (ja) | 2008-09-05 | 2014-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
TW201630105A (zh) * | 2015-02-12 | 2016-08-16 | 漢民科技股份有限公司 | 晶圓保持器 |
JP2011258890A (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 薄膜形成装置、方法 |
CN103791714B (zh) * | 2014-02-20 | 2015-11-04 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种立式炉的保温桶 |
CN109423627B (zh) * | 2017-08-31 | 2021-02-23 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 圆盘类零件一次性全表面气相沉积炉 |
CN109423628B (zh) * | 2017-08-31 | 2021-02-23 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一次性全表面气相沉积支架、气相沉积炉及其沉积方法 |
US12027397B2 (en) * | 2020-03-23 | 2024-07-02 | Applied Materials, Inc | Enclosure system shelf including alignment features |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2208734A (en) * | 1938-05-03 | 1940-07-23 | Armin L Schreiber | Pottery support for glaze firing |
US3948594A (en) * | 1974-10-21 | 1976-04-06 | The Joseph Dixon Crucible Company | Ceramic refractory setter |
US4504224A (en) * | 1980-05-22 | 1985-03-12 | Hewitt David K | Kiln furniture |
US4468259A (en) * | 1981-12-04 | 1984-08-28 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Uniform wafer heating by controlling light source and circumferential heating of wafer |
JPS61247048A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Nec Corp | 縦型拡散炉用ボ−ト |
US4636170A (en) * | 1986-03-13 | 1987-01-13 | David Stupka | Kiln furniture setter |
KR970008320B1 (ko) * | 1987-11-17 | 1997-05-23 | 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 | 열처리 장치 |
JPH07120634B2 (ja) * | 1988-12-27 | 1995-12-20 | 東京エレクトロン東北株式会社 | 処理装置 |
JP2630366B2 (ja) * | 1989-08-28 | 1997-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 板状体の搬入搬出方法および搬入搬出装置 |
-
1991
- 1991-12-16 JP JP33107691A patent/JP3234617B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-12-16 US US07/991,597 patent/US5316472A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5902406A (en) * | 1996-03-15 | 1999-05-11 | Asahi Glass Company Ltd. | Low pressure CVD system |
US6576064B2 (en) | 1997-07-10 | 2003-06-10 | Sandia Corporation | Support apparatus for semiconductor wafer processing |
JP2009500850A (ja) * | 2005-07-08 | 2009-01-08 | インテグレイティッド マテリアルズ インク | 熱処理支持タワー用の着脱可能なエッジリング |
KR101301228B1 (ko) * | 2005-07-08 | 2013-08-28 | 페로텍 (유에스에이) 코포레이션 | 열처리 지지 타워를 위한 탈착 가능한 에지 링 |
JP2010062446A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置及び基板支持具 |
KR101287656B1 (ko) * | 2008-09-05 | 2013-07-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 종형 열처리 장치 및 기판 지지구 |
US8940096B2 (en) | 2008-09-05 | 2015-01-27 | Tokyo Electron Limited | Vertical thermal processing apparatus and substrate supporter |
JP2014033143A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Tokyo Electron Ltd | 化合物半導体膜の成膜方法および成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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